JPS6381684A - 磁気バブルメモリ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は磁気バブルメモリ、特に薄形化、小型化、低消
費電力化に好適な磁気バブルメモリに関する。

〔従来技術〕

ここ数年実用化されている磁気バブルメモリデバイスは
、磁気バブルメモリチップをマウントしたＥ字状のセラ
ミックや合成樹脂等の配線基板に、互いに非対称構造を
有する矩形状ソレノイドコイルからなる回転磁界発生用
Ｘコイル、Ｙコイルをそれぞれ挿入し直交配置して組み
立てた構造となっている。

ＸコイルおよびＹコイルは磁気バブルメモリチップだけ
でなく、チップよりもはるかに大きい配線基板を巻く構
造であるため、各コイルの端から端迄長さが長くなり、
駆動電圧、消費電力が大きくなってしまう。また、Ｘコ
イル、Ｙコイルは磁気バブルメモリ素子に均一かつ安定
した面内回転磁界を付与するために均一なインダクタバ
ランスが要求されることから、そのコイル形状が互いに
異なる非対称構造となりかつ大型化構造とならざるを得
なかった。さらにはこれらのＸコイル、Ｙコイルの外面
には磁気バブルメモリ素子に垂直方向のバイアス磁界を
付与する一対の永久磁石板およびその整磁板が配置され
てそれらの周辺部分が樹脂モールドにより被覆されてい
る構造であるため、垂直方向の積層厚が増大し、磁気バ
ブルメモリデバイスの薄形化、小型化への要請に対して
障害となっていた。

本件出願人はこのような問題を改善するため、フレキシ
ブル配線基板、チップを平面的に囲む額縁型コアとそれ
らを立体的に囲む回転磁界閉じ込めケース等を使用した
実装技術を開発し、特願昭６０−６６４５６号で特許出
願し、また日経エレクトロニクス　１９８５年１２月２
日号　頁２０３〜２１８で発表した。

〔発明が解決しようとする問題点〕

このように構成される磁気バブルメモリは、フレキシブ
ル配線基板上に磁気バブルメモリチップを配置し、リー
ドボンディングを行って搭載した後、フレキシブル配線
基板と磁気バブルメモリチップとの間、つまり、対向面
間の隙間に前記ボンディング部分からシリコーン・レジ
ンが注入されてコーティングされ、磁気バブルメモリチ
ップの表面が磁気バブルの誤動作の主原因となる磁性異
物、ゴミの付着および湿気の浸入等から保護される。し
かしながら、前記ボンディング部分から注入されたシリ
コーン・レジンは、隙間への流動状態の変化および注入
時の空気の巻き込み等により。

磁気バブルメモリチップのほぼ中央部分に気泡（ボイド
）を発生させ、高信頼性の維持に問題があった。

本発明の目的は、チップコート時に磁気バブルメモリチ
ップ表面に発生する気泡を除去して高信頼性を維持する
ことができる磁気バブルメモリを提供することにある。

本発明の他の目的は、薄形化を可能とした磁気バブルメ
モリを提供することにある。

本発明の他の目的は、全体の体積を小さくして小型化を
可能とした磁気バブルメモリを提供することにある。

本発明の他の目的は、消費電力を低減させた磁気バブル
メモリを提供することにある。

本発明の他の目的は、回転磁界発生用コイルのインダク
タンスを小さくしてＶＩ積を小さくさせた磁気バブルメ
モリを提供することにある。

本発明の他の目的は、構成部品の組立の自動化を可能又
は容易にした磁気バブルメモリを提供することにある。

本発明の他の目的は、大容量化等に入出力等の接続端子
数を増大させることができる磁気バブルメモリを提供す
ることにある。

本発明の他の目的は、磁気バブルメモリ素子のバイアス
磁界方向に対する傾斜角度を容易かつ高精度で設定可能
とした磁気バブルメモリを提供することにある。

本発明の他の目的はカセットの小型化が可能な磁気バブ
ルメモリを提供することである。

本発明の他の目的は磁気バブルメモリデバイスの周辺回
路を安いコストで製造できる磁気バブルメモリを提供す
ることである。

本発明の他の目的はボード実装を容易にした磁気バブル
メモリを提供することにある。

本発明の更に他の目的は高密度実装を可能とした磁気バ
ブルメモリを提供することである。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明の一実施例によれば、フレキシブル配線基板のほ
ぼ中央部分に開口部を設けたものである。

〔作用〕

本発明においては、フレキシブル配線基板と磁気バブル
メモリチップとの間にレジン注入時に発生した気泡が開
口部から追い出されて磁気バブルメモリチップ表面が完
全にコートされる。

〔実施例〕

次に図面を用いて本発明の詳細な説明する。

（全体構造の概要　第２図） 第２図（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）は本発明による磁気バ
ブルメモリデバイスの一実施例を説明するための図であ
り、同図（ａ）はその上面図、同図（ｂ）はその２Ｂ−
２Ｂ断面図、同図（ｃ）はその側面図である。ＣＨＩは
磁気バブルメモリチップ（以下チップと称する）であり
、この図ではチップＣＨＩは１個のみ表示しているが複
数個並べて配置する場合もある。（１つの大容量チップ
よりも、合計記憶容量をそれに合せた複数分割チツブ構
成の方がチップ歩留が良い）、ＦＰＣはチップＣＨＩを
搭載しかつ４隅にチップＣＨＩと外部接続端子との結線
用線群延長部を有するフレキシブル配線基板（以下基板
と称する）である、ＣＯ工はチップＣＨＩをほぼ同一平
面上でとり囲み対向辺が互いに平行となるように配置さ
れた駆動コイル（以下コイルと称する）、ＣＯＲは四角
形コイル集合体ＣＯＩの中空部分を貫通するように設け
られた固定配置された軟磁性材からなる額縁形コア（以
下コアと称する）であり、このコアＣＯＲと各コイルＣ
ＯＩとでチップＣＨＩに面内回転磁界を付与する磁気回
路ＰＦＣを構成している。

ＲＦＳは基板ＦＰＣの中央四角形部分と、２個のチップ
ＣＨＩおよび磁気回路ＰＦＣの全体を収納する回転磁界
閉じ込めケース（以下ケースと称する）である、ケース
ＲＦＳは２枚の独立した板ＲＦＳｂ及びＲＦ　Ｓ　ａを
加工して形成され、ケースの側面部で上下の板は電気的
に接続されている。

下側ケースＲＦＳａはチップＣＨＩが配置された部分よ
りやや広めの範囲で中央部分の隙間が狭くなるよう周辺
部分に絞り部が形成されている。この絞り部は磁石体の
位置決めにも利用できる。ケースＲＦＳは磁気磁界閉じ
込めと軟弱な基板ＦＰＣを機械的に支持する一石二鳥の
効果、働きを持っている。

ケースＲＦＳとチップＣＨＩとの間には、特にチップＣ
ＨＩの側面部に隙間ＳＩＲがあるが、チップＣＨＩの平
面部も含めてこの隙間部分ＳＩＲにはシリコーン樹脂が
コーティング又は充填され、チップ主表面に組立中に異
物が付着したり、組立後に水分がチップ主表面又は側面
部に侵入することが少なくなるよう、パッシベーション
効果が意図されている。もし、ケースＲＦＳの外側で完
全な気密封止ができる場合、樹脂ＳＩＲの充填は省略し
ても良い、上側のケースＲＦＳｂは左に寄るに従ってま
た下側のケースＲＦ　Ｓ　ａは右に寄るに従って板厚が
厚くなっており、それによって、チップＣＨＩと後述す
る磁石体ＢＩＭとの間に傾斜角を持たせ、チップＣＨＩ
にホールディング磁界が加わるようにしている。ＭＡＧ
はケースＲＦＳの外側に配置された一対の永久磁石板（
以下磁石板と称する）である、ＲＯＭは前記各磁石板Ｍ
ＡＧの内側でそれと重ねて配置されたソフトフェライト
のような磁性材からなる一対の整磁板である。

磁石板ＭＡＧは全面にわたって均一の板厚を有して形成
されている。ＢＩＣは上側磁石体ＢＩＭの周縁部とケー
スＲＦＳとの間の溝状隙間部分に配置されたバイアス磁
界発生用コイル（以下バイアスコイルと称する）である
、バイアスコイルＢＩＣは磁石板ＭＡＧの磁力をチップ
ＣＨＩの特性に合せて調整したり、バイアスマージンを
測定したり、チップＣＨＩのバブルをオールクリア（全
消去）する場合に駆動される。ＳＨＩは前記チップＣＨ
Ｉを搭載した基板ＦＰＣおよび磁気回路ＰＦＣを収納し
たケースＲＦＳと、その外側で、一対の磁石体ＢＩＭ、
ＢＩＭおよびバイアスコイルＢ工Ｃを収納する磁性材か
らなる外部磁気シールドケース（以下シールドケースと
称する）である。

シールドケースＳＨＩの材料としては、透磁率μが高く
、飽和磁束密度Ｂｓが大きく、Ｈｃの小さい磁性体が好
ましく、パーマロイやフェライトがそのような特性を持
っているが、本実施例では折り曲げ加工に適し、機械的
な外力に対して強いパーマロイの鉄・ニッケル合金が選
択された。ＰＫＧは前記シールドケースＳＨＩの外周面
に接着あるいははめ込みにより取り付けられた熱伝導率
が高く、加工のし易いＡΩのような材質からなるパッケ
ージングケースである。

（全体構造の特長　第２図） 第２図に示した磁気バブルメモリデバイス全体構造の特
長点は下記のように列挙される。しかし、本実施例によ
る特長点はこれらに限定されるものではなく、他の特長
点は第３図以降の説明からも明らかとなるであろうが、
ここでは各構成部品間の関連性を中心として特長点を述
べる。

（１）回転磁界発生コイルＰＦＣを額縁型にして、バブ
ルメモリチップＣＨＩをその面内にほぼ同一平面上で配
置しているので、バブルデバイス全体の厚さを薄くでき
る。現今の主流技術では、チップ上下面をＸ及びＹコイ
ルでぐるぐる巻いているため、デバイス全体の厚さはチ
ップ厚、Ｘコイル厚及びＹコイル厚の和の関数となるか
らである。

（２）Ｘコイル及びＹコイルがほぼ同一平面に配置され
ているので、従来のＸコイル上に重ねてＹコイルを巻い
た構造に比べ下記の効果がある。

■コイルの総巻線長が長くならない。従ってインダクタ
ンスＬを小さくでき、低電圧駆動や低消費電力化を可能
とした。

■Ｘコイル及びＹコイルとチップＣＨＩとの距離を等し
くすることができ、磁界分布をバランスのとれたものと
することができる。

（３）回転磁界発生コイルＰＦＣを導体ケースＲＦＳで
囲んでいるので磁束の漏れが少なくチップＣＨＩに対す
る駆動効率を高められる。

（４）導体ケースＲＦＳは、回転磁界Ｈｒ発生コイルＰ
ＦＣから発生された交流磁界が透磁率μの大きい磁石体
ＢＩＭに漏れるのを防ぎ、他方磁石体ＢＩＭからチップ
ＣＨＩへ加えられるべきバイアス磁界Ｈｂの直流磁界に
対しては実質的にその通過を妨げないという選択性があ
る。

（５）導体ケースＲＦＳとしては、従来配線基板として
使用されていたエポキシガラス等に比べ硬い鋼のような
材質を使用しているため、チップＣＨＩを機械的に強固
に支持できる。

従って、特に製造歩留を上げるため等に複数チップ実装
構成とした場合は、チップ間の傾斜角度バラツキが磁気
特性に大きな影響を与えるが、本実施例によればチップ
間の傾斜角度のバラツキを小さく押えられる。

（６）配線基板としてフレキシブルフィルム基板ＦＰＣ
を使用しているため下記の効果が得られる。

■基板厚を小さくできる。

■リードボンディング方式を採用できるので従来のワイ
ヤボンディング方式に比ベボンディング部分が占める厚
さを小さくできる。

■上記の、■の効果は、磁気回路のギャップ（透磁率μ
の小さい部分）を小さくでき小さい厚さ、又は小さい平
面積のバイアス磁石ＭＡＧを使用することができ、デバ
イス全体の薄型化又は平面積の縮小化につながる。

■回転磁界閉じ込めケースＲＦＳの配線取り出し用開口
幅を小さくできる。従って、回転磁界の漏れを最小限に
留めることができる。

（７）配線基板ＦＰＣの外部導出配線を四角形の角部に
集約させているので、回転磁界閉じ込めケースＲＦＳの
開口を最も影響の小さい角部に設けることができる。

（８）シールドケースＳＨＩは透磁率μの大きいパーマ
ロイ等の磁性材料で構成しているため、磁石ＭＡＧを磁
界源とする磁気回路の磁気抵抗を小さくできるので、磁
石ＭＡＧの厚さや平面積を小さくできる。

（９）シールドケースＳＨＩは飽和磁束密度Ｂｓの大き
いパーマロイ等の磁性材料で構成しているため、外来の
磁界ノイズをバイパスし、チップＣＨＩに伝えない働き
がある。

（１０）上記（８）、（９）はそれぞれ、シールドケー
スＳＨＩの厚さを薄くすることにつながる。

（１１）シールドケースＳＨＩはパーマロイのような鉄
−ニッケル合金を使用しているため、折り曲げ加工に適
し、又機械的な外力に対してその巾に組み込まれた部品
を保護する働きがある。

（１２）回転磁界発生コイルＰＦＣとバイアスコイルＢ
ＩＣを共にコア型にしているので、パッケージングケー
スＳＨＩ又はＰＫＧ内での収納効率又は実装密度を高め
ることができる。

（１３）コアー〇ＯＲと下側整磁板ＲＯＭとの間には下
側ケースＲＦＳ　ａを挿入しているため。

その間隔はコイルＣＯＩの厚さの他に下側回転磁界閉じ
込めケースＲＦ　Ｓ　ａの厚さ及び折り曲げ角度で微調
整できる。この距離は短ければ短い程全体の平面的な大
きさを小さくすることができ、コイル長の低減による低
消費電力化につながる。しかしながら、その距離が短か
過ぎると磁石ＭＡＧからの直流バイアス磁界Ｈｂが透磁
率の高いコアー〇ＯＲに漏れてしまい、チップ周辺部分
におけるバイアス磁界の一様性が悪くなる。従って、こ
の距離は上記特性上非常にシビアであり、本構造による
とその調整が精密にできる。

（１４）下側回転磁界閉じ込めケースＲＦＳａの周辺に
絞り部を設けているため、磁石体ＢＩＭの位置合せが容
易である。

次に前述した各構成部品の構造について説明する。

（フレキシブル配線基板　第３図） 第３図にフレキシブル配線基板の平面図を示す。

配線１００の引出し方向は、回転磁界閉じ込めケース内
から外側に導き出される部分１０２ａ〜１０２ｄでは４
方向となっているが、後述する（第１３図）セラミック
ス印刷基板との接続部分（フィルム１０１の開口部１０
４Ω、１０４に部分）では左右の２方向に集約されてい
る。

フレキシブル基板ＦＰＣには配線１００の延長部分１０
０ｄを設けられ、組立途中段階での特性検査ができるよ
うにしている。端子１０９ｂはプローブ針等を接触させ
ることができる端子である。

自動組立等を容易にするため、或は業界標準仕様のフィ
ルム基板や製造装置を使用できるように。

フィルム基板１０１　（ＦＰＣ）の幅（図中縦の長さ）
を３５Ｉに制限している。また、フィルム１０１には送
り穴１０５ａが設けられている。

このフィルム１０１は、組立途中で、図の一点鎖線で示
した線で切断され、完成品として不要な部分は切り離さ
れる。基板ＦＰＣは、厚さ５０μｍ程度のポリイミド樹
脂フィルムから成るベースフィルム上にエポキシ系の接
着剤によって銅薄膜を貼り合わせ、銅薄膜をエツチング
技術によりパターニングして得られた銅下地配線パター
ンを有する。銅下地配線層上には電気メツキ法等により
。

Ｎｉメッキ層、Ａｕメッキ層が順次形成される。

このＡｕメッキ層は、銅層の電気的マイグレーションを
防止したり、磁気バブルメモリチップＣＨ工のポンディ
ングパッドとの熱圧着ボンディングを容易にするために
設けられる。Ｎｉ層は銅層と金層との密着性を良くする
ために使用される。各コマの配線パターン１００はこの
段階においては図中外周に設けられた枠状のパターンや
延長部分１００ｅによってつながっているが、これは電
気メッキのためである。

１コマのフィルム基板ＦＰＣは前述したように、配線１
００の外部接続部分１００ｃが左右２方向に集約されて
いる。上下方向でなく左右方向に集約させている一つの
理由は前述した３５ｍｍフィルムとのコンパチビリティ
である。別の理由は次の通りである。フィルム基板ＦＰ
Ｃはその下にメモリチップＣＨＩがフェスアップボンデ
イングされるが、後述するように基板ＦＰＣとチップＣ
ＨＩは、図中の左右方向で傾斜させられる。従って、フ
ィルム基板ＦＰＣ２は上下方向には傾斜させられないの
で、チップＣＨＩを後述の導体ケースにボンディングし
てからフィルム基板ＦＰＣとチップＣＨＩとの電気的接
続を行う場合はフィルム基板ＦＰＣのチップとの接続部
分１００ｃとチップＣＨＩのパッドとのボンディング時
に、左側の全接続部分には均一な圧力が加わり、また右
側も同様に均一なボンディングができる。このことはフ
ィルム基板ＦＰＣと後述する印刷基板との接続について
も言える。

（回転磁界閉込めケース、第４．５．６図）第４図は内
側ケースＲＦＳｂを示す図であり、同図Ａは平面図、同
図Ｂはその４Ｂ−４Ｂ断面図である。このケースＲＦＳ
ｂは底面部の板厚が右側に寄るに従って厚くされている
。同図Ｂに示すように、底抜の上側の面に対し下側の面
は右下がりの傾斜が約１．７°の値で設けられている。

第９Ｂ図から判るように、上側面には整磁板と永久磁石
の磁石体が取付けられ、下側面にはチップＣＨＩが配置
される。つまりこのケースにおける厚みの片寄りは、磁
石体とチップＣＨＩとの傾斜によるチップＣＨＩにホー
ルディング磁界Ｈｄｃを与えるために設けられている。

前述した導体ケースの傾斜面は３００トン程度の加重に
よるプレス加工（偏肉リボン加工）で形成される。この
傾斜面は他の方法として切削によって形成することもで
き、また圧延時のローラを傾けること等によって形成す
ることもできる。

特願昭６０−６６４５６号のそれに示すような絞り部を
無くしたことにより、フィルム基板が絞り部に沿って曲
げられることがなくなるので、フィルム基板に加わるス
トレスが緩和される。また、導体ケースＲＦＳｂ自体に
傾斜面を設けているので、同号に示すような傾斜板ＩＮ
ＭやＩＮＮが不要となり（全部で４枚分）部品点数を減
らすことができる０部品点数の減少は材料費や組立費の
節減につながる。

第５図は外側ケースＲＦＳａを示す図であり、同図Ａは
平面図、同図Ｂはその５Ｂ−５Ｂ断面図である。外側ケ
ースＲＦ　Ｓ　ａが内側ケースＲＦＳｂと異なる点は磁
気コアーＰＦＣを収納或ははめ込むための絞り部１３３
を設けている点である。

外側ケースＲＦ　Ｓ　ａの底板の上側の面には、内側ケ
ースＲＦＳｂの底板の下側の面と同様な右下がすの傾斜
面が設けられている。

第６図は外側及び内側ケースＲＦＳａ及びＲＦｓｂだけ
を組合せた状態を示す図であり（チップＣＨＩ、フィル
ム基板ＦＰＣ及び磁気コアーＰＦＣを図から省略してい
る）、同図Ａは平面図、同図Ｂはその６Ｂ−６Ｂ断面図
である。

（ケース組立体、第１図） 第１図はチップＣＨＩ、フレキシブル基板ＦＰＣ５特願
昭６Ｑ−６６４５６号に示すような磁気回路ＰＦＣを外
側ケースＲＦＳａ内に実装した状態（内側ケースＲＦＳ
ｂでふたをする前の状態）を示す図であり、同図Ａは上
面図、同図ＢはそのＩＢ−ＩＢ断面図である。

チップＣＨＩはケースＲＦβａ内に収納される前に基板
ＦＰＣに取付けられる。フレキシブル基板ＦＰＣの配線
１００がある方の面を表（おちて）面と命名すると、チ
ップＣＨＩは、ポンディングパッド、配線、転送路があ
る主面を上にして（フェースアップ）フレキシブル基板
ＦＰＣの裏面に取付けられる。勿論、接続される部分は
基板ＦＰＣの配線部分１００ａとチップＣＨ工のパッド
部分であるが、両者はリード部分１００ａを上側からキ
ャピラリ等の治具によりパッドへ熱圧着することにより
ボンディングされる。

ボンディング後複数の基板ＦＰＣが連なったフィルム基
板１０１は個々の基板ＦＰＣに切り離され、また周囲の
メッキ時に使用した不要な配線部分や補強部分は第１図
Ａのように切り落される。

続いて磁気回路ＰＦＣがケースＲＦ　Ｓ　ａの絞り部１
３３と外側の壁１３４とで形成される溝にはめ込まれる
。

導体ケースＲＦ　Ｓ　ａはスタンプ式でエポキシ系樹脂
等の接着剤が塗布され、その部分に、フィルム基板ＦＰ
ＣにボンディングされたチップＣＨＩの裏面が接着され
る。このときのチップＣＨＩとケースＲＦＳａとの位置
関係は、ケースＲＦＳａの切欠き部分１３５とフィルム
基板ＦＰＣの外部導出経路部分１０２　ａ　＝　ｄで精
度良く決められる。

必要あれば更に微細な位置決め調整は治具等を使用して
可能である。

この状態でチップＣＨＩの周辺にシリコーン・レジンＳ
ＩＲがポツティングされ、加熱処理によりシリコーン・
レジンＳＩＲは流動性を増し１毛細管現象によりフレキ
シブル基板ＦＰＣの裏面とチップＣＨＩの主面との間に
入り込み、チップＣＨＩは磁性異物、ゴミの付着や湿気
の侵入等から保護される。

この場合、フレキシブル配線基板ＦＰＣの開口部１０４
ａ、１０４ｂからフレキシブル配線基板ＦＰＣの裏面と
チップＣＨＩの主面との間の隙間にシリコーン・レジン
ＳＩＲが流入されるが、その際、その中央部分に気泡が
残り、チップＣＨＩ主面が完全にコートされない。

したがって本発明は、第１図および第３図に示したよう
にフレキシブル配線基板ＦＰＣのチップＣＨＩと対向す
るほぼ中央部分に円形状の開口部１０６が形成されてい
る。

このような構成によれば、気泡がこの開口部１０６から
追い出されてチップＣＨＩ主面がフレキシブル配線基板
ＦＰＣに完全にコートされるようになる、また、このフ
レキシブル配線基板ＦＰＣの中央部に設けられた開口部
１０６からシリコーン・レジンＳＩＲが注入された場合
には、このシリコーン・レジンＳＩＲが放射状方向に拡
散されて流入されるので、気泡の発生は全くなくなる。

なお、この開口部１０６はフレキシブル配線基板ＦＰＣ
の中央部分に１個設けた場合にらいて説明したが、その
数量および形状に特に限定されるものではない。

ケースＲＦＳａの絞り部１３３の高さは、磁気回路ＦＰ
Ｃの厚さ、チップＣＨＩの厚さ等を考慮し、第１Ｂ図に
示すようにフレキシブル基板ＦＰＣがケース内全体にわ
たって平らになるように決められる。その後ケースＲＦ
ＳｂがケースＲＦＳａとの面接触部分で超音波溶接法に
よって溶接される。

（磁石体、第７図） 第７図は磁石体ＢＩＭを示す図であり、同図Ａは平面図
、同図Ｂはその側面図、同図Ｃはその７Ｇ−７Ｇ断面図
である。

（ケース組立体への磁石体及びバイアスコイルの実装、
第８図） 第８図は第１図で説明したケースＲＦＳ組立体に第７図
の磁石体ＢＩＭ及び特願昭６０−６６４５６号に示すよ
うなバイアスコイルＢＩＧを組み込んだ状態を示す図で
あり、同図Ａは上面図、同図Ｂはその８Ｂ−８Ｂ断面図
である。

上側磁石体Ｂ　Ｉ　Ｍ　ａとバイアスコイルＢＩＣはお
皿状の内側ケースＲＦＳｂに取付けられ、下側磁石体Ｂ
ＩＭｂは外側ケースＲＦＳａの絞り部３８に囲まれた平
らな部分に取付けられる。

同図Ｂから判るように、チップＣＨＩ及び磁気回路ＰＦ
Ｃは上下磁石体Ｂ　Ｉ　Ｍ　ａ及びＢＩＭｂが作る平行
面に対し左右方向に傾斜させられている。

また、磁気回路ＰＦＣとチップＣＨＩとを平行に配置す
※条件は同号の例と変わり無いが、磁気回路ＰＦＣの最
上端面とチップＣＨＩの上面はほぼ同一面となるように
、チップＣＨＩの厚さ、磁気回路ＰＦＣの厚さ、外側ケ
ースＲＦＳａの絞り部３８の高さが設計され、フレキシ
ブル基板ＦＰＣに応力が加わらないようにされている。

（磁気シールドケース、第９図） 第９図は上側シールドケースＳ　ＨＩ　ａを示す図であ
り、同図Ａは上面図、同図Ｂは右側面図、同図Ｃは下側
面図である。同図Ａから判るように上側シールドケース
Ｓ　ＨＩ　ａの平面形状は正方形状で同じ点を通る４本
の水平、垂直及び右下がり、右上がり４５°中心線（図
示せず）のどの軸に対しても対象形とされている。なお
、４５″′中心線と垂直に交わる４角の切欠き部１５４
は第２図のフィルム基板ＦＰＣの４角の導出部分１０２
ａ〜１０２ｄを通すために設けられている。１５１はケ
ースの平面部であり、１５２は垂直方向に立っている壁
部分である。壁１５２には各辺の中央部分に突出部１５
２８〜］、　５２　ｄが設けられている。

左右辺の突出部１５２ａ及び１５２ｃの高さはｈ２とさ
れ、突出高さそのもの（ｈａ　　ｈｚ）は、第１０図で
示す下側シールドケース５ＨＩｂの厚みｔｏと同じにさ
れる。また、上下辺の突出部１５２ｂ及び１５２ｄの高
さはり、とされ、突出高さそのもの（ｈ、−ｈｌ）は、
下側シールドケース５ＨＩｂの厚さｔ、よりも若干大き
くされる０例えば、ｈ、＝４．５．ｈ、＝５．０．ｈ、
＝５．３．ｔ。

＝０．５とされ、上下シールドケースＳ　ＨＩ　ａ及び
５ＨＩｂを組立てたとき、上側シールドケースＳＨＩ　
ａの上下辺突出部１５２ｂ及び１５２ｄが下側シールド
ケース５ＨＩｂの下側平面部に対し僅かに（ｈ３−ｈｉ
−ｔ、＝０．３）飛び出るようにされ、第１２図に示す
セラミック印刷配線基板との位置決めを容易にするよう
工夫されている（各数値の単位はいずれも■である）。

第１０図は下側シールドケース５ＨＩｂを示しており、
同図Ａは平面図、同図Ｂは下側面図を示している。板状
の下側シールドケースＳＨＩ　ｂは左右上下の４辺に上
側シールドケースＳ　ＨＩ　ａの壁１５２の厚さｔ、に
相当する凹部を有し、この部分に上側ケースの突出部１
５２ａ〜１５２ｄがはめ込まれるようになっている。第
９及び１０図に示した各ケースの縦及び横方向の長さＬ
ｉＯ２及びＬｉＯ４は例えば２２．４ｍで同じに設計さ
れる。

下側シールドケース５ＨＩｂは、特願昭６０−６６４５
６号のそれ（ＳＨＩｂ）と比べて１曲げ加工が不要であ
り、低コストとなるだけでなく、出来上がりデバイスの
厚みを小さくできる。

（磁気シールドケース組立体、第１１図）第１１図は第
９，１０図に示した磁気シールドケース５ＨＩａ、５Ｈ
Ｉｂ内に第８図で示した中間組立体を実装した図を示し
ており、第１１Ａ図はその平面図、同Ｂ図はそのＩＩＢ
−ＩＩＢ断面図を表わしている。

第１１図に示した組立体は、最終組立品としては不要な
端子１０９ａ、１０９ｂやメッキ用配線延長部分１００
ｅを残しているが、この段階で中間組立体の動作試験や
良品の選別を行うことができ、１個当りの平均組立コス
トの低減が可能となる。

なお、フィルム基板ＦＰＣとチップＣＨＩとの導通チェ
ックや短絡チェックは前述したフェースアップボンディ
ング後や、導体ケースＲＦＳ等を組立てたそれぞれの段
階で行われる。

上側及び下側シールドケースＲＦＳａ及びＲＦｓｂはス
ポット溶接法やレーザ溶接法等で接着される。

（ピングリッド端子配線基板、第１２図）第１２図は、
第１１図で示したシールドケース組立体をピングリッド
外部接続端子に電気的に接続するための配線基板であり
、同図Ａはその上面図、同図Ｂはその１２Ｂ−１２Ｂ断
面図、同図Ｃはその下面図である。

２０１は上面に配線２０５が施されたセラミックス基板
であり、この基板は上面スルーホール接続端子２０６、
スルーホール２０７．下面スルーホール接続端子２０８
を有する。配線２０５の他端部２０５ａはフレキシブル
配線基板ＦＰＣ２のアウターリード部１００ｃが接続さ
れる部分を示している。グリッド状に配置された外部接
続ピン２０４はスルーホール２０７内に形成された導電
層を通じて上面端子２０６に電気的に接続される。

配線２０５のうちやや太めのものはＸコイル、Ｙコイル
及びバイアスコイル接続用である（Ｉｘ、　　Ｉｙ、Ｉ
ｂ各各端端子。

２０２はセラミックス板であり、この上にエポキシ樹脂
等によって下側シールドケース５ＨＩｂが接着される。

つまり、このセラミックス板２０２は、下側シールドケ
ース５ＨＩｂによって、その下に位置することになる配
線部分２０５ｂが短絡するのを防ぐ絶縁板の役割を果た
している。またセラミックス板２０２は凹部２０２ｂ、
２０２ｄを有し、この部分に前述した上側シールドケー
スＳ　ＨＩ　ａの突出部１５２ｂ、１５２ｄがはめ込ま
れるようになっており、シールドケース組立体の接着時
の位置決めの役割も兼ねている。セラミックス基板２０
１及びセラミックス板２０２はグリーンセラミックスの
状態で重ね合わされ、その後焼結される。

２０３は枠状の封止用リングであり、セラミックス基板
２０１の縁に銀ろう材等によって接着され、基板２０１
から外側に飛び出している部分に、後述するパッケージ
ングキャップＰＫＧが溶接されるようになっている。フ
レーム２０３及びグリッドピン２０４の材質としてはセ
ラミックスと熱膨張係数が近いＦｅ−Ｎ１−ｃｏ合金（
通称ＫＯＶＡＲ）が選ばれる。

配線２０５．端子２０６，２０８．Ｘ／ｌ／−ホール２
０７及びフレーム２０３をろう付けする部分のセラミッ
クス基板２０１にはＷのメタライズ層が形成されている
。

２枚のセラミックス材２０１，２０２が焼結された後に
、グリッド・ビン２０４及びフレーム２０３は銀ろう材
によってセラミックス基板２０１にろう付けされる。Ｗ
メタライズ層は銀ろうとの接着力を強める働きがある。

その状態で、ピングリッド配線基板ＴＥＦに対して、す
なわち露出したＷメタライズ層上及びコバール材上に、
順次Ｎｉ、　Ａ＋Ｊｌが電気メッキされる。Ｎｉ層はＷ
層とＡｕ層との接着力を強めるために設けられる。ビン
２０４はコパール材から成るがＡｕメッキされているの
でユーザにおけるプリント基板等への実装に関連した半
田付は性が良くなる。配線２０５の端部２０５ａのＡｕ
メッキ層はフィルム基板ＦＰＣ２のＡｕメッキが施され
たアウターリード１００Ｃとの熱圧着ボンディングを可
能とする。フレーム２０３のＡｕメッキ層は後述するパ
ッケージングキャップＰＫＧの気密封止に役立つ。

セラミックス基板２０１の裏面にはＷメタライズ層、す
なわちＡｕメッキ層が２０９及び２０８の輪郭線で示さ
れるようにフレーム２０３およｑピン２０４との接着面
より広めに形成され、それらの接着界面に銀ろう材等に
よるすき間が生じないようにとており、セラミックス材
の使用及び後述するパッケージングキャップＰＫＧの使
用と併せて気密封止が達成される。

なお、配線２０５のセラミックス板２０２の下に位置す
る部分２０５ｂにはＡｕメッキ層が形成されないが、前
述したフィルム基板ＦＰＣよりも配線のピッチが広いの
で電気マイグレーションの問題はない。

（ピングリッド配線基板組立体、第１３図）第１３図は
第１１図に示すシールドケース組立体を第１２図のピン
グリッド配線基板ＴＥＦに実装した状態を示す図であり
、同図Ａはその上面図。

同図Ｂはその１３Ｂ−１３Ｂ断面図である。

この組立体の作り方は、第１２図に関連して説明したの
で省略する。

（パッケージングキャップ、第１４図）第１４図は封止
用キャップを示す図で、同図Ａはその平面図、同図Ｂは
その１４Ｂ−１４Ｂ断面図である。

コバール製キャップＰＫＧは２つの壁部分２２１．２２
２を有し、２つの壁部分２２１と２２２の間の折り曲げ
は、壁２２２が第２図からも判るように上側シールドケ
ースＳ　ＨＩ　ａとほぼ接するようにして、放熱性を上
げるために設けられている。

底面部分２２３はコバール製フレーム２２３のセラミッ
クス基板２０１から露出した部分に抵抗溶接法等によっ
て溶接される。従って、上記フレーム２２３の露出部分
とセラミックス基板２０１の側面との段差はキャップＰ
ＫＧのはめ込みの位置合わせに役立つ。

（完成デバイス構造、第２図） 第２図は第１図及び第３図〜第１４図で説明した一連の
変形例の完成構造、すなわち第１３図の中間組立体を第
１４図のキャップＰＫＧで封止した構造を示している。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明によれば、フレキシブル配線
基板の磁気バブルメモリチップと対向する面に開口部を
設けたことにより、フレキシブル配線基板と磁気バブル
メモリチップとの対向間の隙間に発生する気泡が除去さ
れ、磁気バブルメモリチップ主面を完全にコートするこ
とができるので、磁気バブルメモリチップが磁性異物等
の付着から確実に保護されるとともに、吸湿性大の原因
となる気泡の発生もなくなるので、耐湿性および耐衝撃
性の大きい信頼性の高い磁気バブルメモリが実現できる
という極めて優れた効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第１４図は本発明の実施例を示す図であり、第
１図は本発明による磁気バブルメモリデバイスの一実施
例を示す図、第２図は第１図及び第３図〜第１４図で説
明した一連の部品の組立完成構造、すなわち第１３図の
中間組立体を第１４図のキャップＰＫＧで封止した構造
を示す図であり、同図Ａはその上面図、同図Ｂはその２
Ｂ−２Ｂ断面図、同図Ｃはその右側面図で、第３図はフ
レキシブル配線基板を示す平面図、第４図は内側ケース
ＲＦＳｂを示す図であり、同図Ａは平面図、同図Ｂはそ
の４Ｂ−４Ｂ断面図、第５図は外側ケースＲＦ　Ｓ　ａ
を示す図であり、同図Ａは平面図、同図Ｂはその５Ｂ−
５Ｂ断面図、第６図は外側及び内側ケースＲＦＳａ及び
ＲＦＳｂだけを組合せた状態を示す図であり、同図Ａは
平面図、同図Ｂはその６Ｂ−６Ｂ断面図、第７図は磁石
体ＢＩＭを示す図であり、同図Ａは平面図、同図Ｂはそ
の側面図、同図Ｃはその７Ｇ−７Ｇ断面図、第８図は第
１図で説明したケースＲＦＳ組立体に第７図の磁石体Ｂ
ＩＭ及びバイアスコイルＢＩＣを組み込んだ状態を示す
図であり、同図Ａは上面図、同図Ｂはその８Ｂ−８Ｂ断
面図、第９図は上側シールドケースＳ　ＨＩ　ａを示す
図であり、同図Ａは上面図、同図Ｂは右側面図、同図Ｃ
は下側面図、第１０図は下側シールドケース５ＨＩｂを
示しており、同図Ａは平面図、同図Ｂは下側面図、第１
１図は第９，１０図に示した磁気シールドケース５ＨＩ
ａ、５ＨＩｂ内に第８図で示した中間組立体を実装した
図を示しており、第１１Ａｌｌはその平面図、同Ｂ図は
そのＩＩＢ−１１Ｂ断面図、第１２図は、第１１図で示
したシールドケース組立体をピングリッド外部接続端子
に電気的に接続するための配線基板であり、同図Ａはそ
の上面図、同図Ｂはその１２Ｂ−１２Ｂ断面図、同図Ｃ
はその下面図、第１３図は第１１図に示すシールドケー
ス組立体を第１２＠のピングリッド配線基板ＴＥＦに実
装した状態を示す図であり、同図Ａはその上面図、同図
Ｂはその１３Ｂ−１３Ｂ断面図、第１４図は封止用キャ
ップを示す図で、同図Ａはその平面図、同図Ｂはその１
４Ｂ−１４Ｂ断面図である。 ＣＨＩ・：・磁気バブルメモリチップ（素子）、ＦＰＣ
・・・フレキシブル配線基板（基板）、ｃＯＩ・・・駆
動コイル（コイル）、ＣＯＲ・・・額縁形コア（コア）
、ＰＦＣ・・・磁気回路、ＲＦＳ・・・回転磁界閉じ込
めケース（ケース）、ＲＦＳａ・・・外側ケース、ＲＦ
Ｓｂ・・・内側ケース、ＳＩＲ・・・シリコーン樹脂、
ＢＩＭ・・・バイアス磁界発生用磁石体（磁石体）、Ｍ
ＡＧ・・・永久磁石板（磁石板）、ＨＯＭ・・・整磁板
。 ＢＩＣ・・・バイアス磁界発生用コイル（バイアスコイ
ル）、ＳＨＩ・・・外部磁気シールドケース（シールド
ケース）、５ＨＩａ・・・外側シールドケース、５ＨＩ
ｂ・・・内側シールドケース、ＰＫＧ・・・パッケージ
ングケース、１０６・・・開口部、２０１・・・セラミ
ックスプリント配線基板、２０２・・・セラミックス・
カバープレーＲＦＳａ ＲＦＳＢ 第７図Ｃ ｎｕ口 第１０図Ａ ＨＩｂ 第１２図Ｂ　第１２図Ｃ

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、向い合う巻線の組が互いに平行となるようにコイル
   を施した額縁形コアで形成される空間部に、フレキシブ
   ル配線基板に搭載した磁気バブルメモリチップを配設し
   、前記コイル、コア及び磁気バブルメモリチップの全体
   を良導電性材ケース内に挟持させ、前記フレキシブル配
   線基板の外部接続端子と端子板の接続端子とを接合し、
   前記フレキシブル配線基板の磁気バブルメモリチップと
   対向する面に開口部を設けたことを特徴とする磁気バブ
   ルメモリ。