JPH0263019A - 光学変調素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の分野〕 本発明は、表示パネルのための光学変調素子に関し、詳
しくは走査電極群と信号電極群をマトリクス状に構成し
、その間に配置した液晶を選択的に変調させることによ
って表示を行う液晶表示素子に関するものである。

〔従来技術〕

従来より走査電極群と信号電極群をマトリクス状に構成
し、その電極間に液晶化合物を充填し、多数の画素を形
成して、画像或いは情報の表示を行う液晶表示素子はよ
く知られている。このような表示素子の駆動法としては
、走査電極群に順次周期的にアドレス信号を選択印加し
、信号電極群には所定の情報信号をアドレス信号と同期
させて並列的に選択印加する時分画駆動が採用されてい
る。

近年、液晶表示装置を大画面化するために、例えば米国
特許第４，３６７．９２４号公報、米国特許第４，６３
９，０８９号公報などで開示された表面安定型強誘電性
液晶素子を用いることが進められている。大画面化に伴
って、マトリクス電極の走査電極と信号電極の長さが飛
躍的に長くなり、印加電圧の遅延効果が大きな問題点と
なっていた。

在来のＴＮ（ツィステッド・ネマチック）液晶素子やＳ
ＴＮ　（スーパー・ツィステッド・ネマチック）液晶素
子では、周期的な駆動電圧印加によるマルチブレクシン
グ駆動（つまり、複数のフレーム走査で高コントラスト
な一画面を形成）が採用されているため、上述した印加
電圧の遅延効果による表示品位の低下は、はとんど問題
にする程のことではなかったが、強誘電性液晶素子の場
合では、−フレーム走査で高コントラストな一画面を形
成する必要があるために、上述した印加電圧の遅延効果
は大きな問題点となっていた。又、かかる遅延効果に付
随して配線抵抗に伴う発熱を生じ、セル内に温度分布の
不均一性を惹き起し、このためやはり表示品位が低下し
ていた。

上述の理由から強誘電性液晶素子を大画面パネルに適用
する際には、印加電圧の遅延効果を抑制又は解消するた
めに、走査電極と信号電極の長さ方向に金属膜又は合金
膜を接触させて配線する方法が採用されていた。又、走
査電極と信号電極を肉厚の透明電極とすることによって
、上述の遅延効果を抑制する場合では、明状態の透過率
を低下させ、このため低コントラストで低輝度の画面と
なっていた。

ところで、前掲の米国特許公報で明らかにしている様に
、表面安定型強誘電性液晶素子を実現するに当って、基
板間の間隔が強誘電性スメクチック液晶の固有らせん配
列構造を抑制し、双安定性配向状態を発現させるのに十
分に小さい距離、通常０．１μｍ〜３μｍ程度の距離に
設定されている必要がある。

本発明者らの実験によれば、表面安定型強誘電性液晶素
子を大画面パネルに適用した際に用いた印加電圧の遅延
効果、抑制用低抵抗導電膜の膜厚を０．１μｍ以上、好
ましくは０．５μｍ以上の肉厚状とすることによって、
遅延効果による表示品位の低下を改善できることが判明
した。

しかしながら、上述した肉厚の低抵抗導電膜を透明電極
に接触させて配線すると、かかる配線部が上下基板間で
ショートする危険性が増大する問題点が発生した。表示
画面において、ただ１つのショート個所が存在するだけ
で、その表示欠陥が観察者に判るため、表示品位の上で
大きな問題点となるものである。

また強誘電性液晶素子では、液晶分子を所定方向に配列
させるために、基板表面に対してラビング処理を施すが
、この時に低抵抗導電膜の突出した部分が剥離を起す現
象も生じる問題点があった。

〔発明の概要〕

そこで、本発明の目的は、前述の問題点を解決した光学
変調素子を提供することにあり、特にショート発生を抑
制した大画面パネルのための表面安定型強誘電性液晶素
子を提供することにある。

すなわち本発明は、第１の電極部を設けた第１の基板、
第２の電極部を設けた第２の基板及び該第１と第２の基
板との間に配置した光学変調物質を有する光学変調素子
において、前記第１の電極部及び第２の電極部の少なく
とも一方が、絶縁膜上に形成した透明導電膜及び該絶縁
膜下に形成され、且つ該透明導電膜と電気的に接続され
た低抵抗導電膜を有する光学変調素子に特徴を有してい
る。

〔発明の態様の詳細な説明〕

第１図は本発明で用いた基板の断面図で、第２図はその
斜視図である。図中、１４は基板で、ガラス板やプラス
チック板などが用いられる。１１は透明導電膜（例えば
、インジウムオキサイド、ティンオキサイド、インジウ
ム−ティン−オキサイド；ＩＴＯ）で形成した１００Ａ
〜５０００人厚の透明電極で、マルチブレクシング駆動
では走査電極又は信号電極として用いられる。この透明
電極１１は、基板１４上に形成した絶縁膜１３上に設け
られている。

さらに本発明では、基板１４上にアルミニウム、クロム
、金、銀、銅、モリブデン、タングステンなどの金属又
はその合金の真空装着やスパッタリング法による導電膜
で形成した低抵抗電極１２が設けられている。この低抵
抗電極１２は、絶縁膜１３に形成したスルーホールを介
して透明電極１１の長手方向と電気的に接続されている
。

この際、低抵抗電極１２は、隣り合う透明電極１１間に
、電極間の間隔を覆って配置されていることにより、遮
光膜としても機能することができる。

透明電極１１間（非画素部に相当する）の強誘電性液晶
は、印加電圧によって液晶分子の配向方向を制御するこ
とができないため、初期配向時の配向状態がそのまま維
持されている。従って、強誘電性液晶の初期配向状態で
は、液晶分子が２つの異なる分子軸に配向しているため
に、明のドメインと暗のドメインとが混在し、このため
光もれを生じる問題点があったが、上述した遮光機能を
持たせた低抵抗電極１２を用いることによって、かかる
問題点は解決された。さらに、従来の接続法と比較して
も有効表示面積を低下させることがない。

本発明で用いた低抵抗電極１２は、大画面パネルで前述
した印加電圧の遅延効果を十分に抑制するために、０．
１μｍ以上、好ましくは０．５μｍ〜５μｍ程度の膜厚
とするのがよい。又、低抵抗電極１２の表面には、反射
防止処理を施すことができ、画素間（非画素部）からの
反射光を防止することができる。

又、絶縁膜１３のスルーホールを通して低抵抗電極１２
と透明電極１１とが電気的に接続させる際、その接触幅
は、できる限り大きい方がよいが、透明電極１１がスト
ライブ形状で配線されている場合で、約１０μｍ幅程度
でよい。

絶縁膜１３は、ポリアミド、ポリイミド、ポリビニルア
ルコール、ポリウレタン、ポリカーボネート、シリコン
樹脂系等の有機樹脂や、Ｓｉ　３　Ｎ　４、ＳｉＯ３、
ＳｉＯ，％Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ３等の無機膜をスピン
ナーコートやロールコート等の塗布法で、あるいは蒸着
法によって設けることができる。

本発明の好ましい具体例では、被膜形成後の絶縁膜１３
が低抵抗電極１２に対してレベリングされているのがよ
い。このためには、低抵抗電極１２が存在しない基板１
４上に被膜される絶縁膜１３の膜厚を低抵抗電極１２の
膜厚に対して１．５倍以上、好ましくは２〜１０倍程度
に設定することによって、基板１４上に被膜された絶縁
膜１３の膜厚を全面に亘ってレベリングすることができ
る。この際の成膜法としては、前述の有機樹脂をスピン
ナーコートやロールコートによる方法が適している。

又、この絶縁膜１３には、絶縁膜１３上の透明電極１１
と絶縁膜１３下の低抵抗電極１３との電気的接続を可能
にするスルーホールが形成されている。

第２図の１５は、対向基板（図示せず）に設けた対向電
極で、この対向電極１５と透明電極１３との交差部が画
素領域となる。

第１図及び第２図に示す電極基板１には、例えば、−酸
化硅素、二酸化硅素、酸化アルミニウム、ジルコニア、
フッ化マグネシウム、酸化セリウム、フッ化セリウム、
シリコン窒化物、シリコン炭化物、ホウ素窒化物などの
無機絶縁物質やポリビニルアルコール、ポリイミド、ポ
リアミドイミド、ポリエステルイミド、ポリパラキシレ
リン、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリビニルア
セクール、ポリ塩化ビニル、ポリアミド、ポリスチレン
、セルロース樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂やアクリ
ル樹脂などの有機絶縁物質を用いて被膜形成した配向制
御膜を設けることができる。

この配向制御膜は透明電極１１上に設けた別の５００λ
〜ｌｕｍ厚の絶縁膜の上に形成することも可能である。

この配向制御膜は、前述の如き無機絶縁物質又は有機絶
縁物質を被膜形成した後に、その表面をビロード、布や
紙で一方向にラビングすることによって得られる。

本発明の別の好ましい具体例では、ＳｉＯやＳ　ｉＯ２
などの無機絶縁物質を電極基板ｌの上に斜め蒸着法によ
って被膜形成することによって、配向制御膜を得ること
ができる。

上述した配向制御膜は、一般に１０人〜１μｍ厚で形成
することができるが、透明電極１１の上に直接設ける場
合では５００λ〜１μｍ厚とし、又、透明電極１１の上
に別途設けた絶縁膜上に形成する場合では１０λ〜５０
０人厚程度がよい。

第３図は、本発明で用いたカラー電極基板３の断面図で
ある。第３図のカラー電極基板３は、基板１４の上に青
カラーフィルター３１Ｂ、赤カラーフィルター３１Ｒと
緑カラーフィルター３１Ｇが設けられており、隣り合う
カラーフィルター３１間には、前述した低抵抗電極１２
が配置されている。カラーフィルター３１と低抵抗電極
の上には、前述と同様に絶縁膜１３が設けられているが
、この絶縁膜１３はカラーフィルター３１に対する保護
膜としても機能することができる。そして、前述と同様
に低抵抗電極１２は、絶縁膜１３に形成したスルーホー
ルを介して透明電極１１と電気的に接続されている。又
、カラー電極基板３にも、やはり前述した配向制御膜を
設けることができる。

カラーフィルター３１は、０．１μｍ〜５μｍ厚、好ま
しくは０，５μｍ〜２μｍ厚で形成され、特に樹脂中に
顔料や染料を分散させて形成したものがよい。この際の
樹脂材料としては、ゼラチン、カゼイン、グリユー、ポ
リビニルアルコール、ポリイミド、ポリアミドイミド、
ポリエステルイミド、ポリパラキシリレン、ポリエステ
ル、ポリカーボネート、ポリビニルアセタール、ポリ塩
化ビニル、ポリ酢酸ビニル、ポリアミド、ポリスチレン
、セルロース樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂、アクリ
ル樹脂、エポキシ樹脂および感光性ポリイミドフォトレ
ジスト、感光性ポリアミドフォトレジスト、環化ゴム系
フォトレジスト、フェノールノボラック系フォトレジス
トあるいは電子線フォトレジスト［（メタ）アクリレー
ト（モノマー、オリゴマー、プレポリマー）、エポキシ
化−１，４−ポリブタジェン等〕等から好ましく選択す
ることができる。又、この際に用いる顔料や染料として
は、アゾ系、アントラキノン系、フタロシアニン系、キ
ナクリドン系、イソインドリノン系、ジオキサジン系、
ペリレン系、ペリノン系、チオインジゴ系、ピロコリン
系、フルオルビン系、キノフタロン系等を挙げることが
できる。

又、カラー電極基板３で用いる絶縁膜１３は、保護膜と
しての機能を併せ持つ必要性から、特にポリアミド、ポ
リイミド、ポリウレタン、ポリカーボネート、シリコン
樹脂系等の有機樹脂やＳ！３Ｎ４．５ｊ０２．５ｉＯＳ
ＡＡ’２０３、Ｔａ２０５等の無機膜をスピンナーコー
ト、ロールコート等の塗布法で、あるいは蒸着法によっ
て成膜したものを選択するのがよい。

第４図は、本発明の液晶素子を示す断面図である。

第４図に示す液晶素子は２枚の電極基板ＩＡとＩＢとの
間に双安定性配向状態の表面安定型強誘電性液晶４２が
配置されており、２枚の電極基板ＩＡとＩＢとの間隔は
、バルク状態下でらせん配列構造の配向状態を生じる強
誘電性液晶のらせん配列構造を抑制又は消失させるのに
十分に小さい距離、例えば０．１μｍ〜３μｍに設定さ
れている。この小さい距離の間隔は２枚の電極基板ＩＡ
とＩＢとの間に配置したシリカビーズ、アルミナビーズ
、ガラスファイバー、プラスチックビーズなどのスペー
サ材４４によって保持される。

２枚の電極基板ＩＡとＩＢは、第１図に示す様にそれぞ
れ基板１４Ａと１４Ｂ、絶縁膜１３Ａと１３Ｂ１低抵抗
電極１２Ａと１２Ｂ、透明電極１１ＡとＩＩＢ（透明電
極１１ＡとＩＩＢはそれぞれストライプ状に形成され、
互いに９０°の角度で交差したマトリクス電極となって
いる）、配向制御膜４１Ａと４１Ｂが設けられている。

電極基板ｌＡとＩＢに設けた配向制御膜４１Ａと４１Ｂ
に形成した配向処理軸は、互いに平行方向とするのがよ
い。この際の配向処理軸は、前述したとおりラビング処
理や斜方蒸着処理などの一軸性配向処理によって付与さ
れる。

又、液晶分子の配向変調を光学的に検知するために、２
枚の電極基板ＩＡとＩＢとの両側にはそれぞれ偏光子４
３Ａと４３Ｂがクロスニコルで配置されている。

第５図は、強誘電性液晶の動作説明のために、セルの例
を模式的に描いたものである。５１Ａと５１Ｂは、Ｉｎ
２０２．５ｎ０２あるいはＩＴＯ等の薄膜からなる透明
電極で被覆された基板（ガラス板）であり、その間に液
晶分子層５２がガラス面に垂直になるよう配向したＳｍ
Ｃ本（カイラルスメクチックＣ）相又はＳｍＨ＊（カイ
ラルスメクチックＨ）相の液晶が封入されている。太線
で示した線５３が液晶分子を表わしており、この液晶分
子５３はその分子に直交した方向に双極子モーメント（
Ｐ土）５４を有している。基板５１Ａと５１Ｂ上の電極
間に一定の閾値以上の電圧を印加すると、液晶分子５３
のらせん構造がほどけ、双極子モーメント（Ｐ±）５４
がすべて電界方向に向くよう、液晶分子５３は配向方向
を変えることができる。液晶分子５３は、細長い形状を
有しており、その長軸方向と短軸方向で屈折率異方性を
示し、従って例えばガラス面の上下に互いにクロスニコ
ルの偏光子を置けば、電圧印加極性によって光学特性が
変わる液晶光学変調素子となることは、容易に理解され
る。

本発明の光学変調素子で好ましく用いられる双安定性配
向状態の表面安定型強誘電性液晶セルは、その厚さを充
分に薄く（例えば０．１μｍ〜３μｍ）することができ
る。このように液晶層が薄くなるにしたがい、第６図に
示すように電界を印加していない状態でも液晶分子のら
せん構造がほどけ、非らせん構造となり、その双極子モ
ーメントＰまたはＰ′　は上向き（６４Ａ）又は下向き
（６４Ｂ）のどちらかの状態をとる。このようなセルに
、第６図に示す如く一定の閾値以上の極性の異る電界Ｅ
ａ又はＥｂを電圧印加手段６１Ａと６１Ｂにより付与す
ると、双極子モーメントは、電界Ｅａ又はＥｂの電界ベ
クトルに対応して上向き６４Ａ又は下向き６４Ｂと向き
を変え、それに応じて液晶分子は、第１の安定状態６３
Ａあるいは第２の安定状態６３Ｂの何れか一方に配向す
る。

この強誘電性液晶セルによって得られる効果は、その第
１に、応答速度が極めて速いことであり、第２に液晶分
子の配向が双安定性を有することである。第２の点を、
例えば第６図によって更に説明すると、電界Ｅａを印加
すると液晶分子は第１の安定状態６３Ａに配向するが、
この状態は電界を切っても安定である。又、逆向きの電
界Ｅｂを印加すると、液晶分子は第２の安定状態６３ｂ
に配向してその分子の向きを変えるが、やはり電界を切
ってもこの状態に留っている。又、与える電界Ｅａが一
定の閾値を越えない限り、それぞれの配向状態にやはり
維持されている。

本発明で用いる強誘電性液晶としては、各種のものを挙
げることができるが、一般に降温過程においてコレステ
リック相とスメクチックＡ相を生じる温度範囲をもつカ
イラルスメクチック液晶が好ましい。具体的には、チッ
ソ社製ｒＣ３−１０１１Ｊ、ｒｃｓ−１０１４Ｊ、ｒＣ
８−１０１７やｒＣ８−１０１８Ｊ　（何れも商品名）
などが用いられる。

以下、本発明を実施例に従つて説明する。

〔実施例１〕 本発明の一実施例を第１図に従って説明する。図におい
てガラス板より成る基板１４の上にスパッタリング法に
より１．０μｍ厚のＡｌ１（アルミニウム）を成膜後、
３０μｍ巾にパターニングすることで遮光機能をもつ低
抵抗電極１２を形成した。次に、感光性ポリイミドｒ、
ＰＩ−３００Ｊ　（宇部興産（株）社製商品名）をスピ
ンナーコートにより基板上全面に２．０μｍ厚で塗布し
た後、マスク露光をし、Ａｌパターン上で１０μｍ巾の
スルーホールとなるようにパターニングを行い絶縁膜１
３とした。また、絶縁膜１３のパターン端部は透明電極
１１が断線を起す危険があるため、テーパー形状を成し
ているのが望ましく　、ＰＩ−３００のパターニングの
工程中でリンス液ＰＲＩ−１２７（宇部興産（株）社製
商品名）により処理することで、テーパー形状を形成し
た。透明電極１１は、スパッタリング法によりＩＴＯを
０．１μｍ厚で成膜後、２８０μｍ中にパターニングし
た。こうしてできた電極の抵抗値を調べてみたところ、
パターン長１ｃｍあたりの抵抗値が約１０Ωであり、２
８０μｍ中のＩＴＯパターンのみの抵抗値約ＩＫΩにく
らべておよそ１００分の１となっていた。第１図の基板
上に、さらに絶縁層（図示せず）としてＳｉＯ２をスパ
ッタリング法により５００人厚で成膜し、その上に配向
制御膜（図示せず）としてポリイミドを印刷法により１
００人厚で塗布し、これにラビング処理を施した。対向
基板も同構成とし、側基板間に１．５μｍ径のシリカビ
ーズを散布した後、ラビング方向が同一方向となる様に
はり合わせ、液晶として強誘電性液晶ｒｃｓ１０１４Ｊ
　（チッソ（株）社製商品名）をセル内に注入した。こ
うして作成したセルを一対のクロスニコル状態の偏光子
間に置き、バックライト上で観察しながら、電極に信号
を印加したところショート個所が全（なかった。又、画
素への印加信号の波形なまりがほとんどなく、しかも表
示品位を低下させる原因となる画素間のもれ光が低抵抗
電極１２によって完全に遮光されているために、表示性
能の著しい向上が認められた。また、長時間セルに信号
を印加した時のセル内部の温度ムラを調べたところ、電
極をＩＴＯのみで形成したセルにくらべて大きく改善さ
れていた。

〔実施例２〕 本発明の別な実施例としてカラー液晶セルに利用した例
を第３図に従って説明する。ガラス板から成る基板１４
上にスパッタリング法により１．０μｍ厚のＡｉ！（ア
ルミニウム）を成膜し、３０μｍ巾にパターニングし、
遮光機能をもつ低抵抗電極１２を形成した。カラーフィ
ルター３１として、感光性ポリアミドｒＰＡ−１０００
ＣＪ　（宇部興産（株）社製商品名）に色素として顔料
を分散させた着色樹脂をスピンナーコートにより基板上
全面に１．０μｍ厚で塗布した後、マスク露光をし、パ
ターニングした。この工程を３度繰り返すことによりＲ
ＧＢａ色の膜としての機能をもつ絶縁膜１３として、感
光性ポリイミドｒＰＩ−３００Ｊ　（宇部興産（株）社
製商品名）をスピンナーコートにより基板上全面に１．
０μｍ厚で塗布した後、マスク露光を行いＡＩ！パター
ン上で１０μｍ巾のスルーホールとなるようにパターニ
ングした。「ＰＩ−３００Ｊはパターン端部がテーパー
形状となるようにリンス液ＲＰ１１２７（宇部興産（株
）社製商品名）で処理した。透明電極１１はＩＴＯをス
パッタリング法により０．１μｍ厚で成膜後、９０μｍ
巾にパターニングした。こうして作成した電極の抵抗値
を調べてみたところ、パターン長１ｃｍあたりの抵抗値
が約１０Ωであり、９０μｍ巾のＩＴＯパターンのみの
抵抗値約３にΩにくらべておよそ３００分の１となって
いた。こうして作成した基板上にさらに、絶縁膜として
ＳｉＯ□膜（図示せず）をスパッタリング法により５０
０人厚で成膜し、その上に配向制御膜（図示せず）とし
てポリミドを印刷法により１００人厚で塗布し、これに
ラビング処理を施した。対向基板は実施例１のカラーフ
ィルターの無い構造の基板とし、側基板間に１．５μｍ
径のシリカビーズを散布した後、ラビング方向が同一方
向となる様にはり合わせ、液晶として強誘電性液晶ｒｃ
ｓ１０１４Ｊ　（チッソ（株）社製商品名）をセル内に
注入した。こうして作成したセルを一対のクロスニコル
状態の偏光板間に置き、バックライト上で観察しながら
電極に信号を印加したところ、ショート個所は全（なか
った。又、画素への印加信号の波形なまりがほとんどな
く、しかも画素間が完全に遮光されているため、カラー
表示における色純度が向上した。また長時間セルに信号
を印加した時でもセル内部でそれほど大きな温度ムラが
起らず安定した画質が得られた。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明によれば長尺電極部の配線
抵抗を従来の方法にくらべて、ショート個所を発生させ
ることな（大幅に低下させることができる。このため、
電極部に印加する信号の波形なまりがおさえられ、また
配線抵抗による発熱が少な（なる為にセル内の温度ムラ
が小さくなるので、表示品位を大幅に向上させることが
できた。

また、同時に画素間を通過する光を完全にカットするこ
とが出来るので、画素間のもれ光による画質の劣化を防
ぐことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明で用いた電極基板の断面図で、第２図
はその斜視図である。第３図は、本発明で用いた別の電
極基板の断面図である。第４図は、本発明の液晶素子の
断面図である。第５図は、強誘電性液晶素子の斜視図で
、第６図は双安定性配向状態の表面安定型強誘電性液晶
素子の斜視図である。 特許出願人　　キャノン株式会社

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）第１の電極部を設けた第１の基板、第２の電極部
   を設けた第２の基板及び該第１と第２の基板との間に配
   置した光学変調物質を有する光学変調素子において、前
   記第１の電極部及び第２の電極部の少なくとも一方が、
   絶縁膜上に形成した透明導電膜及び該絶縁膜下に形成さ
   れ、且つ該透明導電膜と電気的に接続された低抵抗導電
   膜を有することを特徴とする光学変調素子。 （２）前記低抵抗導電膜が隣り合う透明電極間に配置さ
   れている請求項（１）の光学変調素子。 （３）前記低抵抗導電膜が隣り合う透明電極間に、該電
   極間を覆って配置されている請求項（１）の光学変調素
   子。 （４）前記低抵抗導電膜が金属又は合金によって形成し
   た膜である請求項（１）の光学変調素子。 （５）前記低抵抗導電膜の膜厚が０．５μｍ以上である
   請求項（１）の光学変調素子。 （６）前記絶縁膜の膜厚が低抵抗導電膜の膜厚に対して
   １．５倍以上の膜厚に設定されている請求項（１）の光
   学変調素子。 （７）前記絶縁膜下で、隣り合う低抵抗導電膜間にカラ
   ーフィルターが配置されている請求項（１）の光学変調
   素子。 （８）前記透明導電膜の上に配向制御膜が配置されてい
   る請求項（１）の光学変調素子。（９）前記光学変調物
   質が液晶である請求項（１）の光学変調素子。 （１０）前記液晶が強誘電性液晶である請求項（９）の
   光学変調素子。 （１１）前記強誘電性液晶が、無電界時及び双安定性配
   向状態を生じている請求項（１０）の光学変調素子。