JPS6045995A - 磁気バブルメモリモジユ−ルおよびその装置 - Google Patents
磁気バブルメモリモジユ−ルおよびその装置Info
- Publication number
- JPS6045995A JPS6045995A JP58152691A JP15269183A JPS6045995A JP S6045995 A JPS6045995 A JP S6045995A JP 58152691 A JP58152691 A JP 58152691A JP 15269183 A JP15269183 A JP 15269183A JP S6045995 A JPS6045995 A JP S6045995A
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- JP
- Japan
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- magnetic
- bubble
- memory module
- chip
- magnetic field
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
- G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
- G11C19/085—Generating magnetic fields therefor, e.g. uniform magnetic field for magnetic domain stabilisation
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は磁気バブルメモリモジュールおよびその装置に
関する。さらに詳細には、回転磁界を発生する駆動部を
有しない磁気バブルメモリモジュールに関し、さらには
そのような磁気バブルメモリモジュールを駆動部に組込
んで構成する磁気バブルメモリモジュール装置に関する
。
関する。さらに詳細には、回転磁界を発生する駆動部を
有しない磁気バブルメモリモジュールに関し、さらには
そのような磁気バブルメモリモジュールを駆動部に組込
んで構成する磁気バブルメモリモジュール装置に関する
。
従来考えられてきている磁気バブルメモリモジュールは
、バブルチップ内のバブルを転送するだめの回転磁界を
与える駆動部と、バブルを保持するためのバイアス磁界
を与える手段を一体として構成するものとしてされてき
た。このために、モジュールの小型化、薄形化、軽重化
、簡素化、信頼化等の達成が困難視されてきた。
、バブルチップ内のバブルを転送するだめの回転磁界を
与える駆動部と、バブルを保持するためのバイアス磁界
を与える手段を一体として構成するものとしてされてき
た。このために、モジュールの小型化、薄形化、軽重化
、簡素化、信頼化等の達成が困難視されてきた。
第1図は従来の磁気バブルメモリモジュールを一部切断
した斜視図を示し、第2図は第1図のA−A線断面図を
示す。磁気バブルメモリチップ1は外部接続端子2aを
有する配線基板2に搭載される。直方体コア3がチップ
1を囲むように設けられ、X、Y方向各々一対のコイル
4が巻回され。
した斜視図を示し、第2図は第1図のA−A線断面図を
示す。磁気バブルメモリチップ1は外部接続端子2aを
有する配線基板2に搭載される。直方体コア3がチップ
1を囲むように設けられ、X、Y方向各々一対のコイル
4が巻回され。
回線磁界を発生するよう構成される。チップlとこの駆
動部は端子2aの部分を残して導体シールドケース5で
包囲される。導体シールドケース5外のバブルチップ1
の上下に整磁板6、磁石板7を配置し、全体を磁気シー
ルドケース8で包囲してバイアス磁気回路を構成し、バ
ブルチップ内のバブルを保持する。
動部は端子2aの部分を残して導体シールドケース5で
包囲される。導体シールドケース5外のバブルチップ1
の上下に整磁板6、磁石板7を配置し、全体を磁気シー
ルドケース8で包囲してバイアス磁気回路を構成し、バ
ブルチップ内のバブルを保持する。
このように磁気バブルメモリモジュールは、チップ内の
バブルを保持するためのバイアス磁界を発生させるバイ
アス磁気回路構造と、チップ内のバブルを転−送するた
めの回路磁界を発生させる駆動部を一体として備えてい
る。
バブルを保持するためのバイアス磁界を発生させるバイ
アス磁気回路構造と、チップ内のバブルを転−送するた
めの回路磁界を発生させる駆動部を一体として備えてい
る。
記憶媒体自身は、フロッピーディスク等にみられるごと
く、基本的には記憶情報の保持機能があればよく、必ら
ずしも記憶情報の読出し、刊込みを行う機能を持たない
構造をとることができる。
く、基本的には記憶情報の保持機能があればよく、必ら
ずしも記憶情報の読出し、刊込みを行う機能を持たない
構造をとることができる。
しかし、バブルメモリモジュールにおいては、記憶情報
の読出し゛、書込みを行う機構、即ち回転磁界をチップ
に供給する駆動部を別に設ける構造が難しく実用化に至
っていない。
の読出し゛、書込みを行う機構、即ち回転磁界をチップ
に供給する駆動部を別に設ける構造が難しく実用化に至
っていない。
本発明の目的は駆動部を有しない磁気バブルメモリモジ
ュールを提供することにある。
ュールを提供することにある。
本発明の他の目的は、このようなモジュールを組込んで
動作させる磁気バブルメモリモジュール装置を提供する
ことにある 〔発明の概要〕 本発明は、バブルチップ内のバブルを保持するためのバ
イアス磁界を発生する手段を備え、バブルの転送を行う
回転磁界を発生する駆動部を有しない構造としたことを
特徴とする。 ゛また本発明による磁気バブルメモリモ
ジュール装置はバブルの転送を行う回転磁界を発生する
駆動部を備えており、これに上記の磁気バブルメモリモ
ジュールを組込むことのできる構成とし、読出し、書込
みを可能とするものである。
動作させる磁気バブルメモリモジュール装置を提供する
ことにある 〔発明の概要〕 本発明は、バブルチップ内のバブルを保持するためのバ
イアス磁界を発生する手段を備え、バブルの転送を行う
回転磁界を発生する駆動部を有しない構造としたことを
特徴とする。 ゛また本発明による磁気バブルメモリモ
ジュール装置はバブルの転送を行う回転磁界を発生する
駆動部を備えており、これに上記の磁気バブルメモリモ
ジュールを組込むことのできる構成とし、読出し、書込
みを可能とするものである。
以下本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第3図は本発明の一実施例である磁気バブルメモリモジ
ュールの斜視図を示し、第4図は第3図におけるバイア
ス磁気回路をぬき出して一部切断した斜視図を示し、第
5図は第3図のA−A線断面図を、第6図は第3図のB
−B線断面図を示す。
ュールの斜視図を示し、第4図は第3図におけるバイア
ス磁気回路をぬき出して一部切断した斜視図を示し、第
5図は第3図のA−A線断面図を、第6図は第3図のB
−B線断面図を示す。
第4図において、バブルチップ11の上下に整磁板16
および磁石板17が配置され、さらにその上下に板18
aおよび支柱18bからなる磁気シールドケース18が
配置される。磁気シールドケース18は破線23で示す
磁束Φの閉磁路を構成し、バイアス磁気回路を与えてい
る。磁気シールドケース18は第4図から明らかように
、上下の板18aは四隅が支柱18bで連結されており
、四方の側面はこのシールド手段によっては包囲されて
いない。
および磁石板17が配置され、さらにその上下に板18
aおよび支柱18bからなる磁気シールドケース18が
配置される。磁気シールドケース18は破線23で示す
磁束Φの閉磁路を構成し、バイアス磁気回路を与えてい
る。磁気シールドケース18は第4図から明らかように
、上下の板18aは四隅が支柱18bで連結されており
、四方の側面はこのシールド手段によっては包囲されて
いない。
第5図を参照するに、バブルチップ11は配線基板12
に搭載されており、基板12の端には外一部接続端子1
9が設けられる。導体シールドケース14は、モジュー
ル外部から与えられる回転磁界Hx、Hyがバイアス磁
気回路により影響を受けないようにするため、磁気シー
ルドケース18を上下面を除いて包、囲している。導体
シールドケース14は中央部が配線基板12と平行にな
るように上下に設けられ1辺部は磁気シールドケース1
8の上下の板の辺部を包むように折り曲げられてい、擾
。また導体シールドケース14をバブルチップ11の面
に平行にすることにより、回転磁界の一様性を向上させ
る。第6図はバブルチップ11の存在しない端部の断面
であり、支柱18b部分も含めて磁気シールドケース1
8が導体シールドケース14により包まれている。基板
12と導体シールドケース14との端部の空間はモール
ド部20により固定される。これから明らかなように、
バイアス磁界発生手段としての磁石板17は磁気シール
ドケース18、導体シールドケース14により包囲され
る。しかし、バブルチップ11の側面はシールドで包囲
されておらず、側面から与えられる回転磁界Hx、Hy
が通過ができるように構成されている。
に搭載されており、基板12の端には外一部接続端子1
9が設けられる。導体シールドケース14は、モジュー
ル外部から与えられる回転磁界Hx、Hyがバイアス磁
気回路により影響を受けないようにするため、磁気シー
ルドケース18を上下面を除いて包、囲している。導体
シールドケース14は中央部が配線基板12と平行にな
るように上下に設けられ1辺部は磁気シールドケース1
8の上下の板の辺部を包むように折り曲げられてい、擾
。また導体シールドケース14をバブルチップ11の面
に平行にすることにより、回転磁界の一様性を向上させ
る。第6図はバブルチップ11の存在しない端部の断面
であり、支柱18b部分も含めて磁気シールドケース1
8が導体シールドケース14により包まれている。基板
12と導体シールドケース14との端部の空間はモール
ド部20により固定される。これから明らかなように、
バイアス磁界発生手段としての磁石板17は磁気シール
ドケース18、導体シールドケース14により包囲され
る。しかし、バブルチップ11の側面はシールドで包囲
されておらず、側面から与えられる回転磁界Hx、Hy
が通過ができるように構成されている。
このようなモジュールを構成することにより、記憶媒体
としての磁気バブルメモリモジュールは駆動部を有しな
い構成を取ることができる。
としての磁気バブルメモリモジュールは駆動部を有しな
い構成を取ることができる。
なお第5図において、導体シールドケース14によって
、磁気シールドケース18の上面も包囲することができ
るが、この場合にはモジュール高さが増大する問題はあ
る。
、磁気シールドケース18の上面も包囲することができ
るが、この場合にはモジュール高さが増大する問題はあ
る。
第7図は第3図に示した磁気バブルメモリモジュールを
駆動部に組込んだ状態を示す。駆動部は直方体コア31
にX、Y方向各々一対のコイル32を巻線して回転磁界
を発生させる。導体シールドケース33および34がコ
ア31およびコイル32を包囲するように形成される。
駆動部に組込んだ状態を示す。駆動部は直方体コア31
にX、Y方向各々一対のコイル32を巻線して回転磁界
を発生させる。導体シールドケース33および34がコ
ア31およびコイル32を包囲するように形成される。
駆動部は中央部分に磁気バブルメモリモジュールを受け
入れ、駆動部の導体シールドケース33,34の中央部
の辺がモジュールの導体シールドケース14の辺と連結
(接続)され、これによって、バブルチップ11と回転
磁界発生手段(コア31.コイル32)とが両者のシー
ルドケースで形成される一つの空間内に配置される。破
線35て示す回転磁界はバブルチップllを駆動するよ
うに与えられ、この回転磁界は導体シールドケース14
,3:3,3/1によりシールドされるために、バイア
ス磁気回路の影響を受けない。モジュールはその外部端
子19(第3図)がコネクタ41.42と接続され。
入れ、駆動部の導体シールドケース33,34の中央部
の辺がモジュールの導体シールドケース14の辺と連結
(接続)され、これによって、バブルチップ11と回転
磁界発生手段(コア31.コイル32)とが両者のシー
ルドケースで形成される一つの空間内に配置される。破
線35て示す回転磁界はバブルチップllを駆動するよ
うに与えられ、この回転磁界は導体シールドケース14
,3:3,3/1によりシールドされるために、バイア
ス磁気回路の影響を受けない。モジュールはその外部端
子19(第3図)がコネクタ41.42と接続され。
フレキシブル配線基板43.4’4により外部へ引き出
される。
される。
第8図および第9図はモジュー ルを駆動部に着脱する
構成を示す。導体シールドケース34は着脱可能であり
、第8図はモジュールが組込まれ、ケース34を閉じた
状態を、第9図はケース34を開き、モジュールを取出
す状態を示す。
構成を示す。導体シールドケース34は着脱可能であり
、第8図はモジュールが組込まれ、ケース34を閉じた
状態を、第9図はケース34を開き、モジュールを取出
す状態を示す。
支持台45はその上面がモジュールに当接され、上下す
ることによりモジュールをJ1脱することができる。支
持台45には軸47a、47’bを中心に回転可能に腕
46a、46bが数句けられる。
ることによりモジュールをJ1脱することができる。支
持台45には軸47a、47’bを中心に回転可能に腕
46a、46bが数句けられる。
コネクタ41.42は固定された軸48a、48bを中
心に回転可能であり、下端は軸49a。
心に回転可能であり、下端は軸49a。
49bにより腕46a、46bと回転可能に接続さJし
ている。50a、50bはコネクタ41゜42を腕46
a、46bに機械的に接続するためにシールドケース3
3に設けられた穴である。
ている。50a、50bはコネクタ41゜42を腕46
a、46bに機械的に接続するためにシールドケース3
3に設けられた穴である。
導体シールドケース34を開き、支持台45を上方へ移
動させると、コネクタ41.42は矢印51a、51b
のごとく回動し、モジュールとの接続を解き、同時にモ
ジュールが上方へ押し出される。モジュールを駆動部に
組込むときは上記と逆の手順により行われる。
動させると、コネクタ41.42は矢印51a、51b
のごとく回動し、モジュールとの接続を解き、同時にモ
ジュールが上方へ押し出される。モジュールを駆動部に
組込むときは上記と逆の手順により行われる。
(発明の効果〕
本発明によれば、駆動部を有しない磁気バブルメモリモ
ジュールが得られ、モジュールの小型化等をはかること
ができる。また、このようなモジュールを駆動部に組込
むことにより、読出し書込み可能な磁気バブルメモリモ
ジュール装置が得られる。
ジュールが得られ、モジュールの小型化等をはかること
ができる。また、このようなモジュールを駆動部に組込
むことにより、読出し書込み可能な磁気バブルメモリモ
ジュール装置が得られる。
第1図は従来例を示す一部切断した斜視図、第2図は第
1図のA−A線断面図、第3図は本発明の磁気バブルメ
モリモジュールの−・実施例を示す斜視図、第4図は第
3図におけるバイアス磁気回路をぬき出し、一部切断し
た斜視図、第5図は第3図のA−A線断面図、第6図は
第3し1の13−B線断面図、第7図は本発明の磁気バ
ブルメモリモジュール装置の一実施例を示す一部切断し
た斜視図、第8図および第9図は動作を説明するための
断面図である。 11・・・バブルチップ、14・・・導体シールドケー
ス、16・・・整磁板、17・・・磁石板、18・・・
磁気シールドケース、31 ・直方体コア、32・・・
コイル、33.34 導体シールドケース。 諏1図 第2図 第3図 第4図 目χ 第5図 力 丈22 第7図
1図のA−A線断面図、第3図は本発明の磁気バブルメ
モリモジュールの−・実施例を示す斜視図、第4図は第
3図におけるバイアス磁気回路をぬき出し、一部切断し
た斜視図、第5図は第3図のA−A線断面図、第6図は
第3し1の13−B線断面図、第7図は本発明の磁気バ
ブルメモリモジュール装置の一実施例を示す一部切断し
た斜視図、第8図および第9図は動作を説明するための
断面図である。 11・・・バブルチップ、14・・・導体シールドケー
ス、16・・・整磁板、17・・・磁石板、18・・・
磁気シールドケース、31 ・直方体コア、32・・・
コイル、33.34 導体シールドケース。 諏1図 第2図 第3図 第4図 目χ 第5図 力 丈22 第7図
Claims (2)
- (1)バブルチップと、該バブルチップ内のバブルを保
持するためのバイアス磁界を発生する手段と、該発生手
段を包囲するシールド手段を備え、上記バブルチップを
上記シールド手段の包囲外に配置することを特徴とする
磁気バブルメモリモジュール。 - (2)バブルチップと該バブルチップ内のバブルを保持
するためのバイアス磁界を発生する手段と該発生手段を
包囲するシールド手段を備え、上記バブルチップを上記
シールド手段の包囲外に配置した磁気バブルメモリモジ
ュールと、上記バブルチップ内のバブルの転送を行う回
転磁界を発生する手段と、該回転磁界発生手段を包囲す
るシールド手段を備える駆動部とからなり、上記磁気バ
ブルメモリモジュールのシールド手段と上記駆動部のシ
ールド手段を連結するように上記磁気バブルメモリモジ
ュールを上記駆動部に組込み、上記バブルチップと上記
回転磁界発生手段とが上記磁気バブルメモリモジュール
と駆動部とのシールド手段で形成される一つの空間内に
配置されることを特徴とする磁気バブルメモリモジュー
ル装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58152691A JPS6045995A (ja) | 1983-08-22 | 1983-08-22 | 磁気バブルメモリモジユ−ルおよびその装置 |
US06/638,578 US4592014A (en) | 1983-08-22 | 1984-08-07 | Magnetic bubble memory device |
EP84109472A EP0136484A3 (en) | 1983-08-22 | 1984-08-09 | Magnetic bubble memory device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58152691A JPS6045995A (ja) | 1983-08-22 | 1983-08-22 | 磁気バブルメモリモジユ−ルおよびその装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6045995A true JPS6045995A (ja) | 1985-03-12 |
JPH0544756B2 JPH0544756B2 (ja) | 1993-07-07 |
Family
ID=15546022
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58152691A Granted JPS6045995A (ja) | 1983-08-22 | 1983-08-22 | 磁気バブルメモリモジユ−ルおよびその装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4592014A (ja) |
EP (1) | EP0136484A3 (ja) |
JP (1) | JPS6045995A (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60234290A (ja) * | 1984-05-07 | 1985-11-20 | Fujitsu Ltd | 磁気バブルメモリモジユ−ル |
JPH0720781Y2 (ja) * | 1988-07-06 | 1995-05-15 | ティーディーケイ株式会社 | カセット型記録体 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5443427A (en) * | 1977-09-12 | 1979-04-06 | Fujitsu Ltd | Magnetic bubble device |
JPS5587280A (en) * | 1978-12-21 | 1980-07-01 | Cii | Data processor |
JPS607686A (ja) * | 1983-06-27 | 1985-01-16 | Fujitsu Ltd | 磁気バブルメモリ装置 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4165535A (en) * | 1977-09-30 | 1979-08-21 | International Business Machines Corporation | Bubble memory drive system using a picture frame core and a reflection box |
GB2011744A (en) * | 1977-12-29 | 1979-07-11 | Plessey Co Ltd | Improvements in or relating to magnetic domain devices |
JPS5522874A (en) * | 1978-08-08 | 1980-02-18 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor integrated circuit device with lateral transistor |
FR2458130A1 (fr) * | 1979-06-01 | 1980-12-26 | Commissariat Energie Atomique | Machine de test de memoires a bulles |
JPS578981A (en) * | 1980-06-20 | 1982-01-18 | Fujitsu Ltd | Magnetic bubble memory device |
JPS5894198U (ja) * | 1981-12-18 | 1983-06-25 | 富士通株式会社 | カセット状磁気バブルメモリ装置 |
-
1983
- 1983-08-22 JP JP58152691A patent/JPS6045995A/ja active Granted
-
1984
- 1984-08-07 US US06/638,578 patent/US4592014A/en not_active Expired - Fee Related
- 1984-08-09 EP EP84109472A patent/EP0136484A3/en not_active Withdrawn
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5443427A (en) * | 1977-09-12 | 1979-04-06 | Fujitsu Ltd | Magnetic bubble device |
JPS5587280A (en) * | 1978-12-21 | 1980-07-01 | Cii | Data processor |
JPS607686A (ja) * | 1983-06-27 | 1985-01-16 | Fujitsu Ltd | 磁気バブルメモリ装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0136484A2 (en) | 1985-04-10 |
EP0136484A3 (en) | 1986-09-17 |
JPH0544756B2 (ja) | 1993-07-07 |
US4592014A (en) | 1986-05-27 |
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