JP2011100825A - 電子デバイスの中空樹脂パッケージの形成方法および形成装置 - Google Patents

電子デバイスの中空樹脂パッケージの形成方法および形成装置 Download PDF

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Abstract

【課題】製造工程数を減らすことができ、さまざまな金型を組合せて使用できる、電子デバイスの中空樹脂パッケージの形成方法および形成装置を提供する。
【解決手段】チップ6が搭載された基板7を、第3の金型3の、第1の金型1の凹部13が形成された面と対向可能な面に配置し、第1の金型1と第2の金型2を接合させて形成するキャップのカバー部5a形成用のキャビティ内に樹脂材料を充填して固化させ、カバー部5aを成形する。その成形されたカバー部5aを第1の金型1の内側に保持した状態で、第1の金型1と第4の金型4と第3の金型3とを順番に積層して、カバー部5aを、第3の金型3に配置された基板7上に配置する。そして、カバー部5aが基板7上に配置された状態で、カバー部5aと第4の金型4との間に樹脂材料を充填して固化させ、カバー部5aの外周に位置する接合部を成形する。
【選択図】図5

Description

本発明は、電子デバイスの中空樹脂パッケージの形成方法および形成装置に関する。
携帯電話などの通信機器や、無線ブロードバンドまたは衛星通信などの情報通信用のデバイスとして、例えば窒化ガリウム半導体を用いた高周波デバイスが使用されている。また、DVD(Digital Versatile Disk)ドライブやCD−R(Compact Disk−Recordable)ドライブなどに用いられる情報処理用デバイス、または光通信用デバイスとして、光半導体を有する光デバイスが使用されている。さらに、携帯電話などの通信機器に内蔵される共振器またはフィルタには弾性表面デバイスが使用されている。
これらの電子デバイスは、一般的に樹脂材料などで半導体や圧電素子などのチップが封止された中空樹脂パッケージ構造を有している。一般的な中空樹脂パッケージの形成方法は次のとおりである。
図9に関連技術の一例(第1の例)の中空樹脂パッケージの概略構成図を示す。リードフレームなどの基板71上に、樹脂製の筒状の容器(ケース)72が配置され、その筒状の容器72内にチップ73が収納され、基板71に固定される。そして基板71とチップ73との間が金などの配線74で接続され(ワイヤボンディング)、ワイヤボンディングした配線74が他の配線74などと接触しないようにチップ73上に中空部75を設けるようにして、容器72の基板71と接触していない側の開口部分を蓋体76で覆う。
また、他の関連技術の一例(第2の例)では、インサート成形によりリードフレームなどの基板と一体化しており、基板の底面が配置される底部と、基板に垂直に延びる側部とで構成される容器を形成する。具体的には、基板の主部が容器の内側底面に配置され、基板の端部が容器を貫通して容器の外部に延びる。容器の、基板が配置されている面と対向する部分は、開口している。次に、容器の開口部を蓋体で覆う。このとき、蓋体と容器の側部との接着には樹脂などからなる接着剤を用いる(例えば特許文献1)。
さらに他の関連技術の一例(第3の例)では、射出成形により、1つの金型装置で容器と蓋体とを同時に成形する。このとき、容器は底部と側部を有し、側部の一部に切欠き部を設ける。そして、容器の内部に基板を配置すると、基板の端子部分が容器の側面の切欠き部を通り、容器の外部に出るようになっている。容器と蓋体とで形成される中空部内に空気があると、配線などが酸化してしまう場合があるので、中空部内を窒素などの不活性ガスで満たしてから、容器の底部と対向する位置の開口部を蓋体で覆い、蓋体と容器とを結合させる(例えば特許文献2)。
これらの方法により、中空樹脂パッケージを有する電子デバイスが製造される。
特開2002−135080号公報 特開2001−044228号公報
関連技術の第1の例、または第2の例の中空樹脂パッケージにおいて、特許文献2のように不活性ガスを中空部内に封止する場合は、中空樹脂パッケージを完成させるまでに、A:容器の形成、B:基板上へのチップの固定、C:ワイヤボンディング、D:不活性ガス充填、E:接着剤塗布、F:蓋体の貼り付け、G:接着剤硬化の少なくとも7工程を要する。したがって、製造に使用する装置が大型化し、使用する部品も多くなる。また、予め別の装置で蓋体を成形しておく必要がある。このことは、材料購入費および組立費用が高くなり、中空樹脂パッケージを有するデバイスの製造に高コストを要することとなる。また、この方法では、工程数が多く、使用する部品が多いため、不良品が生じる可能性が高く、歩留まりを高めることが困難となっている。
また、関連技術の第3の例の方法では、容器の成形、蓋体の成形、および容器と蓋体の結合部分の成形を、1対の金型により構成される3種類のキャビティを用いて行う。そのため、中空樹脂パッケージのサイズを変化させるためには、それぞれのサイズごとに、3つのキャビティを設けた1対の金型を要するため、さまざまなサイズの中空樹脂パッケージを形成するにはコストがかかってしまう。
本発明の目的は、上述した課題である、中空樹脂パッケージの形成には工程数が多いため、コストが増加し、歩留まりが低くなり、また、さまざまなサイズの中空樹脂パッケージを形成するには、それぞれに対応した金型を要するため、コストがかかる、という問題を解決する中空樹脂パッケージの形成方法および形成装置を提供することにある。
本発明の電子デバイス用中空樹脂パッケージの形成方法は、一方の面に凹部が形成された第1の金型と、第1の金型の一方の面と対向可能な第2の金型、第3の金型、および第4の金型とを有し、第2の金型の、第1の金型の一方の面と対向可能な面には、突起部と、突起部の外周に位置する溝とが設けられており、第4の金型は、第1の金型と第3の金型との間に介在することができ、孔部を有する筒状である、電子デバイス用中空樹脂パッケージの形成装置を用いる。
チップが搭載された基板を、第3の金型の、第1の金型の一方の面と対向可能な面に配置する工程と、第1の金型と第2の金型を接合させて形成するキャップのカバー部形成用のキャビティ内に樹脂材料を充填して固化させ、カバー部を成形する工程と、その成形されたカバー部を第1の金型の内側に保持した状態で、第1の金型と第4の金型と第3の金型とを順番に積層して、カバー部を、第3の金型に配置された基板上に配置する工程と、カバー部が基板上に配置された状態で、カバー部と第4の金型との間に樹脂材料を充填して固化させ、カバー部の外周に位置する接合部を成形する工程とを含む。
カバー部を基板上に配置する工程では、カバー部によって、チップに対して間隔を置いた状態でチップを覆う。接合部を形成する工程では、接合部をカバー部と一体化させることによってキャップを完成させるとともに、接合部によってキャップと基板とを接合する。
本発明によると、中空樹脂パッケージの形成に要する工程数を減らすことができるため、コストを減少させることができ、歩留まりを高めることができる。また、さまざまな金型を組合せて使用できるため、コストを減少させることができる。
本発明の中空樹脂パッケージの形成装置を用いて形成した中空樹脂パッケージを有する電子デバイスの概略図である。 本発明に係る中空樹脂パッケージの形成装置の一実施形態の概略図であり、(a)は形成装置の全体概略構成図、(b)は(a)の金型装置の拡大概略図である。 第1の金型を台座側に移動させたときの概略図であり、(a)は形成装置全体の概略図、(b)は(a)の金型装置の拡大概略図である。 第1の金型と、第2の金型と、基板とを離間させたときの金型装置の拡大概略図であり、(a)は第2の金型と基板とが離間したときの概略図、(b)は第1の金型と第2の金型とが離間したときの概略図である。 基板上に第4の金型を移動させたときの概略図であり、(a)は形成装置全体の概略図、(b)は(a)の金型装置の拡大概略図である。 再び第1の金型を台座側に移動させたときの概略図であり、(a)は形成装置全体の概略図、(b)は(a)の金型装置の拡大概略図である。 第4の金型内に樹脂材料を導入したときの概略図であり、(a)は形成装置全体の概略図、(b)は(a)の金型装置の拡大概略図である。 本発明に係る中空樹脂パッケージの形成装置の他の実施形態の概略構成図である。 関連技術の一例の中空樹脂パッケージの概略構成図である。
以下に、添付の図面に基づき、本発明の実施の形態を説明する。なお、同一の機能を有する構成には添付図面中、同一の番号を付与し、その説明を省略することがある。
始めに本発明で形成する中空樹脂パッケージについて説明する。本発明の中空樹脂パッケージは、基板7上に配置されたチップ6とは間隔を置いて位置するカバー部5aとカバー部5aの外周に位置する接合部5bとからなるキャップ5で構成されている。この、中空樹脂パッケージの、基板7とキャップ5とで囲まれる空間にチップ6が収納されて電子デバイスが構成されている(図1参照)。
図2は、本発明に係る中空樹脂パッケージの形成装置の一実施形態の概略図であり、(a)は形成装置の全体概略構成図であり、(b)は(a)の金型装置の拡大概略図である。
本発明の金型装置を構成する各金型の配置について説明する。なお、各金型の詳細については後述する。詳しくは後述するチップ6を間隔を置いて覆うキャップ5のカバー部5aを成形するための第1の金型1と、チップ6を搭載した基板7が配置される第3の金型3が対向して設けられている。また、第1の金型1と第3の金型3との間には、詳しくは後述するスライド機構41により、第1の金型1とともにキャップ5を形成する第2の金型2と、基板7とキャップ5のカバー部5aとの間の隙間を封止するとともに基板7とカバー部5aを接合する接合部5bを形成するための第4の金型4とが移動可能に設けられている。
次に、金型1〜4について詳細に説明する。
各金型1〜4は、形成装置本体、具体的には台座31、ヒータ9、またはスライド機構41から取り外しが可能となっている。なお、後述するように、可動台33と第1の金型1との間にヒータ9を設けない場合は、第1の金型1は可動台33から取り外しが可能である。
第1の金型1の一方の面には、樹脂材料が流れ込む空間、つまり窪みである凹部13が設けられている。第2の金型2の第1の金型1側(図面の上側)の面には、第1の金型1の凹部13に対応する位置に突出する突起部14が設けられている。突起部14は第1の金型1の凹部13の平面形状よりも小さく、かつ基板7上のチップ6の平面形状よりも大きい平面形状を有している。また、突起部14は、チップ6の高さよりも大きく、第1の金型1と第2の金型2とが当接しても凹部13と突起部14とは接触しないような高さを有している。第1の金型1と第2の金型2とが当接した状態で、凹部13と突起部14との間に隙間が生じる。そして、第2の金型2の第1の金型1側の面の、突起部14の外周の位置であって、第1の金型1と第2の金型2とが接するときにできる、突起部14の側部と凹部13との隙間に連通する位置に、溝15が設けられている。この凹部13と突起部14との間の隙間とそれに連通する溝15とによって、キャップ5のカバー部5a成形用のキャビティが構成される。さらに、第2の金型2の第3の金型3側(図面の下側)の面には、第3の金型3上に基板7が配置された際にその基板7上のチップ6と対向する位置に、チップ6と基板7とを接続するワイヤボンディングされた配線8とチップ6とを収容可能な窪みである空間16が設けられている。
第3の金型3は基板7と同じかそれ以上の大きさの平板状をしている。
第4の金型4は、孔部4aを有する筒状であり、孔部4aの平面形状は第1の金型1の凹部13の平面形状よりも大きく、かつ基板7の平面形状よりも小さくなっている。また、第4の金型4の高さは、第2の金型2の溝15の深さよりも若干大きくなっている。なお、図示しないが、第4の金型4には、不活性ガスの導入手段(図示せず)が設けられている。
次に、本発明に係る形成装置についてより詳細に説明する。
台座31上に第3の金型3が設けられ、第3の金型3上に、半導体や圧電素子などのチップ6が配線8によりワイヤボンディングされた基板7が配置可能である。基板7は、例えばリードフレームなどである。また、台座31上には、例えばリニアガイドなどからなるスライド機構41が設けられており、スライド機構41は駆動源42により水平に移動するようになっている。このスライド機構41上であり、スライド機構41の一方の端部側(図面の左側)に第2の金型2が設けられており、第2の金型2はスライド機構41から垂直に延びるスプリングを有する機構部21により支持されている。この第2の金型2は、第3の金型3上に配置された基板7上のチップ6よりも高い位置にある。スライド機構41の他方の端部側(図面の右側)には、第2の金型2と同様にスプリングを有する機構部21に支持されている第4の金型4(拡大概略図は図6(b)参照)が設けられている。つまり、図2(a)では、第4の金型4が駆動源42側であり、第2の金型2が駆動源42とは反対側に設けられているが、この配置を逆にしても構わない。
台座31の垂直方向上方であり、台座31とは間隔を有する位置に台11が設けられており、台11は、台座31から垂直に延びる軸32によって支持されている。また、台11と第2の金型2との間には可動台33が設けられている。台11の、台座31とは反対側(図面の上側)の面に駆動源12が設けられており、この駆動源12から可動台33に接続される可動軸34が設けられている。可動台33の台座31側(図面の下側)には、第1の金型1を加熱するためのヒータを有するヒータ部9と、凹部13を有する第1の金型1とが順に設けられている。駆動源12により可動台33は軸32に沿って台11側(図面の上側)方向および台座31側(図面の下側)方向に移動可能であり、それに伴い第1の金型1が台11側方向と台座31側方向とに移動可能となっている。可動台33の台11側には後述するプランジャー(不図示)を移動させる駆動源62が設けられている。また、駆動源62から第1の金型1の凹部13まで連通するランナーと、ランナー内に設けられた不図示のプランジャーとにより構成される射出ユニット61が設けられている。射出ユニット61の駆動源62側に固体の樹脂材料が配置されると、樹脂材料は不図示のプランジャーにより第1の金型1の凹部13の方向に押し出される。
次に図1〜図7を用いて、中空樹脂パッケージの形成方法について説明する。本発明では、特許文献1とは異なり、予め成形された容器と蓋体とで中空樹脂パッケージを形成するのではなく、樹脂材料からなる中空樹脂パッケージであるキャップ5自体を成形することと、中空樹脂パッケージ内にチップ6を収容して電子デバイスを完成させることとを実質的に同時に行う。なお、本発明ではキャップ5のみで中空樹脂パッケージを構成し、かつ、チップ6を覆うことができるので、特許文献1のような容器および蓋体は用いない。
図2に示すように、第3の金型3上に、チップ6が搭載された基板7が配置される。基板7上に第2の金型2が位置するように、駆動源42を駆動させスライド機構41により第2の金型2を移動させる。また、第1の金型1は、第2の金型2よりも台11側に位置するように駆動源12を駆動させて可動台33の位置を調節しておく。この状態では、図2(b)に示すように、第1の金型1と、第2の金型2と、基板7とは互いに間隔を有しており、接していない。
そして、ヒータ部9により第1の金型1を加熱し、昇温させておく。
図3に示すように、駆動源12を駆動させ、可動台33を台座31側(図面の下側)に移動させると、第1の金型1が第2の金型2と接触する。さらに続けて可動台33を台座31側に移動させると、機構部21のスプリングが縮み、第1の金型1と、第2の金型2と、基板7と、第3の金型3とが接触し、一体となる。なお、基板7上のチップ6は第2の金型2の空間16内に収まる。
さらに駆動源12を駆動させることで、第1の金型1と、第2の金型2と、基板7と、第3の金型3との間の型締めを行う。型締め力は200〜350MPa程度である。
型締め完了後、射出ユニット61内に固体の熱硬化性樹脂材料を投入し、駆動源62によりプランジャーを移動させ、樹脂材料の射出を行う。固体の樹脂材料は、加熱されている第1の金型1に近づくにつれ溶解し液状となり、第1の金型1の凹部13と第2の金型2の突起部14との隙間と第2の金型2の溝15とによって構成されたカバー部5a成形用のキャビティ内に送り込まれる。射出時間は8〜10秒で射出圧力は4.9MPa〜14.7MPa程度である。射出完了後、樹脂材料を熱硬化させるために60〜100秒程度保持すると、第1の金型1の凹部13と第2の金型2の突起部14との隙間と溝15とで構成されたカバー部5a成形用キャビティ内で硬化した樹脂材料によりキャップ5のカバー部5aが形成される。その後、駆動源12を駆動させ、第1の金型1を台11側に退避させる。第1の金型1が上昇すると、機構部21のスプリングの弾性力により第2の金型2が第1の金型1とともに上昇し基板7から分離する(図4(a)参照)。機構部21のスプリングが伸びきってもさらに第1の金型1を上昇させると、第1の金型1と第2の金型2とが分離する。このとき、キャップ5のカバー部5aは第1の金型1の凹部13に密着したまま保持される(図4(b)参照)。
第1の金型1が台11側に移動し、第1の金型1と、第2の金型2と、基板7とが互いに完全に分離した後、図5に示すように、駆動源42を駆動させてスライド機構41を動かし、第4の金型4が基板7上に位置するようにする。
この時点では、第1の金型1と、第4の金型4と、基板7とは互いに間隔を有している。そして、図6に示すように、再び駆動源12を駆動させ、可動台33を台座31側に移動させる。まず、第1の金型1と第4の金型4とが接触する。さらに可動台33を台座31側に移動させると、機構部21のスプリングが縮み、第1の金型1と、第4の金型4と、基板7と、第3の金型3とが接触し、一体となる。また、同時にキャップ5のカバー部5aの側部が、孔部4aを介して基板7に接触する。チップ6はキャップ5のカバー部5aと基板7との間に形成される空間内に位置する。
さらに駆動源12を駆動させることで、第1の金型1と、第4の金型4と、基板7と、第3の金型3との間の型締めを行う。型締め力は200〜350MPa程度である。
型締め完了後、窒素などの不活性ガスをキャップ5のカバー部5aと基板7とで囲まれる空間内に充填する。第4の金型4の高さは、第2の金型2の溝15の深さよりも若干大きくしてあるので、基板7と、キャップ5のカバー部5aとの間にはわずかに隙間がある。そこで第4の金型4に設けられた不活性ガス導入手段(図示せず)から不活性ガスを導入することで、キャップ5と基板7とで囲まれる空間内に不活性ガスを充填することができる。
不活性ガスの充填後、図7に示すように、射出ユニット61内に固体の熱硬化性樹脂材料を投入し、駆動源62によりプランジャーを移動させ、樹脂材料の射出を行う。固体の樹脂材料は、加熱されている第1の金型1に近づくにつれ溶解し液状となり、第4の金型4の孔部4aの壁面とキャップ5のカバー部5aと基板7とによって囲まれる隙間に送り込まれる。射出時間は8〜10秒で射出圧力は4.9MPa〜14.7MPa程度である。射出完了後、樹脂材料を硬化させるために、60〜100秒程度保持すると、樹脂材料が硬化し、接合部5bが成形される。こうしてカバー部5aと接合部5bとからなるキャップ5が完成する。接合部5bは、カバー部5aと基板7との隙間を封止するとともに、カバー部5aと基板7とを接合する。このようにして、チップ6が、基板7とキャップ5とで覆われる。なお、樹脂材料の分子量は大きいため、基板7とキャップ5との隙間を通過してチップ6にまで樹脂材料が流入することはない。そして、封止完了後、第1の金型1を第3の金型3側から退避させる。第1の金型1が上昇すると、機構部21のスプリングの弾性力により第4の金型4と基板7とが分離する。キャップ5は第1の金型1の凹部13から剥離され、第1の金型1と、基板7と、第4の金型4が互いに離間する。以上で1サイクルの動作が完了する。このようにして、図1に示すような、キャップ5からなる中空樹脂パッケージを有する電子デバイスが出来上がる。
上述したように、一般的に中空樹脂パッケージを製造するまでには、A:容器の形成、B:基板上へのチップの固定、C:ワイヤボンディング、D:不活性ガス充填、E:接着剤塗布、F:蓋体の貼り付け、G:接着剤硬化の少なくとも7工程を要していた。本発明の形成装置および形成方法を適用することで、A基板7上へのチップ6の固定、B:ワイヤボンディング、C:キャップ5のカバー部5aの成形、D:不活性ガス充填、E:キャップ5の接合部5bの成形(中空封止)の5工程にまで減らすことができる。そのため、使用する部品を減らし、製品の製造コストを減少させることができ、形成までの工程数が減るので、歩留まりを高めることができる。
また、上述した関連技術の第3の例では、中空樹脂パッケージのサイズを変化させるためには、それぞれのサイズごとに、3つのキャビティを設けた1対の金型を要しており、一方の金型だけを交換することで中空樹脂パッケージのサイズを変えることができず、それぞれの中空樹脂パッケージのサイズに応じた1対の金型が必要であった。本発明の形成装置および形成方法では、第1の金型1、第2の金型2、および第4の金型4のうちいずれか1つだけ交換することも可能であり、所望の中空樹脂パッケージのサイズとなるように、必要な金型だけを交換すればよい。そのため、コストを大幅に増加させることなく、さまざまなサイズの中空樹脂パッケージを形成可能である。
図8は、本発明に係る中空樹脂パッケージの形成装置の他の実施形態の概略構成図である。上述の実施形態の同様の構成については説明を省略する。
上述の実施形態では、基板7を配置する第3の金型3の位置を固定していた。本実施形態では、基板7を配置する第3の金型3がスライド機構41上に支持されている。また、スプリングを有する機構部21が設けられておらず、スライド機構41上に直接第2の金型2が支持されている。第3の金型3の上方には、第4の金型4が配置されている。第1の金型1は、金型2〜4の上方に配置されている。その他の構成は、前述の実施形態と同様の構成である。
駆動源12を駆動させ、可動台33を台座31側(図面の下側)に移動させると、第1の金型1が第2の金型2と接触する。さらに駆動源12を駆動させることで、第1の金型1と、第2の金型2との間の型締めを行う。型締め力は200〜350MPa程度である。なお、予めヒータ部9により第1の金型1を加熱し、昇温させておく。
型締め完了後は、前述の実施形態と同様な方法でキャップ5のカバー部5aを成形する。その後、駆動源12を駆動させ、第1の金型1を台11側(図面の上側)に退避させると、第1の金型1と第2の金型2とが分離する。このとき、キャップ5は第1の金型1の凹部13に密着したまま保持される(図3(b)参照)。そして、駆動源42を駆動させてスライド機構41を動かし、基板7上のチップ6がキャップ5のカバー部5aの中心に位置するようにする。
この後の、第1の金型1と、第4の金型4と、基板7と、第3の金型3との型締め以降は、前述の実施形態と同様である。
上記の説明では、第4の金型4の高さを第2の金型2の溝15の深さよりも大きくしたが、第4の金型4の高さと第2の金型2の溝15の深さを同じにする場合は、不活性ガス導入手段を金型1〜4とは別に設け、不活性ガスを基板7付近に充満させた状態で、第1の金型1と、第4の金型4と、基板7と、第3の金型3との間の型締めを行えばよい。
なお、本発明の形成装置のプレス構造は縦型(垂直駆動)だけでなく、横型(水平駆動)でもよく、また樹脂材料は熱硬化性樹脂だけでなく、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂との組み合わせでもよい。
第1の金型1を加熱できれば、可動台33と第1の金型1との間にヒータ部9を設けなくてもよい。
1 第1の金型
2 第2の金型
3 第3の金型
4 第4の金型
4a孔部
5 キャップ
5aカバー部
5b接合部
6 チップ
7 基板
13凹部
14突起部
15溝
41スライド機構

Claims (19)

  1. 一方の面に凹部が形成された第1の金型と、前記第1の金型の前記一方の面と対向可能な第2の金型、第3の金型、および第4の金型とを有し、前記第2の金型の、前記第1の金型の前記一方の面と対向可能な面には、突起部と、前記突起部の外周に位置する溝とが設けられており、前記第4の金型は、前記第1の金型と前記第3の金型との間に介在することができ、孔部を有する筒状である、電子デバイス用中空樹脂パッケージの形成装置を用いる電子デバイス用中空樹脂パッケージの形成方法であって、
    チップが搭載された基板を、前記第3の金型の、前記第1の金型の前記一方の面と対向可能な面に配置する工程と、
    前記第1の金型と前記第2の金型を接合させて前記凹部と前記突起部との間の隙間と前記溝とによってキャップのカバー部形成用のキャビティを構成し、該キャビティ内に樹脂材料を充填して固化させることによりキャップのカバー部を成形する工程と、
    成形された前記カバー部を前記第1の金型の前記凹部の内側に付着させて保持した状態で、該第1の金型と前記第4の金型と前記第3の金型とを順番に積層して、前記第1の金型に保持された前記カバー部を、前記第4の金型の前記孔部を介して前記第3の金型に配置された前記基板上に配置する工程と、
    前記カバー部が前記基板上に配置された状態で、前記カバー部と前記第4の金型の前記孔部の壁面との間に樹脂材料を充填して固化させ、前記カバー部の外周に位置する接合部を成形する工程と、
    を含み、
    前記カバー部を前記基板上に配置する工程では、前記カバー部によって、前記チップに対して間隔をおいた状態で該チップを覆い、
    前記接合部を形成する工程では、前記接合部を前記カバー部と一体化させることによって前記キャップを完成させるとともに、前記接合部によって前記キャップと前記基板とを接合する、電子デバイス用中空樹脂パッケージの形成方法。
  2. 前記第3の金型を、前記第1の金型の前記一方の面に対向する位置に固定し、
    前記第1の金型の前記一方の面と間隔を置いた位置に設けられた、前記第2の金型および前記第4の金型を支持しているスライド機構を移動させることにより、前記カバー部を成形する工程では、前記第2の金型を前記第1の金型と対向する位置に配置し、前記接合部を成形する工程では、前記第4の金型を前記第1の金型と対向する位置に配置する、請求項1に記載の電子デバイス用中空樹脂パッケージの形成方法。
  3. 前記第2の金型および前記第4の金型を、前記スライド機構に設けられたスプリングを有する機構部で支持し、
    前記カバー部を成形する工程では、前記第1の金型を前記第3の金型側に移動させて前記第2の金型の前記スプリングを押し込み、前記第1の金型と前記第2の金型と前記第3の金型とを順に積層させ、前記カバー部を成形した後は、前記第1の金型を前記第3の金型と離間させることで、前記第2の金型を、押し込まれていた前記スプリングの弾性力で前記第3の金型から離間させ、
    前記接合部を成形する工程では、前記第1の金型を前記第3の金型側に移動させて前記第4の金型の前記スプリングを押し込み、前記第1の金型と前記第4の金型と前記第3の金型とを順に積層させ、前記接合部を成形した後は、前記第1の金型を前記第3の金型と離間させることで、前記第4の金型を、押し込まれていた前記スプリングの弾性力で前記第3の金型から離間させる、請求項2に記載の電子デバイス用中空樹脂パッケージの形成方法。
  4. 前記第1の金型の前記一方の面と間隔を置いた位置に設けられた、前記第2の金型と、前記第3の金型と、スプリングを有する機構部により支持され、前記第3の金型に対応する位置に前記第4の金型とが設けられたスライド機構を移動させ、前記第2の金型または前記第4の金型を前記第1の金型の一方の面と対向する位置に配置する、請求項1に記載の電子デバイス用中空樹脂パッケージの形成方法。
  5. 前記カバー部を成形する工程では、前記スライド機構を移動させて、前記第2の金型を前記第1の金型と対向させてから、前記第1の金型と前記第2の金型とを当接させ、
    前記接合部を成形する工程では、前記スライド機構を移動させて、前記第4の金型を前記第1の金型と対向させてから、前記第1の金型を前記第3の金型側に移動させて前記第4の金型の前記スプリングを押し込み、前記第1の金型と前記第4の金型と前記第3の金型とを順に積層させ、前記接合部を成形した後は、前記第1の金型を前記第3の金型と離間させることで、前記第4の金型を、押し込まれていた前記スプリングの弾性力で前記第3の金型から離間させる、請求項4に記載の電子デバイス用中空樹脂パッケージの形成方法。
  6. 前記スライド機構に駆動源を設け、前記駆動源により前記スライド機構を移動させる、請求項2から5のいずれか1項に記載の電子デバイス用中空樹脂パッケージの形成方法。
  7. 前記第4の金型の高さを、前記第2の金型の溝の高さよりも高くする、請求項1から6のいずれか1項に記載の電子デバイス用中空樹脂パッケージの形成方法。
  8. スライド機構を設けた台座に一方の端部が接続され、前記台座と間隔をおいて対向する位置に配置した台に他方の端部が接続されている複数の軸を設けて、
    前記ヒータ部の、前記第1の金型との当接面とは反対の面に設けられ、前記台の前記台座とは反対の面に設けた駆動源と可動軸を介して接続される可動台を前記軸に貫通させて、
    前記第1の金型の他方の面をヒータ部と当接させ、前記第1の金型を加熱しながら、前記駆動源を駆動させて前記軸に沿って前記可動台および前記第1の金型を移動させる、請求項1から7のいずれか1項に記載の電子デバイス用中空樹脂パッケージの形成方法。
  9. 前記第1の金型、第2の金型、第3の金型、第4の金型のうち少なくとも1つを形成装置本体から取り外し、別の大きさの金型に交換することで、さまざまなサイズの中空樹脂パッケージを形成することが可能である、請求項1から8のいずれか1項に記載の電子デバイス用中空樹脂パッケージの形成方法。
  10. 前記樹脂材料は熱硬化性樹脂、または熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂を混ぜたものである、請求項1から9のいずれか1項に記載の中空樹脂パッケージの形成方法。
  11. 一方の面に凹部が形成された第1の金型と、
    前記第1の金型の前記一方の面に対向する位置を、前記第1の金型の前記一方の面と間隔をおいて移動可能なスライド機構と、
    前記スライド機構に支持され、または前記第1の金型の前記一方の面と対向する位置に固定されており、前記第1の金型の前記一方の面と対向可能な面に、チップが搭載された基板を配置可能な第3の金型と、
    前記スライド機構に支持され、前記第1の金型の前記一方の面と対向可能な面に、突起部と、前記突起部の外周に位置する溝とが設けられている第2の金型と、
    前記スライド機構に支持され、前記第1の金型と前記第3の金型との間に介在することができる、孔部を有する筒状の第4の金型とを有し、
    前記第1の金型は、前記第2の金型、前記第3の金型、前記第4の金型に対してそれぞれ接近および離間可能であり、
    前記第2の金型の前記突起部は、前記第1の金型の前記凹部の平面形状よりも小さく、かつ前記第3の金型上に配置される基板上のチップの平面形状よりも大きい平面形状を有するとともに、前記第3の金型上に配置される前記基板上の前記チップの高さよりも大きく、かつ前記第1の金型と前記第2の金型が接合した状態で前記凹部の内面と当接しない高さとを有し、
    前記第4の金型は、前記第2の金型の前記溝の深さよりも大きい高さを有するとともに、前記第4の金型の前記孔部は、前記第1の金型の前記凹部の平面形状よりも小さい平面形状を有し、
    前記スライド機構は、前記第1の金型と前記第2の金型とが対向した状態と、前記第1の金型と前記第4の金型と前記第3の金型とが順番に重なるように対向した状態とを可能にするように、少なくとも前記第2の金型と前記第4の金型を移動させることができるものであり、
    前記第1の金型と前記第2の金型が接合した状態で、前記凹部と前記突起部との間の隙間と前記溝とによって、キャップのカバー部形成用のキャビティが構成される、
    電子デバイス用中空樹脂パッケージの形成装置。
  12. 前記第3の金型は、前記第1の金型の前記一方の面に対向する位置に固定されており、前記第2の金型と前記第4の金型は、前記スライド機構に設けられたスプリングを有する機構部により支持され、前記第3の金型上に配置された基板の高さよりも高い位置に設けられている、請求項11に記載の電子デバイス用中空樹脂パッケージの形成装置。
  13. 前記第2の金型の前記突起部が設けられているのとは反対の面であり、前記第2の金型と前記第3の金型とが接するときに前記チップと対向する位置に、前記チップよりも大きな窪みが設けられている、請求項12に記載の電子デバイス用中空樹脂パッケージの形成装置。
  14. 前記第2の金型は前記スライド機構上に配置されており、
    前記第4の金型が前記スライド機構上に設けられたスプリングを有する機構部により支持されており、
    前記スライド機構上であり、かつ該スライド機構と前記第4の金型との間に前記第3の金型が配置されている、請求項11に記載の電子デバイス用中空樹脂パッケージの形成装置。
  15. 前記第1の金型の前記凹部の側部には、前記第1の金型の外部に至る、樹脂材料を流入させるための流路を構成するランナーが設けられている、請求項11から14のいずれか1項に記載の電子デバイス用中空樹脂パッケージの形成装置。
  16. 前記スライド機構が設けられた台座と、前記台座と間隔をおいて対向する台とが設けられており、前記台座と前記台との間に複数の軸が設けられ、前記軸の一方の端部は前記台座に接続され、前記軸の他方の端部は前記台に接続されており、前記第1の金型の前記凹部が設けられているのとは反対の面にはヒータを有するヒータ部が取り付けられており、前記ヒータ部の前記第1の金型と当接しているのとは反対の面には、前記軸に貫通され、前記軸に沿って移動可能な可動台が取り付けられている、請求項11から15のいずれか1項に記載の電子デバイス用中空樹脂パッケージの形成装置。
  17. 前記台の前記台座とは反対の面には、可動台と接続する可動軸を移動させる駆動源が設けられている、請求項16に記載の電子デバイス用中空樹脂パッケージの形成装置。
  18. 前記スライド機構には駆動源が設けられている、請求項11から17のいずれか1項に記載の電子デバイス用中空樹脂パッケージの形成装置。
  19. 前記第1の金型、第2の金型、および第4の金型はそれぞれ形成装置本体から取り外しが可能である、請求項11から18のいずれか1項に記載の中空樹脂パッケージの形成装置。
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