JP2823556B2 - 半導体パッケージ用基板及びそれを用いた半導体パッケージの製造方法 - Google Patents
半導体パッケージ用基板及びそれを用いた半導体パッケージの製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体パッケージ
用基板及びそれを用いた半導体パッケージの製造方法に
関し、特に、コラムリードフレームを有するコラムリー
ド型パッケージ（Column Lead Pcakage; CLP）用基板及
びそれを用いた半導体パッケージの製造方法に関する。
用基板及びそれを用いた半導体パッケージの製造方法に
関し、特に、コラムリードフレームを有するコラムリー
ド型パッケージ（Column Lead Pcakage; CLP）用基板及
びそれを用いた半導体パッケージの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、コラムリード型半導体パッケージ
においては、図２に示すように、四角形のパッケージ用
基板（以下、第１基板と称する）１の上下面にその表面
を露出させて埋設された複数のリード２と、該第１基板
の中央部を掘り下げて形成された溝３ａと、該溝内に収
容され、その底面が該溝の底面と接着された半導体チッ
プ３と、該半導体チップと該リード群とを電気的に連結
する金属ワイヤ４と、該半導体チップと該金属ワイヤと
該溝の空所を包含する該第１基板の所定部位を密封する
エポキシモールディング部５と、から構成されていた。
ここで、該第１基板の形状は、四角形に限定されず、円
形等の多様な形状のものも製造されていた。
においては、図２に示すように、四角形のパッケージ用
基板（以下、第１基板と称する）１の上下面にその表面
を露出させて埋設された複数のリード２と、該第１基板
の中央部を掘り下げて形成された溝３ａと、該溝内に収
容され、その底面が該溝の底面と接着された半導体チッ
プ３と、該半導体チップと該リード群とを電気的に連結
する金属ワイヤ４と、該半導体チップと該金属ワイヤと
該溝の空所を包含する該第１基板の所定部位を密封する
エポキシモールディング部５と、から構成されていた。
ここで、該第１基板の形状は、四角形に限定されず、円
形等の多様な形状のものも製造されていた。
【０００３】このように構成された従来のコラムリード
型半導体パッケージの製造工程について図３を用いて説
明する。
型半導体パッケージの製造工程について図３を用いて説
明する。
【０００４】先ず、（Ａ）に示すように、板状のコラム
リードフレーム支持台９にリード２となる複数の板状の
コラムリード群２′の一方の端部をそれぞれ挿し込んで
該コラムリードフレーム支持台に垂直に支持させ、
（Ｂ）に示すように、外部成形枠１１内に（Ａ）の工程
にて製造された構造物を収容した後、該外部成形枠の１
側に形成されたホール１１Ａを通して液状絶縁樹脂１０
を該外部成形枠の内部空間に充填する。次いで、該充填
された液状絶縁樹脂を硬化させた後、該外部成形枠と該
コラムリードフレーム支持台を外すと、（Ｃ）に示すよ
うなユニットコラムフレーム（unit column frame)１２
が形成され、該ユニットコラムフレームをＡ−Ａ線に沿
って切断すると、（Ｄ）に示すように、絶縁樹脂１０内
に複数のリード２が所定の位置に埋設された平板状の第
１基板１が製造される。
リードフレーム支持台９にリード２となる複数の板状の
コラムリード群２′の一方の端部をそれぞれ挿し込んで
該コラムリードフレーム支持台に垂直に支持させ、
（Ｂ）に示すように、外部成形枠１１内に（Ａ）の工程
にて製造された構造物を収容した後、該外部成形枠の１
側に形成されたホール１１Ａを通して液状絶縁樹脂１０
を該外部成形枠の内部空間に充填する。次いで、該充填
された液状絶縁樹脂を硬化させた後、該外部成形枠と該
コラムリードフレーム支持台を外すと、（Ｃ）に示すよ
うなユニットコラムフレーム（unit column frame)１２
が形成され、該ユニットコラムフレームをＡ−Ａ線に沿
って切断すると、（Ｄ）に示すように、絶縁樹脂１０内
に複数のリード２が所定の位置に埋設された平板状の第
１基板１が製造される。
【０００５】次いで、（Ｅ）に示すように、前記第１基
板１の中央部に半導体チップ３を収容し得る溝３ａが形
成される。このとき、該溝の形成には、グラインディン
グ（grinding）及びポリッシング（polishing)が適用さ
れる。その後、（Ｆ）に示すように、該溝内に該半導体
チップを収容し、両者の底面同士を接着剤（図示され
ず）を用いて接着させるダイボンディング工程と、該半
導体チップとリード群２とを金属ワイヤ４にて電気的に
連結するワイヤボンディング工程をこの順に行った後、
（Ｇ）に示すように、該半導体チップの上方部位と該金
属ワイヤと該リード群の一部とを一体的にエポキシモー
ルディング化合物により被覆して、半導体パッケージの
製造を終了する。
板１の中央部に半導体チップ３を収容し得る溝３ａが形
成される。このとき、該溝の形成には、グラインディン
グ（grinding）及びポリッシング（polishing)が適用さ
れる。その後、（Ｆ）に示すように、該溝内に該半導体
チップを収容し、両者の底面同士を接着剤（図示され
ず）を用いて接着させるダイボンディング工程と、該半
導体チップとリード群２とを金属ワイヤ４にて電気的に
連結するワイヤボンディング工程をこの順に行った後、
（Ｇ）に示すように、該半導体チップの上方部位と該金
属ワイヤと該リード群の一部とを一体的にエポキシモー
ルディング化合物により被覆して、半導体パッケージの
製造を終了する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】然るに、このような従
来のコラムリード型半導体パッケージの製造において
は、前記第１基板１にグラインディング及びポリッシン
グを適用して溝３ａを形成するとき、該第１基板１が壊
れる恐れがあり、特に、半導体チップ３が四角形である
場合に、対応する四角形の該溝をグラインディングによ
り形成するということが難しくなると共に、作業が長時
間に及ぶという不都合な点があった。
来のコラムリード型半導体パッケージの製造において
は、前記第１基板１にグラインディング及びポリッシン
グを適用して溝３ａを形成するとき、該第１基板１が壊
れる恐れがあり、特に、半導体チップ３が四角形である
場合に、対応する四角形の該溝をグラインディングによ
り形成するということが難しくなると共に、作業が長時
間に及ぶという不都合な点があった。
【０００７】本発明は、このような問題点を解決するた
めになされたものであり、簡単な製造工程にて２種の半
導体パッケージ用基板を別々に且つ大量に生産し、両半
導体パッケージ用基板を積層し接着することによって生
産性を向上し得る半導体パッケージの製造方法及びそれ
を可能とする半導体パッケージ用基板を提供しようとす
るものである。
めになされたものであり、簡単な製造工程にて２種の半
導体パッケージ用基板を別々に且つ大量に生産し、両半
導体パッケージ用基板を積層し接着することによって生
産性を向上し得る半導体パッケージの製造方法及びそれ
を可能とする半導体パッケージ用基板を提供しようとす
るものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体パッ
ケージ用基板は、平板状の基板であって、その周辺部
に、上下面及び外側面のみを露出するように埋設された
複数のコラムリード（２）を有する第１半導体パッケー
ジ用基板（１）；と、その中央部に貫通孔（８）を有す
るフレーム状の基板であって、その周辺部に、上下面及
び内外面を露出するように埋設された複数のコラムリー
ド（２）を有する第２半導体パッケージ用基板
（１′）：と、からなり、該第１半導体パッケージ用基
板の上面に該第２半導体パッケージ用基板を積層し接着
してなるものであり、該第１半導体パッケージ用基板の
コラムリード群の各内端が該第２半導体パッケージ用基
板のコラムリード群の各内端より該基板の内方に位置せ
しめられていることを特徴とする。
ケージ用基板は、平板状の基板であって、その周辺部
に、上下面及び外側面のみを露出するように埋設された
複数のコラムリード（２）を有する第１半導体パッケー
ジ用基板（１）；と、その中央部に貫通孔（８）を有す
るフレーム状の基板であって、その周辺部に、上下面及
び内外面を露出するように埋設された複数のコラムリー
ド（２）を有する第２半導体パッケージ用基板
（１′）：と、からなり、該第１半導体パッケージ用基
板の上面に該第２半導体パッケージ用基板を積層し接着
してなるものであり、該第１半導体パッケージ用基板の
コラムリード群の各内端が該第２半導体パッケージ用基
板のコラムリード群の各内端より該基板の内方に位置せ
しめられていることを特徴とする。
【０００９】また、本発明の半導体パッケージは、前記
の半導体パッケージ用基板；と、前記の第１半導体パッ
ケージ用基板（１）の上面と前記の第２半導体パッケー
ジ用基板（１′）の貫通孔（８）にて形成される凹部内
に収容され該第１半導体パッケージ用基板の上面にその
底面を接着された半導体チップ（３）；と、該半導体パ
ッケージ用基板のコラムリード群と該半導体チップとを
電気的に連結する金属製のワイヤ（４）；と、該半導体
パッケージ用基板のコラムリード群の内方部分と該半導
体チップと該ワイヤと該半導体パッケージ用基板の凹部
の該半導体チップに占有されていない空所とを封止する
モールディング部（５）；と、からなることを特徴とす
る。
の半導体パッケージ用基板；と、前記の第１半導体パッ
ケージ用基板（１）の上面と前記の第２半導体パッケー
ジ用基板（１′）の貫通孔（８）にて形成される凹部内
に収容され該第１半導体パッケージ用基板の上面にその
底面を接着された半導体チップ（３）；と、該半導体パ
ッケージ用基板のコラムリード群と該半導体チップとを
電気的に連結する金属製のワイヤ（４）；と、該半導体
パッケージ用基板のコラムリード群の内方部分と該半導
体チップと該ワイヤと該半導体パッケージ用基板の凹部
の該半導体チップに占有されていない空所とを封止する
モールディング部（５）；と、からなることを特徴とす
る。
【００１０】一方、本発明に係る半導体パッケージ用基
板の製造方法は、下記の段階、すなわち 平板状の基板であって、その周辺部に、上下面及び
外側面のみを露出するように埋設された複数のコラムリ
ード（２）を有する第１半導体パッケージ用基板（１）
を形成する段階； その中央部に貫通孔（８）を有するフレーム状の基
板であって、その周辺部に、上下面及び内外面を露出す
るように埋設された複数のコラムリード（２）を有する
第２半導体パッケージ用基板（１′）を形成する段階；
及び 該第１半導体パッケージ用基板の上面に該第２半導
体パッケージ用基板を積層し接着する段階を含むことを
特徴とする。
板の製造方法は、下記の段階、すなわち 平板状の基板であって、その周辺部に、上下面及び
外側面のみを露出するように埋設された複数のコラムリ
ード（２）を有する第１半導体パッケージ用基板（１）
を形成する段階； その中央部に貫通孔（８）を有するフレーム状の基
板であって、その周辺部に、上下面及び内外面を露出す
るように埋設された複数のコラムリード（２）を有する
第２半導体パッケージ用基板（１′）を形成する段階；
及び 該第１半導体パッケージ用基板の上面に該第２半導
体パッケージ用基板を積層し接着する段階を含むことを
特徴とする。
【００１１】ここで、前記の段階が下記の小段階、す
なわち ａ． 板状のコラムリード支持台（９）の一側面中央部
に形成されたコラムリードフレーム（２）の一端を嵌め
合い接合可能に受け入れる溝にその一端を嵌め込み該コ
ラムリードフレームを該コラムリード支持台に垂直に支
持させる小段階； ｂ． 該コラムリードフレームを垂設せしめられたコラ
ムリード支持台を外部成形枠（１１）内に収容する小段
階； ｃ． 該外部成形枠の内部空間に液状絶縁樹脂（１０）
を充填する小段階； ｄ． 該充填された液状樹脂を硬化させる小段階； ｅ． 該外部成形枠と該コラムリード支持台とを除去し
てユニットコラムフレーム（１２）を得る小段階；及び ｆ． 該ユニットコラムフレームを切断して複数の第１
半導体パッケージ用基板（１）を得る小段階；を順次行
うことによって行われ、前記の段階が、小段階ａにお
いて該コラムリードフレーム支持台に垂設されるもの
が、該外部成形枠と、その側面に第２半導体パッケージ
用基板形成のためのコラムリードフレーム（２′）の各
コラムリードの厚みを形成する面を当接させて保持する
内部成形枠（７）であること、及び該内部成形枠の軸に
垂直な面の面積が該第１半導体パッケージ用基板のコラ
ムリード群の内端を結んだ仮想面の面積より小であるこ
と；小段階ｂにおいて該外部成形枠内に収容されるもの
が該コラムリード支持台に垂設せしめられた該コラムリ
ードフレームと該内部成形枠であること；小段階ｅにお
いて除去されるものが該外部成形枠と該コラムリード支
持台と該内部成形枠であること；を除き該第１半導体パ
ッケージ用基板と同様の小段階を順次行うことによって
行われ、そして前記の段階とが個別に行われ、前記
の段階が該段階との後で行われることが好まし
い。
なわち ａ． 板状のコラムリード支持台（９）の一側面中央部
に形成されたコラムリードフレーム（２）の一端を嵌め
合い接合可能に受け入れる溝にその一端を嵌め込み該コ
ラムリードフレームを該コラムリード支持台に垂直に支
持させる小段階； ｂ． 該コラムリードフレームを垂設せしめられたコラ
ムリード支持台を外部成形枠（１１）内に収容する小段
階； ｃ． 該外部成形枠の内部空間に液状絶縁樹脂（１０）
を充填する小段階； ｄ． 該充填された液状樹脂を硬化させる小段階； ｅ． 該外部成形枠と該コラムリード支持台とを除去し
てユニットコラムフレーム（１２）を得る小段階；及び ｆ． 該ユニットコラムフレームを切断して複数の第１
半導体パッケージ用基板（１）を得る小段階；を順次行
うことによって行われ、前記の段階が、小段階ａにお
いて該コラムリードフレーム支持台に垂設されるもの
が、該外部成形枠と、その側面に第２半導体パッケージ
用基板形成のためのコラムリードフレーム（２′）の各
コラムリードの厚みを形成する面を当接させて保持する
内部成形枠（７）であること、及び該内部成形枠の軸に
垂直な面の面積が該第１半導体パッケージ用基板のコラ
ムリード群の内端を結んだ仮想面の面積より小であるこ
と；小段階ｂにおいて該外部成形枠内に収容されるもの
が該コラムリード支持台に垂設せしめられた該コラムリ
ードフレームと該内部成形枠であること；小段階ｅにお
いて除去されるものが該外部成形枠と該コラムリード支
持台と該内部成形枠であること；を除き該第１半導体パ
ッケージ用基板と同様の小段階を順次行うことによって
行われ、そして前記の段階とが個別に行われ、前記
の段階が該段階との後で行われることが好まし
い。
【００１２】更に又、本発明の半導体パッケージの製造
方法は、前記の方法にて製造された半導体パッケージ用
基板の前記第１半導体パッケージ用基板（１）の上面と
前記第２半導体パッケージ用基板（１′）の貫通孔にて
形成される凹部内に半導体チップ（３）を収容し該第１
半導体パッケージ用基板の上面にその底面を接着する段
階；と、該半導体チップと該第１半導体パッケージ用基
板の上面に露出したコラムリード群の内端近傍部とを金
属製のワイヤにて連結する段階；と、該ワイヤと該第１
半導体パッケージ用基板の上面に露出したコラムリード
群の内端近傍部と該凹部内の該半導体チップにて占有さ
れていない空所を封止するモールディング部を成形する
段階；と、を順次行うことを特徴とする。
方法は、前記の方法にて製造された半導体パッケージ用
基板の前記第１半導体パッケージ用基板（１）の上面と
前記第２半導体パッケージ用基板（１′）の貫通孔にて
形成される凹部内に半導体チップ（３）を収容し該第１
半導体パッケージ用基板の上面にその底面を接着する段
階；と、該半導体チップと該第１半導体パッケージ用基
板の上面に露出したコラムリード群の内端近傍部とを金
属製のワイヤにて連結する段階；と、該ワイヤと該第１
半導体パッケージ用基板の上面に露出したコラムリード
群の内端近傍部と該凹部内の該半導体チップにて占有さ
れていない空所を封止するモールディング部を成形する
段階；と、を順次行うことを特徴とする。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明を実施の形態に基き
詳細に説明する。
詳細に説明する。
【００１４】本発明に係る半導体パッケージの製造方法
においては、先ず、一方の側面に、板状のコラムリード
群２′及び内部成形枠７の一方の端部を嵌合させ得る溝
部６を有する板状のコラムリード支持台９を準備し、該
コラムリード支持台の溝部に該内部成形枠（その軸に垂
直な面の面積は、後述する第１半導体パッケージ用基板
１のコラムリード群２´の内端部を結んだ線で形成され
る仮想面の面積より小さいものにしておく）一方の端部
を嵌め込んで、該内部成形枠を該コラムリード支持台に
垂設させ（図１の（Ａ）参照）、該内部成形枠の各側面
に該コラムリードの厚みを形成する側面を添わせるよう
に所定数の該コラムリードを配すると共に、該コラムリ
ード群の一方の端部を該溝部に嵌め込んで、該内部成形
枠と該コラムリード群とを一体として該コラムリード支
持台に垂設させた（図１の（Ｂ）参照）後、外部成形枠
１１内に（Ｂ）の工程にて製造された構造物を収容し
（図１の（Ｃ）参照）、該外部成形枠の１側に形成され
たホール１１Ａを通して液状絶縁樹脂１０を該外部成形
枠の内部空間に充填し、硬化させた後、該外部成形枠及
び内部成形枠と該コラムリード支持台を取り外すと、中
央部に該内部成形枠の断面をその断面とする貫通孔（ホ
ール）を有する断面が四角形でリング状のユニットコラ
ムフレーム１２が製造される。
においては、先ず、一方の側面に、板状のコラムリード
群２′及び内部成形枠７の一方の端部を嵌合させ得る溝
部６を有する板状のコラムリード支持台９を準備し、該
コラムリード支持台の溝部に該内部成形枠（その軸に垂
直な面の面積は、後述する第１半導体パッケージ用基板
１のコラムリード群２´の内端部を結んだ線で形成され
る仮想面の面積より小さいものにしておく）一方の端部
を嵌め込んで、該内部成形枠を該コラムリード支持台に
垂設させ（図１の（Ａ）参照）、該内部成形枠の各側面
に該コラムリードの厚みを形成する側面を添わせるよう
に所定数の該コラムリードを配すると共に、該コラムリ
ード群の一方の端部を該溝部に嵌め込んで、該内部成形
枠と該コラムリード群とを一体として該コラムリード支
持台に垂設させた（図１の（Ｂ）参照）後、外部成形枠
１１内に（Ｂ）の工程にて製造された構造物を収容し
（図１の（Ｃ）参照）、該外部成形枠の１側に形成され
たホール１１Ａを通して液状絶縁樹脂１０を該外部成形
枠の内部空間に充填し、硬化させた後、該外部成形枠及
び内部成形枠と該コラムリード支持台を取り外すと、中
央部に該内部成形枠の断面をその断面とする貫通孔（ホ
ール）を有する断面が四角形でリング状のユニットコラ
ムフレーム１２が製造される。
【００１５】次いで、前記ユニットコラムフレーム１２
をＢ−Ｂ線方向に所定の厚みに切断して、図１の（Ｅ）
に示すような四角形フレーム状の第２半導体パッケージ
用基板１′（以下、第２基板と称する）が製造される。
一方、従来と同様な方法により図３の（Ｄ）に示すよう
な平板状の第１基板１を予め製造しておき、該第１基板
１の上面に該第２基板を重ね合わせ接着する（図１の
（Ｆ）参照。図示の通り、該第１基板のコラムリード群
の内端は該第２基板のコラムリード群の内端より該基板
の内方に位置する）。ここで、具体的接着方法として
は、両基板のリード群の相対する面同士をソルダを介し
て接着させてもよいし、また導電性物質をその上の一部
（接着される両基板のリード群の相対する面の部分に相
当する部分）に有する絶縁テープを用いて接着させても
よい。若し、該リード群の材料が鉛である場合には、両
基板を加熱して該コラムリード群の一部を溶融させて接
着してもよい。このようにして該第１基板上に該第２基
板が積層された新しい半導体パッケージ用基板（図１の
（Ｆ）参照）が製造される。
をＢ−Ｂ線方向に所定の厚みに切断して、図１の（Ｅ）
に示すような四角形フレーム状の第２半導体パッケージ
用基板１′（以下、第２基板と称する）が製造される。
一方、従来と同様な方法により図３の（Ｄ）に示すよう
な平板状の第１基板１を予め製造しておき、該第１基板
１の上面に該第２基板を重ね合わせ接着する（図１の
（Ｆ）参照。図示の通り、該第１基板のコラムリード群
の内端は該第２基板のコラムリード群の内端より該基板
の内方に位置する）。ここで、具体的接着方法として
は、両基板のリード群の相対する面同士をソルダを介し
て接着させてもよいし、また導電性物質をその上の一部
（接着される両基板のリード群の相対する面の部分に相
当する部分）に有する絶縁テープを用いて接着させても
よい。若し、該リード群の材料が鉛である場合には、両
基板を加熱して該コラムリード群の一部を溶融させて接
着してもよい。このようにして該第１基板上に該第２基
板が積層された新しい半導体パッケージ用基板（図１の
（Ｆ）参照）が製造される。
【００１６】次いで、前記第２基板１′の貫通孔７とそ
の上に該第２基板が積層された前記第１基板１の上面か
ら形成される中央の段差部に、半導体チップ３を収容し
接着し（図１の（Ｇ）参照）、ワイヤボンディング工程
を行った（図１の（Ｈ）参照）後、モールディング工程
を行って所要空間を封止すれば半導体パッケージ（図１
の（Ｉ）参照）の製造が終了する。ここまで、第１基板
１及び第２基板１′と該第２基板の中央部に形成された
貫通孔８の形状がすべて四角形の場合を例として説明し
てきたが、これらの形状は四角形に限定されず、使用者
の所望に従い円形等の多様な形状に変形して使用するこ
ともできるものである。
の上に該第２基板が積層された前記第１基板１の上面か
ら形成される中央の段差部に、半導体チップ３を収容し
接着し（図１の（Ｇ）参照）、ワイヤボンディング工程
を行った（図１の（Ｈ）参照）後、モールディング工程
を行って所要空間を封止すれば半導体パッケージ（図１
の（Ｉ）参照）の製造が終了する。ここまで、第１基板
１及び第２基板１′と該第２基板の中央部に形成された
貫通孔８の形状がすべて四角形の場合を例として説明し
てきたが、これらの形状は四角形に限定されず、使用者
の所望に従い円形等の多様な形状に変形して使用するこ
ともできるものである。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る半導
体パッケージの製造方法においては、２種の半導体パッ
ケージ用基板を個別に且つ簡単に大量生産し、次いで、
両者を積層・接着して一つの半導体パッケージ用基板と
するため、従来のプロセスにおける煩雑で且つ操作の正
確さを要求されるグラインディング及びポリッシング工
程を省くことができ、結果として半導体パッケージの製
造プロセスが単純化され、生産性が向上するという効果
がある。
体パッケージの製造方法においては、２種の半導体パッ
ケージ用基板を個別に且つ簡単に大量生産し、次いで、
両者を積層・接着して一つの半導体パッケージ用基板と
するため、従来のプロセスにおける煩雑で且つ操作の正
確さを要求されるグラインディング及びポリッシング工
程を省くことができ、結果として半導体パッケージの製
造プロセスが単純化され、生産性が向上するという効果
がある。
【図１】本発明に係る半導体パッケージ用基板及びそれ
を用いた半導体パッケージの製造プロセスをその手順に
沿って示した斜視図である。
を用いた半導体パッケージの製造プロセスをその手順に
沿って示した斜視図である。
【図２】従来のコラムリード型半導体パッケージの構造
を示した平面透視図（モールディング部の上部が取り除
かれている）である。
を示した平面透視図（モールディング部の上部が取り除
かれている）である。
【図３】従来の半導体パッケージ用基板及びそれを用い
た半導体パッケージの製造プロセスをその手順に沿って
示した工程斜視図である。
た半導体パッケージの製造プロセスをその手順に沿って
示した工程斜視図である。
１ ：第１（半導体パッケージ用）基板 １′：第２（半導体パッケージ用）基板 ２ ：コラムリード群 ３ ：半導体チップ ４ ：金属ワイヤ ５ ：モールディング部 ６ ：溝部 ７ ：内部成形枠 ８ ：貫通孔（ホール） ９ ：コラムリード支持台 １０：絶縁樹脂 １１：外部成形枠 １２：ユニットコラムフレーム
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 23/12 H01L 23/28 H05K 3/00 H05K 3/46
Claims (9)
- 【請求項１】 平板状の基板であって、その周辺部に、
上下面及び外側面のみを露出するように埋設された複数
のコラムリード（２）を有する第１半導体パッケージ用
基板（１）；と、 その中央部に貫通孔（８）を有するフレーム状の基板で
あって、その周辺部に、上下面及び内外面を露出するよ
うに埋設された複数のコラムリード（２）を有する第２
半導体パッケージ用基板（１′）：と、からなり、該第
１半導体パッケージ用基板の上面に該第２半導体パッケ
ージ用基板を積層し接着してなるものであり、該第１半
導体パッケージ用基板のコラムリード群の各内端が該第
２半導体パッケージ用基板のコラムリード群の各内端よ
り該基板の内方に位置せしめられている半導体パッケー
ジ用基板。 - 【請求項２】 請求項１に記載の半導体パッケージ用基
板；と該第１半導体パッケージ用基板の上面と該第２半
導体パッケージ用基板の貫通孔にて形成される凹部内に
収容され該第１半導体パッケージ用基板の上面にその底
面を接着された半導体チップ（３）；と、 該半導体パッケージ用基板のコラムリード群と該半導体
チップとを電気的に連結する金属製のワイヤ（４）；
と、 該半導体パッケージ用基板のコラムリード群の内方部分
と該半導体チップと該ワイヤと該半導体パッケージ用基
板の凹部の該半導体チップに占有されていない空所とを
封止するモールディング部（５）；と、からなる半導体
パッケージ。 - 【請求項３】 下記の段階を含む半導体パッケージ用基
板の製造方法： 平板状の基板であって、その周辺部に、上下面及び
外側面のみを露出するように埋設された複数のコラムリ
ード（２）を有する第１半導体パッケージ用基板（１）
を形成する段階； その中央部に貫通孔（８）を有するフレーム状の基
板であって、その周辺部に、上下面及び内外面を露出す
るように埋設された複数のコラムリード（２）を有する
第２半導体パッケージ用基板（１′）を形成する段階；
及び 該第１半導体パッケージ用基板の上面に該第２半導
体パッケージ用基板を積層し接着する段階。 - 【請求項４】 前記の段階が下記の小段階： ａ． 板状のコラムリード支持台（９）の一側面中央部
に形成されたコラムリードフレーム（２）の一端を嵌め
合い接合可能に受け入れる溝にその一端を嵌め込み該コ
ラムリードフレームを該コラムリード支持台に垂直に支
持させる小段階； ｂ． 該コラムリードフレームを垂設せしめられたコラ
ムリード支持台を外部成形枠（１１）内に収容する小段
階； ｃ． 該外部成形枠の内部空間に液状絶縁樹脂（１０）
を充填する小段階； ｄ． 該充填された液状樹脂を硬化させる小段階； ｅ． 該外部成形枠と該コラムリード支持台とを除去し
てユニットコラムフレーム（１２）を得る小段階；及び ｆ． 該ユニットコラムフレームを切断して複数の第１
半導体パッケージ用基板（１）を得る小段階；を順次行
うことによって行われ、 前記の段階が、小段階ａにおいて該コラムリードフレ
ーム支持台に垂設されるものが、該外部成形枠と、その
側面に第２半導体パッケージ用基板形成のためのコラム
リードフレーム（２′）の各コラムリードの厚みを形成
する面を当接させて保持する内部成形枠（７）であるこ
と、及び該内部成形枠の軸に垂直な面の面積が該第１半
導体パッケージ用基板のコラムリード群の内端を結んだ
仮想面の面積より小であること；小段階ｂにおいて該外
部成形枠内に収容されるものが該コラムリード支持台に
垂設せしめられた該コラムリードフレームと該内部成形
枠であること；小段階ｅにおいて除去されるものが該外
部成形枠と該コラムリード支持台と該内部成形枠である
こと；を除き該第１半導体パッケージ用基板と同様の小
段階を順次行うことによって行われ、そして前記の段階
とが個別に行われ、前記の段階が該段階との
後で行われる請求項３記載の方法。 - 【請求項５】 前記の段階が、前記の第１半導体パッ
ケージ用基板（１）と第２半導体パッケージ用基板
（１′）とを加熱して両基板の相対する各コラムリード
の溶融により行われる請求項３又は４記載の方法。 - 【請求項６】 前記のコラムリード群（１２）の材質
が、鉛である請求項５記載の方法。 - 【請求項７】 前記の段階が、部分的に導電性を有す
る絶縁テープを用いて行われ、該絶縁テープの導電性を
有する部分が、前記の第１半導体パッケージ用基板
（１）と前記の第２半導体パッケージ用基板（１′）の
コラムリード同士が接する部分のみである請求項３又は
４記載の方法。 - 【請求項８】 前記の段階が、前記の第１半導体パッ
ケージ用基板（１）と第２半導体パッケージ用基板
（１′）の相対する各コラムリードの露出部にソルダを
介して行われる請求項３又は４記載の方法。 - 【請求項９】 請求項３乃至８のいずれか一に記載の方
法にて製造された半導体パッケージ用基板の前記第１半
導体パッケージ用基板（１）の上面と前記第２半導体パ
ッケージ用基板（１′）の貫通孔（８）にて形成される
凹部内に半導体チップ（３）を収容し該第１半導体パッ
ケージ用基板の上面にその底面を接着する段階；と、 該半導体チップと該第１半導体パッケージ用基板の上面
に露出したコラムリード群の内端近傍部とを金属製のワ
イヤにて連結する段階；と、 該ワイヤと該第１半導体パッケージ用基板の上面に露出
したコラムリード群の内端近傍部と該凹部内の該半導体
チップにて占有されていない空所を封止するモールディ
ング部を成形する段階；と、を順次行う半導体パッケー
ジの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10773/1997 | 1997-03-27 | ||
| KR1019970010773A KR100214563B1 (ko) | 1997-03-27 | 1997-03-27 | 반도체 패키지용 기판 및 반도체 패키지 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10275881A JPH10275881A (ja) | 1998-10-13 |
| JP2823556B2 true JP2823556B2 (ja) | 1998-11-11 |
Family
ID=19500969
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10008469A Expired - Fee Related JP2823556B2 (ja) | 1997-03-27 | 1998-01-20 | 半導体パッケージ用基板及びそれを用いた半導体パッケージの製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2823556B2 (ja) |
| KR (1) | KR100214563B1 (ja) |
-
1997
- 1997-03-27 KR KR1019970010773A patent/KR100214563B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1998
- 1998-01-20 JP JP10008469A patent/JP2823556B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100214563B1 (ko) | 1999-08-02 |
| KR19980074791A (ko) | 1998-11-05 |
| JPH10275881A (ja) | 1998-10-13 |
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