JPS60234290A - 磁気バブルメモリモジユ−ル - Google Patents
磁気バブルメモリモジユ−ルInfo
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- JPS60234290A JPS60234290A JP59091457A JP9145784A JPS60234290A JP S60234290 A JPS60234290 A JP S60234290A JP 59091457 A JP59091457 A JP 59091457A JP 9145784 A JP9145784 A JP 9145784A JP S60234290 A JPS60234290 A JP S60234290A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はＩＣメモリと同様の感覚で取り扱いができる磁
気バブルメモリモジュールに関するものである。
気バブルメモリモジュールに関するものである。
バブルメモリデバイスは記憶情報が不揮発で書替えが容
易であること９機械的可動部分がなく固体素子なので信
頼性が高いこと、小型・高密度でプリント板実装ができ
ることなど優れた特徴を持ち、ＩＣメモリやフロッピデ
ィスクと並んでその使用分野が急速に広がりつつある。
易であること９機械的可動部分がなく固体素子なので信
頼性が高いこと、小型・高密度でプリント板実装ができ
ることなど優れた特徴を持ち、ＩＣメモリやフロッピデ
ィスクと並んでその使用分野が急速に広がりつつある。
特に、ＮＣ装置、ロボット、生産管理端末、Ｉ）Ｏ３端
末、ＯＡ艮器４各種端末などのファイルメモリやプログ
ラムローダとして、需要が急増している。
末、ＯＡ艮器４各種端末などのファイルメモリやプログ
ラムローダとして、需要が急増している。
バブルメモリデバイスはシールド′ケース内に。
バブルメモリチップ、ハイアスマグネソト、バブル駆動
用の回転磁界を発生するＸ−Ｙ駆動コイル等を収容した
構造であることば周知の通りである。
用の回転磁界を発生するＸ−Ｙ駆動コイル等を収容した
構造であることば周知の通りである。
またバブルメモリデバイスを制御するには、駆動コイル
やメモリチップ内の各種ファンクションゲ−１〜に所定
値の電流すなわちアナログ信号を供給して行うことも周
知の通りである。
やメモリチップ内の各種ファンクションゲ−１〜に所定
値の電流すなわちアナログ信号を供給して行うことも周
知の通りである。
このようなハ゛プルメモリデバイスを用いてメモリシス
テムを構成する場合、該デバイスをアナログ信号により
直接動作・制御する直接周辺回路と、ホストよりの情報
の書込め／読出し命令に従って直接周辺回路をディジタ
ル信号により制御する間接周辺回路が必要となる。
テムを構成する場合、該デバイスをアナログ信号により
直接動作・制御する直接周辺回路と、ホストよりの情報
の書込め／読出し命令に従って直接周辺回路をディジタ
ル信号により制御する間接周辺回路が必要となる。
この直接周辺回路は、コイルドライバ回路、ファンクシ
ョンドライバ回路、センスアンプ回路で構成されるが、
これらは間接周辺回路と異なり」−述の如くアナログ信
号を扱う回路であるため、これら回路を作るには高度の
専門的知識とノウハウが必要である。
ョンドライバ回路、センスアンプ回路で構成されるが、
これらは間接周辺回路と異なり」−述の如くアナログ信
号を扱う回路であるため、これら回路を作るには高度の
専門的知識とノウハウが必要である。
この為バブル製造メーカはバブルメモリデバイスだけを
ユーザに供給するのではなく、バブルメモリデバイスと
直接周辺回路を或いはバブルメモリデバイスと直接周辺
回路および間接周辺回路を含めてこれらをプリント基板
に実装して磁気バブルメモリモジュールを作り、これを
ユーザに供給する形態が多く採られている。
ユーザに供給するのではなく、バブルメモリデバイスと
直接周辺回路を或いはバブルメモリデバイスと直接周辺
回路および間接周辺回路を含めてこれらをプリント基板
に実装して磁気バブルメモリモジュールを作り、これを
ユーザに供給する形態が多く採られている。
しかしながら、従来の磁気バブルメモリモジュールはバ
ブルメモリ専用のプリンＩ・基板として別個に形成され
ており、該プリント基板を使用装置のコネクタに差し込
む構造、又は使用装置の取付Ｕ枠に固定する構造のため
、該使用装置内の他のプリンＩ・基板例えばＣＰＵボー
ドやＲＡＭボード等へ該磁気バブルメモリモジュールを
混載することができなかった。
ブルメモリ専用のプリンＩ・基板として別個に形成され
ており、該プリント基板を使用装置のコネクタに差し込
む構造、又は使用装置の取付Ｕ枠に固定する構造のため
、該使用装置内の他のプリンＩ・基板例えばＣＰＵボー
ドやＲＡＭボード等へ該磁気バブルメモリモジュールを
混載することができなかった。
しかし最近、装置の小型化や装置開発の短縮化等により
、ユーザ側からバブルメモリデバイスを一般部品のよう
に自由ζこ扱い、装置設計を柔軟に行いたいという要求
が強くなってきている。
、ユーザ側からバブルメモリデバイスを一般部品のよう
に自由ζこ扱い、装置設計を柔軟に行いたいという要求
が強くなってきている。
本発明は上記従来の問題点を解決し、バブルメモリデバ
イスを各種回路が実装されたプリント基板に自由に混載
して使用できる磁気バブルメモリモジュールを提供する
ものである。
イスを各種回路が実装されたプリント基板に自由に混載
して使用できる磁気バブルメモリモジュールを提供する
ものである。
本発明の磁気バブルメモリモジュールはバブルメモリデ
バイスと直接周辺回路を少なくともプリント基板（配線
基板）に実装して構成されるが。
バイスと直接周辺回路を少なくともプリント基板（配線
基板）に実装して構成されるが。
その際実装構造が工夫され極力小型化されており、ＩＣ
メモリや他の回路部品と同様の取り扱いができるよう、
それ自体が別プリント基板に実装可能になっている。
メモリや他の回路部品と同様の取り扱いができるよう、
それ自体が別プリント基板に実装可能になっている。
具体的には本発明の磁気バブルメモリモジュールは、バ
ブルメモリデバイスと、バブル駆動用コイルドライバ回
路とバブル制御用ファンクションドライバ回路およびバ
ブル検出用センスアンプ回路を含む直接周辺回路と、該
直接周辺回路に対する入出力信号送受用の複数本のリー
ド端子が数例けられた実装用プリント基板とを少なくと
も具備し、前記プリント基板の表面に前記バブルメモリ
デバイスが、その表裏面に前記直接周辺回路が実装され
ており、且つ別のプリント基板上に実装可能な如く前記
リード端子が前記プリント基板の表裏面と略直角にその
裏面側より外方へ導出していることを特徴とするもので
ある。
ブルメモリデバイスと、バブル駆動用コイルドライバ回
路とバブル制御用ファンクションドライバ回路およびバ
ブル検出用センスアンプ回路を含む直接周辺回路と、該
直接周辺回路に対する入出力信号送受用の複数本のリー
ド端子が数例けられた実装用プリント基板とを少なくと
も具備し、前記プリント基板の表面に前記バブルメモリ
デバイスが、その表裏面に前記直接周辺回路が実装され
ており、且つ別のプリント基板上に実装可能な如く前記
リード端子が前記プリント基板の表裏面と略直角にその
裏面側より外方へ導出していることを特徴とするもので
ある。
この本発明の磁気バブルメモリモジュールは。
直接周辺回路の各回路が実装用プリント基板に効率良く
実装されて小型に形成され、且つ他のプリン１〜基板と
の外部接続用リード端子を有することから、他のプリン
ト基板に対する実装占有面積が小さくて混載実装できる
。
実装されて小型に形成され、且つ他のプリン１〜基板と
の外部接続用リード端子を有することから、他のプリン
ト基板に対する実装占有面積が小さくて混載実装できる
。
以下９図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する
。
。
第１図は本発明の第１実施による磁気バブルメモリモジ
ュールを分解状態で示す斜視図、第２図〜第４図は本発
明の第２実施による磁気バブルメモリモジュールを示す
図で、第２図はその斜視図、第３図は分解斜視図、第４
図は上方より見た平面図（ａ）と側面図（ｂ）と下方よ
り見た平面図（Ｃ）である。
ュールを分解状態で示す斜視図、第２図〜第４図は本発
明の第２実施による磁気バブルメモリモジュールを示す
図で、第２図はその斜視図、第３図は分解斜視図、第４
図は上方より見た平面図（ａ）と側面図（ｂ）と下方よ
り見た平面図（Ｃ）である。
また第５図と第６図は本発明の第３実施による磁気バブ
ルメモリモジュールを示す図で、第５図（Ｊｏその斜視
図、第６図は第５図の部分的な拡大斜視図である。
ルメモリモジュールを示す図で、第５図（Ｊｏその斜視
図、第６図は第５図の部分的な拡大斜視図である。
更に第７図は本発明の磁気へプルメモリモジュールを用
いたメモリシステム回路のブロック構成図を、第８図は
本発明の磁気バブルメモリモジュール回路のブロック構
成図である。
いたメモリシステム回路のブロック構成図を、第８図は
本発明の磁気バブルメモリモジュール回路のブロック構
成図である。
第８図の如く本磁気バブルメモリモジュールの回路は、
バブルメモリデバイス１０と、直接周辺回路すなわちコ
イルドライバ回路２０．ファンクションドライバ回路３
０．センスアンプ回路４０を備えて構成される。
バブルメモリデバイス１０と、直接周辺回路すなわちコ
イルドライバ回路２０．ファンクションドライバ回路３
０．センスアンプ回路４０を備えて構成される。
バブルメモリデバイス１０は第１図等にその構造が示さ
れるように、シールドケース１１内に図示ゼぬバブルメ
モリチップ、バイアスマグネット、Ｘ・Ｙ駆動コイル、
整磁板、およびバブルチップに記憶された情報を全て消
去するイレーズコイル等が収容された構造からなり、且
つ間接周辺回路とアナログ信号の送受を行う複数本のリ
ード端子１２がプリント基板実装可能な如く下方外部に
導出している。
れるように、シールドケース１１内に図示ゼぬバブルメ
モリチップ、バイアスマグネット、Ｘ・Ｙ駆動コイル、
整磁板、およびバブルチップに記憶された情報を全て消
去するイレーズコイル等が収容された構造からなり、且
つ間接周辺回路とアナログ信号の送受を行う複数本のリ
ード端子１２がプリント基板実装可能な如く下方外部に
導出している。
コイルドライバ回路２０はバブルチップ内のバブルを伝
播させるためのＸ−Ｙ駆動コイルに三角波等の電流を供
給する回路である。
播させるためのＸ−Ｙ駆動コイルに三角波等の電流を供
給する回路である。
ファンクションドライバ回路３ｏばバブルの伝播を制御
する回路で、ジェネレーク、レプリケータ、スワップ等
のバブルチップ内の各種ファンクションゲートに所定電
流を供給する回路である。
する回路で、ジェネレーク、レプリケータ、スワップ等
のバブルチップ内の各種ファンクションゲートに所定電
流を供給する回路である。
センスアンプ回路４０はバブルチップのディテクタより
のセンス出力を増幅し、ＴＴＬ （）ランジスタ・タラ
ンジスタ・ロジック）レベルに変換し間接周辺回路へ出
力する回路である。
のセンス出力を増幅し、ＴＴＬ （）ランジスタ・タラ
ンジスタ・ロジック）レベルに変換し間接周辺回路へ出
力する回路である。
またこれら直接周辺回路には間接周辺回路がら各種制御
用のＴＴＬレヘレベディジタル信号（コイルドライバ・
タイミング信号−２０−１，２，３，４。
用のＴＴＬレヘレベディジタル信号（コイルドライバ・
タイミング信号−２０−１，２，３，４。
ゲートタイミング信号−３０−１，２，３，４，５、チ
ップセレクト信号−３０−６，直流再生タイミング信号
−４０−１，ストローブ信号−４０−２，）を入力し、
センスアンプ回路４０から間接周辺回路へセンス出力信
号４０−３が出力される。
ップセレクト信号−３０−６，直流再生タイミング信号
−４０−１，ストローブ信号−４０−２，）を入力し、
センスアンプ回路４０から間接周辺回路へセンス出力信
号４０−３が出力される。
尚、符号５０−１．２．３．４．５は回路２０．３０．
４０への供給電源端子（上から、＋ ５ ｖ、＋］２Ｖ
、 −１２Ｖ、−５ｖ、Ｑｖ）を示し、符号６０−１．
２はバブルメモリデバイス１０のイレーズコイルに対す
る電流供給用イレーズコイル端子である。
４０への供給電源端子（上から、＋ ５ ｖ、＋］２Ｖ
、 −１２Ｖ、−５ｖ、Ｑｖ）を示し、符号６０−１．
２はバブルメモリデバイス１０のイレーズコイルに対す
る電流供給用イレーズコイル端子である。
次に第７図を参照しながら本磁気バブルメモリモジュー
ルのシステム構成について説明する。
ルのシステム構成について説明する。
該図において、１−１．２．−ｎは上述の本磁気バブル
メモリモジュールで、複数個設けられており、各モジュ
ールにはバブルメモリデバイスと直接周辺回路が実装さ
れている。
メモリモジュールで、複数個設けられており、各モジュ
ールにはバブルメモリデバイスと直接周辺回路が実装さ
れている。
また間接周辺回路はコントローラ７０．シーケンサ７１
．タイミングジェネレータ７２．デコーダ７３゜電圧検
出器７４２発振器７５を含で構成されており。
．タイミングジェネレータ７２．デコーダ７３゜電圧検
出器７４２発振器７５を含で構成されており。
ホスト側よりの書込み／続出し命令があった場合には該
間接周辺回路によって所望の磁気バブルモジュールが選
択されると共に、該選択モジュールの直接周辺回路が制
御されバブルの書込み／続出し動作が行われ、且つセン
ス信号がポスト側へ出力される。
間接周辺回路によって所望の磁気バブルモジュールが選
択されると共に、該選択モジュールの直接周辺回路が制
御されバブルの書込み／続出し動作が行われ、且つセン
ス信号がポスト側へ出力される。
本発明は第８図の如き回路構成で、第７図の如きメモリ
システムに組み込まれる磁気バブルメモリモジュールに
関するものであるが、その特徴は該モジュールの具体的
構造にあり、これについて第１図〜第６図を参照して更
に詳細に説明する。
システムに組み込まれる磁気バブルメモリモジュールに
関するものであるが、その特徴は該モジュールの具体的
構造にあり、これについて第１図〜第６図を参照して更
に詳細に説明する。
第１実施例による本磁気バブルメモリモジュール１ば、
多層（両面）プリント基板２．コイルドライバ回路を構
成する４個（Ｘ −Ｙコイル用）のＩＣ部品３．ファン
クションドライバ回路を構成する１個のＩＣ部品４．セ
ンスアンプ回路を構成する２個のＩＣ部品５．抵抗やコ
ンデンサのチップ部品６．別プリント基板のスルーホー
ルへ挿入して平田付は接続するり一ド端子７．バブルメ
モリデバイス１０を備え、プリント基板２の表面側にデ
バイス１０とＩＣ部品３，４が実装され、裏面側にＩＣ
部品５とチップ部品６が実装され、且つプリント基板２
の周囲側壁にはリード端子７が略直角に基板裏面側より
外方へ導出するように取付けられる。
多層（両面）プリント基板２．コイルドライバ回路を構
成する４個（Ｘ −Ｙコイル用）のＩＣ部品３．ファン
クションドライバ回路を構成する１個のＩＣ部品４．セ
ンスアンプ回路を構成する２個のＩＣ部品５．抵抗やコ
ンデンサのチップ部品６．別プリント基板のスルーホー
ルへ挿入して平田付は接続するり一ド端子７．バブルメ
モリデバイス１０を備え、プリント基板２の表面側にデ
バイス１０とＩＣ部品３，４が実装され、裏面側にＩＣ
部品５とチップ部品６が実装され、且つプリント基板２
の周囲側壁にはリード端子７が略直角に基板裏面側より
外方へ導出するように取付けられる。
尚、複数本のリード端子７を接続している連結片７′は
基板数イ」げ後切除される。更にプリント基板２の裏面
には部品５，６を実装した後、それらを覆うよう裏面全
体にシリコン等の絶縁樹脂がコーティングされ、別プリ
ント基板への接続時に半田リフローを行なえるようにし
である。
基板数イ」げ後切除される。更にプリント基板２の裏面
には部品５，６を実装した後、それらを覆うよう裏面全
体にシリコン等の絶縁樹脂がコーティングされ、別プリ
ント基板への接続時に半田リフローを行なえるようにし
である。
本磁気バブルメモリモジュールは実装される直接周辺回
路をプリント基板２の両面に振分けると共に１動作時温
度上昇の大きい（最高４０度〜４５度に達する）コイル
ドライバとファンクションドライバのＩＣ部品３．４を
表面に、温度上昇の小さい（最高２０度程度）センスア
ンプのＩＣ部品５およびチップ部品６を裏面に実装する
ため、小形のプリント基板２で済む。
路をプリント基板２の両面に振分けると共に１動作時温
度上昇の大きい（最高４０度〜４５度に達する）コイル
ドライバとファンクションドライバのＩＣ部品３．４を
表面に、温度上昇の小さい（最高２０度程度）センスア
ンプのＩＣ部品５およびチップ部品６を裏面に実装する
ため、小形のプリント基板２で済む。
またリード端子７を設けたことにより、ＩＣメモリ等と
同様に扱うことができ、別のプリント基板へ混載実装す
ることが可能となる。
同様に扱うことができ、別のプリント基板へ混載実装す
ることが可能となる。
第２実施例による本磁気バブルメモリモジュールは、第
１実施例モジュール１に支持用絶縁部材８と放熱部材９
を設けたものである。
１実施例モジュール１に支持用絶縁部材８と放熱部材９
を設けたものである。
絶縁部材８は上下開口の樹脂モールド体からなり、内面
に段差８ａを備えた絶縁枠８ｂとデバイスＩＯのリード
端子Ｉ２を被覆する絶縁カバー８Ｃが一体形成されてい
る。
に段差８ａを備えた絶縁枠８ｂとデバイスＩＯのリード
端子Ｉ２を被覆する絶縁カバー８Ｃが一体形成されてい
る。
放熱部材９は下方が開口した箱体形状でアルミニウムの
ダイキャストからなり、外面に多数の放熱フィンが多数
されている。
ダイキャストからなり、外面に多数の放熱フィンが多数
されている。
本磁気バブルメモリモジュール１は第３図の如く、プリ
ント基板２の周辺部が段差８ａで支持されるようにそれ
を絶縁枠８ｂ内に入れ、この状態でプリント基板２を上
方に向けて上記の絶縁樹脂１３を該プリント基板２の裏
面に滴下し熱硬化させる。
ント基板２の周辺部が段差８ａで支持されるようにそれ
を絶縁枠８ｂ内に入れ、この状態でプリント基板２を上
方に向けて上記の絶縁樹脂１３を該プリント基板２の裏
面に滴下し熱硬化させる。
これによって第４図（Ｃ）の如く、硬化した絶縁樹脂１
３が部品５，６を覆うと同時に、絶縁部材８をモジュー
ル１に固定させる。
３が部品５，６を覆うと同時に、絶縁部材８をモジュー
ル１に固定させる。
またこの状態においては第２図および第４図（ａ、ｂ）
に示されるように、リード端子１２が絶縁カバー８ｃに
より覆われ、指等がリード端子１２に触れられないよう
になっており、静電気の影響を受けない。
に示されるように、リード端子１２が絶縁カバー８ｃに
より覆われ、指等がリード端子１２に触れられないよう
になっており、静電気の影響を受けない。
放熱部材９はその内部に図示せぬ液状のエポキシ樹脂等
を注入し、この状態で部品３．４に被せる。この際、放
熱部材９は絶縁枠８ｂの段差部８ｄにより位置決めされ
、かつ注入樹脂が硬化することにより接着固定される。
を注入し、この状態で部品３．４に被せる。この際、放
熱部材９は絶縁枠８ｂの段差部８ｄにより位置決めされ
、かつ注入樹脂が硬化することにより接着固定される。
本磁気バブルメモリモジュールＩは放熱部材つと絶縁部
材８の取付けにより、第１実施例モジュールに比べ、プ
リント基板２の機械的強度が高まり、且つ放熱効率が一
層向上し、更に混載実装に適したモジュールが得られる
。
材８の取付けにより、第１実施例モジュールに比べ、プ
リント基板２の機械的強度が高まり、且つ放熱効率が一
層向上し、更に混載実装に適したモジュールが得られる
。
第３実施例による磁気バブルメモリモジエール１は、第
１実施例モジュールの静電気対策のみを施したものであ
る。
１実施例モジュールの静電気対策のみを施したものであ
る。
すなわち第５図に示す如く１本モジュール１はデバイス
１０のリード端子１２を覆う絶縁カバー８０を備えてお
り、指等が該リード端子１２に触れられないようになっ
ている。
１０のリード端子１２を覆う絶縁カバー８０を備えてお
り、指等が該リード端子１２に触れられないようになっ
ている。
絶縁カバー８０の構造は第６図に示されるように、略断
面がＬ字状で下方に開口し且つデバイス１０例の側面が
開口した樹脂モールド体とし、デバイス１０をプリント
基板２に実装する前に多少弾性変形させて該デバイス１
０にリード端子１２を覆うよう取付ける。この状態では
絶縁カバー８０の側方突起８ｅがデバイス１０の下面に
導出しており、該デバイス１０をプリント基板２に実装
すると、絶縁カバー８ｃは脱落しないようになる。
面がＬ字状で下方に開口し且つデバイス１０例の側面が
開口した樹脂モールド体とし、デバイス１０をプリント
基板２に実装する前に多少弾性変形させて該デバイス１
０にリード端子１２を覆うよう取付ける。この状態では
絶縁カバー８０の側方突起８ｅがデバイス１０の下面に
導出しており、該デバイス１０をプリント基板２に実装
すると、絶縁カバー８ｃは脱落しないようになる。
尚、上記第２実施例において、絶縁枠８ｂの下面に突起
を複数個一体的に形成し、該突起を別プリント基板の穴
に挿入し熱カシメすることにより、本磁気バブルメモリ
モジュールの別プリント基板に対する取付は強度を一層
高めることができる。
を複数個一体的に形成し、該突起を別プリント基板の穴
に挿入し熱カシメすることにより、本磁気バブルメモリ
モジュールの別プリント基板に対する取付は強度を一層
高めることができる。
また上記３つの実施例において、リード端子７はプリン
ト基板２の両側より下方に突出しているが、このリード
端子７の配列を同一電源が供給される端子同士が両側の
同位置で対面する配置とすれば、別プリント基板の配線
パターンを単純（平行パターン）とすることができる。
ト基板２の両側より下方に突出しているが、このリード
端子７の配列を同一電源が供給される端子同士が両側の
同位置で対面する配置とすれば、別プリント基板の配線
パターンを単純（平行パターン）とすることができる。
以上説明した本発明の磁気バブルメモリモジコ。
−ルによれば、バブルメモリデバイスと直接周辺回路が
パッケージ化されたことによりＴＴＬレベルで制御可能
で、且つ小型になるよう部品実装されおり、しかも別プ
リント基板に実装可能になっているため、バブルメモリ
デバイスをＩＣメモリ等の一般部品と同様に扱うことが
可能になり１種々のプリント基板に自由にバブルメモリ
デバイスを混載でき、ユーザの装置設計を柔軟にできる
など、その実用上の効果は多大である。
パッケージ化されたことによりＴＴＬレベルで制御可能
で、且つ小型になるよう部品実装されおり、しかも別プ
リント基板に実装可能になっているため、バブルメモリ
デバイスをＩＣメモリ等の一般部品と同様に扱うことが
可能になり１種々のプリント基板に自由にバブルメモリ
デバイスを混載でき、ユーザの装置設計を柔軟にできる
など、その実用上の効果は多大である。
第１図は本発明の第１実施による磁気バブルメモリモジ
ュールを分解状態で示す斜視図、第２図〜第４図は本発
明の第２実施による磁気バブルメモリモジュールを示す
図で、第２図はその斜視図、第３図は分解斜視図、第４
図は上方より見た平面図（ａ）と側面図（ｂ）と下方よ
り見た平面図（Ｃ）である。 また第５図と第６図は本発明の第３実施による磁気バブ
ルメモリモジュールを示す図で、第５図はその斜視図、
第６図は第５図の部分的な拡大斜視図である。 更に第７図は本発明の磁気バブルメモリモジュールを用
いたメモリシステム回路のブロック構成図を、第８図は
本発明の磁気バブルメモリモジュール回路のブロック構
成図である。 〔符号の説明〕 １−−−−−−１ａ気バブルメモリモジュール２−一一
一・プリント基板 ３−−−−−コイルドライバ回路構成用のＩＣ部品４−
−−ファンクションドライバ回路構成用のＩＣ部品 ５−−−−−センスアンプ回路構成用のＩＣｇＬ＆６−
−−−−・チップ部品 ７−−−−−リード端子 ８−−−−・絶縁部材 ８ｂ−−−一絶縁枠 ８ｃｍ−−−−−絶縁カバー ９−−−−・−放熱部材 第 ｌ 図 第 ４ 図 「＋７０ （Ｃ） 町 第 ８１カ ー５
ュールを分解状態で示す斜視図、第２図〜第４図は本発
明の第２実施による磁気バブルメモリモジュールを示す
図で、第２図はその斜視図、第３図は分解斜視図、第４
図は上方より見た平面図（ａ）と側面図（ｂ）と下方よ
り見た平面図（Ｃ）である。 また第５図と第６図は本発明の第３実施による磁気バブ
ルメモリモジュールを示す図で、第５図はその斜視図、
第６図は第５図の部分的な拡大斜視図である。 更に第７図は本発明の磁気バブルメモリモジュールを用
いたメモリシステム回路のブロック構成図を、第８図は
本発明の磁気バブルメモリモジュール回路のブロック構
成図である。 〔符号の説明〕 １−−−−−−１ａ気バブルメモリモジュール２−一一
一・プリント基板 ３−−−−−コイルドライバ回路構成用のＩＣ部品４−
−−ファンクションドライバ回路構成用のＩＣ部品 ５−−−−−センスアンプ回路構成用のＩＣｇＬ＆６−
−−−−・チップ部品 ７−−−−−リード端子 ８−−−−・絶縁部材 ８ｂ−−−一絶縁枠 ８ｃｍ−−−−−絶縁カバー ９−−−−・−放熱部材 第 ｌ 図 第 ４ 図 「＋７０ （Ｃ） 町 第 ８１カ ー５
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （＋１バブルメモリデバイスと、バブル駆動用コイルド
ライバ回路とバブル制御用ファンクションドライバ回路
およびバブル検出用センスアンプ回路を含む直接周辺回
路と、該直接周辺回路に対する入出力信号送受用の複数
本のリード端子が取付けられた実装用配線基板とを少な
くとも具備し、前記配線基板の表面に前記バブルメモリ
デバイスが。 その表裏面に前記直接周辺回路が実装されており、且つ
別の配線基板上に実装可能な如く前記リード端子が前記
配線基板の表裏面と略直角にその裏面側より外方−・導
出していることを特徴とした磁気バブルメモリモジュー
ル。 （２）前記直接周辺回路は、前記バブル駆動用コイルド
ライバ回路と前記バブル制御用ファンクションドライバ
回路を前記配線基板の表面に、前記バブル検出用センス
アンプ回路を前記配線基板の裏面にして実装されている
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁気バブ
ルメモリモジュール。 （３）前記バブルメモリデバイスの前記配線基板に対す
るリード端子が絶縁カバーにより被覆されていることを
特徴とする特ｉ！ｌ：請求の範囲第１項記載の磁気バブ
ルメモリモジュール。 （４）前記バブル駆動用コイルドライバ回路と前記バブ
ル制御用ファンクションドライバ回路には放熱部材が被
覆されていることを特徴とする特許請求の範囲第２項記
載の磁気バブルメモリモジュール。 （５）前記配線基板を収容する上下が開口した絶縁枠に
前記絶縁カバーを一体に形成した支持用絶縁部材を設け
、該絶縁部材は前記絶縁枠が前記配線基板の周辺部を機
械的に支持し、且つ前記絶縁カバーが前記バブルメモリ
デバイス用リード端子を被覆するよう前記配線基板に取
付けられていることを特徴とする特許請求の範囲第３項
記載の磁気バブルメモリモジュール。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59091457A JPS60234290A (ja) | 1984-05-07 | 1984-05-07 | 磁気バブルメモリモジユ−ル |
| KR1019850002575A KR900001595B1 (ko) | 1984-05-07 | 1985-04-17 | 자기 버블 메모리 모듈(bubble memory module) |
| EP85303158A EP0165692B1 (en) | 1984-05-07 | 1985-05-03 | Magnetic bubble memory component |
| DE8585303158T DE3587224T2 (de) | 1984-05-07 | 1985-05-03 | Magnetischer blasenspeicher-bestandteil. |
| CA000480777A CA1241745A (en) | 1984-05-07 | 1985-05-06 | Magnetic bubble memory module |
| US06/731,487 US4710895A (en) | 1984-05-07 | 1985-05-07 | Magnetic bubble memory module with protected terminals |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59091457A JPS60234290A (ja) | 1984-05-07 | 1984-05-07 | 磁気バブルメモリモジユ−ル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60234290A true JPS60234290A (ja) | 1985-11-20 |
| JPS6336075B2 JPS6336075B2 (ja) | 1988-07-19 |
Family
ID=14026893
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59091457A Granted JPS60234290A (ja) | 1984-05-07 | 1984-05-07 | 磁気バブルメモリモジユ−ル |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4710895A (ja) |
| EP (1) | EP0165692B1 (ja) |
| JP (1) | JPS60234290A (ja) |
| KR (1) | KR900001595B1 (ja) |
| CA (1) | CA1241745A (ja) |
| DE (1) | DE3587224T2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2645320B1 (fr) * | 1989-03-31 | 1993-09-03 | Gen Electric Cgr | Module memoire compact pour carte de memoire de donnees d'un processeur d'images |
| US20070274059A1 (en) * | 2006-05-25 | 2007-11-29 | Chennupati Raghuram Siva | Apparatus and method for shielding of electromagnetic interference of a memory module |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2109444A5 (ja) * | 1970-10-16 | 1972-05-26 | Socapex | |
| US4180863A (en) * | 1978-06-30 | 1979-12-25 | International Business Machines Corporation | Magnetic domain device modular assembly |
| JPS618472Y2 (ja) * | 1980-10-30 | 1986-03-15 | ||
| US4414646A (en) * | 1981-03-31 | 1983-11-08 | Societe D'applications Generales D/Electricite Et De Mecanique Sagem | Magnetic bubble memory devices |
| JPS583181A (ja) * | 1981-06-29 | 1983-01-08 | Nec Corp | 磁気バブルメモリボ−ド |
| JPS5816552A (ja) * | 1981-07-22 | 1983-01-31 | Fujitsu Ltd | 半導体素子用パッケ−ジ |
| JPS6045995A (ja) * | 1983-08-22 | 1985-03-12 | Hitachi Ltd | 磁気バブルメモリモジユ−ルおよびその装置 |
-
1984
- 1984-05-07 JP JP59091457A patent/JPS60234290A/ja active Granted
-
1985
- 1985-04-17 KR KR1019850002575A patent/KR900001595B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1985-05-03 EP EP85303158A patent/EP0165692B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1985-05-03 DE DE8585303158T patent/DE3587224T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1985-05-06 CA CA000480777A patent/CA1241745A/en not_active Expired
- 1985-05-07 US US06/731,487 patent/US4710895A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR900001595B1 (ko) | 1990-03-15 |
| DE3587224T2 (de) | 1993-07-08 |
| US4710895A (en) | 1987-12-01 |
| CA1241745A (en) | 1988-09-06 |
| KR850008754A (ko) | 1985-12-21 |
| DE3587224D1 (de) | 1993-05-06 |
| EP0165692A2 (en) | 1985-12-27 |
| JPS6336075B2 (ja) | 1988-07-19 |
| EP0165692A3 (en) | 1989-03-15 |
| EP0165692B1 (en) | 1993-03-31 |
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