JPH03136385A - 磁気抵抗素子 - Google Patents

磁気抵抗素子

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JPH03136385A
JPH03136385A JP1275568A JP27556889A JPH03136385A JP H03136385 A JPH03136385 A JP H03136385A JP 1275568 A JP1275568 A JP 1275568A JP 27556889 A JP27556889 A JP 27556889A JP H03136385 A JPH03136385 A JP H03136385A
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JP
Japan
Prior art keywords
substrate
magnetoresistive element
board
electrode
film
Prior art date
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Pending
Application number
JP1275568A
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English (en)
Inventor
Takashi Ikegami
隆 池上
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Nidec Instruments Corp
Original Assignee
Sankyo Seiki Manufacturing Co Ltd
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Publication date
Application filed by Sankyo Seiki Manufacturing Co Ltd filed Critical Sankyo Seiki Manufacturing Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明線、磁気抵抗素子に関する。
(従来の技術) 従来の磁気抵抗素子(MR素子)は、通常、第10図に
示すように、フラットなガラスあるいはセラミック等の
基板1上に、M e −F eあるいはNi−Co等の
感磁性(強磁性薄膜)のパターンからなる磁気抵抗体2
を形成し、この磁気抵抗体2をリード・線等で回路基板
(図示せず)に接続して使用されている。
また、こ・の磁気抵抗素子は、半田付けにより形成され
た磁気抵抗体2の電極部3に、リード線4が樹脂で封止
されている。
この磁気抵抗素子は1周知のように、エンコーダー等の
ローター(マグネット)に着磁された微少信号を抵抗値
の変化として1例えばカウント回路等の回路に伝達する
素子として使用されている。
(発明が解決しようとする課題) ところ℃、前記従来の磁気抵抗素子は、前述したように
、フラットな基板1の表面上に、磁気抵抗体2の電極部
3が半田付けされて形成され、さらに、この電極部3上
にリード線4を封止するための樹脂による封止部5が形
成されているため、第10図に示すように、その電極部
3が、封止部5の高さ6分だけ突出して形成される。
このため、従来の磁気抵抗素子では、例えば、第11図
に示すように、モーターのローター6等に、この磁気抵
抗素子の感磁部7(磁気抵抗体2の表面)を近接配置さ
せるためには、モーターの高さに制限があるため、この
ローター6と封止部5との干渉を避けるようにローター
6の下部を削る必要があった。
また、従来の磁気抵抗素子では、その感磁部7がフラッ
トでないため、ローター6と感磁部7との出力波形によ
るギャップ調整後の最終ギャップの確認を目視に頼らざ
るを得ず、その取付に人手を必要としていた。
なお、こうした不具合を解消する一つの方法としては、
例えば特開昭59−159015号公報に記載された磁
気センサのように、上述の電極部3とリード線4との封
止部5が基板1の表面から突出しないように、この基板
1の封止部5に予め凹部を形成しておくことが考えられ
る。
しかしながら、従来の磁気抵抗素子の基板1は、前述の
ように、ガラスあるいはセラミック等の非常に固い素材
で形成されているため、上述のような凹部を形成するこ
とは困難である。
また、この種の磁気抵抗素子は、チップが連続して形成
された基板1上に複数まとめて形成したのち、各チップ
を切断して作成される。
従って、このようなガラスからなる基板1では、この基
板1をカットして上述のような凹部を形成し得たとして
も、そのハーフカット時のチッピング及びこの基板1を
各チップに切断する際に微細なガラス片が発生し、この
ガラス片が、基板1に磁気抵抗体2等をアッセンブリす
る時の障碍となる。
(課題を解決するための手段) 本発明は、上述の課題を解決するために、基板と磁気抵
抗体と保護膜と電極部とを有する磁気抵抗素子であって
、上記基板がエンジニアリングプラスチックからなると
ともに、表面から裏面側に向かって傾斜する傾斜面を有
し、上記抵抗体が上記基板の表面に被着され、上記保護
膜が上記磁気抵抗体の表面に被着され、上記電極部が上
記斜面に形成された構成とする。
(作 用) 本発明によれば、上記基板がエンジニアリングプラスチ
ックからなるとともに、表面から裏面側に向かって傾斜
する傾斜面を有し、かつ、上記電極部が上記斜面に形成
されるので、前記封止部の感磁部表面上への突出が防止
されるとともに、上記基板の加工難易度が低減される。
(実 施 例) 以下、本発明の実施例を図に基づいて詳細に説明する。
本発明による磁気抵抗体は、第1図に示すように、基板
1と磁気抵抗体2と保護膜8と電極部3とを有している
第1図において、基板1は、エンジニアリングプラスチ
ックからなるとともに、表面から裏面側に向かって傾斜
する傾斜面1aを有するように形成される。
この基板1を形成するエンジニアリングプラスチックの
素材としては1例えば、線膨張係数が、5 X 10 
’cm/”C以下の、熱収縮率(アルミニウム程度の収
縮率)の比較的低い材料が使用される。
また、基板1には、通常の使用状態で、180℃程度の
耐熱性が保証されている材料が使用される。
さらに、この基板1には、これを成型する際に、ガラス
の含有料を30%程度まで上げられる材料、例えば、ポ
リエーテルサルホン(PES)、ポリフェニレンサルフ
ァイド(PPS)、液晶樹脂(LCP)、ポリイミド(
PI)、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)、エ
コノール(商品名)、及びエポキシ系樹脂等が使用され
る。
一方、成型時における基板1は、第2図(a)に示すよ
うに、各基板1のチップを連続的に複数形成したプレー
ト状をなしている。
この基板1のプレートは、第3図に示すように。
基板1の表面を形成する上型A(固定型)と、基板1の
裏面を形成する下型B(可動型)とからなる成形型によ
り成形される。
この上型Aには、基板1の傾斜面1aを形成するための
テーパ一部A工が、予め形成されている。
これにより、基板1のプレートには、第4図に示すよう
に、各チップごとに平行な溝状の傾斜面1aの形成され
た長尺な基板1が連続的に形成される。ここで、プレー
トの形状は、円形もしくは角形等、どのような形状に形
成してもよい。
このようにして形成された基板1のプレートの表面及び
裏面には、各面をある程度平滑にするためのラップ処理
が施される。
さらに、この基板1のプレートの表面には、第2図(b
)に示すように、平滑用被膜8がスパッタされる。
この平滑用被膜8としては、例えば、二酸化珪素(Si
n)、酸化珪素(S i O)  アルミナ(Al、O
,)、炭化珪素(SiC)、及び酸化亜鉛(ZnO)な
どの素材が使用される。
このように、基板1のプレートの表面に平滑用被膜8を
スパッタすることにより、次のような効果を得ることが
できる。
すなわち、磁気抵抗素子は、周知のように、その基板1
上に形成される磁気抵抗体2のパターンの形状によりそ
の特性が大幅に変化する。また、このパターンの幅や厚
さ等のほんの少しの違いであってもその特性に及ぼす影
響は大きい。
このため、前述のようにして形成された基板1のプレー
トをそのまま使用した場合には、その成形時における凹
凸によってパターンの平滑度が損なわれるため、安定し
た特性を持つ磁気抵抗素子を量産することが不可能とな
る。
これに対し、上述のように、基板1のプレートの表面に
平滑用被膜8をスパッタすることにより、極めて平滑度
の高い基板1を量産することができる。
またここの平滑用被膜8は、磁気抵抗素子の温度係数を
下げる作用を有しているので、その温度特性の面でも非
常に有効かつ効果的な手段となる。
ここで、基板1の表面荒さが、10μm以下となるよう
に、基板1の表面加工ができるようになれば、この平滑
用被膜8の形成は必要無くなるものと考えら、れるが、
現状における基板は、ガラス繊維等を含んでいるため、
その表面の平□滑化処理が不可欠である。
この平滑用被膜8上には、第2向・(c)に示すように
、感磁膜のパターンが蒸着されることにより磁気抵抗体
2が形成される。
また、この磁気抵抗体2の電極部3は、第2図(d)に
示すように、基板1の一傾斜面1 ’aに蒸着された磁
気抵抗体2の電極2aに、半田等のバンプを形成するこ
とにより形成される。
このとき、基板1に形成された傾斜面1aの角度θ(第
5図参照)が、ある程度以上に大きくなると、磁気抵抗
体2の電極2aの成膜ができ・なくなる。
従って、この磁気抵抗素子では、前述のような磁気セン
サの凹部に磁気抵抗体2を蒸着させることは、事実上困
難となる。
このため、この基板1の傾斜面1aの角度θは。
45@以下に形成することが望ましい。
また、この基板1の傾斜面・1aの形状としそは。
第6図に示すように、滑らかな段状に形成してもよい。
このようにして形成された磁気抵抗素子2のパターンの
部位、すなわち、感磁部7には、第2図(d)に示すよ
うに、マスクスパッタにより保護膜9が形成される。
この保護膜9は、平滑用被膜8と同様な二酸化珪素(S
 i O,)などで形成される。
この保護膜9は、磁気抵抗体2のパターンを保護する働
きをする。
すなわち、第11図に示したように、この磁気抵抗素子
をローター6に近接配置した場合には、その感磁部7と
ローター6とのギャップGがその出力に大きく係ってぐ
る。
また、このギャップGは、およそ50〜200μm程度
の微少範囲なため、ローター6に鉄粉等が付着した場合
、磁気抵抗体2のパターンを傷付けるおそれがある。
また、このパターンは、Ni−FeあるいはN1−Go
等の薄膜(500〜2000人)からなるため、通電時
のマイグレーションにより、パターン自体の細り等で断
線するおそれがある。
このような、磁気抵抗体2のパターンの損傷を防止する
ために、このパターンを形成する磁気抵抗体2の表面に
保護膜9が形成される。
ところで、この二酸化珪素(SiO2)等からなる保護
膜9は、基板1の表面を予めエツチング処理した後に形
成される。
このエツチング処理には、通常ふっ化水素等が使用され
るが、従来の磁気抵抗素子のように、基板1の素材にが
ラスを使用した場合には、このエツチングによって、基
板となるガラスが侵食されてしまうため、そのエツチン
グ濃度9時間、及び温度等の厳密な管理が必要となり、
また、このような管理下でも基板が多少侵食される不具
合が合った。
これに対して、本実施例の基板1は、前述したような、
エンジニアリングプラスチックで構成されているので、
上述のようなエツチングを複雑な管理をすること無く極
めて容易に実施することができる。
このようにして形成された磁気抵抗素子は、前述したよ
うに、半田付けにより形成された磁気抵抗体2の電極部
3に、リード線4が樹脂で封止されて使用される(第1
図参照)。
このとき、この磁気抵抗素子では、その基板1の傾斜面
1aに電極部3が形成されているので、リード線4の封
止部5が感磁部7の表面から突出することが無くなる。
ここで、この磁気抵抗素子は、第7図に示すように、素
子ホルダー10に一体化して形成してもよい。
また、基板1の傾斜面1aの形成部位は、第8図に示す
ように、基板1の両側部位であってもよい。
さらに、この磁気抵抗素子の形状は、第9図に示すよう
に、その電極部3をアール状に形成してもよい。
(発明の効果) 本発明によれば、磁気抵抗素子の感磁部及び封止部をを
フラットに形成することができるので、モーターのロー
ター等に、この磁気抵抗素子の感磁部を近接配置させる
場合に、ローターの下部を削ることなく、このローター
と封止部との干渉を避けることができる。
また、従来の磁気抵抗素子では、その感磁部がフラット
でないため、ローターと感磁部との出力波形によるギャ
ップ調整後の最終ギャップの確認を目視に頼らざるを得
す、その取付に人手を必要としていたが、本発明によれ
ば、光電スイッチ等を使用することにより、このギャッ
プの調整を自動化させることができる。
さらに、本発明によれば、基板がエンジニアリングプラ
スチックで形成されているので、その電極の封止部の形
成面をフラット化するための傾斜面を極めて容易に形成
することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例の断面図、第2図は上記実施例
の形成過程を示す工程図、第3図は上記実施例の基板を
形成するための成形型の断面図、第4図は上記成形型に
よって形成された基板の斜視図、第5図は上記基板の要
部側面図、第6図は上記基板の他の実施例の要部側面図
、第7図は本発明の他の実施例の断面図、第8図は上記
基板の他の実施例の平面図および底面図、第9図は上記
基板のさらに他の実施例の側面図、第10図は従来の磁
気抵抗素子の概略側面図、第11図は上記従来の磁気抵
抗素子の使用例を示す概略側面図である。 1・・・基板、la・・・基板1の傾斜面、2・・・磁
気抵抗体、3・・・電極部、4・・・リード線、5・・
・封止部、6・・・ローター 7・・・感磁部、8・・
・平滑用被膜、9・・・保護膜。 凭 イ 口 %7 乙 光6 圀

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、基板と磁気抵抗体と保護膜と電極部とを有する磁気
    抵抗素子であって、上記基板がエンジニアリングプラス
    チックからなるとともに、表面から裏面側に向かって傾
    斜する傾斜面を有し、上記抵抗体が上記基板の表面に被
    着され、上記保護膜が上記磁気抵抗体の表面に被着され
    、上記電極部が上記斜面に形成されたことを特徴とする
    磁気抵抗素子。 2、上記基板の表面に平滑用被膜が形成されたことを特
    徴とする請求項1記載の磁気抵抗素子。 3、上記電極部が上記磁気抵抗体と同一材料で形成され
    たことを特徴とする請求項1または2記載の磁気抵抗体
    。 4、上記傾斜面に段差面が連設されたことを特徴とする
    請求項1または2記載の磁気抵抗体。
JP1275568A 1989-10-23 1989-10-23 磁気抵抗素子 Pending JPH03136385A (ja)

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JP1275568A JPH03136385A (ja) 1989-10-23 1989-10-23 磁気抵抗素子

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JP1275568A JPH03136385A (ja) 1989-10-23 1989-10-23 磁気抵抗素子

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JP (1) JPH03136385A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0677268U (ja) * 1993-04-01 1994-10-28 株式会社三協精機製作所 磁電変換素子

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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