JP2520604B2 - 液晶素子及びその製造方法 - Google Patents

液晶素子及びその製造方法

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Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は液晶表示素子や液晶−光シャッター等に用い
られる液晶素子に関し、さらに詳しくは強誘電性液晶を
用いた液晶素子のセル基板上の電極構成に関するもので
ある。
[開示の概要] 本明細書及び図面は、強誘電性液晶を用いた液晶素子
において、ストライプ電極間のスペース部に低抵抗金属
線を形成して遮光することにより、全面に渡って表示ム
ラのない鮮明な画像を得ることができ、高速表示も可能
とする技術を開示するものである。
[従来の技術] 従来、この種の液晶表示素子の構造としては、ガラス
基板上に蒸着した透明導電性膜をストライプ状に加工し
て透明電極とし、しかる後、前記ガラス基板上に液晶分
子の分子方向を一定とするための配向膜を塗布すると共
に、前記透明電極を対向させ、かつ直交する様に配置
し、2枚の基板間に強誘電性液晶を挟持した単純マトリ
ックス構造とするものであった。
[発明が解決しようとする問題点] 強誘電性液晶は、初期配向時に2つの安定状態のうち
のどちから一方に配向する。しかしながら、駆動時に電
圧のかからない電極間のスペース部においては、この2
つの安定状態が常に混在したままとなるため、素子とし
ての表示特性が著しく低下してしまうという欠点があっ
た。
本発明は、このような従来例における欠点を鑑みなさ
れたもので、全面に渡って表示ムラのない鮮明な画像を
得ることができ、且つ表示面積を大きくしても高速表示
が可能な液晶素子を提供することを目的とするものであ
る。
[問題点を解決するための手段]及び[作用] 上記問題点を解決するために成された本発明の手段
を、実施例に対応する第2図を用いて説明する。
即ち本発明の第一は、ストライプ状に透明電極2が形
成された二枚の基板1間に、双安定性を有する液晶を挟
持してなるセル構造の液晶素子において、 基板1上には、透明電極2間のスペース部と当該スペ
ース部に隣接する少なくとも一方の透明電極2に跨がる
絶縁膜6が設けられており、 絶縁膜6上には、絶縁膜6によって当該スペース部に
隣接する一方の透明電極2とは絶縁され、且つ他方の透
明電極2と接続する金属膜3が、当該スペース部を覆う
ようにして設けられていることを特徴とする液晶素子に
関する。
また、本発明の第二は、ストライプ状に透明電極2が
形成された二枚の基板1間に双安定性を有する液晶を挟
持してなるセル構造の液晶素子の製造方法において、 基板1上にストライプ状の透明電極2を形成した後、
透明電極2間のスペース部と当該スペース部に隣接する
少なくとも一方の透明電極2に跨がるように絶縁膜6を
形成し、さらに、絶縁膜6によって当該スペース部に隣
接する一方の透明電極2とは絶縁され、且つ他方の透明
電極2と接続する金属膜3を、当該スペース部を覆うよ
うにして形成することを特徴とする液晶素子の製造方法
に関する。
本発明によれば、一方の透明電極と接続し且つ他方の
透明電極とは確実に絶縁された金属膜によって、当該透
明電極間のスペース部をほぼ完全に覆うことができる。
これにより、透明電極間のショートを防止できると共
に、強誘電性液晶の2つの安定状態が混在する領域をな
くし、且つスペース部を遮光することができる。この結
果、液晶の配向ムラをなくし、鮮明な画像を得ることが
できる。また、この低抵抗の金属膜を遮光層とすること
により、表示面積を大きくしても高速表示が可能にな
る。
[実施例] 第1図は本発明の参考例にかかる液晶素子に用いられ
る基板の断面図であり、第2図は本発明の実施例にかか
る液晶素子に用いられる基板の断面図である。第1図に
おいて、1はガラスまたはプラスチック等の基板、2は
In2O3,SnO2、またはITO(Indium-Tin-Oxide)等の透明
導電膜をスパッタリング蒸着法やイオンプレーティング
蒸着法等を用いて蒸着した後、通常のフォトリソグラフ
ィー及びエッチング技術を用いてストライプ状に形成し
た透明電極、3はAl,Cr,Au等の金属膜、4はSiO2,TiO2,
Ti2O5,ZrO2等の無機絶縁膜、5はポリイミド、ポリビニ
ルアルコール等の配向膜である。
第1図及び第2図に示すように、本発明は基板1上に
形成されたストライプ状の透明電極2に平行に接触し、
且つ電極間のスペース部(図中A)を覆うように金属膜
3を形成して電極間を遮光したものである。このような
基板2枚を、電極が対向し、且つ互いに直交するよう配
置し、基板間に強誘電性液晶を封入することによりセル
を得ることができる。
参考例 ガラス基板上に高周波スパッタ法によりITO膜1000Å
を蒸着し、ポジ型レジスト(AZ-1370Hoechst社製)をス
ピンナーを用いて1μm塗布し、プレベークした。この
レジスト層上にマスク巾80μm、マスク部のピッチ100
μmのストライプ状マスクを用いて露光した、次いで現
像水洗してストライプパターンを形成した後、塩化第2
鉄と塩酸と水の混合液でITO膜をエッチングした。次い
でこの基板上にAlをEB蒸着機により500Åで蒸着した。
その後ガラス基板上にポジ型レジスト(AZ-1370Hoechst
社製)をスピンナーを用いて1μm塗布し、このレジス
ト層上にマスク巾20μm、マスク部のピッチ100μmの
ストライプ状マスクを用いて、ITO膜のストライプパタ
ーンに5μm程度重なる様に露光した。次いで現像、水
洗してストライプパターンを形成した後、リン酸、硝
酸、酢酸、水の混合液でAlをエッチングした。
このようにして作製された2つの基板のそれぞれの表
面に、液晶配向膜として約500Åのポリビニルアルコー
ル層を形成し、ラビング処理を施した。次に2つの基板
を対向させ、間隙が約1μmとなるようにビーズスペー
サーで調節し、強誘電性液晶〔p-η−オクチルオキシ安
息香酸‐p′‐(2−メチルブチルオキシ)フェニルエ
ステルとp-η−メニルオキシ安息香酸‐p′‐(2-メチ
ルブチルオキシ)フェニルエステルを主成分とした液晶
組成物〕を注入した。
このようにして形成した液晶セルの両側に、偏光板を
クロスニコルにして配設して、セルの駆動を行ったとこ
ろ、良好な表示特性を得ることができた。
実施例 第2図に示すように、ITO膜の透明電極2をパターニ
ングした後に、電極間のスペース部にSiO2の絶縁膜6を
フォトリソグラフィーで堆積させ、その後にAlのストラ
イプパターンを形成した。それ以外は前記参考例と同様
の構成である。このような構成とすることにより、Alの
ストライプパターンの形成不良により生じる隣接するIT
O膜とのショートを防止することができ、電極間のスペ
ース部をほぼ完全に覆うことができる。この実施例でも
前記参考例と同様に良好な表示特性を得ることができ
た。
上記参考例及び実施例において、透明電極間のスペー
ス部をAl等の低抵抗金属膜で覆うことにより例えば、ほ
ぼA4サイズの表示面積に、通常のTV規格で動画表示を行
う場合、走査線の密度を4本/mmとし、走査線の長さを
約300mmとすると、走査線がITOのみの場合、ITOのシー
ト抵抗が20Ω/口で、走査線の抵抗は約27KΩとなる。
一方、本発明によれば、金属としてAlを使用し、巾30
μm、厚さ0.1μmで一部ITOに重ねて這わせると、この
金属の配線抵抗は約4KΩとなる。この結果、金属付きIT
Oの走査線の配線抵抗は約3.5KΩとなる。
また、この走査線上に付設されている強誘電性液晶の
電気容量は約3.5×10-9Fである。
すなわち、このパネルの走査線に電圧信号を与えて液
晶を反転動作させる場合電圧信号の立上り時間は、走査
線の電気抵抗及び走査線上に付設された液晶の電気容量
に依存する。走査線がITOのみの場合には、この立上り
時間τは約94μSとなるが、本発明による金属付きITO
線の場合にはτ=14μSとなる。
通常のTV規格で動画表示を行う場合、一本の走査線に
許される走査時間は、63.5μSであり、上述の様に走査
線がITOのみの場合には立上り時間が走査時間より長く
なるため、TV規格の動画表示は不可能である。これに対
し、本発明による金属付きITO線の場合には、走査時間
は立上り時間の約5倍あり、充分TV規格の動画表示が可
能となる。
[発明の効果] 以上説明したように、本発明によれば、セルの全面に
渡って電極スペース部の配向ムラをなくすことができ、
全面均一に鮮明な画像を得ることができる。また、低抵
抗の金属膜を遮光層とすることにより、表示面積を大き
くした場合でも高速表示が可能となった。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の参考例を示す基板の断面図、第2図は
本発明の実施例を示す基板の断面図である。 1:基板、2:透明電極、3:金属膜、4,6:絶縁膜、5:配向
膜。

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】ストライプ状に透明電極が形成された二枚
    の基板間に、双安定性を有する液晶を挟持してなるセル
    構造の液晶素子において、 前記基板上には、前記透明電極間のスペース部と当該ス
    ペース部に隣接する少なくとも一方の透明電極に跨がる
    絶縁膜が設けられており、 該絶縁膜上には、該絶縁膜によって当該スペース部に隣
    接する一方の透明電極とは絶縁され、且つ他方の透明電
    極と接続する金属膜が、当該スペース部を覆うようにし
    て設けられていることを特徴とする液晶素子。
  2. 【請求項2】前記双安定性を有する液晶が強誘電性液晶
    であることを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の
    液晶素子。
  3. 【請求項3】ストライプ状に透明電極が形成された二枚
    の基板間に双安定性を有する液晶を挟持してなるセル構
    造の液晶素子の製造方法において、 基板上にストライプ状の透明電極を形成した後、該透明
    電極間のスペース部と当該スペース部に隣接する少なく
    とも一方の透明電極に跨がるように絶縁膜を形成し、さ
    らに、該絶縁膜によって当該スペース部に隣接する一方
    の透明電極とは絶縁され、且つ他方の透明電極と接続す
    る金属膜を、当該スペース部を覆うようにして形成する
    ことを特徴とする液晶素子の製造方法。
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