JPS63263812A - 表面波装置 - Google Patents
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- JPS63263812A JPS63263812A JP62098321A JP9832187A JPS63263812A JP S63263812 A JPS63263812 A JP S63263812A JP 62098321 A JP62098321 A JP 62098321A JP 9832187 A JP9832187 A JP 9832187A JP S63263812 A JPS63263812 A JP S63263812A
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/71—Means for bonding not being attached to, or not being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/72—Detachable connecting means consisting of mechanical auxiliary parts connecting the device, e.g. pressure contacts using springs or clips
-
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（２ｋ）産業上の利用分野
この発明は、絶縁性材料からなるパッケージに表面波素
子を封入した表面波装置に関する。
子を封入した表面波装置に関する。
偽）従来の技術
圧電基板の表面に入カドランスデューサと出カドランス
デューサを設け、これらのトランスデューサ間で表面波
が伝播する表面波素子をパッケージ化する際、樹脂製の
ケースを用いた表面波装置が開発されている。
デューサを設け、これらのトランスデューサ間で表面波
が伝播する表面波素子をパッケージ化する際、樹脂製の
ケースを用いた表面波装置が開発されている。
第８図はこの種の表面波装置の構成を示すもので、図に
おいて２０は表面波素子を表し、表面に入力トランスデ
エーサ、出力トランスデエーサおよび端子電極等が形成
されている。６１は外部接続用入出力端子５１．５２等
をそれぞれ樹脂一体成形したケースで、このケース６１
には表面波素子２０を収納するための空間が設けられて
いる。
おいて２０は表面波素子を表し、表面に入力トランスデ
エーサ、出力トランスデエーサおよび端子電極等が形成
されている。６１は外部接続用入出力端子５１．５２等
をそれぞれ樹脂一体成形したケースで、このケース６１
には表面波素子２０を収納するための空間が設けられて
いる。
表面波素子２０の表面に形成されている端子電極と外部
接続用端子との間はワイヤ２３．２４によってワイヤボ
ンディングされている。６２は表面波素子２０を収納し
たケース６１の開口面を閉塞する蓋で、この蓋６２はケ
ース６１に接着または溶着されている。
接続用端子との間はワイヤ２３．２４によってワイヤボ
ンディングされている。６２は表面波素子２０を収納し
たケース６１の開口面を閉塞する蓋で、この蓋６２はケ
ース６１に接着または溶着されている。
（Ｃ）発明が解決しようとする問題点
このように構成された従、来の表面波装置においては、
ケース６１および蓋６２は共に樹脂製であるため、電磁
シールドを行うことができず、外来雑音による影響が問
題であった。一般的なリードフレームを用いたＩＣ等と
同様にアース電極に表面波素子を接着することによりシ
ールド効果を持たせることもできるが完全ではない。ま
たケースや蓋にフェライト粉を分散させてシールド効果
を持たせることもできるが、特別な材料を用いる必要が
あり、コスト高となる問題があった。さらに、従来の樹
脂パッケージを用いた表面波装置においては、ケースと
蓋との接合時における熱、あるいは回路基板上に実装す
る際の熱によって、ケース内に封入された空気の膨張に
よりケースと蓋との接合部に隙間ができ、密閉性が劣化
し、防湿効果等が低下するという問題もあった。
ケース６１および蓋６２は共に樹脂製であるため、電磁
シールドを行うことができず、外来雑音による影響が問
題であった。一般的なリードフレームを用いたＩＣ等と
同様にアース電極に表面波素子を接着することによりシ
ールド効果を持たせることもできるが完全ではない。ま
たケースや蓋にフェライト粉を分散させてシールド効果
を持たせることもできるが、特別な材料を用いる必要が
あり、コスト高となる問題があった。さらに、従来の樹
脂パッケージを用いた表面波装置においては、ケースと
蓋との接合時における熱、あるいは回路基板上に実装す
る際の熱によって、ケース内に封入された空気の膨張に
よりケースと蓋との接合部に隙間ができ、密閉性が劣化
し、防湿効果等が低下するという問題もあった。
また、外部接続用端子と表面波素子の端子電極とをワイ
ヤボンディングにより接続する方法であるため、表面波
素子をケースの底面に接着する工程とワイヤによるボン
ディング工程を要し製造工程が複雑である。またワイヤ
ボンディングに必要なスペースを確保してお（必要があ
るため、ケースをあまり小型化できないという問題があ
り、この問題を避けるためフェイスダウンボンディング
を行うと、実装時の熱や機械的衝撃により素子がずれや
すくなるという問題が新たに生じていた。
ヤボンディングにより接続する方法であるため、表面波
素子をケースの底面に接着する工程とワイヤによるボン
ディング工程を要し製造工程が複雑である。またワイヤ
ボンディングに必要なスペースを確保してお（必要があ
るため、ケースをあまり小型化できないという問題があ
り、この問題を避けるためフェイスダウンボンディング
を行うと、実装時の熱や機械的衝撃により素子がずれや
すくなるという問題が新たに生じていた。
この発明の目的はこのような従来の問題点を解消して、
簡単な構成で電磁シールド効果を持たせるとともに、確
実なフェイスダウンボンディングを行えるようにした、
小形で量産性の高い表面波装置を提供することにある。
簡単な構成で電磁シールド効果を持たせるとともに、確
実なフェイスダウンボンディングを行えるようにした、
小形で量産性の高い表面波装置を提供することにある。
（ｄ１問題点・を解決するための手段
この発明の表面波装置は、外部接続用端子を−・体成形
した絶縁性基台に表面波素子が固定され、この基台に対
して蓋が接合された表面波装置において、 上記表面波素子は基台上面に露出した外部接続用端子に
対してフェイスダウンボンディングされ、上記蓋は基台
側に突出する板バネ片を備える金属板と絶縁性枠部との
一体成形体からなり、上記板バネ片が上記表面波素子の
背面を押圧することを特徴としている。
した絶縁性基台に表面波素子が固定され、この基台に対
して蓋が接合された表面波装置において、 上記表面波素子は基台上面に露出した外部接続用端子に
対してフェイスダウンボンディングされ、上記蓋は基台
側に突出する板バネ片を備える金属板と絶縁性枠部との
一体成形体からなり、上記板バネ片が上記表面波素子の
背面を押圧することを特徴としている。
（ｅ）作用
この発明の表面波装置においては、表面波素子を封入す
るパッケージが基台とこの基台上を覆う蓋から構成され
、表面波素子は、基台上面に露出した外部接続用端子に
対ルてフェイスダウンボンディングされている。一方、
蓋は、基板側に突出する板バネ片を備える金属板と絶縁
性枠部との一体成形体から構成され、蓋が基台に対して
接合された際、上記板バネ片が表面波素子の背面を押圧
する。このため、基台上面に露出した外部接続用端子に
対するボンディング強度が向上される。また、表面波素
子は金属板によってその上部が覆われ、金属板をアース
電極として用いることにより、表面波素子が電磁シール
ドされる。さらに基台と蓋とによって密封された空気は
、基台と蓋との接合時、あるいは表面波装置の回路基板
上に対する実装時における熱により内部圧力が高まるが
、より基台と蓋の枠部との接合部に過大な応力が加わる
ことがなく、密閉性が保たれる。
るパッケージが基台とこの基台上を覆う蓋から構成され
、表面波素子は、基台上面に露出した外部接続用端子に
対ルてフェイスダウンボンディングされている。一方、
蓋は、基板側に突出する板バネ片を備える金属板と絶縁
性枠部との一体成形体から構成され、蓋が基台に対して
接合された際、上記板バネ片が表面波素子の背面を押圧
する。このため、基台上面に露出した外部接続用端子に
対するボンディング強度が向上される。また、表面波素
子は金属板によってその上部が覆われ、金属板をアース
電極として用いることにより、表面波素子が電磁シール
ドされる。さらに基台と蓋とによって密封された空気は
、基台と蓋との接合時、あるいは表面波装置の回路基板
上に対する実装時における熱により内部圧力が高まるが
、より基台と蓋の枠部との接合部に過大な応力が加わる
ことがなく、密閉性が保たれる。
（ｆ）実施例
第１図はこの発明の実施例である表面波装置の構造を示
す分解斜視図、第２図は組み立てられた表面波装置の外
観を示す斜視図である。第１図において３０は基台、２
０は表面波素子、ｌＯは蓋をそれぞれ示している。基台
３０は中央部に表面波素子が載置される略平坦部３１ａ
を有し、周辺部に後述する蓋の枠部と嵌合する段部３１
ｂが形成されている。中央部の平坦部には表面波素子２
０に形成されている端子電極と接続される４つの接続端
子３２．３４，３６．３８が平坦部３１ａの表面よりわ
ずかに突出する位置に配置されている。なお、接続端子
３２．３４．３６．３８が平坦部３１ａの表面と面一の
場合には、表面波素子２０の伝播路が接触しないように
、平坦部３１ａに凹部を設けておくとよい。各接続端子
は樹脂部分３１の内部を通って３１の下面から側方に外
部接続用端子３３．３５，３７．３９としてそれぞれ導
き出されている。
す分解斜視図、第２図は組み立てられた表面波装置の外
観を示す斜視図である。第１図において３０は基台、２
０は表面波素子、ｌＯは蓋をそれぞれ示している。基台
３０は中央部に表面波素子が載置される略平坦部３１ａ
を有し、周辺部に後述する蓋の枠部と嵌合する段部３１
ｂが形成されている。中央部の平坦部には表面波素子２
０に形成されている端子電極と接続される４つの接続端
子３２．３４，３６．３８が平坦部３１ａの表面よりわ
ずかに突出する位置に配置されている。なお、接続端子
３２．３４．３６．３８が平坦部３１ａの表面と面一の
場合には、表面波素子２０の伝播路が接触しないように
、平坦部３１ａに凹部を設けておくとよい。各接続端子
は樹脂部分３１の内部を通って３１の下面から側方に外
部接続用端子３３．３５，３７．３９としてそれぞれ導
き出されている。
表面波素子２０は圧電基板２１の表面（第１図において
は下面）に入力トランスデユーサおよび出カドランスデ
ューサ等の電極と信号入出力用の端子電極が形成されて
いる。第３図は表面波素子２００表面に形成されている
各種電極の形状を示す平面図である。図において２６は
入カドランスデューサや出カドランスデューサ等を構成
するインターディジタル電極を概略的に示し、２２〜２
５は信号入出力用端子電極を示している。この端子電極
はウェハーの段階でＡｎ電極上にＮｉ、Ａｇの蒸着およ
び半田ペーストの印刷等により形成されている。なお、
表面波素子の裏面には好ましくはシールド用電極膜が全
面に形成されているｉ第１図に示したように基台の中央
部に対して電極面を下にして表面波素子２０を載置する
ことにより、端子電極２２，２３，２４．２５はそれぞ
れ接続端子３４，３２．３８．３６に対向し、後述する
方法により接続される。
は下面）に入力トランスデユーサおよび出カドランスデ
ューサ等の電極と信号入出力用の端子電極が形成されて
いる。第３図は表面波素子２００表面に形成されている
各種電極の形状を示す平面図である。図において２６は
入カドランスデューサや出カドランスデューサ等を構成
するインターディジタル電極を概略的に示し、２２〜２
５は信号入出力用端子電極を示している。この端子電極
はウェハーの段階でＡｎ電極上にＮｉ、Ａｇの蒸着およ
び半田ペーストの印刷等により形成されている。なお、
表面波素子の裏面には好ましくはシールド用電極膜が全
面に形成されているｉ第１図に示したように基台の中央
部に対して電極面を下にして表面波素子２０を載置する
ことにより、端子電極２２，２３，２４．２５はそれぞ
れ接続端子３４，３２．３８．３６に対向し、後述する
方法により接続される。
第１図において蓋１０は樹脂製の枠部１１と１枚の金属
板１２，１３．１４の一体成形体から構成され、金属板
の一部１３．１４は枠部１１の両側面にアース端子とし
て突出している。
板１２，１３．１４の一体成形体から構成され、金属板
の一部１３．１４は枠部１１の両側面にアース端子とし
て突出している。
Ｍｌｏは、その枠部１１の底面に接着剤を塗布し、表面
波素子２０が固定された基台３０に対して被せることに
より嵌合および接着を行う。その後第２図に示すように
各外部接続用端子３３，３５．３７．３９をそれぞれ９
０度上方に折り曲げるとともに、アース端子１３．１４
を基台の側面に沿わせて折り曲げ、更にその先端を基台
の底面に折り曲げ加工する。このようにしてパッケージ
の側面および底面に外部接続用端子およびアース端子が
露出されたチップ型の表面波装置が構成される。
波素子２０が固定された基台３０に対して被せることに
より嵌合および接着を行う。その後第２図に示すように
各外部接続用端子３３，３５．３７．３９をそれぞれ９
０度上方に折り曲げるとともに、アース端子１３．１４
を基台の側面に沿わせて折り曲げ、更にその先端を基台
の底面に折り曲げ加工する。このようにしてパッケージ
の側面および底面に外部接続用端子およびアース端子が
露出されたチップ型の表面波装置が構成される。
第４図（Ａ）〜（Ｅ）は上記蓋ｌＯの構造を示す図であ
り、第４図（Ａ）は蓋１０の上面図、（Ｂ）は正面図、
（Ｃ）は中央正面断面図、（Ｄ）は側面図、および（Ｅ
）は中央側面断面図 をそれぞれ示している。図から明
らかなように蓋１０は樹脂からなる枠部１１と１枚の金
属板１２，１３．１４との一体成形体からなり、金属板
１２の周囲は絞り加工され、枠体１１の中央部に埋めこ
まれている。従って枠部１１は金属板によって補強され
、剛性の高い蓋を構成している。金属板１２の下方には
さらに板バネ片１５が折り曲げ加工されていて、この蓋
が基台に接合されたとき、板バネ片１５が表面波素子の
背面を押圧することになる。
り、第４図（Ａ）は蓋１０の上面図、（Ｂ）は正面図、
（Ｃ）は中央正面断面図、（Ｄ）は側面図、および（Ｅ
）は中央側面断面図 をそれぞれ示している。図から明
らかなように蓋１０は樹脂からなる枠部１１と１枚の金
属板１２，１３．１４との一体成形体からなり、金属板
１２の周囲は絞り加工され、枠体１１の中央部に埋めこ
まれている。従って枠部１１は金属板によって補強され
、剛性の高い蓋を構成している。金属板１２の下方には
さらに板バネ片１５が折り曲げ加工されていて、この蓋
が基台に接合されたとき、板バネ片１５が表面波素子の
背面を押圧することになる。
第５図（Ａ）〜（Ｄ）は上記基台３０の製造途中の状態
を示す図であり、第５図（Ａ）は基台３０の製造途中に
おける上面図、（Ｂ）は正面図、（Ｃ）は側面図、およ
び（Ｄ）は中央側面断面図をそれぞれ示している。同図
（Ａ）において４１〜４６は一体化されたリードフレー
ムを示し、ＦｌおよびＦ２間に支持されている。フレー
ム４１．４２間には幅の狭い半円形のパターン３６ｂお
よびこの半円形のパターンから突出された突出部３６ａ
からなる接続端子が構成されている。同様にリードフレ
ーム４２．４３間には接続端子３２ａ、３２ｂが、リー
ドフレーム４４．４５間には接続端子３８ａ、３８ｂが
、リードフレーム４５．４６間には接続端子３４ａ、３
４ｂがそれぞれ形成されている。このように形成された
リードフレームのＦｌ、Ｆ２間に通電することにより、
幅の狭い半円形パターン部３２ｂ、３４ｂ、３６ｂ、３
８ｂがそれぞれジュール熱により発熱し、これに伴い接
続端子の突出部３２ ａ、 ３４ ａ、 ３６ａ、
３８ａがそれぞれ加熱される。なお、突出部３２ａ、３
４ａ、３６ａ、３８ａは必ずしも必須ではなく、幅の狭
い半円形パターン部のみでもよく、要は、部分的に抵抗
値の高い発熱部を形成すればよい。
を示す図であり、第５図（Ａ）は基台３０の製造途中に
おける上面図、（Ｂ）は正面図、（Ｃ）は側面図、およ
び（Ｄ）は中央側面断面図をそれぞれ示している。同図
（Ａ）において４１〜４６は一体化されたリードフレー
ムを示し、ＦｌおよびＦ２間に支持されている。フレー
ム４１．４２間には幅の狭い半円形のパターン３６ｂお
よびこの半円形のパターンから突出された突出部３６ａ
からなる接続端子が構成されている。同様にリードフレ
ーム４２．４３間には接続端子３２ａ、３２ｂが、リー
ドフレーム４４．４５間には接続端子３８ａ、３８ｂが
、リードフレーム４５．４６間には接続端子３４ａ、３
４ｂがそれぞれ形成されている。このように形成された
リードフレームのＦｌ、Ｆ２間に通電することにより、
幅の狭い半円形パターン部３２ｂ、３４ｂ、３６ｂ、３
８ｂがそれぞれジュール熱により発熱し、これに伴い接
続端子の突出部３２ ａ、 ３４ ａ、 ３６ａ、
３８ａがそれぞれ加熱される。なお、突出部３２ａ、３
４ａ、３６ａ、３８ａは必ずしも必須ではなく、幅の狭
い半円形パターン部のみでもよく、要は、部分的に抵抗
値の高い発熱部を形成すればよい。
同図（Ａ）において３１はリードフレーム４１〜４６と
樹脂一体成形された樹脂部分を示し、同図（Ｂ）および
（Ｄ）に示すように各接続端子の半円形パターン部およ
び突出部は樹脂部分３１の上面かられずかに浮き上がっ
た位置に配置されるように予めプレス加工されている。
樹脂一体成形された樹脂部分を示し、同図（Ｂ）および
（Ｄ）に示すように各接続端子の半円形パターン部およ
び突出部は樹脂部分３１の上面かられずかに浮き上がっ
た位置に配置されるように予めプレス加工されている。
第５図に示した状態で各接続端子の突出部に表面波素子
の端子電極が対向するように位置合わせし固定した状態
で、Ｆｌ、Ｆ２間に通電することにより、接続端子の突
出部３２ ａ、 ３４ ａ、 ３６ａ、３８ａ間が
加熱され、この熱により表面波素子の各端子電極表面に
付着されている半田ペーストが溶融してそれぞれ半田メ
ッキの施されている接続端子３２．３４．３６．３８に
半田付けが行われる。この際、Ｆ、、Ｆ２間に通電して
半円形パターン部３２ｂ、３４ｂ、３６ｂ、３８ｂを発
熱させるが、この半円形パターン部が樹脂部分３１の上
面かられずかに浮き上がった位置に配置されるので、発
熱により樹脂部分３１が溶けるということはない。その
後基台上に前述の蓋１０を接合し、第５図（Ａ）に示し
た切断線Ｃに沿ってリードフレームを切断することによ
り、必要な外部接続用端子のみ側方から突出した表面波
装置が形成される。
の端子電極が対向するように位置合わせし固定した状態
で、Ｆｌ、Ｆ２間に通電することにより、接続端子の突
出部３２ ａ、 ３４ ａ、 ３６ａ、３８ａ間が
加熱され、この熱により表面波素子の各端子電極表面に
付着されている半田ペーストが溶融してそれぞれ半田メ
ッキの施されている接続端子３２．３４．３６．３８に
半田付けが行われる。この際、Ｆ、、Ｆ２間に通電して
半円形パターン部３２ｂ、３４ｂ、３６ｂ、３８ｂを発
熱させるが、この半円形パターン部が樹脂部分３１の上
面かられずかに浮き上がった位置に配置されるので、発
熱により樹脂部分３１が溶けるということはない。その
後基台上に前述の蓋１０を接合し、第５図（Ａ）に示し
た切断線Ｃに沿ってリードフレームを切断することによ
り、必要な外部接続用端子のみ側方から突出した表面波
装置が形成される。
第６図は以上のようにして構成された表面波装置の側面
断面図、第７図は正面断面図である。第６図に示すよう
に外部接続用端子３３．３５等は基台３０の上下面に露
出され、表面波素子２０の端子電極が基台上面の露出部
に対向してフェイスダウンボンディングされたため、表
面波素子の各端子電極は基台の下面に導き出される。な
お、外部接続用端子３３．３５等は、基台の側面から外
方へ導き出し、基台の側面から下面にわたって折り曲げ
るようにしてもよい。また、両図に示すように、基台の
段部３１ｂには蓋の枠部１１の底面が接して基台３０と
蓋１０が嵌合および接着される。このときの接着時の熱
により、あるいは部品の完成後回路基板に対する半田付
は時の熱により密閉されたパッケージの空気が膨張する
が、蓋１０の一部を構成する金属板１２が湾曲すること
により、その圧力が低減さ゛れ、基台と蓋との接着面に
過大な応力が加わらず、密閉性が保たれる。更に、板バ
ネ片１５が表面波素子２０の背面を押下するため、たと
えば回路基板実装時に表面波素子の端子電極と基台上の
接続端子との接続部の半田が溶融したとしても、あるい
は表面波装置全体に機械的衝撃が加わったとしても、表
面波素子が基台との間で確実に保持される。しかも表面
波素子の裏面（背面）にシールド電極を形成した場合に
は、この板バネ片１５を介してシールド電極がアース端
子まで導かれるため、金属板１２とともにシールドが行
われる。
断面図、第７図は正面断面図である。第６図に示すよう
に外部接続用端子３３．３５等は基台３０の上下面に露
出され、表面波素子２０の端子電極が基台上面の露出部
に対向してフェイスダウンボンディングされたため、表
面波素子の各端子電極は基台の下面に導き出される。な
お、外部接続用端子３３．３５等は、基台の側面から外
方へ導き出し、基台の側面から下面にわたって折り曲げ
るようにしてもよい。また、両図に示すように、基台の
段部３１ｂには蓋の枠部１１の底面が接して基台３０と
蓋１０が嵌合および接着される。このときの接着時の熱
により、あるいは部品の完成後回路基板に対する半田付
は時の熱により密閉されたパッケージの空気が膨張する
が、蓋１０の一部を構成する金属板１２が湾曲すること
により、その圧力が低減さ゛れ、基台と蓋との接着面に
過大な応力が加わらず、密閉性が保たれる。更に、板バ
ネ片１５が表面波素子２０の背面を押下するため、たと
えば回路基板実装時に表面波素子の端子電極と基台上の
接続端子との接続部の半田が溶融したとしても、あるい
は表面波装置全体に機械的衝撃が加わったとしても、表
面波素子が基台との間で確実に保持される。しかも表面
波素子の裏面（背面）にシールド電極を形成した場合に
は、この板バネ片１５を介してシールド電極がアース端
子まで導かれるため、金属板１２とともにシールドが行
われる。
（幻発明の効果
以上のようにこの発明によれば、表面波素子を基台上に
容易に取り付けることができ、しかもボンディング強度
を向上させた表面波装置を提供することができる。
容易に取り付けることができ、しかもボンディング強度
を向上させた表面波装置を提供することができる。
第１図はこの発明の実施例である表面波装置の構造を表
す分解斜視図、第２図は完成された表面波装置の外観を
表す斜視図、第３図は組み込まれる表面波素子の表面の
電極パターンを表す平面図、第４図（Ａ）〜（Ｂ）は蓋
の構成を表す図、第５図（Ａ）〜（Ｄ）は基台の構成を
表す図、第６図および第７図は基台に蓋を接合した状態
における断面図、第８図は従来の表面波装置の構造を表
す断面図である。 ｌ〇−蓋、１１−枠部、１２−金属板、１５−板バネ片
、２〇−表面波素子、 ２２〜２５一端子電極、３〇−基台、 ３２．３４，３６．３８−接続端子、 ３３．３５，３７．３９−外部接続用端子。
す分解斜視図、第２図は完成された表面波装置の外観を
表す斜視図、第３図は組み込まれる表面波素子の表面の
電極パターンを表す平面図、第４図（Ａ）〜（Ｂ）は蓋
の構成を表す図、第５図（Ａ）〜（Ｄ）は基台の構成を
表す図、第６図および第７図は基台に蓋を接合した状態
における断面図、第８図は従来の表面波装置の構造を表
す断面図である。 ｌ〇−蓋、１１−枠部、１２−金属板、１５−板バネ片
、２〇−表面波素子、 ２２〜２５一端子電極、３〇−基台、 ３２．３４，３６．３８−接続端子、 ３３．３５，３７．３９−外部接続用端子。
Claims (1)
- （１）外部接続用端子を一体成形した絶縁性基台に表面
波素子が固定され、この基台に対して蓋が接合された表
面波装置において、 上記表面波素子は基台上面に露出した外部接続用端子に
対してフェイスダウンボンディングされ、上記蓋は基台
側に突出する板バネ片を備える金属板と絶縁性枠部との
一体成形体からなり、上記板バネ片が上記表面波素子の
背面を押圧することを特徴とする表面波装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62098321A JPS63263812A (ja) | 1987-04-21 | 1987-04-21 | 表面波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62098321A JPS63263812A (ja) | 1987-04-21 | 1987-04-21 | 表面波装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63263812A true JPS63263812A (ja) | 1988-10-31 |
Family
ID=14216641
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62098321A Pending JPS63263812A (ja) | 1987-04-21 | 1987-04-21 | 表面波装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63263812A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5801474A (en) * | 1994-12-06 | 1998-09-01 | Nec Corporation | Surface acoustic wave (SAW) device |
-
1987
- 1987-04-21 JP JP62098321A patent/JPS63263812A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5801474A (en) * | 1994-12-06 | 1998-09-01 | Nec Corporation | Surface acoustic wave (SAW) device |
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