JPS61250889A - 磁気バブルメモリの特性評価方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は磁気バブルメモリ、特に薄形化、小型化、低消
費電力化に好適な磁気バブルメモリに関する。

〔発明の背景〕

ここ数年実用化されている磁気バブルメモリデバイスは
、磁気バブルメモリチップをマウントしたＥ字状のセラ
ミックや合成樹脂等の配線基板に、互いに非対称構造を
有する矩形状ソレノイドコイルからなる回転磁界発生用
Ｘコイル、Ｙコイルをそれぞれ挿入し直交配置して組み
立てた構造となっている。Ｘコイル及びＹコイルは磁気
バブルメモリチップだけでなく、チップよりもはるかに
大きい配線基板を巻く構造であるため、各コイルの端か
ら端迄長さが長く−なり、駆動電圧、消費電力が大きく
なってしまう。また、Ｘコイル、Ｙコイルは磁気バブル
メモリ素子に均一かつ安定した面内回転磁界を付与する
ために均一なインダクタバランスが要求されることから
、そのコイル形状が互いに異なる非対称構造となりかつ
大型化構造とならざるを得なかった。さらにはこれらの
Ｘコイル、Ｙコイルの外面には磁気バブルメモリ素子に
垂直方向のバイアス磁界を付与する一対の永久磁石板お
よびその整磁板が配置されてそれらの周辺部分が樹脂モ
ールドにより被覆されている構造であるため、垂直方向
の積層厚が増大し、磁気バブルメモリデバイスの薄形化
、小型化への要請に対して障害となっていた。

本件出願人が知る本発明に最も近い先行技術としては昭
和５４年特許出願公開第５５１２９号公報が挙げられる
。この公報には、チップを１７１１む額縁型コアとそれ
らを完全に囲む導電性磁界反射箱の構造が記載されてい
る。しかしながら、それ以上の具体的な構造は何ら示さ
れておらず、例えば導体ケースで完全にとり囲んでいる
チップへの電気的結線を導体ケースの外側からそれに短
絡させることなく行うことは理論的に不可能であり、永
久磁石、整磁板、バイアスコイル等の取付方法が不明で
あることも含め、その記載をきっかけに実用化しようと
思い立つには見るからに不十分である。すなわち、本発
明の実施例が結果として額縁型コアを使用した点で上記
公報の記載とたまたま一致したに過ぎない。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、薄形化を可能とした磁気バブルメモリ
を提供することにある。

本発明の他の目的は、全体の体積を小さくして小型化を
可能とした磁気バブルメモリを提供することにある。

本発明の他の目的は、消費電力を低減させた磁気バブル
メモリを提供することにある。

本発明の他の目的は、回転磁界発生用コイルのインダク
タンスを小さくしてＶＩ積を小さくさせた磁気バブルメ
モリを提供することにある。

本発明の他の目的は、構成部品の組立の自動化を可能又
は容易にした磁気バブルメモリを、提供することにある
。

本発明の他の［１的は、大容量化等に入出力等の接続端
子数を増大させることができる磁気バブルメモリを提供
することにある。

本発明の他の１−１的は、磁気バブルメモリ朱子のバイ
アス磁界方向に対する傾斜角度を容易かつ高精度で設定
可能とした磁気バブルメモリを提供することにある。

本発明の他の目的はカセットの小型化が可能な磁気バブ
ルメモリを提供することである。

本発明の他の目的は磁気バブルメモリデバイスの周辺回
路を安いコストで製造できる磁気バブルメモリを提供す
ることである。

本発明の更に他の目的は磁気バブルのスタート・ストッ
プ特性を保証し得る磁気バブルメモリの駆動方法を提供
することにある。

〔発明の概要〕

本発明の一実施例によれば、額縁型コアを使用した駆動
磁気回路が提供される（第８図）。磁気バブルメモリチ
ップは額縁形コアに囲まれそれとほぼ同一平面を成すよ
うにフレキシブル配線基板上に配置される（第１３図）
。駆動磁気回路および磁気バブルメモリチップは非磁性
体で良導電体の回転磁界閉じ込めケース内に収納される
（第１３図）。このような構成において、スタート・ス
トップ特性を測定する際、磁気回路を構成するコイルに
、回転磁界発生電流とともにパルス電流を印加する（第
３２図）ことにより、ホールディング磁界強度を測定す
る（第３３図）ことができる。

〔発明の実施例〕

次に図面を用いて本発明の詳細な説明する。

（全体構造の概要　第１，２図） 第１図および第２図（ａ）、（ｂ）は本発明による磁気
バブルメモリデバイスの一実施例を説明するための図で
あり、第１図は一部破断斜視図、第２図（ａ）はその底
面図、第２図（ｂ）は第２図（ａ）の２Ｂ−２Ｂ断面図
である。これらの図において、ＣＨＩは磁気バブルメモ
リチップ（以下チップと称する）￥−あり、これらの図
ではチップＣＨＩは省略して１個のみ表示しているが本
実施例では２個並べて配置しているものとする。

（１つの大容量チップよりも、合計記憶容量をそれに合
せた複数分割チップ構成の方がチップ歩留が良い）。Ｆ
ＰＣは２個のチップＣＨＩを搭載しか゛つ４隅にチップ
ＣＨＩと外部接続端子との結線用線群延長部を有するフ
レキシブル配線基板（以下基板と称する）である。ＣＯ
Ｉは２個のチップＣＨＩをほぼ同一平面上でとり囲み対
向辺が互いに平行となるように配置された駆動コイル（
以下コイルと称する）、ＣＯＲは四角形コイル集合体Ｃ
ＯＨの中空部分を貫通するように設けられた固定配前さ
れた軟磁性材からなる額縁形コア（以下コアと称する）
であり、このコアＣＯＲと各コイルＣＯＩとでチップＣ
ＩＴＴに面内回転磁界を付与する磁気回路Ｐ　ｌ”　Ｃ
を構成している。ＲＦＳは基４Ａ２　Ｆ　Ｐ　Ｃの中央
四角形部分と、２個のチップＣＨ丁および磁気回路ＰＦ
Ｃの全体を収納する回転磁界閉し込めケース（以下ケー
スと称する）である。

ケースＲＦＳは２枚の独立した板を加工して形成され、
ケースの側面部で１−下の板は電気的に接続されている
。チップＣＩ（Ｊが配置された部分よりやや広めの範囲
で中央部分の隙間が狭くなるよう周辺部分に絞り部が形
成されている。この絞り部は磁石体の位置決めにも利用
できる。ケースＰ　ＦＳは磁気磁界閉じ込めと軟弱な基
板ＦＰＣを機械的に支持する一石二鳥の効果、働きを持
っている。

ケースＰ　Ｆ　ＳとチップＣＨＩとの間には、特にチッ
プＣＩ−７Ｊの側面部に隙間ＳＴＲがあるが、チップＣ
Ｉ−’ｆ　Ｉの平面部も含めてこの隙間部分ＳＩＲには
シリコーン樹脂がコーティング又は充填され、チップ主
表面に組立中に異物が付着したり、組立後に水分がチッ
プ主表面又は側面部に侵入することが少なくなるよう、
パッシベーション効果が意図されている。もし、ケース
ＲＦＳの外側で完全な気密封＋Ｌができる場合、帰服Ｓ
ＩＲの充填は省略しても良い。ＩＮＭはケースＲＦＳの
外側に配置された磁性材からなる一対の傾斜板であり、
第２図で上側の傾斜板ＩＮＭは左に寄るに従ってまた下
側の傾斜ＱｉＩＮＭは右に寄るに従って板厚が厚くなっ
ており、双方はケースＲＦＳ側に傾斜面が形成されてい
る。傾斜板ＩＮＭの材料としては、透磁率μが高く保持
力Ｊ（ａの小さいソフ１−・フェライトやパーマロイ等
を使用すれば良く、本実施例では傾斜面の加工が容易な
ソフト・フエライ１−を選んだ。ＭＡＧは一対の傾斜板
ＩＮＭの内側でそれと重ねて配置された一対の永久磁石
板（以下磁石板と称する）である。ＲＯＭは前記各磁石
板ＭＡＧの内側でそれと重ねて配置されたソフトフェラ
イ１−のような磁性材からなる一対の整磁板である。磁
石板ＭＡＧは全面にわたって均一の板厚を有して形成さ
れている。ＩＮＮは一対の整磁板ＲＯＭの内側対向面に
それと重ねて配置された銅のように熱伝導性が良く非磁
性体の材料からなる一対の傾斜板である。これらの傾斜
板ＩＮＮは傾斜板ＩＮＭとほぼ同等の傾斜角でかつ逆方
向の傾斜面を有して形成されている。傾斜板ＩＮＭ、磁
石板ＭＡＧ、整磁板ＲＯＭ及び傾斜板ＩＮＮは、それぞ
れ積み重ねて配置し一体化してバイアス磁界発生用磁石
体ＢＩＭ（以下磁石体と称する）を構成したときに積層
板磁石体全体の厚さがほぼ全面にわたって均一となるよ
うに形成されている。

一対の磁石体ＢＩＭはケースＲＦＳの絞り部によって囲
まれた中央の平な部分に接着されている。

ＢＩＣは磁石体ＢＩＭの周縁部とケースＲＦＳとの間の
溝状隙間部分に配置されたバイアス磁界発生用コイル（
以下バイアスコイルと称する）である。バイアスコイル
ＢＩＣは磁石板Ｍ　Ａ、　Ｇの磁力をチップＣＨＩの特
性に合せて調整したり、不要バブル発生不良の有無をテ
ストする際、チップＣＨＩのバブルをオールクリア（全
消去）する場合に駆動される。Ｓ　ＨＩは前記チップＣ
ＨＩを搭載した基板ＦＰＣおよび磁気回路ＰＦＣを収納
したケースＲＦＳと、その外側で、一対の磁石体ＢＩＭ
ａ、ＢＩＭｂおよびバイアスコイルＢＴＣを収納する磁
性材からなる外部磁気シールドケース（以下シールドケ
ースと称する）である。シールドケースＳ　ＨＩの材料
としては、透磁率μが高く、飽和磁束密度ＢＳが大きく
、Ｈｃの小さい磁性体が好ましく、パーマロイやフエラ
イ１−がそのような特性を持っているが、本実施例では
折り曲げ加工に適し、機械的な外力に対して強いパーマ
ロイの鉄・ニッケル合金が選択された。ＰＫＧは前記シ
ールドケースＳＨＩの外周面に接着あるいははめ込みに
より取り付けられた熱伝導率が高く、加工のし易いＡＱ
のような材質からなるパッケージングケースである。Ｇ
ＮＰは前記基板Ｆ　Ｐ　Ｃの４隅から延長して設けられ
、シールドケースＳ　ＨＴの背面に折り返された外部接
続端子に接触するように配置されたコンタクトパッドで
ある。ＴＥＦは各コンタクトパッドＧＮＰを開口部の段
差部で支持固定する絶縁性部材からなる端子固定板であ
る。ＲＥＧはパッケージングケースＰＫＧの内側４隅に
封入されかつシールドケースＲＦＳ組立体をパッケージ
ングケースＰＫＧ内部に固定する樹脂モールド剤である
。

（全体構造の特長　第１，２図） 第１図及び第２図に示した磁気バブルメモリデバイス全
体構造の特長点は下記のように列挙される。しかし、本
実施例による特長点はこれらに限定されるものではなく
、他の特長点は第３図以降の説明からも明らかとなるで
あろうが、ここでは各構成部品間の関連性を中心として
特長点を述べる。

（１）回転磁界発生コイルＰＦＣを額縁型にして、バブ
ルメモリチップＣＨＩをその面内にほぼ同一平面上で配
置しているので、バブルデバイス全体の厚さを薄くでき
る。現今の主流技術では、チップ上下面をＸ及びＹコイ
ルでぐるぐる巻いているため、デバイス全体の厚さはチ
ップ厚、Ｘコイル厚及びＹコイル厚の和の関数となるか
らである。

（２）Ｘコイル及びＹコイルがほぼ同一平面に配置され
ているので、従来のＸコイル上に重ねてＹコイルを巻い
た構造に比べ下記の効果がある。

■コイルの総巻線長が長くならない。従ってインダクタ
ンスＬを小さくでき、低電圧駆動や低消費電力化を可能
とした。

■Ｘコイル及びＹコイルとチップＣＨＩとの距離を等し
くすることができ、磁界分布をバランスのとれたものと
することができる。

（３）回転磁界発生コイルＰＦＣを導体ケースＲＦＳで
囲んでいるので磁束の漏れが少なくチップＣＩ（Ｉに対
する駆動効率を高められる。

（４）導体ケースＰＦＳは、回転磁界Ｈｒ発生コイルＰ
ＦＣから発生された交流磁界が透磁率μの大きい磁石体
ＢＩＭに漏れるのを防ぎ、他方磁石体ＢＩＭからチップ
ＣＨＩへ加えられるべきバイアス磁界Ｈｂの直流磁界に
対しては実質的にその通過を妨げないという選択性があ
る。

１ｌ− （５）導体ケースＰＦＳとしては、従来配線基板として
使用されていたエポキシガラス等に比べ硬い銅のような
材質を使用しているため、チップＣＨＩを機械的に強固
に支持できる。

従って、特に製造歩留を上げるため等に複数チップ実装
構成とした場合は、チップ間の傾斜角度バラツキが磁気
特性に大きな影響を与えるが、本実施例によればチップ
間の傾斜角度のバラツキを小さく押えられる。

（６）配線基板としてフレキシブルフィルム基板ＦＰＣ
を使用しているため下記の効果が得られる。

■基板厚を小さくできる。

■リードボンディング方式を採用できるので従来のワイ
ヤホンディング方式に比ベボンディング部分が占める厚
さを小さくできる。

■上記■、■の効果は、磁気回路のギャップ（透磁率μ
の小さい部分）を小さくでき小さい厚さ、又は小さい平
面積のバイアス磁石ＭＡＧを使用することができ、デバ
イス全体の薄型化又は平面積の縮小化につながる。

■チップＣＨＩからの配線の折り曲げ等が自由自在であ
る。従って、端子部分の１８０゜の裏返し等が可能であ
り、デバイス全体の平面積を制限することができる。

■回転磁界閉じ込めケースＲＦＳの配線取り出し用開口
幅を小さくできる。従って、回転磁界の漏れを最小限に
留めることができる。

（７）配線基板ＦＰＣの外部導出配線を四角形の角部に
集約させているので、回転磁界閉じ込めケースＲＦＳの
開口を最も影響の小さい角部に設けることができる。

（８）傾斜板ＩＮＮの機能を磁石或は整磁機能と兼用さ
せていないので下記の効果がある。

■傾斜角を形成するために、加工性の良い銅等の材料を
使用できる。

■熱部率の良い銅等の材料を使用でき、回転磁界発生コ
イルＣＯＩで発生した熱を効率良く発散できる。

■非磁性体の材料を使用することによって、整磁板Ｉ（
ＯＭを通る磁界を乱さないようにすることができる。

（９）傾斜板ＩＮＮは磁気的ギャップを小さくするため
にできるだけ薄い方が好ましく、その幅を磁石ＭＡＧや
整磁板ＨＯＭに比べて、傾斜角形成に必要十分なところ
に制限することによって、薄い厚さでの傾斜角形成を容
易としている。

（１０）磁石ＭＡＧとシールドケースＳＨＩ間には、透
磁率μの大きいソフトフェライトのような抜ＩＮＭが挿
入されているので、その間の磁気的ギャップを埋めるこ
とができる。また、板ＴＮＭは放熱にも寄与する。板Ｉ
ＮＭとしては磁石ＭＡＧよりも保持力Ｈｃのホさい材料
を選んでいるので、永久磁石の実効的な厚さを均一なま
まにしておくことができる。

（１１）シールドケースＳ　ＨＩは透磁率μの大きいパ
ーマロイ等の磁性材料で構成しているため、磁石Ｍ　Ａ
　Ｇを磁界源とする磁気回路の磁気抵抗を小さくできる
ので、磁石Ｍ　Ａ、　Ｇの厚さや平面積を小さくできる
。

（１２）シールドケースＳＨＩは飽和磁束密度Ｂｓの大
きいパーマロイ等の磁性材料で構成しているため、外来
の磁界ノイズをバイパスし、チップＣＨＩに伝えない働
きがある。

（１３）上記（１，１）、（１，２）はそれぞれ、シー
ルドケースＳＨＩの厚さを薄くすることにつながる。

（１４）シールドケースＳ　ＨＩはパーマロイのような
鉄−ニッケル合金を使用しているため、折り曲げ加工に
適し、又機械的な外力に対してその中に組み込まれた部
品を保護する働きがある。

（］５）回転磁界発生コイルＰＦＣとバイアスコイルＢ
ＩＣを共にコア型にしているので、パッケージングケー
スＳ　ＨＩ又はＰＫＧ内での収納効率又は実装密度を高
めることができる。

（１６）コアーＣＯＲと整磁板ＨＯＭとの間にはケース
ＲＦＳを挿入しているため、その間隔はコイルＣＯＩの
厚さの他に回転磁界閉じ込めケースＲＦＳの厚さ及び折
り曲げ角度で微調整できる。この距離は短ければ短い程
全体の平面的な大きさを小さくすることができ、コイル
長の低減による低消費電力化につながる。

しかしながら、その距離が短か過ぎると磁石ＭＡＧから
の直流バイアス磁界Ｈｂが透磁率の高いコアーＣＯＲに
漏れてしまい、チップ周辺部分におけるバイアス磁界の
一様性が悪くなる。従って、この距離は上記特性上非常
にシビアであり、本構造によるとその調整が精密にでき
る。

（１７）回転磁界閉じ込めケースＲＦＳの周辺に絞り部
を設けているため、磁石体ＢＩＭの位置合せが容易であ
る。

（１８）傾斜板ＩＮＮは同じ製造条件で作った２枚のも
のを、チップの上下面で平面的に１８０゜の回転角度差
があるように配置することによって、チップをはさんで
上下面に配置された１対の整磁板ＨＯＭや１対の磁石Ｍ
ＡＧをはｊ６− ぼ平行に合せることができる。

（組立の概要　第３図） 第３図は前述した磁気バブルメモリデバイスを構成する
各構成部材の積重ね組み立て手順を説明するための組み
立て斜視図であり、前述と同一符号は同一部材を示して
いる。同図において、まず、４隅に突出して入出力配線
の接続部を有しかつ中央部に素子搭載部を有する基板Ｆ
ＰＣ」二に２個のチップＣＨＩを搭載した基板組立体Ｂ
ＮＤを、底面に点線で示した位置に絶縁性シートを接着
配置した外側ケースＲＦＳａ内に配置し、さらにこの基
板ＦＰＣＩに磁気回路ＰＦＣを組み込んだ後、シリコー
ン樹脂５ＩＲ（図示せず）を充填しその上部に内側ケー
スＲＦＳｂを外側ケースＲＦＳａに対して組み込み、外
側ケースＲＦＳａと内側ケースＲＦＳｂとの側面接触部
分を半田付等により電気的に接続する。次にこれらの外
側ケースＲＦＳａおよび内側ケースＲＦＳｂの外面に設
けられている凹状の絞り部に上側磁石体Ｂ　Ｉ　Ｍ　ａ
および下側磁石体ＢＩＭｂを配置した後、この上側磁石
体Ｂ　Ｉ　Ｍ　ａの外縁部と内側ケースＲＦＳｂの内側
とで形成される図示しない隙間に整列巻きされたバイア
スコイルＢＩＣを配置し、これらを外側ケースＳ　ＨＩ
　ａ内に収納し、更に内側ケースＳ　ＨＩｂを組み込み
、外側ケースＳ　ＨＩ　ａと内側ケース５ＨＩｂとの側
面接触部分を溶接等により磁気的に接続する。次に内側
ケース５ＨＩｂの４隅から突出している前記基板ＦＰＣ
の外部接続端子接続部をこの内側ケースＳ　ＨＩ　ｂの
背面に第４図Ｂに示すように折り返し、一定形状を有す
るように組み合わせて配置し、これらの接続部にそれぞ
れ設けられている半田等で被覆された各外部接続端子に
、図示しないコンタクトパッドＣＯＰを各開口部に搭載
した端子固定板ＴＥＦを接触配置して熱圧着等により各
外部接続端子とコンタクトパッドＣＯＰを半田付等によ
り電気的に接続させる。次にこれらの組み立て体にパッ
ケージングケースＰＫＧ内に収納し、端子固定板ＴＥＦ
とパッケージングケースＰＫＧの接触部においてハーメ
チックシール等の封止を行って組み立てられる。

次に前述した各構成部品の構造について説明する。

（フレキシブル配線基板　第４図） 第４図は基板ＦＰＣを示す図であり、同図Ａはその平面
図、同図Ｂは４隅から突出している外部接続端子の接続
部を折り返し組み合わせて配置した平面図、同図Ｃは同
図Ａの４Ｃ−４ＣＣ拡大面図、同図りは同図Ａの４Ｄ−
４Ｄ拡拡大面図である。同図において、基板ＦＰＣは、
中央部に角形状の素子保護部１と、この４隅に巾の小さ
い折り曲げ部２　（２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ）と、この
先端部に角形状の外部接続端子接続部（以下接続部と称
する）３　（３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄ）とを有し、全体
形状がほぼ風車状をなして一体的に形成されており、ま
た、この素子保護部１の対向辺側には後述する２個のチ
ップＣＨＩを搭載しその端子部を接続させる２重枠構造
の矩形状開口部４（４ａ、４ｂ）および位置決め用の３
個の穿孔５（５ａ、５ｂ、５ｃ）が設けられ、さらに１
個の接続部３ｃの先端には位置決め用の基板突出部６が
設けられている。

また、この基板ＦＰＣは、同図Ｃに示すように厚さ例え
ば約５０μｍ程度のポリイミド樹脂フィルムからなるベ
ースフィルム７上にエポキシ系の接着剤８を介して銅薄
膜を形成し、これを所要のパターン形状にエツチングす
ることにより、同図Ａに示すような配線用リード９ａ、
円形状の外部端子９ｂ、楕円状のコイルリード接続用端
子９ｃ。

記号９ｄおよびインデックスマーク９ｅ等のパターンが
形成され、さらにこれらの上面には前記同様な部材から
なる接着剤８を介して透光ないし半透光性のカバーフィ
ルム１０が接着配置されている。そして、この基板ＦＰ
Ｃの開口部４においては、図示しないチップＣＨＩ搭載
側となるベースフィルム７が高い精度の寸法で開口が形
成され、また、その上面側カバーフィルム１ｏには比較
的寸法の大きい開口が形成され、さらにベースフィルム
７とカバーフィルム１ｏとの間には配線用リード９ａが
露出し、この配線用リード９ａの表面には錫メッキ層１
１が形成され、開口形状が２層構造でかつ２重枠構造を
有して形成されている。

一方、接続部３においては、同図りに示すようにカバー
フィルム１０の前記円形状外部端子９ｂおよび図示しな
い楕円状の外部端子９ｃと対応する部位に円形状の開口
１−２が形成され、その間口１２から露出した外部端子
９ｂ、９ｃ銅薄膜パターン上にはめっき或いはディップ
等による半田層１３が形成されている。そして、これら
の接続部３に設けられた各外部端子９ｂ、９ｃは各接続
部３ａ、、３ｂ、３ｃ、３ｄおよび折り曲げ部２ａ。

２ｂ、２ｃ、２ｄ並・びに素子保護部１上に連続して形
成された各配線用リード９ａに接続され、これらの配線
用リード９ａは素子搭載部１に設けられた各開口部４ａ
、４ｂの開口端の一部に各接続部３ａ、３ｂ、３ｃ、３
ｄのブロック毎に集結してその先端部が各開口部４ａ、
４ｂ内に露出されている。すなわち同図Ａに示すように
接続部３ａの配線用リード９ａは開口部４ａの左上部に
、接続部３ｂの配線用リード９ａは開口部４ｂの左下部
に、接続部３ｃの配線用リード９ａは開口部４ａの右上
部に、また接続部３ｄの配線用リード９ａは開口部４ｂ
の右下部にそれぞれ配線されている。そして、この基板
ＦＰｃは、後工程で各接続部３ａ、　３ｂ、３ｃ、３ｄ
が各折り曲げ部２ａ。

２ｂ、２ｃ、２ｄで折り曲げられて同図Ｂに示すように
組み合わされ、半田層１３を形成した各外部端子９ｂ、
９ｃが表面に露出し、また、配線用リード９ａ、記号９
ｄおよびインデックスマーク９ｅは表面がカバーフィル
ム１ｏにより被覆されているので、これらのパターンは
カバーフィルム１０を透かして容易に判読できるように
構成されている。

このような構成において、基板ＦＰＣはポリイミド樹脂
フィルムを用い、素子保護部１の４隅に各折り曲げ部２
ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄを介して各接続部３ａ、３ｂ、３
ｃ、３ｄを設けた風車状に構成し、これらの各接続部３
ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄを折り返し組み合わせて外部端子
部を構成したことにより、素子保護部１と接続部とが２
層配線構造となるので、接続部３の面積を小さくするこ
となく、素子保護部］の面積を太きくさせ、併せて外部
端子部の多端子化が可能となり、全体形状を小形化する
ことができる。

また、このような構成において、各外部端子９ｂから素
子保護部１の各間［１部４ａ、４ｂまでの配線リード９
ａを大幅に短縮できるので、外部雑音等による影響を大
幅に減らすことができる。すなわちＳ／Ｎ比の高い信号
を入出力させることができる。さらに接続部３Ｇの一端
に基板突出部６を設けるとともに、この突出部６にイン
デックスマーク９ｅを設けたことにより、折り返し組み
立てた際の基板中央部の表示用、ケースＲＦＳおよび５
Ｔ（Ｉ（第２図参照）に組み込む際の位置合せ用、配線
リード９ａの種類の区別用あるいは製品型式の表示用等
の判別に利用してその判別が容易となるので、組み立て
および基板管理等を合理化することができる。また、基
板ＦＰＣの素子保訝部１の両端側に穿孔５ａ、５ｂ、５
ｃを設けたことにより、基板ＦＰＣの左右の区別、チッ
プＣＨ工の位置決め等が容易となり、同様に組み立て性
を合理化することができる。

（基板組立体　第５．６．７図） 第５図は前述した基板ＦＰＣにチップＣＨＩを搭載した
平面図を示したものである。同図において、基板ＦＰＣ
の素子搭載部１には２個のチップＣＨＩが開口部４ａ、
４ｂ間に並列配置して搭載され基板組立体ＢＮＤが構成
されており、このチップＣＨＩの１個は、第６図に拡大
平面図で示すようにｊ−Ｍ　ｂチップの２ブロツクが一
体化して構成され、２個のチップＣＨＩでは４ブロツク
、合計で４Ｍｂチップを構成している。なお、第６図に
示したチップＣＨＩの１ブロツクにおいて、太線は導体
パターン、細線はシェブロンパターン転送路をそれぞれ
示している。また、第５図に示したチップＣＨＩは、第
７図Ａ、第７図Ｂにそれぞれ拡大断面図で示すようにチ
ップＣＨＩの端部に金メッキして設けられた各ポンディ
ングパッド］−４と、基板ＦＰＣ開口部４の錫メッキ層
１１が形成された配線用リード９ａとの間に金バンプ１
５を介在させて熱圧着法にによるＡ　ｕ　−Ｓ　ｎ共晶
によりリードボンディングされて搭載されている。

このような構成によれば、基板ＦＰＣの開口部４、　ａ
　、　４．　ｂの配線用リード９ａとチップＣＩ−Ｔ　
Ｉのポンディングパッド１４とがＡ　ｕ　−Ｓ　ｎ共晶
によるリードボンディングにより接続されてチップＣＨ
Ｉが支持固定できるので、接続強度を大幅に向上できる
とともに、薄形化が可能となる。また、チップＣＨＩの
表面が基板ＦＰＣの素子搭載部１により被覆されるので
、チップＣＨＩの表面が保護され、ハンドリング性を向
上させることができるとともに、基板ＦＰＣの機械的強
度を保持することができる。また、このような構成によ
れば、各チップＣＨＩが２ブロツクがらなり、２個のチ
ップＣＨＩは４ブロツクで構成されているので、各ブロ
ックをそれぞれ最も近接する各接続部３ａ。

３ｂ、３ｃ、３ｄへ分配して配線でき、チップＣＨＩ配
置の対称性が得られ、試験、検査等が極めて容易となる
。さらに基板ＦＰＣに４個の接続部３ａ、３ｂ、３ｃ、
３ｄを設けているので、各チップＣＨ丁の磁気バブル検
出器ＤＥＴおよびマップループ等の配線を他の機能配線
と区別して１個所の接続部に集結させ、この接続部を雑
音発生源から遠ざける部位に選定して配置することによ
り、雑音の極めて少ない入出力信号を授受することがで
きる。

（駆動磁気回路　第８，９図） 第８図は磁気回路ＰＦＣを示す図であり、同図Ａは斜視
図、同図Ｂはその駆動磁気回路を示す平面図である。同
図において、磁気回路ＰＦＣは、軟磁性材料からなる額
縁形のコアＣＯＲの互いに平行な対向する辺上に、矢印
方向に巻線を施して４組のコイル２０ａ、２０ｂ、２０
ｃ、２０ｄからなるコイルＣ○■が巻設され、互いに対
向する辺上のコイル２０ａと２０ｂとを接続点２１ｂを
介して直列巻きさせてＸコイル２２ａを、コイル２０ｃ
と２０ｄとを接続点２１ａを介して直列巻きさせてＹコ
イル２２ｂをそれぞれ構成している。

そして、Ｘコイル２２ａおよびＹコイル２２ｂに位相の
９０度累々る電流工ＸおよびＩｙ（例えば三角非電流）
を供給することにより、同図Ｂに示すようにＸ軸方向に
漏洩磁界Ｈｘが、ｙ軸方向には漏洩磁界ｒ−Ｉ　Ｖが発
生し、前述した２個のチップＣＨＩに回転磁界として供
給される。

また、このように構成される磁気回路ＰＦＣは、第９図
に斜視図で示すように１本の軟磁性材料からなる直方体
状の磁気コア２３に巻線を複数ブロック毎にタップ２４
を設け、直列巻きして一対のコイル、例えばコイル２０
ａ、２０ｂからなる一対のＸコイル２２ａを形成した後
、各コイル２０ａと２０ｂとの間に一定の巾を有する幅
の広い溝２５とさらに幅の小さい溝２６とを切削加工し
て設け、しかる後、この幅の小さい溝２６部分から切断
して両者に分割された幅の広い溝２５を互いに直交する
方向に組み合わせて接着し、第８図に示すように額縁形
に構成する。また、逆に前述した幅の広い溝２５および
幅の小さい溝２６を予め形成した直方体コア２３にコイ
ル２０ａ、２０’ｂをタップ２４を介して巻設し、一対
のＸコイル２２ａを形成してもよい。また、前述した一
対のＹコイル２２ｂについても全く同様に形成される。

このような構成において、直方体状磁気コア２３にコイ
ル２０ａ、２０ｂを直列方向にタップ２４を設けて巻設
しているので、第８図に示すように組み立て構成した場
合、互いに交差させて結線（接続点）する必要がなくな
り、巻線の引き廻しをｆ１１￥素化することができる。

このような構成によれば、Ｘコイル２２ａとＹコイル２
２ｂとが対称構造となるので、粗カップリングとなり、
インダクタンスバランスが向上し、漏洩磁界に対する磁
性体間の磁気的干渉を防止することができる。また、こ
の磁気回路ＰＦＣはチップＣＨＩの上、下面に配置され
ない額縁形構造となるので、積層方向の厚さが小さくな
り、薄形化が可能となる。

（回転磁界閉込めケース　第１０．１１．１２図）第１
０図はケースＲＦＳを示す図であり、同図Ａは平面図、
同図Ｂはそのｌ０Ｂ−ｌ０Ｂ断面図である。同図におい
て、内側ケースＲＦＳｂは、その中央部分が凹状となる
枠形状の絞り部３０と、その対向端辺が上方向にほぼ９
０度折り曲げられ＝２８− た折り曲げ部３１と、その各４隅が斜め方向に切断され
た切り欠き部３２とをそれぞれ有して構成されており、
このケースＲＦＳｂは良導電性材料、例えば無酸素銅板
をプレス加工して形成されている。この場合、絞り部３
０および折り曲げ部３１はこの内側ケースＲＦＳｂのね
じれ方向の機械的強度を向上させるとともに、互いに対
向する折り曲げ部３１相互間の縦横方向の外径寸法りを
適宜制限することができる。また、絞り部３０は、この
ケースＲＦＳｂの外面側に配設される磁石体ＢＩＭｂと
、内面側に配置されるチップＣＨＩとの間の距離を適宜
調整することができる。なお、４隅に設けた切り欠き部
３２は、このケースＲＦＳｂ内に配設される基板ＦＰＣ
の各折り曲げ部２ａ。

２ｂ、２ｃ、２ｄの引出し部分を形成している。

このような構成によれば、内側ケースＲＦＳｂは、プレ
ス加工法により形成できるので、高精度寸法でかつ低コ
ストで製作することができる。

なお、内側ケースＲＦＳｂは、無酸素銅を用いたが、こ
の他に銅、銀、金板あるいはこれらの合金板にメッキを
施した板材を用いても良い。

第］−１図は前述した内側ケースＲＦＳｂに対応する外
側ケースＲＦ　Ｓ　ａを示す図であり、同図Ａは平面図
、同図Ｂはその１１　Ｂ　−１１，Ｂ断面図である。同
図において、この外側ケースＲＦＳａは、前述した内側
ケースＲＦＳｂと同等の材料および製作法により形成之
れ、その構造は前述とほぼ同様にその中央部が凹状とな
る枠形状の絞り部３３と、その対向端辺が上方向にほぼ
９０度に折り曲げられた折り曲げ部３４と、その各４隅
が斜め方向に切断された切り欠き部３５とを有して構成
されている。この場合、互いに対向する折り曲げ部３４
は、その相互間の内側寸法が、前述した内側ケースＲＦ
Ｓｂの折り曲げ部３１相互間の外側寸法りとほぼ同等値
を有しかつ高さＨを大きくして形成されている。なお、
この絞り部３３および切り欠き部３５は前述した内側ケ
ースＲＦＳｂとほぼ同等の寸法を有して形成されている
。

このように構成された外側ケースＲＦ　Ｓ　ａおよび内
側ケースＲＦＳｂは、第１２図Ａにその平面図、第１２
図Ｂに１−２　Ｂ−］−２Ｂ断面図でそれぞれ示すよう
に外側ケースＲＦＳａ内に内側ケースＲＦＳｂを挿入し
、外側ケースＲＦＳａの折り曲げ部３１の外面とを互い
に接触させて接続することにより、一体化させケースＲ
ＦＳが組み立てられる。

（ケース組立体　第１３図） 第１３図は前述したケースＲＦＳ内に基板組立体ＢＮＤ
を収納配置行した断面図を示したものである。同図にお
いて、外側ケースＲＦＳａの底面には、電気的絶縁性シ
ートとして、例えば厚さ約０゜１ｎＩＴ１程度のポリイ
ミドフィルム３６が接着配置され、このフィルム３６」
二には基板組立体ＢＮＤが、また、その周縁部には磁気
回路ＦＰＣがそれぞれ配置され、されに基板組立体ＢＮ
Ｄの」二面にエポキシ系の接着剤３７を塗布した後、こ
れらの」二方部には内側ケースＲＦＳｂが挿入されて接
合配置されている。この場合、この外側ケースＲＦＳａ
の折り曲げ部：３４の内面と内側ケースＲＦＳｂの折り
曲げ部３１の外面とがｘ印で示す部分でメタルフローあ
るいは半田付等により電気的２機械的に接合されている
。また、この外側ケースＲＦＳａと内側ケースＲＦＳｂ
との間の隙間部分にはシリコーン樹脂ＳＩＲが充填され
基板組立体ＢＮＤおよび磁気回路ＰＦＣが固定配置され
ている。なお、この場合、これらの外側ケースＲＦＳａ
および内側ケースＲＦＳｂの４隅に設けられた図示しな
い各切り欠き部３２．３５には基板ＦＰＣの折り曲げ部
２　（２ａ、２ｂ、２ａ、２ｄ）が外部へ引出されてい
る。３８はコイルＣＯＩ同志の接続またはコイルＣ○工
と基板ＦＰＣ上に設けられた外部端子９ｃを接続するた
めのリード線である。

このような構成において、磁気回路ＦＰＣの駆動により
漏洩磁界が発生すると、ケースＲＦＳには閉ループを形
成するように誘起電流が流れ、この誘起電流によって回
転磁界がケースＲＦＳ内に封じ込められ、したがってチ
ップＣＨＩには均一な回転磁界を付与される。

このような構成によれば、外側ケースＲＦＳａおよび内
側ケースＲＦＳｂとの間に中央部分の凹状部内に基板Ｆ
ＰＣに搭載されたチップＣＲＴを、周縁部分の凸状部内
に磁気回路ＰＦＣをそれぞれ挟持させて配置したのでパ
ッケージング効果が向」二できるとともに、組立性が大
幅に向」―できる。

また、外側ケースＲＦＳａおよび内側ケースＲＦｓｂで
覆われる体積が減少することにより、ＶＩ積（体積）が
低減でき、回転磁界を発生させる磁気回路ＰＦＣの小形
化が可能となる。さらに外側ケースＲＦＳａおよび内側
ケースＲＦＳｂに絞り部３０．３３で形成される凹状部
を設は対向する凹状部間のギャップを減少させることに
より、回転磁界はチップＣＨＩの平面に垂直な成分（２
成分）が零に近接して水平な成分のみとなり、一様性を
向上させることができる。

（磁石体　第１４図） 第１４図は磁石体ＢＩＭを示す図であり、同図Ａは平面
図、同図Ｂはその側面図、同図Ｃはその正面図である。

同図において、磁石体ＢＩＭは。

対向面の一方が所定の傾斜面を有する非磁性材。

例えば銅からなる傾斜板ＩＮＮと、この傾斜抜ＩＮＮの
傾斜面側に配置する板厚の均一な第１の整磁板ＨＯＭ１
と、この第１の整磁板ＨＯＭ、の上面側に配置する板厚
の均一な磁石板ＭＡＧと、この磁石板ＭＡＧの上面側に
傾斜面を有する第２の整磁板ＨＯＭ２とを順次積層し、
エポキシ系の接着剤により一体化されて形成され、全体
の積層板厚がほぼ全面にわたって均一となるように構成
されている。そして、この磁石体ＢＩＭの上、下面から
はほぼ全面にわたって均一なバイアス磁界発生用の磁界
が放出される。

（バイアスコイル　第１５図） 第１５図はバイアスコイルＢＩＣを示す図であり、同図
Ａは斜視図、同図Ｂはその１５　Ｂ　−１，５Ｂ断面図
である。同図において、バイアスコイルＢＩＣは、表面
に絶縁部材として例えば熱硬化性松脂が外面に被覆され
た巻線４０を、断面が５×４線の配列とし全体形状が額
縁状となるように整列巻きした後、熱溶着で圧着し、冷
却させて所定値の額縁形状に成形して構成されている。

この場合、各巻線４０の外面に被覆されている熱硬化樹
脂が互いに熱溶着するとともに、圧着により各巻線４０
が目詰りして成形され、冷却させることにより、各巻線
４０が結束した状態で硬化されるので、所定形状の額縁
形状に形成される。

（ケース組立体への磁石体及びバイアスコイルの実装　
第１６図） 第１６図は前記第１３図で説明したケースＲＦＳ組立体
に前述した磁石体ＢＩＭおよびバイアスコイルＢＩＣを
組み込んだ断面図を示したものである。同図において、
内部に基板組立体ＢＮＤおよび磁気回路ＰＦＣを収納し
たケースＲ，Ｆ　Ｓ組立体の上、下面にはそれぞれ」二
部磁石体Ｂ　Ｉ　Ｍ　ａ下部磁石体ＢＩＭｂが接着配置
され、さらにこの上部磁石体Ｂ　Ｉ　Ｍ　ａの周縁部と
、内側ケースＲＦＳｂの折り曲げ部３１とで囲まれて形
成される額縁状溝部にはバイアスコイルＢＴＣが収納配
置されている。この場合、上部磁石体Ｂ　Ｉ　Ｍ　ａと
下部磁石体Ｂ　ＩＭｂとは全く同一の材料２寸法で構成
されており、これらの磁石体ＢＩＭａ、ＢＩＭｂはその
傾斜板ＩＮＮ側が、内側ケースＲＦＳｂの絞り部３０で
囲われた凹状部および外側ケースＲＦＳａの絞り部３３
で囲われた凹状部内にそれぞれ密着されて配置される。

このような構成において、ケースＲＦＳ組立体の中央部
両面側に形成された凹状部内に一対の磁石体ＢＩＭａ、
ＢＩＭｂが配置され、さらにその周縁部に形成される額
縁状溝部内にバイアスコイルＢＩＣが配設できるので、
各構成部品の積層方向の全体の厚さが小さ゛くなり、小
形、薄形化が可能となる。また、外側ケースＲＦＳａと
下部磁石体Ｂ　ＩＭｂの外縁部分とで額縁状の空間溝が
形成されるので、この部分に前記バイアスコイルＢＩＣ
を配置しても良く、また新たにバイアスコイルを設けて
も良く、さらにはコイルボビンとして巻線を施してバイ
アスコイルを形成することもできる。

（磁気シールドケース　第１７．１８．１９図）第１７
図はシールドケースＳＨＩを示す図であり、同図Ａは平
面図、同図Ｂはその１７Ｂ−１７Ｂ断面図である。同図
において、外側シールドケ−スＳ　ＨＩ　ａは、平坦部
５１と、この平坦部５］の対向端辺に上方向にほぼ９０
度に折り返した折り曲げ部５２と、この折り曲げ部５２
の中央部に一部が切り欠かれた四部５３と、その各４隅
が斜め方向に切断された切り欠き部５４とを有して構成
されており、このシールドケースＳ　ＨＩ　ａは高透磁
率および高飽和磁束密度を有し望ましくは熱伝導率の大
きい材料１４例えばパーマロイ板をプレス加工して形成
されている。

第１８図は前述した外側シールドケース５ＨＩａに対応
する内側シールドケース５ＨＩｂを示す図であり、同図
Ａは平面図、同図Ｂはその１８Ｂ−１８Ｂ断面図である
。同図において、この内側シールドケース５ＨＩｂは、
前述した外側シールドケースＳ　ＨＩ　ａと同等の材料
および製作法により形成され、その構造は前述とほぼ同
様に平坦部５５と、この平坦部５５の対向端辺に上方向
にほぼ９０度に折り返した折り曲げ部５６と、この折り
曲げ部５６の中央部に一部が切り欠かれた四部５７と、
その各４隅が斜め方向に切断された切り欠き部５８とを
有して構成されている。この場合、互いに対向する折り
曲げ部５６はその相互間の外側寸法が、前述した外側シ
ールドケースＳ　Ｉ−Ｊ　Ｉ　ａの折り曲げ部５２相互
間の内側寸法りとほぼ同等値を有しかつ高さＨを小さく
して形成されている。

このように４１４成された外側シール］くケースＳ　Ｈ
Ｉ　ａ　Ｊ’５よび内側シールドケースＳ　ＨＩ　ｂは
第１９図へにその平面図、第］９図Ｂにその１９Ｂ−１
９Ｂ断面図でそれぞれ示すように外側シールドケースＳ
　Ｉ−Ｔ　Ｉ　ａ内に内側シールドケースＳ　Ｉ−Ｔ　
Ｉ　ｂを挿入し、外側シールドケースＳ　Ｉ（Ｉ　ａの
凹部５３と内側シールドケースＳ　Ｔ−Ｉ　Ｉ　ｂの凹
部５７とで形成される四部５９にスポラ１へ溶接あるい
は半田溶接を施し、磁気的、機械的に固定することによ
り一体化させ外側シールドケースＳ　ＨＩ　ａが組み立
てられる。

このような構成において、外側シールドケースＳ　ＨＩ
　ａの折り曲げ部５２および内側シールドケースＳ　Ｈ
Ｉ　ｂの折り曲げ部５６を横方向、つまり積層方向と交
差す方向に設定することなく、積層方向に揃えて設定す
ることにより、横方向の寸法を小さくさせ、小形でかつ
構成部品の高集積化が可能となる。

（磁気シールドケース組立体　第２０図）第２０図は前
述したシール１〜ケースＳ　ＨＩ組立体内に、前記第１
６図で説明した内部に基板組立体ＢＮＤ、磁気回路ＦＰ
Ｃを組み込んだケースＲＦＳ絹立体と、一対の磁石板Ｂ
ＴＭａ、ＢＩＭｂ、バイアスコイルｒ３　Ｉ　Ｃとから
なる組立体を組み込んだ断面図を示したものである。同
図において、外側シールドケースＳ　ＨＩ　ａの内部に
は、その底面側から中央部に」二部磁石体Ｂ　Ｉ　Ｍ　
ａ　、周縁部にバイアスコイルＢＩＣ，ケースＲＦＳ組
立体（内部に基板組立体ＢＮＤ、磁気回路ＰＦＣ等が組
み込まれている）、下部磁石体ＢＩＭｂを順次積層配置
させた後、内側シールドケースＳ　Ｉ−Ｉ　Ｉ　ｂを挿
入し、前述した外側シールドケースＳ　ＨＩ　ａの凹部
５３ど内側シールドケースＳ　Ｔ−Ｉ　Ｉ　ｂの凹部５
７とで形成される四部５９（第１９図参照）で溶接固定
して封止される。この場合、このシールドヶ＝３９− 一スＳ　ＨＩ内にグリース等を充填させておくことによ
り、内部の構成部品が実質的に相互に密着することにな
り、ケースＲＦＳから発生する熱がこのシールドケース
Ｓ　Ｉ（Ｉを介して外部に放出することができる。また
、ケースＲ，Ｆ　ＳとシールドケースＳ　ＨＩを圧入方
式により側面で接触させる構造にして放熱効果を向」ニ
させることができる。

このような構成において、外側シールドケースＳ　ＨＩ
　ａの底面側にケースＲＦＳ組立体を、その折り曲げ部
３１．３４が対向するように積層配置させることによっ
て外部シールドケースＳ　ＨＩ　ａと内部シールドケー
ス５ＨＩｂとの間に積層される各構成部品が密着配置で
きるので、小形化、薄形化が可能となるとともに放熱効
果も同時に得られる。

（パッケージングケース　第２１図） 第２］図はパッケージングケースＰＫＧを示す図であり
、同図Ａは平面図、同図Ｂはその２１Ｂ−２１Ｂ断面図
である。同図において、パッケージングケースＰＫＧは
、熱伝導の良好な材料、例えば板厚約０．５ｍｍのアル
ミニウム板を絞り加工を施して形成され、図示されない
が、その外面には黒色被膜が設けられている。このパッ
ケージングケースＰＫＧは、前記外側シールドケースＳ
　Ｈｌａの形状を改良して兼用させて使用することがで
きる。

このような構成において、このパッケージングケースＰ
ＫＧは、磁気、バブルメモリデバイス完成後の外側ケー
スとなるとともに放熱体としての機能を有し、さらにそ
の内側角部は後述するポツティング法による樹脂モール
ド時の型としての機能も同時に有している。

（端子固定板及びコンタクトパッド　第２２．２３図）
第２２図は端子固定板ＴＥＦを示す図であり、同図Ａは
平面図、同図Ｂはその２２Ｂ−２２Ｂ断面図、同図Ｃは
その背面回である。同図において、端子固定板ＴＥＦは
、電気的絶縁性を有する材料、例えばガラスエポキシ系
の樹脂板６０からなり、その外形状は前記パッケージン
グケースＰＫＧの開口部に対して挿入出自在となる縦横
方向の寸法を有して形成されており、またこの樹脂板６
０の周辺部を除く部位には多数個の貫通孔６１が縦横方
向に所定の間隔をもってマトリックス状の配列で穿設さ
れ、さらにこれらの貫通孔群の角部には回転対称とはな
らない断面が凹状となる非貫通孔６２が設けられ、この
非貫通孔６２内には例えば方向性あるいは特長を位置付
ける白色の塗膜などによるマーク６３が付着されている
。また、この樹脂板６０に穿設された多数個の貫通孔６
］には、同図Ｂに示すようにその背面側に口径の大きい
開口６４が同軸的に連通して設けられており、これらの
開口６４の全ては板厚の約６０％の深さを有しかつ貫通
孔６１とは途中に段差を有して連通されている。また、
この樹脂板６０の背面側には同図Ｃに示すようにその周
辺部分に沿って前記開口６４の深さとほぼ同等の深さを
有しかつ平面方向の幅が異なりその断面が凹形状となる
溝６５が形成され、この溝６５内は前述したコイルＣＯ
Ｉの巻線、バイアスコイルＢＩＣの巻線の通路部および
接続部を構成している。また、この樹脂板６０の角部６
６は凹形状とはならず、所定の板厚寸法を有し、前述し
たパッケージングケースＰ　Ｋ　Ｇの　　　　′内側面
に体して接触面を得ている。このように樹脂板６０の背
面側は板厚の異なる２段構造を有して形成されている。

第２３図はコンタクトパッドＧＮＰを示す図であり、同
図Ａは平面図、同図Ｂはその２３Ｂ−２３Ｂ断面図であ
る。同図において、コンタクトパッドＣＮＰは、良導電
性材料、例えば板厚約０゜５Ｂ程度の銅板をプレス加工
により打ち抜いた素片７０の表面にニッケルメッキ層７
１．金メッキ層７２を形成して構成される。

（最終組立　第２０．４．２図） このように構成された各構成部品は、まず最初に前述し
たパッケージングケースＰＫＧ内に、第２０図で説明し
たシールドケース組立体を挿入する。この状態ではこの
パッケージングケースＰＫＧの４隅から前記基板組立体
ＢＮＤの各接続部３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄ　（第４図Ａ
参照）が各折り曲げ部２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄから約９
０度で折−４３＝ れ曲がって突出する。次に、このパッケージングケース
ＰＫＧの４隅にポツティング法により松脂モールドを行
なってこのパッケージングケースＰＫＧ内に各個性部品
を固定配置させる。引き続きこれらの各接続部３ａ、３
ｂ、３ｃ、３ｄを対応する各折り曲げ部２ａ、２ｂ、２
ｃ、２ｄでさらに約９０度で折り曲げて内側シールドケ
ース５ＨＩｂの外面に接着剤を介して前記第４図Ｂに示
す′ように組み合わせた後、前記端子固定板ＴＥＦ背面
側の各開口６４内にコンタクトパッドＧＮＰを搭載し、
あるいは更にコンタクトパッドＧＮＰの側面を接着剤に
より固着してパッケージングケースＰＫＧに挿入し、各
接続部３ａ、３ｂ、３ｃ。

３ｄに接触配置させる。この場合、各接続部３ａ。

８ｂ、３ｃ、３ｄに設けられている各外部端子９ｂの配
列ピッチと各コンタクトパッドＧＮＰの配列ピッチとが
一致しているので、各外部端子９ｂとコンタクトパッド
ＧＮＰとは電気的に接触する。

次に配置した端子固定板ＴＥＦの裏側から各貫通孔６１
に例えば先端部の細い加熱体を挿入し、コンタク１〜パ
ッドＧＮＰを熱圧着する事により、各外部端子９ｂと対
応する各コンタクトパッドＧＮＰが電気的に接続される
とともに端子固定板ＴＥＦも同時に機械的に固定されて
第２図に示した磁気バブルメモリデバイスが完成される
。

（磁気バブルメモリ素子　第２４，２５，２６ゝ、２７
，２８図）第２４図は前述した磁気バブルメモリチップ
ＣＨＩのポンディングパッドＰ　Ａ、　Ｄ近辺の断面図
を示すものである。同図において、ＧＧＧはｇａｄｏｌ
ｉｎｉｕｍ　−ｇａｌｌｉｕｍ　−ｇａｒｎｅｔ基板で
あり、ＬＰＥは液相エピタキシャル成長法によって形成
されたバブル磁性膜であり、その組成の一例は下記表１
に示した通りである。

表　　　１ ■ＯＮはハードバブル抑制のためにＬＰＥ膜表面に形成
されたイオン打込層を示している。ＳＰ］は第］のスペ
ーサであり、例えば３０００人の厚さの５ｊｏ２が気相
化学反応により形成される。

ＣＮ　Ｄ　］及びＣＮＤ２は２層の導体層を示しており
、後述するバブル発生、複写（分割）及び交換を制御す
る機能を持っており、下の第１の導体層ＣＮＤＪがＭ　
ｏ　、上の第２の導体層ＣＮＤ２がＡＵ等の材料でそれ
ぞれ形成されている。ＳＦ３及びＳＦ３は導体層ＣＮＤ
とその」−に形成されるパーマロイ等の転送パターン層
Ｐとを電気的に絶縁するポリイミド樹脂等から成る層間
絶縁膜（第２゜第３のスペーサ）である。ＲＡＳは気相
化学反応法により形成されたＳ　ｉ　Ｏ２膜等からなる
パッシベーション膜である。ＰＡＤはチップＣＩ−Ｉ　
Ｉのポンディングパッドを示しており、Ａ１１ｌ線等の
細いコネクタワイヤがここに熱圧着法や超音波法により
ポンディングされる。このポンディングパッドＰＡＤは
下の第１層ＰＡＤ１がＣｒ　、中央の第２層ＰＡＤ２が
Ａｕ層、上の第３層ＰＡＤ３がＡ、　ｕメッキ層等の材
料でそれぞれ形成されており、第２層ＰＡＤ２および第
３層ＰＡＤ３をＣｒ、Ｃｕ等の材料で形成しても良い。

Ｐはバブルの転送路やバブルの分割７発生、交換及び検
出部更にはガードレール部に用いられる層を示しており
、以後の説明では便宜」〕転送パターン層と表現する。

第２／１図の例ではこの転送パターン層Ｐは下層Ｐ、に
Ｆｅ−Ｎｊを、」二層Ｉ）２にＦ　ｅ　−Ｎ　ｉをそれ
ぞれ使用しているが、前述したように両者の材質を」二
下入れ替えることも可能である。

以下、前述した複数層から成る転送パターン層をチップ
ＣＨＩの各部に適用した例を第２５図以降の平面図で説
明するが、これらの平面図では転送パターン層の各層は
セルファラインで形成されているため、同じ輪郭線で表
されていることに注意されたい。第２５図はバブル検出
器り部分を示しており、ＭＥＭはメイン磁気抵抗素子で
あり、横方向に帯状に引き伸ばされたバブルがそこを通
過するとき抵抗値が変ることを利用してバブルの有無を
検出する。ＭＥＤはメイン磁気抵抗素子ＭＥＭと同様な
パターン形状のダミー磁気抵抗素子であり、回転磁界の
影響等による雑音成分を検出するために用いられる。メ
イン磁気抵抗素子ＭＥＭの」二層には２段分しか図示し
ていないがバブルを横方向に引き伸ばしながら下方に転
送していくバブルストレッチャーＳＴが数１０段形成さ
れて一４８＝ いる。なお、ＰＲはバブルの転送方向を示している。Ｅ
Ｒはバブルの消去器であり、導体層ＣＮＤにバブルが達
したとき、消去される。この検出器りの周囲及びダミー
及びメイン検出の間には、３列のパターン群から成るガ
ー１くレールＧ　Ｒが設けられており、ガードレールＧ
Ｒの内部に発生した不要なバブルをその外側に追い出し
たり、ガードレールＧＲの外側で発、生した不要なバブ
ルがその内側に入り込むのを防ぐようになっている。な
お、第２５図以下の平面パターン図では導体層ＣＮＤ以
外のパターンは第２４図で説明した転送パターン層Ｐを
示している。同図において、磁気抵抗素子ＭＥＭ、ＭＥ
Ｄを多層磁性層で形成することにより、信号対雑音比（
Ｓ／Ｎ比）が向上した。例えば、転送パターンとして各
層間にＳｉＣ２膜を介在させた３層パーマロイ層を使用
した場合は、パーマロイ単層用のものに比べ下記表２に
示すようにＳ／Ｎ比が２倍以上向上させることができる
。

表　　　２ また、ガルトレールＧＲの性能も保持力１−１０の低減
により不要バブルの排除率が高くなるなど改善される。

第２６図は磁気バブル発生器ＧＥＮを示しており、転送
パターン層Ｐを多層化することにより、磁気バブルの発
生電流を小さくすることができ、磁気バブル発生器の導
体層ＣＮＤの寿命を長くすることが可能となった。従っ
て、導体層ＣＮＤの駆動回路も電流容量値の小さい半導
体素子が使用でき、低価格化が可能となる。

第２７図はＰ　ａ　”　Ｐ　ｈ等の転送パターンで形成
されたマイナループｍ、Ｐｗ□〜Ｐｗ３等の転送パター
ン列で形成された書き込みメイジャーラインＷＭＬ及び
ヘアピン状導体層ＣＮＤで形成されたスワップゲート部
を示している。同図において、Ｐ７は第２６図のバブル
発生器ＧＥＮにおける転送パターンＰ７と同一のもので
あり、言い換えればバブル発生器ＧＥＮで発生されたバ
ブルはＰ１〜Ｐ７の転送路を通って書き込みメイジャー
ラインＷＭＴ＝に転送される。スワップ導体層ＣＮＤに
電流を流したとき、マイナループｍ工の転送パターンＰ
ｄの磁気バブルは転送パターンＰＱ、Ｐｍを通ってメイ
ジャーラインＷＭＬの転送パターンＰｗ３に転送され、
メイジャーラインＰｗ１からの磁気バブルは転送パター
ンＰｌｃ、Ｐｊ、Ｐｉを経てマイナループの転送パター
ンＰｅに転送されてバブルの交換、すなわち情報の書き
換えが行なわれる。なお、右端のマイナループｍｄには
スワップゲー１−が設けられていないが、これは、周辺
効果を軽減するための磁気バブルを注入しないダミーの
ループである。このように交換位置における転送パター
ン層Ｐ　ｉ　−Ｐ　ｍを多層化することにより、小さい
電流値で磁気バブルの交換を行なうことができる。

また、第２８図に示すように磁気バブルの複写器、即ち
分割器でも同様に小さい電流値駆動が可能となる。同図
において１通常磁気バブルはＰｎ〜Ｐｇ、Ｐｓ＝Ｐｘの
順路で転送されており、導体層ＣＮＤに電流を流したと
き、転送パターンＰｇの位置でバブルは分割され、分割
された１つの磁気バブルはＰＭ＋Ｐｓ〜Ｐ、。を経て読
出しメイジャーラインＲＭＬに転送される。

（ホールディング磁界及び回転磁界　第２９図）磁石板
ＭＡＧはチップＣＨＩに対して約２度程度傾斜させて配
置される。これはチップＣＨＩに対しバイアス磁界Ｈｂ
が垂直方向よりややずれて印加されるようにしたもので
、それによってバブル転送のスタート、ストップマージ
ンを約６〔。

ｅ〕向上させるホールディング磁界Ｈｄｃを生み出す（
第２９図Ａ）。

第２９図Ａに示したように磁石体ＢＩＭとチップＣＨＩ
との角度０の傾斜により、直流磁界Ｈｚは、ｘｙ平面内
の成分Ｈｄｃを持つことになる。

そして、この面内成分Ｈｄｃの大きさは、Ｈｄｃ・５ｉ
ｎＯとなり、通常Ｈｄｃ−５ｊｎＯ＝５〔○ｅ〕〜６（
Ｏｅ）になるように傾斜角度θが選定−５２＝ される。また、この面内成分Ｈｄｃの方向は、回転磁界
Ｈｒのスタート・ストップ（Ｓｔ／Ｓｐ）方向（＋ｘ軸
方向）に一致するように傾斜されている。そして、この
ｘｙ面内成分Ｈｄｃは、回転磁界Ｈｒのスタート・スト
ップ（Ｓｔ／Ｓｐ）動作に対して有効な働きをし、ホー
ルディングフィールドと呼ばれている公知の磁界である
。なお、チップＣＨＩ面に垂、直に作用するバイアス磁
界Ｈｂの大きさはＨｚ−ｃｏｓ（３となる。

さて、上述したホールディングフィールドＨｄＣは、チ
ップＣＨＩのｘｙ面に対して常時作用するため、第２９
図Ｂに図解したように前記チップＣＨＩに作用する回転
磁界Ｈｒ’は偏心する。同図において、Ｈｒは外部から
加えられる回転磁界、Ｈｒ’は、チップＣＨＩに作用す
る回転磁界である。この場合、ＣＨＩに作用する回転磁
界Ｈｒ’は外部から加えられる回転磁界Ｈｒと面内成分
Ｈｄｃとを合成したものとなり、その回転磁界Ｈｒ′の
中心Ｏ′はスター１−・ストップ（Ｓｔ／Ｓｐ）方向で
ある＋ｘ軸方向に面内成分Ｈｄｃ分だけ平行移動する。

このため、同図の結果から明らかなように、外部から加
えている回転磁界Ｈｒの強さがｌ　Ｈｒ　ｌであっても
実効的にチップＣＩ（Ｉに作用する回転磁界の強度１Ｈ
ｒｌは回転磁界Ｉ（ｒの位相によって異なる。すなわち
ｓｔ、’ｓｐ方向でのｌＨｒ’ｌは、１Ｈｒｌ＋１Ｈｄ
ｃｌとなり、１Ｈｒｌに比べてホールディングフィール
ドＨｄｃの強さ１Ｈｄｃｌだけ強くなっている。逆に、
Ｓｔ／Ｓｐ方向と逆方向の場合の１Ｈｒｌはｌ　Ｈｒ　
ｌ　　ｌ　Ｈｄｃｌとなり、１ト■ｒ１に比べてｌ　Ｉ
（ｄ　ｅ　ｌだけ弱まっている。

（周辺回路　第３０図） 最後にチップＣＨＩの周辺回路を第３０図で説明する。

ＲＦはチップＣＨＩのＸ及びＹコイルに９０°位相差の
電流を流し回転磁界Ｈｒを発生するための回路である。

ＳＡはチップＣＨＩの磁気抵抗素子からの微小なバブル
検出信号を回転磁界のタイミングと合わせてサンプリン
グし感知、増幅するセンスアンプである。ＤＲは、ＭＢ
Ｍデバイスの書き込みに関係するバブル発生及びスワッ
プ並びに読み出しに関係するレプリケートの各機能導体
に所定のタイミングで電流を流す駆動回路である。以」
二の回路は回転磁界Ｉ−（ｒのサイクル及び位相角に同
期して動作するようタイミング発生回路ＴＧによって同
期化されている。

（回転磁界分布特性　第３１図） 第３１図は前述した磁気回路ＰＦＣの回転磁界分布特性
を示したものである。すなわち同図において、横軸に第
８図Ｂで示した磁気回路ＰＦＣ内の中心を○としてＸ軸
方向の長さを、縦軸にそのＸ軸方向の回転磁界強度Ｈｘ
　＝　ＯとしたときのＸ軸方向の回転磁界強度Ｈｘをそ
れぞれ示すと、曲線Ｉで示すような回転磁界分布特性が
得られた。

同図から明らかなように、磁気回路ＰＦＣの対向するコ
アＣＯＲ間の内側までの距離−Ｘｃ〜十ＸＣの範囲まで
ほぼ均一な回転磁界強度Ｈｘが得られ、また、チップＣ
ＨＩの有効エリア（回転磁界を付与すべき最小範囲）−
Ｘｅ〜＋Ｘｅの範囲では士約２％の磁界強度一様性が得
られた。なお、破線で示す曲線■は従来構成の磁気回路
による回転磁界分布特性である。

このように構成された磁気バブルメモリデバイスは、ス
タート・ストップ特性を測定する場合、まず、磁気バブ
ルメモリデバイスを駆動させ、回転磁界閉じ込めケース
ＲＦＳ組立体内に収納されている磁気回路ＰＦＣのコイ
ルＣＯＩに、第３２図に示すように回転磁界発生電流Ｉ
ｒとともに別回路により片極性のパルス電流Ｉｒを同時
に印加する。これによってケースＲＦＳ組立体内に収納
されたチップＣＨＩの表面には、回路磁界Ｔ（ｒととも
にこのパルス電流■ｐによる交流磁界Ｈが重畳されて印
加される。この場合、この交流磁界ＨはケースＲＦＳ内
に閉じ込められてチップＣＨＩの表面に平行かつホール
ディング磁界Ｈｄｃとは逆方向の反磁界となって発生す
る。したがって前述したパルス電流Ｉｐを除々に増大さ
せ、チップＣＨＩが誤動作を発生する程度まで印加して
反磁界を増加させることにより、第３３図に示すように
磁気バブルメモリデバイスの動作領域Ａにおけるホール
ディング磁界Ｈｄｃの動作裕度ΔＨが測５６一 定でき、この値からホールディング磁界丁Ｊｄｃの設定
値Ｈｄ　ｃ　］を得ることができるので、ホールディン
グ磁界強度の適否の判断が容易に可能となる。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明によれば、向い合う巻線の組
が互いに平行となるようにコイルを施した額縁形コアで
形成される空間部にフレキシブル基板に搭載した磁気バ
ブルメモリ素子を配設し、コイル、コアおよび磁気バブ
ルメモリ素子の全体を良導電性材ケース内に挟持させ、
コイルに回転磁界発生電流とともにパルス電流を重畳さ
せることにより、ホールディング磁界強度が測定できる
ので、スタート・ストップ特性を確実に保証した磁気バ
ブルメモリデバイスが得られるという極めて優れた効果
が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による磁気バブルメモリデバイスの全体
を示す一部破断斜視図、第２図Ａは底面図、第２図Ｂは
同図Ａの２Ｂ−２Ｂ断面図、第３図は積み重ね構造を示
す分解斜視図、第４図は基板ＦＰＣを説明する図、第５
図は基板ＦＰＣにチップＣＨＩを搭載した基板組立体Ｂ
ＮＤを示す平面図、第６図はチップＣＨＩを示す図、第
７図は基板組立体ＢＮＤのリードボンディングを説明す
る図、第８図は磁気回路ＰＦＣを説明する図、第９図は
磁気回路ＰＦＣの製作方法を説明する図、第１０図は内
側ケースＲＦＳｂを示す図、第１１図は外側ケースＲＦ
Ｓａを示す図、第１２図はケースＲＦＳの組立図、第１
３図はケースＲＦＳ内に基板組立体ＢＮＤおよび磁気回
路ＦＰＣを収納した組立体の断面図、第１４図は磁石体
ＢＩＭの構成を説明する図、第１５図はバイアスコイル
を説明する図、第１６図はケースＲＦＳ組立体に一対の
磁石体ＢＩＭおよびバイアスコイルＢＩＣを組み込んだ
組立体の断面図、第１７図は外側シールドケースＳ　Ｈ
Ｉ　ａを示す図、第１８図は内側シールドケース５ＨＩ
ｂを示す図、第１９図はシールドケースＳＨＩの組立図
、第２０図は第１６図に示す組立体をシールドケースＳ
ＨＩ内に組み込んだ組立体の断面図、第２１図はパッケ
ージングケースＰＫＧを示す図、第２２図は端子固定板
ＴＥＦの構成を説明する図、第２３図はコンタクトパッ
ドの構成を示す図、第２４図はチップＣＨＩの断面図、
第２５図はチップＣＨＩの磁気バブル検出器りの構成を
示す図、第２６図はチップＣＨ■の磁気バブル発生器Ｇ
ＥＮの構成を示す図、第２７図はチップＣＨＩのスワッ
プゲートＳＷＰの構成を示す図、第２８図はチップＣＨ
ＩのレプリケートゲートＲＥＰの構成を示す図、第２９
図Ａはバイアス磁界Ｈｂとホールディング磁界Ｈｄｃの
関係を示す図、同図Ｂはトータル回転磁界Ｈｒ′を示す
図、第３０図は磁気バブルメモリボードの全体回路を示
す図、第３１図は回転磁界分布特性図、第３２図はコイ
ルＣＯＩに流す電流の波形図、第３３図はそのバイアス
磁界マージンを示す図である。 Ｃ）ｆＩ・・・磁気バブルメモリチップ（素子）、ＦＰ
Ｃ・・・フレキシブル配線基板（基板）、ＢＮＤ・・・
基板組立体、ＣＯＩ・・・駆動コイル（コイル）、ＣＯ
Ｒ・・・額縁形コア（コア）、ＰＦＣ・・・磁気回路、
ＲＦＳ・・・回転磁界閉じ込めケース（ケース）、ＲＦ
Ｓａ・・・外側ケース、ＲＦＳｂ・・・内側ケース、Ｓ
ＩＲ・・・シリコーン樹脂、ＢＩＭ・・・バイアス磁界
発生用磁石体（磁石体）、ＢＩＭａ・・・上部磁石体、
ＢＩＭ’ｂ・・・下部磁石体、ＩＮＭ・・・傾斜板、Ｍ
ＡＧ・・・永久磁石板（磁石板）、ＨＯＭ・・・整磁板
、ＩＮＮ・・・非磁性傾斜板、ＢＩＣ・・・バイアス磁
界発生用コイル（バイアスコイル）、ＳＨＩ・・・外部
磁気シールドケース（シールドケース）、５ＨＩａ・・
・外側シールドケース、５ＨＩｂ・・・内側シールドケ
ース、ＲＥＧ・・・樹脂モールド剤、ＰＫＧ・・・パッ
ケージングケース、ＴＥＦ・・・端子固定板、ＧＮＰ・
・・コンタクトパッド、１・・・素子保護部、２，２ａ
。 ２ｂ、２ｃ、２ｄ・・・折り曲げ部、３，３ａ。 ３ｂ、３ｃ、３ｄ・・・外部接続端子接続部、４゜４ａ
、４ｂ・・・開口部、５，５ａ、５ｂ、５ｃ・・・穿孔
、６・・・基板突出部、７・・・ベース＝６０− フィルム、８・・・接着剤、９ａ・・・配線用リード、
９ｂ・・・外部端子、９ｃ・・・接続用端子、９ｄ・・
・記号、９ｅ・・・インデックスマーク、１０・・・カ
バーフィルム、１１・・・錫メッキ層、１２・・・開口
、１３・・・半田メッキ層、１４・・・ポンディングパ
ッド、１５・・・金バンプ、２０ａ、２０ｂ、２０ｃ、
２０ｄ・・・ヘリックスコイル１．２１ａ、２１ｂ・・
・接続点、２２ａ・・・Ｘコイル、２２ｂ−−−Ｙコイ
ル、２３・・・磁気コア、２４・・・タップ、２５・・
・幅の大きい溝、２６・・・幅の小さい溝、３０・・・
絞り部、３１・・・折り曲げ部、３２・・・切欠き部、
３３・・・絞り部、３４・・・折り曲げ部、３５・・・
切欠き部、３６・・・ポリイミドフィルム、３７・・・
接着剤、３８・・・コイル巻線、４０・・・巻線、５１
・・・平坦部、５２・・・折り曲げ部、５３・・・凹部
、５４・・・切欠き部、５５・・・平坦部、５６・・・
折り曲げ部、５７・・・凹部、５８・・・切欠き部、５
９・・・凹部、６０・・・樹脂板、６１・・・貫通孔、
６２・・・非貫通孔、６３・・・マーク、６４・・・開
口、６５・・・溝、６６・・・角部、７０・・・素片、
７１・・・ニッケルメッキ層、７２・・・金メッキ層。 代理人　弁理士　　　小川　勝馬 と □Ｃ０１ 派　　　　　　　− ，Ｓ＜　　　ｎ　　　　　’ 第１１図Ａ 旦１−５Ｇ 第１２図Ａ 第１２図Ｂ 第１４図Ａ　　　第１４図Ｂ 第１４図Ｃ Ｃ１−１（Ｊ　　　　　　　　　　　　　ＩＮＮＮＮ第
１ム 第１７図Ａ 第１８図Ａ 第１８図Ｂ ｒ ＱＱ− 第２２図Ａ 第２２図Ｂ 第２２図Ｃ 手続補正書（方式） 昭和　６♀　８月　２も

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 向い合う巻線の組が互いに平行となるようにコイルを施
   した額縁形コアで形成される空間部に、フレキシブル基
   板に搭載した磁気バブルメモリ素子を配設し、前記コイ
   ル、コアおよび磁気バブルメモリ素子の全体を良導電性
   材ケース内に挟持させ、前記コイルに回転磁界発生電流
   とともにパルス電流を印加し、回転磁界に交流磁界を重
   畳させることによりホールディング磁界強度を測定する
   ことを特徴とした磁気バブルメモリの駆動方法。