JPS63261909A - 表面波装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （ａ）産業上の利用分野 この発明は、樹脂パンケージを用いた表面波装置に関す
る。

（ｂ）従来の技術 圧電基板の表面に入力トランスデューサと出力トランス
デューサを設け、これらのトランスデユーサ間で表面波
が伝播する表面波素子をパンケージ化する際、樹脂製の
ケースを用いた表面波装置が開発されている。

第８図はこの種の表面波装置の構成を示すもの矛、 で、図において２０は表面波素子を妾し、表面に入力ト
ランスデューサおよび出力トランスデューサおよび端子
電極等が形成されている。６１は外部接続用入出力端子
５１．５２等をそれぞれ樹脂一体成形したケースで、こ
のケース６１には表面波素子２０を収納するための空間
が設けられている。表面波素子２０の表面に形成されて
いる端子電極と外部接続用端子との間はワイヤ２３．’
２４によってワイヤボンディングされている。６２は表
面波素子２０を収納したケース６１の開口面を閉塞する
蓋で、この蓋６２はケース６１に接着または溶着されて
いる。

（Ｃ１発明が解決しようとする問題点 このように構成された従来の表面波装置においては、ケ
ース６１およびＭ６２は共に樹脂製であるため、電磁シ
ールドを行うことができず、外来雑音による影響が問題
であった。一般的なリードフレームを用いたｔＣ等と同
様にアース電極に表面波素子を接着することによりシー
ルド効果を持たせることもできるが完全ではない。また
ケースや盈にフェライト扮を分散させてシールド効果を
もたせることもできるが、特別な材料を用いる必要があ
り、コスト高となる聞届があった。さらに、従来の樹脂
パンケージを用いた表面波装置においては、ケースと蓋
との接合時における熱、あるいは回路基板上に実装する
際の熱によって、ケース内に封入された空気の膨張によ
りケースと蓋との接合部に隙間ができ、密閉性が劣化し
、防湿効果等が低下するという問題もあった。

この発明の目的はこのような従来の問題点を解゛　　消
して、筒車な構成で電磁シールド効果を持たせるととも
に、密封された空気の膨張による影響を除去した表面波
装置を提供することにある。

（ｄ１問題点を解決するための手段 この発明の表面波装置は、圧電基板上に入力トランスデ
ューサと出力トランスデユーサが形成された表面波素子
が絶縁性の基台上に固定され、上記基台に対して蓋が接
合された表面波装置において、 上記蓋は樹脂製の枠部と金属板の一体成形体からなり、
この金属板をアース電極としたことを特徴としている。

（ｅ）作用 この発明の表面波装置においては、表面波素子は基台上
に固定され、この基台に対して蓋が密封されるが、上記
蓋は樹脂製の枠部と金属板の一体成形体から構成されて
いる。従って、表面波素子はこの金属板によってその上
部が覆われ、金属板をアース電極として用いることによ
り、表面波素子が電磁シールドされる。また基台と蓋ど
によって密封された空気は、基台と蓋との接合時、ある
いは表面波装置の回路基板上に対する実装時における熱
により内部圧力が高まるが、樹脂製の枠部が基台に接合
されたまま金属板のみ撓むことにより、その圧力は低減
される。これにより基台と蓋の枠部との接合部に過大な
応力が加わることがなく、密閉性が保たれる。

（ｆ）実施例 第１図はこの発明の実施例である表面波装置の構造を示
す分解斜視図、第２図は組み立てられた表面波装置の外
観を示す斜視図である。第１図において３０は基台、２
０は表面波素子、１０は蓋をそれぞれ示している。基台
３０は中央部に表面波素子が載置される略平坦部３１ａ
を有し、周辺部に後述する蓋の枠部と嵌合する段部３１
ｂが形成されている。中央部の平坦部には表面波素子２
０に形成されている端子電極と接続される４つの接続端
子３２，３４，３６．３８が平坦部３１ａの表面よりわ
ずかに突出する位置に配置されている。なお、接続端子
３２．３４．３６．３８が平坦部３１ａの表面と面一の
場合には、表面波素子２０の伝１′！ｉ路が接触しない
ように、平坦部３１ａに凹部を設けてお（とよい。各接
続端子は樹脂部分３１の内部を通って３１の下面から側
方に外部接続用端子３３．３５．３７．３９としてそれ
ぞれ導き出されている。

表面波素子２０は圧電基板２１の表面（第１図において
は下面）に入力トランスデューサおよび出力トランスデ
ューサ等の電極と信号入出力用の端子電極が形成されて
いる。第３図は表面波素子２０の表面に形成されている
各種電極の形状を示す平面図である。図において２６は
入カドランスーデューサや出力トランスデューサ等を構
成するインターディジタル電極を概略的に示し、２２〜
２示、 ５は信号入出力用端子電極を嚇している。この端子電極
はウェハーの段階で、＋１電極上にＮｉ、Ａｇの蒸着お
よび半田ペーストの印刷等により形成されている。なお
、表面波素子の裏面には好ましくはシールド用電極膜が
全面に形成されている。

第１図に示したように基台の中央部に対して電極面を下
にして表面波素子２０を載置することにより、端子電極
２２．２３，２４．２５はそれぞれ接続端子３４，３２
，３８．３６に対向し、後述する方法により接続される
。

第１図において苫ｌＯは樹脂製の枠部１１と１枚の金属
板１２，１３．１４の一体成形体から構成され、金属板
の一部１３．１４は枠部１１の両側面にアース端子とし
て突出している。

ＭＩＯは、その枠部１１の底面に接着剤を塗布し、表面
波素子２０が固定された基台３０に対して被せることに
より嵌合および接着を行う。その後第２図に示すように
各外部接続用端子３３，３５．３７．３９をそれぞれ９
０度上方に折り曲げるとともに、アース端子１３．１４
を基台の側面に沿わせて折り曲げ、更にその先端を基台
の底面に折り曲げ加工する。このようにしてパッケージ
の側面および底面に外部接続用端子およびアース端子が
露出されたチップ型の表面波装置が構成される。

第４図（Ａ）〜（Ｅ）は上記Ｍ１０の構造を示す図であ
り、第４図（Ａ）はＭｌ　Ｏの上面図、（Ｂ）は正面図
、（Ｃ）は中央正面断面図、（Ｄ）は側面図、および（
Ｅ）は中央側面断面図　をそれぞれ示している。図から
明らかなように蓋１０は樹脂からなる枠部１１と１枚の
金属板１２，１３．１４との一体成形体からなり、金属
板１２の周囲は絞り加工され、枠体１１の中央部に埋め
こまれている。従って枠部１１は金属板によって補強さ
れ、剛性の高い蓋を構成している。金属板１２の下方に
はさらに仮バネ片１５が折り曲げ加工されていて、この
Ｍが基台に接合されたとき、仮バネ片１５が表面波素子
の背面を押圧することになる。

第５図（Ａ）〜（Ｄ）は上記基台３０の製造途中の状態
を示す図であり、第５図（Ａ）は基台３０の製造途中に
おける上面図、（Ｂ）は正面図、（Ｃ）は側面図、およ
び（Ｄ）は中央側面断面図をそれぞれ示している。同図
（Ａ）において４１〜４６は一体化されたリードフレー
ムを示し、ＦｌおよびＦ２間に支持されている。フレー
ム４１．４２間には幅の狭い半円形のパターン３６ｂお
よびこの半円形のパターンから突出された突出部３６ａ
からなる接続端子が構成されている。同様にリードフレ
ーム４２．４３間には接続端子３２ａ、３２ｂが、リー
ドフレーム４４．４５間には接続端子３８ａ、３８ｂが
、リードフレーム４５．４６間には接続端子３４ａ、３
４ｂがそれぞれ形成されている。このように形成された
リードフレームのＦｌ、Ｆ２間に通電することにより、
幅の狭い半円形パターン部３２ｂ、３４ｂ、３６ｂ、３
８ｂがそれぞれジュール熱により発熱し、これに伴い接
続端子の突出部３２ａ、３４ａ、３６ａ、３８ａがそれ
ぞれ加熱される。なお、突出部３２　ａ、　　３４　ａ
、　　３６　ａ、　　３８　ａは必ずしも必須ではな（
、幅の狭い半円形パターン部のみでもよく、要は、部分
的に抵抗値の高い発熱部を形成すればよい。

同図（Ａ）において３１はリードフレーム４１〜４６と
樹脂一体成形された樹脂部分を示し、同図（Ｂ）および
（Ｄ）に示すように各接続端子の半円形パターン部およ
び突出部は樹脂部分３１の上面かられずかに浮き上がっ
た位置に配置されるように予めプレス加工されている。

第５図に示した状態で各接続端子の突出部に表面波素子
の端子電極が対向するように位置合わせし固定した状態
で、Ｆｌ、Ｆ２間に通電することにより、接続端子の突
出部３２ａ、３４ａ、３６ａ、３８ａ間が加熱され、こ
の熱により表面波素子の各端子電極表面に付着されてい
る半田ペーストが溶融してそれぞれ半田メッキの施され
ている接続端子３２，３４，３６．３８に半田付けが行
われる。この際、Ｆ、、Ｆ２間に通電して半円形パター
ン部３２ｂ、３４ｂ、３６ｂ、３８ｂを発熱させるが、
この半円形パターン部が樹脂部分３１の上面かられずか
に浮き上がった位置に配置されるので、発熱により樹脂
部分３１が溶けるということはない。その後基台上に前
述の流１０を接合し、第５図（Ａ）に示した切断線Ｃに
沿ってリードフレームを切断することにより、必要な外
部接続用端子のみ側方から突出した表面波装置が形成さ
れる。

第６図は以上のようにして構成された表面波装置の側面
断面図、第７図は正面断面図である。第６図に示すよう
に外部接続用端子３３．３５等は基台３０の上下面に露
出され、表面波素子２０の゛端子電極が基台上面の露出
部に対向してフェイスダウンボンディングされたため、
表面波素子の各端子電極は基台の下面に導き出される。

なお、外部接続側端７−３３．３５等は、基台の側面か
ら外方へ導き出し、基台の側面から下面にわたって折り
曲げるようにしてもよい。また、両図に示すように、基
台の段部３１ｂには蓋の枠部１１の底面が接して基台３
０と蓋１０が嵌合および接着される。このときの接着時
の熱により、あるいは部品の完成後回路基板に対する半
田付は時の熱により審閉されたパッケージの空気が膨張
するが、Ｍｌｏの一部を構成する金属板１２が湾曲する
ことにより、その圧力が低減され、基台と蓋との接着面
に過大な応力が加わらず、密閉性が保たれる。更に、仮
バネ片１５が表面波素子２０の背面を押下するため、た
とえば回路基板実装時に表面波素子の端子電極と基台上
の接続端子との接続部の半田が溶融したとしても、ある
いは表面波装置全体に機械的衝撃が加わったとしても、
表面波素子が基台との間で確実に保持される。しかも表
面波素子の裏面（背面）にシールド電極を形成した場合
には、この仮バネ片１５を介してシールド電極がアース
端子まで導かれるため、金属板１２とともにシールドが
行われる。

（ａ発明の効果 以上のようにこの発明によれば、樹脂パンケージ型の表
面波装置でありながら電磁シールド効果を持たせること
ができ、しかも装置全体が加熱された場合でも、基台と
蓋との密閉性を確実に保つことができ、信頼性の高い表
面波装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の実施例である表面波装置の構造を示
す分解斜視図、第２図は完成された表面波装置の外観を
示す斜視図、第３図は組み込まれる表面波素子の表面の
電極パターンを示す平面図、第４図（Ａ）〜（Ｅ）は蓋
の構成を示す図、第５図（Ａ）〜（Ｄ）は基台の構成を
示す図、第６図および第７図は基台に蓋を接合した状態
における断面図、第８図は従来の表面波装置の構造を示
す断面図である。 １０−Ｍ、１１−枠部、 １２〜１４−金属板、 ２０−表面波素子、２２〜２５一端子電極、３〇−基台
、３１ｂ一段部、 ３２．３４，３６．３８−接続端子、 ３３．３５，３７，３９−外部接続用端子。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）　圧電基板上に入力トランスデューサと出力トラ
   ンスデューサが形成された表面波素子が絶縁性の基台上
   に固定され、上記基台に対して蓋が接合された表面波装
   置において、 上記蓋は樹脂製の枠部と金属板の一体成形体からなり、
   この金属板をアース電極としたことを特徴とする表面波
   装置。