JPS6045995A - 磁気バブルメモリモジユ−ルおよびその装置 - Google Patents
磁気バブルメモリモジユ−ルおよびその装置Info
- Publication number
- JPS6045995A JPS6045995A JP58152691A JP15269183A JPS6045995A JP S6045995 A JPS6045995 A JP S6045995A JP 58152691 A JP58152691 A JP 58152691A JP 15269183 A JP15269183 A JP 15269183A JP S6045995 A JPS6045995 A JP S6045995A
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- JP
- Japan
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- magnetic
- bubble
- memory module
- chip
- magnetic field
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
- G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
- G11C19/085—Generating magnetic fields therefor, e.g. uniform magnetic field for magnetic domain stabilisation
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は磁気バブルメモリモジュールおよびその装置に
関する。さらに詳細には、回転磁界を発生する駆動部を
有しない磁気バブルメモリモジュールに関し、さらには
そのような磁気バブルメモリモジュールを駆動部に組込
んで構成する磁気バブルメモリモジュール装置に関する
。
関する。さらに詳細には、回転磁界を発生する駆動部を
有しない磁気バブルメモリモジュールに関し、さらには
そのような磁気バブルメモリモジュールを駆動部に組込
んで構成する磁気バブルメモリモジュール装置に関する
。
従来考えられてきている磁気バブルメモリモジュールは
、バブルチップ内のバブルを転送するだめの回転磁界を
与える駆動部と、バブルを保持するためのバイアス磁界
を与える手段を一体として構成するものとしてされてき
た。このために、モジュールの小型化、薄形化、軽重化
、簡素化、信頼化等の達成が困難視されてきた。
、バブルチップ内のバブルを転送するだめの回転磁界を
与える駆動部と、バブルを保持するためのバイアス磁界
を与える手段を一体として構成するものとしてされてき
た。このために、モジュールの小型化、薄形化、軽重化
、簡素化、信頼化等の達成が困難視されてきた。
第１図は従来の磁気バブルメモリモジュールを一部切断
した斜視図を示し、第２図は第１図のＡ−Ａ線断面図を
示す。磁気バブルメモリチップ１は外部接続端子２ａを
有する配線基板２に搭載される。直方体コア３がチップ
１を囲むように設けられ、Ｘ、Ｙ方向各々一対のコイル
４が巻回され。
した斜視図を示し、第２図は第１図のＡ−Ａ線断面図を
示す。磁気バブルメモリチップ１は外部接続端子２ａを
有する配線基板２に搭載される。直方体コア３がチップ
１を囲むように設けられ、Ｘ、Ｙ方向各々一対のコイル
４が巻回され。
回線磁界を発生するよう構成される。チップｌとこの駆
動部は端子２ａの部分を残して導体シールドケース５で
包囲される。導体シールドケース５外のバブルチップ１
の上下に整磁板６、磁石板７を配置し、全体を磁気シー
ルドケース８で包囲してバイアス磁気回路を構成し、バ
ブルチップ内のバブルを保持する。
動部は端子２ａの部分を残して導体シールドケース５で
包囲される。導体シールドケース５外のバブルチップ１
の上下に整磁板６、磁石板７を配置し、全体を磁気シー
ルドケース８で包囲してバイアス磁気回路を構成し、バ
ブルチップ内のバブルを保持する。
このように磁気バブルメモリモジュールは、チップ内の
バブルを保持するためのバイアス磁界を発生させるバイ
アス磁気回路構造と、チップ内のバブルを転−送するた
めの回路磁界を発生させる駆動部を一体として備えてい
る。
バブルを保持するためのバイアス磁界を発生させるバイ
アス磁気回路構造と、チップ内のバブルを転−送するた
めの回路磁界を発生させる駆動部を一体として備えてい
る。
記憶媒体自身は、フロッピーディスク等にみられるごと
く、基本的には記憶情報の保持機能があればよく、必ら
ずしも記憶情報の読出し、刊込みを行う機能を持たない
構造をとることができる。
く、基本的には記憶情報の保持機能があればよく、必ら
ずしも記憶情報の読出し、刊込みを行う機能を持たない
構造をとることができる。
しかし、バブルメモリモジュールにおいては、記憶情報
の読出し゛、書込みを行う機構、即ち回転磁界をチップ
に供給する駆動部を別に設ける構造が難しく実用化に至
っていない。
の読出し゛、書込みを行う機構、即ち回転磁界をチップ
に供給する駆動部を別に設ける構造が難しく実用化に至
っていない。
本発明の目的は駆動部を有しない磁気バブルメモリモジ
ュールを提供することにある。
ュールを提供することにある。
本発明の他の目的は、このようなモジュールを組込んで
動作させる磁気バブルメモリモジュール装置を提供する
ことにある 〔発明の概要〕 本発明は、バブルチップ内のバブルを保持するためのバ
イアス磁界を発生する手段を備え、バブルの転送を行う
回転磁界を発生する駆動部を有しない構造としたことを
特徴とする。 ゛また本発明による磁気バブルメモリモ
ジュール装置はバブルの転送を行う回転磁界を発生する
駆動部を備えており、これに上記の磁気バブルメモリモ
ジュールを組込むことのできる構成とし、読出し、書込
みを可能とするものである。
動作させる磁気バブルメモリモジュール装置を提供する
ことにある 〔発明の概要〕 本発明は、バブルチップ内のバブルを保持するためのバ
イアス磁界を発生する手段を備え、バブルの転送を行う
回転磁界を発生する駆動部を有しない構造としたことを
特徴とする。 ゛また本発明による磁気バブルメモリモ
ジュール装置はバブルの転送を行う回転磁界を発生する
駆動部を備えており、これに上記の磁気バブルメモリモ
ジュールを組込むことのできる構成とし、読出し、書込
みを可能とするものである。
以下本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第３図は本発明の一実施例である磁気バブルメモリモジ
ュールの斜視図を示し、第４図は第３図におけるバイア
ス磁気回路をぬき出して一部切断した斜視図を示し、第
５図は第３図のＡ−Ａ線断面図を、第６図は第３図のＢ
−Ｂ線断面図を示す。
ュールの斜視図を示し、第４図は第３図におけるバイア
ス磁気回路をぬき出して一部切断した斜視図を示し、第
５図は第３図のＡ−Ａ線断面図を、第６図は第３図のＢ
−Ｂ線断面図を示す。
第４図において、バブルチップ１１の上下に整磁板１６
および磁石板１７が配置され、さらにその上下に板１８
ａおよび支柱１８ｂからなる磁気シールドケース１８が
配置される。磁気シールドケース１８は破線２３で示す
磁束Φの閉磁路を構成し、バイアス磁気回路を与えてい
る。磁気シールドケース１８は第４図から明らかように
、上下の板１８ａは四隅が支柱１８ｂで連結されており
、四方の側面はこのシールド手段によっては包囲されて
いない。
および磁石板１７が配置され、さらにその上下に板１８
ａおよび支柱１８ｂからなる磁気シールドケース１８が
配置される。磁気シールドケース１８は破線２３で示す
磁束Φの閉磁路を構成し、バイアス磁気回路を与えてい
る。磁気シールドケース１８は第４図から明らかように
、上下の板１８ａは四隅が支柱１８ｂで連結されており
、四方の側面はこのシールド手段によっては包囲されて
いない。
第５図を参照するに、バブルチップ１１は配線基板１２
に搭載されており、基板１２の端には外一部接続端子１
９が設けられる。導体シールドケース１４は、モジュー
ル外部から与えられる回転磁界Ｈｘ、Ｈｙがバイアス磁
気回路により影響を受けないようにするため、磁気シー
ルドケース１８を上下面を除いて包、囲している。導体
シールドケース１４は中央部が配線基板１２と平行にな
るように上下に設けられ１辺部は磁気シールドケース１
８の上下の板の辺部を包むように折り曲げられてい、擾
。また導体シールドケース１４をバブルチップ１１の面
に平行にすることにより、回転磁界の一様性を向上させ
る。第６図はバブルチップ１１の存在しない端部の断面
であり、支柱１８ｂ部分も含めて磁気シールドケース１
８が導体シールドケース１４により包まれている。基板
１２と導体シールドケース１４との端部の空間はモール
ド部２０により固定される。これから明らかなように、
バイアス磁界発生手段としての磁石板１７は磁気シール
ドケース１８、導体シールドケース１４により包囲され
る。しかし、バブルチップ１１の側面はシールドで包囲
されておらず、側面から与えられる回転磁界Ｈｘ、Ｈｙ
が通過ができるように構成されている。
に搭載されており、基板１２の端には外一部接続端子１
９が設けられる。導体シールドケース１４は、モジュー
ル外部から与えられる回転磁界Ｈｘ、Ｈｙがバイアス磁
気回路により影響を受けないようにするため、磁気シー
ルドケース１８を上下面を除いて包、囲している。導体
シールドケース１４は中央部が配線基板１２と平行にな
るように上下に設けられ１辺部は磁気シールドケース１
８の上下の板の辺部を包むように折り曲げられてい、擾
。また導体シールドケース１４をバブルチップ１１の面
に平行にすることにより、回転磁界の一様性を向上させ
る。第６図はバブルチップ１１の存在しない端部の断面
であり、支柱１８ｂ部分も含めて磁気シールドケース１
８が導体シールドケース１４により包まれている。基板
１２と導体シールドケース１４との端部の空間はモール
ド部２０により固定される。これから明らかなように、
バイアス磁界発生手段としての磁石板１７は磁気シール
ドケース１８、導体シールドケース１４により包囲され
る。しかし、バブルチップ１１の側面はシールドで包囲
されておらず、側面から与えられる回転磁界Ｈｘ、Ｈｙ
が通過ができるように構成されている。
このようなモジュールを構成することにより、記憶媒体
としての磁気バブルメモリモジュールは駆動部を有しな
い構成を取ることができる。
としての磁気バブルメモリモジュールは駆動部を有しな
い構成を取ることができる。
なお第５図において、導体シールドケース１４によって
、磁気シールドケース１８の上面も包囲することができ
るが、この場合にはモジュール高さが増大する問題はあ
る。
、磁気シールドケース１８の上面も包囲することができ
るが、この場合にはモジュール高さが増大する問題はあ
る。
第７図は第３図に示した磁気バブルメモリモジュールを
駆動部に組込んだ状態を示す。駆動部は直方体コア３１
にＸ、Ｙ方向各々一対のコイル３２を巻線して回転磁界
を発生させる。導体シールドケース３３および３４がコ
ア３１およびコイル３２を包囲するように形成される。
駆動部に組込んだ状態を示す。駆動部は直方体コア３１
にＸ、Ｙ方向各々一対のコイル３２を巻線して回転磁界
を発生させる。導体シールドケース３３および３４がコ
ア３１およびコイル３２を包囲するように形成される。
駆動部は中央部分に磁気バブルメモリモジュールを受け
入れ、駆動部の導体シールドケース３３，３４の中央部
の辺がモジュールの導体シールドケース１４の辺と連結
（接続）され、これによって、バブルチップ１１と回転
磁界発生手段（コア３１．コイル３２）とが両者のシー
ルドケースで形成される一つの空間内に配置される。破
線３５て示す回転磁界はバブルチップｌｌを駆動するよ
うに与えられ、この回転磁界は導体シールドケース１４
，３：３，３／１によりシールドされるために、バイア
ス磁気回路の影響を受けない。モジュールはその外部端
子１９（第３図）がコネクタ４１．４２と接続され。
入れ、駆動部の導体シールドケース３３，３４の中央部
の辺がモジュールの導体シールドケース１４の辺と連結
（接続）され、これによって、バブルチップ１１と回転
磁界発生手段（コア３１．コイル３２）とが両者のシー
ルドケースで形成される一つの空間内に配置される。破
線３５て示す回転磁界はバブルチップｌｌを駆動するよ
うに与えられ、この回転磁界は導体シールドケース１４
，３：３，３／１によりシールドされるために、バイア
ス磁気回路の影響を受けない。モジュールはその外部端
子１９（第３図）がコネクタ４１．４２と接続され。
フレキシブル配線基板４３．４’４により外部へ引き出
される。
される。
第８図および第９図はモジュー ルを駆動部に着脱する
構成を示す。導体シールドケース３４は着脱可能であり
、第８図はモジュールが組込まれ、ケース３４を閉じた
状態を、第９図はケース３４を開き、モジュールを取出
す状態を示す。
構成を示す。導体シールドケース３４は着脱可能であり
、第８図はモジュールが組込まれ、ケース３４を閉じた
状態を、第９図はケース３４を開き、モジュールを取出
す状態を示す。
支持台４５はその上面がモジュールに当接され、上下す
ることによりモジュールをＪ１脱することができる。支
持台４５には軸４７ａ、４７’ｂを中心に回転可能に腕
４６ａ、４６ｂが数句けられる。
ることによりモジュールをＪ１脱することができる。支
持台４５には軸４７ａ、４７’ｂを中心に回転可能に腕
４６ａ、４６ｂが数句けられる。
コネクタ４１．４２は固定された軸４８ａ、４８ｂを中
心に回転可能であり、下端は軸４９ａ。
心に回転可能であり、下端は軸４９ａ。
４９ｂにより腕４６ａ、４６ｂと回転可能に接続さＪし
ている。５０ａ、５０ｂはコネクタ４１゜４２を腕４６
ａ、４６ｂに機械的に接続するためにシールドケース３
３に設けられた穴である。
ている。５０ａ、５０ｂはコネクタ４１゜４２を腕４６
ａ、４６ｂに機械的に接続するためにシールドケース３
３に設けられた穴である。
導体シールドケース３４を開き、支持台４５を上方へ移
動させると、コネクタ４１．４２は矢印５１ａ、５１ｂ
のごとく回動し、モジュールとの接続を解き、同時にモ
ジュールが上方へ押し出される。モジュールを駆動部に
組込むときは上記と逆の手順により行われる。
動させると、コネクタ４１．４２は矢印５１ａ、５１ｂ
のごとく回動し、モジュールとの接続を解き、同時にモ
ジュールが上方へ押し出される。モジュールを駆動部に
組込むときは上記と逆の手順により行われる。
（発明の効果〕
本発明によれば、駆動部を有しない磁気バブルメモリモ
ジュールが得られ、モジュールの小型化等をはかること
ができる。また、このようなモジュールを駆動部に組込
むことにより、読出し書込み可能な磁気バブルメモリモ
ジュール装置が得られる。
ジュールが得られ、モジュールの小型化等をはかること
ができる。また、このようなモジュールを駆動部に組込
むことにより、読出し書込み可能な磁気バブルメモリモ
ジュール装置が得られる。
第１図は従来例を示す一部切断した斜視図、第２図は第
１図のＡ−Ａ線断面図、第３図は本発明の磁気バブルメ
モリモジュールの−・実施例を示す斜視図、第４図は第
３図におけるバイアス磁気回路をぬき出し、一部切断し
た斜視図、第５図は第３図のＡ−Ａ線断面図、第６図は
第３し１の１３−Ｂ線断面図、第７図は本発明の磁気バ
ブルメモリモジュール装置の一実施例を示す一部切断し
た斜視図、第８図および第９図は動作を説明するための
断面図である。 １１・・・バブルチップ、１４・・・導体シールドケー
ス、１６・・・整磁板、１７・・・磁石板、１８・・・
磁気シールドケース、３１ ・直方体コア、３２・・・
コイル、３３．３４ 導体シールドケース。 諏１図 第２図 第３図 第４図 目χ 第５図 力 丈２２ 第７図
１図のＡ−Ａ線断面図、第３図は本発明の磁気バブルメ
モリモジュールの−・実施例を示す斜視図、第４図は第
３図におけるバイアス磁気回路をぬき出し、一部切断し
た斜視図、第５図は第３図のＡ−Ａ線断面図、第６図は
第３し１の１３−Ｂ線断面図、第７図は本発明の磁気バ
ブルメモリモジュール装置の一実施例を示す一部切断し
た斜視図、第８図および第９図は動作を説明するための
断面図である。 １１・・・バブルチップ、１４・・・導体シールドケー
ス、１６・・・整磁板、１７・・・磁石板、１８・・・
磁気シールドケース、３１ ・直方体コア、３２・・・
コイル、３３．３４ 導体シールドケース。 諏１図 第２図 第３図 第４図 目χ 第５図 力 丈２２ 第７図
Claims (2)
- （１）バブルチップと、該バブルチップ内のバブルを保
持するためのバイアス磁界を発生する手段と、該発生手
段を包囲するシールド手段を備え、上記バブルチップを
上記シールド手段の包囲外に配置することを特徴とする
磁気バブルメモリモジュール。 - （２）バブルチップと該バブルチップ内のバブルを保持
するためのバイアス磁界を発生する手段と該発生手段を
包囲するシールド手段を備え、上記バブルチップを上記
シールド手段の包囲外に配置した磁気バブルメモリモジ
ュールと、上記バブルチップ内のバブルの転送を行う回
転磁界を発生する手段と、該回転磁界発生手段を包囲す
るシールド手段を備える駆動部とからなり、上記磁気バ
ブルメモリモジュールのシールド手段と上記駆動部のシ
ールド手段を連結するように上記磁気バブルメモリモジ
ュールを上記駆動部に組込み、上記バブルチップと上記
回転磁界発生手段とが上記磁気バブルメモリモジュール
と駆動部とのシールド手段で形成される一つの空間内に
配置されることを特徴とする磁気バブルメモリモジュー
ル装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58152691A JPS6045995A (ja) | 1983-08-22 | 1983-08-22 | 磁気バブルメモリモジユ−ルおよびその装置 |
| US06/638,578 US4592014A (en) | 1983-08-22 | 1984-08-07 | Magnetic bubble memory device |
| EP84109472A EP0136484A3 (en) | 1983-08-22 | 1984-08-09 | Magnetic bubble memory device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58152691A JPS6045995A (ja) | 1983-08-22 | 1983-08-22 | 磁気バブルメモリモジユ−ルおよびその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6045995A true JPS6045995A (ja) | 1985-03-12 |
| JPH0544756B2 JPH0544756B2 (ja) | 1993-07-07 |
Family
ID=15546022
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58152691A Granted JPS6045995A (ja) | 1983-08-22 | 1983-08-22 | 磁気バブルメモリモジユ−ルおよびその装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4592014A (ja) |
| EP (1) | EP0136484A3 (ja) |
| JP (1) | JPS6045995A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60234290A (ja) * | 1984-05-07 | 1985-11-20 | Fujitsu Ltd | 磁気バブルメモリモジユ−ル |
| JPH0720781Y2 (ja) * | 1988-07-06 | 1995-05-15 | ティーディーケイ株式会社 | カセット型記録体 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5443427A (en) * | 1977-09-12 | 1979-04-06 | Fujitsu Ltd | Magnetic bubble device |
| JPS5587280A (en) * | 1978-12-21 | 1980-07-01 | Cii | Data processor |
| JPS607686A (ja) * | 1983-06-27 | 1985-01-16 | Fujitsu Ltd | 磁気バブルメモリ装置 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4165535A (en) * | 1977-09-30 | 1979-08-21 | International Business Machines Corporation | Bubble memory drive system using a picture frame core and a reflection box |
| GB2011744A (en) * | 1977-12-29 | 1979-07-11 | Plessey Co Ltd | Improvements in or relating to magnetic domain devices |
| JPS5522874A (en) * | 1978-08-08 | 1980-02-18 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor integrated circuit device with lateral transistor |
| FR2458130A1 (fr) * | 1979-06-01 | 1980-12-26 | Commissariat Energie Atomique | Machine de test de memoires a bulles |
| JPS578981A (en) * | 1980-06-20 | 1982-01-18 | Fujitsu Ltd | Magnetic bubble memory device |
| JPS5894198U (ja) * | 1981-12-18 | 1983-06-25 | 富士通株式会社 | カセット状磁気バブルメモリ装置 |
-
1983
- 1983-08-22 JP JP58152691A patent/JPS6045995A/ja active Granted
-
1984
- 1984-08-07 US US06/638,578 patent/US4592014A/en not_active Expired - Fee Related
- 1984-08-09 EP EP84109472A patent/EP0136484A3/en not_active Withdrawn
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5443427A (en) * | 1977-09-12 | 1979-04-06 | Fujitsu Ltd | Magnetic bubble device |
| JPS5587280A (en) * | 1978-12-21 | 1980-07-01 | Cii | Data processor |
| JPS607686A (ja) * | 1983-06-27 | 1985-01-16 | Fujitsu Ltd | 磁気バブルメモリ装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0136484A2 (en) | 1985-04-10 |
| EP0136484A3 (en) | 1986-09-17 |
| JPH0544756B2 (ja) | 1993-07-07 |
| US4592014A (en) | 1986-05-27 |
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