JPH02108987A - 磁気センサー - Google Patents

磁気センサー

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JPH02108987A
JPH02108987A JP63261770A JP26177088A JPH02108987A JP H02108987 A JPH02108987 A JP H02108987A JP 63261770 A JP63261770 A JP 63261770A JP 26177088 A JP26177088 A JP 26177088A JP H02108987 A JPH02108987 A JP H02108987A
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JP
Japan
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protective layer
magnetic
magnetic sensor
thin
oxide film
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JP63261770A
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Kazuya Kobayakawa
和也 小早川
Hiroyuki Ono
宏行 大野
Toyoji Tsunoda
角田 豊慈
Yasushi Okamura
岡村 康
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Panasonic Holdings Corp
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は磁気センサーに関するものである。
従来の技術 磁気式ロータリーエンコーダーは、信号磁界を発生する
磁気ドラムと、信号磁界を検出するための磁気センサー
とから構成されている。そして、磁気センサーは磁気ド
ラムの磁性部に数10μm〜数100μmの距離で近接
配置されている。
ところで、磁気センサーの取り付は位置を調整する際、
回転する磁気ドラムに磁気センサーを接触させ、その磁
気センサーの磁気感知部を破損させてしまうという事故
が多い。そのため、磁気センサーの磁気感知部を保護す
るための保護層を形成する必要があり、この技術が重要
視されてきている。
以下、このような保護層を備えた従来の磁気センサーに
ついて説明する。
第2図は従来の磁気センサーの断面図である。
第2図において、1はカラス基板、2はガラス基板1の
上に強磁性薄膜(Ni−Fe)によって形成された磁気
感知部、3は磁気感知部2と電気的に接続された配線端
子部、4は磁気感知部2を保護するための保護層である
以下、保護層4について詳細に説明する。保護層4は例
えば特開昭59−113675号公報に記載されている
ように、SiOまたは5i02等の無機酸化物を蒸着ま
たはスパッタリングなどの方法によって形成していた。
そして、十分な耐磨耗性を持つように、また磁気ドラム
に接触した(らいではがれてしまわないように、保護層
4の厚さは少なくとも30μm〜40μmにしなければ
ならなかった。
発明が解決しようとする課題 しかしながら以上のような構成では、保護層を形成する
ために非常に長い時間を要するという問題があった。す
なわち、スパッタリングまたは蒸着等の方法によってS
iOまたは5i02等の層が30μm〜40μmの厚さ
にするためには、スパッタリングの成膜速度が数μm/
時であるので、保N層の形成が完了するまで10時間以
上を要する事となっていた。
本発明は以上の課題に鑑みて成されたものであり、単時
間で強度の高い保護層を形成できる磁気センサーを提供
する事を目的とする。
課題を解決するための手段 本発明は以上の課題を解決するため、磁気感知部上に薄
い無機酸化物層を形成し、その上に接着剤によってセラ
ミックス薄板を接着した。
作  用 以上のように構成したことにより、無機酸化物層は非常
に薄く、その成膜に要する時間は非常に短くて済むとと
もに、セラミックス薄板を接着剤によって接着する為に
要する時間も非常に短くて済む。
実施例 以下、本発明の詳細な説明する。第1図は本実施例にお
ける磁気センサーの断面図である。第1図において、5
は第2図の従来例と同様に構成されたガラス基板である
。6はガラス基板5の上に強磁性薄膜(Ni−Co)に
よって形成された磁気感知部、7は磁気感知部2と電気
的に接続された配線端子部である。
磁気感知部6および配線端子部7は次のように形成され
る。すなわち、ガラス基板5上に蒸着によって一様にN
i−Coの薄膜を数100A〜数1000Aの膜厚で形
成し、フォトリソグラフ技術を用いて上記薄膜の不必要
な部分を取り去る。これによってガラス基板5上に磁気
感知部6および配線端子部7を備えた配線パターンが形
成される事となる。
8は磁気感知部6を保護するための無機酸化物膜であり
、無機酸化物膜8は5i02等の無機酸化物の層をスパ
ッタリングによって1μm〜5μmの厚さに形成するこ
とによって作られている。また無機酸化物III 8は
磁気感知部6の全域上配線端子部7の一部を覆っている
9は厚さ10μm−100μmのセラミックス(Δ12
Qt)薄板、10はエポキシ系の接着剤であ。セラミッ
クス薄板9は接着剤10によって無機酸化物膜8の上に
接合されている。
以とのように保護層の大部分をセラミックス薄板9によ
って構成すれば、接着剤10によってセラミックス薄板
9を接着するのに要する時間を考慮しても、従来の保護
層形成の時間に比べる(!:10分の1程度に短縮出来
る。
またセラミックス薄板9を固定するためにエポキシ系の
接着剤10を用いているが、磁気感知部6と接着剤10
との間に無機酸化物膜8を介在させているので、たとえ
接着剤IQと磁気感知部6との間に、線膨脹係数に大き
な差が有っても、温度変化によって磁気感知部6に歪み
が生じる事はなく、磁界検出特性が劣化することは無(
なる。
また、セラミックス薄板9は非常に磨耗しにくいので、
磁気エンコーダにおいて磁気センサーが常時磁気ドラム
に摺動するように構成する事も可能となる。しかもセラ
ミックス薄板9は非常に熱伝導性が高く放熱性が良いの
で、摩擦熱が磁気感知部まで伝わりに<<、熱によって
信号磁界検出特性が劣化してしまう事は無い。
また、焼結成形されたセラミックス薄板9は非常にち密
な膜質であるので、ピンホールの多い従来の無機酸化′
#J膜に比べて耐候性に優れており、例えば高温多湿の
環境下においても長期間安定した特性を維持することが
出来る。
なお、セラミックス薄板9の材料としては以上に示した
Al2O3以外に、ZrO2,Si3N4.SiC,M
gO・5i02等の材料を用いてもよく、これらの材料
においても優れた強度を有する保護層を形成する事が出
来る。また、無機酸化物膜8の材料として以上に示した
5i02の他にSin、Al2O3を使用しても良い。
また、磁気感知部2を形成する強磁性薄膜として以上に
示したようにNi−Coを使用した場合の他に、例えば
Ni−Feを使用した場合であっても良い。
発明の効果 以上のように本発明は、磁気感知部上に無機酸化物層を
形成し、その上に接着剤によってセラミックス薄板を接
着したことにより、セラミックス薄板が十分な対磨耗性
を持っているので、無機酸化物層は非常に薄くて済み、
その成膜に要する時間は非常に短(て済むとともに、セ
ラミックス薄板を接着剤によって接着する為に要する時
間も非常に短(て済むので、保護層を形成するために要
する時間は非常に短くて済む。また、外気に接する部分
がセラミックスであるため、耐磨耗性および耐候性に非
常に優れている。また無機酸化物層が介在する事によっ
て接着剤か直接磁気感知部に触れる事は無く、たとえ温
度変化が生じた場合でも磁気感知部に歪が生じて磁界検
出特性が劣化するという問題がない。しかも、上記接着
材の硬化に時に生じる応力も上記無機酸化物層が吸収す
る事となるので、その応力によって磁気感知部に歪みが
生じることもない。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例における磁気センサーの断面図
、第2図は従来の磁気センサーの断面図である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 基板上に磁気感知部を形成し、上記磁気感知部上に無機
    酸化物層を形成し、上記無機酸化物層の上に接着剤によ
    ってセラミックス薄板を接着した事を特徴とする磁気セ
    ンサー。
JP63261770A 1988-10-18 1988-10-18 磁気センサー Expired - Lifetime JP2589786B2 (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7505242B2 (en) * 2004-05-14 2009-03-17 Schenck Rotec Gmbh Method for applying a magnetic mark to a rotatable article to be positioned and corresponding device
JP2012163369A (ja) * 2011-02-03 2012-08-30 Sony Chemical & Information Device Corp 磁気センサ、磁気センサモジュール、磁気センサの製造方法
WO2015049855A1 (ja) * 2013-10-03 2015-04-09 パナソニックIpマネジメント株式会社 シフト位置検出装置

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WO2015049855A1 (ja) * 2013-10-03 2015-04-09 パナソニックIpマネジメント株式会社 シフト位置検出装置

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