JPH08222691A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は半導体装置に関し、ＴＡＢ半導体装
置を複数個用い、新しい積層法で積層した半導体装置を
実現することを目的とする。 【構成】 複数のＴＡＢ半導体装置１０を用い、その表
裏を相互に組み合わせて積層し、相互のアウターリード
１１に母材テープ１２を残したこと、あるいは、複数の
ＴＡＢ半導体装置１０のテープ部２３に複数の貫通孔２
４を設け、該貫通孔２４を利用する位置決め手段により
位置決めして積層したこと、あるいは、複数のＴＡＢ半
導体装置１０の母材テープ１２のアウターリード実装部
に複数のスリット４１〜４６を設け、該スリット部４１
〜４６のアウターリード１１を折り曲げて、ＴＡＢ半導
体装置の上面、側面及び下面に外部接続端子を設けて成
るように構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は半導体装置に関する。詳
しくは、ＴＡＢテープを用い、樹脂封止するＩＣパッケ
ージを積層実装及びモジュール化に適した構造とした半
導体装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来のＴＡＢ半導体装置を図２６に示
す。このＴＡＢ半導体装置は、同図に示すように、ＴＡ
Ｂテープよりなるサポートリング１に設けられたインナ
ーリード２に、半導体素子３を、その表面に設けられた
バンプ４によりフェースボンディングした後、該半導体
素子３及びインナーリード２を樹脂５により封止し、さ
らにインナーリード２に接続したアウターリード６を所
定の形状に折曲形成したものである。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】近年、半導体メモリ装
置の大容量化が要求されている。そのため単体の半導体
装置を複数個用いることが考えられる。しかし前記のよ
うな従来の半導体装置を複数個用い、それを平面的に並
べて実装しただけでは実装面積が大となる。このため大
容量で且つ実装面積の小さい半導体装置として、複数の
半導体装置を１つにまとめた半導体装置が要求されてい
る。

【０００４】本発明はＴＡＢ半導体装置を複数個用い、
新しい積層法で積層した半導体装置を実現しようとす
る。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置に於
いては、複数のＴＡＢ半導体装置１０を用い、その表裏
を相互に組み合わせて積層し、相互のアウターリード１
１を接触させると共に、該アウターリード部１１に母材
テープ１２を残したことを特徴とする。

【０００６】また、本発明の半導体装置においては、複
数のＴＡＢ半導体装置１０を用い、該各ＴＡＢ半導体装
置１０のテープ部２３に複数の貫通孔２４を設け、該貫
通孔２４を利用する位置決め手段により位置決めして積
層したことを特徴とする。

【０００７】また、本発明の半導体装置においては、Ｔ
ＡＢ半導体装置１０の母材テープ１２のアウターリード
実装部に複数のスリット４１〜４６を設け、該スリット
部４１〜４６のアウターリード１１を折り曲げて、該Ｔ
ＡＢ半導体装置の上面、側面及び下面に外部端子を設け
たことを特徴とする。この構成を採ることにより、ＴＡ
Ｂ半導体装置を複数個用い、新しい積層法で積層した半
導体装置が得られる。

【０００８】

【作用】本発明では、複数のＴＡＢ半導体装置を積層
し、そのリードを接触させること、又は、スペーサ、枠
等を用いて積層させること、又は、母材テープのアウタ
ーリードの実装部にスリットを設け、該部でアウターリ
ードを折り曲げて半導体装置の側面、上面及び下面に外
部接続端子を設け、このＴＡＢ半導体装置を積層するこ
とにより、新しい積層法で積層した半導体装置が得られ
る。

【０００９】

【実施例】図１は本発明の第１の実施例を示す図であ
る。本実施例は請求項１及び２に対応するもので、複数
のＴＡＢ半導体装置１０の表裏を相互に組み合わせ、ア
ウターリード１１を互いに接触させ、且つ該アウターリ
ード１１の所定箇所に母材テープ１２を残したものであ
る。この場合、母材テープ１２同士が対面する箇所ａは
接着部材１３で接着しても良い。さらにアウターリード
１１のＡ，Ｂで示す箇所には対面するリード同士を導電
性ペーストや異方性導電膜を用いて接合しても良い。

【００１０】このように構成された本実施例は、複数の
ＴＡＢ半導体装置を積層した場合に、アウターリード１
１の強度を確保することができる。なお図２に示す比較
例のように、複数のＴＡＢ半導体装置を同一方向に積層
した場合には各リードがはなればなれとなり、アウター
リード１１の強度確保が困難となる。

【００１１】図３は本発明の第２の実施例を示す図であ
る。本実施例は請求項３に対応するもので、複数のＴＡ
Ｂ半導体装置１０の表裏を相互に組み合わせ、アウター
リード１１を互いに接触させ、且つ該アウターリード１
１の所定箇所に母材テープ１２を残し、該母材テープ１
２をまとめてその端部を矩形板状の治具１４を用いて接
着固定したものである。

【００１２】このように構成された本実施例は、治具１
４によりアウターリード１１の位置決め及び補強が可能
となる。なお本実施例は治具を用いたが、図４の如く治
具を用いず、アウターリード同士及び母材テープ同士を
接着剤で接着固定してアウターリードの補強を行うこと
もできる。

【００１３】図５及び図６は本発明の第３の実施例を示
す図である。本実施例は請求項４に対応するもので、先
ず図５の如くアウターリード部に残した母材テープ１２
の所定位置（図においては母材テープの両端部）に位置
決め用の貫通孔１５を設けておき、図６（ｂ）の如く凹
部１６、凸部１７により結合できる治具１８〜２１を用
い、図６（ａ）の如く積層したＴＡＢ半導体装置１０の
リード部に残した母材テープ１２を挟み、該母材テープ
１２の貫通孔１５に治具の凸部１７を嵌合させて結合し
たものである。

【００１４】このように構成された本実施例は治具１８
〜２１により、アウターリードに残した母材テープ１２
の貫通孔１５を凸部１７により位置決めすることがで
き、且つ該治具１８〜２１によりアウターリード１１を
補強することができる。

【００１５】図７は本発明の第４の実施例を示す図であ
る。本実施例は請求項５に対応するもので、ＴＡＢ半導
体装置１０の表裏を相互に組み合わせる時、２種のアウ
ターリードパターンのＴＡＢ半導体装置を準備する。例
えば、図７（ａ）、及び図７（ａ）のｃ部を拡大して示
す図７（ｃ）に示すように、主リード１１ａと該主リー
ド１１ａとの間に空間を設けて配置された副リード１１
ｂを有するＴＡＢ半導体装置１０と、図７（ｂ）、及び
図７（ｂ）のｄ部を拡大して示す図７（ｄ）に示すよう
に主リード１１ａのみを有するＴＡＢ半導体装置１０′
を準備する。

【００１６】そして２種のＴＡＢ半導体装置１０，１
０′を積層するとき、アウターリードは、（ｅ）図の断
面図に示すように、一方のＴＡＢ半導体装置の主リード
１１ａと副リード１１ｂとの間に導電性ペースト２２を
塗布し、そこに他方のＴＡＢ半導体装置のアウターリー
ド１１を重ね合わせる。このように構成された本実施例
は、両ＴＡＢ半導体装置１０，１０′のアウターリード
１１の接触面積を導電性ペースト２２により稼ぎ、且つ
接触を確実にすることができる。

【００１７】図８は本発明の第５の実施例を示す図であ
る。本実施例は請求項６に対応するもので、複数のＴＡ
Ｂ半導体装置１０の表裏を相互に組み合わせ、そのアウ
ターリード１１の先端の実装部を図８（ａ）の如くＪの
字形に形成するか、または図８（ｂ）の如くＵの字形に
形成したものである。このように形成された本実施例は
更なる小型化と、アウターリードの強度向上が可能とな
る。

【００１８】図９は本発明の第６の実施例を示す図であ
る。本実施例は請求項７〜９に対応するもので、（ａ）
図の如く複数のＴＡＢ半導体装置１０のテープ部２３の
四隅に位置決め用の貫通孔２４を設けておき、該貫通孔
２４に（ｂ）図の如くポール２５を挿入して各ＴＡＢ半
導体装置１０を位置決めして積層し、アウターリード１
１はそれぞれ対応するものを実装部で重ね合わせてい
る。このように構成された本実施例は、積層した各ＴＡ
Ｂ半導体装置の位置決めが確実となる。

【００１９】図１０は本発明の第７の実施例を示す図で
ある。本実施例は請求項１０に対応するもので前実施例
と基本的には同様であり、異なるところは、各ＴＡＢ半
導体装置の位置決め用のポール２５の他にスペーサ２６
を各ＴＡＢ半導体装置間に用いたものである。なおポー
ル２５とスペーサ２６の代りに図１１に示すように、凹
部２７と凸部２８を有して連結できる分割式ポール２９
を用いても良く、その際は凸部２８がＴＡＢ半導体装置
の貫通孔に係合して位置決めすることができる。このよ
うに構成された本実施例はＴＡＢ半導体装置の上下方向
の位置決めもできる。

【００２０】図１２は本発明の第８の実施例を示す図で
ある。本実施例は請求項１１に対応するもので、同図
（ｂ）に示すようにＴＡＢ半導体装置のテープ部に設け
られた貫通孔に係合する突部３０と該突部に対応した凹
部３１を四隅に有する枠３２を用意し、その突部３０を
ＴＡＢ半導体装置の貫通孔に係合させ、同図（ａ）の如
くＴＡＢ半導体装置１０と交互に積層したものである。
このように構成された本実施例は枠３２によりＴＡＢ半
導体装置の上下及び水平方向の位置決めができる。

【００２１】図１３は本発明の第９の実施例を示す図で
ある。本実施例は請求項１２に対応するもので、同図
（ｂ）に示すようにポール２５と、該ポールを挿通する
ことができる貫通孔３３を有する枠３４とを用い、
（ａ）図の如く各ＴＡＢ半導体装置１０の間に枠３４を
挟み、各ＴＡＢ半導体装置に設けられた貫通孔２４と、
枠３４の貫通孔３３をポール２５により挿通してＴＡＢ
半導体装置を積層したものである。このように構成され
た本実施例は、ＴＡＢ半導体装置の上下方向を枠３４に
より、水平方向をポール２５により位置決めすることが
できる。

【００２２】図１４は本発明の第１０の実施例を示す図
である。本実施例は請求項１３に対応するもので、ＴＡ
Ｂ半導体装置の位置決め手段として出荷時に半導体装置
を収容して出荷する枠型のキャリア３５を利用したもの
で、（ａ）図はキャリア３５にポール３６を設けたも
の、（ｂ）図はキャリア３５に枠３７を設けたもの、
（ｃ）図はキャリア３５にスペーサ３８を設けたもので
ある。このように構成された本実施例はＴＡＢ半導体装
置を上下方向及び水平方向の位置決めができる。なおこ
のキャリア３５は積層時にそのまま利用するか、または
必要部分を残して切断される場合もある

【００２３】図１５は本発明の第１１の実施例を示す図
である。本実施例は、複数のＴＡＢ半導体装置１０を積
層した半導体装置のアウターリード１１を、基板との接
合強度を上げる目的で、（ａ）図の如くＪの字状に折曲
したこと、また（ｂ）図の如くＵの字状に折曲したこと
で、その他は第６の実施例と同様である。このように構
成された本実施例はアウターリード１１の強度及び基板
への接着強度の向上が得られる。

【００２４】図１６は本発明の第１２の実施例を示す図
である。本実施例は請求項１４に対応するもので、複数
のＴＡＢ半導体装置１０を積層した半導体装置のアウタ
ーリード１１に母材テープ１２をアウターリード折り曲
げ部付近に残したもので、その他は第６の実施例と同様
である。このように構成された本実施例は母材テープに
よりアウターリードが補強される。

【００２５】図１７は本発明の第１３の実施例を示す図
である。本実施例は請求項１５に対応するもので、複数
のＴＡＢ半導体装置１０をポール２５を用いて積層し、
且つアウターリード１１に残した母材テープ１２同士が
対向する部分を接着剤にて接着固定したものである。こ
のように構成された本実施例はポール２５により位置決
めされ、且つアウターリード１１に残した母材テープ１
２の接合によりアウターリード１１の強度を向上するこ
とができる。

【００２６】図１８及び図１９は本発明の第１４の実施
例を示す図である。本実施例は請求項１６及び１７に対
応するもので、先ず、図１８（ａ）に示すようにＴＡＢ
半導体装置１０の半導体素子４０上に接着固定された母
材テープ１２のアウターリード支持部分に複数本のスリ
ット４１〜４６を設け、（ｂ）図に示すように半導体素
子４０の左右に最も近いスリット４１，４２を９０°谷
折り状に折り曲げ、次のスリット４３，４４にて１８０
°折り曲げ上面外部端子４７を形成し、さらに最外側の
スリット４５，４６を一旦９０°谷折り状に折り曲げた
後、Ｕ字状に折り曲げて側面の外部端子４８を形成し、
さらにアウターリード先端の母材テープ１２を半導体素
子４０の背面に接着層を介して固定し、下面の外部端子
４９を形成して第１の半導体装置５０とする。なお上面
外部端子４７は封止樹脂５１の表面より高くしておく必
要がある。なお図において符号５２はバンプ、５３はイ
ンナーリードである。

【００２７】また同図（ｃ）に示すように第１の半導体
装置５０のＵ字状に折り曲げたアウターリード１１と半
導体素子４０の側面との間にできた空間に絶縁物で形成
された断面略半円状の棒状のスペーサ５４を配置して第
２の半導体装置５５とする。

【００２８】本実施例は上記の第１の半導体装置５０と
第２の半導体装置５５とを図１９に示すように交互に積
み重ね、下面の外部端子４９と、それに対応する上面の
外部端子４７とを接続して積層したものである。このよ
うに構成された本実施例は、従来のＴＡＢ半導体装置で
は困難であった積層実装が可能となる。

【００２９】図２０及び図２１は本発明の第１５の実施
例を示す図である。本実施例は請求項１８に対応するも
ので、図２０（ａ）に示すようにＴＡＢ半導体装置１０
の半導体素子４０上に接着固定された母材テープ１２の
アウターリード支持部分に複数本のスリット４１〜４６
を設け、これを（ｂ）図に示すように上部に突部５６ａ
を有する断面矩形のブロック５６と、底部の板状部５７
とを有する絶縁材よりなる枠５８と組み合わせ、アウタ
ーリード１１を各スリット４１〜４６部分で折り曲げ
て、ブロック５６の外周に沿わせ、上面の外部端子４
７、側面の外部端子４８及び下面の外部端子４９を形成
している。なお上面の外部端子４７は封止樹脂５１の表
面より高くしておく必要がある。また枠５８は絶縁性、
放熱性に優れた材料を用いることが好ましい。

【００３０】本実施例は上記のように形成された半導体
装置を図２１に示すように複数個積み重ね、その下面の
外部部端子４９と上面の外部端子４７とを異方性導電フ
ィルム等を用いて接続して積層したものである。このよ
うに構成された本実施例は前実施例と同様に、従来のＴ
ＡＢ半導体装置では困難であった積層実装が可能とな
る。

【００３１】図２２及び２３は本発明の第１６の実施例
を示す図である。本実施例は請求項１９に対応するもの
で、図２２（ａ）に示すようにＴＡＢ半導体装置１０の
半導体素子４０上に接着固定された母材テープ１２のア
ウターリード支持部分に複数本のスリット４１〜４４を
設け、これを（ｂ）図に示すように絶縁材料で形成され
た断面Ｈ形の枠６０と組み合わせ、アウターリード１１
を枠６０の外周に沿わせて折曲し、母材テープを接着層
を介して固定し、上面の外部端子４７、側面の外部端子
４８、及び下面の外部端子４９を形成する。なお枠６０
の板状部からの下面の外部端子４９の高さは上面の外部
端子４７から封止樹脂５１の表面までの高さより高いこ
とが必要である。

【００３２】本実施例は上記のように形成された半導体
装置６１を図２３に示すように複数個積み重ね、その下
面の外部端子４９と上面の外部端子４７とを異方性導電
フィルム等で接続して積層したものである。本実施例に
よれば前実施例と同様に、従来のＴＡＢ半導体装置では
困難であった積層実装が可能となる。

【００３３】図２４及び図２５は本発明の第１７の実施
例を示す図である。本実施例は請求項２０に対応するも
ので、第１４乃至第１６の実施例における半導体装置を
用いることができる。１例として第１５の実施例におけ
る半導体装置５９を用いたものについて説明する。

【００３４】先ず、図２４に示すように、（ａ）の側面
図及び（ｂ）の上面図に示す半導体装置５９を、その上
面が上を向くように置き、これと同様な半導体装置５
９′を（ｃ）（ｄ）図に示すように裏返し、且つ一方の
辺の側面外部端子Ａ〜Ｅをそれぞれ他方の半導体装置５
９の同一の側面外部端子Ａ〜Ｅに対向させて置き、同一
端子同士を接続する。

【００３５】このように水平方向に複数個接続した半導
体装置５９，５９′を複数組用意し、これを図２５に示
すように垂直方向に積み重ね、その上面外部端子４７と
下面外部端子４９とを接続して積層する。このように構
成された本実施例は、複数のＴＡＢ半導体装置を水平及
び垂直方向に接続でき、高密度実装が可能となる。

【００３６】

【発明の効果】本発明に依れば、従来のＴＡＢ構造に大
きく手を加えることなく、取扱、汎用性に優れた半導体
装置が得られ、従来のＴＡＢ半導体装置では困難であっ
た積層実装を可能とし、小型・薄型の半導体装置の複数
個を用いた新しい高密度実装が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例を示す図である。

【図２】本発明の第１の実施例に対する比較例を示す図
である。

【図３】本発明の第２の実施例を示す図である。

【図４】本発明の第２の実施例の変形例を示す図であ
る。

【図５】本発明の第３の実施例を示す図である。

【図６】本発明の第３の実施例を示す図である。

【図７】本発明の第４の実施例を示す図である。

【図８】本発明の第５の実施例を示す図である。

【図９】本発明の第６の実施例を示す図である。

【図１０】本発明の第７の実施例を示す図である。

【図１１】本発明の第７の実施例におけるポールの変形
例を示す図である。

【図１２】本発明の第８の実施例を示す図で、（ａ）は
側面図、（ｂ）は枠を示す斜視図である。

【図１３】本発明の第９の実施例を示す図で、（ａ）は
側面図、（ｂ）は枠及びポールを示す斜視図である。

【図１４】本発明の第１０の実施例を示す図である。

【図１５】本発明の第１１の実施例を示す図である。

【図１６】本発明の第１２の実施例を示す図である。

【図１７】本発明の第１３の実施例を示す図である。

【図１８】本発明の第１４の実施例を示す図で、（ａ）
はＴＡＢ半導体装置の平面図、（ｂ）は第１の半導体装
置の側面図、（ｃ）は第２の半導体装置の側面図であ
る。

【図１９】本発明の第１４の実施例を示す図である。

【図２０】本発明の第１５の実施例を示す図で、（ａ）
はＴＡＢ半導体装置の平面図、（ｂ）は半導体装置の側
面図である。

【図２１】本発明の第１５の実施例を示す図である。

【図２２】本発明の第１６の実施例を示す図で、（ａ）
はＴＡＢ半導体装置の平面図、（ｂ）は半導体装置の側
面図である。

【図２３】本発明の第１６の実施例を示す図である。

【図２４】本発明の第１７の実施例を示す図である。

【図２５】本発明の第１７の実施例を示す図である。

【図２６】従来の半導体装置を示す図である。

【符号の説明】 １０，１０′…ＴＡＢ半導体装置 １１…アウターリード １２…母材テープ １３…接着部材 １４，１８〜２１…治具 １５，２４，３３…貫通孔 １６，２７，３１…凹部 １７，２８，３０…凸部 ２２…導電性ペースト ２３…テープ部 ２５，２９，３６…ポール ２６，３８，５４…スペーサ ３２，３４，３７，５８，６０…枠 ３５…キャリア ４０，５９，５９′，６１…半導体装置 ４１〜４６…スリット ４７…上面外部端子 ４８…側面外部端子 ４９…下面外部端子 ５０…第１の半導体装置 ５１…封止樹脂 ５２…バンプ ５３…インナーリード ５５…第２の半導体装置 ５６…ブロック ５７…板状部

Claims (20)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 複数のＴＡＢ（テープオートメイテッド
   ボンディング）半導体装置（１０）を用い、その表裏を
   相互に組み合わせて積層し、相互のアウターリード（１
   １）を接触させると共に、該アウターリード部（１１）
   に母材テープ（１２）を残したことを特徴とする半導体
   装置。
2. 【請求項２】 上記相互に接触するアウターリード（１
   １）間を接着剤を用いて固定したことを特徴とする請求
   項１の半導体装置。
3. 【請求項３】 上記相互に接触するアウターリード（１
   １）の母材テープ（１２）の端部を矩形板状の治具（１
   ４）を用いて接着固定したことを特徴とする請求項１の
   半導体装置。
4. 【請求項４】 上記母材テープ（１２）を治具（１８〜
   ２１）にて固定するとき、母材テープ（１２）に貫通孔
   （１５）を設けると共に該孔（１５）に係合する突起
   （１７）を治具（１８〜２１）に設けたことを特徴とす
   る請求項３の半導体装置。
5. 【請求項５】 ＴＡＢ半導体装置の表裏を相互に組合わ
   せる時、リードパターンの異なる２種のＴＡＢ半導体装
   置（１０，１０′）を用い、相互のアウターリード（１
   １）を導電性ペースト（２２）を使用して接合したこと
   を特徴とする請求項１の半導体装置。
6. 【請求項６】 上記アウターリード（１１）の基板への
   実装部分をＪの字形又はＵの字形に折曲したことを特徴
   とする請求項１の半導体装置。
7. 【請求項７】 複数のＴＡＢ半導体装置（１０）を用
   い、該各ＴＡＢ半導体装置（１０）のテープ部（２３）
   に複数の貫通孔（２４）を設け、該貫通孔（２４）を利
   用する位置決め手段により位置決めして積層したことを
   特徴とする半導体装置。
8. 【請求項８】 上記位置決め手段が、前記テープ部（２
   ３）の貫通孔（２４）に挿通されるポール（２５）であ
   ることを特徴とする請求項７の半導体装置。
9. 【請求項９】 上記ポール（２５）が複数に分割され凹
   凸接続部により１本に組立てられることを特徴とする請
   求項８の半導体装置。
10. 【請求項１０】 上記位置決め手段が、前記テープ部
    （２３）の貫通孔（２４）に挿通されるポール（２５）
    と、該ポール（２５）を挿通する円筒形のスペーサ（２
    ６）とよりなることを特徴とする請求項７の半導体装
    置。
11. 【請求項１１】 上記位置決め手段が、前記テープ部
    （２３）の貫通孔（２４）に係合する突部（３０）を有
    する枠（３２）であることを特徴とする請求項７の半導
    体装置。
12. 【請求項１２】 上記位置決め手段が、前記テープ部
    （２３）の貫通孔（２４）に挿入されるポール（２５）
    と、該ポール（２５）を挿通する貫通孔（３３）を有す
    る枠（３４）よりなることを特徴とする請求項７の半導
    体装置。
13. 【請求項１３】 上記位置決め手段が、出荷時に半導体
    装置を収容して出荷する枠型のキャリア（３５）に設け
    られていることを特徴とする請求項７の半導体装置。
14. 【請求項１４】 上記ＴＡＢ半導体装置（１０）のアウ
    ターリード（１１）に母材テープ（１２）を残したこと
    を特徴とする請求項７の半導体装置。
15. 【請求項１５】 上記アウターリード（１１）に残した
    母材テープ（１２）が対面する部分を接着剤により接着
    したことを特徴とする請求項１４の半導体装置。
16. 【請求項１６】 ＴＡＢ半導体装置（１０）の母材テー
    プ（１２）のアウターリード実装部に複数のスリット
    （４１〜４６）を設け、該スリット部のアウターリード
    （１１）を折り曲げて、該ＴＡＢ半導体装置の上面、側
    面及び下面に外部端子を設けたことを特徴とする半導体
    装置。
17. 【請求項１７】 上記請求項１６の半導体装置のアウタ
    ーリード（１１）を折り曲げて半導体素子（４０）側面
    との間に生じた空間をそのままとした第１の半導体素子
    （５０）と、該空間に断面が略半円状の棒状のスペーサ
    （５４）を配置した第２の半導体装置（５５）とを交互
    に積層したことを特徴とする半導体装置。
18. 【請求項１８】 上記請求項１６の半導体装置のアウタ
    ーリード（１１）を折り曲げて半導体素子（４０）側面
    との間に生じた空間に挿入され、上部に突部（５６ａ）
    を有する断面矩形のブロック（５６）と、半導体素子
    （４０）の底部を覆う板状部（５７）とよりなる枠（５
    ８）を設けて半導体装置（５９）を構成し、該半導体装
    置（５９）の複数個を積層して成ることを特徴とする半
    導体装置。
19. 【請求項１９】 上記請求項１６の半導体装置を用い、
    その半導体装置の半導体素子（４０）を絶縁材料よりな
    る断面Ｈ形の枠（６０）の凹部に収容すると共に、アウ
    ターリード（１１）を枠（６０）の左右の垂直部の外周
    に沿わせて折曲し、接着して半導体装置（６１）を構成
    し、該半導体装置（６１）の複数個を積層して成ること
    を特徴とする半導体装置。
20. 【請求項２０】 上記請求項１６の半導体装置を複数個
    用い、互いの同一アウターリードが接続されるように水
    平方向に接続すると共に、垂直方向に積層して成ること
    を特徴とする半導体装置。