JPH03205574A - 磁気センサ - Google Patents
磁気センサInfo
- Publication number
- JPH03205574A JPH03205574A JP2001277A JP127790A JPH03205574A JP H03205574 A JPH03205574 A JP H03205574A JP 2001277 A JP2001277 A JP 2001277A JP 127790 A JP127790 A JP 127790A JP H03205574 A JPH03205574 A JP H03205574A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- magnetic sensor
- film
- wiring
- wiring part
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 32
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 24
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 14
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims abstract description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims abstract description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims abstract description 4
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 15
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 abstract description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 4
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 3
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 3
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 6
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 6
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000006056 electrooxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、産業機械、ＯＡ機器などに組込まれる磁気式
ロータリーエンコーダー等に使用する磁気センサに関す
る。
ロータリーエンコーダー等に使用する磁気センサに関す
る。
［従来の技術］
一般に、磁気センサ（磁気抵抗効果素子）はガラス基板
に強磁性体薄膜からなる検出部を形成し、それから配線
部を介して外部電気回路への接続用端子に接続させてい
る。
に強磁性体薄膜からなる検出部を形成し、それから配線
部を介して外部電気回路への接続用端子に接続させてい
る。
強磁性体薄膜の検出部の膜厚は、所定の特性を得るため
約５００人以下であることが望ましい。
約５００人以下であることが望ましい。
配線部を形成する場合、検出用の薄膜を延長して同一材
料により配線部を作成すると、配線抵抗が高くなり、磁
気抵抗変化ΔＲ／Ｒが低下してしまう。このため配線部
の抵抗を小さくするため、比抵抗の低いＡｌ膜を２００
０〜１ ００００入の厚さに付着させて配線部としてい
る。
料により配線部を作成すると、配線抵抗が高くなり、磁
気抵抗変化ΔＲ／Ｒが低下してしまう。このため配線部
の抵抗を小さくするため、比抵抗の低いＡｌ膜を２００
０〜１ ００００入の厚さに付着させて配線部としてい
る。
またエンコーダーでは、磁気ドラムに概ね５０〜１５０
μｍのスペーシングで磁気センサを対向させて使用する
ので、ＡＩ２配線部は通常数μｍ〜ｌＯμｍのＳ ｉ
Ｏ ＊の保護膜で保護するのみであり、半導体のように
樹脂モールドして保護するようなことはしてはいない。
μｍのスペーシングで磁気センサを対向させて使用する
ので、ＡＩ２配線部は通常数μｍ〜ｌＯμｍのＳ ｉ
Ｏ ＊の保護膜で保護するのみであり、半導体のように
樹脂モールドして保護するようなことはしてはいない。
［発明が解決しようとする課題］
磁気センサをＮＣ工作機械等に組込んで位置制御や速度
制御をさせる場合には、磁気センサは高温多湿状態で使
用され高信頼性が要求される。磁気センサでは強磁性体
薄膜の検出部や八４配線部をＳｉＯ２の保護膜で被って
いるが、高温多湿のためにＳｉＯ２の保護膜の微小な欠
陥を通して水分が侵入し、八β配線部を腐食してしまう
。
制御をさせる場合には、磁気センサは高温多湿状態で使
用され高信頼性が要求される。磁気センサでは強磁性体
薄膜の検出部や八４配線部をＳｉＯ２の保護膜で被って
いるが、高温多湿のためにＳｉＯ２の保護膜の微小な欠
陥を通して水分が侵入し、八β配線部を腐食してしまう
。
Ｓ ｉ ０ ２の保護膜は、その製法上あまり厚くはで
きず、数μｍ〜１０μｍの膜厚では通常の確率で微小な
欠陥が存在する。また磁気ドラムとの配置関係上、これ
らの欠陥を補うために樹脂で厚く被うこともできない。
きず、数μｍ〜１０μｍの膜厚では通常の確率で微小な
欠陥が存在する。また磁気ドラムとの配置関係上、これ
らの欠陥を補うために樹脂で厚く被うこともできない。
そのため高温多湿状態ではＳ ｉＯ ２の微小な欠陥部
分を水分が通ってしまい、ＡＩ２配線が腐食してしまう
ことがあった。
分を水分が通ってしまい、ＡＩ２配線が腐食してしまう
ことがあった。
そこで本発明は、磁気センサの配線部として腐食されに
くい材料を使用し、しかもその配線部によりＭＲ素子の
磁気抵抗変化率を低下させないようにして、磁気センサ
の耐久性を向上させることを目的とする。
くい材料を使用し、しかもその配線部によりＭＲ素子の
磁気抵抗変化率を低下させないようにして、磁気センサ
の耐久性を向上させることを目的とする。
［課題を解決するための手段］
本発明は上記目的を達成するためのものであり、基板上
に強磁性体薄膜からなる検出部を形成し、その検出部と
外部電気回路接続用端子との間を配線部で接続し、それ
ら上面を保護膜で被った磁気センサにおいて、配線部を
ＡＪ２−Ｐｄ合金（Ｏ１ｗｔ％〜２．Ｏｗｔ％Ｐｄ）を
作成したものである。
に強磁性体薄膜からなる検出部を形成し、その検出部と
外部電気回路接続用端子との間を配線部で接続し、それ
ら上面を保護膜で被った磁気センサにおいて、配線部を
ＡＪ２−Ｐｄ合金（Ｏ１ｗｔ％〜２．Ｏｗｔ％Ｐｄ）を
作成したものである。
’Ｐ ｄの含有量は、Ｏ．１ｗｔ％以下では固溶体にな
ってしまい、２ｗｔ％以上ではＰｄの粗大析出物が析出
して、析出物に起因する局部電池作用で電気化学的腐食
が起こるため、Ｐｄは前記範囲が耐食性に好ましい。
ってしまい、２ｗｔ％以上ではＰｄの粗大析出物が析出
して、析出物に起因する局部電池作用で電気化学的腐食
が起こるため、Ｐｄは前記範囲が耐食性に好ましい。
配線部を基板に直接形成してもよいが、その間にＣｒ薄
膜又は検出部と同一薄膜を介在させてもよい。また保護
膜は、無機膜（ＳｉＯｚ、Ｓ １ ，Ｎ４他）と有機膜
（ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂）のうち１種のみか、
２種を重ねて設けることができる。
膜又は検出部と同一薄膜を介在させてもよい。また保護
膜は、無機膜（ＳｉＯｚ、Ｓ １ ，Ｎ４他）と有機膜
（ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂）のうち１種のみか、
２種を重ねて設けることができる。
［作用］
上記磁気センサでは、配線部を八β−Ｐｄ合金で作成し
ており、それは純粋ＡβやＡｆ２−ＳＬ合金より耐食性
に優れている。よって保護膜の微小な欠陥を通って水分
が入り込んでも配線部は腐食されにくい。
ており、それは純粋ＡβやＡｆ２−ＳＬ合金より耐食性
に優れている。よって保護膜の微小な欠陥を通って水分
が入り込んでも配線部は腐食されにくい。
［実施例］
本発明の磁気センサを図面により説明する。
第１図の実施例は、ガラス基板ｌ上にパーマロイからな
る薄膜状の検出部２を形成し、外部電気回路接続用端子
３と検出部２との間を配線部４が接続させている。配線
部４は、Ｃｒ薄膜５の上にＡｊ２−Ｐｄ （０．３ｗｔ
％Ｐｄ．）合金薄膜６を重ねて形成してある。そして、
接続用端子３の上部を除いた全上面をＳ ｉ Ｏ ｚ膜
７ａとポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等の有機膜７ｂと
を重ねた保護膜７で被ってある。このように作成した磁
気センサでは、配線部がＣｒ薄膜５とＡＩ２−Ｐｄ合金
薄膜の２層であり、配線部を電流が流れる場合、両者の
重なった部分では抵抗値の関係でＡβ一Ｐｄ合金薄膜の
部分のみを電流が流れる。
る薄膜状の検出部２を形成し、外部電気回路接続用端子
３と検出部２との間を配線部４が接続させている。配線
部４は、Ｃｒ薄膜５の上にＡｊ２−Ｐｄ （０．３ｗｔ
％Ｐｄ．）合金薄膜６を重ねて形成してある。そして、
接続用端子３の上部を除いた全上面をＳ ｉ Ｏ ｚ膜
７ａとポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等の有機膜７ｂと
を重ねた保護膜７で被ってある。このように作成した磁
気センサでは、配線部がＣｒ薄膜５とＡＩ２−Ｐｄ合金
薄膜の２層であり、配線部を電流が流れる場合、両者の
重なった部分では抵抗値の関係でＡβ一Ｐｄ合金薄膜の
部分のみを電流が流れる。
第２図の実施例は、保護膜７をＳ ｉ Ｏ ２膜７ａの
みで作成し、その他は第ｌ図の実施例と同様である。
みで作成し、その他は第ｌ図の実施例と同様である。
第３図の実施例は、配線部４をＡＩ２−Ｐｄ （０３ｗ
ｔ％Ｐｄ）合金薄膜６のみで作成し、保護膜７をＳｉＯ
ｚ膜７ａのみとしたものである。
ｔ％Ｐｄ）合金薄膜６のみで作成し、保護膜７をＳｉＯ
ｚ膜７ａのみとしたものである。
第４図の実施例は、パーマロイの検出部２を配線部にま
で延長してその上面にＡｌ−Ｐｄ （０．３ｗｔ％Ｐｄ
）合金薄膜６を付着させて配線部とし、それら上面をＳ
ｉ Ｏ ２膜７ａで被ったものである。
で延長してその上面にＡｌ−Ｐｄ （０．３ｗｔ％Ｐｄ
）合金薄膜６を付着させて配線部とし、それら上面をＳ
ｉ Ｏ ２膜７ａで被ったものである。
上記の各実施例の磁気センサを作成して、配線部４の耐
食性について測定し、その結果を第５図に示した。その
測定は、磁気センサをプレツシャクッカーテスト（ＰＣ
Ｔ、１２１℃、２気圧、湿度１００％）で行い、磁気セ
ンサが不良状態となるまでの耐久時間を測った。また比
較のため従来通り配線部を純粋Ａｌで作成した磁気セン
サについても同様に測定して第５図に示した。
食性について測定し、その結果を第５図に示した。その
測定は、磁気センサをプレツシャクッカーテスト（ＰＣ
Ｔ、１２１℃、２気圧、湿度１００％）で行い、磁気セ
ンサが不良状態となるまでの耐久時間を測った。また比
較のため従来通り配線部を純粋Ａｌで作成した磁気セン
サについても同様に測定して第５図に示した。
第５図からわかるように、配線部としてＡＩ２一Ｐｄ合
金薄膜を使用した本実施例の場合、ＰＣＴ２００時間で
も不良は全く発生しないのに対し、従来品の場合は、Ｐ
ＣＴＩＯＯ時間で８％程が不良となった。
金薄膜を使用した本実施例の場合、ＰＣＴ２００時間で
も不良は全く発生しないのに対し、従来品の場合は、Ｐ
ＣＴＩＯＯ時間で８％程が不良となった。
以上の実施例では、検出部としてバーマロイを使用した
が、その他の強磁性体の薄膜を使用してよいことは、当
業者として容易に推定できるものである。
が、その他の強磁性体の薄膜を使用してよいことは、当
業者として容易に推定できるものである。
［発明の効果］
本発明の磁気センサは、配線部にＡｊ２−Ｐｄ合金薄膜
を使用しているので、その部分の耐食性が大幅に向上し
、磁気センサの信頼性を大幅に向上できる。また現在、
磁気センサに流す電流密度はｌＸ１０’Ａ／ｃｍ”程度
であるが、今後、多機能、小型化に向け、電流密度が上
昇しても耐エレクトロマイブレーション性は十分である
。
を使用しているので、その部分の耐食性が大幅に向上し
、磁気センサの信頼性を大幅に向上できる。また現在、
磁気センサに流す電流密度はｌＸ１０’Ａ／ｃｍ”程度
であるが、今後、多機能、小型化に向け、電流密度が上
昇しても耐エレクトロマイブレーション性は十分である
。
第１図は本発明の磁気センサの断面図、第２〜４図はそ
れぞれ異なる実施例の磁気センサの部分断面図、第５図
は磁気センサの耐食性を示すグラフである。 ｌ；ガラス基板 ２；検出部 ３；接続用端子 ４；配線部 ６．Ａｎ−Ｐｄ合金薄膜 ７；保護膜
れぞれ異なる実施例の磁気センサの部分断面図、第５図
は磁気センサの耐食性を示すグラフである。 ｌ；ガラス基板 ２；検出部 ３；接続用端子 ４；配線部 ６．Ａｎ−Ｐｄ合金薄膜 ７；保護膜
Claims (3)
- （１）基板上に強磁性体薄膜からなる検出部を形成し、
外部の電気回路との接続用端子と前記検出部との間を、
Ａｌ−Ｐｄ合金（０．１ｗｔ％〜２．０ｗｔ％Ｐｄ）か
らなる配線部により接続し、接続用端子を除いたそれら
上面を保護膜で被ったことを特徴とする磁気センサ。 - （２）Ａｌ−Ｐｄ合金からなる配線部と基板との間に、
Ｃｒ薄膜又は検出部と同一薄膜を介在させ配線部を形成
することを特徴とする請求項１に記載の磁気センサ。 - （３）保護膜はＳｉＯ＿２、Ｓｉ＿３Ｎ＿４等の無機膜
と有機膜（ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂他）のうちの
１種か、２種からなることを特徴とする請求項１又は２
に記載の磁気センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001277A JP3014398B2 (ja) | 1990-01-08 | 1990-01-08 | 磁気センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001277A JP3014398B2 (ja) | 1990-01-08 | 1990-01-08 | 磁気センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03205574A true JPH03205574A (ja) | 1991-09-09 |
| JP3014398B2 JP3014398B2 (ja) | 2000-02-28 |
Family
ID=11496961
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001277A Expired - Lifetime JP3014398B2 (ja) | 1990-01-08 | 1990-01-08 | 磁気センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3014398B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08304107A (ja) * | 1995-05-10 | 1996-11-22 | Japan Servo Co Ltd | 磁気センサ |
-
1990
- 1990-01-08 JP JP2001277A patent/JP3014398B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08304107A (ja) * | 1995-05-10 | 1996-11-22 | Japan Servo Co Ltd | 磁気センサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3014398B2 (ja) | 2000-02-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7405560B2 (en) | GMR angle sensor for vehicles | |
| US6916668B2 (en) | Methods for providing a magnetic shield for an integrated circuit having magnetoresistive memory cells | |
| JP2003315432A (ja) | 磁気抵抗センサ装置 | |
| US10901049B2 (en) | Magnetic sensor and method for manufacturing said magnetic sensor | |
| GB2356059A (en) | Multilayer magnetoresistive sensor/bridge circuit arrangement | |
| JPH03205574A (ja) | 磁気センサ | |
| EP1536490A1 (en) | Magnetoresistance effect element and production method and application method therefor | |
| JPS6331116B2 (ja) | ||
| US20080054894A1 (en) | Magnetic detection device having element provided with multi-layered protection layer and a method of manufacturing the same | |
| JPS63313880A (ja) | 強磁性体磁気センサ | |
| JPH03205576A (ja) | 磁気センサ | |
| JPS6311672Y2 (ja) | ||
| JP2002107433A (ja) | 磁気式センサーとその製造方法、およびエンコーダー | |
| JP3588952B2 (ja) | 半導体薄膜磁気抵抗素子 | |
| JPH0478035B2 (ja) | ||
| JPH08116108A (ja) | 磁気式センサ | |
| JPH02239675A (ja) | 磁気センサー及びその製造方法 | |
| JPS6057687A (ja) | 磁気抵抗素子 | |
| JP3206104B2 (ja) | 磁気抵抗素子 | |
| JPH07181241A (ja) | 磁気センサ | |
| JPH0435076A (ja) | 磁気抵抗素子及びその製造方法 | |
| JPH09214017A (ja) | ホール素子 | |
| JPH03240203A (ja) | 磁気抵抗素子 | |
| JPH02108987A (ja) | 磁気センサー | |
| JP2001119083A (ja) | 半導体磁気検出素子 |