JPH0869006A - 電極基板及び液晶素子 - Google Patents
電極基板及び液晶素子Info
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- JPH0869006A JPH0869006A JP20021595A JP20021595A JPH0869006A JP H0869006 A JPH0869006 A JP H0869006A JP 20021595 A JP20021595 A JP 20021595A JP 20021595 A JP20021595 A JP 20021595A JP H0869006 A JPH0869006 A JP H0869006A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 コモン信号線上に生ずるリプルによる画面の
ちらつき等を排除して表示品位を向上させる。 【構成】 基板１４、該基板上に設けた有機樹脂層１
３、該有機樹脂層の内部に埋め込み配置した複数のスト
ライプ状の金属配線１２、該複数の金属配線のうちの隣
接配置した金属配線間では接触することなく、各々の金
属配線に接触し、該有機樹脂層の上に配置した透明電極
１１、および該有機樹脂層、該金属配線及び該透明電極
を覆うＴａ2Ｏ5膜を有する電極基板、ならびにこの電極
基板を有する液晶素子。
ちらつき等を排除して表示品位を向上させる。 【構成】 基板１４、該基板上に設けた有機樹脂層１
３、該有機樹脂層の内部に埋め込み配置した複数のスト
ライプ状の金属配線１２、該複数の金属配線のうちの隣
接配置した金属配線間では接触することなく、各々の金
属配線に接触し、該有機樹脂層の上に配置した透明電極
１１、および該有機樹脂層、該金属配線及び該透明電極
を覆うＴａ2Ｏ5膜を有する電極基板、ならびにこの電極
基板を有する液晶素子。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電極基板及び該電極基
板を用いた液晶素子、特に強誘電性液晶素子に関する。
板を用いた液晶素子、特に強誘電性液晶素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】強誘電液晶を用いた表示素子に関しては
特開昭６１−９４０２３号公報などに示されている様
に、対向面に透明電極を形成し配向処理を施した２枚の
ガラス基板を１ミクロンから３ミクロン位のセルギャッ
プを保って向かい合わせて液晶セルを構成し、これに強
誘電液晶を注入したものが知られている。
特開昭６１−９４０２３号公報などに示されている様
に、対向面に透明電極を形成し配向処理を施した２枚の
ガラス基板を１ミクロンから３ミクロン位のセルギャッ
プを保って向かい合わせて液晶セルを構成し、これに強
誘電液晶を注入したものが知られている。
【０００３】強誘電液晶を用いた上記表示素子の特徴は
強誘電液晶が自発分極を持つことにより、外部電界と自
発分極との結合力をスイッチングに使えることと、強誘
電液晶分子の長軸方向が自発分極の分極方向と１対１に
対応しているため外部電界の極性によってスイッチング
出来ることである。そして、強誘電液晶としては一般に
カイラル・スメクチック液晶（ＳｍＣ＊，ＳｍＨ＊）を
用いるので、バルク状態では液晶分子長軸がねじれた配
向を示すが、上述の１ミクロンから３ミクロン位のセル
ギャップのセルにいれることによって液晶分子長軸のね
じれを解消することが出来る (N.A.CLARK et al., MCL
C,1983,Vol.194, P213-P234) 。
強誘電液晶が自発分極を持つことにより、外部電界と自
発分極との結合力をスイッチングに使えることと、強誘
電液晶分子の長軸方向が自発分極の分極方向と１対１に
対応しているため外部電界の極性によってスイッチング
出来ることである。そして、強誘電液晶としては一般に
カイラル・スメクチック液晶（ＳｍＣ＊，ＳｍＨ＊）を
用いるので、バルク状態では液晶分子長軸がねじれた配
向を示すが、上述の１ミクロンから３ミクロン位のセル
ギャップのセルにいれることによって液晶分子長軸のね
じれを解消することが出来る (N.A.CLARK et al., MCL
C,1983,Vol.194, P213-P234) 。
【０００４】実際の強誘電液晶セルの構成は、図４に示
すような単純マトリックス基板を用いている。すなわ
ち、同図（ａ）はセルの断面図であり、このセルは、そ
れぞれＩＴＯストライプ電極２２、ＳｉＯ2 絶縁膜２
３、およびポリイミド配向膜２４をこの順で形成した上
下のガラス基板２１間に液晶２６を入れ、これをシーリ
ング部材２５でシーリングして構成される。同図（ｂ）
は各ＩＴＯストライプ電極２２のパターン例を示し、上
下の電極２２は相互に交差するように配置される。
すような単純マトリックス基板を用いている。すなわ
ち、同図（ａ）はセルの断面図であり、このセルは、そ
れぞれＩＴＯストライプ電極２２、ＳｉＯ2 絶縁膜２
３、およびポリイミド配向膜２４をこの順で形成した上
下のガラス基板２１間に液晶２６を入れ、これをシーリ
ング部材２５でシーリングして構成される。同図（ｂ）
は各ＩＴＯストライプ電極２２のパターン例を示し、上
下の電極２２は相互に交差するように配置される。
【０００５】
【発明が解決しようとしている課題】しかしながら、上
記従来例では、線順次走査を行う場合において、同一の
情報内容をもつ情報信号波形は同形であり、また書込み
タイミングも同一であるために、次に示すような状況を
伴って、ある欠点を生じている。
記従来例では、線順次走査を行う場合において、同一の
情報内容をもつ情報信号波形は同形であり、また書込み
タイミングも同一であるために、次に示すような状況を
伴って、ある欠点を生じている。
【０００６】液晶表示素子が大画面化、高精細化する
に従って、走査信号線（以下、コモン線ともいう）およ
び情報信号線（以下、セグメント線ともいう）それぞれ
の配線抵抗が大きくなり、その電極線上での波形伝幡の
遅延が大きくなっている。
に従って、走査信号線（以下、コモン線ともいう）およ
び情報信号線（以下、セグメント線ともいう）それぞれ
の配線抵抗が大きくなり、その電極線上での波形伝幡の
遅延が大きくなっている。
【０００７】さらに、強誘電液晶（以下、ＦＬＣとい
う）を用いる場合には、そのセル厚を１〜２μｍに保持
しなければ良好な双安定性を得られず、また、駆動電圧
が高くなったり、レタデーションによる色づきが無視で
きなくなるなどのため、セル厚を薄く（１〜２μｍ位）
保つ必要があり、したがって、液晶層の静電容量が大き
くなる（従来のＴＮ型素子の約６倍）。
う）を用いる場合には、そのセル厚を１〜２μｍに保持
しなければ良好な双安定性を得られず、また、駆動電圧
が高くなったり、レタデーションによる色づきが無視で
きなくなるなどのため、セル厚を薄く（１〜２μｍ位）
保つ必要があり、したがって、液晶層の静電容量が大き
くなる（従来のＴＮ型素子の約６倍）。
【０００８】また、駆動用ＩＣのオン抵抗を、量産上
の制約もあって、約１ｋΩ以下にはしにくい状況にあ
る。
の制約もあって、約１ｋΩ以下にはしにくい状況にあ
る。
【０００９】そして、これらの原因のために、液晶層に
印加される駆動波形がなまる現象が生じる。この現象
は、ＦＬＣのスイッチング閾値のセル内分布を生じるな
ど、スイッチングに関するマージンを下げる状況を生
じ、さらに非選択画素にも大きな影響を与える。
印加される駆動波形がなまる現象が生じる。この現象
は、ＦＬＣのスイッチング閾値のセル内分布を生じるな
ど、スイッチングに関するマージンを下げる状況を生
じ、さらに非選択画素にも大きな影響を与える。
【００１０】非選択画素では、コモン線には基準電圧が
印加されていて、セグメント線には選択画素用の情報信
号が印加されている。このような状況下で、表示内容と
して図２（ａ）に示すように全画素を黒ｂにしてから白
丸ｗを書くとすると、１フレーム中のほとんどの情報信
号が「黒」を書くもの（同図（ｂ））であるために、コ
モン線上には、その情報信号の立上がりおよび立下がり
に対応した微分波形リプル（同図（ｃ））が生じること
になる。このリプルの波高値は情報内容によるもので、
例えば１ビットごとの市松模様などの場合には、リプル
はほとんどのらない。それは隣り合うセグメント線の入
力電圧の正負が逆になり、かつ同じ波高値であるから、
コモン線上にリプルがのらないのである。
印加されていて、セグメント線には選択画素用の情報信
号が印加されている。このような状況下で、表示内容と
して図２（ａ）に示すように全画素を黒ｂにしてから白
丸ｗを書くとすると、１フレーム中のほとんどの情報信
号が「黒」を書くもの（同図（ｂ））であるために、コ
モン線上には、その情報信号の立上がりおよび立下がり
に対応した微分波形リプル（同図（ｃ））が生じること
になる。このリプルの波高値は情報内容によるもので、
例えば１ビットごとの市松模様などの場合には、リプル
はほとんどのらない。それは隣り合うセグメント線の入
力電圧の正負が逆になり、かつ同じ波高値であるから、
コモン線上にリプルがのらないのである。
【００１１】しかるに、図２（ａ）に示すように「黒」
画面が多い場合には、「黒」の情報信号に対応したリプ
ルを生じてしまう（同図（ｃ））。そのときに、白丸の
部分を書く情報信号（同図（ｄ））が逆相の形状をして
いる場合にはリプルによって強められてしまい、リプル
によって強められずなまるだけの「黒」信号とリプルに
よって強められる「白」信号との間で非選択画素に与え
る影響力に差が生じてしまう。このことは結果として画
面のちらつきという現象を生じ、表示品質を著るしく低
下させる。換言すれば、図２（ａ）に示すように黒部分
ｂを書いているときの情報信号は全画面共通であるが、
白丸部分ｗを書くときは、白信号を出すセグメント線と
黒信号を出すセグメント線とで情報信号の実質的な形
（リプルの加減）が狂ってくるということである。
画面が多い場合には、「黒」の情報信号に対応したリプ
ルを生じてしまう（同図（ｃ））。そのときに、白丸の
部分を書く情報信号（同図（ｄ））が逆相の形状をして
いる場合にはリプルによって強められてしまい、リプル
によって強められずなまるだけの「黒」信号とリプルに
よって強められる「白」信号との間で非選択画素に与え
る影響力に差が生じてしまう。このことは結果として画
面のちらつきという現象を生じ、表示品質を著るしく低
下させる。換言すれば、図２（ａ）に示すように黒部分
ｂを書いているときの情報信号は全画面共通であるが、
白丸部分ｗを書くときは、白信号を出すセグメント線と
黒信号を出すセグメント線とで情報信号の実質的な形
（リプルの加減）が狂ってくるということである。
【００１２】本発明の目的は、このような従来技術の問
題点に鑑み、強誘電液晶素子において、コモン信号線上
に生ずるリプルによる画面のちらつき等を排除して表示
品位を向上させることにある。
題点に鑑み、強誘電液晶素子において、コモン信号線上
に生ずるリプルによる画面のちらつき等を排除して表示
品位を向上させることにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明では、第１に、ａ．基板、ｂ．該基板上に設けた
有機樹脂層、ｃ．該有機樹脂層の内部に埋め込み配置し
た複数のストライプ状の金属配線、ｄ．該複数の金属配
線のうちの隣接配置した金属配線間では接触することな
く、各々の金属配線に接触し、該有機樹脂層の上に配置
した透明電極、並びにｅ．該有機樹脂層、該金属配線及
び該透明電極を覆うＴａ2Ｏ5膜を有する電極基板に特徴
があり、第２に、一対の電極基板及び該一対の電極基板
間に配置した液晶を有する液晶素子において、前記一対
の電極基板は、ａ．基板、ｂ．該基板上に設けた有機樹
脂層、ｃ．該有機樹脂層の内部に埋め込み配置した複数
のストライプ状の金属配線、ｄ．該複数の金属配線のう
ちの隣接配置した金属配線間では接触することなく、各
々の金属配線に接触し、該有機樹脂層の上に配置した透
明電極、並びにｅ．該有機樹脂層、該金属配線及び該透
明電極を覆うＴａ2Ｏ5膜を有することに特徴がある。
本発明では、第１に、ａ．基板、ｂ．該基板上に設けた
有機樹脂層、ｃ．該有機樹脂層の内部に埋め込み配置し
た複数のストライプ状の金属配線、ｄ．該複数の金属配
線のうちの隣接配置した金属配線間では接触することな
く、各々の金属配線に接触し、該有機樹脂層の上に配置
した透明電極、並びにｅ．該有機樹脂層、該金属配線及
び該透明電極を覆うＴａ2Ｏ5膜を有する電極基板に特徴
があり、第２に、一対の電極基板及び該一対の電極基板
間に配置した液晶を有する液晶素子において、前記一対
の電極基板は、ａ．基板、ｂ．該基板上に設けた有機樹
脂層、ｃ．該有機樹脂層の内部に埋め込み配置した複数
のストライプ状の金属配線、ｄ．該複数の金属配線のう
ちの隣接配置した金属配線間では接触することなく、各
々の金属配線に接触し、該有機樹脂層の上に配置した透
明電極、並びにｅ．該有機樹脂層、該金属配線及び該透
明電極を覆うＴａ2Ｏ5膜を有することに特徴がある。
【００１４】
【作用】この構成において、セグメント側から供給され
た電圧はまず、セグメント側抵抗とコモン側抵抗に分圧
された形をとり、その後、所定時間の後に液晶層が充電
されて、選択点ではＦＬＣのスイッチングが生じる。こ
の過程において、コモン線上にのるリプルの波高値は、
セグメント側から入力された情報信号のコモン側抵抗へ
の分圧値で決まり、セグメント側からの入力電圧に対す
るコモン側の分圧比が小さいほど、リプル電圧のピーク
は低くなる。しかるに、本願発明の場合、この分圧比は
従来技術における場合（＝１）よりも小さいので、コモ
ン線上にのるリプルの波高値は従来技術における場合よ
りも低くなるため、セグメント信号が異なるセグメント
信号間でリプルによって強められるか否かの度合が小さ
くなり、リプルの非選択画素に対する影響も小さい。し
たがって、より高品位の表示が行なわれる。
た電圧はまず、セグメント側抵抗とコモン側抵抗に分圧
された形をとり、その後、所定時間の後に液晶層が充電
されて、選択点ではＦＬＣのスイッチングが生じる。こ
の過程において、コモン線上にのるリプルの波高値は、
セグメント側から入力された情報信号のコモン側抵抗へ
の分圧値で決まり、セグメント側からの入力電圧に対す
るコモン側の分圧比が小さいほど、リプル電圧のピーク
は低くなる。しかるに、本願発明の場合、この分圧比は
従来技術における場合（＝１）よりも小さいので、コモ
ン線上にのるリプルの波高値は従来技術における場合よ
りも低くなるため、セグメント信号が異なるセグメント
信号間でリプルによって強められるか否かの度合が小さ
くなり、リプルの非選択画素に対する影響も小さい。し
たがって、より高品位の表示が行なわれる。
【００１５】
【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例を説明す
る。
る。
【００１６】図１（ａ）は、液晶セル１を駆動する回路
のブロック図である。
のブロック図である。
【００１７】同図（ａ）に示す駆動回路は、不図示の画
像情報発生手段からの走査信号情報を、コントローラ
２、コモン側Ｓ／Ｒ３、コモン用駆動ＩＣ４を介して走
査信号として液晶セル１の走査信号線群に供給するよう
に構成される。一方、画像情報発生手段からの画像情報
は、コントローラ２、セグメント側Ｓ／Ｒ５、ラッチ回
路６、駆動用ＩＣ７および抵抗アレイ８を介して情報信
号として液晶セル１の情報信号線群に印加するように構
成される。
像情報発生手段からの走査信号情報を、コントローラ
２、コモン側Ｓ／Ｒ３、コモン用駆動ＩＣ４を介して走
査信号として液晶セル１の走査信号線群に供給するよう
に構成される。一方、画像情報発生手段からの画像情報
は、コントローラ２、セグメント側Ｓ／Ｒ５、ラッチ回
路６、駆動用ＩＣ７および抵抗アレイ８を介して情報信
号として液晶セル１の情報信号線群に印加するように構
成される。
【００１８】同図（ｂ）は液晶セル１のコモン側信号線
の構成を示す部分断面図である。
の構成を示す部分断面図である。
【００１９】同図において、１４は液晶セル１のコモン
側ガラス基板、１１は幅２５０μｍ、抵抗値２０Ω□
、膜厚約３０００Åのストライプ状のＩＴＯ配線、１
２はＩＴＯ１１上に一部接触する形でＩＴＯ１１に沿っ
て設けられた幅４０μｍ、厚み約９０００ÅのＭｏ配線
である。このＩＴＯ配線１１とＭｏ配線１２とによって
走査信号線が構成される。１３はＩＴＯ１１を底上げす
るための有機樹脂（ポリアミド）層である。セグメント
側基板も同様に情報信号線の配線抵抗につき同様のＭｏ
配線を併設して構成する。これにより、配線抵抗はセグ
メント側、コモン側とも２ＫΩとなっている。ただし、
情報信号線の入力部には、４ＫΩの抵抗（図１（ａ）の
抵抗アレイ８）が直列に全情報信号線に導入してあり、
駆動用ＩＣの出力段ＩＣ抵抗を含めたトータルの配線抵
抗は８ＫΩとなる。
側ガラス基板、１１は幅２５０μｍ、抵抗値２０Ω□
、膜厚約３０００Åのストライプ状のＩＴＯ配線、１
２はＩＴＯ１１上に一部接触する形でＩＴＯ１１に沿っ
て設けられた幅４０μｍ、厚み約９０００ÅのＭｏ配線
である。このＩＴＯ配線１１とＭｏ配線１２とによって
走査信号線が構成される。１３はＩＴＯ１１を底上げす
るための有機樹脂（ポリアミド）層である。セグメント
側基板も同様に情報信号線の配線抵抗につき同様のＭｏ
配線を併設して構成する。これにより、配線抵抗はセグ
メント側、コモン側とも２ＫΩとなっている。ただし、
情報信号線の入力部には、４ＫΩの抵抗（図１（ａ）の
抵抗アレイ８）が直列に全情報信号線に導入してあり、
駆動用ＩＣの出力段ＩＣ抵抗を含めたトータルの配線抵
抗は８ＫΩとなる。
【００２０】ＩＴＯ配線１１とＭｏ配線１２上には、絶
縁膜としてＴａ2 Ｏ5 のスパッタ膜を約５００Å厚で形
成し、その上に東レ社製ポリイミドＬＰ−６４を配向膜
として約４００Åの厚みに形成し、その上をアクリル植
毛布で上下基板とも同方向となるようにラビング処理を
施してある。液晶セル１はこの基板を対向させ、セル厚
が約１．５μｍとなるように、ＳｉＯ2 のビーズを上下
基板間全面に散布して構成される。
縁膜としてＴａ2 Ｏ5 のスパッタ膜を約５００Å厚で形
成し、その上に東レ社製ポリイミドＬＰ−６４を配向膜
として約４００Åの厚みに形成し、その上をアクリル植
毛布で上下基板とも同方向となるようにラビング処理を
施してある。液晶セル１はこの基板を対向させ、セル厚
が約１．５μｍとなるように、ＳｉＯ2 のビーズを上下
基板間全面に散布して構成される。
【００２１】この構成において、セル１に、液晶として
チッソ社製ＣＳー１０１４を注入し、特性を調べた。駆
動波形としては、図３に示すような走査信号Ｓ、情報信
号Ｉ、およびこれらを合成した画素信号Ａ（Ｓ−Ｉ）
を、ΔＴ＝５０μｓ、Ｖop＝１３〜１７Ｖ／μｍとして
用いた。
チッソ社製ＣＳー１０１４を注入し、特性を調べた。駆
動波形としては、図３に示すような走査信号Ｓ、情報信
号Ｉ、およびこれらを合成した画素信号Ａ（Ｓ−Ｉ）
を、ΔＴ＝５０μｓ、Ｖop＝１３〜１７Ｖ／μｍとして
用いた。
【００２２】セグメント線には直列に抵抗アレイ８が組
み込んであり、液晶層を挟んだセグメント側の入力抵抗
は、コモン側に比べて大きいため、セグメント側に供給
された電圧はまず、セグメント側抵抗とコモン側抵抗に
分圧された形をとり、その後、所定時間（おおざっぱに
言えば、液晶の容量Ｃと配線抵抗Ｒによる時定数であ
る）の後に液晶層が充電されて、選択点ではＦＬＣのス
イッチングが生じる。そして、この過程において、コモ
ン線上にのるリプルの波高値は、セグメント側から入力
された情報信号のコモン側抵抗への分圧値で決まる。
み込んであり、液晶層を挟んだセグメント側の入力抵抗
は、コモン側に比べて大きいため、セグメント側に供給
された電圧はまず、セグメント側抵抗とコモン側抵抗に
分圧された形をとり、その後、所定時間（おおざっぱに
言えば、液晶の容量Ｃと配線抵抗Ｒによる時定数であ
る）の後に液晶層が充電されて、選択点ではＦＬＣのス
イッチングが生じる。そして、この過程において、コモ
ン線上にのるリプルの波高値は、セグメント側から入力
された情報信号のコモン側抵抗への分圧値で決まる。
【００２３】すなわち、従来は、セグメント側抵抗値が
出力段ＩＣのオン抵抗も含めて４ＫΩであり、コモン側
も同様に４ＫΩであって、その場合におけるパルス遅延
の時定数をτ0 とし、リプルの波高値をＶ0 とすれば、
この実施例では、トータルの配線抵抗が８ＫΩであり、
パルス遅延量に変化なくτ0 の値は同じだが、コモン側
に発生するリプル波高値は１／２Ｖ0 となる。そして、
ＦＬＣのスイッチングは電解強度に従って生じるので、
駆動パルス幅が短い（〜２０μｓ）ときはともかく、５
０μｓ近辺では波高値が大きく影響するが、この実施例
では、波高値が従来に比べ１／２に減少しているので、
その分、リプルの影響が非常に減少している。したがっ
て、著しく改善された表示特性をもって表示が行なわれ
る。
出力段ＩＣのオン抵抗も含めて４ＫΩであり、コモン側
も同様に４ＫΩであって、その場合におけるパルス遅延
の時定数をτ0 とし、リプルの波高値をＶ0 とすれば、
この実施例では、トータルの配線抵抗が８ＫΩであり、
パルス遅延量に変化なくτ0 の値は同じだが、コモン側
に発生するリプル波高値は１／２Ｖ0 となる。そして、
ＦＬＣのスイッチングは電解強度に従って生じるので、
駆動パルス幅が短い（〜２０μｓ）ときはともかく、５
０μｓ近辺では波高値が大きく影響するが、この実施例
では、波高値が従来に比べ１／２に減少しているので、
その分、リプルの影響が非常に減少している。したがっ
て、著しく改善された表示特性をもって表示が行なわれ
る。
【００２４】
【発明の効果】本発明によれば、前述した電極基板を用
いることによって、抵抗アレイを駆動用ＩＣと液晶パネ
ル（ＦＬＣパネル）との間に配置させ、この結果表示品
位が改善された表示を実現したものである。
いることによって、抵抗アレイを駆動用ＩＣと液晶パネ
ル（ＦＬＣパネル）との間に配置させ、この結果表示品
位が改善された表示を実現したものである。
【図１】 液晶セル１を駆動する回路のブロック図およ
び液晶セル１のコモン側信号線の構成を示す部分断面図
である。
び液晶セル１のコモン側信号線の構成を示す部分断面図
である。
【図２】 従来例に係る駆動波形の問題点を示す説明図
である。
である。
【図３】 図１の装置における駆動波形を示すタイミン
グチャートである。
グチャートである。
【図４】 従来の液晶セルの構成を例示する断面図およ
び電極パターンの平面図である。
び電極パターンの平面図である。
Ｉ：情報信号、Ｓ：走査信号、１４，２１：ガラス基
板、１１，２２：ＩＴＯストライプ電極、２６：液晶、
１：液晶セル、２：コントローラ、３：コモン側Ｓ／
Ｒ、４：コモン用駆動ＩＣ、５：セグメント側Ｓ／Ｒ、
６：ラッチ回路、７：セグメント側行動ＩＣ、８：抵抗
アレイ。
板、１１，２２：ＩＴＯストライプ電極、２６：液晶、
１：液晶セル、２：コントローラ、３：コモン側Ｓ／
Ｒ、４：コモン用駆動ＩＣ、５：セグメント側Ｓ／Ｒ、
６：ラッチ回路、７：セグメント側行動ＩＣ、８：抵抗
アレイ。
Claims (4)
- 【請求項１】 ａ．基板、ｂ．該基板上に設けた有機樹
脂層、ｃ．該有機樹脂層の内部に埋め込み配置した複数
のストライプ状の金属配線、ｄ．該複数の金属配線のう
ちの隣接配置した金属配線間では接触することなく、各
々の金属配線に接触し、該有機樹脂層の上に配置した透
明電極、並びにｅ．該有機樹脂層、該金属配線及び該透
明電極を覆うＴａ2Ｏ5膜を有する電極基板。 - 【請求項２】 一対の電極基板及び該一対の電極基板間
に配置した液晶を有する液晶素子において、前記一対の
電極基板は、ａ．基板、ｂ．該基板上に設けた有機樹脂
層、ｃ．該有機樹脂層の内部に埋め込み配置した複数の
ストライプ状の金属配線、ｄ．該複数の金属配線のうち
の隣接配置した金属配線間では接触することなく、各々
の金属配線に接触し、該有機樹脂層の上に配置した透明
電極、並びにｅ．該有機樹脂層、該金属配線及び該透明
電極を覆うＴａ2Ｏ5膜を有する液晶素子。 - 【請求項３】 前記液晶がカイラルスメクチック液晶で
ある請求項２記載の液晶素子。 - 【請求項４】 前記液晶が強誘電性カイラルスメクチッ
ク液晶である請求項２記載の液晶素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7200215A JP2849989B2 (ja) | 1995-07-14 | 1995-07-14 | 液晶装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7200215A JP2849989B2 (ja) | 1995-07-14 | 1995-07-14 | 液晶装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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Citations (9)
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-
1995
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| JP4493359B2 (ja) * | 2004-02-05 | 2010-06-30 | 東北パイオニア株式会社 | 自発光表示モジュールおよびその駆動方法 |
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