JPH03144387A - 磁気抵抗効果素子 - Google Patents
磁気抵抗効果素子Info
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- JPH03144387A JPH03144387A JP1285207A JP28520789A JPH03144387A JP H03144387 A JPH03144387 A JP H03144387A JP 1285207 A JP1285207 A JP 1285207A JP 28520789 A JP28520789 A JP 28520789A JP H03144387 A JPH03144387 A JP H03144387A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は、磁気センサとして用いられる磁気抵抗効果素
子における温度補償に関する。
子における温度補償に関する。
［従来の技術］
磁界の強さの変化を電気抵抗に変換する磁気抵抗効果素
子としては、ガラスなどの絶縁基板上にＮｉ−ＦｅやＮ
ｉ−Ｃｏ合金等の強磁性材の薄膜で検出部を作り、この
検出部両端に良導体の端子部をパターン形成しており、
磁気センサあるいは電流センサ等に使用されている。
子としては、ガラスなどの絶縁基板上にＮｉ−ＦｅやＮ
ｉ−Ｃｏ合金等の強磁性材の薄膜で検出部を作り、この
検出部両端に良導体の端子部をパターン形成しており、
磁気センサあるいは電流センサ等に使用されている。
このような磁気抵抗効果素子は、第３図に示すように絶
縁基板１の一方の主面上に複数のストライブ状の強磁性
体薄膜２を平行に設けて、直列に接続したパターンを形
成しており、この両端子３・３間に定電圧・定電流を印
加し、強磁性体薄膜パターンを横切る磁界４による電圧
または電流の変化を出力信号として取り出し、磁界４の
強さを検出するようにしである。（たとえば特開昭５９
−７９８０７号） ［本発明が解決しようとする課題］ しかるに、このような磁気抵抗効果素子の出力信号の大
きさは、強磁性体薄膜２の磁気抵抗効果△Ｒ／Ｈに比例
する。ただし、△Ｒは抵抗変化分、Ｒは初期抵抗値であ
る。
縁基板１の一方の主面上に複数のストライブ状の強磁性
体薄膜２を平行に設けて、直列に接続したパターンを形
成しており、この両端子３・３間に定電圧・定電流を印
加し、強磁性体薄膜パターンを横切る磁界４による電圧
または電流の変化を出力信号として取り出し、磁界４の
強さを検出するようにしである。（たとえば特開昭５９
−７９８０７号） ［本発明が解決しようとする課題］ しかるに、このような磁気抵抗効果素子の出力信号の大
きさは、強磁性体薄膜２の磁気抵抗効果△Ｒ／Ｈに比例
する。ただし、△Ｒは抵抗変化分、Ｒは初期抵抗値であ
る。
したがって、この磁気抵抗効果素子をセンサとして使用
する場合、その環境の温度変化によって出力変化を生じ
、温度が上昇すると△Ｒ／Ｒか減少し、その結果出力が
低下する。
する場合、その環境の温度変化によって出力変化を生じ
、温度が上昇すると△Ｒ／Ｒか減少し、その結果出力が
低下する。
このため、素子を設置した近くに温度センサを設けて、
素子付近の温度変化を測定し、その変化に応じて補正を
行っているが、装置が複雑化するたけでなく、温度セン
サの設置場所によって磁気抵抗効果素子との温度差を生
じ、正確な補正ができない欠点がある。
素子付近の温度変化を測定し、その変化に応じて補正を
行っているが、装置が複雑化するたけでなく、温度セン
サの設置場所によって磁気抵抗効果素子との温度差を生
じ、正確な補正ができない欠点がある。
本発明は、素子自体で温度補償を行わせ、別個に補正を
必要としない磁気抵抗効果素子を提供することを目的と
する。
必要としない磁気抵抗効果素子を提供することを目的と
する。
［課題を解決するための手段］
このため、本発明は強磁性体薄膜のパターンととしに、
抵抗温度係数が負の抵抗体を同一の絶縁基板上に接近し
てそなえ、強磁性体薄膜パターンと前記抵抗体とを直列
または並列に接続して磁気抵抗効果素子を形成しである
。
抵抗温度係数が負の抵抗体を同一の絶縁基板上に接近し
てそなえ、強磁性体薄膜パターンと前記抵抗体とを直列
または並列に接続して磁気抵抗効果素子を形成しである
。
［作用］
したがって、強磁性体薄膜の抵抗値Ｒに抵抗体の抵抗Ｒ
８か加わり、磁気抵抗効果が△ＩＮ／（Ｉ？＋Ｒ１）と
なるので、温度上昇により強磁性体薄膜の抵抗Ｒが増加
すると、これにともなって抵抗体の抵抗Ｒ１が減少して
温度変化による出力変動を補償し、抵抗体が強磁性体薄
膜と同じ絶縁基板」二に近接して設けられているため、
両者の温度差がなく、良好な補償を行う。
８か加わり、磁気抵抗効果が△ＩＮ／（Ｉ？＋Ｒ１）と
なるので、温度上昇により強磁性体薄膜の抵抗Ｒが増加
すると、これにともなって抵抗体の抵抗Ｒ１が減少して
温度変化による出力変動を補償し、抵抗体が強磁性体薄
膜と同じ絶縁基板」二に近接して設けられているため、
両者の温度差がなく、良好な補償を行う。
［実施例］
これを図に示す実施例について説明する。
第１図および第２図に示した実施例において、１はガラ
ス基板、２は強磁性体薄膜で、磁気抵抗効果を有するＮ
ｉ−Ｆｅ合金薄膜をガラス基板ｌの一方の主面上に真空
蒸着法により厚さ５００人で蒸着し、フォトリソグラフ
ィにより所要形状にパターンニングした。パターン幅は
３０μｍ１全抵抗を８００Ωにしである。３は端子で、
たとえばクロムを２００Ａの厚さに蒸着した上に銅を５
０００人の厚さに蒸着し所要のパターンにパターンニン
グして形成しである。５はホール素子として使用されて
いるＩｎ−５ｂ膜からなる抵抗体で、抵抗値は３２０Ω
、抵抗温度係数は−１，１％／℃である。６は強磁性体
薄膜２と抵抗体５を直列に接続するり一ド、７は抵抗体
５と端子３とを接続するリードで、端子３と同様に形成
している。
ス基板、２は強磁性体薄膜で、磁気抵抗効果を有するＮ
ｉ−Ｆｅ合金薄膜をガラス基板ｌの一方の主面上に真空
蒸着法により厚さ５００人で蒸着し、フォトリソグラフ
ィにより所要形状にパターンニングした。パターン幅は
３０μｍ１全抵抗を８００Ωにしである。３は端子で、
たとえばクロムを２００Ａの厚さに蒸着した上に銅を５
０００人の厚さに蒸着し所要のパターンにパターンニン
グして形成しである。５はホール素子として使用されて
いるＩｎ−５ｂ膜からなる抵抗体で、抵抗値は３２０Ω
、抵抗温度係数は−１，１％／℃である。６は強磁性体
薄膜２と抵抗体５を直列に接続するり一ド、７は抵抗体
５と端子３とを接続するリードで、端子３と同様に形成
している。
このような素子をヘルムホルツコイルにセットし、３０
０ｅ印加状態で出力におよぼす温度の影響をオーブン中
で測定した結果、第２図に示すように、抵抗体を接続し
ない従来の特性曲線ａに対し、特性ｄｂｌｂで示すよう
に殆ど出力変化を生じてむらず、その温度係数は＋０．
０３％／℃であった。
０ｅ印加状態で出力におよぼす温度の影響をオーブン中
で測定した結果、第２図に示すように、抵抗体を接続し
ない従来の特性曲線ａに対し、特性ｄｂｌｂで示すよう
に殆ど出力変化を生じてむらず、その温度係数は＋０．
０３％／℃であった。
また、Ｉｎ−５ｂ膜に替えて、Ｇａ−Ａｓホール素子を
抵抗体５として用いた場合も同様の効果が得られた。こ
のときの、Ｇａ−Ａｓホール素子の抵抗温度係数は−０
，３％／℃で、磁気抵抗効果素子としての温度係数は＋
０．０６％／℃であった。
抵抗体５として用いた場合も同様の効果が得られた。こ
のときの、Ｇａ−Ａｓホール素子の抵抗温度係数は−０
，３％／℃で、磁気抵抗効果素子としての温度係数は＋
０．０６％／℃であった。
なお、強磁性体薄膜と抵抗体を絶縁基板の表裏に配置さ
せ、スルーホールで接続させるようにしてもよい。
せ、スルーホールで接続させるようにしてもよい。
［本発明の効果］
このように本発明は、絶縁基板上にパターンを形成させ
た磁気抵抗効果素子を有する強磁性体薄膜と、この絶縁
基板上に前記パターンに近接して抵抗温度係数か負の抵
抗体を設け、強磁性体薄膜と抵抗体を直列または並列に
接続するリードをそなえているため、温度変化による強
磁性体薄膜の抵抗変化を負の抵抗温度係数をもった抵抗
体によって自動的に補償することができ、別個に温度セ
ンサによる補正を必要とせず、しかも補正時の温度差が
なく素子だけで正確な補償を行い得る効果がある。
た磁気抵抗効果素子を有する強磁性体薄膜と、この絶縁
基板上に前記パターンに近接して抵抗温度係数か負の抵
抗体を設け、強磁性体薄膜と抵抗体を直列または並列に
接続するリードをそなえているため、温度変化による強
磁性体薄膜の抵抗変化を負の抵抗温度係数をもった抵抗
体によって自動的に補償することができ、別個に温度セ
ンサによる補正を必要とせず、しかも補正時の温度差が
なく素子だけで正確な補償を行い得る効果がある。
第１図は本発明の実施例素子を示す斜視図、第２図は出
力の温度変化を示す特性曲線図、第３図は従来の例を示
す斜視図である。 ■はガラス基板、２は強磁性体薄膜、３は端子、４は磁
界、５は抵抗体、６・７はリードである。
力の温度変化を示す特性曲線図、第３図は従来の例を示
す斜視図である。 ■はガラス基板、２は強磁性体薄膜、３は端子、４は磁
界、５は抵抗体、６・７はリードである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 絶縁基板上の所定の位置に強磁性体薄膜をパターン
ニングしてなる磁気抵抗効果素子と、前記パターンに近
接して抵抗温度係数が負の抵抗体を設け、前記強磁性体
薄膜と抵抗体を直列または並列に接続するリードをそな
えたことを特徴とする磁気抵抗効果素子。 ２ 前記抵抗体が半導体である特許請求の範囲第１項記
載の磁気抵抗効果素子。 ３ 前記抵抗体が半導体薄膜である特許請求の範囲第１
項記載の磁気抵抗効果素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1285207A JPH03144387A (ja) | 1989-10-31 | 1989-10-31 | 磁気抵抗効果素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1285207A JPH03144387A (ja) | 1989-10-31 | 1989-10-31 | 磁気抵抗効果素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03144387A true JPH03144387A (ja) | 1991-06-19 |
Family
ID=17688490
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1285207A Pending JPH03144387A (ja) | 1989-10-31 | 1989-10-31 | 磁気抵抗効果素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03144387A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8207732B2 (en) | 2003-09-11 | 2012-06-26 | Meas Deutschland Gmbh | Magneto-resistive sensor for measuring a magnetic field based on an anisotropic magneto-resistive (AMR) effect or a gigantic magneto-resistive (GMR) effect |
| EP3217445A4 (en) * | 2015-02-12 | 2017-12-06 | Asahi Kasei Microdevices Corporation | Sensor device and method for manufacturing same |
-
1989
- 1989-10-31 JP JP1285207A patent/JPH03144387A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8207732B2 (en) | 2003-09-11 | 2012-06-26 | Meas Deutschland Gmbh | Magneto-resistive sensor for measuring a magnetic field based on an anisotropic magneto-resistive (AMR) effect or a gigantic magneto-resistive (GMR) effect |
| US9140766B2 (en) | 2003-09-11 | 2015-09-22 | Meas Deutschland Gmbh | Temperature compensating magneto-resistive sensor for measuring magnetic fields |
| EP3217445A4 (en) * | 2015-02-12 | 2017-12-06 | Asahi Kasei Microdevices Corporation | Sensor device and method for manufacturing same |
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