JPS6013116Y2 - 磁気バブルメモリパツケ−ジ - Google Patents
磁気バブルメモリパツケ−ジInfo
- Publication number
- JPS6013116Y2 JPS6013116Y2 JP1977062500U JP6250077U JPS6013116Y2 JP S6013116 Y2 JPS6013116 Y2 JP S6013116Y2 JP 1977062500 U JP1977062500 U JP 1977062500U JP 6250077 U JP6250077 U JP 6250077U JP S6013116 Y2 JPS6013116 Y2 JP S6013116Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic bubble
- substrate
- chip
- memory package
- casing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、磁気バブルメモリパッケージの特に磁気バブ
ルチップをグイボンディング法によって基板に固定する
ようにした磁気バブルメモリパッケージに関するもので
ある。
ルチップをグイボンディング法によって基板に固定する
ようにした磁気バブルメモリパッケージに関するもので
ある。
磁気バブル装置を組立てる場合、部品相互間の確実な位
置付けあるいは配線の信頼性等のために基板と磁気バブ
ルチップとをグイボンディング法により接着してパッケ
ージング化することが行なわれる。
置付けあるいは配線の信頼性等のために基板と磁気バブ
ルチップとをグイボンディング法により接着してパッケ
ージング化することが行なわれる。
そして更には、磁気バブルチップおよび基板上の配線部
の空気中露呈による酸化、腐食、塵埃等の付着を防止す
るために磁気バブルチップのグイボンディングされた基
板全体を樹脂でコーティングすることが行なわれる。
の空気中露呈による酸化、腐食、塵埃等の付着を防止す
るために磁気バブルチップのグイボンディングされた基
板全体を樹脂でコーティングすることが行なわれる。
このコーティング剤としては一般にシリコーン樹脂が用
いられる。
いられる。
またバブルチップと基板との間の所定の電気接続は一般
にアルミニウムのリードワイヤが用いられる。
にアルミニウムのリードワイヤが用いられる。
バブルメモリパッケージはその使用温度環境が例えば−
２０′Ｃから８０′Ｃ位まで耐え得るものでなければな
らずそのために多数回の温度サイクル耐久試験にかける
とコーティング剤とＡ１ワイヤとの熱膨張係数の差によ
りワイヤの切断、接続部の離脱等が生じることがあった
。
２０′Ｃから８０′Ｃ位まで耐え得るものでなければな
らずそのために多数回の温度サイクル耐久試験にかける
とコーティング剤とＡ１ワイヤとの熱膨張係数の差によ
りワイヤの切断、接続部の離脱等が生じることがあった
。
このことはバブルメモリパッケージを組込んだ機器の使
用環境温度に急激な変化が生じると機器の作動が不能に
なり機器の信頼性を損うことを意味する。
用環境温度に急激な変化が生じると機器の作動が不能に
なり機器の信頼性を損うことを意味する。
本考案は上記の如き不都合を解消し信頼性の高い磁気バ
ブルメモリパッケージを提供せんとするものである。
ブルメモリパッケージを提供せんとするものである。
以下、図面に従って説明する。
第１図は本考案に係るバブルメモリパッケージを示すも
ので図において、１は銅、セラミックまたはガラスエポ
キシ樹脂を基体とする基板、２は磁気バブルチップ、３
は基板１上に印刷配線されたＡｕパターン等の外部引出
し線、４は磁気バブルチップ２内に設けられた検出器等
の出力端子と基板１上に設けられる図示されざる増幅器
等とを電気的に接続するアルミニウムからなるリードワ
イヤ、５は基板１と磁気バブルチップ２相互間を接着し
ているシリコン又はエポキシ系接着剤である。
ので図において、１は銅、セラミックまたはガラスエポ
キシ樹脂を基体とする基板、２は磁気バブルチップ、３
は基板１上に印刷配線されたＡｕパターン等の外部引出
し線、４は磁気バブルチップ２内に設けられた検出器等
の出力端子と基板１上に設けられる図示されざる増幅器
等とを電気的に接続するアルミニウムからなるリードワ
イヤ、５は基板１と磁気バブルチップ２相互間を接着し
ているシリコン又はエポキシ系接着剤である。
尚、図では磁気バブル装置として不可欠な周辺回路およ
び磁気バイアス回路、駆動コイル等の周辺構成は省略し
である。
び磁気バイアス回路、駆動コイル等の周辺構成は省略し
である。
従来のパッージによれば、先ず基板１上に接着剤５を用
いて磁気バブルチップ２を所定位置にグイボンディング
したのち磁気バブルチップ２の入出力端子と外部引出し
線３とをリードワイヤ４で接続し、然る後に全体をシリ
コン樹脂で保護コーティングしていた。
いて磁気バブルチップ２を所定位置にグイボンディング
したのち磁気バブルチップ２の入出力端子と外部引出し
線３とをリードワイヤ４で接続し、然る後に全体をシリ
コン樹脂で保護コーティングしていた。
そのためコーティング剤とＮワイヤ４との間の熱膨張係
数の差により冒頭に述べた如き欠点を伴っていた。
数の差により冒頭に述べた如き欠点を伴っていた。
本考案によればコーティングする代りにケーシングで被
覆することを特徴とする。
覆することを特徴とする。
該ケーシングは例えば上下の開口した矩形のスペーサ７
と板状の蓋８とを有する。
と板状の蓋８とを有する。
スペーサ７及び蓋８は共に例えばガラスエポキシ材で形
成される。
成される。
バブルチップ２の固着及び所定の電気的接続が終了した
後にスペーサ７をバブルチップ２の接着に用いたと同様
の接着剤５′で基板１に接着する。
後にスペーサ７をバブルチップ２の接着に用いたと同様
の接着剤５′で基板１に接着する。
次いで不活性ガス雰囲気中で蓋８を接着剤５′でスペー
サ７に封着する。
サ７に封着する。
このままの状態では接着剤５′部に気泡あるいは隙間が
発生して内部部品を腐食する恐れがあるので最終的にシ
リコーン樹脂６によりケーシング周囲を保護コーティン
グする。
発生して内部部品を腐食する恐れがあるので最終的にシ
リコーン樹脂６によりケーシング周囲を保護コーティン
グする。
また、上述の如くケーシング周囲にシリコーン樹脂を保
護コーティングするようにすると、コーティング層が冷
却固化するまでに基板１からこぼれ落ちるないしはだれ
るという問題が新たに生じる。
護コーティングするようにすると、コーティング層が冷
却固化するまでに基板１からこぼれ落ちるないしはだれ
るという問題が新たに生じる。
そこでこの問題を解決するために本考案によれば、ケー
シング周囲を取り囲むようにして基板１にはコーティン
グ層の流れ止め用周壁９が設けられる。
シング周囲を取り囲むようにして基板１にはコーティン
グ層の流れ止め用周壁９が設けられる。
尚、牲に図示はしないが磁気バブルメモリパッケージは
最終的にはケーシング封止後にケーシングに密接してバ
ブルを駆動するための回転磁界を与えるＸ、 Ｙ直交コ
イル、さらにはマグネットが組み込まれる。
最終的にはケーシング封止後にケーシングに密接してバ
ブルを駆動するための回転磁界を与えるＸ、 Ｙ直交コ
イル、さらにはマグネットが組み込まれる。
また必要に応じてその後この組立体（コイル、チップ、
マグネット）を全体的にモールドしてもよい。
マグネット）を全体的にモールドしてもよい。
以上の如く構成することによりチップ２及びワイヤ４等
は直接コーティングされないので従前の如き問題は生じ
ない。
は直接コーティングされないので従前の如き問題は生じ
ない。
即ち１、物理的にも化学的にも安定になる。
第１図は本考案に係る磁気バブルメモリパッケージの図
解図。 １・・・・・・基板、２・・・・・・バブルチップ、４
・・・・−ノードワイヤ、５．５’・・・・・・接着剤
、６・・・・・・シリコンコーティング、７・・・・・
・スペーサ、訃・・・・・蓋。
解図。 １・・・・・・基板、２・・・・・・バブルチップ、４
・・・・−ノードワイヤ、５．５’・・・・・・接着剤
、６・・・・・・シリコンコーティング、７・・・・・
・スペーサ、訃・・・・・蓋。
Claims (1)
- バブルチップを接着剤により基板に固定すると共に該チ
ップ及び所要配線部を覆うようにケーシングを基板上に
不活性ガス雰囲気中で封着し、該ケーシング外周部をシ
リコン樹脂でコーティングし、かつ上記基板上にケーシ
ングを囲繞するシリコン樹脂コーティング層の流れ止め
用周壁を形成したことを特徴とする磁気バブルメモリパ
ッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1977062500U JPS6013116Y2 (ja) | 1977-05-18 | 1977-05-18 | 磁気バブルメモリパツケ−ジ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1977062500U JPS6013116Y2 (ja) | 1977-05-18 | 1977-05-18 | 磁気バブルメモリパツケ−ジ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS53157632U JPS53157632U (ja) | 1978-12-11 |
| JPS6013116Y2 true JPS6013116Y2 (ja) | 1985-04-26 |
Family
ID=28964808
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1977062500U Expired JPS6013116Y2 (ja) | 1977-05-18 | 1977-05-18 | 磁気バブルメモリパツケ−ジ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6013116Y2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5231671A (en) * | 1975-07-31 | 1977-03-10 | Matsushita Electronics Corp | Sealing method of semiconductor device |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49135749U (ja) * | 1973-03-24 | 1974-11-21 |
-
1977
- 1977-05-18 JP JP1977062500U patent/JPS6013116Y2/ja not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5231671A (en) * | 1975-07-31 | 1977-03-10 | Matsushita Electronics Corp | Sealing method of semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS53157632U (ja) | 1978-12-11 |
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