JP2000012743A - 電子回路装置及びその製造方法 - Google Patents
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- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 電子回路装置において、半導体素子と配線導
体との信頼性の高い電気的接続を得、かつその電気的接
続のためのスペースを小さくする。また、封止樹脂の広
がりを規制し、確実な電磁シールド効果を得る。 【解決手段】 一面が開口した略箱型で、外部を導電部
７で覆い、複数の配線導体６を配設した樹脂成形品
（７，８）からなる外筐の略中央部に、背面に金属製の
ヒートシンク４が接着された半導体素子１を装着する。
半導体素子１はその突起電極２を配線導体６の各一端に
設けた電極部６ａに接合し、配線導体６の各他端は外筐
の端部付近に導出してコネクタピンを構成する。半導体
素子１の周囲に封止樹脂５を充填し、その封止樹脂がコ
ネクタ９部へ流出するのを防止する仕切壁８ａを設けて
いる。
体との信頼性の高い電気的接続を得、かつその電気的接
続のためのスペースを小さくする。また、封止樹脂の広
がりを規制し、確実な電磁シールド効果を得る。 【解決手段】 一面が開口した略箱型で、外部を導電部
７で覆い、複数の配線導体６を配設した樹脂成形品
（７，８）からなる外筐の略中央部に、背面に金属製の
ヒートシンク４が接着された半導体素子１を装着する。
半導体素子１はその突起電極２を配線導体６の各一端に
設けた電極部６ａに接合し、配線導体６の各他端は外筐
の端部付近に導出してコネクタピンを構成する。半導体
素子１の周囲に封止樹脂５を充填し、その封止樹脂がコ
ネクタ９部へ流出するのを防止する仕切壁８ａを設けて
いる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、樹脂成形品からな
る外筐に半導体素子を内蔵した電子回路装置、特に電力
用の電子回路装置およびその製造方法に関するものであ
る。
る外筐に半導体素子を内蔵した電子回路装置、特に電力
用の電子回路装置およびその製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、電気製品の軽薄短小化は時代の流
れとなっており、この動向に対応して電気製品の電源回
路も小型軽量化、高放熱化、低ノイズ化等が求められて
いる。図４は、この種の電源回路等に用いられる電力用
の電子回路装置を示したもので、高放熱を確保するため
に、アルミ基板１２の上に絶縁性の樹脂接着剤１３によ
り接着された銅箔をエッチングして配線導体（独立した
導体ランドも含む）６を形成した、いわゆる金属基板が
使用されている。放熱を必要とする半導体素子１は、回
路形成面とは反対側の面が、配線導体６の一つに、空気
の泡のないクリーム半田１４により接合され、回路形成
面の電極とアルミ基板１２上の他の配線導体６との間が
アルミ線１５のワイヤボンディングで接続される。そし
て、半導体素子１を外界からシールしかつアルミ線１５
を機械的に保護するために、絶縁性の封止樹脂５で被覆
する。さらに、別の配線導体６上にクリーム半田１４等
を用いてピン９ａを有するコネクタ９や、半導体素子１
の装着部を覆うシールドケース１６を接合する。このよ
うにして、放熱性と電磁シールド性を持たせたコネクタ
付き電子回路装置が構成されている。
れとなっており、この動向に対応して電気製品の電源回
路も小型軽量化、高放熱化、低ノイズ化等が求められて
いる。図４は、この種の電源回路等に用いられる電力用
の電子回路装置を示したもので、高放熱を確保するため
に、アルミ基板１２の上に絶縁性の樹脂接着剤１３によ
り接着された銅箔をエッチングして配線導体（独立した
導体ランドも含む）６を形成した、いわゆる金属基板が
使用されている。放熱を必要とする半導体素子１は、回
路形成面とは反対側の面が、配線導体６の一つに、空気
の泡のないクリーム半田１４により接合され、回路形成
面の電極とアルミ基板１２上の他の配線導体６との間が
アルミ線１５のワイヤボンディングで接続される。そし
て、半導体素子１を外界からシールしかつアルミ線１５
を機械的に保護するために、絶縁性の封止樹脂５で被覆
する。さらに、別の配線導体６上にクリーム半田１４等
を用いてピン９ａを有するコネクタ９や、半導体素子１
の装着部を覆うシールドケース１６を接合する。このよ
うにして、放熱性と電磁シールド性を持たせたコネクタ
付き電子回路装置が構成されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような従来の構成では、半導体素子１の電極数が多くな
ると、アルミ線１５を引き出す配線導体６を確保するた
めのスペースが大きくなるという問題があった。
ような従来の構成では、半導体素子１の電極数が多くな
ると、アルミ線１５を引き出す配線導体６を確保するた
めのスペースが大きくなるという問題があった。
【０００４】また、アルミ基板１２に配線導体６を接着
する樹脂接着剤１３は剛性が小さいため、半導体素子１
と配線導体６とを接続する超音波によるワイヤボンディ
ングの際、配線導体６と樹脂接着剤１３との間で超音波
エネルギーが逃げてしまい、接合不良が発生し易い。
する樹脂接着剤１３は剛性が小さいため、半導体素子１
と配線導体６とを接続する超音波によるワイヤボンディ
ングの際、配線導体６と樹脂接着剤１３との間で超音波
エネルギーが逃げてしまい、接合不良が発生し易い。
【０００５】また、半導体素子１とアルミ線１５を保護
するための封止樹脂５は、液体の状態で塗布するが、粘
度のばらつきにより広がる面積が異なり、他の部品を接
合する電極に被って、半田付け不良が発生するという問
題もあった。
するための封止樹脂５は、液体の状態で塗布するが、粘
度のばらつきにより広がる面積が異なり、他の部品を接
合する電極に被って、半田付け不良が発生するという問
題もあった。
【０００６】さらに、半導体素子１はシールドケース１
６で覆われているが、コネクタ９の部分は露出されてい
るため、コネクタ部分より電磁ノイズが入り込み、半導
体素子１が誤動作するという問題もあった。
６で覆われているが、コネクタ９の部分は露出されてい
るため、コネクタ部分より電磁ノイズが入り込み、半導
体素子１が誤動作するという問題もあった。
【０００７】本発明は、上記従来技術の問題点を解決す
るもので、半導体素子と配線導体との信頼性の高い電気
的接続を得るとともに、その電気的接続のためのスペー
スを小さくして小型化を図り、また、封止樹脂を適切な
範囲に塗布するとともに、確実な電磁シールド効果を得
る構造を備えた電子回路装置及びその製造方法を提供す
ることを目的とする。
るもので、半導体素子と配線導体との信頼性の高い電気
的接続を得るとともに、その電気的接続のためのスペー
スを小さくして小型化を図り、また、封止樹脂を適切な
範囲に塗布するとともに、確実な電磁シールド効果を得
る構造を備えた電子回路装置及びその製造方法を提供す
ることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の電子回路装置は、一面が開口した略箱型
で、外部が導電部で覆われ、複数の配線導体が配設され
た樹脂成形品からなる外筐と、該外筐の内部の略中央部
に位置する前記配線導体の各一端に設けられた電極部に
突起電極が接合された半導体素子と、該半導体素子の背
面に接着されたヒートシンクと、前記半導体素子の周囲
に充填された封止樹脂とからなることを特徴とするもの
である。
めに、本発明の電子回路装置は、一面が開口した略箱型
で、外部が導電部で覆われ、複数の配線導体が配設され
た樹脂成形品からなる外筐と、該外筐の内部の略中央部
に位置する前記配線導体の各一端に設けられた電極部に
突起電極が接合された半導体素子と、該半導体素子の背
面に接着されたヒートシンクと、前記半導体素子の周囲
に充填された封止樹脂とからなることを特徴とするもの
である。
【０００９】また、配線導体の各他端は、外筐の端部付
近に導出されて、コネクタピンを構成している。
近に導出されて、コネクタピンを構成している。
【００１０】外筐は、複数の配線導体が配設された一次
絶縁性樹脂成形部と、該一次絶縁性樹脂成形部の外側を
一体的に覆う二次導電性樹脂成形部から構成されてい
る。その外筐は、半導体素子装着部とコネクタピン導出
部とを仕切り、半導体素子の周囲に充填された封止樹脂
のコネクタピン導出部側への流出を防止する二次導電性
樹脂成形部からなる仕切壁が設けられている。
絶縁性樹脂成形部と、該一次絶縁性樹脂成形部の外側を
一体的に覆う二次導電性樹脂成形部から構成されてい
る。その外筐は、半導体素子装着部とコネクタピン導出
部とを仕切り、半導体素子の周囲に充填された封止樹脂
のコネクタピン導出部側への流出を防止する二次導電性
樹脂成形部からなる仕切壁が設けられている。
【００１１】また、ヒートシンクは金属からなり、半導
体素子及び仕切壁に導電性接着剤で接合されており、半
導体素子が接着される面とは反対側の面には複数の溝が
形設されている。
体素子及び仕切壁に導電性接着剤で接合されており、半
導体素子が接着される面とは反対側の面には複数の溝が
形設されている。
【００１２】さらに、本発明の電子回路装置の製造方法
は、銅板に配線パターンを形成し、所定の形状に折曲加
工する工程と、加工された配線導体を配置した一次絶縁
性樹脂成形部を形成する工程と、一次絶縁性樹脂成形部
の外側に二次導電性樹脂成形部を一体的に形成して外筐
を構成する工程と、突起電極を有する半導体素子の背面
にヒートシンクを導電性接着剤で接着する工程と、前記
外筐の半導体素子装着部に所定量の封止樹脂を注入し、
前記半導体素子をその封止樹脂中に押し込み、前記突起
電極を前記配線導体の電極部に超音波溶接する工程とか
らなることを特徴とするものである。
は、銅板に配線パターンを形成し、所定の形状に折曲加
工する工程と、加工された配線導体を配置した一次絶縁
性樹脂成形部を形成する工程と、一次絶縁性樹脂成形部
の外側に二次導電性樹脂成形部を一体的に形成して外筐
を構成する工程と、突起電極を有する半導体素子の背面
にヒートシンクを導電性接着剤で接着する工程と、前記
外筐の半導体素子装着部に所定量の封止樹脂を注入し、
前記半導体素子をその封止樹脂中に押し込み、前記突起
電極を前記配線導体の電極部に超音波溶接する工程とか
らなることを特徴とするものである。
【００１３】上記構成の電子回路装置及びその製造方法
によれば、剛性の大きい樹脂成形品からなる外筐に確実
に固定された配線導体に、突起電極を有する半導体素子
をフェースダウン方式で超音波溶接により接合するの
で、超音波エネルギーを効率よく吸収して、確実な接合
が達成されるとともに、電極接合に要するスペースが小
さくて済む。また、外筐の外部が導電部で覆われ、かつ
半導体素子の背面には金属からなるヒートシンクが接着
されて外筐の開口部の大部分を覆っているので確実な電
磁シールド効果を得ることができる。さらに、半導体素
子の装着部の周囲には仕切壁が設けられているので、半
導体素子の周囲に充填される封止樹脂はコネクタピン側
へ流出することはない。
によれば、剛性の大きい樹脂成形品からなる外筐に確実
に固定された配線導体に、突起電極を有する半導体素子
をフェースダウン方式で超音波溶接により接合するの
で、超音波エネルギーを効率よく吸収して、確実な接合
が達成されるとともに、電極接合に要するスペースが小
さくて済む。また、外筐の外部が導電部で覆われ、かつ
半導体素子の背面には金属からなるヒートシンクが接着
されて外筐の開口部の大部分を覆っているので確実な電
磁シールド効果を得ることができる。さらに、半導体素
子の装着部の周囲には仕切壁が設けられているので、半
導体素子の周囲に充填される封止樹脂はコネクタピン側
へ流出することはない。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照しながら詳細に説明する。
て、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１５】図１は、本発明の一実施の形態における電
子回路装置の構成を示したもので、１は半導体素子、２
は半導体素子１の電極パッド部に設けた突起電極（バン
プ）、３は導電性接着剤、４はアルミニウムからなるヒ
ートシンクで、半導体素子１と導電性接着剤３により接
着され、その反対側の面には複数の溝４ａが形設されて
いる。５は半導体素子１の周囲に充填された封止樹脂で
ある。
子回路装置の構成を示したもので、１は半導体素子、２
は半導体素子１の電極パッド部に設けた突起電極（バン
プ）、３は導電性接着剤、４はアルミニウムからなるヒ
ートシンクで、半導体素子１と導電性接着剤３により接
着され、その反対側の面には複数の溝４ａが形設されて
いる。５は半導体素子１の周囲に充填された封止樹脂で
ある。
【００１６】６は配線導体であり、絶縁性樹脂成形部７
に配設されている。８は絶縁性樹脂成形部７の外側に一
体的に形成された導電性樹脂成形部である。絶縁性樹脂
成形部７及び導電性樹脂成形部８は、一面が開口した略
箱型の外筐を構成している。外筐の内部の中央部に配線
導体６の各一端部を位置させ、半導体素子１の突起電極
２を接合する電極部６ａを形成している。配線導体６の
各他端部は、外筐の端部付近に導出し、コネクタピン６
ｂを形成している。半導体素子装着部とコネクタピン導
出部との間には、導電性樹脂成形部からなる仕切壁８ａ
を設けており、これにより半導体素子１の周囲に充填す
る封止樹脂５がコネクタピン６ｂ側へ流出するのを防止
するようにしている。なお、仕切壁８ａとヒートシンク
４との間は導電性接着剤３でつながれており、電気的に
導通している。
に配設されている。８は絶縁性樹脂成形部７の外側に一
体的に形成された導電性樹脂成形部である。絶縁性樹脂
成形部７及び導電性樹脂成形部８は、一面が開口した略
箱型の外筐を構成している。外筐の内部の中央部に配線
導体６の各一端部を位置させ、半導体素子１の突起電極
２を接合する電極部６ａを形成している。配線導体６の
各他端部は、外筐の端部付近に導出し、コネクタピン６
ｂを形成している。半導体素子装着部とコネクタピン導
出部との間には、導電性樹脂成形部からなる仕切壁８ａ
を設けており、これにより半導体素子１の周囲に充填す
る封止樹脂５がコネクタピン６ｂ側へ流出するのを防止
するようにしている。なお、仕切壁８ａとヒートシンク
４との間は導電性接着剤３でつながれており、電気的に
導通している。
【００１７】次に、本実施の形態における電子回路装置
の製造方法を、図２を参照して説明する。まず工程(1)
として、銅板あるいは銅箔をエッチングまたはプレス加
工して配線導体６の回路パターンを形成する。工程(2)
では、回路パターンが形成された配線導体６を所定の形
状に折曲加工する。なお、１０は配線導体６がばらばら
に分解しないように互いにつないでおくつなぎ部で、後
で切断する。
の製造方法を、図２を参照して説明する。まず工程(1)
として、銅板あるいは銅箔をエッチングまたはプレス加
工して配線導体６の回路パターンを形成する。工程(2)
では、回路パターンが形成された配線導体６を所定の形
状に折曲加工する。なお、１０は配線導体６がばらばら
に分解しないように互いにつないでおくつなぎ部で、後
で切断する。
【００１８】工程(3)では、折曲加工された配線導体６
を一次成形金型を用いて絶縁性樹脂で成形し、絶縁性樹
脂成形部７を形成する。ここで、各配線導体６は絶縁性
樹脂成形部７により固着されたので、工程(4)として、
つなぎ部１０を切断する。さらに、工程(5)として、絶
縁性樹脂成形部７の外部を一体的に覆って電磁シールド
を形成するとともにコネクタ９部を形成するために、二
次成形金型を用いて導電性樹脂による導電性樹脂成形部
８を形成する。この導電性樹脂成形部８は配線導体６と
は接触しない。次いで、工程(6)では、半導体素子１の
装着部に液状の封止樹脂５を所定量注入する。
を一次成形金型を用いて絶縁性樹脂で成形し、絶縁性樹
脂成形部７を形成する。ここで、各配線導体６は絶縁性
樹脂成形部７により固着されたので、工程(4)として、
つなぎ部１０を切断する。さらに、工程(5)として、絶
縁性樹脂成形部７の外部を一体的に覆って電磁シールド
を形成するとともにコネクタ９部を形成するために、二
次成形金型を用いて導電性樹脂による導電性樹脂成形部
８を形成する。この導電性樹脂成形部８は配線導体６と
は接触しない。次いで、工程(6)では、半導体素子１の
装着部に液状の封止樹脂５を所定量注入する。
【００１９】一方、工程(7)として、実装する半導体素
子１を用意し、工程(8)で、半導体素子１の電極パッド
部に突起電極（バンプ）２を形成する。さらに、工程
(9)として、半導体素子１の回路形成面とは反対側の面
（背面という）にアルミニウム製のヒートシンク４を導
電性接着剤３で接着する。接着する際は、接着剤中の気
泡が問題となるため、減圧雰囲気中で脱泡し、接着及び
硬化を実施する。
子１を用意し、工程(8)で、半導体素子１の電極パッド
部に突起電極（バンプ）２を形成する。さらに、工程
(9)として、半導体素子１の回路形成面とは反対側の面
（背面という）にアルミニウム製のヒートシンク４を導
電性接着剤３で接着する。接着する際は、接着剤中の気
泡が問題となるため、減圧雰囲気中で脱泡し、接着及び
硬化を実施する。
【００２０】次に、工程(10)として、工程(6)で外筐に
注入した封止樹脂５の中に、ヒートシンク４の部分を超
音波ヘッドが吸着した半導体素子１を位置合わせして押
し込み、超音波を印加しながら突起電極２と配線導体６
の電極部６ａとを圧接する。このとき、液状の封止樹脂
５は押し込まれた半導体素子１により排除され、突起電
極２と配線導体６間の樹脂も排除されて、金属間結合が
実現する。封止樹脂５は加熱硬化される。最後に、ヒー
トシンク４と仕切壁８ａとの間の導通を確保するため導
電性接着剤３が塗布、硬化され、図１に示す電子回路装
置が完成する。
注入した封止樹脂５の中に、ヒートシンク４の部分を超
音波ヘッドが吸着した半導体素子１を位置合わせして押
し込み、超音波を印加しながら突起電極２と配線導体６
の電極部６ａとを圧接する。このとき、液状の封止樹脂
５は押し込まれた半導体素子１により排除され、突起電
極２と配線導体６間の樹脂も排除されて、金属間結合が
実現する。封止樹脂５は加熱硬化される。最後に、ヒー
トシンク４と仕切壁８ａとの間の導通を確保するため導
電性接着剤３が塗布、硬化され、図１に示す電子回路装
置が完成する。
【００２１】先にも説明したように、半導体素子１の突
起電極２と配線導体６との接合には超音波溶接が適用さ
れる。したがって、配線導体６が剛性の大きい支持体に
しっかり固定されていなければならない。特に、超音波
の印加によって突起電極２が微細振動をするが、それに
つれて同一方向に配線導体６が振動しては超音波エネル
ギーの損失が生ずることになる。
起電極２と配線導体６との接合には超音波溶接が適用さ
れる。したがって、配線導体６が剛性の大きい支持体に
しっかり固定されていなければならない。特に、超音波
の印加によって突起電極２が微細振動をするが、それに
つれて同一方向に配線導体６が振動しては超音波エネル
ギーの損失が生ずることになる。
【００２２】樹脂成形品に組み込まれた配線導体６は、
機械的に堅固に固着されてはいるが、さらに、図３に示
したように、超音波の印加方向１１に対して直角方向
に、配線導体６に凸部１２や凹部１３、曲げ部１４等を
形成しておくことにより、配線導体６は絶縁性樹脂成形
部７に、より堅固に固着されることになる。
機械的に堅固に固着されてはいるが、さらに、図３に示
したように、超音波の印加方向１１に対して直角方向
に、配線導体６に凸部１２や凹部１３、曲げ部１４等を
形成しておくことにより、配線導体６は絶縁性樹脂成形
部７に、より堅固に固着されることになる。
【００２３】また、超音波ヘッドが吸着するヒートシン
ク４に形成した、放熱面積を広くするための複数の溝４
ａも、超音波の印加方向１１に対して直角方向に形成す
ることにより、ヘッドとの滑りをなくし、接合部に対し
て超音波エネルギーを効率よく伝達することができる。
ク４に形成した、放熱面積を広くするための複数の溝４
ａも、超音波の印加方向１１に対して直角方向に形成す
ることにより、ヘッドとの滑りをなくし、接合部に対し
て超音波エネルギーを効率よく伝達することができる。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
剛性の大きい樹脂成形品からなる外筐に確実に固定され
た配線導体に、突起電極を有する半導体素子をフェース
ダウン方式で超音波溶接により接合するので、超音波エ
ネルギーを効率よく伝達して確実な接合を達成すること
ができ、しかも、電極接合に要するスペースが小さくて
済むので、小型化を図ることができる。また、外筐の外
部が導電部で覆われ、かつ半導体素子の背面には金属か
らなるヒートシンクが接着されて外筐の開口部の大部分
を覆っているので確実な電磁シールド効果を得ることが
できる。さらに、半導体素子の装着部の周囲には仕切壁
が設けられているので、半導体素子の周囲に充填される
封止樹脂はコネクタピン側へ流出することはないなど、
種々の効果を奏する。
剛性の大きい樹脂成形品からなる外筐に確実に固定され
た配線導体に、突起電極を有する半導体素子をフェース
ダウン方式で超音波溶接により接合するので、超音波エ
ネルギーを効率よく伝達して確実な接合を達成すること
ができ、しかも、電極接合に要するスペースが小さくて
済むので、小型化を図ることができる。また、外筐の外
部が導電部で覆われ、かつ半導体素子の背面には金属か
らなるヒートシンクが接着されて外筐の開口部の大部分
を覆っているので確実な電磁シールド効果を得ることが
できる。さらに、半導体素子の装着部の周囲には仕切壁
が設けられているので、半導体素子の周囲に充填される
封止樹脂はコネクタピン側へ流出することはないなど、
種々の効果を奏する。
【図１】本発明の一実施の形態における電子回路装置の
断面図及び平面図
断面図及び平面図
【図２】本発明の一実施の形態における電子回路装置の
製造方法を示す工程断面図
製造方法を示す工程断面図
【図３】本発明の樹脂成形品に組み込まれて堅固に固着
される配線導体の形状例を示す図
される配線導体の形状例を示す図
【図４】従来の電子回路装置の断面図
１ 半導体素子 ２ 突起電極 ３ 導電性接着剤 ４ ヒートシンク ５ 封止樹脂 ６ 配線導体 ６ａ 電極部 ６ｂ コネクタピン ７ 絶縁性樹脂成形部 ８ 導電性樹脂成形部 ８ａ 仕切壁 ９ コネクタ
Claims (7)
- 【請求項１】 一面が開口した略箱型で、外部が導電部
で覆われ、複数の配線導体が配設された樹脂成形品から
なる外筐と、該外筐の内部の略中央部に位置する前記配
線導体の各一端に設けられた電極部に突起電極が接合さ
れた半導体素子と、該半導体素子の背面に接着されたヒ
ートシンクと、前記半導体素子の周囲に充填された封止
樹脂とからなることを特徴とする電子回路装置。 - 【請求項２】 配線導体の各他端は、外筐の端部付近に
導出され、コネクタピンを構成していることを特徴とす
る請求項１記載の電子回路装置。 - 【請求項３】 外筐は、複数の配線導体が配設された一
次絶縁性樹脂成形部と、該一次絶縁性樹脂成形部の外側
を一体的に覆う二次導電性樹脂成形部とからなることを
特徴とする請求項１記載の電子回路装置。 - 【請求項４】 外筐は、半導体素子装着部とコネクタピ
ン導出部とを仕切り半導体素子の周囲に充填された封止
樹脂のコネクタピン導出部側への流出を防止する二次導
電性樹脂成形部からなる仕切壁が設けられていることを
特徴とする請求項２または請求項３記載の電子回路装
置。 - 【請求項５】 ヒートシンクは金属からなり、半導体素
子及び仕切壁に導電性接着剤で接合されていることを特
徴とする請求項４記載の電子回路装置。 - 【請求項６】 ヒートシンクは、半導体素子が接着され
る面とは反対側の面に複数の溝が形設されていることを
特徴とする請求項１または請求項５記載の電子回路装
置。 - 【請求項７】 銅板に配線パターンを形成し、所定の形
状に折曲加工する工程と、加工された配線導体を配置し
た一次絶縁性樹脂成形部を形成する工程と、一次絶縁性
樹脂成形部の外側に二次導電性樹脂成形部を一体的に形
成して外筐を構成する工程と、突起電極を有する半導体
素子の背面にヒートシンクを導電性接着剤で接着する工
程と、前記外筐の半導体素子装着部に所定量の封止樹脂
を注入し、前記半導体素子をその封止樹脂中に押し込
み、前記突起電極を前記配線導体の電極部に超音波溶接
する工程とからなることを特徴とする電子回路装置の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17490498A JP3703969B2 (ja) | 1998-06-22 | 1998-06-22 | 電子回路装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17490498A JP3703969B2 (ja) | 1998-06-22 | 1998-06-22 | 電子回路装置及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000012743A true JP2000012743A (ja) | 2000-01-14 |
| JP3703969B2 JP3703969B2 (ja) | 2005-10-05 |
Family
ID=15986741
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17490498A Expired - Fee Related JP3703969B2 (ja) | 1998-06-22 | 1998-06-22 | 電子回路装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3703969B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001317482A (ja) * | 2000-05-11 | 2001-11-16 | Sanso Electric Co Ltd | ダイレクトドライブのシールレスポンプ |
| JP2002158316A (ja) * | 2000-11-16 | 2002-05-31 | Towa Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2007258430A (ja) * | 2006-03-23 | 2007-10-04 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| JP2010182958A (ja) * | 2009-02-06 | 2010-08-19 | Seiko Instruments Inc | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| KR20170004572A (ko) * | 2015-07-03 | 2017-01-11 | 삼성전기주식회사 | 전력 모듈 및 그 제조 방법 |
-
1998
- 1998-06-22 JP JP17490498A patent/JP3703969B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001317482A (ja) * | 2000-05-11 | 2001-11-16 | Sanso Electric Co Ltd | ダイレクトドライブのシールレスポンプ |
| JP2002158316A (ja) * | 2000-11-16 | 2002-05-31 | Towa Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP4630449B2 (ja) * | 2000-11-16 | 2011-02-09 | Ｔｏｗａ株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2007258430A (ja) * | 2006-03-23 | 2007-10-04 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| JP2010182958A (ja) * | 2009-02-06 | 2010-08-19 | Seiko Instruments Inc | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| KR20170004572A (ko) * | 2015-07-03 | 2017-01-11 | 삼성전기주식회사 | 전력 모듈 및 그 제조 방법 |
| KR102248521B1 (ko) * | 2015-07-03 | 2021-05-06 | 삼성전기주식회사 | 전력 모듈 및 그 제조 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3703969B2 (ja) | 2005-10-05 |
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