JPS6290623A - 強誘電性液晶素子 - Google Patents

強誘電性液晶素子

Info

Publication number
JPS6290623A
JPS6290623A JP60229973A JP22997385A JPS6290623A JP S6290623 A JPS6290623 A JP S6290623A JP 60229973 A JP60229973 A JP 60229973A JP 22997385 A JP22997385 A JP 22997385A JP S6290623 A JPS6290623 A JP S6290623A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid crystal
electrode
substrate
ferroelectric liquid
electrodes
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP60229973A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0685032B2 (ja
Inventor
Akira Tsuboyama
明 坪山
Hiroyuki Kitayama
北山　宏之
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP60229973A priority Critical patent/JPH0685032B2/ja
Priority to US06/918,377 priority patent/US4728176A/en
Publication of JPS6290623A publication Critical patent/JPS6290623A/ja
Publication of JPH0685032B2 publication Critical patent/JPH0685032B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134336—Matrix

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は液晶表示素ｆや液晶−光シヤツター等に用いら
れる液晶素子に関し、さらに詳しくは、強誘電性液晶を
用いた液晶素ｆ−のセル基板りの電極構成に関するもの
である。
し開示の概要］ 木ＩＪｌ細占及び図面は１強請−Ｒ性液晶を用いた液晶
素子において、基板と透明′電極層の間に補助電極を設
けると共に、透明電極層の端部で接合し。
基板面の段差をなくすことにより、液晶を均一な七ノド
メイン配向とし、強誘電性液晶素子−の適正な駆！ｇ特
性が得られるようにしたものである。
「従来の技術」 近年、強誘電性液晶を用いた液晶素子は、その高速応答
性とメモリー性から、高粘細大型ディスプレイへの応用
が考えられている。このようなディスプレイ装置に用い
る場合の構成としては、ストライプ状に形成された走査
電極群とイ、）す電極群とをモ面的に交差させ、その交
差部を画素とするいわゆる単純マトリクス方式がある。
この単純マトリクス方式による液晶素ｆ−は、高精細化
すると電極の幅が狭くなり、電極１う・イン当りの抵抗
値が高くなってしまう。このため、１ライン中において
も電圧値にパラつきが生じ、駆動に必要な適正電圧が各
画素に印加されないという問題点があった。そこで、透
明電極に金属補助電極を、１ジける方法が考えられてい
る。この方法によれば、各電極の抵抗値は下がり、電圧
のバラつきをなくすことができる。
［発明が解決しようとする問題点」 現在、強誘電性液晶のうちで最も実用性が高いと考えら
れているのは、カイラルスメクティックＣ相（ＳＩＩＩ
Ｃつ、■相（Ｓｍ１つ、Ｇ相（ＳｍＧつやＨ相（ＳｍＨ
’）を持つものである。この液晶相は、液晶を保持する
基板に段差があると配向欠陥を生じやすく、均一なモノ
ドメインが得られない。すなわち前述した方法により透
明電極に補助配線を設けると、基板Ｅに段差が生じ、強
誘電性液晶を用いた場合、均一なモノドメインとならず
、適正な駆動特性が得られないという欠点があった。
本発明は前述した従来技術の欠点を除去し、適正な駆動
特性を得ることのできる強誘電性液晶素子を提供するこ
とを目的とするものである。
［問題点を解決するための手段］及び［作用コ本発明の
基本構成を、実施例に対応する第１図を用いて説明する
。第１図は上下液晶基板の断面図である。第１図（ａ）
において、ｌはカラスやブラスチンク了のノ、（仮、２
はアルミニウム、クロム、鉗子のメタルによって形成し
た補助電極、３は５ｉ０２Ｔテ形成した絶縁ｊ１り、４
はＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｈ　ｉ　ｎ−Ｏｘ　ｉｄ　
ｅ　）Ｖで形成したストライブ状透明電極、５はポリイ
ミド、ポリビニルアルコール、ポリアミド笠で形成した
配向制御波１１り、６はスペーサーである。本発明は、
）１板１１１に補助電極２とＳ　ｉ０２笠の絶縁ＩＩｔ
２３を交ｒにに形成して北面をモ坦とし、さらにこのＬ
にストライプ状透明電極４を形成して、このストライブ
状透明電極４の一端と前記補助電極２とを接合（電気的
接続）させたものである。ポリイミド被＋＋ｑ　５はさ
らにこの基板りに一様に形成され、ストライブ状透明電
極４相Ｍ　１ｉｉｌの四部はスペーサー６によってカバ
ーされる。このように、　？ｌ［ｉ助゛市様相虻間の段
差を絶縁Ｈりによって埋め、配向面をモ坦とすることに
よって、均一なモノドメイン配向を得ることができる。
この際、モノドメイン配向を得るにでラビング処理など
の・軸性配向処理が前述の配向制御波１１λ５に施され
る。
「実施例」 本発明の実施例を第１図と共に説明する。第１図は前述
したように上下液晶基板の断面図で、（ａ）、　（ｂ）
共、ストライプ状電極に直交する線における断面図を示
したものである。第１図（ａ）はスペーサー６を配置し
たスペーサー基板、（ｂ）はスペーサー基板と対向する
側の平面基板である。
実施例１ カラス７Ｊ、（板ｌにＡｊ？を膜厚２００ＯＡで全面に
蒸着した。このＡＩ！層によって２５０ｇｍピッチ・幅
３ｏＪＬ＋８のストライブ状補助電極２を形成するため
、へ２層−１−にフォトレジスト剤を５０００Ａ　塗布
し、所望のパターニング露光後、エツチングを行いスト
ライプ状の補助電極２を形成した。この時点では電極」
二に５００ＯＡのレジスト剤が残されている。次に、そ
のにからＥＢ蒸、？７法によりＳ　ｉ０２膜２００ＯＡ
を形成し、さらにエンチング液によってレジスト剤をリ
フトオフして絶縁膜３を形成した。υ上の工程によって
補助電極２と絶縁膜３の膜厚の差はなくなり、基板上は
Ｖ川となる。
次に、ストライプ状のｒＴＯ電極（２５０ｇ山ピッチ、
幅２３０μｍ）４を形成するため、補助電極２の上層全
体にＩＴＯをＥ看し、次いで補助電極端とＩＴＯ電極端
が一致するように、　ＩＴＯ電極のバターニングをエツ
チングにより行った。さらに、その上層に液晶配向用の
ポリイミド被ｎ！２５　（１０００Ａ　）をスピーナー
塗布により形成し、硬化後電極にモ行なストライプ状の
スペーサー６を形成した。スペーサーは１．２　ＪＬｍ
の高さでポリイミドで作製し、電極間の段差をうめるた
めに、電極間の間隙に配置した。以りのように作製され
た基板には。
従来に比べ急激な段差はない。
一方、スペーサー基板に対向する平面ノ、（板の）、（
本構造は、前記スペーサー基板の場合と同様であるが、
ＩＴＯｉｔ！、極１４の間隙に生じる段差を埋めるため
に５ｉ０２を基板全体に１０００　Ａ　蒸４した。この
Ｓ　ｉ０２による絶縁層１６を設けることにより基板間
の絶縁性も著しく改Ｈされた。さらに、この絶縁層１６
の上層にスペーサー基板と同様にポリイミド被膜１５を
１００ＯＡのＩＩり厚で形成した。
次に、この２枚の基板をラビング処理し、内基板の電極
がＷにモ面的に直交し、ラビング方向かがいにモ行とな
るようにセル組みした。このようにして作製された液晶
セルに、以Ｆに示す３成分からなる強誘電性液晶を封入
した。
ＣＨ。
ＣＨ。
ＣＨ。
偏光ＷＪ微鏡による相観察から、　　Ｊ二足３成分混合
液晶の５ｒａＣ”相の温度範囲は４〜３５℃であった。
この３成分混合液晶を前記液晶セルに封入、封止後、笠
方相まで昇温し、０．５°Ｃ／ｈで徐冷することにより
、配向処理を行った。液晶セルを顕微鏡で観察すると配
向欠陥の非常に少ないモノドメインが得られた。また、
液晶はこのセル厚で、第・と第二の安定状態を持つ双安
定性を示した。
さらに、このセルの基板端から導線を引き出し、各画）
３にパルス電圧印加して前記二状態の反転を行ったとこ
ろ、１　ｍ５ｅｃで±１８Ｖの電圧で反転できた。
このように、各画素は一定電圧で一様に反転し、■ライ
ン中での電圧のばらつきが実用りないことが確認された
。
実施例２ 液晶材料として以下に示すＤＯＢＡＭＢ（１：を封入し
、それ以外はすべて前記実施例１と同様の実験を行った
ところ、七分均−なモノドメイン配向を得ることができ
た。また、反転に必要な駆動電圧は１　ｍ５ｅｃで±１
６Ｖであり、前記実施例１と同様に良好な駆動特性が得
られた。
比較例１ 液晶セルの基板を第２図のように構成した。すなわち、
ガラス基板２１上にＩＴＯ電Ｍ１２４を形成し。
このｌ−に補助電極２２に形成した。前記実施例で用い
た膜厚２００ＯＡの５ｉｆｌ；＋からなる絶縁膜は構成
から除き、電極上にポリイミド被ＩＱ　２５、スペーサ
ー２６を順に形成した。第２図は従来例に相当するもの
であり、このような構成にすると基板面の段差か顕著と
なり、段差部分から液晶の配向欠陥が起こりやすくなる
。この比較例では、上記基板からセルを作製し、前記し
た３成分混合液晶をＪ’−）人した。このセルを用いて
前記実施例と同様な実験を行ったことろ、段差からジグ
ザグの配向欠陥が走り、この欠陥から双安定性が崩れ、
反転後、すぐに元の安定状態に戻ることが観察された。
［発明の効果Ｊ 以１−説明したように、本発明によれば補助配線による
基板」二の段差をなくし、均・なモノドメイン配向とす
ることができ、強誘電性液晶を用いた場合でも適正な駆
動特性を得ることかできる。
【図面の簡単な説明】
第１図は実施例を示す基板断面図、第２図は比較例を示
す基板断面図である。 １．１１．２１・・・）、（板、２，１２．２２・・・
補助電極、３　、１３．１６・・・絶縁膜、 ４．１４．２４・・・ストライプ状透明電極、５．１５
．２５・・・配向制御？ＩＩ＋公、６．２６・・・ヌペ
ーサー。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）透明電極が形成された二枚の基板間に、強誘電性
    液晶を挟持してなるセル構造の液晶素子において、前記
    基板と透明電極層の間に補助電極が形成され、前記透明
    電極層の端部で接合していることを特徴とする強誘電性
    液晶素子。
  2. （２）前記強誘電性液晶がスメクティックＣ相であるこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の強誘電性液
    晶素子。
JP60229973A 1985-10-17 1985-10-17 カイラルスメクティック液晶素子 Expired - Fee Related JPH0685032B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60229973A JPH0685032B2 (ja) 1985-10-17 1985-10-17 カイラルスメクティック液晶素子
US06/918,377 US4728176A (en) 1985-10-17 1986-10-14 Ferroelectric liquid crystal device with metallic auxiliary electrodes provided adjacent to the transparent electrodes

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60229973A JPH0685032B2 (ja) 1985-10-17 1985-10-17 カイラルスメクティック液晶素子

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6290623A true JPS6290623A (ja) 1987-04-25
JPH0685032B2 JPH0685032B2 (ja) 1994-10-26

Family

ID=16900605

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60229973A Expired - Fee Related JPH0685032B2 (ja) 1985-10-17 1985-10-17 カイラルスメクティック液晶素子

Country Status (2)

Country Link
US (1) US4728176A (ja)
JP (1) JPH0685032B2 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62100739A (ja) * 1985-10-29 1987-05-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示装置
JPH0263019A (ja) * 1988-08-30 1990-03-02 Canon Inc 光学変調素子
JPH0869006A (ja) * 1995-07-14 1996-03-12 Canon Inc 電極基板及び液晶素子
WO2011111650A1 (ja) * 2010-03-09 2011-09-15 太陽誘電株式会社 導体構造、透明デバイス及び電子機器

Families Citing this family (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4775225A (en) * 1985-05-16 1988-10-04 Canon Kabushiki Kaisha Liquid crystal device having pillar spacers with small base periphery width in direction perpendicular to orientation treatment
US5000545A (en) * 1987-05-28 1991-03-19 Canon Kabushiki Kaisha Liquid crystal device with metal electrode partially overlying transparent electrode
US4932758A (en) * 1987-09-17 1990-06-12 Canon Kabushiki Kaisha Ferroelectric smectic liquid crystal device having a bistable alignment state providing two stable orientation states
US5422749A (en) * 1987-09-17 1995-06-06 Canon Kabushiki Kaisha Ferroelectric smetic liquid crystal device
US5200848A (en) * 1987-09-17 1993-04-06 Canon Kabushiki Kaisha Ferroelectric smectic liquid crystal device
JPH01179915A (ja) * 1988-01-11 1989-07-18 Canon Inc 液晶素子
JP2694229B2 (ja) * 1988-03-07 1997-12-24 株式会社 半導体エネルギー研究所 電気光学装置用電極の作製方法
US5212575A (en) * 1988-08-30 1993-05-18 Canon Kabushiki Kaisha Functional substrate for controlling pixels
US5132816A (en) * 1989-02-02 1992-07-21 Sharp Kabushiki Kaisha Ferroelectric liquid crystal device and method of manufacturing the same
US5162901A (en) * 1989-05-26 1992-11-10 Sharp Kabushiki Kaisha Active-matrix display device with added capacitance electrode wire and secondary wire connected thereto
US5282068A (en) * 1990-11-08 1994-01-25 Canon Kabushiki Kaisha Liquid crystal display with opaque insulating layer and metal layer at and wider than inter-electrode gap and method of manufacturing
JP2622033B2 (ja) * 1991-01-14 1997-06-18 シャープ株式会社 液晶表示装置
JP2775527B2 (ja) * 1991-02-01 1998-07-16 キヤノン株式会社 カイラルスメクチック液晶素子
JPH04258924A (ja) * 1991-02-13 1992-09-14 Canon Inc カイラルスメクチック液晶素子およびその製造方法
JPH05150244A (ja) * 1991-02-20 1993-06-18 Canon Inc 強誘電液晶素子
US5420603A (en) * 1991-02-20 1995-05-30 Canon Kabushiki Kaisha Display apparatus
JP2835787B2 (ja) * 1991-03-22 1998-12-14 キヤノン株式会社 強誘電性液晶素子
JP2737032B2 (ja) * 1991-03-28 1998-04-08 キヤノン株式会社 液晶セル
JP2794226B2 (ja) * 1991-04-15 1998-09-03 キヤノン株式会社 強誘電性液晶素子の駆動装置および駆動方法
EP0509490A3 (en) * 1991-04-16 1993-05-26 Canon Kabushiki Kaisha Liquid crystal apparatus
JP2847331B2 (ja) * 1991-04-23 1999-01-20 キヤノン株式会社 液晶表示装置
JP2952075B2 (ja) * 1991-06-12 1999-09-20 キヤノン株式会社 液晶素子の製造法
US5285304A (en) * 1992-01-24 1994-02-08 Canon Kabushiki Kaisha Ferroelectric liquid crystal device having spacers including the thermosetting adhesive particles and the thermoplastic polymer particles
US5467209A (en) * 1992-01-24 1995-11-14 Canon Kabushiki Kaisha Ferroelectric liquid crystal device with particular layer thicknesses at non-pixel portions and pixel portions
DE69320073T2 (de) * 1992-01-24 1999-02-25 Canon Kk Verfahren zur Behandlung einer chiralen smektischen Flüssigkristallvorrichtung
EP0622655A3 (en) * 1993-04-22 1995-09-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd Display device, control method, and projection display device using the same.
US5515191A (en) * 1994-05-31 1996-05-07 Motorola, Inc. Liquid crystal display having enhanced conductors and adhesive spacers
EP0740184A3 (en) * 1995-04-28 1998-07-29 Canon Kabushiki Kaisha Liquid crystal device, process for producing same and liquid crystal apparatus
JP3458562B2 (ja) 1995-10-12 2003-10-20 株式会社日立製作所 液晶表示装置及びその製造方法
JPH09127494A (ja) * 1995-11-06 1997-05-16 Sharp Corp 液晶表示装置およびその製造方法
JP3305212B2 (ja) * 1995-11-09 2002-07-22 キヤノン株式会社 液晶素子用の基板、液晶素子、およびそれらの製造方法
US5717475A (en) * 1996-01-30 1998-02-10 Canon Kabushiki Kaisha Electrode substrate, process for producing the substrate, liquid crystal device and process for producing the device
US6072555A (en) * 1996-02-01 2000-06-06 Canon Kabushiki Kaisha Display apparatus capable of gradational display
JPH1068923A (ja) * 1996-06-17 1998-03-10 Canon Inc 液晶素子及びそれを用いた液晶装置
US6008877A (en) * 1996-11-28 1999-12-28 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display having multilayered electrodes with a layer adhesive to a substrate formed of indium tin oxide
US6184962B1 (en) * 1997-03-05 2001-02-06 Canon Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device with visible peripheral non-display region having masking sub-electrodes
JPH117035A (ja) * 1997-04-23 1999-01-12 Sharp Corp 液晶表示装置及びその製造方法
US5986391A (en) * 1998-03-09 1999-11-16 Feldman Technology Corporation Transparent electrodes
US6037005A (en) * 1998-05-12 2000-03-14 3M Innovative Properties Company Display substrate electrodes with auxiliary metal layers for enhanced conductivity
GB0029315D0 (en) * 2000-12-01 2001-01-17 Koninkl Philips Electronics Nv Method of increasing the conductivity of a transparent conductive layer
US6705708B2 (en) * 2001-02-09 2004-03-16 Seiko Espon Corporation Piezoelectric thin-film element, ink-jet head using the same, and method for manufacture thereof
JP4182329B2 (ja) * 2001-09-28 2008-11-19 セイコーエプソン株式会社 圧電体薄膜素子およびその製造方法、ならびにこれを用いた液体吐出ヘッド及び液体吐出装置
DE202007019511U1 (de) 2007-06-25 2013-03-14 Gala Industries, Inc. Gerät zur Herstellung von Polymerpellets enthaltend flüchtige organische Stoffe und/oder flüchtige organische Stoffe erzeugendes Material
US9259857B2 (en) 2008-02-12 2016-02-16 Gala Industries, Inc. Method and apparatus to condition polymers utilizing multiple processing systems
US8080196B2 (en) * 2008-02-12 2011-12-20 Gala Industries, Inc. Method and apparatus to achieve crystallization of polymers utilizing multiple processing systems
KR101500684B1 (ko) * 2008-04-17 2015-03-10 삼성디스플레이 주식회사 캐리어 기판 및 이를 이용한 가요성 표시 장치의 제조 방법
US9815223B2 (en) 2008-05-16 2017-11-14 Gala Industries, Inc. Method and device for extrusion of hollow pellets
CN105058616A (zh) 2008-05-16 2015-11-18 戈拉工业公司 空心颗粒的挤出方法和设备

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5548935A (en) * 1978-10-03 1980-04-08 Sharp Corp Forming of electrode pattern
JPS5614282A (en) * 1979-07-17 1981-02-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd Matrix liquid crystal display panel

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4561726A (en) * 1983-07-29 1985-12-31 At&T Bell Laboratories Alignment of ferroelectric LCDs
US4634228A (en) * 1984-05-01 1987-01-06 Hitachi, Ltd. Ferroelectric liquid crystal cell with rubbed polyimide alignment layer
US4556727A (en) * 1984-07-18 1985-12-03 University Patents, Inc. Ferroelectric smectic liquid crystals
US4707078A (en) * 1985-04-26 1987-11-17 American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories Ferroelectric liquid crystal devices using field-stabilized states
JPS61249019A (ja) * 1985-04-26 1986-11-06 Canon Inc 液晶素子

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5548935A (en) * 1978-10-03 1980-04-08 Sharp Corp Forming of electrode pattern
JPS5614282A (en) * 1979-07-17 1981-02-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd Matrix liquid crystal display panel

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62100739A (ja) * 1985-10-29 1987-05-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示装置
JPH0263019A (ja) * 1988-08-30 1990-03-02 Canon Inc 光学変調素子
JPH0869006A (ja) * 1995-07-14 1996-03-12 Canon Inc 電極基板及び液晶素子
WO2011111650A1 (ja) * 2010-03-09 2011-09-15 太陽誘電株式会社 導体構造、透明デバイス及び電子機器
JP5503729B2 (ja) * 2010-03-09 2014-05-28 太陽誘電株式会社 導体構造、透明デバイス及び電子機器
US8889998B2 (en) 2010-03-09 2014-11-18 Taiyo Yuden Co., Ltd. Conductor structure, transparent device, and electronic device

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0685032B2 (ja) 1994-10-26
US4728176A (en) 1988-03-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS6290623A (ja) 強誘電性液晶素子
JPH0668589B2 (ja) 強誘電性液晶素子
TWI225959B (en) Liquid crystal display
US5406398A (en) Liquid crystal injection method using dummy electrodes
JPS63110425A (ja) 液晶封入用セル
JPH09127495A (ja) 液晶表示装置
JPH09127494A (ja) 液晶表示装置およびその製造方法
JP3078573B2 (ja) 液晶電気光学装置
JP2835787B2 (ja) 強誘電性液晶素子
JPH0146854B2 (ja)
JPS62160424A (ja) 強誘電性液晶素子
JPH04170519A (ja) 平面ディスプレー用配線およびその形成方法と液晶ディスプレー用非線形抵抗素子
JPH0519267A (ja) 液晶表示素子
JPS63225224A (ja) 電気光学装置
KR100294196B1 (ko) 평활막을구비한액정표시소자및그형성방법
JPH06167711A (ja) 強誘電性液晶素子
JP2520604B2 (ja) 液晶素子及びその製造方法
JPS62100739A (ja) 液晶表示装置
JP2794198B2 (ja) 非線形抵抗素子及びこれを用いた液晶素子
JP2730979B2 (ja) 液晶表示器
KR20020037478A (ko) 강유전성 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
JPH0338573B2 (ja)
JP3361213B2 (ja) 液晶表示装置の製造方法
JPH0532830Y2 (ja)
JPH10161141A (ja) 液晶表示装置およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees