JPH0544756B2 - - Google Patents
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- JPH0544756B2 JPH0544756B2 JP58152691A JP15269183A JPH0544756B2 JP H0544756 B2 JPH0544756 B2 JP H0544756B2 JP 58152691 A JP58152691 A JP 58152691A JP 15269183 A JP15269183 A JP 15269183A JP H0544756 B2 JPH0544756 B2 JP H0544756B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bubble
- magnetic field
- memory module
- magnetic
- chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 29
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
- G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
- G11C19/085—Generating magnetic fields therefor, e.g. uniform magnetic field for magnetic domain stabilisation
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は磁気バブルメモリモジユールおよびそ
の装置に関する。さらに詳細には、回転磁界を発
生する駆動部を有しない磁気バブルメモリモジユ
ールに関し、さらにはそのような磁気バブルメモ
リモジユールを駆動部に組込んで構成する磁気バ
ブルメモリモジユール装置に関する。
の装置に関する。さらに詳細には、回転磁界を発
生する駆動部を有しない磁気バブルメモリモジユ
ールに関し、さらにはそのような磁気バブルメモ
リモジユールを駆動部に組込んで構成する磁気バ
ブルメモリモジユール装置に関する。
従来考えられてきている磁気バブルメモリモジ
ユールは、バブルチツプ内のバブルを転送するた
めの回転磁界を与える駆動部と、バブルを保持す
るためのバイアス磁界を与える手段を一体として
構成するものとしてされてきた。このために、モ
ジユールの小型化、薄形化、軽量化、簡素化、信
頼化等の達成が困難視されてきた。
ユールは、バブルチツプ内のバブルを転送するた
めの回転磁界を与える駆動部と、バブルを保持す
るためのバイアス磁界を与える手段を一体として
構成するものとしてされてきた。このために、モ
ジユールの小型化、薄形化、軽量化、簡素化、信
頼化等の達成が困難視されてきた。
第１図は従来の磁気バブルメモリモジユールを
一部切断した斜視図を示し、第２図は第１図のＡ
−Ａ線断面図を示す。磁気バブルメモリチツプ１
は外部接続端子２ａを有する配線基板２に搭載さ
れる。直方体コア３がチツプ１を囲むように設け
られ、Ｘ、Ｙ方向各々一対のコイル４が巻回さ
れ、回線磁界を発生するよう構成される。チツプ
１とこの駆動部は端子２ａの部分を残して導体シ
ールドケース５で包囲される。導体シールドケー
ス５のバブルチツプ１の上下に整磁板６、磁石板
７を配置し、全体を磁気シールドケース８で包囲
してバイアス磁気回路を構成し、バブルチツプ内
のバブルを保持する。
一部切断した斜視図を示し、第２図は第１図のＡ
−Ａ線断面図を示す。磁気バブルメモリチツプ１
は外部接続端子２ａを有する配線基板２に搭載さ
れる。直方体コア３がチツプ１を囲むように設け
られ、Ｘ、Ｙ方向各々一対のコイル４が巻回さ
れ、回線磁界を発生するよう構成される。チツプ
１とこの駆動部は端子２ａの部分を残して導体シ
ールドケース５で包囲される。導体シールドケー
ス５のバブルチツプ１の上下に整磁板６、磁石板
７を配置し、全体を磁気シールドケース８で包囲
してバイアス磁気回路を構成し、バブルチツプ内
のバブルを保持する。
このように磁気バブルメモリモジユールは、チ
ツプ内のバブルを保持するためのバイアス磁界を
発生させるバイアス磁気回路構造と、チツプ内の
バブルを転送するための回路磁界を発生させる駆
動部を一体として備えている。
ツプ内のバブルを保持するためのバイアス磁界を
発生させるバイアス磁気回路構造と、チツプ内の
バブルを転送するための回路磁界を発生させる駆
動部を一体として備えている。
記憶媒体自身は、フロツピーデイスク等にみら
れるごとく、基本的には記憶情報の保持機能があ
ればよく、必らずしも記憶情報の読出し、書込み
を行う機能を持たない構造をとることができる。
れるごとく、基本的には記憶情報の保持機能があ
ればよく、必らずしも記憶情報の読出し、書込み
を行う機能を持たない構造をとることができる。
しかし、バブルメモリモジユールにおいては、
記憶情報の読出し、書込みを行う機構、即ち回転
磁界をチツプに供給する駆動部を別に設ける構造
が難しく実用化に至つていない。なお、例えば特
開昭54−43427号公報や特開昭55−87280号公報な
どには、バイアス磁界発生手段を備えたバブルメ
モリモジユールと回転磁界駆動部とを別構成にし
て、バブルメモリモジユールを着脱可能にした磁
気バブルメモリ装置が記載されているが、回転磁
界駆動部から印加される回転磁界がバイアス磁界
発生手段により影響を受けるため、該回転磁界の
強度、一様性等が大幅に低下する、構造的にモジ
ユールの小型化に限界がある、などの問題を有し
ている。
記憶情報の読出し、書込みを行う機構、即ち回転
磁界をチツプに供給する駆動部を別に設ける構造
が難しく実用化に至つていない。なお、例えば特
開昭54−43427号公報や特開昭55−87280号公報な
どには、バイアス磁界発生手段を備えたバブルメ
モリモジユールと回転磁界駆動部とを別構成にし
て、バブルメモリモジユールを着脱可能にした磁
気バブルメモリ装置が記載されているが、回転磁
界駆動部から印加される回転磁界がバイアス磁界
発生手段により影響を受けるため、該回転磁界の
強度、一様性等が大幅に低下する、構造的にモジ
ユールの小型化に限界がある、などの問題を有し
ている。
本発明の目的は、外部から印加される回転磁界
がバイアス磁界発生手段により影響を受けない、
小型化が可能な、バブルチツプと該バブルチツプ
内のバブル保持用のバイアス磁界発生手段とから
なる磁気バブルメモリモジユール、及び、該メモ
リモジユールを組込んで動作させる磁気バブルメ
モリモジユール装置を提供することにある。
がバイアス磁界発生手段により影響を受けない、
小型化が可能な、バブルチツプと該バブルチツプ
内のバブル保持用のバイアス磁界発生手段とから
なる磁気バブルメモリモジユール、及び、該メモ
リモジユールを組込んで動作させる磁気バブルメ
モリモジユール装置を提供することにある。
本発明は、基本的には、バブルチツプと該バブ
ルチツプ内のバブル保持用のバイアス磁界発生手
段とからなる磁気バブルメモリモジユールにおい
て、バイアス磁界発生手段を構成する磁石板、整
磁板、磁気シールドケースなどを導体材料からな
る導体シールド手段で包囲し、該導体シールド手
段（導体シールドケース）の包囲の外にバブルチ
ツプを配置して、外部から印加される回転磁界が
バイアス磁界発生手段により影響を受けないよう
にしたことである。
ルチツプ内のバブル保持用のバイアス磁界発生手
段とからなる磁気バブルメモリモジユールにおい
て、バイアス磁界発生手段を構成する磁石板、整
磁板、磁気シールドケースなどを導体材料からな
る導体シールド手段で包囲し、該導体シールド手
段（導体シールドケース）の包囲の外にバブルチ
ツプを配置して、外部から印加される回転磁界が
バイアス磁界発生手段により影響を受けないよう
にしたことである。
回転磁界発生手段を備えた駆動部においても、
該回転磁界発生手段を包囲する導体シールド手段
を設け、上記磁気バブルメモリモジユールを該駆
動部に組込んだ際、磁気バブルメモリモジユール
側の導体シールド手段と駆動部側の導体シールド
手段が連結するようにし、該連結された両導体シ
ールド手段で形成される空間内に磁気バブルメモ
リモジユールのバブルチツプが配置される。これ
により、磁気バブルメモリモジユールの外部に位
置する駆動部の回転磁界発生部手段で発生された
回転磁界が、磁気バブルメモリモジユールのバイ
アス磁界発生手段による影響を受けずに、モジユ
ール内のバブルチツプに供給することができる。
該回転磁界発生手段を包囲する導体シールド手段
を設け、上記磁気バブルメモリモジユールを該駆
動部に組込んだ際、磁気バブルメモリモジユール
側の導体シールド手段と駆動部側の導体シールド
手段が連結するようにし、該連結された両導体シ
ールド手段で形成される空間内に磁気バブルメモ
リモジユールのバブルチツプが配置される。これ
により、磁気バブルメモリモジユールの外部に位
置する駆動部の回転磁界発生部手段で発生された
回転磁界が、磁気バブルメモリモジユールのバイ
アス磁界発生手段による影響を受けずに、モジユ
ール内のバブルチツプに供給することができる。
以下本発明の実施例を図面を参照して説明す
る。
る。
第３図は本発明の一実施例である磁気バブルメ
モリモジユールの斜視図を示し、第４図は第３図
におけるバイアス磁気回路をぬき出して一部切断
した斜視図を示し、第５図は第３図のＡ−Ａ線断
面図を、第６図は第３図のＢ−Ｂ線断面図を示
す。
モリモジユールの斜視図を示し、第４図は第３図
におけるバイアス磁気回路をぬき出して一部切断
した斜視図を示し、第５図は第３図のＡ−Ａ線断
面図を、第６図は第３図のＢ−Ｂ線断面図を示
す。
第４図において、バブルチツプ１１の上下に整
磁板１６および磁石板１７が配置され、さらにそ
の上下に板１８ａおよび支柱１８ｂからなる磁気
シールドケース１８が配置される。磁気シールド
ケース１８は破線２３で示す磁束Φの閉磁路を構
成し、バイアス磁気回路を与えている。磁気シー
ルドケース１８は第４図から明らかように、上下
の板１８ａは四隅が支柱１８ｂで連結されてお
り、四方の側面はこのシールド手段によつては包
囲されていない。
磁板１６および磁石板１７が配置され、さらにそ
の上下に板１８ａおよび支柱１８ｂからなる磁気
シールドケース１８が配置される。磁気シールド
ケース１８は破線２３で示す磁束Φの閉磁路を構
成し、バイアス磁気回路を与えている。磁気シー
ルドケース１８は第４図から明らかように、上下
の板１８ａは四隅が支柱１８ｂで連結されてお
り、四方の側面はこのシールド手段によつては包
囲されていない。
第５図を参照するに、バブルチツプ１１は配線
基板１２に搭載されており、基板１２の端には外
部接続端子１９が設けられる。導体シールドケー
ス１４は、モジユール外部から与えられる回転磁
石Hx、Hyがバイアス磁気回路により影響を受け
ないようにするため、磁気シールドケース１８を
上下面を除いて包囲している。導体シールドケー
ス１４は中央部が配線基板１２と平行になるよう
に上下に設けられ、辺部は磁気シールドケース１
８の上下の板の辺部を包むように折り曲げられて
いる。また導体シールドケース１４をバブルチツ
プ１１の面に平行にすることにより、回転磁界の
一様性を向上させる。第６図はバブルチツプ１１
の存在しない端部の断面であり、支柱１８ｂ部分
も含めて磁気シールドケース１８が導体シールド
ケース１４により包まれている。基板１２と導体
シールドケース１４との端部の空間はモールド部
２０により固定される。これから明らかなよう
に、バイアス磁界発生手段としての磁石板１７は
磁気シールドケース１８、導体シールドケース１
４により包囲される。しかし、バブルチツプ１１
の側面はシールドで包囲されておらず、側面から
与えられる回転磁界Hx、Hyが通過ができるよう
に構成されている。
基板１２に搭載されており、基板１２の端には外
部接続端子１９が設けられる。導体シールドケー
ス１４は、モジユール外部から与えられる回転磁
石Hx、Hyがバイアス磁気回路により影響を受け
ないようにするため、磁気シールドケース１８を
上下面を除いて包囲している。導体シールドケー
ス１４は中央部が配線基板１２と平行になるよう
に上下に設けられ、辺部は磁気シールドケース１
８の上下の板の辺部を包むように折り曲げられて
いる。また導体シールドケース１４をバブルチツ
プ１１の面に平行にすることにより、回転磁界の
一様性を向上させる。第６図はバブルチツプ１１
の存在しない端部の断面であり、支柱１８ｂ部分
も含めて磁気シールドケース１８が導体シールド
ケース１４により包まれている。基板１２と導体
シールドケース１４との端部の空間はモールド部
２０により固定される。これから明らかなよう
に、バイアス磁界発生手段としての磁石板１７は
磁気シールドケース１８、導体シールドケース１
４により包囲される。しかし、バブルチツプ１１
の側面はシールドで包囲されておらず、側面から
与えられる回転磁界Hx、Hyが通過ができるよう
に構成されている。
このようなモジユールを構成することにより、
記憶媒体としての磁気バブルメモリモジユールは
駆動部を有しない構成を取ることができる。
記憶媒体としての磁気バブルメモリモジユールは
駆動部を有しない構成を取ることができる。
なお第５図において、導体シールドケース１４
によつて、磁気シールドケース１８の上面も包囲
することができるが、この場合にはモジユール高
さが増大する問題はある。
によつて、磁気シールドケース１８の上面も包囲
することができるが、この場合にはモジユール高
さが増大する問題はある。
第７図は第３図に示した磁気バブルメモリモジ
ユールを駆動部に組込んだ状態を示す。駆動部は
直方体コア３１にＸ、Ｙ方向各々一対のコイル３
２を巻線して回転磁界を発生させる。導体シール
ドケース３３および３４がコア３１およびコイル
３２を包囲するように形成される。駆動部は中央
部分に磁気バブルメモリモジユールを受け入れ、
駆動部の導体シールドケース３３，３４の中央部
の辺がモジユールの導体シールドケース１４の辺
と連結（接続）され、これによつて、バブルチツ
プ１１と回転磁界発生手段（コア３１、コイル３
２）とが両者のシールドケースで形成される一つ
の空間内に配置される。破線３５で示す回転磁界
はバブルチツプ１１を駆動するように与えられ、
この回転磁界は導体シールドケース１４，３３，
３４によりシールドされるために、バイアス磁気
回路の影響を受けない。即ち、例えば整磁板や磁
石板（第５図の１６，１７）を包囲している導体
シールドケース１４が存在しない場合、破線３５
で示す回転磁界の一部は整磁板や磁石板にも向う
ため、バブルチツプ１１を駆動するための回転磁
界の強度が低下し、また、一様性も乱されるが、
導体シールドケース１４が存在することにより、
回転磁界は導体シールドケース内に閉じ込めら
れ、バブルチツプ１１に有効に作用する。同様
に、導体シールドケース３３，３４が存在しない
場合には、回転磁界の一部は外側の磁気シールド
ケースにも向うが、導体シールドケース３３，３
４の存在により、該導体シールドケース内に閉じ
込められ、バブルチツプ１１に有効に作用する。
つまり、導体シールドケース１４，３３，３４に
より、回転磁界発生手段はバイアス磁界発生手段
（バイアス磁気回路）から磁気的に分離されてい
る。一方、導体シールドケース１４，３３，３４
は非磁性体であるため、バイアス磁界発生手段に
よる磁束は第４図に破線２３で示す閉磁路を構成
し、バブルチツプ１１に所定のバイアス磁界を与
えている。モジユールはその外部端子１９（第３
図）がコネクタ４１，４２と接続され、フレキシ
ブル配線基板４３，４４により外部へ引き出され
る。
ユールを駆動部に組込んだ状態を示す。駆動部は
直方体コア３１にＸ、Ｙ方向各々一対のコイル３
２を巻線して回転磁界を発生させる。導体シール
ドケース３３および３４がコア３１およびコイル
３２を包囲するように形成される。駆動部は中央
部分に磁気バブルメモリモジユールを受け入れ、
駆動部の導体シールドケース３３，３４の中央部
の辺がモジユールの導体シールドケース１４の辺
と連結（接続）され、これによつて、バブルチツ
プ１１と回転磁界発生手段（コア３１、コイル３
２）とが両者のシールドケースで形成される一つ
の空間内に配置される。破線３５で示す回転磁界
はバブルチツプ１１を駆動するように与えられ、
この回転磁界は導体シールドケース１４，３３，
３４によりシールドされるために、バイアス磁気
回路の影響を受けない。即ち、例えば整磁板や磁
石板（第５図の１６，１７）を包囲している導体
シールドケース１４が存在しない場合、破線３５
で示す回転磁界の一部は整磁板や磁石板にも向う
ため、バブルチツプ１１を駆動するための回転磁
界の強度が低下し、また、一様性も乱されるが、
導体シールドケース１４が存在することにより、
回転磁界は導体シールドケース内に閉じ込めら
れ、バブルチツプ１１に有効に作用する。同様
に、導体シールドケース３３，３４が存在しない
場合には、回転磁界の一部は外側の磁気シールド
ケースにも向うが、導体シールドケース３３，３
４の存在により、該導体シールドケース内に閉じ
込められ、バブルチツプ１１に有効に作用する。
つまり、導体シールドケース１４，３３，３４に
より、回転磁界発生手段はバイアス磁界発生手段
（バイアス磁気回路）から磁気的に分離されてい
る。一方、導体シールドケース１４，３３，３４
は非磁性体であるため、バイアス磁界発生手段に
よる磁束は第４図に破線２３で示す閉磁路を構成
し、バブルチツプ１１に所定のバイアス磁界を与
えている。モジユールはその外部端子１９（第３
図）がコネクタ４１，４２と接続され、フレキシ
ブル配線基板４３，４４により外部へ引き出され
る。
第８図および第９図はモジユールを駆動部に着
脱する構成を示す。導体シールドケース３４は着
脱可能であり、第８図はモジユールが組込まれ、
ケース３４を閉じた状態を、第９図はケース３４
を開き、モジユールを取出す状態を示す。
脱する構成を示す。導体シールドケース３４は着
脱可能であり、第８図はモジユールが組込まれ、
ケース３４を閉じた状態を、第９図はケース３４
を開き、モジユールを取出す状態を示す。
支持台４５はその上面がモジユールに当接さ
れ、上下することによりモジユールを着脱するこ
とができる。支持台４５には軸４７ａ，４７ｂを
中心に回転可能に腕４６ａ，４６ｂが取付けられ
る。コネクタ４１，４２は固定された軸４８ａ，
４８ｂを中心に回転可能であり、下端は軸４９
ａ，４９ｂにより腕４６ａ，４６ｂと回転可能に
接続されている。５０ａ，５０ｂはコネクタ４
１，４２を腕４６ａ，４６ｂに機械的に接続する
ためにシールドケース３３に設けられた穴であ
る。
れ、上下することによりモジユールを着脱するこ
とができる。支持台４５には軸４７ａ，４７ｂを
中心に回転可能に腕４６ａ，４６ｂが取付けられ
る。コネクタ４１，４２は固定された軸４８ａ，
４８ｂを中心に回転可能であり、下端は軸４９
ａ，４９ｂにより腕４６ａ，４６ｂと回転可能に
接続されている。５０ａ，５０ｂはコネクタ４
１，４２を腕４６ａ，４６ｂに機械的に接続する
ためにシールドケース３３に設けられた穴であ
る。
導体シールドケース３４を開き、支持台４５を
上方へ移動させると、コネクタ４１，４２は矢印
５１ａ，５１ｂのごとく回動し、モジユールとの
接続を解き、同時にモジユールが上方へ押し出さ
れる。モジユールを駆動部に組込むときは上記と
逆の手順により行われる。
上方へ移動させると、コネクタ４１，４２は矢印
５１ａ，５１ｂのごとく回動し、モジユールとの
接続を解き、同時にモジユールが上方へ押し出さ
れる。モジユールを駆動部に組込むときは上記と
逆の手順により行われる。
本発明によれば、バブルチツプと該バブルチツ
プ内のバブル保持用のバイアス磁界発生手段とか
らなる磁気バブルメモリモジユールを、その小型
化とともに、外部から印加される回転磁界がバイ
アス磁界発生手段により影響を受けない構造とす
ることができ、該磁気バブルメモリモジユールを
駆動部に組込むことにより、小型、高信頼度の磁
気バブルメモリモジユール装置が得られる。
プ内のバブル保持用のバイアス磁界発生手段とか
らなる磁気バブルメモリモジユールを、その小型
化とともに、外部から印加される回転磁界がバイ
アス磁界発生手段により影響を受けない構造とす
ることができ、該磁気バブルメモリモジユールを
駆動部に組込むことにより、小型、高信頼度の磁
気バブルメモリモジユール装置が得られる。
第１図は従来例を示す一部切断した斜視図、第
２図は第１図のＡ−Ａ線断面図、第３図は本発明
の磁気バブルメモリモジユールの一実施例を示す
斜視図、第４図は第３図におけるバイアス磁気回
路をぬき出し、一部切断した斜視図、第５図は第
３図のＡ−Ａ線断面図、第６図は第３図のＢ−Ｂ
線断面図、第７図は本発明の磁気バブルメモリモ
ジユール装置の一実施例を示す一部切断した斜視
図、第８図および第９図は動作を説明するための
断面図である。 １１……バブルチツプ、１４……導体シールド
ケース、１６……整磁板、１７……磁石板、１８
……磁気シールドケース、３１……直方体コア、
３２……コイル、３３，３４……導体シールドケ
ース。
２図は第１図のＡ−Ａ線断面図、第３図は本発明
の磁気バブルメモリモジユールの一実施例を示す
斜視図、第４図は第３図におけるバイアス磁気回
路をぬき出し、一部切断した斜視図、第５図は第
３図のＡ−Ａ線断面図、第６図は第３図のＢ−Ｂ
線断面図、第７図は本発明の磁気バブルメモリモ
ジユール装置の一実施例を示す一部切断した斜視
図、第８図および第９図は動作を説明するための
断面図である。 １１……バブルチツプ、１４……導体シールド
ケース、１６……整磁板、１７……磁石板、１８
……磁気シールドケース、３１……直方体コア、
３２……コイル、３３，３４……導体シールドケ
ース。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ バブルチツプと該バブルチツプ内のバブル保
持用のバイアス磁界発生手段とからなる磁気バブ
ルメモリモジユールにおいて、 上記バイアス磁界発生手段を導体材料からなる
導体シールド手段で包囲し、上記バブルチツプを
上記導体シールド手段の包囲の外に配置してなる
磁気バブルメモリモジユール。 ２ バブルチツプと、該バブルチツプ内のバブル
保持用のバイアス磁界発生手段と、該バイアス磁
界発生手段を包囲する導体シールド手段を備え、
上記バブルチツプを上記導体シールド手段の包囲
の外に配置してなる磁気バブルメモリモジユール
と、 上記バブルチツプ内のバブル転送用の回転磁界
発生手段と、該回転磁界発生手段を包囲する導体
シールド手段を備える駆動部とからなり、 上記磁気バブルメモリモジユールの導体シール
ド手段と上記駆動部の導体シールド手段を連結す
るように上記磁気バブルメモリモジユールを上記
駆動部に組込み、上記磁気バブルメモリモジユー
ルのバブルチツプと上記駆動部の回転磁界発生部
とが上記連結された両方の導体シールド手段で形
成される一つの空間内に配置されることを特徴と
する磁気バブルメモリモジユール装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58152691A JPS6045995A (ja) | 1983-08-22 | 1983-08-22 | 磁気バブルメモリモジユ−ルおよびその装置 |
| US06/638,578 US4592014A (en) | 1983-08-22 | 1984-08-07 | Magnetic bubble memory device |
| EP84109472A EP0136484A3 (en) | 1983-08-22 | 1984-08-09 | Magnetic bubble memory device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58152691A JPS6045995A (ja) | 1983-08-22 | 1983-08-22 | 磁気バブルメモリモジユ−ルおよびその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6045995A JPS6045995A (ja) | 1985-03-12 |
| JPH0544756B2 true JPH0544756B2 (ja) | 1993-07-07 |
Family
ID=15546022
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| JP58152691A Granted JPS6045995A (ja) | 1983-08-22 | 1983-08-22 | 磁気バブルメモリモジユ−ルおよびその装置 |
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|---|---|---|---|---|
| US4165535A (en) * | 1977-09-30 | 1979-08-21 | International Business Machines Corporation | Bubble memory drive system using a picture frame core and a reflection box |
| GB2011744A (en) * | 1977-12-29 | 1979-07-11 | Plessey Co Ltd | Improvements in or relating to magnetic domain devices |
| JPS5522874A (en) * | 1978-08-08 | 1980-02-18 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor integrated circuit device with lateral transistor |
| FR2458130A1 (fr) * | 1979-06-01 | 1980-12-26 | Commissariat Energie Atomique | Machine de test de memoires a bulles |
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- 1984-08-09 EP EP84109472A patent/EP0136484A3/en not_active Withdrawn
Patent Citations (3)
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|---|---|---|---|---|
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Also Published As
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| JPS6045995A (ja) | 1985-03-12 |
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