JPS61248288A - 磁気バブルメモリ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は磁気バブルメモリ装置、特忙薄形化、小型化、
低消費電力化、組立側の改善に好適な磁気バブルメモリ
装置に関する。

〔発明の背景〕

ここ数年実用化されている磁気バブルメモリデバイスは
、磁気バブルメモリチップをマクントした８字状のセラ
ミ、りや合成樹脂等の配線基板に１互いに非対称構造を
有する矩形状ソレノイドコイルからなる回転磁界発生用
Ｘコイル、Ｘコイルをそれぞれ挿入し直交配置して組み
立てた構造となっている。Ｘコイル反びＸコイルは磁気
バブルメモリテップだけでなく、テップよシもはるかに
大きい配線基板を巻く構造であるため、各コイルの端か
ら端迄長さが長くなり、駆動電圧、消費電力が大きくな
ってしまう。また、Ｘコイル、Ｘコイルは磁気バブルメ
モリ素子に均一かつ安定した面内回転磁界を付与するた
めに均一なインダクタバランスが要求されることから、
そのコイル形状が互いに異なる非対称構造となりかつ大
型化構造とならざるを得なかった。さらにはこれらのＸ
コイル、Ｙ、コイルの外面には磁気バブルメモリ素子忙
垂直方向のバイアス磁界を付与。する一対の永久磁石板
およびその整磁板が配置されてそれらの周辺部分が樹脂
モールドにより被覆されている構造であるため、垂直方
向の積層厚が増大し、磁気バブルメモリデバイスの薄形
化、小型化への要請に対して障害となっていた。

本件出願人が知る本発明に最も近い先行技術としては特
開昭５４−５５１２９号公報が挙げられる。

この公報には、チップを囲む額縁型コアとそれらを完全
に囲む導電性磁界反射箱の構造が記載されている。しか
しながら、それ以上の具体的な構造は何ら示されておら
ず、例えば導体ケースで完全にとシ囲んでいるチップへ
の電気的結線を導体ケースの外側からそれに短絡させる
ことなく行なうことは理論的に不可能であシ、永久磁石
、整磁石、バイアスコイル等の改行方法が不明であるこ
とも含め、その記載をきっかけに実用化しようと思い立
つには見るからに不十分である。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、薄形化、小型化を可能にするとともに
、磁気バブルメモリチップを接続せしめる配線基板のリ
ード部に改良を施した磁気バブルメモリを提供すること
にある。

〔発明の概要〕

本発明は、配線基板の開口部に露出された配線用リード
に接続された磁気バブルメモ９ｆ−ツブを、２組の対向
する２辺にそれぞれ巻線を施した長方形環状のコア忙囲
まれた位置に配置し、上記磁気バブルメモリチップ、巻
線及びコアを回転磁界閉じ込めケースで覆うようになし
た磁気バブルメモリ装置において、上記配線用９−ドは
上記開口部に跨がって設置し、配線用Ｊｌ−ドの保護を
図ったことを特徴とする。

〔発明の実施例〕

次に図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。

＠１図および第２図Ａ、Ｂは本発明による磁気パズルメ
モリデバイスの一実施例を説明するための図であり、第
１図は一部破断斜複図、第２図人はその底面図、第２図
Ｂは第２図人の２Ｂ−２Ｂ断面図である。これらの図に
おいて、ＣＨＩは磁気バブルメモリチップ（以下チップ
と称する）でアシ、これらの図ではチップ１工は省略し
て１個のみ表示しているが本実施例では２個並べて配置
しているものとする。（１つの大容量チップよりも、合
計記憶容量をそれに合わせた複数分割チップ構成の方が
チア１歩留が良い。）ＦＰＣは２個のチップＣＨＩを搭
載しかつ４隅にチップＣＨＩと外部接続端子との結線用
線群延長部を有するフレキシブル配線基板（以下基板と
称する）である。

ＣＯＩは２個のチップＣＨＩをほぼ同一平面上でとシ囲
み対向辺が互いに平行となるように配置された駆動コイ
ル（以下コイルと称する。

第５図においては、付号２０ａ、２０ｂ、２０ｃ、２１
Ｍを付して示している。）、ＣＯＲは四角形コイル集合
体ＣＯＩの中空部分を貫通するように固定配置された軟
磁性材からなる額縁形コア（以下コアと称する）であり
、このコアＣＯＲと各コイルＣＯＩとでチップＣＨＩに
面内回転磁界を付与する磁気回路ＰＦＣを構成している
。

ＲＦＳは基板ＦＰＣの中央四角形部分と、２個のテップ
ＣＨＩおよび磁気回路ＰＦＣの全体を収納する回転磁界
閉じ込めケース（以下ケースと称する）である。ケース
ＲＦＳは２枚の独立した板を加工して形成され、ケース
の側面部で上下の板は電気的に接続されている。これら
のケースＲＦＳには、チップＣＨＩが配置された部分よ
シやや広めの範囲で中央部分の隙間が狭くなるよう周辺
部分に絞シ部（第３図ｔｔｃ−ｍける３０．５３が形成
されている。この絞り部は後述する磁石体の位置決めに
も利用できる。ケースＲＦＳは回転磁界閉じ込めと軟弱
な基板ＦＰＣを機械的に支持する一石二鳥の効果、働き
を持っている。

ケースＲＦＳとチップＣＨＩとの間には、特にチップＣ
ＨＩの側面部に隙間ＳＩＲがあるが、チップＣＨＩの平
面部も含めてこの隙間部分５ＩＲＫはシリコーン樹脂が
コーティング又は充填され、チップ主表面に組立中に異
物が付着したり、組立後に水分がチップ主式面又は側面
部に侵入することが少なくなるよう、バ、シペーション
効果が意図されている。もし、ケースＲＦＳの外側で完
全な気密封止ができる場合、樹脂ＳＩＲの充填は省略し
ても良い。

ＩＮＭはブースＲＦＳの外側に配置された磁性材からな
る一対の傾斜板であシ、第２図で上側の傾斜板ＩＮＭは
左に寄るに従ってまた下側の傾斜板ＩＮＭは右に寄るに
従って板厚が厚くなっており、双方はブースＲＦＳ＠に
傾斜面が形成されている。傾斜板ＩＮＭの材料としては
、透磁率μが高く保持力Ｈｅのソフト・フェライトやパ
ーマロイ等を使用すれば良く、本実施例では傾斜面の加
工が容易なソフト・フェライトを選んだ。ＭＡＧは一対
の傾斜板ＩＮＭの内側でそれと重ねて配置された一対の
永久磁石板（以下磁石板と称する）である。ＲＯＭは前
記各磁石板ＭＡＧの内側でそれと重ねて配置されたソフ
トフェライトのような磁性材からなる一対の整磁板であ
る。磁石板ＭＡＧは全面にわたって均一の板厚を有して
形成されている。ＩＮＮは一対の整磁板ＨＯＭの内側対
向面にそれと重ねて配置された銅のように熱伝導性が良
く非礁性体の材料からなる一対の傾斜板である。これら
の傾斜板ＩＮＮは傾斜板ＩＮＭとほぼ同等の傾斜角でか
つ逆方向の傾斜面を有して形成されている。傾斜板ＩＮ
Ｍ、磁石板ＭＡＧ、整磁板ＨＯＭ及び傾斜板ＩＮＮは、
それぞれ積み重ねて配置し一体化してバイアス磁界発生
用磁石体ＢＩＭ（以下磁石体と称する）を構成したとき
に、積層板磁石体全体の厚さがほぼ全面にわたって均一
となるように形成されている。一対の磁石体ＢＩＭはブ
ースＲＦ８の絞シ部によって囲まれた中央の平な部分に
接着されている。

ＢＩＣは磁石体ＢＩＭの周縁部とブースＲＩＦＳとの間
の溝状隙間部分に配置されたバイアス磁界発生用コイル
（以下バイアスコイルと称する）である。バイアスコイ
ルＢＩＣは磁石板ＭＡＧの磁力をチップＣＨＩの特性に
合わせて調整したり、不要バブル発生不良の有無をテス
トする際、テップＣＨＩのバブルをオールクリア（全消
去）する場合に駆動される。

ＳＨＩは前記テップＣＨＩを搭載した基板ＦＰＣおよび
磁気回路ＰＦＣを収納したケース几ＦＳと、その外側で
、一対の磁石体ＢＩＭ、。

ＢＩＭｂおよびバイアスコイルＢＩＣを収納する磁性材
からなる外部磁気シールドブース（以下シールドブース
と称する）である。シールドブースＳＨＩの材料として
は、透磁率μが高く、飽和磁束密度Ｂｓが大＃　（、Ｈ
ｃの小さい磁性体が好ましく、パーマロイやフェライト
がそのような特性を持っているが、本実施例では折シ曲
げ加工に適し、機械的な外力に対して強いパーマロイの
鉄・二、ゲル合金が選択された。

ＰＫＧは前記シールドブースＳＨＩの外周面に接着ある
いははめ込みにより取り付けられた熱伝導車が高く、加
工のし易いＭのような材質からなるバ、クージングケー
スである。ＣＮＰは、前記基板ＦＰＣの４隅から延長し
て設けられシールドブース８ＨＩの背面に折り返された
外部接続端子に接触するように配置されたコンタクトバ
ッドである。ＴＥＦは各コンタクトバッドＣＮＰを開口
部の段差部で支持固定する絶縁性部材からなる端子固定
板である。Ｒ，ＥＧは／＜、’７７−ジングブースＰＫ
Ｇ内側４隅に封入されかつシールドケースＳＨＩ組立体
をバックーシングケースＰＫＧ内部に固定する樹脂モー
ルド剤である。

第３図は前述した磁気バブルメモリデバイスを構成する
各構成部材の積重ね組み立て手順を説明するための組み
立て斜視図であシ、前述と同一符号は同一部材を示して
いる。同図において、まず、４隅に突出して入出力配線
の接続部３を有しかつ中央部にチップ搭載部１を有する
基板ＦＰＣ上に２個のチップＣＨＩを搭載した基板組立
体ＢＮＤを、底面に絶縁性シート３６を接着配置した外
側ケースＲＦ８．内に配置し、さらＫこの基板ＦＰＣ上
に磁気回路ＰＦＣを組み込んだ後、シリコーン樹脂ＳＩ
Ｒ，（図示せず）を充填しその上部に内側ブースＲＦ８
ｂを外側ブースＲＦＳ、に対して組み込み、外側ブース
ＲＦＳ、と内側ブースＲＦＳｂとの側面接触部分を半田
付等により電気的に接続する。

次にこれらの内側ケースＲＦＳｂおよび外側クーツＲＦ
Ｓ、の外面に設けられている凹状の絞り部３０．３３　
Ｋ上側磁石体Ｂ　Ｉ　Ｍ、および下側磁石体ＢＩＭｂを
配置した後、この上側磁石体ＢＩＭ。

の外縁部と内側クーツＲＦＳｂの内側とで形成される図
示しない隙間忙整列巻きされたバイアスコイルＢＩＣを
配置し、これらを外側シールドクーツＳ　ＨＩｃＬ内に
収納し、更に内側シールドケース５ＨＩｂを組み込み、
外側シールドケースＳＨ１，と内側シールドクーツ８Ｈ
Ｉｂとの側面接触部分を溶接等によシ磁気的に接続する
。

次にシールドクーツＳＨＩの４隅から外側クーツＲＦＳ
、の切欠き部３５．外側シールドケース５ＨＩａの切欠
き部５４．を介して突出している前記基板ＰＰＣの外部
接続端子接続Ｗ３を内側シールドクーツ５ＨＩｂの切欠
よ部５８を介してその背面に折シ曲げ部２をもって第１
図に示すように折り返し、内側シールドクーツ５ＨＩｂ
の背面全体を覆うように組み合わせて配置し、これらの
接続部３にそれぞれ設けられている半田等で被覆された
各外部接続端子９ｂに、コンタクトパッドＧＮＰを各開
口部に搭載した端子固定板ＴＥＦを接触配置して熱圧着
等によシ各外部接続端子９ｂとコンタクドパ、ドＣＮＰ
を半田付等によシミ気的に接続させる。

次にこれらの組立体をパッケージングケースＰＫＧ内に
収納し、端子固定板ＴＢＦとバラゲージングテースＰＫ
Ｇの接触部において八−メチツクシール等の封止を行な
って組み立てられる。

このようにして組立てられたデバイスの一部破断斜祈図
を第１図に％また断面図を第２図ＢＫ示している。

さて本発明の特徴は、第３図のほぼ中央部に示されたフ
レキシブル配線基板ＦＰＣにある。

以下第４図を用いて本発明の詳細な説明する。

第４図は基板ＦＰＣの平面図である。同図において、基
板ＦＰＣは、中央部に角形状のチ。

プ搭載部１と、この４隅に巾の小さい折シ曲げ部２　（
２ａ、　２ｂ、　２ｃ、　２ｄ　）と、この先端部に角
形状の外部接続端子接続部（以下接続部と称する）　５
　（５ｎ、５ｂ、５ｃ、５ｄ　）とを有し、全体形状が
ほぼ風車状をなして一体的に形成されており、また、と
のチップ搭載部１の対向辺側には第３図に示した２個の
チップＣＨＩを搭載しその端子部を接続させる２重枠構
造の矩形状開口部４（４ａ、４ｂ　）および位置決め用
の３個の穿孔５（５ａ、５ｂ、５ｃ　）が設けられ、さ
らに１個の接続部３Ｃの先端には位置決め用の基板突出
部６が設けられている。

また、この基板ＦＰＣは、はぼ絶縁層−配線１−絶縁層
の３層構造になっており、厚さ例えば約５０μｍ程度の
ポリイミド樹脂フィルムからなるベースフィルム７上に
エポキシ系の接着剤を介して銅薄膜を形成し、これを所
要のパターン形状に工、ｆングすることＫよシ、第４図
に示すような配線用リード９ａ、円形状の外部端子９ｂ
。

楕円状のコイルリード接続用端子９Ｃ，記号９ｄおよび
インデックスマーク９ｅ等のパターンが形成され、さら
にこれらの上面には前記同様な部材からなる接着剤を介
して透光ないし半透光性のカバーフィルム１０が接着配
置されている。

そして、この基板ＦＰＣの開口部４においては、テップ
ＣＨＩ搭載側となるベースフィルム７が高い精度の寸法
で開口が形成され、また、その上面側カバーフィルム１
０には比較的寸法の大きい開口が形成され、さらにベー
スフィルム７とカバーフィルム１０との間には配線用リ
ード９番が開口部４＾、４ｂをそれぞれ跨がって露出し
、この配線用リード９ａの表面には例えば錫メッキ層が
形成され、開口形状が２層構造でかつ２重枠構造を有し
て形成されている。前記チップＣＨＩは、この露出され
た配線用リード９ａ上Ｋ例えばリードボンディングされ
る。一方、接続部３においては、カバーフィルム１０の
前記円形状外部端子９ｂおよび図示しない楕円状の外部
端子９Ｃと対応する部位九円形状の開口１２が形成され
、その開口１２から露出した外部端子９ｂ、９ｃ銅薄膜
パターン上にはめっき或いはディップ等による半田層が
形成されている。そして、これらの接続部３に設けられ
た外部端子９ｂ、９ｃは各接続部３α、５ｂ、３Ｃ，３
ｄおよび折り曲げ部２αｔ２ｂ、２ｃ、２ｄ並びにチッ
プ搭載部１上に連続して形成された各配線用リード９ａ
に接続され、これらの配線用リード９８はチップ搭載部
１に設けられた各開口部４〜１４ａ、４ｂの開口端の一
部に各接続部３ａ、３ｂ、５Ｃ，３ｄのプロ、り毎に集
決してその先端部が各開口部４ａ、４ｂ内に露出されて
いる。すなわち第４図に示すように接続部３ａの配線用
リード９ｎは開口部４ａの左上部に、接続部３ｂの配線
用リード９４は開口部４ｂの左下部に、接続部３Ｃの配
線用リード９ａは開口部４ａの右上部に、また接続部３
ｄの配線用リード９ａは開口部４ｂの右下部にそれぞれ
開口部４ａ。

４ｂを跨がって配線されている。

そして、この基板ＦＰＣは、第３図で説明した工程で各
接続部５ａ、５ｂ、５ｃ、５ｄが各折シ曲げ部２ａ、２
ｂ、２ｃ、２ｄで折シ曲げられて内側シールドケース５
ＨＩｂの背面全体を覆うように組み合わされ、半田層を
形成した各外部端子９ｂ、９ｃが表面に露出し、また、
配線用リード９ａ、記号９ｄおよびインデックスマーク
９ｅは表面がカバーフィルム１０により被覆されている
ので、これらのパターンカバーフィルム１０を透かして
容易忙判読できるように構成されている。

即ち、第４図に示した実施例においては、チ、プ搭載部
１の開口部４ａ、４ｂ　Ｋ露出された複数本の配線用リ
ード９ａは、それぞれ開口部４ｍ、４ｂに跨がって設け
られているので、基板ＦＰＣ単体の製造時からチップの
接続時まで配線用９−ドハは所定の間隔に安定して保持
され、リード部の変形が防止される。これは基板ＦＰＣ
の強度向上本意味しハンドリング性も良好である。

また第５図は開口部（４ａ、４ｂ）　Ｋおける配線用リ
ード９ａの第２の実施例でろ〕、接続部５への引廻しの
ない側の配線用リード９ａの端末９ｄの幅を小さくなし
て対岸に跨がらせた例である。

この実施例によると、リードボンディング後の基板ＦＰ
Ｃ或いはり−ド９ａへの歪に対して、ボンディング完了
によりて不要となった幅の狭い端末９ａｉが切断され易
い構造とすることにより、歪を吸収することが可能であ
る。

〔発明の効果〕

以上詳しく説明したように、本発明によれば、磁気バブ
ルメモリチップをリードボンディングする開口部４の配
線用リード９ａの変形が防止でよるので、基板強度が向
上しハンドリング性も良好となり、信頼性及び生産性の
向上に大きく寄与するものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による磁気バブルメモリデバイスの全体
を示す一部破断斜視図、第２図Ａは底面図、第２図Ｂは
同図Ａの２Ｂ−２Ｂ断面図、第３図は積み重ね構造を示
す分解斜視図、第４図は本発明によるフレキシブル配線
基板ＦＰＣの平面図、第５図は他の実施例による基板Ｆ
ＰＣの要部拡大図である。 ＦＰＣ・・・フレキシブル配線基板、 １・・・チップ搭載部、 ２、ハ、２ｂ、２ｃ、２ｄ・・・折シ曲げ部、５．５ａ
、５ｂ、５ｃ、５ｄ　−・・外部接続端子接続部、４．
４ａ、４ｂ・・・開口部 ７・・・ベースフィルム、 ９ａ・・・配線用リード、 ９ｂ・・・外部端子、 １０・・・カバーフィルム。 ＩＩ″１　　　１＋ 第４０

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 配線基板の開口部に露出された配線用リードに接続され
   た磁気バブルメモリチップを、２組の対向する２辺にそ
   れぞれ巻線を施こした長方形環状のコアに囲まれた位置
   に配置し、上記磁気バブルメモリチップ、巻線及びコア
   を回転磁界閉じ込めケースで覆うようになした磁気バブ
   ルメモリ装置であって、上記配線用リードは上記開口部
   に跨がって設置されたことを特徴とする磁気バブルメモ
   リ装置。