JPS63261911A - 表面波装置 - Google Patents
表面波装置Info
- Publication number
- JPS63261911A JPS63261911A JP9597187A JP9597187A JPS63261911A JP S63261911 A JPS63261911 A JP S63261911A JP 9597187 A JP9597187 A JP 9597187A JP 9597187 A JP9597187 A JP 9597187A JP S63261911 A JPS63261911 A JP S63261911A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- base
- lid
- wave element
- surface wave
- wave device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 13
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 13
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 11
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 11
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract 1
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 241000271566 Aves Species 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(al産業上の利用分野
この発明は、樹脂パッケージを用いた表面波装置に関す
る。
る。
(b)従来の技術
圧電基板の表面に入カドランスデューサと出カドランス
デューサを設け、これらのトランスデユーサ間で表面波
が伝播する表面波素子をパッケージ化する際、樹脂製の
ケースを用いた表面波装置が開発されている。
デューサを設け、これらのトランスデユーサ間で表面波
が伝播する表面波素子をパッケージ化する際、樹脂製の
ケースを用いた表面波装置が開発されている。
第8図はこの種の表面波装置の構成を示すもので、図に
おいて20は表面波素子を表し、表面に入カドランスデ
ューサ、出カドランスデューサおよび端子電極等が形成
されている。61は外部接続用入出力端子51.52等
をそれぞれ樹脂一体成形したケースで、このケース61
には表面波素子20を収納するための空間が設けられて
いる。
おいて20は表面波素子を表し、表面に入カドランスデ
ューサ、出カドランスデューサおよび端子電極等が形成
されている。61は外部接続用入出力端子51.52等
をそれぞれ樹脂一体成形したケースで、このケース61
には表面波素子20を収納するための空間が設けられて
いる。
表面波素子20の表面に形成されている端子電極と外部
接続用端子との間はワイヤ23.24によってワイヤボ
ンディングされている。62は表面波素子20を収納し
たケース61の開口面を閉塞する蓋で、このM62はケ
ース61に接着または?8着されている。
接続用端子との間はワイヤ23.24によってワイヤボ
ンディングされている。62は表面波素子20を収納し
たケース61の開口面を閉塞する蓋で、このM62はケ
ース61に接着または?8着されている。
tc)発明が解決しようとする問題点
このように構成された従来の表面波装置においては、ケ
ース61と162とを接合する際、蓋62の周囲または
ケース61の開口部の端面に接着剤を塗布し、位置合ね
せを行った後苫を接着する必要がある。蓋側に接着剤を
塗布する方法では、必要な接合部にのみ塗布することが
困難であり、そのため接合の際、接着剤がケース61の
内部に流れ落ちるというおそれがある。また、ケース側
に接着剤を塗布する場合でも既に表面波素子がボンディ
ングされている状態で行うため、その取扱が容易ではな
い。
ース61と162とを接合する際、蓋62の周囲または
ケース61の開口部の端面に接着剤を塗布し、位置合ね
せを行った後苫を接着する必要がある。蓋側に接着剤を
塗布する方法では、必要な接合部にのみ塗布することが
困難であり、そのため接合の際、接着剤がケース61の
内部に流れ落ちるというおそれがある。また、ケース側
に接着剤を塗布する場合でも既に表面波素子がボンディ
ングされている状態で行うため、その取扱が容易ではな
い。
この発明の口約は、このような従来の問題点を解消して
、表面波素子を容易に樹脂封入することのできる表面波
装置を提供することにある。
、表面波素子を容易に樹脂封入することのできる表面波
装置を提供することにある。
(d)問題点を解決するための手段
この発明の表面波装置は、絶縁性基台に表面波素子が固
定され、この基台に対して蓋が接合された表面波装置に
おいて、 上記蓋は内側に凹状の空洞部を備え、上記基台は中央部
に表面波素子が載置される略平坦部と、周辺部に上記蓋
の周囲に接する段部が形成され、接着剤によりこの段部
で蓋と基台を接合したことを特徴としている。
定され、この基台に対して蓋が接合された表面波装置に
おいて、 上記蓋は内側に凹状の空洞部を備え、上記基台は中央部
に表面波素子が載置される略平坦部と、周辺部に上記蓋
の周囲に接する段部が形成され、接着剤によりこの段部
で蓋と基台を接合したことを特徴としている。
(e)作用
この発明の表面波装置においては、表面波素子を封入す
るパッケージが基台とこの基台上を覆う蓋から構成され
、盈は内側に凹状の空洞部が備えられ、一方基台は中央
部に表面波素子が載置される略平坦部と、周辺部に蓋の
周囲に接する段部が成形されている。この基台に蓋を接
合する際、上記段部で接着剤により接合される。このよ
うに蓋と基台は基台に形成された段部により容易に位置
合わせすることができ、蓋の開口部の端面に接着剤を塗
布することにより上記問題が解消される。
るパッケージが基台とこの基台上を覆う蓋から構成され
、盈は内側に凹状の空洞部が備えられ、一方基台は中央
部に表面波素子が載置される略平坦部と、周辺部に蓋の
周囲に接する段部が成形されている。この基台に蓋を接
合する際、上記段部で接着剤により接合される。このよ
うに蓋と基台は基台に形成された段部により容易に位置
合わせすることができ、蓋の開口部の端面に接着剤を塗
布することにより上記問題が解消される。
(f)実施例
第1図はこの発明の実施例である表面波装置の構造を表
す分解斜視図、第2図は組み立てられた表面波装置の外
観を表す斜視図である。第1図において30は基台、2
0は表面波素子、10は盈をそれ・ぞれ表している。基
台30は中央部に表面波素子が載置される略平坦部31
aを有し、周辺部に後述する芒の枠部と嵌合する段部3
1bが形成されている。中央部の平坦部には表面波素子
20に形成されている端子電極と接続される4つの接続
端子32,34,36.38が平坦部31aの表面より
わずかに突出する位置に配置されている。各接続端子は
樹脂部分31の内部を通って31の下面から側方に外部
接続用端子33,35゜37.39としてそれぞれ導き
出されている。
す分解斜視図、第2図は組み立てられた表面波装置の外
観を表す斜視図である。第1図において30は基台、2
0は表面波素子、10は盈をそれ・ぞれ表している。基
台30は中央部に表面波素子が載置される略平坦部31
aを有し、周辺部に後述する芒の枠部と嵌合する段部3
1bが形成されている。中央部の平坦部には表面波素子
20に形成されている端子電極と接続される4つの接続
端子32,34,36.38が平坦部31aの表面より
わずかに突出する位置に配置されている。各接続端子は
樹脂部分31の内部を通って31の下面から側方に外部
接続用端子33,35゜37.39としてそれぞれ導き
出されている。
表面波素子20は圧電基板21の表面(第1図において
は下面)に入カドランスデューサおよび出カドランスデ
ューサ等の電極と信号入出力用の端子電極が形成されて
いる。第3図は表面波素子20の表面に形成されている
各種電極の形状を表す平面図である。図において26は
入カドランスデューサや出カドランスデューサ等を構成
するインターディジタル電極を表し、22〜25は信号
入出力用端子電極を表している。この端子電極はウェハ
ーの段階でAβ電極上にNi、Agの蒸着および半田ペ
ーストの印刷により形成されている。なお、表面波素子
の裏面には好ましくはシールド用電極膜が全面に形成さ
れている。第1図に示したように基台の中央部に対して
電極面を下にして表面波素子20を載置することにより
、端子電極22.23,24.25はそれぞれ接続端子
34.32,38.36に対向して、後述する方法によ
り接続される。
は下面)に入カドランスデューサおよび出カドランスデ
ューサ等の電極と信号入出力用の端子電極が形成されて
いる。第3図は表面波素子20の表面に形成されている
各種電極の形状を表す平面図である。図において26は
入カドランスデューサや出カドランスデューサ等を構成
するインターディジタル電極を表し、22〜25は信号
入出力用端子電極を表している。この端子電極はウェハ
ーの段階でAβ電極上にNi、Agの蒸着および半田ペ
ーストの印刷により形成されている。なお、表面波素子
の裏面には好ましくはシールド用電極膜が全面に形成さ
れている。第1図に示したように基台の中央部に対して
電極面を下にして表面波素子20を載置することにより
、端子電極22.23,24.25はそれぞれ接続端子
34.32,38.36に対向して、後述する方法によ
り接続される。
第1図において蓋10は樹脂製の枠部11と金属板12
.13.14の一体成形体から構成され、金属板の一部
13.14は枠部11の両側面にアース端子として突出
している。尚、金属板12の上面の一端には枠部11か
ら突出された突出部11aが形成されていて、組み立て
られた後、表面波装置の向きを表す。
.13.14の一体成形体から構成され、金属板の一部
13.14は枠部11の両側面にアース端子として突出
している。尚、金属板12の上面の一端には枠部11か
ら突出された突出部11aが形成されていて、組み立て
られた後、表面波装置の向きを表す。
蓋10の枠部11の底面に接着剤を塗布し、表面波素子
20が固定された基台30に対して被せることにより嵌
合および接着を行う。その後第2図に示すように各外部
接続用端子33,35.37.39をそれぞれ90度上
方に折り曲げるとともに、アース端子13.14を基台
の側面に沿わせて折り曲げ、更にその先端を基台の底面
に折り曲げ加工する。このようにしてパンケージの側面
および底面に外部接続用端子およびアース端子が露出さ
れたチップ型の表面波装置が構成される。
20が固定された基台30に対して被せることにより嵌
合および接着を行う。その後第2図に示すように各外部
接続用端子33,35.37.39をそれぞれ90度上
方に折り曲げるとともに、アース端子13.14を基台
の側面に沿わせて折り曲げ、更にその先端を基台の底面
に折り曲げ加工する。このようにしてパンケージの側面
および底面に外部接続用端子およびアース端子が露出さ
れたチップ型の表面波装置が構成される。
第4図(A)〜(E)は上記M10の構造を表す図であ
り、第4図(A)は蓋10の上面図、(B)は正面図、
(C)は中央正面断面図、(D)は側面図、および(E
)は中央側面断面図 をそれぞれ表している。図から明
らかなように苫10はril脂からなる枠部11と金属
板12,13.14との一体成形体からなり、金属板1
2の周囲は絞り加工され、枠体11の中央部に埋めこま
れている。従って枠部11は金属板によって補強され、
トリ性の高い苫を構成している。金属板12の下方には
さらに板バネ片15が折り曲げ加工されていて、この蓋
が基台に接合されたとき、板バネ片15が表面波素子の
背面を押圧することになる。
り、第4図(A)は蓋10の上面図、(B)は正面図、
(C)は中央正面断面図、(D)は側面図、および(E
)は中央側面断面図 をそれぞれ表している。図から明
らかなように苫10はril脂からなる枠部11と金属
板12,13.14との一体成形体からなり、金属板1
2の周囲は絞り加工され、枠体11の中央部に埋めこま
れている。従って枠部11は金属板によって補強され、
トリ性の高い苫を構成している。金属板12の下方には
さらに板バネ片15が折り曲げ加工されていて、この蓋
が基台に接合されたとき、板バネ片15が表面波素子の
背面を押圧することになる。
第5図(A)〜(D)は上記基台30の製造途中の状態
を表す図であり、第5図(A)は基台30の製造途中に
おける上面図、(B)は正面図、(C)は側面図、およ
び(D)は中央側面断面図をそれぞれ表している。同図
(A)において41〜46は一体化されたリードフレー
ムを表し、FlおよびF2間に支持されている。フレー
ム41.42間には幅の狭い半円形のパターン36bお
よびこの半円形のパターンから突出された突出部36a
からなる接続端子が構成されている。同様にリードフレ
ーム42.43間には接続端子32a、32bが、リー
ドフレーム44.45間には接続端子38a、38bが
、リードフレーム45.46間には接続端子34a、3
4bがそれぞれ形成されている。このように形成された
リードフレームのFl、F2間に通電することにより、
幅の狭い半円形パターン部32b、34b、36b、3
8bがそれぞれジュール熱により発熱し、これに伴い接
続端子の突出部32a、34a、36a、38aがそれ
ぞれ加熱される。
を表す図であり、第5図(A)は基台30の製造途中に
おける上面図、(B)は正面図、(C)は側面図、およ
び(D)は中央側面断面図をそれぞれ表している。同図
(A)において41〜46は一体化されたリードフレー
ムを表し、FlおよびF2間に支持されている。フレー
ム41.42間には幅の狭い半円形のパターン36bお
よびこの半円形のパターンから突出された突出部36a
からなる接続端子が構成されている。同様にリードフレ
ーム42.43間には接続端子32a、32bが、リー
ドフレーム44.45間には接続端子38a、38bが
、リードフレーム45.46間には接続端子34a、3
4bがそれぞれ形成されている。このように形成された
リードフレームのFl、F2間に通電することにより、
幅の狭い半円形パターン部32b、34b、36b、3
8bがそれぞれジュール熱により発熱し、これに伴い接
続端子の突出部32a、34a、36a、38aがそれ
ぞれ加熱される。
同図(A)において31はリードフレーム41〜46と
樹脂一体成形された樹脂部分を表し、同図(B)および
(D)に示すように各接続端子の半円形パターン部およ
び突出部は樹脂部分31の上面かられずかに浮き上がっ
た位置に配置されるように予めプレス加工されている。
樹脂一体成形された樹脂部分を表し、同図(B)および
(D)に示すように各接続端子の半円形パターン部およ
び突出部は樹脂部分31の上面かられずかに浮き上がっ
た位置に配置されるように予めプレス加工されている。
第5図に示した状態で各接続端子の突出部に表面波素子
の端子電極が対向するように位置合わせし固定した状態
で、Fl、F2間に通電することにより、接続端子の突
出部32a、34a、36a、38a間の表面に付着さ
れている半田ペース1−が溶融し、これとともに表面波
素子の各端子電極表面に付着されている半田ペーストが
溶融してそれぞれ半田付けが行われる。その後基台上に
前述のril 0を接合し、第5図(A)に示した切断
線Cに沿ってリードフレームを切断することにより、必
要な外部接続用端子のみ側方から突出した表面波装置が
形成される。
の端子電極が対向するように位置合わせし固定した状態
で、Fl、F2間に通電することにより、接続端子の突
出部32a、34a、36a、38a間の表面に付着さ
れている半田ペース1−が溶融し、これとともに表面波
素子の各端子電極表面に付着されている半田ペーストが
溶融してそれぞれ半田付けが行われる。その後基台上に
前述のril 0を接合し、第5図(A)に示した切断
線Cに沿ってリードフレームを切断することにより、必
要な外部接続用端子のみ側方から突出した表面波装置が
形成される。
第6図は以上のようにして構成された表面波装置の側面
断面図、第7図は正面断面図である。第6図に示すよう
に外部接続用端子33.35等は基台30の上下面に露
出され、表面波素子20の端子電極が基台上面の露出部
に対向してフェイスダウンボンディングされたため、表
面波素子の各端子電極は基台の下面に導き出される。ま
た、両図に示すように、基台の段部31bには蓋の枠部
11の底面が接して基台30とMloが嵌合および接着
される。このときの接着時の熱により、あるいは部品の
完成後回路基板に対する半田付は時の熱により密閉され
たパンケージの空気が膨張するが、蓋10の一部を構成
する金属板12が湾曲することにより、その圧力が低減
され、基台と苫との接着面に過大な応力が加わらず、密
閉性が保たれる。更に、仮バネ片15が表面波素子20
の背面を押下するため、たとえば回路基板実装時に表面
波素子の端子電極と基台上の接続端子との接続部の半田
が溶融したとしても、あるいは表面波装置全体に機械的
衝撃が加わったとしても、表面波素子が基台との間で確
実に保持される。しかもこの仮バネ片15を介して表面
波素子の裏面(背面)に形成されたシールド電極がアー
ス端子まで導かれるため、金属板12とともにシールド
が行われる。
断面図、第7図は正面断面図である。第6図に示すよう
に外部接続用端子33.35等は基台30の上下面に露
出され、表面波素子20の端子電極が基台上面の露出部
に対向してフェイスダウンボンディングされたため、表
面波素子の各端子電極は基台の下面に導き出される。ま
た、両図に示すように、基台の段部31bには蓋の枠部
11の底面が接して基台30とMloが嵌合および接着
される。このときの接着時の熱により、あるいは部品の
完成後回路基板に対する半田付は時の熱により密閉され
たパンケージの空気が膨張するが、蓋10の一部を構成
する金属板12が湾曲することにより、その圧力が低減
され、基台と苫との接着面に過大な応力が加わらず、密
閉性が保たれる。更に、仮バネ片15が表面波素子20
の背面を押下するため、たとえば回路基板実装時に表面
波素子の端子電極と基台上の接続端子との接続部の半田
が溶融したとしても、あるいは表面波装置全体に機械的
衝撃が加わったとしても、表面波素子が基台との間で確
実に保持される。しかもこの仮バネ片15を介して表面
波素子の裏面(背面)に形成されたシールド電極がアー
ス端子まで導かれるため、金属板12とともにシールド
が行われる。
(g)発明の効果
以上のようにこの発明によれば、蓋の開口端面への接着
剤の塗布ならびに基台と蓋との位置合わせが容易で、基
台と蓋との接合を容易に行うことができ、しかも基台の
段部の存在により、接着剤が表面波素子側にはみ出すこ
とがなく、信頼性の高い表面波装置を提供することがで
きる。
剤の塗布ならびに基台と蓋との位置合わせが容易で、基
台と蓋との接合を容易に行うことができ、しかも基台の
段部の存在により、接着剤が表面波素子側にはみ出すこ
とがなく、信頼性の高い表面波装置を提供することがで
きる。
第1図はこの発明の実施例である表面被装rの構造を表
す分解斜視図、第2図は完成された表面波装置の外観を
表す斜視図、第3図は組み込まれる表面波素子の表面の
電極パターンを表す平面図、第4図(A)〜(E)は蓋
の構成を表す図、第5図(A)〜(D)は基台の構成を
表す図、第6図および第7図は基台に蓋を接合した状態
における断面図、第8図は従来の表面波装置の構造を表
す断面図である。 10−蓋、11−枠部、 12〜14−金属板、 2〇−表面波素子、22〜25一端子電極、3〇−基台
、31b一段部、 32.34,36.38−接続端子、 33.35,37.39−外部接続用端子。
す分解斜視図、第2図は完成された表面波装置の外観を
表す斜視図、第3図は組み込まれる表面波素子の表面の
電極パターンを表す平面図、第4図(A)〜(E)は蓋
の構成を表す図、第5図(A)〜(D)は基台の構成を
表す図、第6図および第7図は基台に蓋を接合した状態
における断面図、第8図は従来の表面波装置の構造を表
す断面図である。 10−蓋、11−枠部、 12〜14−金属板、 2〇−表面波素子、22〜25一端子電極、3〇−基台
、31b一段部、 32.34,36.38−接続端子、 33.35,37.39−外部接続用端子。
Claims (1)
- (1)絶縁性基台に表面波素子が固定され、この基台に
対して蓋が接合された表面波装置において上記蓋は内側
に凹状の空洞部を備え、上記基台は中央部に表面波素子
が載置される略平坦部と、周辺部に上記蓋の周囲に接す
る段部が形成され、接着剤によりこの段部で蓋と基台を
接合したことを特徴とする表面波装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9597187A JPS63261911A (ja) | 1987-04-17 | 1987-04-17 | 表面波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9597187A JPS63261911A (ja) | 1987-04-17 | 1987-04-17 | 表面波装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63261911A true JPS63261911A (ja) | 1988-10-28 |
Family
ID=14152070
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9597187A Pending JPS63261911A (ja) | 1987-04-17 | 1987-04-17 | 表面波装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63261911A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10183557B2 (en) | 2015-09-22 | 2019-01-22 | Faraday & Future Inc. | Dimmable sunvisor |
-
1987
- 1987-04-17 JP JP9597187A patent/JPS63261911A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10183557B2 (en) | 2015-09-22 | 2019-01-22 | Faraday & Future Inc. | Dimmable sunvisor |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2872056B2 (ja) | 弾性表面波デバイス | |
US5939817A (en) | Surface acoustic wave device | |
JP2001094390A (ja) | 弾性表面波デバイスおよびその製造方法 | |
US5545849A (en) | Electronic component device and its manufacturing method | |
JPH07503102A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JPS63261911A (ja) | 表面波装置 | |
JPS63263810A (ja) | 表面波装置 | |
JPS63263809A (ja) | 表面波装置 | |
JP3546506B2 (ja) | 電子部品およびその製造方法 | |
JP2002084159A (ja) | 表面実装型圧電振動子 | |
JP2000124767A (ja) | Sawフィルタチップの基板実装方法及びsawフィルタチップ | |
JP2000353934A (ja) | 弾性表面波装置 | |
JPH104152A (ja) | 電子部品 | |
JPH04293311A (ja) | 弾性表面波装置 | |
JPS63263812A (ja) | 表面波装置 | |
JPS63263814A (ja) | 表面波装置の製造方法 | |
JPS63261909A (ja) | 表面波装置 | |
JPS63263811A (ja) | 表面波装置 | |
JPH09191058A (ja) | 表面実装型容器 | |
JPH0296799A (ja) | 圧電ブザーとその製造方法 | |
JPH08191181A (ja) | 電子部品の製造方法及び電子部品 | |
JPS63229905A (ja) | 圧電チツプ部品 | |
JPS63261910A (ja) | 表面波装置 | |
JPH1155068A (ja) | 固体素子デバイス | |
JPS605630Y2 (ja) | 弾性表面波装置 |