JPS63263814A - 表面波装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ＋８）産業上の利用分野 この発明は、表面波装置の製造方法に関する。

（ｂ）従来の技術 圧電基板の表面に入カドランスデューサと出力ｌ・ラン
スデューサを設け、これらのトランスデューサ間で表面
波が伝播する表面波素子をパッケージ化する際、樹脂製
のケースを用いた表面波装置が開発されている。

第８図はこの種の表面波装置の構成を示すもので、図に
おいて２０は表面波素子を示し、表面に入カドランスデ
ューサおよび出カドランスデューサおよび端子電極等が
形成されている。６１は外部接続用入出力端子５１．５
２等をそれぞれ樹脂一体成形したケースで、このケース
６１には表面波素子２０を収納するための空間が設けら
れている。表面波素子２０の表面に形成されている端子
電極と外部接続用端子との間はワイヤ２３．２４によっ
てワイヤボンディングされている。６２は表面波素子２
０を収納したケース６１の開口面を閉塞する蓋で、この
蓋６２はケース６１に接着または溶着されている。

（Ｃ）発明が解決しようとする問題点 このように構成された従来の表面波装置においては、外
部接続用端子と表面波素子の端子電極等をワイヤボンデ
ィングにより接続するため、表面波素子をケースの表面
に接着する工程とワイヤによるボンディング工程を要し
製造工程が複雑である。またワイヤボンディングに必要
なスペースを確保しておく必要があるため、ケースをあ
まり小型化できないという問題があった。

この発明の目的はこのような従来の問題点を解消して、
簡単な工程で表面波素子の固定および接続を可能とした
表面波装置の製造方法を提供することにある。

（ｄ１問題点を解決するための手段 この発明の表面波装置の製造方法は、外部接続用端子を
一体成形した絶縁性基台に表面波素子が固定された表面
波装置の製造方法であって、部分的に抵抗値の高い発熱
部を備え、一対の通電端子に対して電流路を形成するリ
ードフレームを、上記発熱部が絶縁性の基台上に露出す
る状態で一体成形し、上記発熱部に表面波素子の端子電
極を対向させた状態で、上記一対の通電端子間に通電し
、発熱部を発熱させることにより、基台上に表面波素子
を抵抗加熱溶接する工程を含むことを特徴としている。

（８１作用 この発明の表面波装置の製造方法においては、リードフ
レームは部分的に抵抗値の高い発熱部を備え、この発熱
部が絶縁性の基台上に露出する状態で一体成形されてい
るため、この発熱部に表面波素子の端子電極を対向させ
た状態で、リードフレームの通電端子間に通電すること
により、発熱部が発熱し、表面波素子の端子電極が抵抗
加熱溶接により接合される。これにより基台上に表面波
素子が結合される。

（「）実施例 表面波装置の外観を示す斜視図である。第１図において
３０は基台、２０は表面波素子、１０は蓋をそれぞれ示
している。基台３０は中央部に表面波素子がｉ置される
略平坦部３１ａを有し、周辺部に後述する蓋の枠部と嵌
合する段部３１ｔ）が形成されている。中央部の平坦部
には表面波素子２０に形成されている端子電極と接続さ
れる４つの接続端子３２．３４．３６．３８が平坦部３
１ａの表面よりわずかに突出する位置に配置されている
。なお、接続端子３２．３４．３６．３８が平坦部３１
ａの表面と面一の場合には、表面波素子２０の伝播路が
接触しないように、平坦部３１ａに凹部を設けておくと
よい。各接続端子は樹脂部分３１の内部を通って３１の
下面から側方に外部接続用端子３３，３５．３７．３９
としてそれぞれ導き出されている。

表面波素子２０は圧電基板２１０表面（第１図において
は下面）に入カドランスデューサおよび出カドランスデ
ューサ等の電極と信号入出力用の端子電極が形成されて
いる。第３図は表面波素子２０の表面に形成されている
各種電極の形状を示す平面図である。図において２６は
入カドランスデューサや出カドランスデューサ等を構成
するインターディジタル電極を概略的に示し、２２〜２
５は信号入出力用端子電極を示している。この端子電極
はウェハーの段階でＡ１電極上にＮｉ、Ａｇの蒸着およ
び半田ペーストの印刷等により形成されている。なお、
表面波素子の裏面には好ましくはシールド用電極膜が全
面に形成されている。

第１図に示したように基台の中央部に対して電極面を下
にして表面波素子２０を載置することにより、端子電極
２２．２３，２４．２５はそれぞれ接続端子３４．３２
．３８．３６に対向し、後述する方法により接続される
。

第１図において１１０は樹脂製の枠部１１と１枚の金属
板１２．１）．１４の一体成形体から構成され、金属板
の一部１）．１４は枠部１１の両側面にアース端子とし
て突出している。

蓋１０は、その枠部１１の底面に接着剤を塗布し、表面
波素子２０が固定された基台３０に対して被せることに
より嵌合および接着を行う。その後第２図に示すように
各外部接続用端子３３，３５．３７．３９をそれぞれ９
０度上方に折り曲げるとともに、アース端子１）．１４
を基台の側面に沿わせて折り曲げ、更にその先端を基台
の底面に折り曲げ加工する。このようにしてパッケージ
の側面および底面に外部接続用端子およびアース端子が
露出されたチップ型の表面波装置が構成される。

第４図（Ａ）〜（Ｅ）は上記蓋１０の構造を示す図であ
り、第４図（Ａ）は蓋１０の上面図、（Ｂ）は正面図、
（Ｃ）は中央正面断面図、（Ｄ）は側面図、および（Ｅ
）は中央側面断面図　をそれぞれ示している。図から明
らかなように蓋１０は樹脂からなる枠部１１と１枚の金
属板１２．１）．１４との一体成形体からなり、金属板
１２の周囲は絞り加工され、枠体１１の中央部に埋めこ
まれている。従って枠部１１は金属板によって補強され
、剛性の高い蓋を構成している。金属板１２の下方には
さらに板バネ片ｉ５が折り曲げ加工されていて、この蓋
が基台に接合されたとき、板バネ片１５が表面波素子の
背面を押圧することになる。

第５図（Ａ）〜（Ｄ）は上記基台３０の製造途中の状態
を示す図であり、第５図（Ａ）は基台３０の製造途中に
おける上面図、（Ｂ）は正面図、（Ｃ）は側面図、およ
び（Ｄ）は中央側面断面図をそれぞれ示している。同図
（Ａ）において４１〜４６は一体化されたリードフレー
ムを示し、ＦｌおよびＦ２間に支持されている。フレー
ム４１．４２間には幅の狭い半円形のパターン３６ｂお
よびこの半円形のパターンから突出された突出部３６ａ
からなる接続端子が構成されている。同様にリードフレ
ーム４２．４３間には接続端子３２ａ、３２ｂが、リー
ドフレーム４４．４５間には接続端子３８ａ、３８ｂが
、リードフレーム４５．４６間には接続端子３４ａ、３
４ｂがそれぞれ形成されている。このように形成された
リードフレームのＦｌ、Ｆ２間に通電することにより、
幅の狭い半円形パターン部３２ｂ、３４ｂ、３６ｂ、３
８ｂがそれぞれジュール熱により発熱し、これに伴い接
続端子の突出部３２ａ、３４ａ、３６ａ、３８ａがそれ
ぞれ加熱される。なお、突出部３２　ａ、　　３４　ａ
、　　３６　ａ、　　３８　ａは必ずしも必須ではなく
、幅の狭い半円形パターン部のみでもよく、要は、部分
的に抵抗値の高い発熱部を形成すればよい。

同図（Ａ）゛において３１はリードフレーム４１〜４６
と樹脂一体成形された樹脂部分を示し、同図（Ｂ）およ
び（Ｄ）に示すように各接続端子の半円形パターン部お
よび突出部は樹脂部分３１の上面かられずかに浮き上が
った位置に配置されるように予めプレス加工されている
。

第５図に示した状態で各接続端子の突出部に表面波素子
の端子電極が対向するように位置合わせし固定した状態
で、Ｆｌ、Ｆ２間に通電することにより、接続端子の突
出部３２ａ、３４ａ、３６ａ、３８ａが加熱され、この
熱により表面波素子の各端子電極表面に付着されている
半田ペーストが溶融してそれぞれ半田メッキの施されて
いる接続端子３２，３４，３６．３８に半田付けが行わ
れる。この際、Ｆｌ、Ｆ２間に通電して半円形パターン
部３２ｂ、３４ｂ、３６ｂ、３８ｂを発熱させるが、こ
の半円形パターン部が樹脂部分３１の上面かられずかに
浮き上がった位置に配置されるので、発熱により樹脂部
分３１カリ容けるということはない。その後基台上に前
述の１１０を接合し、第５図（Ａ）に示した切断線Ｃに
沿ってリードフレームを切断することにより、必要な外
部接続用端子のみ側方から突出した表面波装置が形成さ
れる。

第６図は以上のようにして構成された表面波装置の側面
断面図、第７図は正面断面図である。第６図に示すよう
に外部接続用端子３３．３５等は基台３０の上下面に露
出され、表面波素子２０の端子電極が基台上面の露出部
に対向してフェイスダウンボンディングされたため、表
面波素子の各端子電極は基台の下面に導き出される。な
お、外部接続用端子３３．３５等は、基台の側面から外
方へ導き出し、基台の側面から下面にわたって折り曲げ
るようにしてもよい。また、両図に示すように、基台の
段部３１ｂには蓋の枠部１１の底面が接して基台３０と
蓋１０が嵌合および接着される。このときの接着時の熱
により、あるいは部品の完成後回路基板に対する半田付
は時の熱により密閉されたパッケージの空気が膨張する
が、蓋１０の一部を構成する金属板１２が湾曲すること
により、その圧力が低減され、基台と蓋との接着面に過
大な応力が加わらず、密閉性が保たれる。更に、仮バネ
片１５が表面波素子２０の背面を押下するため、たとえ
ば回路基板実装時に表面波素子の端子電極と基台上の接
続端子との接続部の半田が溶融したとしても、あるいは
表面波装置全体に機械的衝撃が加わったとしても、表面
波素子が基台との間で確実に保持される。しかも表面波
素子の裏面（背面）にシールド電極を形成した場合には
、この板バネ片１５を介してシールド電瓶がアース端子
まで導かれるため、金属板１２とともにシールドが行わ
れる。

（ｇ１発明の効果 以上のようにこの発明によれば、簡単な工程で表面波素
子を基台に取り付けか異り一ド接続を行うことができ、
しかも取り付けるための余分なスペースが必要ではなく
、小型の表面波装置を容易に製造することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の実施例に用いられた表面波装置の組
み立て前の構造を示す分解斜視図、第２図は完成された
表面波装置の外観を示す斜視図、第３図は組み込まれる
表面波素子の表面の電極パターンを示す平面図、第４図
（Ａ）〜（Ｅ）は蓋の構成を示す図、第５図（Ａ）〜（
Ｄ）は基台の構成を示す図、第６図および第７図は基台
に蓋を接合した状態における断面図、第８図は従来の表
面波装置の構造を示す断面図である。 ｌ〇−蓋、２〇−表面波素子、 ２２〜２５一端子電極、３〇−基台、 ３２ａ、３４ａ、３６ａ、３８ａ−接続端子の突出部、
３２ｂ、３４ｂ、３６ｂ、３８ｂ−接続端子の半円形パ
ターン部（発熱部）、 ３３．３５．３７．３９−外部接続用端子。 １１図 第６図 第１Ｉ

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）外部接続用端子を一体成形した絶縁性基台に表面
   波素子が固定された表面波装置の製造方法であって、 部分的に抵抗値の高い発熱部を備え、一対の通電端子に
   対して、電流路を形成するリードフレームを、上記発熱
   部が絶縁性の基台上に露出する状態で一体成形し、上記
   発熱部に表面波素子の端子電極を対向させた状態で、上
   記一対の通電端子間に通電し、発熱部を発熱させること
   により、基台上に表面波素子を抵抗加熱溶接する工程を
   含むことを特徴とする表面波装置の製造方法。