JPH02108987A - 磁気センサー - Google Patents
磁気センサーInfo
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- JPH02108987A JPH02108987A JP63261770A JP26177088A JPH02108987A JP H02108987 A JPH02108987 A JP H02108987A JP 63261770 A JP63261770 A JP 63261770A JP 26177088 A JP26177088 A JP 26177088A JP H02108987 A JPH02108987 A JP H02108987A
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- Japan
- Prior art keywords
- protective layer
- magnetic
- magnetic sensor
- thin
- oxide film
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- Granted
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は磁気センサーに関するものである。
従来の技術
磁気式ロータリーエンコーダーは、信号磁界を発生する
磁気ドラムと、信号磁界を検出するための磁気センサー
とから構成されている。そして、磁気センサーは磁気ド
ラムの磁性部に数10μm〜数100μmの距離で近接
配置されている。
磁気ドラムと、信号磁界を検出するための磁気センサー
とから構成されている。そして、磁気センサーは磁気ド
ラムの磁性部に数10μm〜数100μmの距離で近接
配置されている。
ところで、磁気センサーの取り付は位置を調整する際、
回転する磁気ドラムに磁気センサーを接触させ、その磁
気センサーの磁気感知部を破損させてしまうという事故
が多い。そのため、磁気センサーの磁気感知部を保護す
るための保護層を形成する必要があり、この技術が重要
視されてきている。
回転する磁気ドラムに磁気センサーを接触させ、その磁
気センサーの磁気感知部を破損させてしまうという事故
が多い。そのため、磁気センサーの磁気感知部を保護す
るための保護層を形成する必要があり、この技術が重要
視されてきている。
以下、このような保護層を備えた従来の磁気センサーに
ついて説明する。
ついて説明する。
第2図は従来の磁気センサーの断面図である。
第2図において、1はカラス基板、2はガラス基板1の
上に強磁性薄膜(Ni−Fe)によって形成された磁気
感知部、3は磁気感知部2と電気的に接続された配線端
子部、4は磁気感知部2を保護するための保護層である
。
上に強磁性薄膜(Ni−Fe)によって形成された磁気
感知部、3は磁気感知部2と電気的に接続された配線端
子部、4は磁気感知部2を保護するための保護層である
。
以下、保護層4について詳細に説明する。保護層4は例
えば特開昭59−113675号公報に記載されている
ように、SiOまたは5i02等の無機酸化物を蒸着ま
たはスパッタリングなどの方法によって形成していた。
えば特開昭59−113675号公報に記載されている
ように、SiOまたは5i02等の無機酸化物を蒸着ま
たはスパッタリングなどの方法によって形成していた。
そして、十分な耐磨耗性を持つように、また磁気ドラム
に接触した(らいではがれてしまわないように、保護層
4の厚さは少なくとも30μm〜40μmにしなければ
ならなかった。
に接触した(らいではがれてしまわないように、保護層
4の厚さは少なくとも30μm〜40μmにしなければ
ならなかった。
発明が解決しようとする課題
しかしながら以上のような構成では、保護層を形成する
ために非常に長い時間を要するという問題があった。す
なわち、スパッタリングまたは蒸着等の方法によってS
iOまたは5i02等の層が30μm〜40μmの厚さ
にするためには、スパッタリングの成膜速度が数μm/
時であるので、保N層の形成が完了するまで10時間以
上を要する事となっていた。
ために非常に長い時間を要するという問題があった。す
なわち、スパッタリングまたは蒸着等の方法によってS
iOまたは5i02等の層が30μm〜40μmの厚さ
にするためには、スパッタリングの成膜速度が数μm/
時であるので、保N層の形成が完了するまで10時間以
上を要する事となっていた。
本発明は以上の課題に鑑みて成されたものであり、単時
間で強度の高い保護層を形成できる磁気センサーを提供
する事を目的とする。
間で強度の高い保護層を形成できる磁気センサーを提供
する事を目的とする。
課題を解決するための手段
本発明は以上の課題を解決するため、磁気感知部上に薄
い無機酸化物層を形成し、その上に接着剤によってセラ
ミックス薄板を接着した。
い無機酸化物層を形成し、その上に接着剤によってセラ
ミックス薄板を接着した。
作 用
以上のように構成したことにより、無機酸化物層は非常
に薄く、その成膜に要する時間は非常に短くて済むとと
もに、セラミックス薄板を接着剤によって接着する為に
要する時間も非常に短くて済む。
に薄く、その成膜に要する時間は非常に短くて済むとと
もに、セラミックス薄板を接着剤によって接着する為に
要する時間も非常に短くて済む。
実施例
以下、本発明の詳細な説明する。第1図は本実施例にお
ける磁気センサーの断面図である。第1図において、5
は第2図の従来例と同様に構成されたガラス基板である
。6はガラス基板5の上に強磁性薄膜(Ni−Co)に
よって形成された磁気感知部、7は磁気感知部2と電気
的に接続された配線端子部である。
ける磁気センサーの断面図である。第1図において、5
は第2図の従来例と同様に構成されたガラス基板である
。6はガラス基板5の上に強磁性薄膜(Ni−Co)に
よって形成された磁気感知部、7は磁気感知部2と電気
的に接続された配線端子部である。
磁気感知部6および配線端子部7は次のように形成され
る。すなわち、ガラス基板5上に蒸着によって一様にN
i−Coの薄膜を数100A〜数1000Aの膜厚で形
成し、フォトリソグラフ技術を用いて上記薄膜の不必要
な部分を取り去る。これによってガラス基板5上に磁気
感知部6および配線端子部7を備えた配線パターンが形
成される事となる。
る。すなわち、ガラス基板5上に蒸着によって一様にN
i−Coの薄膜を数100A〜数1000Aの膜厚で形
成し、フォトリソグラフ技術を用いて上記薄膜の不必要
な部分を取り去る。これによってガラス基板5上に磁気
感知部6および配線端子部7を備えた配線パターンが形
成される事となる。
8は磁気感知部6を保護するための無機酸化物膜であり
、無機酸化物膜8は5i02等の無機酸化物の層をスパ
ッタリングによって1μm〜5μmの厚さに形成するこ
とによって作られている。また無機酸化物III 8は
磁気感知部6の全域上配線端子部7の一部を覆っている
。
、無機酸化物膜8は5i02等の無機酸化物の層をスパ
ッタリングによって1μm〜5μmの厚さに形成するこ
とによって作られている。また無機酸化物III 8は
磁気感知部6の全域上配線端子部7の一部を覆っている
。
9は厚さ10μm−100μmのセラミックス(Δ12
Qt)薄板、10はエポキシ系の接着剤であ。セラミッ
クス薄板9は接着剤10によって無機酸化物膜8の上に
接合されている。
Qt)薄板、10はエポキシ系の接着剤であ。セラミッ
クス薄板9は接着剤10によって無機酸化物膜8の上に
接合されている。
以とのように保護層の大部分をセラミックス薄板9によ
って構成すれば、接着剤10によってセラミックス薄板
9を接着するのに要する時間を考慮しても、従来の保護
層形成の時間に比べる(!:10分の1程度に短縮出来
る。
って構成すれば、接着剤10によってセラミックス薄板
9を接着するのに要する時間を考慮しても、従来の保護
層形成の時間に比べる(!:10分の1程度に短縮出来
る。
またセラミックス薄板9を固定するためにエポキシ系の
接着剤10を用いているが、磁気感知部6と接着剤10
との間に無機酸化物膜8を介在させているので、たとえ
接着剤IQと磁気感知部6との間に、線膨脹係数に大き
な差が有っても、温度変化によって磁気感知部6に歪み
が生じる事はなく、磁界検出特性が劣化することは無(
なる。
接着剤10を用いているが、磁気感知部6と接着剤10
との間に無機酸化物膜8を介在させているので、たとえ
接着剤IQと磁気感知部6との間に、線膨脹係数に大き
な差が有っても、温度変化によって磁気感知部6に歪み
が生じる事はなく、磁界検出特性が劣化することは無(
なる。
また、セラミックス薄板9は非常に磨耗しにくいので、
磁気エンコーダにおいて磁気センサーが常時磁気ドラム
に摺動するように構成する事も可能となる。しかもセラ
ミックス薄板9は非常に熱伝導性が高く放熱性が良いの
で、摩擦熱が磁気感知部まで伝わりに<<、熱によって
信号磁界検出特性が劣化してしまう事は無い。
磁気エンコーダにおいて磁気センサーが常時磁気ドラム
に摺動するように構成する事も可能となる。しかもセラ
ミックス薄板9は非常に熱伝導性が高く放熱性が良いの
で、摩擦熱が磁気感知部まで伝わりに<<、熱によって
信号磁界検出特性が劣化してしまう事は無い。
また、焼結成形されたセラミックス薄板9は非常にち密
な膜質であるので、ピンホールの多い従来の無機酸化′
#J膜に比べて耐候性に優れており、例えば高温多湿の
環境下においても長期間安定した特性を維持することが
出来る。
な膜質であるので、ピンホールの多い従来の無機酸化′
#J膜に比べて耐候性に優れており、例えば高温多湿の
環境下においても長期間安定した特性を維持することが
出来る。
なお、セラミックス薄板9の材料としては以上に示した
Al2O3以外に、ZrO2,Si3N4.SiC,M
gO・5i02等の材料を用いてもよく、これらの材料
においても優れた強度を有する保護層を形成する事が出
来る。また、無機酸化物膜8の材料として以上に示した
5i02の他にSin、Al2O3を使用しても良い。
Al2O3以外に、ZrO2,Si3N4.SiC,M
gO・5i02等の材料を用いてもよく、これらの材料
においても優れた強度を有する保護層を形成する事が出
来る。また、無機酸化物膜8の材料として以上に示した
5i02の他にSin、Al2O3を使用しても良い。
また、磁気感知部2を形成する強磁性薄膜として以上に
示したようにNi−Coを使用した場合の他に、例えば
Ni−Feを使用した場合であっても良い。
示したようにNi−Coを使用した場合の他に、例えば
Ni−Feを使用した場合であっても良い。
発明の効果
以上のように本発明は、磁気感知部上に無機酸化物層を
形成し、その上に接着剤によってセラミックス薄板を接
着したことにより、セラミックス薄板が十分な対磨耗性
を持っているので、無機酸化物層は非常に薄くて済み、
その成膜に要する時間は非常に短(て済むとともに、セ
ラミックス薄板を接着剤によって接着する為に要する時
間も非常に短(て済むので、保護層を形成するために要
する時間は非常に短くて済む。また、外気に接する部分
がセラミックスであるため、耐磨耗性および耐候性に非
常に優れている。また無機酸化物層が介在する事によっ
て接着剤か直接磁気感知部に触れる事は無く、たとえ温
度変化が生じた場合でも磁気感知部に歪が生じて磁界検
出特性が劣化するという問題がない。しかも、上記接着
材の硬化に時に生じる応力も上記無機酸化物層が吸収す
る事となるので、その応力によって磁気感知部に歪みが
生じることもない。
形成し、その上に接着剤によってセラミックス薄板を接
着したことにより、セラミックス薄板が十分な対磨耗性
を持っているので、無機酸化物層は非常に薄くて済み、
その成膜に要する時間は非常に短(て済むとともに、セ
ラミックス薄板を接着剤によって接着する為に要する時
間も非常に短(て済むので、保護層を形成するために要
する時間は非常に短くて済む。また、外気に接する部分
がセラミックスであるため、耐磨耗性および耐候性に非
常に優れている。また無機酸化物層が介在する事によっ
て接着剤か直接磁気感知部に触れる事は無く、たとえ温
度変化が生じた場合でも磁気感知部に歪が生じて磁界検
出特性が劣化するという問題がない。しかも、上記接着
材の硬化に時に生じる応力も上記無機酸化物層が吸収す
る事となるので、その応力によって磁気感知部に歪みが
生じることもない。
第1図は本発明の実施例における磁気センサーの断面図
、第2図は従来の磁気センサーの断面図である。
、第2図は従来の磁気センサーの断面図である。
Claims (1)
- 基板上に磁気感知部を形成し、上記磁気感知部上に無機
酸化物層を形成し、上記無機酸化物層の上に接着剤によ
ってセラミックス薄板を接着した事を特徴とする磁気セ
ンサー。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63261770A JP2589786B2 (ja) | 1988-10-18 | 1988-10-18 | 磁気センサー |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63261770A JP2589786B2 (ja) | 1988-10-18 | 1988-10-18 | 磁気センサー |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02108987A true JPH02108987A (ja) | 1990-04-20 |
JP2589786B2 JP2589786B2 (ja) | 1997-03-12 |
Family
ID=17366454
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63261770A Expired - Lifetime JP2589786B2 (ja) | 1988-10-18 | 1988-10-18 | 磁気センサー |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2589786B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7505242B2 (en) * | 2004-05-14 | 2009-03-17 | Schenck Rotec Gmbh | Method for applying a magnetic mark to a rotatable article to be positioned and corresponding device |
JP2012163369A (ja) * | 2011-02-03 | 2012-08-30 | Sony Chemical & Information Device Corp | 磁気センサ、磁気センサモジュール、磁気センサの製造方法 |
WO2015049855A1 (ja) * | 2013-10-03 | 2015-04-09 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | シフト位置検出装置 |
-
1988
- 1988-10-18 JP JP63261770A patent/JP2589786B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7505242B2 (en) * | 2004-05-14 | 2009-03-17 | Schenck Rotec Gmbh | Method for applying a magnetic mark to a rotatable article to be positioned and corresponding device |
JP2012163369A (ja) * | 2011-02-03 | 2012-08-30 | Sony Chemical & Information Device Corp | 磁気センサ、磁気センサモジュール、磁気センサの製造方法 |
WO2015049855A1 (ja) * | 2013-10-03 | 2015-04-09 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | シフト位置検出装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2589786B2 (ja) | 1997-03-12 |
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