JPS63124563A - イメ−ジセンサ - Google Patents
イメ−ジセンサInfo
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- JPS63124563A JPS63124563A JP61271429A JP27142986A JPS63124563A JP S63124563 A JPS63124563 A JP S63124563A JP 61271429 A JP61271429 A JP 61271429A JP 27142986 A JP27142986 A JP 27142986A JP S63124563 A JPS63124563 A JP S63124563A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/1446—Devices controlled by radiation in a repetitive configuration
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- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はイメージセンサ、特にアモルファスシリコンを
使用したイメージセンサに関するものである。
使用したイメージセンサに関するものである。
アモルファスシリコン（以下、ａ −３ｉと称する）を
便用したイメージセンサ（以下、ａ Ｓｉイメージセ
ンサと称する）は、従来のカルコンナイド系イメージセ
ンサに比較して光応答速度が速く且っ長尺化も容易であ
り、またＣＯＤやＭＯ５型ＩＣセンサ等において必要と
されるような複雑な光学系が、このａ−５ｉイメージセ
ンサには不要であるという利点を有しており、このよう
なことから最近注目を集めている。
便用したイメージセンサ（以下、ａ Ｓｉイメージセ
ンサと称する）は、従来のカルコンナイド系イメージセ
ンサに比較して光応答速度が速く且っ長尺化も容易であ
り、またＣＯＤやＭＯ５型ＩＣセンサ等において必要と
されるような複雑な光学系が、このａ−５ｉイメージセ
ンサには不要であるという利点を有しており、このよう
なことから最近注目を集めている。
この種ａ−５ｉイメージセンサは、例えば第３図の平面
図及びそのＢ−Ｂ断面を示す第４図に図示されるように
して形成されている。即ち、例えばコーニング７０５９
等のガラス基板１上にスパッタ法やイオンブレーティン
グ法などにより、Ｃｒ膜 Ａｔを順次成膜させ、先ずフ
ォトリソグラフィ法によりＡｌ膜のボンディングパッド
部２を形成し、続いて同様にフォトリソグラフィ法を用
いてＣｒ膜のパターニングを行って上記ボンディングパ
ッド部２に連続した複数の個別電極３及び一つの共通電
極４を形成する。尚、第３図には一つの個別電極３のみ
が示されている０次いで、上記個別電極３の受光部３ａ
となる部分の上にプラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオ
ンブレーティング法等により、ａ−Ｓｉ層５を形成し、
最後にこのａ−５ｉ層５の上から、個別電極３の受光部
３ａの領域から共通電極４を覆うようにＩＴＯ（酸化イ
ンジウム）等の透明４電膜６を形成することによりａ−
３ｉイメージセンサが構成されている。
図及びそのＢ−Ｂ断面を示す第４図に図示されるように
して形成されている。即ち、例えばコーニング７０５９
等のガラス基板１上にスパッタ法やイオンブレーティン
グ法などにより、Ｃｒ膜 Ａｔを順次成膜させ、先ずフ
ォトリソグラフィ法によりＡｌ膜のボンディングパッド
部２を形成し、続いて同様にフォトリソグラフィ法を用
いてＣｒ膜のパターニングを行って上記ボンディングパ
ッド部２に連続した複数の個別電極３及び一つの共通電
極４を形成する。尚、第３図には一つの個別電極３のみ
が示されている０次いで、上記個別電極３の受光部３ａ
となる部分の上にプラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオ
ンブレーティング法等により、ａ−Ｓｉ層５を形成し、
最後にこのａ−５ｉ層５の上から、個別電極３の受光部
３ａの領域から共通電極４を覆うようにＩＴＯ（酸化イ
ンジウム）等の透明４電膜６を形成することによりａ−
３ｉイメージセンサが構成されている。
しかしながら、このように構成されたａ −５ｉイメー
ジセンサは、共通電極４が個別電極３と同じ厚さく通常
、１００乃至１５０ｎｓ程度）のＣｒ膜により形成され
ており、Ｃｒの電気抵抗が比較的高いために各個別電８
ｉ３に関して取り出される信号に微小な差が現れ、共通
電極４の長さが長くなると上記微小な差が蓄積されて大
きくなり、そのため共通電極４の一端から信号を取り出
す場合には共通電極の他端に向かって信号の大きさが小
さくなり、また共通電極の両端から信号を取り出す場合
には該共通電極の両端から中央に向かって信号の大きさ
が小さくなる等、信号のバラツキが生じてしまう。
ジセンサは、共通電極４が個別電極３と同じ厚さく通常
、１００乃至１５０ｎｓ程度）のＣｒ膜により形成され
ており、Ｃｒの電気抵抗が比較的高いために各個別電８
ｉ３に関して取り出される信号に微小な差が現れ、共通
電極４の長さが長くなると上記微小な差が蓄積されて大
きくなり、そのため共通電極４の一端から信号を取り出
す場合には共通電極の他端に向かって信号の大きさが小
さくなり、また共通電極の両端から信号を取り出す場合
には該共通電極の両端から中央に向かって信号の大きさ
が小さくなる等、信号のバラツキが生じてしまう。
例えば、−次元のリニアイメージセンサにおいてＡ４サ
イズの画像を走査するとき、副走査方向に沿う共通電極
の長さは２１６Ｎとなり、共通電極４の幅をＩＮとする
とＣｒＯ比抵抗が１７ Ｘ １０−’Ω備であることか
ら、共通を掻４の両端の電気抵抗は約２４５Ωにもなり
、この高い電気抵抗が各個別電極３に関して取り出され
る信号に大きな差を与えることになるのである。
イズの画像を走査するとき、副走査方向に沿う共通電極
の長さは２１６Ｎとなり、共通電極４の幅をＩＮとする
とＣｒＯ比抵抗が１７ Ｘ １０−’Ω備であることか
ら、共通を掻４の両端の電気抵抗は約２４５Ωにもなり
、この高い電気抵抗が各個別電極３に関して取り出され
る信号に大きな差を与えることになるのである。
上記のような各個別電極に関して取り出される信号のバ
ラツキを少な（するためには、例えば共通電極の中間か
ら信号を取り出すための取り出し電極を設ける等の方法
が必要であり、そのためイメージセンサ全体が大型化す
ると共に、コストが高くなってしまう等の欠点がある。
ラツキを少な（するためには、例えば共通電極の中間か
ら信号を取り出すための取り出し電極を設ける等の方法
が必要であり、そのためイメージセンサ全体が大型化す
ると共に、コストが高くなってしまう等の欠点がある。
本発明は、以上の点に鑑み、共通電極の電気抵抗を低く
することにより、各個別電極に関して取り出される信号
の差をできるだけ小さくしたａ−３ｉイメージセンサを
堤供することを目的としている。
することにより、各個別電極に関して取り出される信号
の差をできるだけ小さくしたａ−３ｉイメージセンサを
堤供することを目的としている。
〔問題点を解決するための手段及び作用〕上記目的は、
本発明によれば、基板上に形成されたＣｒから成る複数
の個別電極及び一つの共通電極と、各個別電極の信号取
り出し部分でその上に形成されたＡｌのボンディングパ
ッド部と、各個別電極の受光部の領域で該個別電極の上
に形成されたａ−３ｉ層と、該ａ −Ｓｔ層の上で上記
個別電極の受光部から共通電極の領域にかけて形成され
た透明導電膜とを含み、Ｃｒの共通電極に沿って、該共
通電極上にＡｌの共通電極部が形成されているイメージ
センサにより達成される。
本発明によれば、基板上に形成されたＣｒから成る複数
の個別電極及び一つの共通電極と、各個別電極の信号取
り出し部分でその上に形成されたＡｌのボンディングパ
ッド部と、各個別電極の受光部の領域で該個別電極の上
に形成されたａ−３ｉ層と、該ａ −Ｓｔ層の上で上記
個別電極の受光部から共通電極の領域にかけて形成され
た透明導電膜とを含み、Ｃｒの共通電極に沿って、該共
通電極上にＡｌの共通電極部が形成されているイメージ
センサにより達成される。
この発明によれば共通電極が、従来のａ −３ｉイメー
ジセンサの共通電極と同様のＣｒ膜により構成された共
通電極と、該Ｃｒ膜の共通電極上に形成されたＡｌの共
通電極部とから構成されているので、ＣｒＯ比抵抗に比
較してＡｌの比抵抗は一桁小さく、さらにＡｌの共通電
極部がボンディングパッド部１２と同じ厚さに形成され
るので、Ａｌの共通電極部を含む共通電極全体の電気抵
抗は、従来の共通電極に比較して非常に低くなり、従っ
て共通電極の長さが長い場合にも各個別電極に関して取
り出される信号のバラツキが小さくなって、共通電極の
中間から信号を取り出すための取り出し電極を設ける必
要もなくなると共に、共通電極自体の幅を細くすること
が可能となり、イメージセンサ全体の小型化を図ること
ができる。
ジセンサの共通電極と同様のＣｒ膜により構成された共
通電極と、該Ｃｒ膜の共通電極上に形成されたＡｌの共
通電極部とから構成されているので、ＣｒＯ比抵抗に比
較してＡｌの比抵抗は一桁小さく、さらにＡｌの共通電
極部がボンディングパッド部１２と同じ厚さに形成され
るので、Ａｌの共通電極部を含む共通電極全体の電気抵
抗は、従来の共通電極に比較して非常に低くなり、従っ
て共通電極の長さが長い場合にも各個別電極に関して取
り出される信号のバラツキが小さくなって、共通電極の
中間から信号を取り出すための取り出し電極を設ける必
要もなくなると共に、共通電極自体の幅を細くすること
が可能となり、イメージセンサ全体の小型化を図ること
ができる。
さらに、Ａｌの共通電極部を、Ａｌのボンディングパッ
ド部の形成と同時に形成するようにすれば、特にＡｌの
共通電極部を形成するための特別の工程を備える必要が
なく 、Ａｌのボンディングパッド部の形成の際に行う
フォトリソグラフィ法も従来とまったく同様に行うこと
ができる。
ド部の形成と同時に形成するようにすれば、特にＡｌの
共通電極部を形成するための特別の工程を備える必要が
なく 、Ａｌのボンディングパッド部の形成の際に行う
フォトリソグラフィ法も従来とまったく同様に行うこと
ができる。
以下、図面に示した一実施例だ基づいて本発明の詳細な
説明する。
説明する。
第１図及び第２図は、本発明によるａ−５ｉイメージセ
ンサの一実施例を示しており、このａ −５＋イメージ
センサ１０は下記のようにして形成されている。最初に
、例えばコーニング７０５９等のガラス基板１１上にス
パッタ法等により、Ｃｒ１ｌｌを１００乃至３００ｎｍ
の厚さに形成し、次に上記Ｃｒ膜の上にスバンタ法、真
空蒸着法等によりＡｌ１ｉを約ｌＡｌ１の厚さに形成し
、ここで先ずフォトリソグラフィ法によりＡｌ膜のボン
ディングパッド部１２及び共通電極部１２“ を形成す
る。続いて、同様にフォトリソグラフィ法によりＣｒ１
９のパターニングを行って上記ボンディングパッド部１
２に連続した複数の個別′ｒ４．極１３及び上記Ａｌの
共通電極部１２°に対応した一つの共通電極１４を形成
する。尚、図面には二つの個別電極１３．１３のみを示
し、他は図示が省略されている０次に、個別型ｗＡｌ３
の受光部１３ａ となる部分の上にメタルマスクを使用
して、プラズマＣＶＤ法。
ンサの一実施例を示しており、このａ −５＋イメージ
センサ１０は下記のようにして形成されている。最初に
、例えばコーニング７０５９等のガラス基板１１上にス
パッタ法等により、Ｃｒ１ｌｌを１００乃至３００ｎｍ
の厚さに形成し、次に上記Ｃｒ膜の上にスバンタ法、真
空蒸着法等によりＡｌ１ｉを約ｌＡｌ１の厚さに形成し
、ここで先ずフォトリソグラフィ法によりＡｌ膜のボン
ディングパッド部１２及び共通電極部１２“ を形成す
る。続いて、同様にフォトリソグラフィ法によりＣｒ１
９のパターニングを行って上記ボンディングパッド部１
２に連続した複数の個別′ｒ４．極１３及び上記Ａｌの
共通電極部１２°に対応した一つの共通電極１４を形成
する。尚、図面には二つの個別電極１３．１３のみを示
し、他は図示が省略されている０次に、個別型ｗＡｌ３
の受光部１３ａ となる部分の上にメタルマスクを使用
して、プラズマＣＶＤ法。
光ＣＶＤ法２イオンブレーティング法などによりａ−３
ｉ層１５を約１μ−の厚さに形成し、最後にこのａ−３
ｉ層１５の上から、個別電極１３の受光部１３ａの領域
から共通電極１４を覆うようにメタルマスクを使用して
、スバフタ法、電子ビーム蒸着法等によりＩＴＯ（酸化
インジウム）の透明導電膜１６を形成する。
ｉ層１５を約１μ−の厚さに形成し、最後にこのａ−３
ｉ層１５の上から、個別電極１３の受光部１３ａの領域
から共通電極１４を覆うようにメタルマスクを使用して
、スバフタ法、電子ビーム蒸着法等によりＩＴＯ（酸化
インジウム）の透明導電膜１６を形成する。
以上の工程によりａ−３ｉイメージセンサが構成され、
かくして共通電極１４上には、Ａｌのボンディングパッ
ド部１２と同じ約１）ＬＩＩの厚さを有するＡｌの共通
電極部１２′が形成され、さらにその上にＩＴＯの透明
導電膜１６が形成されることになる。
かくして共通電極１４上には、Ａｌのボンディングパッ
ド部１２と同じ約１）ＬＩＩの厚さを有するＡｌの共通
電極部１２′が形成され、さらにその上にＩＴＯの透明
導電膜１６が形成されることになる。
本発明によるａ−５ｉイメージセンサの実施例は以上の
ように構成されており、本発明によれば共１ＪＩｌ電極
が、従来のａ−５＋イメージセンサの共通電極と同様の
Ｃｒ膜により構成された共通電極１４と、該Ｃｒ膜の共
通電極１４上に形成されたＡｌの共通電極部１２° と
から構成されていることになる。ここでＣｒＯ比抵抗は
！７ Ｘ １０−’Ω（至）であるのに対して、Ａｌの
比抵抗はそれより一桁小さい２．７５ Ｘ １０−６Ω
口であり、さらにＡｌの共通電極部１２゛ はボンデ
ィングパッド部１２と同じ約１μｍの厚さに形成される
ので該Ａｌの共通電極部１２’ 及びＣｒの共通電極１
４を含む共通電極全体の電気抵抗は、従来の共通１鴇に
比較して非常に低くなる。
ように構成されており、本発明によれば共１ＪＩｌ電極
が、従来のａ−５＋イメージセンサの共通電極と同様の
Ｃｒ膜により構成された共通電極１４と、該Ｃｒ膜の共
通電極１４上に形成されたＡｌの共通電極部１２° と
から構成されていることになる。ここでＣｒＯ比抵抗は
！７ Ｘ １０−’Ω（至）であるのに対して、Ａｌの
比抵抗はそれより一桁小さい２．７５ Ｘ １０−６Ω
口であり、さらにＡｌの共通電極部１２゛ はボンデ
ィングパッド部１２と同じ約１μｍの厚さに形成される
ので該Ａｌの共通電極部１２’ 及びＣｒの共通電極１
４を含む共通電極全体の電気抵抗は、従来の共通１鴇に
比較して非常に低くなる。
尚、Ｃｒの共通電極１４の幅は、２００ｐから数龍の範
囲で良いが、イメージセンサ自体を小型化するためには
１乃至３Ｎ程度が好ましい、また、Ａｌの共通電極部１
２゛ の幅は、Ｃｒの共通電極１４の幅と同じかまたは
その５０乃至９０％程度であってもよい。
囲で良いが、イメージセンサ自体を小型化するためには
１乃至３Ｎ程度が好ましい、また、Ａｌの共通電極部１
２゛ の幅は、Ｃｒの共通電極１４の幅と同じかまたは
その５０乃至９０％程度であってもよい。
ここで、Ａｔの共通電極部１２′ の幅をＣｒの共通電
極１４の幅よりも狭くする場合には、第１図に示すよう
に個別電極１３側でＡｌの共通電極部１２’ とＣｒ
の共通電極１４の側縁を揃えるように配置することが望
ましい、これは、ＡｌがＣｒよりも酸化膜（絶縁膜）を
形成し易く、且つａ −ｓ＋眉１５を形成する際に、ま
わりこみによって共通電極１４にもａ −３ｉ層が薄く
形成されるので、酸化膜を形成し易い金属、即ちＡｌを
個別電極１３側に形成することにより、上記まわりこみ
によるａ −３ｉ層をＡｌの表面に形成させるようにし
て、個別電極１３の受光部１３ａからの電流が透明導電
膜１６からＣｒの共通電極１４を介して肩の共通電極部
１２°に流れ、さらにこの共通電極部１２’ から取り
出し電極（第１図の両端におけるボンディングパッド部
１２）により取り出されるようにするためである。
極１４の幅よりも狭くする場合には、第１図に示すよう
に個別電極１３側でＡｌの共通電極部１２’ とＣｒ
の共通電極１４の側縁を揃えるように配置することが望
ましい、これは、ＡｌがＣｒよりも酸化膜（絶縁膜）を
形成し易く、且つａ −ｓ＋眉１５を形成する際に、ま
わりこみによって共通電極１４にもａ −３ｉ層が薄く
形成されるので、酸化膜を形成し易い金属、即ちＡｌを
個別電極１３側に形成することにより、上記まわりこみ
によるａ −３ｉ層をＡｌの表面に形成させるようにし
て、個別電極１３の受光部１３ａからの電流が透明導電
膜１６からＣｒの共通電極１４を介して肩の共通電極部
１２°に流れ、さらにこの共通電極部１２’ から取り
出し電極（第１図の両端におけるボンディングパッド部
１２）により取り出されるようにするためである。
以上述べたように本発明によれば、基板上に形成された
Ｃｒから成る複数の個別電極及び一つの共通電極と、各
個別電極の信号取り出し部分でその上から形成されたＡ
ｌのボンディングパッド部と、各個別電極の受光部の領
域で該個別電極の上から形成されたアモルファスシリコ
ン層と、該アモルファスシリコン層の上で上記個別電極
の受光部から共通電極の領域にかけて形成された透明導
電膜と、を含むアモルファスシリコンを使用したイメー
ジセンサにおいて、Ｃｒの共通電極に沿って、該共通電
極の上にＡｌの共通電極部を形成することによりイメー
ジセンサを構成したから、共通電極が従来のａ−３ｉイ
メージセンサの共通電極と同様のＣｒ膜により構成され
た共通電極と、該Ｃｒ膜の共通１穫上に形成されたＡｌ
の共通ｉｉ部とから構成されることになるので、Ｃｒの
比抵抗に比較してＡｌの比抵抗が一指小さく、さらにＡ
ｌの共通電極部がボンディングパッド部１２とほぼ同じ
厚さに形成されることから、Ａｌの共通電極部を含む共
通電極全体の電気抵抗は、従来の共通電極に比較して非
常に低くなり、従って共通電極の長さが長い場合にも各
個別電極に関して取り出される信号のバラツキが小さく
なって、共通電極の中間から信号を取り出すための取り
出し電極を設ける必要もなくなると共に、共通電橋自体
の幅を細くすることが可能となり、イメージセンサ全体
の小型化を図ることができる。
Ｃｒから成る複数の個別電極及び一つの共通電極と、各
個別電極の信号取り出し部分でその上から形成されたＡ
ｌのボンディングパッド部と、各個別電極の受光部の領
域で該個別電極の上から形成されたアモルファスシリコ
ン層と、該アモルファスシリコン層の上で上記個別電極
の受光部から共通電極の領域にかけて形成された透明導
電膜と、を含むアモルファスシリコンを使用したイメー
ジセンサにおいて、Ｃｒの共通電極に沿って、該共通電
極の上にＡｌの共通電極部を形成することによりイメー
ジセンサを構成したから、共通電極が従来のａ−３ｉイ
メージセンサの共通電極と同様のＣｒ膜により構成され
た共通電極と、該Ｃｒ膜の共通１穫上に形成されたＡｌ
の共通ｉｉ部とから構成されることになるので、Ｃｒの
比抵抗に比較してＡｌの比抵抗が一指小さく、さらにＡ
ｌの共通電極部がボンディングパッド部１２とほぼ同じ
厚さに形成されることから、Ａｌの共通電極部を含む共
通電極全体の電気抵抗は、従来の共通電極に比較して非
常に低くなり、従って共通電極の長さが長い場合にも各
個別電極に関して取り出される信号のバラツキが小さく
なって、共通電極の中間から信号を取り出すための取り
出し電極を設ける必要もなくなると共に、共通電橋自体
の幅を細くすることが可能となり、イメージセンサ全体
の小型化を図ることができる。
さらに、Ａｌの共通電ｉ部を、Ａｌのボンディングパッ
ド部の形成と同時に形成するようにすれば、特にＡｔの
共通電極部を形成するための特別の工程を備える必要が
な（、Ａｌのボンディングパッド部の形成の際に行うフ
ォトリソグラフィ法も従来とまったく同様に行うことが
できる。
ド部の形成と同時に形成するようにすれば、特にＡｔの
共通電極部を形成するための特別の工程を備える必要が
な（、Ａｌのボンディングパッド部の形成の際に行うフ
ォトリソグラフィ法も従来とまったく同様に行うことが
できる。
第１図は本発明によるアモルファスシリコンを使用した
イメージセンサの一実施例を示す概略平面図、第２図は
第１図のＡ−Ａ線断面図である。 第３図は従来のイメージセンサの一例を示す概略平面図
、第４図は第３図のＢ−Ｂ線断面図である。 １０−・−・イメージセンサ； １１−・・ガラス基板
；１２・・・・−ボンディングパッド部；１２°−・・
・・Ａｌの共通電極部；１３・−・個別電極： １３ａ
−受光部： １４−Ｃｒの共通電極；１ｓ−−−−−
アモルファスシリコン層；１６・・・−透明導電膜。
イメージセンサの一実施例を示す概略平面図、第２図は
第１図のＡ−Ａ線断面図である。 第３図は従来のイメージセンサの一例を示す概略平面図
、第４図は第３図のＢ−Ｂ線断面図である。 １０−・−・イメージセンサ； １１−・・ガラス基板
；１２・・・・−ボンディングパッド部；１２°−・・
・・Ａｌの共通電極部；１３・−・個別電極： １３ａ
−受光部： １４−Ｃｒの共通電極；１ｓ−−−−−
アモルファスシリコン層；１６・・・−透明導電膜。
Claims (5)
- （１）基板上に形成されたＣｒから成る複数の個別電極
及び一つの共通電極と、各個別電極の信号取り出し部分
でその上に形成されたＡｌのボンディングパッド部と、
各個別電極の受光部の領域で該個別電極の上に形成され
たアモルファスシリコン層と、該アモルファスシリコン
層の上で上記個別電極の受光部から共通電極の領域にか
けて形成された透明導電膜と、を含むアモルファスシリ
コンを使用したイメージセンサにおいて、 上記Ｃｒの共通電極に沿って、該共通電極上にＡｌの共
通電極部が形成されていることを特徴とする、上記イメ
ージセンサ。 - （２）前記Ａｌの共通電極部の幅が、前記Ｃｒの共通電
極と同じ幅であることを特徴とする、特許請求の範囲第
１項に記載のイメージセンサ。 - （３）前記Ａｌの共通電極部の幅が、前記Ｃｒの共通電
極の幅より細いことを特徴とする、特許請求の範囲第１
項に記載のイメージセンサ。 - （４）前記Ａｌの共通電極部の幅が、前記Ｃｒの共通電
極の幅の約５０乃至９０％の幅であることを特徴とする
、特許請求の範囲第３項に記載のイメージセンサ。 - （５）前記Ａｌの共通電極部が、前記Ａｌのボンディン
グパッド部の形成と同時に形成されることを特徴とする
、特許請求の範囲第１項乃至第４項の何れかに記載のイ
メージセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61271429A JPS63124563A (ja) | 1986-11-14 | 1986-11-14 | イメ−ジセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61271429A JPS63124563A (ja) | 1986-11-14 | 1986-11-14 | イメ−ジセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63124563A true JPS63124563A (ja) | 1988-05-28 |
Family
ID=17499909
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61271429A Pending JPS63124563A (ja) | 1986-11-14 | 1986-11-14 | イメ−ジセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63124563A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6072265A (ja) * | 1983-09-28 | 1985-04-24 | Fujitsu Ltd | イメ−ジセンサの電極構造 |
| JPS6085558A (ja) * | 1983-10-17 | 1985-05-15 | Fuji Xerox Co Ltd | 原稿読取装置 |
-
1986
- 1986-11-14 JP JP61271429A patent/JPS63124563A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6072265A (ja) * | 1983-09-28 | 1985-04-24 | Fujitsu Ltd | イメ−ジセンサの電極構造 |
| JPS6085558A (ja) * | 1983-10-17 | 1985-05-15 | Fuji Xerox Co Ltd | 原稿読取装置 |
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