JP2007258430A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体装置30は、支持基板32と、前記支持基板32の一方の主面に搭載された半導体素子31と、前記半導体素子31に熱伝導部43が接続された放熱体40とを具備し、前記半導体素子31は、前記支持基板32の前記一方の主面に設けられた凹部47に於いて当該支持基板32に搭載され、前記半導体素子31と前記放熱体40の前記熱伝導部43は熱伝導材料36を介して接続され、前記支持基板32の凹部40内に於いて、前記半導体素子31を囲繞して、壁状部材42が配設されてなることを特徴とする。
【選択図】図2
Description
かかる構造により、半導体素子1とヒートスプレッダ20は、両者の間に配設された半田合金7により熱的に結合され、半導体素子1に於いて発生した熱はヒートスプレッダ20に有効に伝達される。
本発明の第1の実施の形態にかかる半導体装置について、図2乃至図11を参照して説明する。
図12乃至図16を参照して、本発明の第2の実施の形態にかかる半導体装置について説明する。
(付記1)支持基板と、
前記支持基板の一方の主面に搭載された半導体素子と、
前記半導体素子に熱伝導部が接続された放熱体と
を具備し、
前記半導体素子は、前記支持基板の前記一方の主面に設けられた凹部に於いて当該支持基板に搭載され、
前記半導体素子と前記放熱体の前記熱伝導部は熱伝導材料を介して接続され、
前記支持基板の凹部内に於いて、前記半導体素子を囲繞して、壁状部材が配設されてなることを特徴とする半導体装置。
(付記2)前記壁状部材は、前記半導体素子の側面を囲繞して配設されてなることを特徴とする付記1記載の半導体装置。
(付記3)前記壁状部材は、前記放熱体の熱伝導部の周囲に配設されてなることを特徴とする付記1記載の半導体装置。
(付記4)前記壁状部材には、選択的に貫通部が配設されてなることを特徴とする付記1記載の半導体装置。
(付記5)前記支持基板の、前記一方の主面に設けられた凹部の周囲には、前記半導体素子と電気的に接続される受動素子が搭載されてなることを特徴とする付記1記載の半導体装置。
(付記6)前記半導体素子は、その主面を支持基板に対向させて、当該支持基板の凹部内に搭載されてなることを特徴とする付記1記載の半導体装置。
(付記7)前記放熱体の熱伝導部は、熱伝導材料を介して前記半導体素子の背面に接続されてなることを特徴とする付記1記載の半導体装置。
(付記8)前記半導体素子と前記放熱体の熱伝導部は、融点の低い熱伝導材料を介して接続されてなることを特徴とする付記1記載の半導体装置。
(付記9)前記壁状部材は、前記熱伝導部と一体に放熱体に配設されてなることを特徴とする付記1記載の半導体装置。
31 半導体素子
32 配線基板
35 熱伝導面
36 半田合金
40、60、70、90、110、130 ヒートスプレッダ
44、61、94、111、134 壁部
47 凹部
62、112 貫通孔
Claims (5)
- 支持基板と、
前記支持基板の一方の主面に搭載された半導体素子と、
前記半導体素子に熱伝導部が接続された放熱体と
を具備し、
前記半導体素子は、前記支持基板の前記一方の主面に設けられた凹部に於いて当該支持基板に搭載され、
前記半導体素子と前記放熱体の前記熱伝導部は熱伝導材料を介して接続され、
前記支持基板の凹部内に於いて、前記半導体素子を囲繞して、壁状部材が配設されてなることを特徴とする半導体装置。 - 前記壁状部材は、前記半導体素子の側面を囲繞して配設されてなることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記壁状部材は、前記放熱体の熱伝導部の周囲に配設されてなることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記壁状部材には、選択的に貫通部が配設されてなることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記支持基板の、前記一方の主面に設けられた凹部の周囲には、前記半導体素子と電気的に接続される受動素子が搭載されてなることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
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