JPS60257582A - 磁気抵抗装置 - Google Patents
磁気抵抗装置Info
- Publication number
- JPS60257582A JPS60257582A JP59115231A JP11523184A JPS60257582A JP S60257582 A JPS60257582 A JP S60257582A JP 59115231 A JP59115231 A JP 59115231A JP 11523184 A JP11523184 A JP 11523184A JP S60257582 A JPS60257582 A JP S60257582A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- thickness
- sio2
- sin
- extends over
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/10—Magnetoresistive devices
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は感磁性薄膜を用いた磁気抵抗装置に関し、特に
感磁性薄膜の表面を保護するための多層構造の保護膜に
関する。この磁気抵抗装置は例えば磁石等との組合せに
より変位量、相対位置あるいは回転位置等の検出に利用
できる。
感磁性薄膜の表面を保護するための多層構造の保護膜に
関する。この磁気抵抗装置は例えば磁石等との組合せに
より変位量、相対位置あるいは回転位置等の検出に利用
できる。
一般に強磁性薄膜を用いた強磁性磁気抵抗素子（以下Ｍ
ＲＥと呼ぶ）は、第４図に示すように絶縁基板（１）上
にＮｉ−Ｆｅ５ Ｎｉ−Ｃｏ等を真空蒸着、スパッタリ
ング等により薄膜を作り、これをエツチングして所望の
パターン（２）に形成される。
ＲＥと呼ぶ）は、第４図に示すように絶縁基板（１）上
にＮｉ−Ｆｅ５ Ｎｉ−Ｃｏ等を真空蒸着、スパッタリ
ング等により薄膜を作り、これをエツチングして所望の
パターン（２）に形成される。
ところが、このＮ ｉ Ｆ ｅ −、Ｎ ｉＣＯ等の薄
膜は非常に活性であるため酸化され易く、また傷が付き
易い。したがって、保護膜が必要であるが、通常半導体
の保護膜に用いられているＣＶＤによるシリコン酸化膜
（ＣＶＤＳｉ０２膜）は大気中で高温処理されるためＮ
ｉ−Ｆｅ、Ｎｉ−Ｃｏ等の薄膜が酸化されるため使用す
ることができない。
膜は非常に活性であるため酸化され易く、また傷が付き
易い。したがって、保護膜が必要であるが、通常半導体
の保護膜に用いられているＣＶＤによるシリコン酸化膜
（ＣＶＤＳｉ０２膜）は大気中で高温処理されるためＮ
ｉ−Ｆｅ、Ｎｉ−Ｃｏ等の薄膜が酸化されるため使用す
ることができない。
そのため、Ｍ ＲＥ （２）の保護膜には有機レジン（
ＰＩＱ等）（３）が用いられている。しかし、有機レジ
ン（３）は表面が柔らかく薄いためＭＲＥ表面に傷が付
き易く、また、信頼性にも問題があり保護膜として充分
とは言えない。また、スパッタリングによるシリコン酸
化膜（スパッタＳ ｉ Ｏ２膜）で保護膜を形成するこ
とができるが、この場合、無欠陥のＳ ｉ Ｏ２膜を形
成することは至難の技である。また、比較的欠陥の少な
い保護膜を容易に形成することができるプラズマ処理に
よるシリコン窒化膜（プラズマＳｉＮ膜）では、生産性
の面から基板を四六時中加熱しており、ＭＲＥ表面が酸
化されるという欠点がある。
ＰＩＱ等）（３）が用いられている。しかし、有機レジ
ン（３）は表面が柔らかく薄いためＭＲＥ表面に傷が付
き易く、また、信頼性にも問題があり保護膜として充分
とは言えない。また、スパッタリングによるシリコン酸
化膜（スパッタＳ ｉ Ｏ２膜）で保護膜を形成するこ
とができるが、この場合、無欠陥のＳ ｉ Ｏ２膜を形
成することは至難の技である。また、比較的欠陥の少な
い保護膜を容易に形成することができるプラズマ処理に
よるシリコン窒化膜（プラズマＳｉＮ膜）では、生産性
の面から基板を四六時中加熱しており、ＭＲＥ表面が酸
化されるという欠点がある。
本発明の目的は、上記点に鑑み、感磁性薄膜を損傷から
確実に保護し、信頼性の高い磁気抵抗装置を提供するこ
とにある。
確実に保護し、信頼性の高い磁気抵抗装置を提供するこ
とにある。
そのため本発明では絶縁基板上に所定パターンに形成さ
れた感磁性薄膜と、少なくともこの感磁性薄膜上に堆積
された厚さ０．１〜０．８μｍのシリコン酸化膜及びこ
の膜上に堆積された厚さ０．５〜２．５μｍのプラズマ
窒化膜を含む多層構造の保護膜を設けたことを特徴とす
る。
れた感磁性薄膜と、少なくともこの感磁性薄膜上に堆積
された厚さ０．１〜０．８μｍのシリコン酸化膜及びこ
の膜上に堆積された厚さ０．５〜２．５μｍのプラズマ
窒化膜を含む多層構造の保護膜を設けたことを特徴とす
る。
以下本発明の一実施例について説明する。第１図におい
て、（１）はセラミック基板などからなる絶縁基板であ
り、この膜上には所定のパターンに形成されたＮｉ−Ｆ
ｅ、Ｎｅ−Ｃｏなどの感磁性の薄膜（２）が設けられて
、強磁性磁気抵抗素子が形成される。この薄膜（２）を
含む絶縁基板（１）上には公知のスパッタリング処理に
より堆積形成された厚さ０．１〜０．８μｍのシリコン
酸化膜（スパッタ５ｉ０２膜）（４）が設けられ、さら
にその上部にはプラズマ処理により堆積形成された厚さ
０．５〜２．５μｍのシリコン窒化膜（プラズマＳｉＮ
膜）（５）が設けられている。これらスパッタＳ ｉＯ
２膜（４）とプラズマＳ ＋ Ｎ１１（５）とにより少
なくとも２層構造の保護膜を形成している。
て、（１）はセラミック基板などからなる絶縁基板であ
り、この膜上には所定のパターンに形成されたＮｉ−Ｆ
ｅ、Ｎｅ−Ｃｏなどの感磁性の薄膜（２）が設けられて
、強磁性磁気抵抗素子が形成される。この薄膜（２）を
含む絶縁基板（１）上には公知のスパッタリング処理に
より堆積形成された厚さ０．１〜０．８μｍのシリコン
酸化膜（スパッタ５ｉ０２膜）（４）が設けられ、さら
にその上部にはプラズマ処理により堆積形成された厚さ
０．５〜２．５μｍのシリコン窒化膜（プラズマＳｉＮ
膜）（５）が設けられている。これらスパッタＳ ｉＯ
２膜（４）とプラズマＳ ＋ Ｎ１１（５）とにより少
なくとも２層構造の保護膜を形成している。
ここで、スパッタ５ｉ０２膜（４）の厚さを０，１〜０
．８μｍに限定した理由は、０．１μｍ以下では薄膜（
２）のステソブ力ハーレージが充分できなく、また０、
８μｍ以上では第２図に示すようにピンホール数が急激
に増加するためである。同様に、プラズマＳｉＮ膜（５
）の厚さを限定した理由を第３図にて説明する。第３図
は前記の０．１〜０．８μｍのスパッタＳｉＯ２膜（４
）上にプラズマＳｉＮ膜（５）を堆積した時のプラズマ
ＳｉＮ膜（５）の膜厚とピンホール数の関係を示したも
のであり、膜厚が０．５μｍ以下では、スパッタＳ ｉ
０２ Ｂ！ｊ！１４１のピンホールを充分埋めていな
いことが分かる。また、２．５μｍ以上になるとプラズ
マＳｉＮ膜（５）の表面にクラックが生じ、るため保護
膜として使用できなくなることが分かっている。従って
膜厚が０．５〜２．５μｍの範囲内にするのが好ましい
といえる。
．８μｍに限定した理由は、０．１μｍ以下では薄膜（
２）のステソブ力ハーレージが充分できなく、また０、
８μｍ以上では第２図に示すようにピンホール数が急激
に増加するためである。同様に、プラズマＳｉＮ膜（５
）の厚さを限定した理由を第３図にて説明する。第３図
は前記の０．１〜０．８μｍのスパッタＳｉＯ２膜（４
）上にプラズマＳｉＮ膜（５）を堆積した時のプラズマ
ＳｉＮ膜（５）の膜厚とピンホール数の関係を示したも
のであり、膜厚が０．５μｍ以下では、スパッタＳ ｉ
０２ Ｂ！ｊ！１４１のピンホールを充分埋めていな
いことが分かる。また、２．５μｍ以上になるとプラズ
マＳｉＮ膜（５）の表面にクラックが生じ、るため保護
膜として使用できなくなることが分かっている。従って
膜厚が０．５〜２．５μｍの範囲内にするのが好ましい
といえる。
そこで本実施例による２層構造の保護膜を用いた磁気抵
抗装置によれば、従来の有機レジンを用いたものに比べ
て、歩留が２０％向上し、さらに信頼性に関しては１０
倍以上の向上をもたらした。
抗装置によれば、従来の有機レジンを用いたものに比べ
て、歩留が２０％向上し、さらに信頼性に関しては１０
倍以上の向上をもたらした。
なお、感磁性情１ＩＩｉ（２）として上記材料の他に、
■ｎＳｂ、ＭｎＢ ｉ、Ｇｄ−Ｆｅガーネット、ＥｕＯ
の多結晶薄膜や、アモルファスのＧｄ−Ｃｏ、Ｔｂ−Ｆ
ｅ、Ｄｙ−Ｆｅ、、Ｃｏ−Ｃｒ薄膜等の感磁性薄膜に対
して本実施例に示したような保護膜を使用することによ
り前記と同様の信頼性の向上を期待できる。
■ｎＳｂ、ＭｎＢ ｉ、Ｇｄ−Ｆｅガーネット、ＥｕＯ
の多結晶薄膜や、アモルファスのＧｄ−Ｃｏ、Ｔｂ−Ｆ
ｅ、Ｄｙ−Ｆｅ、、Ｃｏ−Ｃｒ薄膜等の感磁性薄膜に対
して本実施例に示したような保護膜を使用することによ
り前記と同様の信頼性の向上を期待できる。
以上述べたように本発明によれば、所定の膜質からなる
２Ｗ１構造の保護膜を用いることにより、感磁性薄膜を
損傷から確実に保護でき、信頼性の高い磁気抵抗装置を
提供できるようになる。
２Ｗ１構造の保護膜を用いることにより、感磁性薄膜を
損傷から確実に保護でき、信頼性の高い磁気抵抗装置を
提供できるようになる。
第１図は本発明の一実施例を示す磁気抵抗装置の断面図
、第２．３図は本発明の説明に用いるための特性図、第
４図は従来装置を示す断面図である。 ■・・・絶縁基板、２・・・感磁性薄膜、４・・・スパ
ッタＳ ｉ Ｏ２ＢＬ ５・−プラズマｓ ｉ Ｎ１！
ｌｉ。 代理人弁理士 岡 部 隆 第１図 １ 絶輯１根 ２廠亀封寿練 ４６スＩＸ−ｔ”ｌ Ｓ ｉ Ｑ ２腺５ アラス゛マ
ＳｉＮ 第２図 ス１＼”！ｖ夕５ｉｏ２１１１４ （ｐｍ）第３図 ’７’５ ス’？ ＳｉＮ Ｍ！Ａ （／”’）第４図
、第２．３図は本発明の説明に用いるための特性図、第
４図は従来装置を示す断面図である。 ■・・・絶縁基板、２・・・感磁性薄膜、４・・・スパ
ッタＳ ｉ Ｏ２ＢＬ ５・−プラズマｓ ｉ Ｎ１！
ｌｉ。 代理人弁理士 岡 部 隆 第１図 １ 絶輯１根 ２廠亀封寿練 ４６スＩＸ−ｔ”ｌ Ｓ ｉ Ｑ ２腺５ アラス゛マ
ＳｉＮ 第２図 ス１＼”！ｖ夕５ｉｏ２１１１４ （ｐｍ）第３図 ’７’５ ス’？ ＳｉＮ Ｍ！Ａ （／”’）第４図
Claims (1)
- 絶縁基板上に所定パターンに形成された感磁性薄膜と、
少な（ともこの感磁性薄膜上にスパッタ処理により堆積
された厚さ０．１〜０．８μｍのシリコン酸化膜及びこ
の膜上に堆積された厚さ０．５〜２．５μｍのプラズマ
窒化膜を含む多層構造の保護膜を設けたことを特徴とす
る磁気抵抗装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59115231A JPS60257582A (ja) | 1984-06-04 | 1984-06-04 | 磁気抵抗装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59115231A JPS60257582A (ja) | 1984-06-04 | 1984-06-04 | 磁気抵抗装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60257582A true JPS60257582A (ja) | 1985-12-19 |
Family
ID=14657591
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59115231A Pending JPS60257582A (ja) | 1984-06-04 | 1984-06-04 | 磁気抵抗装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60257582A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6319886A (ja) * | 1986-07-11 | 1988-01-27 | Nippon Denso Co Ltd | 磁気抵抗素子 |
| JPS63310186A (ja) * | 1987-06-12 | 1988-12-19 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 強磁性体磁気抵抗素子の製造方法 |
| EP0434946A2 (en) * | 1989-12-26 | 1991-07-03 | Xerox Corporation | Ink jet printhead having ionic passivation of electrical circuitry |
| KR100753667B1 (ko) * | 2001-12-29 | 2007-08-31 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 반도체 제조 공정에서의 질소 플라즈마 소스를 이용한실리콘 질화막 증착 방법 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5795687A (en) * | 1980-12-05 | 1982-06-14 | Hitachi Ltd | Magnetic resistance element |
-
1984
- 1984-06-04 JP JP59115231A patent/JPS60257582A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5795687A (en) * | 1980-12-05 | 1982-06-14 | Hitachi Ltd | Magnetic resistance element |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6319886A (ja) * | 1986-07-11 | 1988-01-27 | Nippon Denso Co Ltd | 磁気抵抗素子 |
| JPS63310186A (ja) * | 1987-06-12 | 1988-12-19 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 強磁性体磁気抵抗素子の製造方法 |
| EP0434946A2 (en) * | 1989-12-26 | 1991-07-03 | Xerox Corporation | Ink jet printhead having ionic passivation of electrical circuitry |
| KR100753667B1 (ko) * | 2001-12-29 | 2007-08-31 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 반도체 제조 공정에서의 질소 플라즈마 소스를 이용한실리콘 질화막 증착 방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6850057B2 (en) | Barber pole structure for magnetoresistive sensors and method of forming same | |
| JPS60257582A (ja) | 磁気抵抗装置 | |
| JPH0763505A (ja) | 可動体変位検出装置 | |
| US5543775A (en) | Thin-film measurement resistor and process for producing same | |
| US20060164204A1 (en) | Magnetoresistance effect element and production method and application method therefor same | |
| JPS6331116B2 (ja) | ||
| JPS6319886A (ja) | 磁気抵抗素子 | |
| EP1725884B1 (en) | Improved permalloy sensor | |
| JPH02125679A (ja) | 磁気抵抗素子 | |
| JPS63313880A (ja) | 強磁性体磁気センサ | |
| JP2589786B2 (ja) | 磁気センサー | |
| Bartsch et al. | Photolithographic structuring of giant magnetoresistive Co Cu multilayers | |
| JP2005039010A (ja) | 磁気センサ | |
| JPH03257977A (ja) | 磁気抵抗素子の製造方法 | |
| JP2601141B2 (ja) | 磁気抵抗素子 | |
| JPS6216218A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| KR100479445B1 (ko) | 풀 브리지 특성을 갖는 교환 바이어스형 스핀밸브를이용한 자기센서 제조방법 | |
| JPS61233381A (ja) | 磁気抵抗センサ−用保護膜 | |
| JP2001053352A (ja) | 磁気センサ | |
| JPH02102472A (ja) | 薄膜磁気センサ | |
| JPS61233382A (ja) | 磁気抵抗センサ−用保護膜 | |
| JPH05335653A (ja) | 磁気抵抗素子 | |
| JPH0228576A (ja) | 磁気センサ | |
| JPH0225777A (ja) | 感磁素子 | |
| JPH03268470A (ja) | 磁気抵抗素子の製造方法 |