CN103296990A - 基体、电子器件的制造方法以及电子设备 - Google Patents

Abstract

本发明提供基体、电子器件的制造方法以及电子设备，不需要仅用于密封贯通部的工序，并且适合实现封装的小型薄型化。基体以及使用该基体的电子器件的制造方法的特征在于：所述基体具有可以搭载电子部件的搭载区域和环状的密封面，俯视所述区域，所述密封面围着所述区域，并且在所述密封面上固定着密封体，在所述密封面上存在贯通部，该贯通部是由所述密封体的壁面限定的凹部，并且在俯视时，该贯通部将所述搭载区域与所述密封面的外周侧之间连通。

Description

基体、电子器件的制造方法以及电子设备

技术领域

本发明涉及将封装内部密封成减压状态的结构的电子器件的制造方法以及具有通过该制造方法制造出的电子器件的电子设备。 

背景技术

以往，将封装的内部空间密封成减压状态的结构的电子器件的一般制造方法是：在封装的底面部，设置将外部和内部空间连通的贯通孔，在减压下从贯通孔对内部空间进行排气后，用密封材料填充贯通孔。因此，对于电子器件而言，考虑到底面的强度和平坦度，难以使设置有贯通孔的封装底部的厚度变薄，并且，如果底面变薄，则可能致使密封材料容易流动，从而引起布线等的短路。对此，在专利文献1中公开了在封装的侧面形成贯通孔，可以使封装的厚度变得更薄等的结构的电子器件。根据该电子器件，除了通过提高封装底面的强度而实现了薄型化以外，通过在可以设定得比底面更厚的侧面上设置贯通孔，在抑制密封材料的流动而防止短路等方面也可以得到改善，实现了品质的提高。 

专利文献1：日本特开2004-289238号公报 

但是，在现有技术中，为了对贯通孔进行密封，通常进行的是在贯通孔里设置密封材料并进行加热等这样的、仅用于密封贯通孔的一项工序。此外，还存在以下问题：密封材料和封装材料是不同的材料，在密封部分处会出现不同材料的边界，伴随封装的小型薄型化，密封强度和封装强度降低。 

发明内容

本发明正是为了解决上述问题中的至少一部分而完成的，可以作为以下应用例或方式来实现。 

[应用例1]本应用例的基体的特征在于，该基体具有能够搭载电子部件的搭载区域以及环状的密封面，在俯视所述区域时所述密封面围着所述区域， 

在所述密封面上固定着密封体， 

在所述密封面上存在贯通部，该贯通部是由所述密封体的壁面限定的凹部，并且在俯视时，该贯通部将所述搭载区域与所述密封面的外周侧之间连通。 

[应用例2]本应用例的基体的特征在于，所述密封体在所述贯通部处的露出面比所述密封体的其它部分的露出面靠近所述密封面侧。 

[应用例3]本实施方式的基体的特征还在于，所述密封体夹着所述贯通部固定于所述密封面。 

[应用例4]本实施方式的基体的特征还在于，所述密封体是通过加热而熔化的材料。 

[应用例5]本实施方式的基体的特征还在于，所述贯通部的截面形状是楔状。 

[应用例6]本应用例的电子器件的制造方法的特征在于，该制造方法包含以下步骤： 

准备基体的步骤，所述基体具有能够搭载电子部件的搭载区域和环状的密封面，俯视所述区域，所述密封面围着所述区域，并且在所述密封面上固定着密封体，并且在所述密封面上存在贯通部，该贯通部是由所述密封体的壁面限定的凹部，并且在俯视时，该贯通部将所述搭载区域与所述密封面的外周侧之间连通； 

将电子部件配置在所述搭载区域中的步骤； 

盖体设置步骤，以覆盖所述电子部件的方式，隔着所述密封体在所述基体上设置盖体； 

减压步骤，将所述基体、所述密封体以及所述盖体置于减压环境；以及 

在减压环境下使所述密封体熔化，通过所述密封体封闭所述贯通部的步骤。 

根据本应用例的电子器件的制造方法，在基体准备步骤中，重要的一点是设置于基体上的密封体具有贯通部。在盖体设置步骤中，即便以与基体之间夹持着密封部的方式设置盖体，也会成为这样的状态：该贯通部将由盖体和基体形成的收纳电子部件的空间与基体的外部侧连通。在该状态下，在减压步骤中，该空间的空气等从贯通部排出，空间内成为减压状态，并且，在通过加热步骤逐渐进行加热时，密封体适度地熔化，以堵塞贯通部的方式移动并阻断连通状态。即，贯通部是用于从空间中抽取空气等而使空间成为减压环境的部位。而且，当空间成为减压环境并加热时，通过熔化的密封体将贯通部堵塞，由此空间被密闭为减压环境的状态。经过这样的制造步骤，与在基体等上设置减压排气用的孔，并利用与基体等不同的密封材料进行孔密封的现有技术相比，电子器件既能够保持密封强度又能够抑制基体等的强度降低，能够实现 小型薄型化。此外，根据该电子器件的制造方法，可以通过加热步骤这一个步骤来进行基体与盖体的接合以及贯通部的封闭，因此，有助于消减工时。 

[应用例7]在上述应用例记载的电子器件的制造方法中，优选的是，所述基体准备步骤包含：在所述基体上配置所述密封体的密封体配置步骤；以及所述密封体配置步骤后的、在所述密封体上形成所述贯通部的贯通部形成步骤。 

根据该方法，首先在密封体配置步骤中在基体上配置密封体，接着对密封体实施例如蚀刻等化学处理或机械加工等物理处理，由此形成贯通部。即，通过最优的方法在密封体上加工贯通孔。 

[应用例8]在上述应用例中记载的电子器件的制造方法中，优选的是，在准备所述基体的步骤中，包含形成贯通部的步骤，形成所述贯通部的步骤包含对形成所述贯通部前的密封体的一部分进行按压而形成所述贯通部的步骤。 

根据该方法，贯通部形成为与按压体的形状相仿。能够抑制在密封体中产生应力集中或加工变形等，易于形成贯通部。 

[应用例9]在上述应用例记载的电子器件的制造方法中，优选的是，所述贯通部形成步骤还包含在所述贯通部中配置填补密封体的填补密封体配置步骤。 

根据该方法，在填补密封体配置步骤中，在设置于密封体的贯通部中进一步配置填补密封体。即便配置了填补密封体，也是处于贯通部将收纳电子部件的空间与基体的外部连通的状态。该情况下，更优选的是，填补密封体是与接合基体和盖体的密封体相同的材料。由此，电子器件的制造方法还具有填补密封体配置步骤，由此在加热步骤中的贯通部的封闭中，能够在进行空间的排气减压的同时尽可能地抑制密封体的流动，能够进行更可靠的封闭。 

[应用例10]在上述应用例记载的电子器件的制造方法中，优选的是，所述贯通部是楔状的形状。 

根据该方法，由于密封体的贯通部是楔状，因此，即便在基体与盖体之间夹持密封部，贯通部中也很难产生变形等，能够可靠地进行减压排气。此外，在加热步骤中封闭贯通部时，位于楔状的末端部的密封体部分容易熔合在一起，从该末端部起，逐渐堵塞贯通部来进行封闭，因此贯通部周围的密封体能够顺畅地流动而封闭贯通部。由此，通过电子器件的制造方法制造的电子器件能够抑制密封强度、以及基体与盖体的接合强度等的降低，能够维持高强度。 

[应用例11]本应用例的电子器件的制造方法用于制造如下这样的电子设备，所述电子器件具有：搭载了电子部件的基体；与所述基体主体共同构成收纳所述电子部件的空间的盖体；以及接合所述基体和所述盖体，将所述空间保持为减压环境的密封体，所述电子器件的制造方法的特征在于包含以下步骤：准备配置有所述密封体的所述基体和所述盖体的双体准备步骤，在所述基体或者所述盖体的与所述密封体相对的表面上，具有用于对所述空间进行减压排气的排气部；隔着所述密封体将所述盖体设置于所述基体上的盖体设置步骤；将所述基体、所述密封体以及所述盖体置于减压环境的减压步骤；以及在减压环境下进行加热，使所述密封体熔化，进行所述基体与所述盖体的接合和所述排气部的封闭的加热步骤。 

根据本应用例的电子器件的制造方法，在双体准备步骤中，重要的一点是在基体或盖体上形成排气部。在盖体设置步骤中，即便以与基体之间夹持密封部的方式设置了盖体，也是成为所形成的排气部将由盖体和基体形成的空间与基体的外部侧连通的状态。在该状态下，在减压步骤中，把该空间的空气等从排气部排出，空间内成为减压状态，并且，在加热步骤中逐渐进行加热时，密封体适度地熔化，以接合基体与盖体并堵塞排气部的方式移动，阻断了连通状态。即，排气部是用于从空间中抽取空气等而使空间成为减压环境的部位。而且，在空间成为减压环境并进行加热时，通过熔化的密封体将排气部堵塞，由此空间被密闭为减压环境的状态。由此，空间被密闭为减压环境的状态。经过这样的制造步骤，与在基体等上设置减压排气用的孔，并用与基体等不同的密封材料进行孔密封的现有技术相比，电子器件既能够保持密封强度又能够抑制基体等的强度降低，能够实现小型薄型化。此外，根据该电子器件的制造方法，可以通过加热步骤这一个步骤来进行基体与盖体的接合以及排气部的封闭，因此，有助于消减工时。 

[应用例12]在上述应用例记载的电子器件的制造方法中，优选的是，在所述加热步骤之前在所述排气部中配置填补密封体。 

根据该方法，在加热步骤之前的步骤中，将填补密封体配置于排气部中。即便配置了填补密封体，也是成为排气部将收纳电子部件的空间与基体的外部侧连通的状态。该情况下，更优选填补密封体是与接合基体和盖体的密封体相同的材料。由此，电子器件的制造方法在加热步骤中的排气部的封闭中，能够在进行空间的排气减压的同时尽量地抑制密封体的流动，能够进行更可靠的封闭。 

[应用例13]本应用例的电子设备的特征在于，搭载了通过上述电子器件的制造 方法制造出的电子器件。 

根据本应用例的电子设备，具有通过上述电子器件的制造方法制造出的电子器件，该电子器件能够高强度地维持密封强度、以及基体与盖体的接合强度，使得收纳在内部的电子部件保持在减压环境，抑制性能劣化等，并且能够实现电子器件的小型薄型化。由此，电子设备既能实现小型薄型化又能长期地维持性能。 

附图说明

图1是示出实施方式1的石英振子（电子器件）的立体图。 

图2是示出实施方式1的石英振子的制造方法的流程图。 

图3中的（a）是示出基体上的密封体的配置的立体图，（b）是示出密封体上的贯通部的形成的立体图。 

图4中的（a）是示出填补密封体的配置的立体图，（b）是示出盖体的设置的立体图，（c）是示出加热后的电子器件的立体图。 

图5是示出实施方式2的石英振子（电子器件）的立体图。 

图6是示出实施方式2的石英振子的制造方法的流程图。 

图7中的（a）是示出基体上的排气部的形成的立体图，（b）是示出密封体和盖体的设置的立体图，（c）是示出加热后的电子器件的立体图。 

图8中的（a）是示出个人计算机（电子设备）的立体图，（b）是示出手机（电子设备）的立体图。 

图9中的（a）是示出贯通部的变形例的立体图，（b）是示出贯通部的变形例的立体图。 

标号说明 

1…作为电子器件的石英振子，2…基体，2a…空间，3…盖体，4…密封体，8…贯通部，10…作为电子部件的石英振动片，16…填补密封体，20…作为电子器件的石英振子，22…基体，24…密封体，28…排气部。 

具体实施方式

以下，根据附图对本发明的电子器件的制造方法的优选方法例进行说明。在此，作为电子器件，以石英振子为例，对其结构和制造方法进行说明。 

（实施方式1） 

图1是示出实施方式1的石英振子（电子器件）的立体图。如图1所示，石英振子1具有：呈长方体状并在内部侧形成有空间2a的基体2；设置于基体2的空间2a侧的阶梯部2b；用于与基体2共同形成空间2a的盖体3；用于接合基体2与盖体3来将空间2a密封的密封体4；以及设置于阶梯部2b的石英振动片10。此外，在阶梯部2b上设置有阶梯部端子5，石英振动片10通过导电性粘结剂6，以与阶梯部端子5电连接的状态粘结固定在阶梯部2b上。而且，阶梯部端子5与设置于基体2的外部表面上的外部端子7电连接。该情况下，基体2和盖体3由陶瓷形成，密封体4由在320～330℃的温度下熔化的低熔点玻璃形成，作为接合基体2与盖体3的焊接材料发挥作用。在这种结构的石英振子1中，当从外部向外部端子7施加驱动电流时，石英振动片10受到激励，可以按照预定的频率振动。 

在此，当通过密封体4接合基体2与盖体3而进行密封时，石英振子1在减压状态下被加热，由此使得收纳石英振动片10的空间2a成为减压环境。另外，收纳石英振动片10的空间2a并不限于真空那样的减压环境，也可以是封入氮气、氦气、氩气等惰性气体的环境等。密封体4具有参照图3（b）而后述的贯通部8，由此，石英振子1成为能够有效地使空间2a成为减压环境的结构。 

以下，对石英振子1的制造方法进行说明。图2是示出实施方式1的石英振子的制造方法的流程图。此外，图3的（a）是示出基体上的密封体的配置的立体图，图3的（b）是示出密封体上的贯通部的形成的立体图，图4的（a）是示出填补密封体的配置的立体图，图4的（b）是示出盖体的设置的立体图，图4的（c）是示出加热后的电子器件的立体图。 

关于石英振子1的制造方法，如图2的流程图所示，首先在步骤S1中，在基体2上配置密封体4。如图3（a）所示，配置密封体4的位置是基体2的空间2a的开口侧的端部，配置在该端部上的密封体4环绕着该开口的整周。该情况下，基体2的端部在俯视中成为宽度为Ｗ的环状，密封体4在俯视中也同样地成为宽度为Ｗ的环状，因此，密封体4被重叠地配置在基体2的整个端部上。另外，步骤S1对应于密封体配置步骤。在配置密封体4后，进入步骤S2。 

在步骤S2中，进行密封体4的加热软化。进行该加热软化处理是为了将作为低熔点玻璃的密封体4加热至比熔点低的温度即250℃左右而使其软化。在该处理中软 化后的密封体4成为可通过例如外压等自由地变形的状态。另外，步骤S2对应于加热软化步骤。在使密封体4软化后，进入步骤S3。 

在步骤S3中，在密封体上形成贯通部8。如图3的（b）所示，通过向软化后的密封体4压下按压体15来形成贯通部8。该情况下，按压体15是三棱柱的形状，并且配置成，从基体2的内侧的空间2a侧延伸到基体2的外部侧。而且，通过向密封体4缓缓地压下按压体15的三角形的预定顶部，由此在密封体4上形成楔状的槽。该楔状的槽就是贯通部8，贯通部8将基体2的空间2a侧与基体2的外部侧贯通。这样，通过在贯通部8的形成中利用密封体4的软化，能够抑制在密封体4上产生应力集中或加工变形等，能够容易地形成贯通部8。该情况下，密封体4被配置于基体2的搭载石英振动片（电子部件）10的部位的周围，可以说成为如下结构：基体2的与盖体3接合的表面上的一部分具有在基体2上夹着贯通部8而形成的凸部，以对空间2a进行减压排气。另外，步骤S3对应于按压步骤，将步骤S2和步骤S3合并，就是贯通部形成步骤。此外，这些步骤S1、步骤S2以及步骤S3的集合对应于基体准备步骤。在形成贯通部8后，进入步骤S4。 

在步骤S4中，在贯通部8中配置填补密封体16。如图4的（a）所示，填补密封体16为长度W的圆柱状且与密封体4的材质相同，沿着贯通部8配置。另外，步骤S4对应于填补密封体配置步骤。在配置了填补密封体16后，进入步骤S5。 

在步骤S5中，进行盖体3的设置。如图4的（b）所示，隔着密封体4，以封闭空间2a的开口的方式设置盖体3。即便在设置了盖体3的状态下，空间2a与基体2的外部也处于经由贯通部8连通的状态。该情况下，优选填补密封体16不从楔状的贯通部8向盖体3侧突出。另外，步骤S5对应于盖体设置步骤。在设置盖体3后，进入步骤S6。 

在步骤S6中，进行减压环境的形成。即，将如图4的（c）所示那样构成的基体2、盖体3、密封体4以及填补密封体16放入腔室等中进行减压。随着腔室等成为减压环境，把空间2a的空气从贯通部8吸出到基体2的外部侧，空间2a也成为减压环境。另外，步骤S6相当于减压步骤。在形成减压环境后，进入步骤S7。 

在步骤S7中，对基体2与盖体3进行加热接合。即，在减压环境下将基体2、盖体3、密封体4以及填补密封体16加热到密封体4和填补密封体16的熔化温度附近时，在密封体4的贯通部8中，楔状的末端部熔化，形成贯通部8的密封体表面首 先开始熔合在一起，因此，从该末端部起，逐渐堵塞贯通部8而进行封闭。而且，贯通部8中配置的填补密封体16也熔化而堵塞贯通部8，因此，与不存在填补密封体16的情况相比，抑制了形成贯通部8的密封体表面的溶融流动。由此，密封体4不会过度地流动，而是能够平稳地流动而封闭贯通部8。另外，步骤S7对应于加热步骤。到此为止，流程结束。 

对于通过这种制造方法制造的石英振子（电子器件）1，密封体4的密封强度强，并且，能够抑制基体2与盖体3的接合强度的降低等，能够维持高强度。此外，可以通过加热步骤这一个步骤来进行基体2与盖体3的接合以及贯通部8的封闭，因此，能够实现工时的削减。 

（实施方式2） 

接着，对电子器件的制造方法的其它的优选例子进行说明。图5是示出实施方式2的石英振子（电子器件）的立体图。实施方式2的石英振子20与实施方式1的石英振子1的贯通部的形成位置不同。因此，在石英振子20中，对与石英振子1相同结构的部分标注相同的标号并省略详细的说明，对不同结构的部分标注不同的标号来进行说明。 

如图5所示，石英振子20具有：呈长方体状并在内部形成有空间2a的基体22；盖体3；用于接合基体2与盖体3并对空间2a进行密封的密封体24；以及石英振动片10。而且，基体22在配置密封体24的一侧，具有参照图7的（a）而后述的排气部28。该排气部28实现与实施方式1的石英振子1的贯通部8同样的功能。此外，该情况下，基体22和盖体3由陶瓷形成，密封体24由在320～330℃的温度下熔化的低熔点玻璃形成，作为焊接材料发挥作用。在这种结构的石英振子20中，当从外部对外部端子7施加驱动电流时，石英振动片10受到激励，可以按照预定的频率振动。 

以下，对石英振子20的制造方法进行说明。图6是示出实施方式2的石英振子的制造方法的流程图。此外，图7的（a）是示出基体上的排气部的形成的立体图，图7的（b）是示出密封体和盖体的设置的立体图，图7的（c）是示出加热后的电子器件的立体图。 

关于石英振子20的制造方法，如图6的流程图所示，首先在步骤S11中，在基体22上形成排气部28。如图7的（a）所示，排气部28是在基体22的空间2a的盖体3侧的端部处形成的楔状的槽，并且被设置成，使得基体22的空间2a侧与基体2 的外部侧贯通。在用陶瓷形成基体22时，同时形成该排气部28，步骤S11不是只形成排气部28的步骤。另一方面，也可以在形成基体22之后，在步骤S11中，通过机械加工等形成排气部28。在形成排气部28后，进入步骤S12。 

在步骤S12中，在排气部28中配置填补密封体16。填补密封体16呈图7的（b）所示那样的圆柱状并与密封体24的材质相同，该填补密封体16沿着排气部28配置。优选在后述的加热步骤之前配置填补密封体16，该情况下，是在步骤S12中进行的。在配置填补密封体16后，进入步骤S13。 

在步骤S13中，在基体22上配置密封体24。如图7的（b）所示，配置密封体24的位置是基体22的形成有排气部28的端部，在该端部上配置的密封体24环绕着空间2a的开口的整周。另外，步骤S11和步骤S13对应于准备基体和盖体的双体准备步骤。在配置密封体4后，进入步骤S14。 

在步骤S14中，进行盖体3的设置。如图7的（b）所示，隔着密封体24，以封闭空间2a的开口的方式设置盖体3。即便在设置了盖体3的状态下，空间2a与基体22的外部也成为经由排气部28连通的状态。该情况下，优选填补密封体16不从楔状的排气部28向密封体24侧突出。另外，步骤S14对应于盖体设置步骤。在设置盖体3后，进入步骤S15。 

在步骤S15中，进行减压环境的形成。即，将图7的（b）所示那样构成的基体22、盖体3、密封体24以及填补密封体16重叠在一起，然后放入到腔室等中进行减压。随着腔室等成为减压环境，把空间2a的空气从排气部28吸出到基体22的外部侧，空间2a也成为减压环境。另外，步骤S15对应于减压步骤。在形成减压环境后，进入步骤S16。 

在步骤S16中，对基体22与盖体3进行加热接合。即，在减压环境下将基体22、盖体3、密封体24以及填补密封体16加热到密封体24和填补密封体16的熔化温度附近时，密封体24和填补密封体16熔化并向排气部28流动，堵塞排气部28而进行封闭。在此，即便不存在填补密封体16，也能够封闭排气部28，但通过配置填补密封体16，除了密封体24以外填补密封体16也熔化而封闭排气部28，因此，能够抑制密封体24的过度流动，从而平稳地封闭排气部28。另外，步骤S16对应于加热步骤。到此为止，流程结束。 

对于通过这种制造方法制造出的石英振子（电子器件）20，密封体24的密封强 度强，并且，能够抑制基体22与盖体3的接合强度的降低等，能够维持高强度。此外，因为是在基体2的成型时形成排气部28，因此，不需要仅形成排气部28的工序，而且，可以通过加热步骤这一个步骤来进行基体22与盖体3的接合以及排气部28的封闭，因此，能够实现工时的消减。 

（电子设备） 

接着，对本发明的电子设备进行说明。电子设备搭载了根据图2的流程图制造出的石英振子1。图8的（a）是示出个人计算机（电子设备）的立体图，图8的（b）是示出手机（电子设备）的立体图。 

如图8的（a）所示，个人计算机100由具有键盘101的主体部102和显示单元103构成，显示单元103通过铰接结构部以可转动的方式支撑于主体部102。在这样的个人计算机100中，内置有作为电子器件的石英振子1，能够承受携带个人计算机100时的振动和撞击等，有助于个人计算机100的性能维持。 

此外，如图8的（b）所示，手机200具有多个操作按键201、接听口202、通话口203以及天线（未图示），在操作按键201与接听口202之间，配置有显示部204。在这样的手机200中，内置有作为电子器件的石英振子1，能够承受携带手机200时的振动和撞击等，有助于手机200的性能维持。 

以上说明的电子器件的制造方法不限于各实施方式，下面列举的变形例的方式也可以得到与实施方式相同的效果。 

（变形例1）在石英振子1中，密封体4的贯通部8是楔状的形态，但是并不限定于该形态。例如，图9的（a）是示出贯通部的变形例的立体图。如图9的（a）所示，密封体34不是连续的环状，而是一处断开的不连续的形状。该断开的部分就是贯通部30。即便在基体2上配置密封体34并且设置了盖体3（未图示），贯通部30也使得基体2的内部侧与基体2的外部侧连通。在减压环境下对基体2、盖体3和密封体34进行加热时，把基体2的内部空气从贯通部30吸出到基体2的外部侧，基体2的内部成为减压环境，接着，使密封体34熔化，能够堵塞贯通部30而进行封闭。该情况下，基体2的密封体34被配置于基体2的搭载石英振动片（电子部件）10的位置的周围，可以说成为如下结构：基体2的与盖体3接合的表面的一部分具有在基体2上夹着贯通部30的凸部，以对空间2a进行减压排气。另外，在贯通部30中，也可以配置如图4的（a）所示那样的填补密封体16。 

（变形例2）此外，图9的（b）是示出贯通部的变形例的立体图。如图9的（b）所示，作为另一个变形例的密封体44呈环状，在环状的一处形成有半月状的槽。该半月状的槽就是贯通部40。即便在基体2上配置密封体44并设置了盖体3（未图示），贯通部40也使得基体2的内部侧与基体2的外部侧连通。在减压环境下对基体2、盖体3以及密封体44进行加热时，密封体44熔化而堵塞贯通部40来进行封闭，将基体2的内部密封成减压环境。另外，在该情况下也可以在贯通部40中配置如图4的（a）所示那样的填补密封体16。 

（变形例3）在实施方式1中的密封体4上，仅形成了一个贯通部8，但也可以形成多个贯通部8。同样，在实施方式2中的基体22上，也可以形成多个排气部28。此外，多个贯通部8或排气部28并不限定为全部是楔状的方式，也可以与其它的形态相混合。此外，虽然配置在贯通部8或排气部28中的填补密封体16为圆柱状，但也可以是圆柱以外的椭圆柱或多棱柱等。 

（变形例4）虽然密封体4、24使用了低熔点玻璃，但也可以使用低熔点玻璃以外的低熔点金属及其合金或树脂类等。 

（变形例5）在图2的流程图中，贯通部形成步骤不限于步骤S2和S3的内容。例如，也可以通过机械加工或蚀刻等在密封体4上形成贯通部8。此外，也可以不配置填补密封体16而只配置贯通部8，即，也可以是不实施步骤S4的填补密封体配置步骤的流程图。 

（变形例6）在图2的流程图中，步骤S1（在基体2上配置密封体4）也可以在步骤S4（在贯通部8中配置填补密封体16）之后进行。即，成为这样的流程：在基体2上配置已经完成了贯通部8的形成和填补密封体16的配置的密封体4。 

（变形例7）对于实施方式2的石英振子20，将排气部28设于基体22上，但也可以是设于盖体3上的方式。 

（变形例8）虽然作为电子设备的个人计算机100和手机200搭载了石英振子1，但也可以搭载石英振子20。此外，作为电子设备，除个人计算机100和手机200外，还可以举出数字静态照相机、喷墨打印机、电视、摄像机、汽车导航装置、电子词典、计算器、电子游戏机、防范用电视监视器、医疗设备（例如电子体温计、血压计、血糖计、心电图测量装置、超声波诊断装置、电子内窥镜）等。 

Claims (8)

1.一种基体，其特征在于，

该基体具有能够搭载电子部件的搭载区域以及环状的密封面，在俯视所述搭载区域时所述密封面围着所述搭载区域，

在所述密封面上固定着密封体，

在所述密封面上存在贯通部，该贯通部是由所述密封体的壁面限定的凹部，并且在俯视时，该贯通部将所述搭载区域与所述密封面的外周侧之间连通。

2.根据权利要求1所述的基体，其特征在于，

所述密封体在所述贯通部处的露出面比所述密封体的其它部分的露出面靠近所述密封面侧。

3.根据权利要求1所述的基体，其特征在于，

所述密封体夹着所述贯通部固定于所述密封面。

4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的基体，其特征在于，

所述密封体是通过加热而熔化的材料。

5.根据权利要求1至3中的任意一项所述的基体，其特征在于，

所述贯通部的截面形状是楔状。

6.一种电子器件的制造方法，其特征在于，所述制造方法包含以下步骤：

准备基体的步骤，所述基体具有能够搭载电子部件的搭载区域和环状的密封面，在俯视所述搭载区域时所述密封面围着所述搭载区域，并且在所述密封面上固定着密封体，在所述密封面上存在贯通部，该贯通部是由所述密封体的壁面限定的凹部，并且在俯视时，该贯通部将所述搭载区域与所述密封面的外周侧之间连通；

将电子部件配置在所述搭载区域中的步骤；

盖体设置步骤，以覆盖所述电子部件的方式，隔着所述密封体在所述基体上设置盖体；

减压步骤，将所述基体、所述密封体以及所述盖体置于减压环境；以及

在减压环境下使所述密封体熔化，通过所述密封体封闭所述贯通部的步骤。

7.根据权利要求6所述的电子器件的制造方法，其特征在于，

在所述准备基体的步骤中，包含形成贯通部的步骤，

在所述形成贯通部的步骤中，按压形成所述贯通部之前的密封体的一部分，形成所述贯通部。

8.一种电子设备，其特征在于，该电子设备搭载了通过权利要求6所述的电子器件的制造方法制造出的电子器件。

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