JPH06188672A - 電子部品装置 - Google Patents
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- JPH06188672A JPH06188672A JP43A JP34030392A JPH06188672A JP H06188672 A JPH06188672 A JP H06188672A JP 43 A JP43 A JP 43A JP 34030392 A JP34030392 A JP 34030392A JP H06188672 A JPH06188672 A JP H06188672A
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- Japan
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- resin
- base
- cap
- lead frame
- acoustic wave
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
Abstract
(57)【要約】
【目的】 電子部品装置の信頼性を向上させ、小形化が
でき、生産効率を上げる。 【構成】 複数の端子を有するリードフレームと該リー
ドフレームをプレモールドによりベース樹脂と一体成型
してなる樹脂ベースと、リードフレーム上に搭載された
電子部品チップ表面を中空状に保護する樹脂キャップと
を嵌合し、嵌合部の周縁部を樹脂により熱融着させてな
る。
でき、生産効率を上げる。 【構成】 複数の端子を有するリードフレームと該リー
ドフレームをプレモールドによりベース樹脂と一体成型
してなる樹脂ベースと、リードフレーム上に搭載された
電子部品チップ表面を中空状に保護する樹脂キャップと
を嵌合し、嵌合部の周縁部を樹脂により熱融着させてな
る。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、電子部品装置に係わ
り、特に、弾性表面波装置の合成樹脂パッケージ構造に
関する。
り、特に、弾性表面波装置の合成樹脂パッケージ構造に
関する。
【0002】
【従来の技術】近年、電波を利用する電子機器のフイル
タ、遅延線、発振器等の素子として、多くの弾性表面波
装置が用いられることから、弾性表面波装置の信頼性や
生産効率の向上、低価格化が望まれている。さらには電
子部品装置の小形化に対応して、高密度実装可能な弾性
表面波装置が望まれている。
タ、遅延線、発振器等の素子として、多くの弾性表面波
装置が用いられることから、弾性表面波装置の信頼性や
生産効率の向上、低価格化が望まれている。さらには電
子部品装置の小形化に対応して、高密度実装可能な弾性
表面波装置が望まれている。
【0003】弾性表面波装置は、たとえば圧電性基板上
に形成されたくし歯型電極部の入力インターデジタルト
ランスジューサに電気信号を印加し、これを弾性表面波
に変換して基板上を伝搬させ、さらに出力インターデジ
タルトランスジューサに到達した弾性表面波を再度電気
信号に変換して外部に取り出すように構成されている。
そして、低価格化に対処するため、弾性表面波装置のパ
ッケージ材料は金属から合成樹脂が用いられるようにな
ってきた。
に形成されたくし歯型電極部の入力インターデジタルト
ランスジューサに電気信号を印加し、これを弾性表面波
に変換して基板上を伝搬させ、さらに出力インターデジ
タルトランスジューサに到達した弾性表面波を再度電気
信号に変換して外部に取り出すように構成されている。
そして、低価格化に対処するため、弾性表面波装置のパ
ッケージ材料は金属から合成樹脂が用いられるようにな
ってきた。
【0004】合成樹脂を用いた従来の弾性表面波装置を
図3および図4を用いて説明する。図3において、まず
複数の端子を有するリードフレーム1に弾性表面波素子
4を設置してボンディングワイヤ5により端子との導通
を行い、その後弾性表面波素子4の表面を中空状に保護
するため、あらかじめ射出成型機により成型されたベー
ス2、キャップ3でリードフレーム1を内包し、さらに
外部の雰囲気から弾性表面波素子4を保護するため、ベ
ース2およびキャップ3を金型内に収めて、図4に示す
ようにベース2とキャップ3の側面を樹脂モールド6に
より接着、封止している。
図3および図4を用いて説明する。図3において、まず
複数の端子を有するリードフレーム1に弾性表面波素子
4を設置してボンディングワイヤ5により端子との導通
を行い、その後弾性表面波素子4の表面を中空状に保護
するため、あらかじめ射出成型機により成型されたベー
ス2、キャップ3でリードフレーム1を内包し、さらに
外部の雰囲気から弾性表面波素子4を保護するため、ベ
ース2およびキャップ3を金型内に収めて、図4に示す
ようにベース2とキャップ3の側面を樹脂モールド6に
より接着、封止している。
【0005】弾性表面波装置は、アルミニウム製のくし
歯型電極や配線等が腐蝕して特性劣化することを防ぐた
めにパッケージ内の気密性を確保することが重要であ
る。従来、図4に示すように、ベース2およびキャップ
3と樹脂モールド6、リードフレーム1と樹脂モールド
6の2種類の接合部分の成型を同時に行うことにより、
弾性表面波装置の気密性を確保していた。
歯型電極や配線等が腐蝕して特性劣化することを防ぐた
めにパッケージ内の気密性を確保することが重要であ
る。従来、図4に示すように、ベース2およびキャップ
3と樹脂モールド6、リードフレーム1と樹脂モールド
6の2種類の接合部分の成型を同時に行うことにより、
弾性表面波装置の気密性を確保していた。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、接合部
分の成型を低い圧力で行った場合、ベース2およびキャ
ップ3と樹脂モールド6とは良好に密着するが、熱膨張
率や表面状態などの差からリードフレーム1と樹脂モー
ルド6との密着は不十分になる。また、接合部分の成型
を高い圧力で行った場合、リードフレーム1と樹脂モー
ルド6との密着は確保できるが、ベース2およびキャッ
プ3が高い圧力により、パッケージ内部の弾性表面波素
子4や配線部分等に損傷を与えてしまう。このように、
弾性表面波装置の気密性を確保するための成型条件を定
めることは困難であるとの問題があった。
分の成型を低い圧力で行った場合、ベース2およびキャ
ップ3と樹脂モールド6とは良好に密着するが、熱膨張
率や表面状態などの差からリードフレーム1と樹脂モー
ルド6との密着は不十分になる。また、接合部分の成型
を高い圧力で行った場合、リードフレーム1と樹脂モー
ルド6との密着は確保できるが、ベース2およびキャッ
プ3が高い圧力により、パッケージ内部の弾性表面波素
子4や配線部分等に損傷を与えてしまう。このように、
弾性表面波装置の気密性を確保するための成型条件を定
めることは困難であるとの問題があった。
【0007】また、リードフレーム1を内包した後に樹
脂モールド6を行うため、パッケージの大きさも大きく
なり、高密度実装に対して不利となる問題があった。
脂モールド6を行うため、パッケージの大きさも大きく
なり、高密度実装に対して不利となる問題があった。
【0008】一方、樹脂モールド6に代えて接着剤を使
用することも考えられるが、気密性の確保が樹脂モール
ドに比較して劣るとの問題があった。
用することも考えられるが、気密性の確保が樹脂モール
ドに比較して劣るとの問題があった。
【0009】本発明はこのような課題を解決するために
なされたもので、外形寸法の小形化、リードフレームと
樹脂との密着性向上により信頼性を向上させ、部品点数
の削減、組立て工程削減により生産効率を上げることの
できる電子部品装置を提供することを目的とする。
なされたもので、外形寸法の小形化、リードフレームと
樹脂との密着性向上により信頼性を向上させ、部品点数
の削減、組立て工程削減により生産効率を上げることの
できる電子部品装置を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明の電子部品装置
は、複数の端子を有するリードフレームと該リードフレ
ームをプレモールドによりベース樹脂と一体成型してな
る樹脂ベースと、リードフレーム上に搭載される電子部
品チップ表面を中空状に保護する樹脂キャップとを接合
してなる電子部品装置において、樹脂キャップは樹脂ベ
ース上に嵌合し、嵌合部の周縁部を樹脂により熱融着さ
せてなることを特徴とする。
は、複数の端子を有するリードフレームと該リードフレ
ームをプレモールドによりベース樹脂と一体成型してな
る樹脂ベースと、リードフレーム上に搭載される電子部
品チップ表面を中空状に保護する樹脂キャップとを接合
してなる電子部品装置において、樹脂キャップは樹脂ベ
ース上に嵌合し、嵌合部の周縁部を樹脂により熱融着さ
せてなることを特徴とする。
【0011】本発明に係わるリードフレームをプレモー
ルドにより一体化した樹脂ベースおよび樹脂キャップ
は、圧縮成型、射出成型、粉末成型、トランスファ成型
等の種々の方法で成型できる。
ルドにより一体化した樹脂ベースおよび樹脂キャップ
は、圧縮成型、射出成型、粉末成型、トランスファ成型
等の種々の方法で成型できる。
【0012】さらに、エポキシ樹脂のような熱硬化性樹
脂またはポリフェニレンサルファイド樹脂のような熱可
塑性樹脂の両方を樹脂材料として使用することもでき
る。本発明においては、たとえば、ポリフェニレンサル
ファイド樹脂のような約240 ℃以上の半田付温度に耐え
る耐熱性樹脂が電子部品装置を実装する上で特に好まし
い。
脂またはポリフェニレンサルファイド樹脂のような熱可
塑性樹脂の両方を樹脂材料として使用することもでき
る。本発明においては、たとえば、ポリフェニレンサル
ファイド樹脂のような約240 ℃以上の半田付温度に耐え
る耐熱性樹脂が電子部品装置を実装する上で特に好まし
い。
【0013】本発明の電子部品装置は、樹脂ベースと樹
脂キャップとを別々の条件で成型し、さらに樹脂キャッ
プと樹脂ベースとの嵌合部の周縁部を樹脂により熱融着
させて作製される。樹脂ベースの成型条件は、一体成型
されるリードフレームとの密着性を向上させる成型条件
が好ましい。たとえば、ポリフェニレンサルファイド樹
脂の射出成型においては、約300 ℃の射出温度、200kg/
cm2 〜300kg/cm2 程度の射出圧力が好ましい。樹脂キャ
ップの成型条件は、樹脂ベースに嵌合し得る形状を成型
しうる条件であればとくに制限ない。なお、樹脂キャッ
プと樹脂ベースとの嵌合部の周縁部を樹脂により熱融着
させる際の条件は、樹脂キャップと樹脂ベースとに無理
な力が加わらない条件である、たとえば射出成型におい
ては100kg/cm2 程度以下の射出圧力が好ましい。また、
熱融着させるために、樹脂キャップおよび樹脂ベースと
同種の樹脂を用いることが好ましく、射出温度は樹脂キ
ャップおよび樹脂ベースの射出温度に近似することが好
ましい。
脂キャップとを別々の条件で成型し、さらに樹脂キャッ
プと樹脂ベースとの嵌合部の周縁部を樹脂により熱融着
させて作製される。樹脂ベースの成型条件は、一体成型
されるリードフレームとの密着性を向上させる成型条件
が好ましい。たとえば、ポリフェニレンサルファイド樹
脂の射出成型においては、約300 ℃の射出温度、200kg/
cm2 〜300kg/cm2 程度の射出圧力が好ましい。樹脂キャ
ップの成型条件は、樹脂ベースに嵌合し得る形状を成型
しうる条件であればとくに制限ない。なお、樹脂キャッ
プと樹脂ベースとの嵌合部の周縁部を樹脂により熱融着
させる際の条件は、樹脂キャップと樹脂ベースとに無理
な力が加わらない条件である、たとえば射出成型におい
ては100kg/cm2 程度以下の射出圧力が好ましい。また、
熱融着させるために、樹脂キャップおよび樹脂ベースと
同種の樹脂を用いることが好ましく、射出温度は樹脂キ
ャップおよび樹脂ベースの射出温度に近似することが好
ましい。
【0014】
【作用】図1および図2において、本発明の電子部品装
置は有機樹脂を射出成型によりリードフレーム1を埋め
込む形で、ベース2を一体型プレモールド部品として成
型することで、リードフレーム1との高い密着性を得る
ことができる。また、ベース部形状を同時に成型するこ
とで、部品点数およびパッケージ占有面積を減らすこと
ができる。
置は有機樹脂を射出成型によりリードフレーム1を埋め
込む形で、ベース2を一体型プレモールド部品として成
型することで、リードフレーム1との高い密着性を得る
ことができる。また、ベース部形状を同時に成型するこ
とで、部品点数およびパッケージ占有面積を減らすこと
ができる。
【0015】つぎにベース2上に弾性表面波素子4を中
空状に保護するためのキャップ3を嵌合し、さらにこの
周縁部を樹脂モールドすることでベース2とキャップ3
との封止接着性を確保できる。つまりリードフレーム1
とベース2の成型工程と、ベース2およびキャップ3と
樹脂モールド6との成型工程を別工程にしたことで、各
工程個々に成型条件を設定できるため、成型時の条件を
最適にすることができ、その結果、封止信頼性を向上さ
せることができる。
空状に保護するためのキャップ3を嵌合し、さらにこの
周縁部を樹脂モールドすることでベース2とキャップ3
との封止接着性を確保できる。つまりリードフレーム1
とベース2の成型工程と、ベース2およびキャップ3と
樹脂モールド6との成型工程を別工程にしたことで、各
工程個々に成型条件を設定できるため、成型時の条件を
最適にすることができ、その結果、封止信頼性を向上さ
せることができる。
【0016】
【実施例】以下、本実施例の弾性表面波装置の分解図を
示す図1および完成図を示す図2を参照して、本発明の
実施例について説明する。図1において、複数の端子を
有するリードフレーム1は銅合金からなり、各端子の後
工程にて樹脂が封止される部分には、封止パス長延長お
よび端子抜け止め等のための穴等を設けている。また、
内包する素子との導通部は銀や金等の部分メッキを施す
ことにより、素子とのワイヤボンディング等による接続
を容易にしている。つぎにこのリードフレーム1を埋め
込む形で、ポリフェニレンサルファイド樹脂を用いて、
射出成型機により約300 ℃の射出温度、200kg/cm2 〜30
0kg/cm2 の射出圧力で一体成型し、ベース樹脂とリード
フレーム1との密着性に優れたベース2を形成する。
示す図1および完成図を示す図2を参照して、本発明の
実施例について説明する。図1において、複数の端子を
有するリードフレーム1は銅合金からなり、各端子の後
工程にて樹脂が封止される部分には、封止パス長延長お
よび端子抜け止め等のための穴等を設けている。また、
内包する素子との導通部は銀や金等の部分メッキを施す
ことにより、素子とのワイヤボンディング等による接続
を容易にしている。つぎにこのリードフレーム1を埋め
込む形で、ポリフェニレンサルファイド樹脂を用いて、
射出成型機により約300 ℃の射出温度、200kg/cm2 〜30
0kg/cm2 の射出圧力で一体成型し、ベース樹脂とリード
フレーム1との密着性に優れたベース2を形成する。
【0017】つぎにリードフレーム1上に、平行四辺形
をした弾性表面波素子4をシリコーン系のマウント接着
剤でマウントして、金線のボンディングワイヤ5により
端子部との導通を行う。なお、マウント接着剤はエポキ
シ系を、ボンディングワイヤはアルミ線を使用すること
もできる。
をした弾性表面波素子4をシリコーン系のマウント接着
剤でマウントして、金線のボンディングワイヤ5により
端子部との導通を行う。なお、マウント接着剤はエポキ
シ系を、ボンディングワイヤはアルミ線を使用すること
もできる。
【0018】キャップ3はポリフェニレンサルファイド
樹脂を用いて、ベース2に嵌合し得るようにベース2の
外形より縦横幅方向で 1mm〜2mm ずつ小さく中空状にあ
らかじめ形成する。
樹脂を用いて、ベース2に嵌合し得るようにベース2の
外形より縦横幅方向で 1mm〜2mm ずつ小さく中空状にあ
らかじめ形成する。
【0019】キャップ3をベース2と嵌合させ、嵌合部
の周縁部をポリフェニレンサルファイド樹脂を用いて、
射出成型機により約300 ℃の射出温度、100kg/cm2 の低
い射出圧力で樹脂モールド6することにより、樹脂モー
ルド6とベース2とキャップ3とを熱融着させる。この
ように、樹脂モールド6が低い射出圧力でなされること
により、キャップ3およびベース2に無理な圧力が加わ
ることなしに、また射出温度が高いことにより、嵌合部
の周縁部の熱融着が充分となり、良好な封止が容易にな
される。また、樹脂モールド6はベース2のリードフレ
ーム1部には達していないのでベース2の全周にわたり
約 1mm幅の縮小ができ、約 1割程度の小形化が達成でき
る。
の周縁部をポリフェニレンサルファイド樹脂を用いて、
射出成型機により約300 ℃の射出温度、100kg/cm2 の低
い射出圧力で樹脂モールド6することにより、樹脂モー
ルド6とベース2とキャップ3とを熱融着させる。この
ように、樹脂モールド6が低い射出圧力でなされること
により、キャップ3およびベース2に無理な圧力が加わ
ることなしに、また射出温度が高いことにより、嵌合部
の周縁部の熱融着が充分となり、良好な封止が容易にな
される。また、樹脂モールド6はベース2のリードフレ
ーム1部には達していないのでベース2の全周にわたり
約 1mm幅の縮小ができ、約 1割程度の小形化が達成でき
る。
【0020】本実施例により作製した弾性表面波装置の
信頼性評価(たとえば、 PCT、 121℃、RH 95%)を行っ
たところ、弾性表面波装置の信頼性評価前後での中心周
波数の変化率は100ppm以下であった。
信頼性評価(たとえば、 PCT、 121℃、RH 95%)を行っ
たところ、弾性表面波装置の信頼性評価前後での中心周
波数の変化率は100ppm以下であった。
【0021】
【発明の効果】本発明の電子部品装置は、複数の端子を
有するリードフレームと該リードフレームをプレモール
ドによりベース樹脂と一体成型してなる樹脂ベースと、
リードフレーム上に搭載された電子部品チップ表面を中
空状に保護する樹脂キャップとの嵌合部を最適な条件で
封止成型できるため、電子部品装置の特性や信頼性が向
上する。
有するリードフレームと該リードフレームをプレモール
ドによりベース樹脂と一体成型してなる樹脂ベースと、
リードフレーム上に搭載された電子部品チップ表面を中
空状に保護する樹脂キャップとの嵌合部を最適な条件で
封止成型できるため、電子部品装置の特性や信頼性が向
上する。
【0022】また、リードフレームとベース樹脂を一体
成型することにより、電子部品装置の製造工程上部品点
数の削減および合成樹脂パッケージの小形化が図れ、電
子部品装置の生産効率が大幅に向上する。
成型することにより、電子部品装置の製造工程上部品点
数の削減および合成樹脂パッケージの小形化が図れ、電
子部品装置の生産効率が大幅に向上する。
【図1】本発明の実施例の弾性表面波装置の分解を示す
図である。なお、(a)は平面図を、(b)はA−A断
面図を示す。
図である。なお、(a)は平面図を、(b)はA−A断
面図を示す。
【図2】本発明の実施例の弾性表面波装置の完成を示す
図である。なお、(a)は平面図を、(b)はA−A断
面図を示す。
図である。なお、(a)は平面図を、(b)はA−A断
面図を示す。
【図3】従来の弾性表面波装置の分解の一例を示す図で
ある。なお、(a)は平面図を、(b)はA−A断面図
を示す。
ある。なお、(a)は平面図を、(b)はA−A断面図
を示す。
【図4】従来の弾性表面波装置の完成の一例を示す図で
ある。なお、(a)は平面図を、(b)はA−A断面図
を示す。
ある。なお、(a)は平面図を、(b)はA−A断面図
を示す。
1………リードフレーム、2………ベース、3………キ
ャップ、4………弾性表面波素子、5………ボンディン
グワイヤ、6………樹脂モールド。
ャップ、4………弾性表面波素子、5………ボンディン
グワイヤ、6………樹脂モールド。
Claims (1)
- 【請求項1】 複数の端子を有するリードフレームと該
リードフレームをプレモールドによりベース樹脂と一体
成型してなる樹脂ベースと、前記リードフレーム上に搭
載される電子部品チップ表面を中空状に保護する樹脂キ
ャップとを接合してなる電子部品装置において、前記樹
脂キャップは前記樹脂ベース上に嵌合し、前記嵌合部の
周縁部を樹脂により熱融着させてなることを特徴とする
電子部品装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP43A JPH06188672A (ja) | 1992-12-21 | 1992-12-21 | 電子部品装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP43A JPH06188672A (ja) | 1992-12-21 | 1992-12-21 | 電子部品装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06188672A true JPH06188672A (ja) | 1994-07-08 |
Family
ID=18335657
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP43A Pending JPH06188672A (ja) | 1992-12-21 | 1992-12-21 | 電子部品装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06188672A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1096566A2 (en) | 1999-10-26 | 2001-05-02 | Nec Corporation | Electronic part and method of assembling the same |
EP1202452A2 (en) * | 2000-10-24 | 2002-05-02 | Nec Corporation | Surface acoustic wave device and manufacturing method thereof |
EP1096563A3 (en) * | 1999-10-27 | 2006-05-24 | Nihon Dempa Kogyo Co., Ltd. | Semiconductor package with premolded parts |
JP2008131152A (ja) * | 2006-11-17 | 2008-06-05 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性表面波デバイス |
US7679181B2 (en) | 2007-06-15 | 2010-03-16 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
JP2011100825A (ja) * | 2009-11-05 | 2011-05-19 | Nec Corp | 電子デバイスの中空樹脂パッケージの形成方法および形成装置 |
-
1992
- 1992-12-21 JP JP43A patent/JPH06188672A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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