JPS6344398A - 磁気バブルメモリ装置 - Google Patents
磁気バブルメモリ装置Info
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- JPS6344398A JPS6344398A JP18742386A JP18742386A JPS6344398A JP S6344398 A JPS6344398 A JP S6344398A JP 18742386 A JP18742386 A JP 18742386A JP 18742386 A JP18742386 A JP 18742386A JP S6344398 A JPS6344398 A JP S6344398A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
磁気バブルを利用したメモリ装置において、磁気バブル
メモリ素子をフレキシブル配線板に搭載し、該配線板の
外部接続用配線の形成部分を第１のソレノイドコイルと
第２のソレノイドコイルとの間に折り畳むように構成し
、 大形化することなく外部接続端子の多数化を実現したも
のである。
メモリ素子をフレキシブル配線板に搭載し、該配線板の
外部接続用配線の形成部分を第１のソレノイドコイルと
第２のソレノイドコイルとの間に折り畳むように構成し
、 大形化することなく外部接続端子の多数化を実現したも
のである。
本発明は磁気バブルメモリ装置の構成、特に外部接続端
子の多数化を可能とした改良に関するものである。
子の多数化を可能とした改良に関するものである。
一軸磁気異方性を有するガーネット等の磁性薄膜（ＬＰ
Ｅ）面に、適当な大きさの垂直バイアス磁界を印加する
と円筒状磁区（磁気バブル）が発生する。かかる磁気バ
ブルを利用し、不揮発性であること、全固体素子である
こと、大容量化が可能であること、比較的高速であるこ
と等の利点を有する磁気バブルメモリ装置は、電子交換
機やパーソナルコンピュータ、ＯＡ機器等のメモリとし
て、その利用分野が急速に広がりつつある。
Ｅ）面に、適当な大きさの垂直バイアス磁界を印加する
と円筒状磁区（磁気バブル）が発生する。かかる磁気バ
ブルを利用し、不揮発性であること、全固体素子である
こと、大容量化が可能であること、比較的高速であるこ
と等の利点を有する磁気バブルメモリ装置は、電子交換
機やパーソナルコンピュータ、ＯＡ機器等のメモリとし
て、その利用分野が急速に広がりつつある。
この種のメモリ装置は、既に４Ｍｂｉｔのものが製品化
されており、現在は１６ Ｍ ｂ ｉ ｔのものについ
て研究開発が盛んに行われいる状況でありが、半導体や
フロッピディスク等の競合メモリの進歩も著しいことか
ら、一層の小型・高記憶容量の磁気バブルメモリ装置を
多量かつ安価に製造する技術開発が強く要望されている
。
されており、現在は１６ Ｍ ｂ ｉ ｔのものについ
て研究開発が盛んに行われいる状況でありが、半導体や
フロッピディスク等の競合メモリの進歩も著しいことか
ら、一層の小型・高記憶容量の磁気バブルメモリ装置を
多量かつ安価に製造する技術開発が強く要望されている
。
一般に磁気バブルメモリ装置は、磁気バブルメモリをほ
ぼ８字形をした配線基板の中央部に搭載し、磁気バブル
を駆動する回転磁界発生用のＸ。
ぼ８字形をした配線基板の中央部に搭載し、磁気バブル
を駆動する回転磁界発生用のＸ。
Ｙコイル（ソレノイドコイル）を該配線板に直交関係で
挿着し１、それらを整磁板やバイアス磁石板と共に、複
数本の外部接続端子を具えたパフケージに収容し、該バ
フケージに磁気シールドケースを被着していた。
挿着し１、それらを整磁板やバイアス磁石板と共に、複
数本の外部接続端子を具えたパフケージに収容し、該バ
フケージに磁気シールドケースを被着していた。
第３図は従来の磁気バブルメモリ装置の主要構成例を示
す斜視図である。
す斜視図である。
第３図において、磁気バブルメモリ装置１は磁気バブル
メモリ素子２と、素子２を搭載し平面視ヨ字形をした基
板３と、基板３に嵌挿した角形のＸコイル４およびＹコ
イル５と、基板３の一方の対向側に一端が半田付けされ
た複数本のリード端子６と、素子２の上下方向に対向す
る一対の永久磁石７．整磁板８およびシールドケース９
等で構成されている。
メモリ素子２と、素子２を搭載し平面視ヨ字形をした基
板３と、基板３に嵌挿した角形のＸコイル４およびＹコ
イル５と、基板３の一方の対向側に一端が半田付けされ
た複数本のリード端子６と、素子２の上下方向に対向す
る一対の永久磁石７．整磁板８およびシールドケース９
等で構成されている。
かかる磁気バブルメモリ装置１において、素子２はガー
ネット基板の上面に磁性ガーネット層（ＬＥＰ）を形成
し、その上にバブル発生器、バブル検出器、複製器、消
滅器、バブル転送路、各種トランスファゲート等の情報
処理要素および前記要素に接続された外部接続用電極等
をパターン形成し、その上に前記電極を露呈させた保護
層が被着されてなり、接着手段で基板３に搭載したのち
、基板３に形成され一端が各リード端子６に接続された
導体パターンの他端と前記接続用電極とをワイヤボンデ
ィングしている。
ネット基板の上面に磁性ガーネット層（ＬＥＰ）を形成
し、その上にバブル発生器、バブル検出器、複製器、消
滅器、バブル転送路、各種トランスファゲート等の情報
処理要素および前記要素に接続された外部接続用電極等
をパターン形成し、その上に前記電極を露呈させた保護
層が被着されてなり、接着手段で基板３に搭載したのち
、基板３に形成され一端が各リード端子６に接続された
導体パターンの他端と前記接続用電極とをワイヤボンデ
ィングしている。
最近の磁気バブルメモリ装置は外部接続端子が増加指向
にあり、配線板に形成する配線が高密度になった。しか
し、セラミックにてなる従来の配線板３は第４図に示す
ように、内側の駆動コイル４を嵌挿するため一対の溝３
ｄが必要であり、素子搭載部３ａと複数個の外部リード
端子６とを接続する電極１０の形成された一対の電極部
３ｂを連結部３ｃで連結した８字形状であり、多端子化
に伴って連結部３ｃの幅Ｗを広くすると、メモリ装置が
大形になり、配線板３の外側に嵌挿する駆動コイル５の
磁気効率が低下するという問題点があった。
にあり、配線板に形成する配線が高密度になった。しか
し、セラミックにてなる従来の配線板３は第４図に示す
ように、内側の駆動コイル４を嵌挿するため一対の溝３
ｄが必要であり、素子搭載部３ａと複数個の外部リード
端子６とを接続する電極１０の形成された一対の電極部
３ｂを連結部３ｃで連結した８字形状であり、多端子化
に伴って連結部３ｃの幅Ｗを広くすると、メモリ装置が
大形になり、配線板３の外側に嵌挿する駆動コイル５の
磁気効率が低下するという問題点があった。
前記問題点の除去を目的とした本発明は、その一実施例
に係わる要部の製造工程を示す第１図によればバブルメ
モリ素子２と、 素子２を搭載しその外部接続用の配線を素子搭載部の側
方の配線部に形成したフレキシブル配線板１１と、 素子２の外側に嵌挿し素子２の磁気バブルにＸ方向また
はＹ方向の一方向に駆動磁界を印加する第１のソレノイ
ドコイル１５と、 第１のソレノイドコイル１５の外側に該配線部を折り重
ねた該フレキシブル配線板１１の外側に嵌挿し素子２の
磁気バブルにＸ方向またはＹ方向の他方向に駆動磁界を
印加する第２のソレノイドコイル１６とを具え、 フレキシブル配線板１１の配線部の側端部に形成した外
部端子接続用の電極１２が第２のソレノイドコイル１６
より外側に突出してなることを特徴とする磁気バブルメ
モリ装置である。
に係わる要部の製造工程を示す第１図によればバブルメ
モリ素子２と、 素子２を搭載しその外部接続用の配線を素子搭載部の側
方の配線部に形成したフレキシブル配線板１１と、 素子２の外側に嵌挿し素子２の磁気バブルにＸ方向また
はＹ方向の一方向に駆動磁界を印加する第１のソレノイ
ドコイル１５と、 第１のソレノイドコイル１５の外側に該配線部を折り重
ねた該フレキシブル配線板１１の外側に嵌挿し素子２の
磁気バブルにＸ方向またはＹ方向の他方向に駆動磁界を
印加する第２のソレノイドコイル１６とを具え、 フレキシブル配線板１１の配線部の側端部に形成した外
部端子接続用の電極１２が第２のソレノイドコイル１６
より外側に突出してなることを特徴とする磁気バブルメ
モリ装置である。
上記手段によれば、可撓性を有するフレキシブル配線板
に磁気バブルメモリ素子を搭載し、該素子と外部とを接
続する配線を該配線板に形成し、かつ、該配線板を折り
畳むように構成したことにより、該配線は該素子の側方
に向けて真っ直ぐ導出するパターンに形成可能となる。
に磁気バブルメモリ素子を搭載し、該素子と外部とを接
続する配線を該配線板に形成し、かつ、該配線板を折り
畳むように構成したことにより、該配線は該素子の側方
に向けて真っ直ぐ導出するパターンに形成可能となる。
従って、配線板の配線形成部は従来のものより広幅とな
り、従来より多数本の配線が形成できることで、磁気バ
ブルメモリ装置を大形およびバブル駆動コイルの磁気効
率を損なうことなく、外部端子の多数化を果たし得た。
り、従来より多数本の配線が形成できることで、磁気バ
ブルメモリ装置を大形およびバブル駆動コイルの磁気効
率を損なうことなく、外部端子の多数化を果たし得た。
以下に、本発明の一実施例の磁気バブルメモリ装置を説
明する。
明する。
第１図（イ）〜（ネ）は本発明の一実施例による磁気バ
ブルメモリ装置の主要部の主要工程を工程順に示す斜視
図、第２図は該主要部を収容した磁気バブルメモリ装置
の概略を示す側断面図である。
ブルメモリ装置の主要部の主要工程を工程順に示す斜視
図、第２図は該主要部を収容した磁気バブルメモリ装置
の概略を示す側断面図である。
第１図（イ）において、従来の配線板３に相当する配線
板１１は可撓性（フレキシブル配線板）であり、長さ方
向の中央の素子搭載部１１ａに磁気バブルメモリ素子２
を搭載し、その側方の配線形成部１１ｂ、 ＩＩＧの上
面に素子２と外部端子とを接続する電極１２および配線
パターンが形成されてなる。該配線パターンと素子２の
電極とは金属細線（ワイヤ）１３で接続されている。複
数個の電極１２は配線板１１の幅方向の端部、即ち配線
形成部１１ｂ、 ｌｌｃからそれぞれ逆方向の側方に適
宜量だけ突出する部分に整列形成されている。
板１１は可撓性（フレキシブル配線板）であり、長さ方
向の中央の素子搭載部１１ａに磁気バブルメモリ素子２
を搭載し、その側方の配線形成部１１ｂ、 ＩＩＧの上
面に素子２と外部端子とを接続する電極１２および配線
パターンが形成されてなる。該配線パターンと素子２の
電極とは金属細線（ワイヤ）１３で接続されている。複
数個の電極１２は配線板１１の幅方向の端部、即ち配線
形成部１１ｂ、 ｌｌｃからそれぞれ逆方向の側方に適
宜量だけ突出する部分に整列形成されている。
第１図（Ｅｌ）において、配線板１１の中央部に絶縁性
樹脂にてなる内部パッケージ１４をモールド形成する。
樹脂にてなる内部パッケージ１４をモールド形成する。
内部パッケージ１４は素子２および金属細線１３を収容
するようになる。
するようになる。
第１図（ハ）において、配線板１１の幅方向に巻回した
ソレノイドコイル１５を内部パッケージ１４の外側に嵌
挿する。
ソレノイドコイル１５を内部パッケージ１４の外側に嵌
挿する。
第１図（ニ）において、配線板１１の配線形成部１１ｂ
、 ｌｌｃをコイル１５の上面と下面に分けて、例えば
配線形成部１１ｂをコイル１５の上面に重ね配線形成部
１１ｃがコイル１５の下面に重なるように折り畳む。
、 ｌｌｃをコイル１５の上面と下面に分けて、例えば
配線形成部１１ｂをコイル１５の上面に重ね配線形成部
１１ｃがコイル１５の下面に重なるように折り畳む。
その際、配線形成部１１ｂ、 ｌｌｃの一方に形成した
配線パターンはコイル１５と接するためその保護手段、
例えば絶縁シートを挟む等の配慮を要する。
配線パターンはコイル１５と接するためその保護手段、
例えば絶縁シートを挟む等の配慮を要する。
次いで第１図（ネ）に示すように、配線板１１の長さ方
向（コイル１５と直交方向）に巻回したソレノイドコイ
ル１６を、コイル１５に折り重ねた配線形成部１１ｂ、
ｌｌｃの外側に嵌挿する。ただし、配線形成部１１ｂ
、 ｌｌｃに形成した各電極１２は、コイル１６の側方
に突出するように配線板１１が形成してあり、配線形成
部１１ｂ、ｌｌｃの一方に形成した配線パターンはコイ
ル１６と接するためその保護手段、例えば絶縁シートを
挟む等の配慮が必要である。
向（コイル１５と直交方向）に巻回したソレノイドコイ
ル１６を、コイル１５に折り重ねた配線形成部１１ｂ、
ｌｌｃの外側に嵌挿する。ただし、配線形成部１１ｂ
、 ｌｌｃに形成した各電極１２は、コイル１６の側方
に突出するように配線板１１が形成してあり、配線形成
部１１ｂ、ｌｌｃの一方に形成した配線パターンはコイ
ル１６と接するためその保護手段、例えば絶縁シートを
挟む等の配慮が必要である。
前出図と共通部分に同一符号を使用した第２図において
、絶縁性樹脂をモールド形成した枠形状のバフケージ１
７は、電極１２にそれぞれ対向する複数本（例えば６０
本）の外部端子６の中間部を植設してなり、各電極１２
と端子６をはんだで接続したのち、上部開口と下部開口
に永久磁石７．整磁板８を設け、その外側にシールドケ
ース９を装着し、磁気バブルメモリ装置１８が完成する
。
、絶縁性樹脂をモールド形成した枠形状のバフケージ１
７は、電極１２にそれぞれ対向する複数本（例えば６０
本）の外部端子６の中間部を植設してなり、各電極１２
と端子６をはんだで接続したのち、上部開口と下部開口
に永久磁石７．整磁板８を設け、その外側にシールドケ
ース９を装着し、磁気バブルメモリ装置１８が完成する
。
以上説明した如く本発明によれば、最大３０本の外部端
子が限度であった従来装置と同じ大きさで４０本以上の
外部端子を設けた装置が可能となり、かつ、バブル駆動
用のソレノイドコイルは従来のものとほぼ同じ大きさで
よいため、磁気効率を損なうことなく実現し得た効果は
大きい。
子が限度であった従来装置と同じ大きさで４０本以上の
外部端子を設けた装置が可能となり、かつ、バブル駆動
用のソレノイドコイルは従来のものとほぼ同じ大きさで
よいため、磁気効率を損なうことなく実現し得た効果は
大きい。
第１図（イ）〜（＊）は本発明の一実施例による磁気バ
ブルメモリ装置の主要部の主要工程図、第２図は本発明
の一実施例による磁気バブルメモリ装置の概略を示す側
断面図、 第３図は従来の磁気バブルメモリ装置の主要構成例を示
す斜視図、 第４図は従来の配線板の平面図、 である。 図中において、 ２はバブルメモリ素子、 ６は外部端子、 １１はフレキシブル配線板、 １１ａは素子搭載部、 １１ｂ、 ｌｌｃは配線部、 １２は外部端子接続用電極、 １５．１６はソレノイドコイル、 １８は磁気バブルメモリ装置、 を示す。 草１図
ブルメモリ装置の主要部の主要工程図、第２図は本発明
の一実施例による磁気バブルメモリ装置の概略を示す側
断面図、 第３図は従来の磁気バブルメモリ装置の主要構成例を示
す斜視図、 第４図は従来の配線板の平面図、 である。 図中において、 ２はバブルメモリ素子、 ６は外部端子、 １１はフレキシブル配線板、 １１ａは素子搭載部、 １１ｂ、 ｌｌｃは配線部、 １２は外部端子接続用電極、 １５．１６はソレノイドコイル、 １８は磁気バブルメモリ装置、 を示す。 草１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 バブルメモリ素子（２）と、 該素子（２）を搭載しその外部接続用の配線を素子搭載
部の側方の配線部に形成したフレキシブル配線板（１１
）と、 該素子（２）の外側に嵌挿し該素子（２）の磁気バブル
にＸ方向またはＹ方向の一方向に駆動磁界を印加する第
１のソレノイドコイル（１５）と、該第１のソレノイド
コイル（１５）の外側に該配線部を折り重ねた該フレキ
シブル配線板（１１）の外側に嵌挿し該素子（２）の磁
気バブルにＸ方向またはＹ方向の他方向に駆動磁界を印
加する第２のソレノイドコイル（１６）とを具え、 該フレキシブル配線板（１１）の配線部の側端部に形成
した外部端子接続用の電極（１２）が該第２のソレノイ
ドコイル（１６）より外側に突出してなることを特徴と
する磁気バブルメモリ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18742386A JPS6344398A (ja) | 1986-08-08 | 1986-08-08 | 磁気バブルメモリ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18742386A JPS6344398A (ja) | 1986-08-08 | 1986-08-08 | 磁気バブルメモリ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6344398A true JPS6344398A (ja) | 1988-02-25 |
Family
ID=16205787
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18742386A Pending JPS6344398A (ja) | 1986-08-08 | 1986-08-08 | 磁気バブルメモリ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6344398A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6950369B2 (en) | 2001-02-06 | 2005-09-27 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Magnetic memory device capable of passing bidirectional currents through the bit lines |
-
1986
- 1986-08-08 JP JP18742386A patent/JPS6344398A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6950369B2 (en) | 2001-02-06 | 2005-09-27 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Magnetic memory device capable of passing bidirectional currents through the bit lines |
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