JP2003282754A - 光デバイス収納用パッケージ - Google Patents

光デバイス収納用パッケージ

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JP2003282754A
JP2003282754A JP2002089438A JP2002089438A JP2003282754A JP 2003282754 A JP2003282754 A JP 2003282754A JP 2002089438 A JP2002089438 A JP 2002089438A JP 2002089438 A JP2002089438 A JP 2002089438A JP 2003282754 A JP2003282754 A JP 2003282754A
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Yoji Kobayashi
洋二 小林
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    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体素子収納用パッケージにおいて、熱応
力あるいは外部からの機械的衝撃による接合破壊を有効
に防止できない。 【解決手段】 光デバイスを搭載するための凹部を有す
る絶縁基体と、絶縁基体上面に鉄系合金から成るシール
リングを介して封止され、光を透過させるための開口部
を有する枠体および開口部内に設置された透光性の窓体
で構成された略平板状の蓋体とから成る光デバイス収納
用パッケージであって、枠体はシールリングと同一の合
金で形成されるとともに窓体は軟化点が300℃を超える
ガラス材で形成されており、かつこれらの20〜300℃に
おける熱膨張係数の差を0.4〜1.0×10-6/℃としてあ
り、枠体と窓体とは、両者を軟化点を超えて加熱した後
冷却して収縮させ焼嵌により直接接合してあることを特
徴とする光デバイス収納用パッケージである。

Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【発明の属する技術分野】本発明は、外部からの機械的
衝撃あるいは水分の浸入から光デバイスを保護するため
の光デバイス収納用パッケージに関するものであり、特
にCCD・CMOS等の撮像素子、光スイッチ・ミラー
デバイス等のMEMS、CD・DVD用のLD・PD等
のレーザ部品の光デバイス収納用パッケージに関する。 【0002】 【従来の技術】近年、移動体通信機器は軽薄短小化が急
激に進展し、これに伴って搭載される光デバイスを気密
に封止する光デバイス収納用パッケージも軽薄短小化が
進んでいる。 【0003】このような光デバイス収納用パッケージ
は、一般に酸化アルミニウム質焼結体や窒化アルミニウ
ム質焼結体・ムライト質焼結体・窒化珪素質焼結体等の
電気絶縁材料から成り、光デバイスを搭載するための凹
部を有する絶縁基体と、絶縁基体の上面に半田やろう材
等により接合され、光を透過するための開口部を有する
枠体および開口部内に設置された透光性の窓体から成る
略平板状の蓋体とから構成されている。なお、枠体の材
料としては、半導体素子収納用パッケージの軽薄短小化
に併せ、薄型加工が可能な鉄−ニッケル−コバルト合金
等の金属が用いられており、窓体としては、ホウ珪酸ガ
ラスが用いられ、低融点ガラスあるいは半田等の接合材
により接合されている。 【0004】しかしながら、このような光デバイス収納
用パッケージでは、熱膨張係数の異なる枠体と窓体と
を、弾性率が高く歪み等の応力を緩和しにくい低融点ガ
ラスあるいは半田等の接合材により接合しているため
に、光デバイスが作動する際に発生する熱によって枠体
と窓体との間に大きな応力が発生するとともにこの応力
が接合材に作用して接合材と被着体との界面剥離が発生
し、その結果、容器の気密封止が破れ、内部に収容する
光デバイスを長期間にわたり正常、かつ安定に作動させ
ることができないという欠点を有していた。 【0005】他方、枠体と窓体との接合を、弾性率の低
い樹脂接着剤により行なう方法が提案されている。この
提案によれば、例えば熱硬化性のエポキシ系樹脂をスク
リーン印刷法やディスペンサ法を用いて枠体と窓体との
接合部分に塗布し、枠体と窓体との接合部分を重ね合わ
せ加圧・加熱して枠体と窓体とを接合することにより、
光デバイスが作動する際に発生する熱によって熱膨張係
数の異なる枠体と窓体との間に大きな応力が発生したと
しても、弾性率の低い樹脂接着剤が応力を緩和して接合
材と被着体との界面に剥離が生じることを有効に防止で
きるというものである。 【0006】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな樹脂接着剤による接合では樹脂の3次元網目構造の
隙間からの水分浸入が避けられず、容器の気密信頼性が
低下してしまうという問題点を有していた。 【0007】本発明は、かかる従来技術の問題点に鑑み
案出されたものであり、その目的は、熱応力あるいは外
部からの機械的衝撃による接合破壊を有効に防止でき、
かつ気密信頼性の高い半導体素子収納用パッケージを提
供することにある。 【0008】 【課題を解決するための手段】本発明の光デバイス収納
用パッケージは、光デバイスを搭載するための凹部を有
する絶縁基体と、絶縁基体上面に鉄系合金から成るシー
ルリングを介して封止され、光を透過させるための開口
部を有する枠体および開口部内に設置された透光性の窓
体で構成された略平板状の蓋体とから成る光デバイス収
納用パッケージであって、枠体はシールリングと同一の
合金で形成されるとともに窓体は軟化点が300℃を超え
るガラス材で形成されており、かつこれらの20〜300℃
における熱膨張係数の差を0.4〜1.0×10-6/℃としてあ
り、枠体と窓体とは、両者を前記軟化点を超えて加熱し
た後冷却して収縮させ焼嵌により直接接合してあること
を特徴とするものである。 【0009】本発明の光デバイス収納用パッケージによ
れば、枠体をシールリングと同一の合金で形成するとと
もに窓体を軟化点が300℃を超えるガラス材で形成し、
これらの20〜300℃の範囲での熱膨張係数の差を0.4〜1.
0×10-6/℃とし、枠体と窓体とを軟化点を超えて加熱
した後冷却して収縮させ焼嵌により直接接合したことか
ら、枠体と窓体とを接合した後に、窓体は枠体から常に
圧縮方向の力が加えられることから両者の接合が非常に
強固なものとなり、その結果、熱応力あるいは外部から
の機械的衝撃に対して枠体と窓体との接合破壊が起こり
難く、気密信頼性の良好な光デバイス収納用パッケージ
とすることができる。 【0010】 【発明の実施の形態】以下、本発明の光デバイス収納用
パッケージを添付の図面に基づいて詳細に説明する。図
1は本発明の光デバイス収納用パッケージの実施の形態
の一例を示す断面図であり、1は絶縁基体、2はシール
リング、3は蓋体であり、主にこれらで本発明の光デバ
イス収納用パッケージが構成される。なお、蓋体3は光
を透過させるための開口部を有する枠体3aおよび開口
部内に設置された透光性の窓体3bで構成されており、
その形状は略平板状である。 【0011】絶縁基体1は、その凹部1a底面の略中央
部に光デバイス7を搭載するための搭載部が設けてあ
り、この搭載部には光デバイス7がガラス・樹脂・ろう
材等から成る接着剤を介して接着固定される。 【0012】このような絶縁基体1は、酸化アルミニウ
ム質焼結体やムライト質焼結体・窒化アルミニウム質焼
結体・窒化珪素質焼結体・炭化珪素質焼結体等の電気絶
縁材料から成り、例えば、酸化アルミニウム質焼結体か
ら成る場合であれば、酸化アルミニウム・酸化珪素・酸
化マグネシウム・酸化カルシウム等の原料粉末に適当な
有機バインダ・溶剤・可塑剤・分散剤を添加混合して泥
漿物を作り、この泥漿物を従来周知のドクターブレード
法やカレンダーロール法等のシート成形法を採用しシー
ト状にしてセラミックグリーンシート(セラミック生シ
ート)を得、しかる後、それらセラミックグリーンシー
トに適当な打抜き加工を施すとともにこれを複数枚積層
し、約1600℃の高温で焼成することによって製作され
る。 【0013】また、絶縁基体1には、搭載部周辺から下
面にかけて複数の配線導体層6が被着形成されており、
この配線導体層6の搭載部の周辺部には光デバイス7の
各電極がボンディングワイヤ8を介して電気的に接続さ
れ、また、絶縁基体1の下面に導出された部位には外部
電気回路(図示せず)が半田等の接続部材を介して電気
的に接続される。 【0014】配線導体層6は、光デバイス7の各電極を
外部電気回路に電気的に接続する際の導電路として作用
し、例えばタングステン・モリブデン・マンガン等の高
融点金属粉末に適当な有機溶剤・溶媒・可塑剤等を添加
混合して得た金属ペーストを従来周知のスクリーン印刷
法等の厚膜手法を採用して絶縁基体1となるセラミック
グリーンシートにあらかじめ印刷塗布しておき、これを
セラミックグリーンシートと同時に焼成することによっ
て絶縁基体1の搭載部周辺から下面にかけて所定パター
ンに被着形成される。 【0015】なお、配線導体層6はその表面にニッケル
・金等の良導電性で耐蝕性およびろう材との濡れ性が良
好な金属をめっき法により1〜20μmの厚みに被着させ
ておくと、配線導体層6の酸化腐蝕を有効に防止するこ
とができるとともに配線導体層6とボンディングワイヤ
8との接続および配線導体層6と外部電気回路の配線導
体との半田付けを強固となすことができる。従って、配
線導体層6の酸化腐蝕を防止し、配線導体層6とボンデ
ィングワイヤ8との接続および配線導体層6と外部電気
回路の配線導体との半田付けを強固となすためには、配
線導体層6の表面にニッケル・金等をめっき法により1
〜20μmの厚みに被着させておくことが好ましい。 【0016】また、絶縁基体1の上面には、鉄系合金か
ら成るシールリング2が、銀ろう等のろう材を介して接
合されている。シールリング2は、蓋体3を絶縁基体1
に接合する機能を有し、鉄・アルミニウム・銅・タング
ステン・鉄−ニッケル合金・鉄−コバルト合金・鉄−ニ
ッケル−コバルト合金等の金属材料により形成されてい
る。このようなシールリング2は、例えば鉄−ニッケル
合金から成る場合であれば、鉄−ニッケル合金のインゴ
ット(塊)を圧延し板状にしたものを、所定の突起形状
に対応して製作したプレス金型により圧縮プレス成形す
るとともに、従来周知の打抜き加工法により所定の寸法
に形成される。または、ケミカルエッチングにより形成
および所定の外寸への成形も可能である。 【0017】また、シールリング2の上面には、枠体3
aと窓体3bとから成る蓋体3が、シーム溶接法や、銀
ろう等のろう材を用いて接合されている。枠体3aは、
その外寸が3〜50mm程度、開口部の寸法が1〜30mm
程度、厚みが0.2〜5mm程度であり、また窓体3b
は、その外寸が枠体3aの開口部の寸法と同一であり、
厚みは枠体3aの厚みと同一から10%程度厚い形状に形
成されている。 【0018】枠体3aは、その開口部に窓体3bが組み
合わされており光デバイス7をパッケージ内部に気密に
封止する作用を成すとともに外部からの衝撃により光デ
バイス7が破壊されることを防止する機能を有し、鉄・
アルミニウム・銅・タングステン・鉄−ニッケル合金・
鉄−コバルト合金・鉄−ニッケル−コバルト合金等の金
属材料により形成されている。なお、枠体3aは、例え
ば鉄−ニッケル合金から成る場合であれば、鉄−ニッケ
ル合金のインゴット(塊)を圧延し板状にしたものを、
所定の突起形状に対応して製作したプレス金型により圧
縮プレス成形するとともに、従来周知の打抜き加工法に
より所定の寸法に形成される。または、ケミカルエッチ
ングにより形成および所定の外寸への成形も可能であ
る。 【0019】窓体3bは、光デバイス7が受発光する光
を損失が少なく効率良く透過する機能を有し、ホウ珪酸
ガラス等の光学ガラスにより形成されている。このよう
な窓体3bは、窓体3bと成る母材を、一般に用いられ
る切断・研磨方法を用いて、所定の形状にすることによ
り製作される。 【0020】本発明の光デバイス収納用パッケージにお
いては、枠体3aをシールリング2と同一の合金で形成
するとともに窓体3bを軟化点が300℃を超えるガラス
材で形成し、これらの20〜300℃の範囲での熱膨張係数
の差を0.4〜1.0×10-6/℃とし、枠体3aと窓体3bと
を軟化点を超えて加熱した後冷却して収縮させ焼嵌によ
り直接接合することが重要である。 【0021】本発明の光デバイス収納用パッケージによ
れば、枠体3aをシールリング2と同一の合金で形成す
るとともに窓体3bを軟化点が300℃を超えるガラス材
で形成し、これらの20〜300℃の範囲での熱膨張係数の
差を0.4〜1.0×10-6/℃とし、枠体3aと窓体3bとを
軟化点を超えて加熱した後冷却して収縮させ焼嵌により
直接接合したことから、枠体3aと窓体3bとを接合し
た後に、光デバイス7の動作環境である300℃以下の温
度領域において、窓体3aは枠体3bから常に圧縮方向
の力が加えられることから両者の接合が非常に強固なも
のとなり、その結果、熱応力あるいは外部からの機械的
衝撃に対して枠体3aと窓体3bとの接合破壊が起こり
難く、また、枠体3aと窓体3bとの間に異種材料によ
るストレスおよび接着剤の劣化による接合破壊が起こら
ないことから気密信頼性の良好な光デバイス収納用パッ
ケージとすることができる。 【0022】なお、窓体3aの軟化点が300℃以下の場
合、光デバイスの動作環境において窓体3bが軟化し、
窓体3aの脱落あるいは変形による光学特性劣化が起こ
りやすくなる傾向がある。従って、窓体3aの軟化点は
300℃以上とすることが好ましい。 【0023】また、枠体3aと窓体3bの20〜300℃範
囲での熱膨張係数の差が0.4×10-6/℃未満の場合、枠
体3aとの熱膨張係数の差が小さく枠体3aからの圧縮
方向の力が弱くなり枠体3aと窓体3bとの接合強度が
低下し、窓体3aが脱落しやすくなる傾向がある。さら
に、枠体3aと窓体3bの20〜300℃範囲での熱膨張係
数の差が1.0×10-6/℃を超える場合、枠体3aとの熱
膨張係数の差が大きく枠体3aからの圧縮方向の力が過
剰に強くなり窓体3bが枠体3aの圧縮応力に耐えきれ
ず破壊しやすくなる傾向がある。従って、枠体3aと窓
体3bの20〜300℃範囲での熱膨張係数の差は0.4〜1.0
×10-6/℃の範囲とすることが重要である。 【0024】さらに、枠体3aと窓体3bの間に異種材
料の接着材を用いる場合、異種材料と枠体3aおよび窓
体3bの間にさらに熱膨張係数の差による応力が加わ
り、接着剤起因の気密不良が発生する危険性がある。従
って、枠体3aと窓体3bとは両者を軟化点を超えて加
熱した後冷却して収縮させ焼嵌により直接接合すること
が重要である。 【0025】枠体3aは、シールリング2とのシーム溶
接の際の電力および圧力を低減し、枠体3aとシールリ
ング2との間の封止後の応力を低減する観点から、図1
に示すように窓体3bの接合部と比較して外周の厚みが
薄い形状であることが好ましい。 【0026】なお、枠体3aと窓体3bとは、表面を温
度が600〜800℃程度の加熱により酸化させた枠体3a
に、枠体3aの開口寸法に対して外周寸法が2〜10%小
さく、厚みが5〜20%厚い寸法に加工した窓体3bを設
置し、両者の軟化点を超える温度、例えば700〜1000℃
の温度に加熱して窓体3を一旦軟化させ、枠体3aの開
口部に窓体3bの材料を満たした後、冷却固化すること
により接合される。この際、枠体3aと窓体3bとは、
位置合わせ治具を用いて所定の位置に互いを位置決め
し、接合することが好ましい。また、加熱雰囲気は枠体
3aの過剰な酸化を防止する為、還元雰囲気が好まし
く、リフロー炉等の連続炉で処理することが好ましい。 【0027】また、枠体3aと窓体3bを接合して蓋体
3を製作した後、蓋体3の両面を研磨することにより窓
体3bの表面を鏡面研磨し、窓体3bの材料本来の屈折
率が得られるように加工を行う。 【0028】かくして、本発明の光デバイス収納用パッ
ケージによれば、絶縁基体1の凹部1a底面に光デバイ
ス7をガラス・樹脂・ろう材等の接着剤を介して接着固
定するとともに光デバイス7の各電極を配線導体層6に
ボンディングワイヤ8を介して電気的に接続し、しかる
後、絶縁基体1の上面に凹部1aを覆うように蓋体3を
被せ、シールリング2と蓋体3とをシーム溶接法により
接合させ、絶縁基体1と蓋体3とから成る容器の内部に
光デバイス7を気密に封止することによって最終製品と
しての光デバイスと成る。 【0029】 【実施例】枠体3aに20〜300℃の温度範囲での熱膨張
係数が4.8×10-6/℃のFe−Ni−Co合金を用い、
窓体3bに熱膨張係数が3.6×10-6〜4.8×10-6/℃の範
囲のホウ珪酸ガラスを用いて蓋体3を試料を製作して評
価した。試料は、まず、表面を600℃の温度で酸化させ
た枠体に、枠体の開口寸法に対して外周寸法が5%小さ
く、厚みが10%厚い寸法に加工した窓体を用い、両者を
800℃の温度に加熱して窓体を一旦軟化させるとともに
膨張させ、枠体の開口部に窓体を挿入し、しかる後、冷
却固化することにより製作した。試料は、焼嵌め後の目
視検査およびHeリークテストを行ない評価した。結果
を、表1に示す。 【0030】 【表1】【0031】表1から、枠体の熱膨張係数と蓋体の熱膨
張係数との差が1.1×10-6/℃では、窓体が割れてしま
った。また、Heリークテストにおいても、Heのリー
クが確認された。さらに、枠体の熱膨張係数と蓋体の熱
膨張係数との差が0.3×10-6/℃では、窓体が枠体から
外れるとともに、Heリークテストにおいても、Heの
リークが確認された。 【0032】これに対して、本発明の請求範囲内の枠体
の熱膨張係数と蓋体の熱膨張係数との差が0.4〜1.2×10
-6/℃では、外観上問題は見られず、またHeリークテ
ストでも1×10-8Pa・mm3/s以下と良好な結果が得ら
れた。従って、枠体2と窓体3の20〜300℃範囲での熱
膨張係数の差は0.4〜1.0×10-6/℃の範囲とすることが
好ましいことがわかった。 【0033】 【発明の効果】本発明の光デバイス収納用パッケージに
よれば、枠体をシールリングと同一の合金で形成すると
ともに窓体を軟化点が300℃を超えるガラス材で形成
し、これらの20〜300℃の範囲での熱膨張係数の差を0.4
〜1.0×10-6/℃とし、枠体と窓体とを軟化点を超えて
加熱した後冷却して収縮させ焼嵌により直接接合したこ
とから、枠体と窓体とを接合した後に、窓体は枠体から
常に圧縮方向の力が加えられることから両者の接合が非
常に強固なものとなり、その結果、熱応力あるいは外部
からの機械的衝撃に対して枠体と窓体との接合破壊が起
こり難く、気密信頼性の良好な光デバイス収納用パッケ
ージとすることができる。
【図面の簡単な説明】 【図1】本発明の光デバイス収納用パッケージの実施の
形態の一例を示す断面図である。 【符号の説明】 1・・・・・・絶縁基体 1a・・・・・・凹部 2・・・・・・シールリング 3・・・・・・蓋体 3a・・・・・枠体 3b・・・・・窓体 6・・・・・・配線導体層 7・・・・・・光デバイス

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 【請求項1】 光デバイスを搭載するための凹部を有す
    る絶縁基体と、該絶縁基体上面に鉄系合金から成るシー
    ルリングを介して封止され、光を透過させるための開口
    部を有する枠体および前記開口部内に設置された透光性
    の窓体で構成された略平板状の蓋体とから成る光デバイ
    ス収納用パッケージであって、前記枠体は前記シールリ
    ングと同一の合金で形成されるとともに前記窓体は軟化
    点が300℃を超えるガラス材で形成されており、かつ
    これらの20〜300℃における熱膨張係数の差を0.
    4〜1.0×10-6/℃としてあり、前記枠体と前記窓
    体とは、両者を前記軟化点を超えて加熱した後冷却して
    収縮させ焼嵌により直接接合してあることを特徴とする
    光デバイス収納用パッケージ。
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