JPS63263809A - 表面波装置 - Google Patents
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- JPS63263809A JPS63263809A JP62098318A JP9831887A JPS63263809A JP S63263809 A JPS63263809 A JP S63263809A JP 62098318 A JP62098318 A JP 62098318A JP 9831887 A JP9831887 A JP 9831887A JP S63263809 A JPS63263809 A JP S63263809A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/058—Holders; Supports for surface acoustic wave devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ）産業上の利用分野
この発明は、樹脂パッケージを用いた表面波装置に関す
る。
る。
（ｂｌ従来の技術
圧電基板の表面に入カドランスデューサと出カドランス
デューサを設け、これらのトランスデユーサ間で表面波
が伝播する表面波素子をパッケージ化する際、樹脂製の
ケースを用いた表面波装置が開発されている。
デューサを設け、これらのトランスデユーサ間で表面波
が伝播する表面波素子をパッケージ化する際、樹脂製の
ケースを用いた表面波装置が開発されている。
第８図はこの種の表面波装置の構成を示すもので、図に
おいて２０は表面波素子を示し、表面に入カドランスデ
ューサ、出カドランスデューサおよび端子電極等が形成
されている。６１は外部接続用入出力端子５１．５２等
をそれぞれ樹脂一体成形したケースで、このケース６１
には表面波素子２０を収納するための空間が設けられて
いる。
おいて２０は表面波素子を示し、表面に入カドランスデ
ューサ、出カドランスデューサおよび端子電極等が形成
されている。６１は外部接続用入出力端子５１．５２等
をそれぞれ樹脂一体成形したケースで、このケース６１
には表面波素子２０を収納するための空間が設けられて
いる。
表面波素子２０の表面に形成されている端子型゛極と外
部接続用端子との間はワイヤ２３．２４によってワイヤ
ボンディングされている。６２は表面波素子２０を収納
したケース６１の開口面を閉塞する蓋で、この１６２は
ケース６１に接着または溶着されている。
部接続用端子との間はワイヤ２３．２４によってワイヤ
ボンディングされている。６２は表面波素子２０を収納
したケース６１の開口面を閉塞する蓋で、この１６２は
ケース６１に接着または溶着されている。
（Ｃ）発明が解決しようとする問題点
このように構成された従来の表面波装置においては、外
部接続用端子と表面波素子の端子電極とをワイヤボンデ
ィングにより接続する方法であるため、表面波素子をケ
ースの底面に接着する工程とワイヤによるボンディング
工程を要し製造工程が複雑である。またワイヤボンディ
ングに必要なスペースを確保しておく必要があるため、
ケースをあまり小型化できないという問題があった。
部接続用端子と表面波素子の端子電極とをワイヤボンデ
ィングにより接続する方法であるため、表面波素子をケ
ースの底面に接着する工程とワイヤによるボンディング
工程を要し製造工程が複雑である。またワイヤボンディ
ングに必要なスペースを確保しておく必要があるため、
ケースをあまり小型化できないという問題があった。
また、この問題を解決するには、表面波素子をフェース
ダウンボンディングにより固定する手段もあり得るが、
表面波素子の基板としてＰＺＴセラミックなどを用いた
場合、基板にソリが発生するため、簡単な装置でもって
確実に固定することがむずかしいという問題もあった。
ダウンボンディングにより固定する手段もあり得るが、
表面波素子の基板としてＰＺＴセラミックなどを用いた
場合、基板にソリが発生するため、簡単な装置でもって
確実に固定することがむずかしいという問題もあった。
この発明の目的は、このような従来の問題点を解消して
、小型で且つ量産性の高い表面波装置を提供することに
ある。
、小型で且つ量産性の高い表面波装置を提供することに
ある。
ｆｄ１問題点を解決するための手段
この発明の表面波装置は、外部接続用端子が一体成形さ
れた樹脂製基台に表面波素子が固定され、この基台に対
して蓋が接合された表面波装置において、 上記外部接続用端子は、表面波素子の端子電極と接続さ
れる先端部が上記基台の上面から浮き上がった位置に配
置され、表面波素子の端子電掘が上記先端部に対向して
フェイスダウンボンディングされたことを特徴としてい
る。
れた樹脂製基台に表面波素子が固定され、この基台に対
して蓋が接合された表面波装置において、 上記外部接続用端子は、表面波素子の端子電極と接続さ
れる先端部が上記基台の上面から浮き上がった位置に配
置され、表面波素子の端子電掘が上記先端部に対向して
フェイスダウンボンディングされたことを特徴としてい
る。
ｔｅ１作用
この発明の表面波装置においては、表面波素子を封入す
るパッケージが基台と、この基台上を覆う蓋から構成さ
れ、外部接続用端子は、その先端部が基台の上面から浮
き上がった位置に配置され、表面波素子の端子電極がこ
の先端部に対向してフェイスダウンボンディングにより
接続される。
るパッケージが基台と、この基台上を覆う蓋から構成さ
れ、外部接続用端子は、その先端部が基台の上面から浮
き上がった位置に配置され、表面波素子の端子電極がこ
の先端部に対向してフェイスダウンボンディングにより
接続される。
このようにして表面波素子が基台上に弾性支持される。
（ｆ）実施例
第１図はこの発明の実施例である表面波装置の構造を示
す分解斜視図、第２図は組み立てられた表面波装置の外
観を示す斜視図である。第１図において３０は基台、２
０は表面波素子、１０は蓋をそれぞれ示している。基台
３０は中央部に表面波素子が載置される略平坦部３１ａ
を有し、周辺部に後述する蓋の枠部と嵌合する段部３１
ｂが形成されている。中央部の平坦部には表面波素子２
０に形成されている端子電極と接続される４つの接続端
子３２，３４．３６．３８が平坦部３１ａの表面よりわ
ずかに突出する位置に配置されている。なお、接続端子
３２，３４，３６．３８が平坦部３１ａの表面と面一の
場合には、表面波素子２０の伝播路が接触しないように
、平坦部３１ａに凹部を設けておくとよい。各接続端子
は樹脂部分３１の内部を通って３１の下面から側方に外
部接続用端子３３，３５，３７．３９としてそれぞれ導
き出されている。
す分解斜視図、第２図は組み立てられた表面波装置の外
観を示す斜視図である。第１図において３０は基台、２
０は表面波素子、１０は蓋をそれぞれ示している。基台
３０は中央部に表面波素子が載置される略平坦部３１ａ
を有し、周辺部に後述する蓋の枠部と嵌合する段部３１
ｂが形成されている。中央部の平坦部には表面波素子２
０に形成されている端子電極と接続される４つの接続端
子３２，３４．３６．３８が平坦部３１ａの表面よりわ
ずかに突出する位置に配置されている。なお、接続端子
３２，３４，３６．３８が平坦部３１ａの表面と面一の
場合には、表面波素子２０の伝播路が接触しないように
、平坦部３１ａに凹部を設けておくとよい。各接続端子
は樹脂部分３１の内部を通って３１の下面から側方に外
部接続用端子３３，３５，３７．３９としてそれぞれ導
き出されている。
表面波素子２０は圧電基板２１の表面（第１図において
は下面）に入カドランスデューサおよび出カドランスデ
ューサ等の電極と信号入出力用の端子電極が形成されて
いる。第３図は表面波素子２０の表面に形成されている
各種電極の形状を示す平面図である。図において２６は
人カドランスデューサや出カドランスデューサ等を構成
するインターディジタル電極を概略的に示し、２２〜２
５は信号入出力用端子電極を示している。この端子電極
はウェハーの段階でＡＮ電極上にＮｉ、Ａｇの蒸着およ
び半田ペーストｄ印刷等により形成されている。なお、
表面波素子の裏面には好ましくはシールド用電極膜が全
面に形成されている。
は下面）に入カドランスデューサおよび出カドランスデ
ューサ等の電極と信号入出力用の端子電極が形成されて
いる。第３図は表面波素子２０の表面に形成されている
各種電極の形状を示す平面図である。図において２６は
人カドランスデューサや出カドランスデューサ等を構成
するインターディジタル電極を概略的に示し、２２〜２
５は信号入出力用端子電極を示している。この端子電極
はウェハーの段階でＡＮ電極上にＮｉ、Ａｇの蒸着およ
び半田ペーストｄ印刷等により形成されている。なお、
表面波素子の裏面には好ましくはシールド用電極膜が全
面に形成されている。
第１図に示したように基台の中央部に対して電極面を下
にして表面波素子２０を載置することにより、端子電極
２２，２３，２４．２５はそれぞれ接続端子３４，３２
．３８．３６に対向し、後述する方法により接続される
。
にして表面波素子２０を載置することにより、端子電極
２２，２３，２４．２５はそれぞれ接続端子３４，３２
．３８．３６に対向し、後述する方法により接続される
。
第１図においてＭｌｏは樹脂製の枠部１）と１枚の金属
板１２．１３．１４の一体成形体から構成され、金属板
の一部１３．１４は枠部１）の両側面にアース端子とし
て突出している。
板１２．１３．１４の一体成形体から構成され、金属板
の一部１３．１４は枠部１）の両側面にアース端子とし
て突出している。
Ｍｌｏは、その枠部１）の底面に接着剤を塗布し、表面
波素子２０が固定された基台３０に対して被せることに
より嵌合および接着を行う。その後第２図に示すように
各外部接続用端子３３．３５．３７．３９％それぞれ９
０度上方に折り曲げるとともに、アース端子１３．１４
を基台の側面に沿わせて折り曲げ、更にその先端を基台
の底面に折り曲げ加工する。このようにしてパッケージ
の側面および底面に外部接続用端子およびアース端子が
露出されたチップ型の表面波装置が構成される。
波素子２０が固定された基台３０に対して被せることに
より嵌合および接着を行う。その後第２図に示すように
各外部接続用端子３３．３５．３７．３９％それぞれ９
０度上方に折り曲げるとともに、アース端子１３．１４
を基台の側面に沿わせて折り曲げ、更にその先端を基台
の底面に折り曲げ加工する。このようにしてパッケージ
の側面および底面に外部接続用端子およびアース端子が
露出されたチップ型の表面波装置が構成される。
第４図（Ａ）〜（Ｅ）は上記蓋１０の構造を示す図であ
り、第４図（Ａ）は蓋１０の上面図、（Ｂ）は正面図、
（Ｃ）は中央正面断面図、（Ｄ）は側面図、および（Ｅ
）は中央側面断面図 をそれぞれ示している０図から明
らかなように蓋１０は樹脂からなる枠部１）と１枚の金
属板１２，１３．１４との一体成形体からなり、金属板
１２の周囲は絞り加工され、枠体１）の中央部に埋めこ
まれている。従って枠部１）は金属板によって補強され
、剛性の高い蓋を構成している。金属板１２の下方には
さらに板バネ片１５が折り曲げ加工されていて、この蓋
が基台に接合されたとき、板バネ片１５が表面波素子の
背面を押圧することになる。
り、第４図（Ａ）は蓋１０の上面図、（Ｂ）は正面図、
（Ｃ）は中央正面断面図、（Ｄ）は側面図、および（Ｅ
）は中央側面断面図 をそれぞれ示している０図から明
らかなように蓋１０は樹脂からなる枠部１）と１枚の金
属板１２，１３．１４との一体成形体からなり、金属板
１２の周囲は絞り加工され、枠体１）の中央部に埋めこ
まれている。従って枠部１）は金属板によって補強され
、剛性の高い蓋を構成している。金属板１２の下方には
さらに板バネ片１５が折り曲げ加工されていて、この蓋
が基台に接合されたとき、板バネ片１５が表面波素子の
背面を押圧することになる。
第５図（Ａ）〜（Ｄ）は上記基台３０の製造途中の状態
を示す図であり、第５図（Ａ）は基台３０の製造途中に
おける上面図、（Ｂ）は正面図、（Ｃ）は側面図、およ
び（Ｄ）は中央側面断面図をそれぞれ示している。同図
（Ａ）において４１〜４６は一体化されたリードフレー
ムを示し、ＦｌおよびＦ２間に支持されている。フレー
ム４１．４２間には幅の狭い半円形のパターン３６ｂお
よびこの半円形のパターンから突出された突出部３６ａ
からなる接続端子が構成されている。同様にリードフレ
ーム４２．４３間には接続端子３２ａ、３２ｂが、リー
ドフレーム４４．４５間には接続端子３８ａ、３８ｂが
、リードフレーム４５．４６間には接続端子３４ａ、３
４ｂがそれぞれ形成されている。このように形成された
リードフレームのＦｌ、Ｆ２間に通電することにより、
幅の狭い半円形パターン部３２ｂ、３４ｂ、３６ｂ、３
８ｂがそれぞれジェール熱により発熱し、これに伴い接
続端子の突出部３２ａ、３４ａ、３６ａ、３８ａがそれ
ぞれ加熱される。なお、突出部３２ａ、３４ａ、３６ａ
、３８ａは必ずしも必須ではなく、幅の狭い半円形パタ
ーン部のみでもよく、要は、部分的に抵抗値の高い発熱
部を形成すればよい。
を示す図であり、第５図（Ａ）は基台３０の製造途中に
おける上面図、（Ｂ）は正面図、（Ｃ）は側面図、およ
び（Ｄ）は中央側面断面図をそれぞれ示している。同図
（Ａ）において４１〜４６は一体化されたリードフレー
ムを示し、ＦｌおよびＦ２間に支持されている。フレー
ム４１．４２間には幅の狭い半円形のパターン３６ｂお
よびこの半円形のパターンから突出された突出部３６ａ
からなる接続端子が構成されている。同様にリードフレ
ーム４２．４３間には接続端子３２ａ、３２ｂが、リー
ドフレーム４４．４５間には接続端子３８ａ、３８ｂが
、リードフレーム４５．４６間には接続端子３４ａ、３
４ｂがそれぞれ形成されている。このように形成された
リードフレームのＦｌ、Ｆ２間に通電することにより、
幅の狭い半円形パターン部３２ｂ、３４ｂ、３６ｂ、３
８ｂがそれぞれジェール熱により発熱し、これに伴い接
続端子の突出部３２ａ、３４ａ、３６ａ、３８ａがそれ
ぞれ加熱される。なお、突出部３２ａ、３４ａ、３６ａ
、３８ａは必ずしも必須ではなく、幅の狭い半円形パタ
ーン部のみでもよく、要は、部分的に抵抗値の高い発熱
部を形成すればよい。
同図（Ａ）において３１はリードフレーム４１〜４６と
樹脂一体成形された樹脂部分を示し、同図ＣＢ）および
（Ｄ）に示すように各接続端子の半円形パターン部およ
び突出部は樹脂部分３１の上面かられずかに浮き上がっ
た位置に配置されるように予めプレス加工されている。
樹脂一体成形された樹脂部分を示し、同図ＣＢ）および
（Ｄ）に示すように各接続端子の半円形パターン部およ
び突出部は樹脂部分３１の上面かられずかに浮き上がっ
た位置に配置されるように予めプレス加工されている。
第５図に示した状態で各接続端子の突出部に表面波素子
の端子電極が対向するように位置合わせし固定した状態
で、Ｆｌ、Ｆ２間に通電することにより、接続端子の突
出部３２ａ、３４ａ、３６ａ、３８ａ間が加熱され、こ
の熱により表面波素子の各端子電極表面に付着されてい
る半田ペーストが溶融してそれぞれ半田メッキの施され
ている接続端子３２，３４．３６．３８に半田付けが行
われる。この際、ｐ＋、ｐｇ間に通電して半円形パター
ン部３２ｂ、３４ｂ、３６ｂ、３８ｂを発熱させるが、
この半円形パターン部が樹脂部分３１の上面かられずか
に浮き上がった位置に配置されるので、発熱により樹脂
部分３１が溶けるということはない。その後基台上に前
述の蓋１０を接合し、第５図（Ａ）に示した切断線Ｃに
沿ってリードフレームを切断することにより、必要な外
部接続用端子のみ側方から突出した表面波装置が形成さ
れる。
の端子電極が対向するように位置合わせし固定した状態
で、Ｆｌ、Ｆ２間に通電することにより、接続端子の突
出部３２ａ、３４ａ、３６ａ、３８ａ間が加熱され、こ
の熱により表面波素子の各端子電極表面に付着されてい
る半田ペーストが溶融してそれぞれ半田メッキの施され
ている接続端子３２，３４．３６．３８に半田付けが行
われる。この際、ｐ＋、ｐｇ間に通電して半円形パター
ン部３２ｂ、３４ｂ、３６ｂ、３８ｂを発熱させるが、
この半円形パターン部が樹脂部分３１の上面かられずか
に浮き上がった位置に配置されるので、発熱により樹脂
部分３１が溶けるということはない。その後基台上に前
述の蓋１０を接合し、第５図（Ａ）に示した切断線Ｃに
沿ってリードフレームを切断することにより、必要な外
部接続用端子のみ側方から突出した表面波装置が形成さ
れる。
第６図は以上のようにして構成された表面波装置の側面
断面図、第７図は正面断面図である。第６図に示すよう
に外部接続用端子３３．３５等は基台３０の上下面に露
出され、表面波素子２０の端子電極が基台上面の露出部
に対向してフェイスダウンボンディングされたため、表
面波素子の各端子電極は基台の下面に導き出される。な
お、外部接続用端子３３．３・５等は、基台の側面から
外方へ導き出し、基台の側面から下面にわたって折り曲
げるようにしてもよい。また、両図に示すように、基台
の段部３１ｂには蓋の枠部１）の底面が接して基台３０
と蓋１０が嵌合および接着される。このときの接着時の
熱により、あるいは部品の完成後回路基板に対する半田
付は時の熱により密閉されたパッケージの空気が膨張す
るが、蓋１０の一部を構成する金属板１２が湾曲するこ
とにより、その圧力が低減され、基台と蓋との接着面に
過大な応力が加わらず、密閉性が保たれる。更に、板バ
ネ片１５が表面波素子２０の背面を押下するため、たと
えば回路基板実装時に表面波素子の端子電極と基台上の
接続端子との接続部の半田が溶融したとしても、あるい
は表面波装置全体に機械的衝撃が加わったとしても、表
面波素子が基台との間で確実に保持される。しかも表面
波素子の裏面（背面）にシールド電極を形成した場合に
は、この板バネ片１５を介してシールド電極がアース端
子まで導かれるため、金属板１２とともにシールドが行
われる。
断面図、第７図は正面断面図である。第６図に示すよう
に外部接続用端子３３．３５等は基台３０の上下面に露
出され、表面波素子２０の端子電極が基台上面の露出部
に対向してフェイスダウンボンディングされたため、表
面波素子の各端子電極は基台の下面に導き出される。な
お、外部接続用端子３３．３・５等は、基台の側面から
外方へ導き出し、基台の側面から下面にわたって折り曲
げるようにしてもよい。また、両図に示すように、基台
の段部３１ｂには蓋の枠部１）の底面が接して基台３０
と蓋１０が嵌合および接着される。このときの接着時の
熱により、あるいは部品の完成後回路基板に対する半田
付は時の熱により密閉されたパッケージの空気が膨張す
るが、蓋１０の一部を構成する金属板１２が湾曲するこ
とにより、その圧力が低減され、基台と蓋との接着面に
過大な応力が加わらず、密閉性が保たれる。更に、板バ
ネ片１５が表面波素子２０の背面を押下するため、たと
えば回路基板実装時に表面波素子の端子電極と基台上の
接続端子との接続部の半田が溶融したとしても、あるい
は表面波装置全体に機械的衝撃が加わったとしても、表
面波素子が基台との間で確実に保持される。しかも表面
波素子の裏面（背面）にシールド電極を形成した場合に
は、この板バネ片１５を介してシールド電極がアース端
子まで導かれるため、金属板１２とともにシールドが行
われる。
（ｇ１発明の効果
以上のようにこの発明によれば、表面波素子のウェハ製
造時、例えば圧電セラミクスの焼結の際生じる表面波素
子のソリが外部接続用端子の基台上の先端部により吸収
され、表面波素子の全ての端子電極と確実に接続するこ
とができる。これにより機械的衝撃や熱的衝撃に対する
強度が高まり、信頼性の高い表面波装置が構成される。
造時、例えば圧電セラミクスの焼結の際生じる表面波素
子のソリが外部接続用端子の基台上の先端部により吸収
され、表面波素子の全ての端子電極と確実に接続するこ
とができる。これにより機械的衝撃や熱的衝撃に対する
強度が高まり、信頼性の高い表面波装置が構成される。
第１図はこの発明の実施例である表面波装置の構造を表
す分解斜視図、第２図は完成された表面ｍ装置の外観を
表す斜視図、第３図は組み込まれる表面波素子の表面の
電極パターンを表す平面図、第４図（Ａ ）〜（Ｅ）は
蓋の構成を表す図、第５図（Ａ）〜（Ｄ）は基台の構成
を表す図、第６図および第７図は基台に蓋を接合した状
態における断面図、第８図は従来の表面波装置の構造を
表す断面図である。 １０−蓋、１）−枠部、 １２〜１４−金属板、 ２〇−表面波素子、２２〜２５一端子電極、３０−基台
、３１ｂ一段部、 ３２．３４．３６．３８−接続端子、 ３３．３５，３７．３９−外部接続用端子。
す分解斜視図、第２図は完成された表面ｍ装置の外観を
表す斜視図、第３図は組み込まれる表面波素子の表面の
電極パターンを表す平面図、第４図（Ａ ）〜（Ｅ）は
蓋の構成を表す図、第５図（Ａ）〜（Ｄ）は基台の構成
を表す図、第６図および第７図は基台に蓋を接合した状
態における断面図、第８図は従来の表面波装置の構造を
表す断面図である。 １０−蓋、１）−枠部、 １２〜１４−金属板、 ２〇−表面波素子、２２〜２５一端子電極、３０−基台
、３１ｂ一段部、 ３２．３４．３６．３８−接続端子、 ３３．３５，３７．３９−外部接続用端子。
Claims (1)
- （１）外部接続用端子が一体成形された樹脂製基台に表
面波素子が固定され、この基台に対して蓋が接合された
表面波装置において、 上記外部接続用端子は、表面波素子の端子電極と接続さ
れる先端部が上記基台の上面から浮き上がった位置に配
置され、表面波素子の端子電極が上記先端部に対向して
フェイスダウンボンディングされたことを特徴とする表
面波装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62098318A JPS63263809A (ja) | 1987-04-21 | 1987-04-21 | 表面波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62098318A JPS63263809A (ja) | 1987-04-21 | 1987-04-21 | 表面波装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63263809A true JPS63263809A (ja) | 1988-10-31 |
Family
ID=14216564
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62098318A Pending JPS63263809A (ja) | 1987-04-21 | 1987-04-21 | 表面波装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63263809A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0465909A (ja) * | 1990-07-02 | 1992-03-02 | Japan Radio Co Ltd | 表面弾性波装置 |
| US5095240A (en) * | 1989-11-13 | 1992-03-10 | X-Cyte, Inc. | Inductively coupled saw device and method for making the same |
| EP1313218A1 (en) * | 2000-08-21 | 2003-05-21 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave filter device |
-
1987
- 1987-04-21 JP JP62098318A patent/JPS63263809A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5095240A (en) * | 1989-11-13 | 1992-03-10 | X-Cyte, Inc. | Inductively coupled saw device and method for making the same |
| JPH0465909A (ja) * | 1990-07-02 | 1992-03-02 | Japan Radio Co Ltd | 表面弾性波装置 |
| EP1313218A1 (en) * | 2000-08-21 | 2003-05-21 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave filter device |
| EP1313218A4 (en) * | 2000-08-21 | 2009-08-05 | Murata Manufacturing Co | SURFACE ACOUSTIC WAVE FILTRATION DEVICE |
| EP2284998A3 (en) * | 2000-08-21 | 2011-03-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave filter device |
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