JPH08180327A - 磁気抵抗効果素子 - Google Patents
磁気抵抗効果素子Info
- Publication number
- JPH08180327A JPH08180327A JP6318790A JP31879094A JPH08180327A JP H08180327 A JPH08180327 A JP H08180327A JP 6318790 A JP6318790 A JP 6318790A JP 31879094 A JP31879094 A JP 31879094A JP H08180327 A JPH08180327 A JP H08180327A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- magnetic
- soft magnetic
- type composite
- magnetic layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 主に磁気ヘッドなどに用いられ、スピンバル
ブ磁気抵抗効果を利用して磁界の変化を素子の抵抗率の
変化に変換する磁気抵抗効果素子に関し、腐蝕しやすい
磁性体材料を用いず、かつ製造が容易で、信号磁界の変
化に対して電気抵抗を線形に変化させる。 【構成】 磁性層１０Ａ，１０Ｃ同士が非磁性導電層１
０Ｂを挟んで交換相互作用により磁気的に結合している
結合型複合層１０と、結合型複合層１０に接して重なる
第１の非磁性導電層１２と、第１の非磁性導電層１２に
接して重なる第１の軟磁性層１１と、第１の軟磁性層１
１の磁気抵抗の変化を検出する電流を流す電極２０，２
１とを有する。
ブ磁気抵抗効果を利用して磁界の変化を素子の抵抗率の
変化に変換する磁気抵抗効果素子に関し、腐蝕しやすい
磁性体材料を用いず、かつ製造が容易で、信号磁界の変
化に対して電気抵抗を線形に変化させる。 【構成】 磁性層１０Ａ，１０Ｃ同士が非磁性導電層１
０Ｂを挟んで交換相互作用により磁気的に結合している
結合型複合層１０と、結合型複合層１０に接して重なる
第１の非磁性導電層１２と、第１の非磁性導電層１２に
接して重なる第１の軟磁性層１１と、第１の軟磁性層１
１の磁気抵抗の変化を検出する電流を流す電極２０，２
１とを有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気抵抗効果素子に関
し、更に詳しくいえば、主に磁気ヘッドなどに用いら
れ、スピンバルブ磁気抵抗効果を利用して磁界の変化を
素子の抵抗率の変化に変換する磁気抵抗効果素子に関す
る。
し、更に詳しくいえば、主に磁気ヘッドなどに用いら
れ、スピンバルブ磁気抵抗効果を利用して磁界の変化を
素子の抵抗率の変化に変換する磁気抵抗効果素子に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】スピンバルブ磁気抵抗効果を利用した磁
気抵抗効果膜は、特開平４−３５８３１０で提案されて
いる。その一例を図３（ａ）に示す。図３（ａ）に示す
ように、FeMn膜からなる反強磁性層４上にNiFe膜からな
る第１の軟磁性層３と、Cu膜からなる非磁性金属層２
と、NiFe膜からなる第２の軟磁性層１とが順次積層され
ている。
気抵抗効果膜は、特開平４−３５８３１０で提案されて
いる。その一例を図３（ａ）に示す。図３（ａ）に示す
ように、FeMn膜からなる反強磁性層４上にNiFe膜からな
る第１の軟磁性層３と、Cu膜からなる非磁性金属層２
と、NiFe膜からなる第２の軟磁性層１とが順次積層され
ている。
【０００３】第１の軟磁性層３の磁化の方向Ｊ３は、交
換相互作用により反強磁性層４と結合して反強磁性層４
の磁化方向Ｊ４と反対の向きに磁化している。また、印
加磁界がゼロのとき、最上層の第２の軟磁性層１の磁化
の方向Ｊ１は第１の軟磁性層３の磁化方向Ｊ３に対して
直交するように設定されている。そして、外部からの信
号磁界Ｈに応じて第１の軟磁性層３の磁化方向Ｊ１は回
転する。このとき、第２の軟磁性層１の磁化の方向Ｊ１
と第１の軟磁性層３の磁化の方向Ｊ３とのなす角度の余
弦（ｃｏｓθ）に比例して、第２の軟磁性層１の電気抵
抗が変化する。なお、この場合に第２の軟磁性層１と第
１の軟磁性層３の磁化を互いに直交させているのは、信
号磁界に対して抵抗変化が線形に行われるようにするた
めである。
換相互作用により反強磁性層４と結合して反強磁性層４
の磁化方向Ｊ４と反対の向きに磁化している。また、印
加磁界がゼロのとき、最上層の第２の軟磁性層１の磁化
の方向Ｊ１は第１の軟磁性層３の磁化方向Ｊ３に対して
直交するように設定されている。そして、外部からの信
号磁界Ｈに応じて第１の軟磁性層３の磁化方向Ｊ１は回
転する。このとき、第２の軟磁性層１の磁化の方向Ｊ１
と第１の軟磁性層３の磁化の方向Ｊ３とのなす角度の余
弦（ｃｏｓθ）に比例して、第２の軟磁性層１の電気抵
抗が変化する。なお、この場合に第２の軟磁性層１と第
１の軟磁性層３の磁化を互いに直交させているのは、信
号磁界に対して抵抗変化が線形に行われるようにするた
めである。
【０００４】このように、磁界により電気抵抗の変化が
生じる効果は、スピンバルブ効果と呼ばれる。この効果
を利用した磁気抵抗効果膜は信号磁界に応じて電気抵抗
が変化する。電極を介して磁気抵抗効果膜に電流を流す
ことにより、抵抗変化を電極間の電圧として再生するこ
とで、磁界の変化を検出する。実用的にはこれを磁気ヘ
ッドの感磁部などに用いることが考えられている。
生じる効果は、スピンバルブ効果と呼ばれる。この効果
を利用した磁気抵抗効果膜は信号磁界に応じて電気抵抗
が変化する。電極を介して磁気抵抗効果膜に電流を流す
ことにより、抵抗変化を電極間の電圧として再生するこ
とで、磁界の変化を検出する。実用的にはこれを磁気ヘ
ッドの感磁部などに用いることが考えられている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の磁気抵抗効果膜では、第２の軟磁性層１の磁化方向
Ｊ１が、反強磁性層４から漏洩する磁界によってバイア
スを受け、図４に示すように、本来磁界を印加しないと
きに向くべき方向（以下これを磁化容易軸方向Ｊ０と称
する）と一致せず、磁化容易軸方向Ｊ０と多少の角度を
もっていた。このため、信号磁界の変化に対して電気抵
抗が線形に変化せず、再生波形が歪むという問題が生じ
ていた。
来の磁気抵抗効果膜では、第２の軟磁性層１の磁化方向
Ｊ１が、反強磁性層４から漏洩する磁界によってバイア
スを受け、図４に示すように、本来磁界を印加しないと
きに向くべき方向（以下これを磁化容易軸方向Ｊ０と称
する）と一致せず、磁化容易軸方向Ｊ０と多少の角度を
もっていた。このため、信号磁界の変化に対して電気抵
抗が線形に変化せず、再生波形が歪むという問題が生じ
ていた。
【０００６】また、反強磁性膜４には通常FeMn膜が用い
られるが、この膜は耐蝕性が悪く、積層膜全体を形成す
る際や、その加工時などに腐蝕しやすいという問題も生
じていた。更に、反強磁性膜４上に直接第１の軟磁性層
３を積層する必要があるが、反強磁性膜４の表面状態、
例えば表面の平坦性や絶縁膜の付着等により反強磁性膜
４から第１の軟磁性層３に及ぼされる交換相互作用が大
きく影響を受ける。このため、再現性のよい磁気抵抗効
果素子の作成が難しいという問題がある。
られるが、この膜は耐蝕性が悪く、積層膜全体を形成す
る際や、その加工時などに腐蝕しやすいという問題も生
じていた。更に、反強磁性膜４上に直接第１の軟磁性層
３を積層する必要があるが、反強磁性膜４の表面状態、
例えば表面の平坦性や絶縁膜の付着等により反強磁性膜
４から第１の軟磁性層３に及ぼされる交換相互作用が大
きく影響を受ける。このため、再現性のよい磁気抵抗効
果素子の作成が難しいという問題がある。
【０００７】本発明はこのような問題に鑑みてなされた
ものであって、腐蝕しやすい磁性体材料を用いず、かつ
製造が容易で、信号磁界の変化に対して電気抵抗を線形
に変化させることができるスピンバルブ効果による磁気
抵抗効果素子を提供することを目的とする。
ものであって、腐蝕しやすい磁性体材料を用いず、かつ
製造が容易で、信号磁界の変化に対して電気抵抗を線形
に変化させることができるスピンバルブ効果による磁気
抵抗効果素子を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記した課題は、第１
に、磁性層同士が非磁性導電層を挟んで交換相互作用に
より磁気的に結合している結合型複合層と、前記結合型
複合層に接して重なる第１の非磁性導電層と、前記第１
の非磁性導電層に接して重なる第１の軟磁性層と、前記
第１の軟磁性層の磁気抵抗の変化を検出する電流を流す
電極とを有することを特徴とする磁気抵抗効果素子によ
って達成され、第２に、磁性層同士が非磁性導電層を挟
んで交換相互作用により磁気的に結合している結合型複
合層と、前記結合型複合層に接して重なる第１の非磁性
導電層と、前記第１の非磁性導電層に接して重なる第１
の軟磁性層と、前記第１の軟磁性層に接して重なる第２
の非磁性導電層と、前記第２の非磁性導電層に接して重
なる第２の軟磁性層と、前記第２の軟磁性層の磁気抵抗
の変化を検出する電流を流す電極とを有することを特徴
とする磁気抵抗効果素子によって達成され、第３に、前
記結合型複合層は前記磁性層を３層以上有することを特
徴とする第１又は第２の発明に記載の磁気抵抗効果素子
によって達成され、第４に、前記第１の軟磁性層は、前
記第１の非磁性導電層を介さずに、直接前記結合型複合
層に接して重なっていることを特徴とする第１乃至第３
の発明のいずれかに記載の磁気抵抗効果素子によって達
成され、第５に、前記結合型複合層において、前記磁性
層はFeからなり、前記非磁性導電層はCuからなることを
特徴とする第１乃至第４の発明のいずれかに記載の磁気
抵抗効果素子によって達成され、第６に、前記結合型複
合層において、前記磁性層はFeからなり、前記非磁性導
電層はCrからなることを特徴とする第１乃至第４の発明
のいずれかに記載の磁気抵抗効果素子によって達成さ
れ、第７に、前記結合型複合層において、前記磁性層は
Coからなり、前記非磁性導電層はCuからなることを特徴
とする第１乃至第４の発明のいずれかに記載の磁気抵抗
効果素子によって達成され、第８に、前記結合型複合層
において、前記磁性層はCoFeからなり、前記非磁性導電
層はCuからなることを特徴とする第１乃至第４の発明の
いずれかに記載の磁気抵抗効果素子によって達成され
る。
に、磁性層同士が非磁性導電層を挟んで交換相互作用に
より磁気的に結合している結合型複合層と、前記結合型
複合層に接して重なる第１の非磁性導電層と、前記第１
の非磁性導電層に接して重なる第１の軟磁性層と、前記
第１の軟磁性層の磁気抵抗の変化を検出する電流を流す
電極とを有することを特徴とする磁気抵抗効果素子によ
って達成され、第２に、磁性層同士が非磁性導電層を挟
んで交換相互作用により磁気的に結合している結合型複
合層と、前記結合型複合層に接して重なる第１の非磁性
導電層と、前記第１の非磁性導電層に接して重なる第１
の軟磁性層と、前記第１の軟磁性層に接して重なる第２
の非磁性導電層と、前記第２の非磁性導電層に接して重
なる第２の軟磁性層と、前記第２の軟磁性層の磁気抵抗
の変化を検出する電流を流す電極とを有することを特徴
とする磁気抵抗効果素子によって達成され、第３に、前
記結合型複合層は前記磁性層を３層以上有することを特
徴とする第１又は第２の発明に記載の磁気抵抗効果素子
によって達成され、第４に、前記第１の軟磁性層は、前
記第１の非磁性導電層を介さずに、直接前記結合型複合
層に接して重なっていることを特徴とする第１乃至第３
の発明のいずれかに記載の磁気抵抗効果素子によって達
成され、第５に、前記結合型複合層において、前記磁性
層はFeからなり、前記非磁性導電層はCuからなることを
特徴とする第１乃至第４の発明のいずれかに記載の磁気
抵抗効果素子によって達成され、第６に、前記結合型複
合層において、前記磁性層はFeからなり、前記非磁性導
電層はCrからなることを特徴とする第１乃至第４の発明
のいずれかに記載の磁気抵抗効果素子によって達成さ
れ、第７に、前記結合型複合層において、前記磁性層は
Coからなり、前記非磁性導電層はCuからなることを特徴
とする第１乃至第４の発明のいずれかに記載の磁気抵抗
効果素子によって達成され、第８に、前記結合型複合層
において、前記磁性層はCoFeからなり、前記非磁性導電
層はCuからなることを特徴とする第１乃至第４の発明の
いずれかに記載の磁気抵抗効果素子によって達成され
る。
【０００９】
【作 用】本発明によれば、腐蝕しやすいFeMn膜からな
る反強磁性層を用いず、その代わりに磁性層同士が非磁
性導電層を介して交換相互作用により磁気的に結合して
いる結合型複合層を用いている。なお、磁界による抵抗
変化を検出する第１の軟磁性層と結合型複合層とは第１
の非磁性導電層を介して交換相互作用により磁気結合
し、磁化容易軸方向とのなす角を信号磁界で変化させる
ことでスピンバルブ効果を生じさせている。
る反強磁性層を用いず、その代わりに磁性層同士が非磁
性導電層を介して交換相互作用により磁気的に結合して
いる結合型複合層を用いている。なお、磁界による抵抗
変化を検出する第１の軟磁性層と結合型複合層とは第１
の非磁性導電層を介して交換相互作用により磁気結合
し、磁化容易軸方向とのなす角を信号磁界で変化させる
ことでスピンバルブ効果を生じさせている。
【００１０】このため、例えば腐蝕に強いFeを磁性層と
して用いて、Cuを非磁性金属層として用いることによっ
て、腐蝕に強い磁気抵抗効果素子を形成することが可能
になる。また、結合型複合層の磁性層としてFe膜等を用
いると、このFe膜等に接して直接第１の軟磁性層を作成
する場合、Fe膜の表面状態、例えば表面の平坦性や絶縁
膜等の付着等によらず第１の軟磁性層に均一な交換相互
作用が及ぶ。このため、磁気抵抗効果素子の作成が容易
になる。
して用いて、Cuを非磁性金属層として用いることによっ
て、腐蝕に強い磁気抵抗効果素子を形成することが可能
になる。また、結合型複合層の磁性層としてFe膜等を用
いると、このFe膜等に接して直接第１の軟磁性層を作成
する場合、Fe膜の表面状態、例えば表面の平坦性や絶縁
膜等の付着等によらず第１の軟磁性層に均一な交換相互
作用が及ぶ。このため、磁気抵抗効果素子の作成が容易
になる。
【００１１】また、結合型複合層と第１の軟磁性層とは
第１の非磁性金属層を介して重なっている。第１の非磁
性金属層を挟むことにより結合型複合層の交換相互作用
が及ぶ範囲は凡そ１０Åと狭い。このため、外部への磁
界の漏洩が少なく、スピンバルブ効果に係る第１又は第
２の軟磁性層の磁化方向が磁化容易軸方向からずれるの
を抑制することが可能となる。これにより、当該磁気抵
抗効果素子の電気抵抗を線形に変化させ、再生波形の歪
みを抑制することが可能になる。
第１の非磁性金属層を介して重なっている。第１の非磁
性金属層を挟むことにより結合型複合層の交換相互作用
が及ぶ範囲は凡そ１０Åと狭い。このため、外部への磁
界の漏洩が少なく、スピンバルブ効果に係る第１又は第
２の軟磁性層の磁化方向が磁化容易軸方向からずれるの
を抑制することが可能となる。これにより、当該磁気抵
抗効果素子の電気抵抗を線形に変化させ、再生波形の歪
みを抑制することが可能になる。
【００１２】また、本発明において、結合型複合層にお
いて、磁性層を非磁性導電層を介して３層以上積層する
場合には、各々の磁性層の相加的な作用により磁気抵抗
検出にかかる軟磁性層の磁化方向が磁化容易軸方向によ
り向きやすくなり、線型性の一層の向上を図ることがで
きる。
いて、磁性層を非磁性導電層を介して３層以上積層する
場合には、各々の磁性層の相加的な作用により磁気抵抗
検出にかかる軟磁性層の磁化方向が磁化容易軸方向によ
り向きやすくなり、線型性の一層の向上を図ることがで
きる。
【００１３】
（第１の実施例）以下で本発明の第１の実施例に係る磁
気抵抗効果素子について図１（ａ）〜（ｃ）を参照しな
がら説明する。図１（ａ）〜（ｃ）に示す磁気抵抗効果
素子は、膜厚約３０Åの鉄（Fe）膜からなる磁性層１０
Ａ，１０Ｃの間に、膜厚約１０Åの銅（Cu）膜からなる
非磁性金属層１０Ｂが形成されて成る結合型複合層１０
を有する。磁性層１０Ａの磁化の向きＪＡと、磁性層１
０Ｃの磁化の向きＪＣとは交換相互作用により互いに逆
向きになる。
気抵抗効果素子について図１（ａ）〜（ｃ）を参照しな
がら説明する。図１（ａ）〜（ｃ）に示す磁気抵抗効果
素子は、膜厚約３０Åの鉄（Fe）膜からなる磁性層１０
Ａ，１０Ｃの間に、膜厚約１０Åの銅（Cu）膜からなる
非磁性金属層１０Ｂが形成されて成る結合型複合層１０
を有する。磁性層１０Ａの磁化の向きＪＡと、磁性層１
０Ｃの磁化の向きＪＣとは交換相互作用により互いに逆
向きになる。
【００１４】本実施例に係る磁気抵抗効果素子では、図
１（ａ）に示すように、タンタルからなる下地層１３上
に、膜厚約５０〜１００ÅのNiFe膜からなる第１の軟磁
性層１１，膜厚約２０〜１００Åの銅膜からなる第１の
非磁性金属層１２が順次形成され、その上に結合型複合
層１０と、膜厚約５０〜１００Åの銅膜やタンタル膜か
らなる封止層１６とが順次形成される。更に、封止層１
６の上に当該磁気抵抗効果素子に磁気抵抗を検出するた
めの電流を流す金からなる電極２０，２１が形成され
る。スピンバルブ効果は第１の非磁性金属層１２を挟む
第１の軟磁性層１１と磁性層１０Ｃとの間で起こる。
１（ａ）に示すように、タンタルからなる下地層１３上
に、膜厚約５０〜１００ÅのNiFe膜からなる第１の軟磁
性層１１，膜厚約２０〜１００Åの銅膜からなる第１の
非磁性金属層１２が順次形成され、その上に結合型複合
層１０と、膜厚約５０〜１００Åの銅膜やタンタル膜か
らなる封止層１６とが順次形成される。更に、封止層１
６の上に当該磁気抵抗効果素子に磁気抵抗を検出するた
めの電流を流す金からなる電極２０，２１が形成され
る。スピンバルブ効果は第１の非磁性金属層１２を挟む
第１の軟磁性層１１と磁性層１０Ｃとの間で起こる。
【００１５】各層はみな同一真空装置内でスパッタや蒸
着法で成膜されている。また、結合型複合膜１０の各磁
性層１０Ａ，１０Ｃや、第１の軟磁性層１１の磁化容易
軸の方向は成膜のときに印加される磁場により予め付与
される。当該磁気抵抗効果膜では、電極２０と電極２１
の間にセンス電流を流すと、外部からの信号磁界が印加
されていないときには、磁性層１０Ｃの磁化方向ＪＣと
第１の軟磁性層１１の磁化方向Ｊ１１は直交しており、
この場合の電気抵抗は比較的低い。
着法で成膜されている。また、結合型複合膜１０の各磁
性層１０Ａ，１０Ｃや、第１の軟磁性層１１の磁化容易
軸の方向は成膜のときに印加される磁場により予め付与
される。当該磁気抵抗効果膜では、電極２０と電極２１
の間にセンス電流を流すと、外部からの信号磁界が印加
されていないときには、磁性層１０Ｃの磁化方向ＪＣと
第１の軟磁性層１１の磁化方向Ｊ１１は直交しており、
この場合の電気抵抗は比較的低い。
【００１６】外部からの信号磁界が印加されると、第１
の軟磁性層１１の磁化方向ＪＣが変化し、磁性層１０Ｃ
の磁化方向ＪＣと第１の軟磁性層１１の磁化方向Ｊ１１
のなす角θの余弦（ｃｏｓθ）に比例して電気抵抗が変
化する。これを電極２０と２１の間の電圧の変化として
検出する。以上説明したように、本実施例に係る磁気抵
抗効果素子によれば、図１に示すように腐蝕しやすいFe
Mn膜などからなる反強磁性層を用いず、その代わりに、
腐蝕に強いFe膜からなる磁性層同士がCuからなる非磁性
金属層を介して磁気的結合している結合型複合層１０を
用いているので、耐蝕性の強い磁気抵抗効果素子を形成
することが可能になる。
の軟磁性層１１の磁化方向ＪＣが変化し、磁性層１０Ｃ
の磁化方向ＪＣと第１の軟磁性層１１の磁化方向Ｊ１１
のなす角θの余弦（ｃｏｓθ）に比例して電気抵抗が変
化する。これを電極２０と２１の間の電圧の変化として
検出する。以上説明したように、本実施例に係る磁気抵
抗効果素子によれば、図１に示すように腐蝕しやすいFe
Mn膜などからなる反強磁性層を用いず、その代わりに、
腐蝕に強いFe膜からなる磁性層同士がCuからなる非磁性
金属層を介して磁気的結合している結合型複合層１０を
用いているので、耐蝕性の強い磁気抵抗効果素子を形成
することが可能になる。
【００１７】また、図１（ｂ）に示す磁気抵抗効果素子
では、図１（ａ）に示す結合型複合層１０の磁性層１０
Ｃと磁気抵抗効果素子の非磁性金属層１２との間に、膜
厚５０〜１００Åの第２の軟磁性層１４を挟んでいる。
この場合には、第２の軟磁性層１４の磁化方向Ｊ１４は
結合型複合層１０の磁性層１０Ｃとの交換相互作用によ
って磁性層１０Ｃの磁化方向ＪＣと反対の向きに向く。
また、第１の軟磁性層１１の磁化方向Ｊ１１は、第２の
軟磁性層１４の磁化方向Ｊ１４に対して直交するように
成膜時に予め付与されている。
では、図１（ａ）に示す結合型複合層１０の磁性層１０
Ｃと磁気抵抗効果素子の非磁性金属層１２との間に、膜
厚５０〜１００Åの第２の軟磁性層１４を挟んでいる。
この場合には、第２の軟磁性層１４の磁化方向Ｊ１４は
結合型複合層１０の磁性層１０Ｃとの交換相互作用によ
って磁性層１０Ｃの磁化方向ＪＣと反対の向きに向く。
また、第１の軟磁性層１１の磁化方向Ｊ１１は、第２の
軟磁性層１４の磁化方向Ｊ１４に対して直交するように
成膜時に予め付与されている。
【００１８】これに、外部磁場を印加することにより第
１の軟磁性層１１の磁化方向Ｊ１１を変化させて第２の
軟磁性層１４と第１の軟磁性層１１の間でスピンバルブ
効果を生じさせる。第２の軟磁性層１４の磁化方向Ｊ１
４と第１の軟磁性層１１の磁化方向Ｊ１１とのなす角θ
により抵抗値が変化することになる。この場合にも、結
合型複合層１０を用いているので、耐蝕性の強い磁気抵
抗効果素子を形成することが可能になる。また、結合型
複合層１０の磁性層１０ＣとしてFe膜を用いると、Fe膜
の表面状態、例えば表面の平坦性や絶縁膜等の付着等に
よらず、磁性層１０Ｃと接する第２の軟磁性層１４に均
一な交換相互作用が及ぶ。このため、磁気抵抗効果素子
の作成が容易になる。
１の軟磁性層１１の磁化方向Ｊ１１を変化させて第２の
軟磁性層１４と第１の軟磁性層１１の間でスピンバルブ
効果を生じさせる。第２の軟磁性層１４の磁化方向Ｊ１
４と第１の軟磁性層１１の磁化方向Ｊ１１とのなす角θ
により抵抗値が変化することになる。この場合にも、結
合型複合層１０を用いているので、耐蝕性の強い磁気抵
抗効果素子を形成することが可能になる。また、結合型
複合層１０の磁性層１０ＣとしてFe膜を用いると、Fe膜
の表面状態、例えば表面の平坦性や絶縁膜等の付着等に
よらず、磁性層１０Ｃと接する第２の軟磁性層１４に均
一な交換相互作用が及ぶ。このため、磁気抵抗効果素子
の作成が容易になる。
【００１９】さらに、図１（ｃ）に示す磁気抵抗効果素
子では、図１（ｂ）に示す磁気抵抗効果素子の磁性層１
０Ｃと第２の軟磁性層１４との間に、膜厚約２０〜１０
０Åの第２の非磁性金属層１５が挟まれている。この場
合にも、図１（ｂ）の場合と同様に、第２の軟磁性層１
４の磁化方向Ｊ１４は結合型複合層１０の磁性層１０Ｃ
との交換相互作用によって磁性層１０Ｃの磁化方向ＪＣ
と反対の向きに向く。また、第１の軟磁性層１１の磁化
方向Ｊ１１は、第２の軟磁性層１４の磁化方向Ｊ１４に
対して直交するように成膜時に予め付与されている。第
２の軟磁性層１４の磁化方向Ｊ１４と、第１の軟磁性層
１１の磁化方向Ｊ１１とのなす角θによってスピンバル
ブ効果が生じる。この場合には、特に、図１（ｂ）の場
合と異なり、第２の非磁性金属層１５の膜厚によって、
交換相互作用が及ぶ範囲とその強度を調整することが可
能である。
子では、図１（ｂ）に示す磁気抵抗効果素子の磁性層１
０Ｃと第２の軟磁性層１４との間に、膜厚約２０〜１０
０Åの第２の非磁性金属層１５が挟まれている。この場
合にも、図１（ｂ）の場合と同様に、第２の軟磁性層１
４の磁化方向Ｊ１４は結合型複合層１０の磁性層１０Ｃ
との交換相互作用によって磁性層１０Ｃの磁化方向ＪＣ
と反対の向きに向く。また、第１の軟磁性層１１の磁化
方向Ｊ１１は、第２の軟磁性層１４の磁化方向Ｊ１４に
対して直交するように成膜時に予め付与されている。第
２の軟磁性層１４の磁化方向Ｊ１４と、第１の軟磁性層
１１の磁化方向Ｊ１１とのなす角θによってスピンバル
ブ効果が生じる。この場合には、特に、図１（ｂ）の場
合と異なり、第２の非磁性金属層１５の膜厚によって、
交換相互作用が及ぶ範囲とその強度を調整することが可
能である。
【００２０】この場合にも、結合型複合層１０を用いて
いるので、耐蝕性の強い磁気抵抗効果素子を形成するこ
とが可能になる。また、第２の非磁性金属層１５を介し
て結合型複合層１０と第２の軟磁性層１４とは重なって
いる。第２の非磁性金属層１５を挟むことにより結合型
複合層１０の交換相互作用が及ぶ範囲は凡そ１０Åと狭
く、このため、外部への磁界の漏洩が少なく、スピンバ
ルブ効果に係る第１の軟磁性層１１の磁化方向が磁化容
易軸方向からずれるのを抑制することが可能となる。こ
れにより、当該磁気抵抗効果素子の電気抵抗を線形に変
化させ、再生波形の歪みを抑制することが可能になる。
いるので、耐蝕性の強い磁気抵抗効果素子を形成するこ
とが可能になる。また、第２の非磁性金属層１５を介し
て結合型複合層１０と第２の軟磁性層１４とは重なって
いる。第２の非磁性金属層１５を挟むことにより結合型
複合層１０の交換相互作用が及ぶ範囲は凡そ１０Åと狭
く、このため、外部への磁界の漏洩が少なく、スピンバ
ルブ効果に係る第１の軟磁性層１１の磁化方向が磁化容
易軸方向からずれるのを抑制することが可能となる。こ
れにより、当該磁気抵抗効果素子の電気抵抗を線形に変
化させ、再生波形の歪みを抑制することが可能になる。
【００２１】なお、本実施例の図１（ａ）〜（ｃ）に示
す結合型複合層１０では、Cu膜からなる非磁性導電層１
０Ｂを介してFe膜からなる磁性層１０Ａ，１０Ｃを２層
重ねているが、本発明はこれに限らず、非磁性導電層を
介して磁性層を３層以上重ねたものを用いてもよい。こ
れにより、各々の磁性層の相加的な作用により磁気抵抗
検出にかかる軟磁性層の磁化方向が磁化容易軸方向によ
り向きやすくなり、線型性の一層の向上を図ることがで
きる。
す結合型複合層１０では、Cu膜からなる非磁性導電層１
０Ｂを介してFe膜からなる磁性層１０Ａ，１０Ｃを２層
重ねているが、本発明はこれに限らず、非磁性導電層を
介して磁性層を３層以上重ねたものを用いてもよい。こ
れにより、各々の磁性層の相加的な作用により磁気抵抗
検出にかかる軟磁性層の磁化方向が磁化容易軸方向によ
り向きやすくなり、線型性の一層の向上を図ることがで
きる。
【００２２】（第２の実施例）以下で本発明の第２の実
施例に係る磁気抵抗効果素子について図２（ａ）〜
（ｃ）を参照しながら説明する。図２（ａ）に示す磁気
抵抗効果素子は、図１（ａ）の層構成に対応するが、図
１（ａ）と異なり、下地層１３上に直接結合型複合層１
０が形成され、その上にCuからなる第１の非磁性金属層
１２，NiFeからなる第１の軟磁性層１１，封止層１６が
順次形成されている。更に、封止層１６の上に当該磁気
抵抗効果素子に検出電流を流すAuからなる電極２０，２
１が形成されて成る。なお、各層の成膜方法や膜厚や磁
化の向きは、図１（ａ）の場合と同じである。
施例に係る磁気抵抗効果素子について図２（ａ）〜
（ｃ）を参照しながら説明する。図２（ａ）に示す磁気
抵抗効果素子は、図１（ａ）の層構成に対応するが、図
１（ａ）と異なり、下地層１３上に直接結合型複合層１
０が形成され、その上にCuからなる第１の非磁性金属層
１２，NiFeからなる第１の軟磁性層１１，封止層１６が
順次形成されている。更に、封止層１６の上に当該磁気
抵抗効果素子に検出電流を流すAuからなる電極２０，２
１が形成されて成る。なお、各層の成膜方法や膜厚や磁
化の向きは、図１（ａ）の場合と同じである。
【００２３】この場合も、外部磁場の印加により、第１
の軟磁性層１１と磁性層１０Ｃとの間でスピンバルブ効
果を生じ、磁性層１０Ｃの磁化方向ＪＣと第１の軟磁性
層１１の磁化方向Ｊ１１のなす角θの余弦（ｃｏｓθ）
に比例して電気抵抗が変化する。本実施例に係る磁気抵
抗効果素子によれば、第１の実施例と同様に、結合型複
合層１０を用いているので、耐蝕性の強い磁気抵抗効果
素子を形成することが可能になる。
の軟磁性層１１と磁性層１０Ｃとの間でスピンバルブ効
果を生じ、磁性層１０Ｃの磁化方向ＪＣと第１の軟磁性
層１１の磁化方向Ｊ１１のなす角θの余弦（ｃｏｓθ）
に比例して電気抵抗が変化する。本実施例に係る磁気抵
抗効果素子によれば、第１の実施例と同様に、結合型複
合層１０を用いているので、耐蝕性の強い磁気抵抗効果
素子を形成することが可能になる。
【００２４】また、図２（ｂ）に示す磁気抵抗効果素子
は、図１（ｂ）の層構成に対応するが、図１（ｂ）と異
なり、下地層１３上に直接結合型複合層１０が形成さ
れ、その上に第２の軟磁性層１４、Cuからなる第１の非
磁性金属層１２、NiFeからなる第１の軟磁性層１１、封
止層１６が順次形成されている。更に、封止層１６の上
に当該磁気抵抗効果素子に検出電流を流すAuからなる電
極２０，２１が形成されて成る。なお、各層の成膜方法
や膜厚や磁化の向きは、図１（ｂ）の場合と同じであ
る。
は、図１（ｂ）の層構成に対応するが、図１（ｂ）と異
なり、下地層１３上に直接結合型複合層１０が形成さ
れ、その上に第２の軟磁性層１４、Cuからなる第１の非
磁性金属層１２、NiFeからなる第１の軟磁性層１１、封
止層１６が順次形成されている。更に、封止層１６の上
に当該磁気抵抗効果素子に検出電流を流すAuからなる電
極２０，２１が形成されて成る。なお、各層の成膜方法
や膜厚や磁化の向きは、図１（ｂ）の場合と同じであ
る。
【００２５】この場合も、外部磁場の印加により、第１
の軟磁性層１１と第２の軟磁性層１４との間でスピンバ
ルブ効果を生じ、第２の軟磁性層１４の磁化方向Ｊ１４
と第１の軟磁性層１１の磁化方向Ｊ１１のなす角θの余
弦（ｃｏｓθ）に比例して電気抵抗が変化する。本実施
例に係る磁気抵抗効果素子によれば、第１の実施例と同
様に、結合型複合層１０を用いているので、耐蝕性の強
い磁気抵抗効果素子を形成することが可能になる。ま
た、結合型複合層１０の磁性層１０ＣとしてFe膜を用い
ると、Fe膜の表面状態によらず、磁性層１０Ｃと接する
第２の軟磁性層１４に均一な交換相互作用が及ぶため、
磁気抵抗効果素子の作成が容易になる。
の軟磁性層１１と第２の軟磁性層１４との間でスピンバ
ルブ効果を生じ、第２の軟磁性層１４の磁化方向Ｊ１４
と第１の軟磁性層１１の磁化方向Ｊ１１のなす角θの余
弦（ｃｏｓθ）に比例して電気抵抗が変化する。本実施
例に係る磁気抵抗効果素子によれば、第１の実施例と同
様に、結合型複合層１０を用いているので、耐蝕性の強
い磁気抵抗効果素子を形成することが可能になる。ま
た、結合型複合層１０の磁性層１０ＣとしてFe膜を用い
ると、Fe膜の表面状態によらず、磁性層１０Ｃと接する
第２の軟磁性層１４に均一な交換相互作用が及ぶため、
磁気抵抗効果素子の作成が容易になる。
【００２６】さらに、図２（ｃ）に示す磁気抵抗効果素
子は、図１（ｃ）の層構成に対応するが、図１（ｃ）と
異なり、下地層１３上に直接結合型複合層１０が形成さ
れ、その上に第２の非磁性導電層１５、第２の軟磁性層
１４、Cuからなる第１の非磁性金属層１２、NiFeからな
る第１の軟磁性層１１、封止層１６が順次形成されてい
る。更に、封止層１６の上に当該磁気抵抗効果素子に検
出電流を流すAuからなる電極２０，２１が形成されて成
る。なお、各層の成膜方法や膜厚や磁化の向きは、図１
（ｃ）の場合と同じである。
子は、図１（ｃ）の層構成に対応するが、図１（ｃ）と
異なり、下地層１３上に直接結合型複合層１０が形成さ
れ、その上に第２の非磁性導電層１５、第２の軟磁性層
１４、Cuからなる第１の非磁性金属層１２、NiFeからな
る第１の軟磁性層１１、封止層１６が順次形成されてい
る。更に、封止層１６の上に当該磁気抵抗効果素子に検
出電流を流すAuからなる電極２０，２１が形成されて成
る。なお、各層の成膜方法や膜厚や磁化の向きは、図１
（ｃ）の場合と同じである。
【００２７】この場合も、外部磁場の印加により、第１
の軟磁性層１１と第２の軟磁性層１４との間でスピンバ
ルブ効果を生じ、第２の軟磁性層１４の磁化方向Ｊ１４
と第１の軟磁性層１１の磁化方向Ｊ１１のなす角θの余
弦（ｃｏｓθ）に比例して電気抵抗が変化する。本実施
例に係る磁気抵抗効果素子によれば、第１の実施例と同
様に、結合型複合層１０を用いているので、耐蝕性の強
い磁気抵抗効果素子を形成することが可能になる。ま
た、第２の非磁性金属層１５を挟むことにより結合型複
合層１０の交換相互作用が及ぶ範囲は凡そ１０Åと狭
く、このため、外部への磁界の漏洩が少なく、スピンバ
ルブ効果に係る第１の軟磁性層１１の磁化方向が磁化容
易軸方向からずれるのを抑制することが可能となる。こ
れにより、当該磁気抵抗効果素子の電気抵抗を線形に変
化させ、再生波形の歪みを抑制することが可能になる。
の軟磁性層１１と第２の軟磁性層１４との間でスピンバ
ルブ効果を生じ、第２の軟磁性層１４の磁化方向Ｊ１４
と第１の軟磁性層１１の磁化方向Ｊ１１のなす角θの余
弦（ｃｏｓθ）に比例して電気抵抗が変化する。本実施
例に係る磁気抵抗効果素子によれば、第１の実施例と同
様に、結合型複合層１０を用いているので、耐蝕性の強
い磁気抵抗効果素子を形成することが可能になる。ま
た、第２の非磁性金属層１５を挟むことにより結合型複
合層１０の交換相互作用が及ぶ範囲は凡そ１０Åと狭
く、このため、外部への磁界の漏洩が少なく、スピンバ
ルブ効果に係る第１の軟磁性層１１の磁化方向が磁化容
易軸方向からずれるのを抑制することが可能となる。こ
れにより、当該磁気抵抗効果素子の電気抵抗を線形に変
化させ、再生波形の歪みを抑制することが可能になる。
【００２８】なお、本実施例の図２（ａ）〜（ｃ）に示
す結合型積層膜１０は、Cu膜からなる非磁性導電層１０
Ｂを介してFe膜からなる磁性層１０Ａ，１０Ｃを２層重
ねているが、本発明はこれに限らず、非磁性導電層を介
して磁性層を３層以上重ねたものを用いてもよい。これ
により、各々の磁性層の相加的な作用により磁気抵抗検
出にかかる軟磁性層の磁化方向が磁化容易軸方向により
向きやすくなり、線型性の一層向上を図ることができ
る。
す結合型積層膜１０は、Cu膜からなる非磁性導電層１０
Ｂを介してFe膜からなる磁性層１０Ａ，１０Ｃを２層重
ねているが、本発明はこれに限らず、非磁性導電層を介
して磁性層を３層以上重ねたものを用いてもよい。これ
により、各々の磁性層の相加的な作用により磁気抵抗検
出にかかる軟磁性層の磁化方向が磁化容易軸方向により
向きやすくなり、線型性の一層向上を図ることができ
る。
【００２９】（３）その他の実施例 上述の第１，第２の実施例では、結合型複合層１０の磁
性層１０Ａ，１０ＣにFe膜を、非磁性金属層１０ＢにCu
膜をそれぞれ用いているが、本発明はこれに限らず、例
えば、磁性層１０Ａ，１０ＣにFe膜を用い、非磁性金属
層１０ＢにCr膜を用いることも可能である。また、磁性
層１０Ａ，１０ＣにCo膜を用い、非磁性金属層１０Ｂに
Cu膜を用いてもよい。更に、磁性層１０Ａ，１０ＣにCo
Fe膜を用い、非磁性金属層１０ＢにCuを用いてもよい。
これらの場合にも、上記の第１，第２の実施例と同様の
効果を奏する。
性層１０Ａ，１０ＣにFe膜を、非磁性金属層１０ＢにCu
膜をそれぞれ用いているが、本発明はこれに限らず、例
えば、磁性層１０Ａ，１０ＣにFe膜を用い、非磁性金属
層１０ＢにCr膜を用いることも可能である。また、磁性
層１０Ａ，１０ＣにCo膜を用い、非磁性金属層１０Ｂに
Cu膜を用いてもよい。更に、磁性層１０Ａ，１０ＣにCo
Fe膜を用い、非磁性金属層１０ＢにCuを用いてもよい。
これらの場合にも、上記の第１，第２の実施例と同様の
効果を奏する。
【００３０】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、腐
蝕しやすいFeMn膜からなる反強磁性層を用いず、その代
わりに磁性層同士が非磁性導電層を介して交換相互作用
により磁気的に結合している結合型複合層を用いてい
る。腐蝕に強いFeを磁性層として用いて、Cuを非磁性金
属層として用いることによって、腐蝕に強い磁気抵抗効
果素子を形成することが可能になる。また、結合型複合
層の磁性層の表面状態によらず、結合型複合層の磁性層
と接する第１の軟磁性層に均一な交換相互作用が及ぶた
め、磁気抵抗効果素子の作成が容易になる。
蝕しやすいFeMn膜からなる反強磁性層を用いず、その代
わりに磁性層同士が非磁性導電層を介して交換相互作用
により磁気的に結合している結合型複合層を用いてい
る。腐蝕に強いFeを磁性層として用いて、Cuを非磁性金
属層として用いることによって、腐蝕に強い磁気抵抗効
果素子を形成することが可能になる。また、結合型複合
層の磁性層の表面状態によらず、結合型複合層の磁性層
と接する第１の軟磁性層に均一な交換相互作用が及ぶた
め、磁気抵抗効果素子の作成が容易になる。
【００３１】また、結合型複合層は第１の非磁性金属層
を挟んで軟磁性層と重なっている。第１の非磁性金属層
を挟むことにより結合型複合層の交換相互作用が及ぶ範
囲は狭くなるため、外部への磁界の漏洩が少なく、スピ
ンバルブ効果に係る軟磁性層の磁化方向が磁化容易軸方
向からずれるのを抑制することが可能となる。これによ
り、当該磁気抵抗効果素子の電気抵抗を線形に変化さ
せ、再生波形の歪みを抑制することが可能になる。
を挟んで軟磁性層と重なっている。第１の非磁性金属層
を挟むことにより結合型複合層の交換相互作用が及ぶ範
囲は狭くなるため、外部への磁界の漏洩が少なく、スピ
ンバルブ効果に係る軟磁性層の磁化方向が磁化容易軸方
向からずれるのを抑制することが可能となる。これによ
り、当該磁気抵抗効果素子の電気抵抗を線形に変化さ
せ、再生波形の歪みを抑制することが可能になる。
【００３２】また、結合型複合層において、磁性層を非
磁性導電層を介して３層以上積層する場合には、各々の
磁性層の相加的な作用により磁気抵抗検出にかかる軟磁
性層の磁化方向が磁化容易軸方向により向きやすくな
り、線型性の一層向上を図ることができる。
磁性導電層を介して３層以上積層する場合には、各々の
磁性層の相加的な作用により磁気抵抗検出にかかる軟磁
性層の磁化方向が磁化容易軸方向により向きやすくな
り、線型性の一層向上を図ることができる。
【図１】本発明の第１の実施例に係る磁気抵抗効果素子
を説明する断面図である。
を説明する断面図である。
【図２】本発明の第２の実施例に係る磁気抵抗効果素子
を説明する断面図である。
を説明する断面図である。
【図３】スピンバルブ効果を用いた磁気抵抗効果膜を説
明する斜視図である。
明する斜視図である。
【図４】従来の問題点を説明する斜視図である。
１０ 結合型複合層、 １０Ａ，１０Ｃ 磁性層、 １０Ｂ 非磁性金属層、 １１ 第１の軟磁性層、 １２ 第１の非磁性金属層、 １３ 下地層、 １４ 第２の軟磁性層、 １５ 第２の非磁性金属層、 １６ 封止層、 ２０，２１ 電極、 ＪＡ 磁性層１０Ａの磁化方向、 ＪＣ 磁性層１０Ｃの磁化方向、 Ｊ１１ 第１の軟磁性層の磁化方向、 Ｊ１４ 第２の軟磁性層の磁化方向。
Claims (8)
- 【請求項１】 磁性層同士が非磁性導電層を挟んで交換
相互作用により磁気的に結合している結合型複合層と、 前記結合型複合層に接して重なる第１の非磁性導電層
と、 前記第１の非磁性導電層に接して重なる第１の軟磁性層
と、 前記第１の軟磁性層の磁気抵抗の変化を検出する電流を
流す電極とを有することを特徴とする磁気抵抗効果素
子。 - 【請求項２】 磁性層同士が非磁性導電層を挟んで交換
相互作用により磁気的に結合している結合型複合層と、 前記結合型複合層に接して重なる第１の非磁性導電層
と、 前記第１の非磁性導電層に接して重なる第１の軟磁性層
と、 前記第１の軟磁性層に接して重なる第２の非磁性導電層
と、 前記第２の非磁性導電層に接して重なる第２の軟磁性層
と、 前記第２の軟磁性層の磁気抵抗の変化を検出する電流を
流す電極とを有することを特徴とする磁気抵抗効果素
子。 - 【請求項３】 前記結合型複合層は前記磁性層を３層以
上有することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載
の磁気抵抗効果素子。 - 【請求項４】 前記第１の軟磁性層は、前記第１の非磁
性導電層を介さずに、直接前記結合型複合層に接して重
なっていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のい
ずれかに記載の磁気抵抗効果素子。 - 【請求項５】 前記結合型複合層において、前記磁性層
はFeからなり、前記非磁性導電層はCuからなることを特
徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の磁気
抵抗効果素子。 - 【請求項６】 前記結合型複合層において、前記磁性層
はFeからなり、前記非磁性導電層はCrからなることを特
徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の磁気
抵抗効果素子。 - 【請求項７】 前記結合型複合層において、前記磁性層
はCoからなり、前記非磁性導電層はCuからなることを特
徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の磁気
抵抗効果素子。 - 【請求項８】 前記結合型複合層において、前記磁性層
はCoFeからなり、前記非磁性導電層はCuからなることを
特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の磁
気抵抗効果素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6318790A JPH08180327A (ja) | 1994-12-21 | 1994-12-21 | 磁気抵抗効果素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6318790A JPH08180327A (ja) | 1994-12-21 | 1994-12-21 | 磁気抵抗効果素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08180327A true JPH08180327A (ja) | 1996-07-12 |
Family
ID=18102978
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6318790A Withdrawn JPH08180327A (ja) | 1994-12-21 | 1994-12-21 | 磁気抵抗効果素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08180327A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5768069A (en) * | 1996-11-27 | 1998-06-16 | International Business Machines Corporation | Self-biased dual spin valve sensor |
| US6051309A (en) * | 1996-12-26 | 2000-04-18 | Nec Corporation | Magnetoresistance effect film and method for making the same |
| WO2001003130A1 (fr) * | 1999-07-05 | 2001-01-11 | Fujitsu Limited | Palier flottant magnetoresistif, tete de palier flottant composite ainsi realisee, et unite d'entrainement de support magnetoresistif enregistre |
| WO2001003131A1 (fr) * | 1999-07-05 | 2001-01-11 | Fujitsu Limited | Tete a effet magnetoresistant a modulation de spin, tete magnetique composee l'utilisant et unite d'entrainement de support d'enregistrement magnetique |
-
1994
- 1994-12-21 JP JP6318790A patent/JPH08180327A/ja not_active Withdrawn
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5768069A (en) * | 1996-11-27 | 1998-06-16 | International Business Machines Corporation | Self-biased dual spin valve sensor |
| US6051309A (en) * | 1996-12-26 | 2000-04-18 | Nec Corporation | Magnetoresistance effect film and method for making the same |
| KR100321956B1 (ko) * | 1996-12-26 | 2002-03-08 | 가네꼬 히사시 | 자기저항효과막및그제조방법 |
| WO2001003130A1 (fr) * | 1999-07-05 | 2001-01-11 | Fujitsu Limited | Palier flottant magnetoresistif, tete de palier flottant composite ainsi realisee, et unite d'entrainement de support magnetoresistif enregistre |
| WO2001003131A1 (fr) * | 1999-07-05 | 2001-01-11 | Fujitsu Limited | Tete a effet magnetoresistant a modulation de spin, tete magnetique composee l'utilisant et unite d'entrainement de support d'enregistrement magnetique |
| EP1193692A1 (en) * | 1999-07-05 | 2002-04-03 | Fujitsu Limited | Spin-valve magnetoresistance effect head, composite magnetic head comprising the same, and magnetoresistance recorded medium drive |
| EP1193692A4 (en) * | 1999-07-05 | 2002-08-21 | Fujitsu Ltd | SPIN VALVE MAGNETIC RESISTANCE EFFECT HEAD, THE SAME COMPOSITE MAGNETIC HEAD AND RESISTANCE-RECORDED MEDIUM DRIVE |
| US6501627B2 (en) | 1999-07-05 | 2002-12-31 | Fujitsu Limited | Spin-valve magnetoresistive head, and composite-type magnetic head and magnetic recording medium drive using the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3623366B2 (ja) | 巨大磁気抵抗効果素子を備えた磁界センサおよびその製造方法と製造装置 | |
| US5576915A (en) | Magnetoresistive head with antiferromagnetic sublayers interposed between first and second spin-valve units to exchange bias inner magnetic films thereof | |
| US6577124B2 (en) | Magnetic field sensor with perpendicular axis sensitivity, comprising a giant magnetoresistance material or a spin tunnel junction | |
| JP3623367B2 (ja) | 巨大磁気抵抗効果素子を備えたポテンショメータ | |
| JP3219713B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子の製造方法 | |
| JP6233863B2 (ja) | 磁気センサおよび磁気センサの製造方法ならびに電流センサ | |
| JPH07320229A (ja) | スピンバルブデュアル磁気抵抗再生ヘッド | |
| KR100330950B1 (ko) | 스핀밸브형 자기저항 박막소자 | |
| JPH10294506A (ja) | スピンバルブ型薄膜素子及びその製造方法 | |
| US20070121253A1 (en) | Magnetoresistance effect element and magnetic head | |
| US6621666B2 (en) | Magnetoresistive-effect element having electrode layers oppositely disposed on main surfaces of a magnetoresistive-effect thin film having hard magnetic bias layers with a particular resistivity | |
| WO2018008525A1 (ja) | 磁気センサ | |
| US6178071B1 (en) | Spin-valve type thin film element and its manufacturing method | |
| US20080247097A1 (en) | Magnetoresistance effect element and magnetic head | |
| JPH1196519A (ja) | スピンバルブ型薄膜素子およびその製造方法 | |
| KR100334828B1 (ko) | 스핀밸브형 자기저항효과형 박막소자 및 이것을 사용한 스핀밸브형 자기저항효과형 박막헤드 | |
| JPH08180327A (ja) | 磁気抵抗効果素子 | |
| US5695858A (en) | Magnetoresistive element | |
| JPH07297465A (ja) | 絶縁ピン留め層を備えた巨大磁気抵抗センサ | |
| JPH1197762A (ja) | 磁気抵抗効果素子 | |
| US6350487B1 (en) | Spin-valve type thin film element and its manufacturing method | |
| JP3151133B2 (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッド | |
| US20030129454A1 (en) | Spin valve magnetoresistive sensor | |
| JPH11110720A (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッド | |
| JPH10320721A (ja) | 磁気抵抗効果ヘッド |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20020305 |