JPS6374195A

JPS6374195A - 磁気バブルメモリ

Info

Publication number: JPS6374195A
Application number: JP21715486A
Authority: JP
Inventors: Yoshiyuki Tsujita; 辻田　嘉之; Nobuo Kijiro; 木城　伸夫; Hiromichi Miyokawa; 三代川　博道
Original assignee: Hitachi Device Engineering Co Ltd; Hitachi Ltd; Hitachi Consumer Electronics Co Ltd; Hitachi Microcomputer Engineering Ltd
Current assignee: Hitachi Microcomputer System Ltd; Hitachi Ltd; Hitachi Consumer Electronics Co Ltd; Japan Display Inc
Priority date: 1986-09-17
Filing date: 1986-09-17
Publication date: 1988-04-04

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は磁気バブルメモリ、特に薄形化、小型化、低消
費電力化に好適な磁気バブルメモリに関する。

〔従来技術〕

ここ数年実用化されている磁気バブルメモリデバイスは
、磁気バブルメモリチップをマウントしたＥ字状のセラ
ミックや合成樹脂等の配線基板に、互いに非対称構造を
有する矩形状ソレノイドコイルからなる回転磁界発生用
Ｘコイル、Ｘコイルをそれぞれ挿入し直交配置して組み
立てた構造となっている。

ＸコイルおよびＸコイルは磁気バブルメモリチップだけ
でなく、チップよりもはるかに大きい配線基板を巻く構
造であるため、各コイルの端から端迄長さが長くなり、
駆動電圧、消費電力が大きくなってしまう。また、Ｘコ
イル、Ｘコイルは磁気バブルメモリ素子に均一かつ安定
した面内回転磁界を付与するために均一なインダクタバ
ランスが要求されることから、そのコイル形状が互いに
異なる非対称構造となりかつ大型化構造とならざるを得
なかった。さらにはこれらのＸコイル、Ｘコイルの外面
には磁気バブルメモリ素子に垂直方向のバイアス磁界を
付与する一対の永久磁石板およびその整磁板が配置され
てそれらの周辺部分が樹脂モールドにより被覆されてい
る構造であるため、垂直方向の積層厚が増大し、磁気バ
ブルメモリデバイスの薄形化、小型化への要請に対して
障害となっていた。

本件出願人はこのような問題を改善するため、フレキシ
ブル配線基板、チップを平面的に囲む額縁型コアとそれ
らを立体的に囲む回転磁界閉じ込めケース等を使用した
実装技術を開発し、特願昭６０−６６４５６号で特許出
願し、また日経エレクトロニクス　１９８５年１２月２
日号　頁２０３〜２１８で発表した。

上記の回転磁界閉じ込めケースＲＦＳは、第１６図に示
すように導電性の優れた銅でつくられた内側導体ケース
ＲＦＳｂと外側導体ケースＲＦＳａから１戊る。このケ
ースＲＦＳ内にバブルメモリチップＣＨＩを搭載したフ
レキシブル基板ＦＰＣ１額縁形磁気コアコイルＰＦＣを
組み込み、これらを例えばシリコーンレジンのようなレ
ジンで固定した後、両ケースの接合部分を溶接する。し
かる後、両ケースの外側面にバブルメモリチップにほぼ
垂直なバイアス磁界を与えるための整磁板ＨＯＭと磁石
板ＭＡＧを、チップＣＨＩ面と磁石板ＭＡＧとの一定の
傾斜角を与えるための傾斜板ＩＮＮを介して接着する。

磁気バブルメモリデバイスのパッケージとして完成させ
るためには、以下の工程でバイアスコイル取付け、磁気
シτルドケース取付け、パッケージケース取付け、外部
リードとの接続等の作業が必要であるが、ここでは説明
を省略する。上述の磁石板接着後のパッケージの状態を
第１６図に示す。第１６図において、内導体ケースＲＦ
Ｓｂ及び外導体ケースＲＦ　Ｓ　ａの磁石取付は面（傾
斜板ＩＮＮと接する面）は、チップ表面と平行でその精
度は±０．２’必要であるが、内導体ケースＲＦＳｂ取
付は時に図に示すように内導体ケースＲＦＳｂが外導体
ケースＲＦＳａに対して傾いて取付けられ易い（例えば
第１６図では、内導体ケースＲＦＳｂが右上がりになっ
ている）。このため、内導体ケースＲＦＳｂに接着され
る磁石とチップとの傾斜角が必要精度（例えば、１．７
±０．２°）内に入らないという問題が発生し易い。こ
の理由は、導体ケース内の額縁形磁気コアＣＯＲに巻線
したコイルＣ○工の高さのばらつきが大きくて、左右ま
たは上下で高さが大きく異なっていたり、ケース内に充
填するレジンの厚さがばらつくためである。

このような理由で、磁石ＭＡＧとチップＣＨＩとの傾斜
角精度が悪くなると、例えば傾斜角が小さすぎる場合に
は、バブルメモリの読み出し及び書き込み動作の開始及
び終了時にチップ内のバブルが不安定になってエラーを
生ずるいｂゆるスタートストップ不良が発生する。また
、傾斜角が大き過ぎる場合には、バブルメモリとして動
作可能なバイアス磁界の範囲が狭くなるというバイアス
マージン不良が発生する。

〔発明が解決しようとする問題点〕

本発明の一つの目的は磁気バブルメモリチップとバイア
ス磁石との傾斜角設定精度の優れた磁気バブルメモリを
提供することである。

本発明の他の目的は、薄形化を可能とした磁気バブルメ
モリを提供することにある。

本発明の他の目的は、全体の体積を小さくして小型化を
可能とした磁気バブルメモリを提供することにある。

本発明の他の目的は、消費電力を低減させた磁気バブル
メモリを提供することにある。

本発明の他の目的は１回転磁界発生用コイルのインダク
タンスを小さくしてＶ１積を小さくさせた磁気バブルメ
モリを提供することにある。

本発明の他の目的は、構成部品の組立の自動化を可能又
は容易にした磁気バブルメモリを提供することにある。

本発明の他の目的は、大容量化等に入出力等の接続端子
数を増大させることができる磁気バブルメモリを提供す
ることにある。

本発明の他の目的は、磁気バブルメモリ素子のバイアス
磁界方向に対する傾斜角度を容易かつ高精度で設定可能
とした磁気バブルメモリを提供することにある。

本発明の他の目的はカセットの小型化が可能な磁気バブ
ルメモリを提供することである。

本発明の他の目的は磁気バブルメモリデバイスの周辺回
路を安いコストで製造できる磁気バブルメモリを提供す
ることである。

本発明の他の目的はボード実装を容易にした磁気バブル
メモリを提供することにある。

本発明の更に他の目的は高密度実装を可能とした磁気バ
ブルメモリを提供することである。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明の一実施例によれば、内側回転磁界閉じ込めケー
スＲＦＳｂ（Ａの部分）を外側回転磁界閉じ込めケース
ＲＦＳａの水平端面Ｂで接合した磁気バブルメモリが提
供される（第１図）。

〔作用〕

このような構成によれば、内側回転磁界閉じ込めケース
ＲＦＳｂの傾斜角を内外両回転磁界閉じ込めケースだけ
で設定できるので、回転磁界発生コイルＣＯＩ等の厚さ
のばらつき等に影響されることなく精度良く設定できる
。

〔実施例〕

次に図面を用いて本発明の詳細な説明する。

（全体構造の概要　第２図）第２図（ａ）、（ｂ）及び（Ｑ）は本発明による磁気バ
ブルメモリデバイスの一実施例を説明するための図であ
り、同図（ａ）はその上面図、同図（ｂ）はその２Ｂ−
２Ｂ断面図、同図（ｃ）はその側面図である。ＣＨＩは
磁気バブルメモリチップ（以下チップと称する）であり
、この図ではチップＣＨＩは１個のみ表示しているが複
数門並べて配置する場合もある。（１つの大容量チップ
よりも、合計記憶容量をそれに合せた複数分割チップ構
成の方がチップ歩留が良い）。ＦＰＣはチップＣＩ（Ｉ
を搭載しかつ４隅にチップＣＨＩと外部接続端子との結
線用線群延長部を有する）Ｉノキシブル配線基板（以下
シん板と称する）である。Ｃ○工はチップＣＨＩをほぼ
同一平面上でとり囲み対向辺が互いに平行となるように
配置された駆動コイル（以下コイルと称する）、ＣＯＲ
は四角形コイル集合体ＣＯＩの中空部分を貫通するよう
に設けられた固定配置された軟磁性材からなる額縁形コ
ア（以下コアと称する）であり、このコアＣＯＲと各コ
イルＣ○工とでチップＣＨＩに面内回転磁界を付与する
磁気回路ＰＦＣを構成している。

ＲＦＳは基板ＦＰＣの中央四角形部分と、２個のチップ
ＣＨＩおよび磁気回路ＰＦＣの全体を収納する回転磁界
閉じ込めケース（以下ケースと称する）である。ケース
ＲＦＳは２枚の独立した板ＲＦＳｂ及びＲＦＳａを加工
して形成され、ケースの側面部で上下の板は電気的に接
続されている。

下側ケースＲ，Ｆ　Ｓ　ａはチップＣＨＩが配置された
部分よりやや広めの範囲で中央部分の隙間が狭くなるよ
う周辺部分に絞り部が形成されている。この絞り部は磁
石体の位置決めにも利用できる。ケースＲＦＳは磁気磁
界閉じ込めと軟弱な基板ＦＰＣを機械的に支持する一石
二鳥の効果、働きを持っている。

ケースＲＦＳとチップＣＨＩとの間には、特にチップＣ
ＨＩの側面部に隙間ＳＩＲがあるが、チップＣＨＩの平
面部も含めてこの隙間部分ＳＩＲにはシリコーン樹脂が
コーティング又は充填され、チップ主表面に組立中に異
物が付着したり、組立後に水分がチップ主表面又は側面
部に侵入することが少なくなるよう、パッシベーション
効果が意図されている。もし、ケースＲＦＳの外側で完
全な気密封止ができる場合、樹脂ＳＩＲの充填は省略し
ても良い。上側のケースＲＦＳ　ｂは左に寄るに従って
また下側のケースＲＦ　Ｓ　ａは右に寄るに従って板厚
がＪｒＪ、＜なっており、それによって、チップＣＨＩ
と後述する磁石体ＢＩＭとの間に傾斜角を持たせ、チッ
プＣＨＩにホールディング磁界が加わるようにしている
。Ｍ　Ａ　ＧはケースＲＦＳの外側に配置された一対の
永久磁石板（以下磁石板と称する）である。ＲＯＭは前
記各磁石板〜ＩＡＧの内側でそれと重ねて配置されたソ
フトフェライトのような磁性材からなる一対の整磁板で
ある。

磁石板ＭＡＧは全面にわたって均一の板厚を有して形成
されている。ＢＩＣは上側磁石体Ｂ　工Ｍの周縁部とケ
ースＲＦＳとの間のｉ４状隙間部分に配置されたバイア
ス磁界発生用コイル（以下バイアスコイルと称する）で
ある。バイアスコイル［３工Ｃは磁石板ＭＡＧの磁力を
チップＣＨＩの特性に合せて調整したり、バイアスマー
ジンを測定したり、チップＣＨＩのバブルをオールクリ
ア（全消去）する場合に駆動される。ＳＨＩは前記チッ
プＣＨＩを搭載した基板ＦＰＣおよび磁気回路ＰＦＣを
収納したケースＲＦＳと、その外側で、一対の磁石体Ｂ
ＩＭ、ＢＩＭおよびバイアスコイルＢＩＣを収納する磁
性材からなる外部磁気シールドケース（以下シールドケ
ースと称する）である。

シールドケースＳＨＩの材料としては、透磁率μが高く
、飽和磁束密度Ｂｓが大きく、Ｈｃの小さい磁性体が好
ましく、パーマロイやフェライトがそのような特性を持
っているが、本実施例では折り曲げ加工に適し、機械的
な外力に対して強いパーマロイの鉄・ニッケル合金が選
択された。ＰＫＧは前記シールドケースＳ’ＨＩの外周
面に接着あるいははめ込みにより取り付けられた熱伝導
率が高く、加工のし易いＡΩのような材質からなるパッ
ケージングケースである。

（全体構造の特長　第２図）第２図に示した磁気バブルメモリデバイス全体構造の特
長点は下記のように列挙される。しかし、本実施例によ
る特長点はこれらに限定されるものではなく、他の特長
点は第３図以降の説明からも明らかとなるであろうが、
ここでは各借成部品間の関連性を中心として特長点を述
べる。

（１）回転磁界発生コイルＰＦＣを額縁型にして、バブ
ルメモリチップＣＨＩをその面内にほぼ同一平面上で配
置しているので、バブルデバイス全体の厚さを薄くでき
る。現今の主流技術では、チップ上下面をＸ及びＹコイ
ルでぐるぐる巻いているため、デバイス全体の厚さはチ
ップ厚、Ｘコイル厚及びＹコイル厚の和の関数となるか
らである。

（２）Ｘコイル及びＹコイルがほぼ同一平面に配置され
ているので、従来のＸコイル上に重ねてＹコイルを巻い
た構造に比べ下記の効果がある。

■コイルの総巻線長が長くならない。従ってインダクタ
ンスＬを小さくでき、低電圧駆動や低消費電力化を可能
とした。

■Ｘコイル及びＹコイルとチップＣＨＩとの距離を等し
くすることができ、磁界分布をバランスのとれたものと
することができる。

（３）回転磁界発生コイルＰＦＣを導体ケースＲＦＳで
νａんでいるので磁束の漏れが少なくチップＣＨＩに対
する駆動効率を高められる。

（４）導体ケースＲＦＳは、回転磁界Ｈｒ発生コイルＰ
ＦＣから発生された交流磁界が透磁率μの大きい磁石体
ＢＩＭに漏れるのを防ぎ、他方磁石体ＢＩＭからチップ
ＣＨＩへ加えられるべきバイアス磁界Ｈｂの直流磁界に
対しては実質的にその通過を妨げないという選択性があ
る。

（５）導体ケースＲＦＳとしては、従来配線基板として
使用されていたエポキシガラス等に比べ硬い銅のような
材質を使用しているため、チップＣＨＩを機械的に強固
に支持できる。

従って、特に製造歩留を上げるため等に複数チップ実装
構成とした場合は、チップ間の傾斜角度バラツキが磁気
特性に大きな影響を与えるが、本実施例によればチップ
間の傾斜角度のバラツキを小さく押えられる。

（６）配線基板としてフレキシブルフィルム基板ＦＰＣ
を使用しているため下記の効果が得られる。

■基板厚を小さくできる。

■リードボンディング方式を採用できるので従来のワイ
ヤホンディング方式に比ベボンディング部分が占める厚
さを小さくできる。

■上記の、■の効果は、磁気回路のギャップ（透磁率μ
の小さい部分）を小さくでき小さい厚さ、又は小さい平
面積のバイアス磁石ＭＡＧを使用することができ、デバ
イス全体の薄型化又は平面積の縮小化につながる。

■回転磁界閉じ込めケースＲＦＳの配線取り出し用開口
幅を小さくできる。従って、回転磁界の漏れを最小限に
留めることができる。

（７）配線基板ＦＰＣの外部導出配線を四角形の角部に
集約させているので、回転磁界閉じ込めケースＲＦＳの
開口を最も影響の小さい角部に設けることができる。

（８）シールドケースＳＨＩは透磁率μの大きいパーマ
ロイ等の磁性材料で構成しているため。

磁石ＭＡＧを磁界源とする磁気回路の磁気抵抗を小さく
できるので、磁石ＭＡＧの厚さや平面積を小さくできる
。

（９）シールドケースＳＨＩは飽和磁束密度Ｂｓの大き
いパーマロイ等の磁性材料で構成しているため、外来の
磁界ノイズをバイパスし。

チップＣＨＩに伝えない働きがある。

（１０）上記（８）、’（９）はそれぞれ、シールドケ
ースＳＨＩの厚さを薄くすることにつながる。

（１１）シールドケースＳＨＩはパーマロイのような鉄
−ニッケル合金を使用しているため、折り曲げ加工に適
し、又機械的な外力に対してその中に組み込まれた部品
を保護する働きがある。

（１２）回転磁界発生コイルＰＦＣとバイアスコイルＢ
ＩＣを共にコア型にしているので、パッケージングケー
スＳＨＩ又はＰＫＧ内での収納効率又は実装密度を高め
ることができる。

（１３）コアー〇ＯＲと下側整磁板ＨＯＭとの間には下
側ケースＲＦＳａを挿入しているため、その間隔はコイ
ルＣ○工の厚さの他に下側回転磁界閉じ込めケースＲＦ
Ｓａの厚さ及び折り曲げ角度で微調整できる。この距離
は短ければ短い程全体の平面的な大きさを小さくするこ
とができ、コイル長の低減による低消費電力化につなが
る。しかしながら、その距離が短か過ぎると磁石ＭＡＧ
からの直流バイアス磁界Ｈｂが透磁率の高いコアーＣＯ
Ｒに漏れてしまい、チップ周辺部分におけるバイアス磁
界の一様性が悪くなる。従って、この距離は上記特性上
非常にシビアであり、本構造によるとその調整が精密に
できる。

（１４）下側回転磁界閉じ込めケースＲＦＳａの周辺に
絞り部を設けているため、磁石体ＢＩＭの位置合せが容
易である。

次に前述した各構成部品の構造について説明する。

（フレキシブル配線基板　第３図）第３図にフレキシブル配線基板の平面図を示す。

配線１００の引出し方向は、回転磁界閉じ込めケース内
から外側に導き出される部分１０２ａ〜１０２ｄでは４
方向となっているが、後述する（第１３図）セラミック
ス印刷基板との接続部分（フィルム１０１の開口部１０
４込、１０４に部分）では左右の２方向に集約されてい
る。

フレキシブル基板ＦＰＣには配線１００の延長部分１０
０ｄを設けられ、組立途中段階での特性検査ができるよ
うにしている。端子１０９ｂはプローブ針等を接触させ
ることができる端子である。

自動組立等を容易にするため、或は業界ｆＸＩ準仕様の
フィルム基板や製造装置を使用できるように、フィルム
基板１０１　（ＦＰＣ）の幅（図中縦の長さ）を３５＋
ｎｍに制限している。また、フィルム１ｏ１には送り穴
１０５ａが設けられている。

このフィルム１０１は、組立途中で、図の一点鎖線で示
した線で切断され、完成品として不要な部分は切り離さ
れる。基板ＦＰＣは、厚さ５０μｍ程度のポリイミド樹
脂フィルムから成るベースフィルム上にエポキシ系の接
着剤によって銅薄膜を貼り合わせ、銅薄膜をエツチング
技術によりパターニングして得られた銅下地配線パター
ンを有する。銅下地配線層上には電気メツキ法等により
、Ｎｉメッキ層、Ａｕメッキ層が順次形成される。

このＡｕメッキ層は、銅層の電気的マイグレーションを
防止したり、磁気バブルメモリチップＣＨ工の′ポンデ
ィングパッドとの熱圧着ボンディングを容易にするため
に設けられる。Ｎｉ層は銅層と金層との密着性を良くす
るために使用される。各コマの配線パターン１００はこ
の段階においては図中外周に設けられた枠状のパターン
や延長部分１００ｅによってつながっているが、これは
Ｔ　／！。

メッキのためである。

１コマのフィルム基板ＦＰＣは前述したように、配線１
００の外部接続部分１００ｃが左右２方向に集約されて
いる。上下方向でなく左右方向に集約させている一つの
理由は前述した３５Ｍｎフィルムとのコンパチビリティ
である。別の理由は次の通りである。フィルム基板ＦＰ
Ｃはその下にメモリチップＣＨＩがフェスアップボンデ
ィングされるが、後述するように基板ＦＰＣとチップＣ
ＨＩは、図中の左右方向で傾斜させられる。従って、フ
ィルム基板ＦＰＣ２は上下方向には傾斜させられないの
で、チップＣＨＩを後述の導体ケースにボンディングし
てからフィルム基板ＦＰＣとチップＣＨＩとの電気的接
続を行う場合はフィルム基板ＦＰＣのチップとの接続部
分１００ｃとチップＣＨＩのパッドとのボンディング時
に、左側の全接続部分には均一な圧力が加わり、また右
側も同様に均一なボンディングができる。このことはフ
ィルム基板ＦＰＣと後述する印刷基板との接続について
も言える。

（回転磁界閉込めケース、第４．５．６図）第４図は内
側ケースＲＦＳｂを示す図であり、同図Ａは平面図、同
図Ｂはその４Ｂ−４Ｂ断面図である。このケースＲＦＳ
ｂは底面部の板厚が右側に寄るに従って厚くされている
。同図Ｂに示すように、底抜の上側の面に対し下側の面
は右下がりの傾斜が約１．７６の値で設けられている。

第９Ｂ図から判るように、上側面には整磁板と永久磁石
の磁石体が取付けられ、下側面にはチップＣＨ工が配置
される。つまりこのケースにおけるノフみの片寄りは、
磁石体とチップＣＨＩとの傾斜によるチップＣＨＩにホ
ールディング磁界Ｈｄｃを与えるために設けられている
。前述した導体ケースの傾斜面は３００トン程度の加重
によるプレス加工（偏肉リボン加工）で形成される。こ
の傾斜面は他の方法として切削によって形成することも
でき、また圧延時のローラを傾けること等によって形成
することもできる。

内側ケースＲＦＳｂの４辺壁部分１３１の先端は外側に
折り曲げられ突出部Ａが設けられる。

特願昭６０−６６４５６号のそれに示すような絞り部を
無くしたことにより、フィルム基板が絞り部に沿って曲
げられることがなくなるので、フィルム基板に加わるス
トレスが緩和される。また、導体ケースＲＦＳｂ自体に
傾斜面を設けているので、同号に示すような傾斜板ＩＮ
ＭやＩ　Ｎ　Ｎが不要となり（全部で４枚分）部品点数
を減らすことができる。部品点数の減少は材料費や組立
費の節減につながる。

第５図は外側ケースＲＦＳａを示す図であり、同図Ａは
平面図、同図Ｂはその５Ｂ−５Ｂ断面図である。外側ケ
ースＲＦＳａが内側ケースＲＦＳｂと異なる点は磁気コ
アーＰＦＣを収納或ははめ込むための絞り部１３３を設
けている点である。

外側ケースＲＦＳａの底抜の上側の面には、内側ケース
ＲＦＳｂの底板の下側の面と同様な右下がりの傾斜面が
設けられている。

第６図は外側及び内側ケースＲＦ　Ｓ　ａ及びＲＦｓｂ
だけを組合せた状態を示す図であり（チップＣＨＩ、フ
ィルム基板ＦＰＣ及び磁気コアーＰＦＣを図から省略し
ている）、同図Ａは平面図、同図Ｂはその６Ｂ−６Ｂ断
面図である。

同図Ｂから判るように、内側ケースＲＦＳｂはその突出
部Ａと外側ケースＲＦＳａの４辺壁先端部Ｂとで位置決
めされるので、内側ケースＲＦＳｂの磁石体を取付ける
上面部の角度は精度良く設定される。

なお、突出部Ａは図では内側ケースＲＦＳｂの４辺に設
けているが、左右の対向辺２辺にだけ設けても良い。

（ケース組立体、第７図）第７図はチップＣＨＩ、フレキシブル基板ＦＰＣ１特願
昭６０−６６４５６号に示すような磁気回路ＰＦＣを外
側ケースＲＦＳａ内に実装した状態（内側ケースＲＦＳ
ｂでふたをする前の状態）を示す図であり、同図Ａは上
面図、同図Ｂはその７　Ｂ　−，７Ｂ断面図である。

チップＣＨＩはケースＲＦ　Ｓ　ａ内に収納される前に
基板ＦＰＣに取付けられる。フレキシブル基板ＦＰＣの
配線１００がある方の面を表（おもて）面と命名すると
、チップＣＨＩは、ポンディングパッド、配線、転送路
がある主面を上にして（フェースアップ）フレキシブル
基板ＦＰＣの裏面に取付けられる。勿論、接続される部
分は基板ＦＰＣの配線部分１００ａとチップＣＨＩのパ
ッド部分であるが、両者はリード部分１００ａを上側か
らキャピラリ等の治具によりパッド八熱圧着することに
よりボンディングされる。

ボンディング後複数の基板ＦＰＣが連なったフィルム基
板１０１は個々の基板ＦＰＣに切り離され、また周囲の
メッキ時に使用した不要な配線部分や補強部分は第７図
Ａのように切り落される。

導体ケースＲＦ　Ｓ　ａはスタンプ式でエポキシ系樹脂
等の接着剤が塗布され、その部分に、フィルム基板ＦＰ
ＣにボンディングされたチップＣＨＩの裏面が接着され
る。このときのチップＣＨＩとケースＲＦＳａとの位置
関係は、ケースＲＦＳａの切欠き部分１３５とフィルム
基板ＦＰＣの外部導出経路部分１０２ａ”ｄで精度良く
決められる。

必要あれば更に微細な位置決め調整は治具等を使用して
可能である。

続いて磁気回路ＰＦＣがケースＲＦＳａの絞り部１３３
と外側の壁１３４とで形成される溝にはめ込まれる。

この状態でチップＣ）ＩＩの周辺にシリコーン。

レジンＳＩＲがポツティングされ、加熱処理によりシリ
コーン・レジンＳＩＲは流動性を増し、毛細管現象によ
りフレキシブル基板ＦＰＣの裏面とチップＣＨＩの主面
との間に入り込み、チップＣＨＩはゴミの付着や湿気の
侵入等から保菌される。

ケースＲＦＳａの絞り部１３３の高さは、磁気回路ＦＰ
Ｃの厚さ、チップＣＨＩの厚さ等を考慮し、第７Ｂ図に
示すようにフレキシブル呆板ＦＰＣがケース内全体にわ
たって平らになるように決められる。その後ケースＲＦ
ＳｂがケースＲＦＳａとの接触部分で超音波溶接法によ
って溶接される。

（磁石体、第８図）第８図は磁石体Ｂ■Ｍを示す図であり、同図Ａは平面図
、同図Ｂはその側面図、同図Ｃはその８Ｃ−８Ｃ断面図
である。

（ケース組立体への磁石体及びバイアスコイルの実装、
第９図）第９図は第７図で説明したケースＲＦＳ組立体に第８図
の磁石体ＢＩＭ及び特願昭６０−６６４５６号に示すよ
うなバイアスコイルＢＩＣを組み込んだ状態を示す図で
あり、同図Ａは上面図、同図Ｂはその９Ｂ−９Ｂ断面図
である。

上側磁石体Ｂ　Ｉ　Ｍ　ａとバイアスコイルＢＩＣはお
皿状の内側ケースＲＦＳｂに取付けられ、下側磁石体Ｂ
ＩＭｂは外側ケースＲＦ　Ｓ　ａの絞り部３８に囲まれ
た平らな部分に取付けられる。

同図Ｂから判るように、チップＣＨＩ及び磁気回路ＰＦ
Ｃは上下磁石体Ｂ　Ｉ　Ｍ　ａ及びＢＩＭｂが作る平行
面に対し左右方向に傾斜させられている。

また、磁気回路ＰＦＣとチップＣＨＩとを平行に配置す
る条件は同号の例と変わり無いが、磁気回路ＰＦＣの最
上端面とチップＣＨＩの上面はほぼ同一面となるように
、チップＣＨＩの厚さ、磁気回路ＰＦＣの厚さ、外側ケ
ースＲＦＳａの絞り部３８の高さが設計され、フレキシ
ブル基板ＦＰＣに応力が加わらないようにされている。

（磁気シールドケース、第１０図）第１０図は上側シールドケースＳ　ＨＩ　ａを示す図で
あり、同図Ａは上面図、同図Ｂは右側面（４、同図Ｃは
下側面図である。同図Ａから判るように上側シールドケ
ースＳ　ＨＩ　ａの平面形状は正方形状で同じ点を通る
４本の水平、垂直及び右下がり。

右上がり４５°中心線（図示せず）のどの軸に対しても
対象形とされている。なお、４５°中心線と垂直に交わ
る４角の切欠き部１５４は第２図のフィルム基板ＦＰＣ
の４角の導出部分１０２ａ〜１０２ｄを通すために設け
られている。１５１はケースの平面部であり、１５２は
垂直方向に立っている壁部分である。壁１５２には各辺
の中央部分に突出部１５２ａ〜１５２ｄが設けられてい
る。

左右辺の突出部１５２ａ及び１５２ｃの高さはｈ２とさ
れ、突出高さそのもの（ｈ２−ｈ□）は、第１１図で示
す下側シールドケースＳ　ＨＩ　ｂの厚みｔｏと同じに
される。また、上下辺の突出部１５２ｂ及び１５２ｄの
高さはり、とされ、突出高さそのもの（ｈ、−ｈ工）は
、下側シールドケース５Ｉ−Ｉ　Ｉ　ｂの厚さｔ。より
も若干大きくされる。例えば、ｈ□＝４．５．ｈ２＝５
．０．ｈ、＝５．３．ｔ。

＝０．５とされ、上下シールドケースＳ　ＨＩ　ａ及び
５ＨＩｂを組立てたとき、上側シールドケース５ＨＩａ
の上下辺突出部１５２ｂ及び１５２ｄが下側シールドケ
ース５ＨＩｂの下側平面部に対し僅かに（ｈ、−ｈニー
ｔ。＝０．３）飛び出るようにされ、第１３図に示すセ
ラミック印刷配線基板との位置決めを容易にするよう工
夫されている（各数値の単位はいずれも■である）。

第１１図は下側シールドケース５ＨＩｂを示しており、
同図Ａは平面図、同図Ｂは下側面図を示している。板状
の下側シールドケース５ＨＩｂは左右上下の４辺に上側
シールドケースＳ　ＨＩ　ａの壁１５２の厚さｔｏに相
当する凹部を有し、この部分に上側ケースの突出部１５
２ａ〜１５２ｄがはめ込まれるようになっている。第１
０及び１１図に示した各ケースの縦及び横方向の長さＬ
１０３及びＬ１０４は例えば２２．４ｍｏ＋で同じに設
計される。

下側シールドケース５ＨＩｂは、特願昭６０−６６４５
６号のそれ（ＳＨＩｂ）と比べて、曲げ加工が不要であ
り、低コストとなるだけでなく、出来上がりデバイスの
厚みを小さくできる。

（磁気シールドケース組立体、第１２図）第１２図は第
１０．１１図に示した磁気シールドケース５ＨＩａ、５
ＨＩｂ内に第９図で示した中間組立体を実装した図を示
しており、第１２Ａ図はその平面図、同Ｂ図はその１２
Ｂ−１２８！９７面図を表わしている。

第１２図に示した組立体は、最終組立品としては不要な
端子１０９ａ、１０９ｂやメッキ用配線延長部分１００
ｅを残しているが、この段階で中間組立体の動作試験や
良品の選別を行うことができ、１個当りの平均組立コス
トの低減が可能となる。

なお、フィルム基板ＦＰＣとチップＣＨＩとの導通チェ
ックや短絡チェックは前述したフェースアップボンディ
ング後や、導体ケースＲＦＳ等を組立てたそれぞれの段
階で行われる。

上側及び下側シールドケースＲＦＳａ及びＲＦｓｂはス
ポット溶接法やレーザ溶接法等で接着される。

（ピングリッド端子配線基板、第１３図）第１３図は、
第１２図で示したシールドケース組立体をピングリッド
外部接続端子に電気的に接続するための配線基板であり
、同図Ａはその上面図、同図Ｂはその１３Ｂ−１３Ｂ断
面図、同図Ｃはその下面図である。

２０１は上面に配線２０５が施されたセラミックス基板
であり、この基板は上面スルーホール接続端子２０６、
スルーホール２０７、下面スルーホール接続端子２０８
を有する。配線２０５の他端部２０５ａはフレキシブル
配線基板ＦＰＣ２のアウターリード部１００ｃが接続さ
れる部分を示している。グリッド状に配置された外部接
続ピン２０４はスルーホール２０７内に形成された導電
層を通じて上面端子２０６に電気的に接続される。

配線２０５のうちやや太めのものはＸコイル、Ｙコイル
及びバイアスコイル接続用である（Ｉｘ、　Ｉｙ、Ｉｂ
各各端端子。

２０２はセラミックス板であり、この上にエポキシ樹脂
等によって下側シールドケース５ＨＩｂが接着される。

つまり、このセラミックス板２０２は、下側シールドケ
ース５ＨＩｂによって、その下に位置することになる配
線部分２０５ｂが短絡するのを防ぐ絶縁板の役割を果た
している。またセラミックス板２０２は凹部２０２ｂ、
２０２ｄを有し、この部分に前述した上側シールドケー
ス５ＨＩａの突出部１５２ｂ、１５２ｄがはめ込まれる
ようになっており、シールドケース組立体の接着時の位
置決めの役割も兼ねている。セラミックス基板２０１及
びセラミックス板２０２はグリーンセラミックスの状態
で重ね合わされ、その後焼結される。

２０３は枠状の封止用リングであり、セラミックス基板
２０１の縁に銀ろう材等によって接着され、基板２０１
から外側に飛び出している部分に、後述するパッケージ
ングキャップＰＫＧが溶接されるようになっている。フ
レーム２０３及びグリッドピン２０４の材質としてはセ
ラミックスと熱膨張係数が近いＦｅ−Ｎ１−ｃｏ合金（
通称ＫＯＶＡＲ）が選ばれる。

配線２０５．端子２０６，２０８．スルーホール２０７
及びフレーム２０３をろう付けする部分のセラミックス
基板２０１にはＷのメタライズ層が形成されている。

２枚のセラミックス材２０１，２０２が焼結された後に
、グリッド・ピン２０４及びフレーム２０３は銀ろう材
によってセラミックス基板２０１にろう付けされる。Ｗ
メタライズ層は銀ろうとの接着力を強める働きがある。

その状態で、ピングリッド配線基板ＴＰＴに対して、す
なわち露出したＷメタライズ層上及びコバール材上に、
順次Ｎｉ、Ａｕ層が電気メッキされる＠　Ｎ１ＦＰＪは
Ｗ層とＡｕ層との接着力を強めるために設けられる。ピ
ン２０４はコバール材から成るがＡｕメッキされている
のでユーザにおけるプリント基板等への実装に関連した
半田付は性が良くなる。配線２０５の端部２０５ａのＡ
ｕメッキ層はフィルム基板ＦＰＣ２のＡｕメッキが施さ
れたアウターリード１００Ｃとの熱圧着ボンディングを
可能とする。フレーム２０３のＡｕメッキ層は後述する
パッケージングキャップＰＫＧの気密封止に役立つ。

セラミックス基板２０１の裏面にはＷメタライズ層、す
なわちＡｕメッキ層が２０９及び２０８の輪郭線で示さ
れるようにフレーム２０３およびピン２０４との接着面
より広めに形成され、それらの接着界面に銀ろう材等に
よるすき間が生じないようにとており、セラミックス材
の使用及び後述するパッケージングキャップＰＫＧの使
用と併せて気密封止が達成される。

なお、配線２０５のセラミックス板２０２の下に位置す
る部分２０５ｂにはＡｕメッキ層が形成されないが、前
述したフィルム基板ＦＰＣよりも配線のピッチが広いの
で電気マイグレーションの問題はない。

（ピングリッド配線品板組立体、第１４図）第１４図は
第１２図に示すシールドケース組立体を第１３図のピン
グリッド配線基板ＴＥＦに実装した状態を示す図であり
、同図Ａはその上面図、同図Ｂはその１４Ｂ−１４Ｂ断
面図である。

この組立体の作り方は、第１３図に関連して説明したの
で省略する。

（パッケージングキャップ、第１５図）第１５図は封止
用キャップを示す図で、同図Ａはその平面図、同図Ｂは
その１５Ｂ−１５Ｂ断面図である。

コバール製キャップＰＫＧは２つの壁部分２２１．２２
２を有し、２つの壁部分２２１と２２２の間の折り曲げ
は、壁２２２が第２図からも判るように上側シールドケ
ースＳ　ＨＩ　ａとほぼ接するようにして、放熱性を上
げるために設けられている。

底面部分２２３はコバール製フレーム２２３のセラミッ
クス基板２０１から露出した部分に抵抗溶接法等によっ
て溶接される。従って、上記フレーム２２３の露出部分
とセラミックス基板２０１の側面との段差はキャップＰ
ＫＧのはめ込みの位置合わせに役立つ。

（完成デバイス構造、第２図、第１図）第２図は第３図
〜第１５図で説明した一連の変形例の完成構造、すなわ
ち第１４図の中間組立体を第１５図のキャップＰＫＧで
封止した構造を示している。また、第１図は第２図Ｂの
左側部分を拡大した図である〔発明の効果〕以上本発明の実施例によれば、内側シールドケースＲＦ
Ｓｂの先端部を折曲げ（Ａ）、それを外側シールドケー
スＲＦ　Ｓ　ａの先端部Ｂに接合しているので、磁石体
ＢＩＭの取付面の角度を精度良く設定できる。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第１５図は本発明の実施例を示す図であり、第
１図は本発明によるバブルメモリデバイスを示し第２図
Ｂの左側を拡大した図、第２図は第３図〜第１５図で説
明した一連の部品の組立完成構造、すなわち第１４図の
中間組立体を第１５図のキャップＰＫＧで封止した構造
を示す図であり、同図Ａはその上面図、同図Ｂはその２
Ｂ−２Ｂ断面図、同図Ｃはその右側面図、第３図はフレ
キシブル配線基板を示す平面図、第４図は内側ケ−スＲ
ＦＳｂを示す図であり、同図Ａは平面図、同図Ｂはその
４　Ｂ　−４−Ｂ断面図、第５図は外側ケースＲＦＳａ
を示す図であり、同図Ａは平面図、同図Ｂはその５Ｂ−
５Ｂ断面図、第６図は外側及び内側ケースＲＦＳａ及び
ＲＦＳｂだけを組合せた状態を示す図であり、同図Ａは
平面図、同図Ｂはその６Ｂ−６Ｂ断面図、第７図はチッ
プＣＨＩ、フレキシブル基板ＦＰＣ，磁気回路ＰＦＣを
外側ケースＲＦＳａ内に実装した状態（内側ケースＲＦ
Ｓｂでふたをする前の状態）を示す図であり、同図Ａは
上面図、同図Ｂはその７Ｂ−７Ｂ断面図、第８図は磁石
体ＢＩＭを示す図であり、同図Ａは平面図、同図Ｂはそ
の側面図、同図Ｃはその８Ｃ−８Ｃ断面図、第９図は第
７図で説明したケースＲＦＳ組立体に第８図の磁石体Ｂ
ＩＭ及びバイアスコイルＢＩＣを組み込んだ状態を示す
図であり、同図Ａは上面図、同図Ｂはその９Ｂ−９Ｂ断
面図、第１０図は上側シールドケースＳ　ＨＩ　ａを示
す図であり、同図Ａは上面図、同図Ｂは右側面図、同図
Ｃは下側面図、第１１図は下側シールドケース５Ｉ（Ｉ
ｂを示しており、同図Ａは平面図、同図Ｂは下側面図、
第１２図は第１０．１１図に示した磁気シールドケース
５ＨＩａ、５ＨＩｂ内に第９図で示した中間組立体を実
装した図を示しており、第１２Ａ図はその平面図、同Ｂ
図はその１２Ｂ−１２Ｂ断面図、第１３図は、第１２図
で示したシールドケース組立体をビングリッド外部接続
端子に電気的に接続するための配線基板であり、同図Ａ
はその上面図、同図Ｂはその１３Ｂ−１３Ｂ断面図、同
図Ｃはその下面図、第１４図は第１２図に示すシールド
ケース組立体を第１３図のピングリッド配線基板ＴＥＦ
に実装した状態を示す図であり、同図Ａはその上面図、
同図Ｂはその１４Ｂ−１４Ｂ断面図、第１５図は封止用
キャップを示す図で、同図Ａはその平面図、同図Ｂはそ
の１５Ｂ−１５Ｂ断面図、第１６図は従来の磁気バブル
メモリの組立途中段階を示す断面図である。ＣＨＩ・・・磁気バブルメモリチップ（素子）、ＦＰＣ
・・・フレキシブル配線基板（基板）、ｃＯＩ・・・駆
動コイル（コイル）、ＣＯＲ・・・額縁形コア（コア）
、ＰＦＣ・・・磁気回路、ＲＦＳ・・・回転磁界閉じ込
めケース（ケース）、ＲＦＳａ・・・外側ケース、ＲＦ
Ｓｂ・・・内側ケース、ＳＩＲ・・・シリコーン樹脂、
ＢＩＭ・・バイアス磁界発生用磁石体（磁石体）　、Ｍ
ＡＧ・・永久磁石板（磁石板）、ＨＯＭ・・・整磁板。ＢＩＣ・・・バイアス磁界発生声コイル（バイアスコイ
ル）、ＳＨＩ・・・外部磁気シールドケース（シールド
ケース）、５ＨＩａ・・・外側シールドケース、ＳＨよ
り・・・内側シールドケース。ＰＫＧ・・・パンケージングケース、２０１・・セラミ
ックスプリント配線基板、２０２・・・セラミックス・
カバープレート、２０３・・・封止リング。代理人　弁理士　　　小川　勝男 ζ・さドベ４゜ＲＦＳａＲＦＳ１（）５ａ第８図Ｂ叩図面の浄書（内容に変更ない第１１図Ａ矩功第１１図Ｂ手続補正書（右動昭和６１年１２月１０日

Claims

【特許請求の範囲】

１、情報を記憶する磁気バブルメモリチップと、該チッ
プに回転磁界を供給するためのコイルと、上記回転磁界
を閉じ込めるための第１及び第２のケースとを具備して
成り、上記第２のケース上の外側面に配置された上記チ
ップにバイアス磁界を与えるための磁石とを具備して成
り、上記第２のケースは底面と側壁を有する上面開放の
皿状のケースであって、上記側壁の端面に上記第１のケ
ースを延長して接合してなることを特徴とする磁気バブ
ルメモリ。