JPH1068923A - 液晶素子及びそれを用いた液晶装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ブックシェルフ構造或はそれに近い傾き角の
小さな構造の液晶層を安定してとり、かつ優れた配向状
態をとり、特に、高コントラスト、高精細、高輝度であ
り、良好な動画表示を行い得る液晶素子を提供する。 【解決手段】 フルオロカーボン末端鎖を有する液晶化
合物を含有する液晶組成物を一対の配線基板間に挟持
し、一対の配線基板の少なくとも一方に、パターン形状
を有する金属電極とその間隙に設けられたＵＶ硬化樹脂
とが設けられており、該金属電極と導通するように透明
電極が設けられている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、コンピュータの端
末ディスプレイ、各種フラットパネルディスプレイ、ワ
ードプロセッサ、タイプライタ、テレビ受像機、ビデオ
カメラのビューファインダ、プロジェクタの光バルブ、
液晶プリンタの光バルブ等に用いられる液晶素子とその
製造方法、該素子を用いた液晶装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、最も広範に用いられてきてい
るディスプレイとしてＣＲＴが知られており、テレビや
ＶＴＲなどの動画出力、或いはパソコンのモニターとし
て広く用いられている。しかしながら、ＣＲＴはその特
性上、静止画像に対しては、フリッカや解像度不足によ
る走査縞等が視認性を低下させたり、焼き付きによる蛍
光体の劣化が起こったりする。また、最近ではＣＲＴが
発生する電磁波が人体に悪影響を与えることがわかり、
ＶＤＴ作業者の健康を害する恐れがある。そして、構造
上、画面後方に広く体積を有するため、オフィス、家庭
の省スペース化を阻害している。

【０００３】このようなＣＲＴの欠点を解決するものと
して、液晶素子がある。例えばエム・シャット（Ｍ．Ｓ
ｃｈａｄｔ）とダブリュー・ヘルフリッヒ（Ｗ．ｈｅｌ
ｆｒｉｃｈ）著“アプライド・フィジックス・レター
ス”（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒ
ｓ”）第１８巻、第４号（１９７１年２月１５日発行）
第１２７〜１２８頁において示されたツイステッド・ネ
マティック（ｔｗｉｓｔｅｄＮｅｍａｔｉｃ：ＴＮ）液
晶を用いたものが知られている。

【０００４】このＴＮ液晶を用いた液晶素子の一つとし
て、コスト面での優位性を持つ単純マトリクスタイプの
液晶素子がある。この液晶素子は画素密度を高くしたマ
トリクス電極構造を用いた時分割駆動の時、クロストー
クを発生する問題点があるため、画素数が制限されてい
た。

【０００５】近年、このような単純マトリクスタイプの
液晶素子に対して、ＴＦＴと言われる液晶素子の開発が
行われている。このタイプは一つ一つの画素にトランジ
スタを作製し、各画素での動作を制御するため、クロス
トークや応答速度の問題は解決される反面、大面積にな
ればなるほど、不良画素なく液晶素子を作製することが
工業的に非常に困難であり、また可能であっても多大な
コストが発生する。

【０００６】このような従来型の液晶素子の欠点を改善
するものとして、強誘電性液晶分子の屈折率異方性を利
用して、偏光素子との組合せにより、透過光線を制御す
る型の表示素子がクラーク（Ｃｌａｒｋ）及びラガウェ
ル（Ｌａｇｅｒｗａｌｌ）により提案されている（特開
昭５６−１０７２１６号公報、米国特許第４３６７９２
４号明細書）。この強誘電性液晶は、一般に特定の温度
域において、カイラルスメクティックＣ相又はカイラル
スメクティックＨ相を有し、この温度域において、加え
られる電界に応答して第１の安定状態と第２の安定状態
のいずれかを取り、且つ電界の印加のない時は、その状
態を維持する性質、即ち双安定性を有し、自発分極によ
り反転スイッチングを行うため、非常に速い応答速度を
示す上、メモリ性のある双安定状態を発現させることが
できる。さらに視野角特性も優れていることから、特
に、高速、高精細、大面積の表示素子或いはライトバル
ブとして適していると考えられる。また、最近では、チ
ャンダニ、竹添らにより、３つの安定状態を有するカイ
ラルスメクティック反強誘電性液晶素子も提案されてい
る〔ジャパニーズ ジャーナル オブ アプライド フ
ィジックス（Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ
Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ）第２７巻、１９８
８年Ｌ７２９頁〕。

【０００７】このようなカイラルスメクティック液晶素
子においては、例えば「強誘電性液晶の構造と物性」
（コロナ社、福田敦夫、竹添秀男著、１９９０年）に記
載されているように、ジグザグ状の配向欠陥の発生や、
上下基板間での液晶分子のねじれ（スプレイ配向とい
う）により、コントラストを低下させる場合があるとい
う問題があった。この欠陥は、素子構成において、上下
基板間に担持されたカイラルスメクティック液晶の層状
構造が２種類のシェブロン状（山形状）の構造を形成し
ていることによると考えられる。

【０００８】この問題を解決する一つの方法として、プ
レティルト角を持たせることにより、シェブロン層構造
を一方向にそろえ、液晶分子の上限基板間のねじれ状態
を一様状態（ユニフォーム配向という）よりも弾性エネ
ルギー的に不安定にする方法がある。

【０００９】また他の方法としては、液晶層構造を
「く」の字に折れたシェブロン構造から、各層の傾きが
小さく大略平行に配列した本棚状の構造である、ブック
シェルフといわれる層状構造、あるいはそれに近い構造
を形成し、ジグザグ欠陥を解消すると同時にユニフォー
ム配向を実現し、高コントラストを実現する方法がある
（例えば「次世代液晶ディスプレイと液晶材料」（株）
シーエムシー、福田敦夫編、１９９２年）。ブックシェ
ルフ層構造を実現するには、一つには、ナフタレン系液
晶材料を用いる方法があるが、この場合、ティルト角が
１０°程度であり、理論的最大透過率が得られる２２．
５°と比べて非常に小さく、低透過率という問題があ
る。他の代表的な例としては、シェブロン構造を取って
いる液晶素子に外部から電場を加えてブックシェルフ構
造を誘起する方法があるが、この方法は、温度などの外
部刺激に対しての不安定性が問題となっている。

【００１０】ブックシェルフ或いはそれに近い層構造を
呈する液晶として、パーフルオロエーテル側鎖を持つ液
晶性化合物（米国特許第５，２６２，０８２号明細
書）、液晶組成物（１９９３年、第４回強誘電液晶国際
会議、Ｐ−４６、Ｍａｒｃ Ｄ．Ｒａｄｃｌｉｆｆｅ
ら）等が提案されている。これらの液晶材料によれば、
電場等の外部場を須いずともブックシェルフあるいはそ
れに近い層傾きの小さな構造を最適なティルト角で現出
することが可能である。しかしながら、上記パーフルオ
ロエーテル側鎖を持つ液晶性化合物は、コレステリック
相を有さず最終的に充分に良好な配向状態を得ることが
困難である。

【００１１】ところで、液晶素子は、少なくとも電極が
形成された配線基板間に液晶を挟持して形成されてい
る。その際、電極としては、インジウム錫酸化物（ＩＴ
Ｏ）等からなる透明電極が用いられている。

【００１２】透明電極の性能としては、光透過率が高い
こと及び抵抗率が低いことが要求される。液晶素子は、
その光透過率を制御することによって、ディスプレイや
光シャッタ等として用いられるため、透明電極等の部材
の光透過率が低いと、コントラストが低下する恐れがあ
り好ましくない。加えて、液晶素子は、２枚の配線基板
間に液晶を挟持して、該液晶に電界を印加して使用する
ものであり、電気回路的には容量性の負荷である。その
ため、透明電極における電圧波形の伝搬遅延が無視でき
ない。

【００１３】ところが、ＩＴＯからなる透明電極の抵抗
率は、シート抵抗で２０〜４００Ω、体積抵抗で２００
×１０^-8Ωｍ〜４０００×１０^-8Ωｍであり、金属材料
と比べてかなり高い（例えばアルミニウムの体積抵抗は
３×１０^-8Ωｍ程度）という問題点があった。抵抗率を
下げるために透明電極の膜厚を大きくする方法が考えら
れるが、これは光透過率の低下を招くため実用的ではな
い。そのため、液晶素子の有効光学変調領域（表示素子
においては表示領域）の大面積化、高精細化に伴い、透
過電極の抵抗率が高いことによる電圧波形の伝搬遅延が
問題になっていた。特に、セル厚が小さいカイラルスメ
クチック液晶素子、とりわけセル厚が１〜３μｍと薄
く、通常のＴＮ液晶素子の１／３〜１／５である表面安
定化型強誘電性液晶素子では、セル厚の比較的大きいＴ
Ｎ液晶素子と比べて、同じ電極基板を用いても電圧波形
の伝搬遅延が大きくなってしまう。

【００１４】上記の問題点を改善するために、ＩＴＯか
らなる透明電極にクロム（体積抵抗１５×１０^-8Ωｍ程
度）やモリブデン（体積抵抗６×１０^-8Ωｍ程度）等の
金属配線を併設することが行われていた（例えば、特公
平６−１９４９７号等）。

【００１５】しかしながら、金属配線を併設したとして
も、セル厚（液晶層厚）が限られていることにより金属
配線の厚さを大きくできない点、金属配線の存在により
液晶−基板界面に凹凸が生じることにより配向欠陥が発
生する点、等の問題点が残されていた。特に、明確なス
メクティック層構造を有するカイラルスメクティック液
晶素子では、配向欠陥の発生が顕著となるため問題であ
った。とりわけ、コレステリック相を有さないフッ素含
有液晶化合物を含有する液晶組成物を用いた液晶素子で
は、配向欠陥の発生により満足な光学変調が行われなく
なるという問題があった。さらに、フッ素含有液晶化合
物を含有する液晶組成物を用いて動画表示を行う際に、
波形の遅延による表示不良を解消できる程度にまで、金
属配線を厚くすることができなかった。

【００１６】

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記問題点に
鑑みてなされたものであり、本発明の課題は、特に、電
極の低抵抗化と液晶−基板界面の平坦化とを実現するこ
とによって、ブックシェルフ構造或いはそれに近い層傾
きの小さな構造の液晶層を安定してとり、かつ優れた配
向状態をとり、高コントラスト、高精細、高輝度であ
り、良好な動画表示を行い得る液晶素子を提供すること
である。

【００１７】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、対向する一対の配線基板間に液晶組成物
を挟持してなる液晶素子において、前記一対の配線基板
の少なくとも一方は、透光性基材と、主電極と、該主電
極の透光性基材側の少なくとも一部に電気的に接続した
補助電極と、からなる複数の電極と、前記透光性基材の
対向面上の、前記電極を構成する補助電極相互の間隙に
形成された絶縁層と、を少なくとも備えており、前記液
晶組成物は、フルオロカーボン末端部分及び炭化水素末
端部分を有し、該両末端部分が中心核によって結合さ
れ、スメクティック中間相又は潜在的スメクティック中
間相を持つフッ素含有液晶化合物を含有する液晶組成物
である、ことを特徴とする液晶素子及び該素子を用いた
液晶装置である。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明の
実施の形態を説明する。

【００１９】図１は、本発明にかかる液晶素子の一例を
示す模式的な断面図である、この液晶素子は、一対の電
極基板間に液晶組成物２を挟持してなる。

【００２０】図中１ａ、１ｂは、透光性基材であり、透
光性基材上１ａ、１ｂ上には、複数の補助電極３ａ、３
ｂが、パターン状に形成されており、該補助電極３ａ、
３ｂの間隙を埋めるように、高分子材料等からなる絶縁
層４ａ（不図示）、４ｂが形成されている。補助電極と
高分子材料等からなる絶縁層との上には、補助電極と電
気的に接続されるように、主電極５ａ、５ｂが形成され
ている。そして、主電極を被覆するように、配向制御層
７ａ、７ｂが形成されている。また、電極基板間隔はビ
ーズ状スペーサー８で一定に保たれており、液晶組成物
２の周囲はシール材（不図示）によってシールされてい
る。

【００２１】ここで、透光性基材１ａ側が光入力側（表
示素子ではバックライト側）であり、透光性基材１ｂ側
が光出力側（表示素子では観察者側）である。また、本
実施の形態では、透光性基材１ｂと補助電極３ｂとの間
に遮光部材６が設けられている。

【００２２】透光性基材１ａ、１ｂは、光を透過する性
質を有すると共に表面が平滑な板状部材であればどのよ
うなものであっても良く、例えばガラス板やプラスチッ
ク板等液晶素子用基板として通常用いられるものを用い
ることができる。但し、透光性に優れている点、表面を
平滑にする加工性の点、並びに、強度の点からはガラス
板を用いることが好ましく、具体的には、厚さが０．７
〜１．１ｍｍ程度の青板ガラス等であって、両面が研磨
されており平行度の高いもの、等を用いることができ
る。

【００２３】補助電極３ａ、３ｂとしては、低抵抗の材
料を適宜用いることができる。その際、０．３μｍ以上
の厚さに成膜することが容易であることが好ましく、透
光性基材１ａ、１ｂ上に直接補助電極を設ける場合に
は、透光性基材との密着性が優れていることが好まし
い。補助電極の材料としては、例えば、導電性微粒子を
分散した樹脂や、金属を用いることができる。例えば金
属としては、アルミニウム、クロミウム、モリブデン、
タンタル、ニッケル、銅やこれらの合金（例えば、モリ
ブデン−タンタル合金、アルミニウム−硅素−銅合金
等）等を用いることができる。補助電極の厚さは、０．
３〜３μｍが好ましいが、用いる材料の物性（特に抵抗
値や成膜性）によって適宜設定することができる。ま
た、補助電極は主電極よりも低抵抗であることが好まし
い。なお、この補助電極は異種材料の積層構成としても
よい。

【００２４】高分子材料からなる絶縁層４ａ、４ｂに
は、光透過率の高い材料が好適に用いられる。具体的に
は、紫外線（以下、ＵＶ光とする）を照射することによ
り硬化する紫外線硬化型樹脂（以下、ＵＶ硬化樹脂とす
る）の他、熱硬化型樹脂、常温硬化型樹脂、２液反応型
樹脂等を用いることができ、さらに、樹脂以外の高分子
材料を用いることができる。成型性に優れている等の点
で、ＵＶ硬化樹脂を用いることが好ましい。

【００２５】ＵＶ硬化樹脂としては、ＵＶ硬化型の樹脂
モノマーやオリゴマーと光開始剤の混合組成物からなる
通常の樹脂組成物を用いることができ、アクリル系、エ
ポキシ系等の樹脂を用いることができるが、製造工程
（例えば、透明電極を形成する工程や配向膜を焼成する
工程）に耐え得るよう、耐熱性、耐薬品性、耐洗浄性を
具備していることが好ましい。例えば、主成分である反
応性オリゴマーに耐熱性のある分子構造を導入したもの
や、多環性モノマーにより架橋密度を高めたもの等が用
いられ得る。

【００２６】また、透光性基材と絶縁層との界面での反
射、屈折を小さくするという点から、透光性基材と絶縁
層との屈折率がほぼ等しいことが好ましい。具体的に
は、これらの屈折率の差が±０．１以内であることが好
ましく、±０．０５以内であることがさらに好ましい。

【００２７】ここで、前記補助電極の表面（主電極と補
助電極との界面）と前記透光性基材との間の距離は、前
記絶縁層の表面と前記透光性基材との間の距離（透光性
基材上に直接絶縁層を設ける場合絶縁層の厚さ）以上
（同一である場合を含む）であることが好ましい。例え
ば、透光性基材上に直接補助電極を設ける場合、補助電
極の厚さが絶縁層の厚さ以上であることが好ましい。こ
のようにすることによって、主電極と補助電極との間で
容易に導通をとることができる。但し、電極基板表面の
平坦性を確保するという観点から、補助電極の表面と透
光性基材との間の距離と、絶縁層の表面と透光性基材と
の間の距離との差は、２００ｎｍ以下であることが好ま
しい。また、絶縁層の表面はほぼ平坦であることが好ま
しく、絶縁層の表面の凹凸は±３０ｎｍ以下であること
が好ましい。

【００２８】主電極５ａ、５ｂとしては、酸化インジウ
ム、酸化錫、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）等からなる透
明電極が好適に用いられ、インジウム：錫＝８５：１５
〜９７：３のＩＴＯが特に好適に用いられる。

【００２９】遮光部材６としては、光透過率の低いもの
を用いることができ、例えば、金属、金属酸化物等の金
属化合物、樹脂等を適宜選択して用いることができる。
遮光部材６は光学的に黒であることが反射防止の点から
好ましい。また、導電性の遮光部材を用い、補助電極と
導通をとることにより、電圧波形の伝搬遅延をさらに小
さくすることができる。また、遮光部材６は液晶素子の
光出力側（表示素子の場合観察者側）の配線基板に設け
ることが好ましい。

【００３０】配向制御層７ａ、７ｂとしては、ポリイミ
ド、ポリピロール、ポリビニルアルコール、ポリアミド
イミド、ポリエステルイミド、ポリパラキシレン、ポリ
エステル、ポリカーボネート、ポリビニルアセタール、
ポリ塩化ビニル、ポリアミド、ポリスチレン、ポリアニ
リン、セルロース樹脂、アクリル樹脂、メラミン樹脂等
からなる有機膜、あるいはＳｉＯの斜方蒸着膜やポリシ
ロキサン等の無機膜を適宜選択して用いることができ
る。

【００３１】少なくとも、一方の配線基板に設けられた
配向制御層には、ラビング処理等の一軸配向処理を施す
ことが好ましい。また、一方の配向制御層は一軸配向処
理の施されたナイロン、ポリイミド等からなる配向制御
層とし、他方の配向制御層は一軸配向処理を施さないシ
ランカップリング剤、ポリイミド、ポリシロキサン等の
配向制御層とすることがさらに好ましい。一方の配向制
御層を２層構造とし、その液晶と接する面のみに一軸配
向処理を施してもよい。

【００３２】一軸配向処理の施された配向制御層の材料
としては、容易に形成されやすく配向制御能力が高いと
いう点から、ポリアミック酸溶液を塗布、焼成して形成
されるポリイミドの一軸配向処理膜、特にラビング処理
膜が好ましく用いられる。用いられるポリイミドとして
は、本発明に用いられる液晶組成物を配向させやすい分
子構造として、剛直性、直線性、結晶性の高いものが好
ましく、具体的には、以下の一般式で表わされる繰り返
し単位構造を有するポリイミドが好ましく用いられる。

【００３３】

【外３】 または炭素数１から２０のアルキレン基を表し、Ｐ¹ 、
Ｐ² はイミド結合を表す。Ｍ¹ は単結合または−Ｏ−を
表し、ａは０、１、２を表す。）

【００３４】上記ポリイミドの繰り返し単位構造の具体
例を以下に列挙する。

【００３５】

【外４】

【００３６】また、配向制御層７ａ、７ｂと主電極５
ａ、５ｂとの間には、それぞれ、２０〜３００ｎｍの厚
さのＴａ₂ Ｏ₅ 膜、ＳｉＯ₂ 膜、ＴｉＯ₂ 膜等のショー
ト防止用の絶縁膜を設けてもよい。

【００３７】次に、本発明で用いられる液晶組成物につ
いて説明する。

【００３８】本発明において、用いる液晶組成物は、フ
ルオロカーボン末端部分及び炭化水素末端部分を有し、
該両末端部分が中心核によって結合され、スメクティッ
ク中間相又は潜在的スメクティック中間相を持つフッ素
含有液晶化合物を含有するものである。

【００３９】前記フッ素含有液晶化合物としては、フル
オロカーボン末端部分が、−Ｄ¹ −Ｃ_xaＦ_2xa −Ｘで表
される基、（但し、上記式中ｘａは１〜２０であり、Ｘ
は−Ｈ又は−Ｆを表し、Ｄ¹ は、−ＣＯ−Ｏ−（ＣＨ
₂ ）_ra−、−Ｏ−（ＣＨ₂ ）_ra−、−（ＣＨ₂ ）_ra−、
−Ｏ−ＳＯ₂ −、−ＳＯ₂ −、−ＳＯ₂ −（ＣＨ₂ ）_ra
−、−Ｏ−（ＣＨ₂ ）_ra−Ｏ−（ＣＨ₂ ）_rb−、−（Ｃ
Ｈ₂ ）_ra−Ｎ（Ｃ_paＨ_2pa+1 ）−ＳＯ₂ −、又は−（Ｃ
Ｈ₂ ）_ra−Ｎ（Ｃ_paＨ_2pa+1 ）−ＣＯ−を表す。ｒａ及
びｒｂは、独立に１〜２０であり、ｐａは０〜４であ
る。）。

【００４０】或いは、−Ｄ² −（Ｃ_xbＦ_2xb −Ｏ）_za−
Ｃ_yaＦ_2ya+1 で表される基、（但し、上記式中ｘｂはそ
れぞれの（Ｃ_xbＦ_2xb −Ｏ）に独立に１〜１０であり、
ｙａは、１〜１０であり、ｚａは１〜１０であり、Ｄ²
は、−ＣＯ−Ｏ−Ｃ_rcＨ_2rc 、−Ｏ−Ｃ_rcＨ_2rc −、−
Ｃ_rcＨ_2rc −、−Ｏ−（Ｃ_saＨ_2sa −Ｏ）_ta−Ｃ_rdＨ
_2rd −、−Ｏ−ＳＯ₂ −、−ＳＯ₂ −、−ＳＯ₂ −Ｃ_rc
Ｈ_2rc −、−Ｃ_rcＨ_2rc −Ｎ（Ｃ_pbＨ_2pb+1 ）−ＳＯ₂
−、−Ｃ_rcＨ_2rc −Ｎ（Ｃ_pbＨ_2pb+1 ）−ＣＯ−、単結
合から選ばれ、ｒｃ及びｒｄはそれぞれ独立に１〜２０
であり、ｓａはそれぞれの（Ｃ_saＨ_2sa −Ｏ）に独立に
１〜１０であり、ｔａは１〜６であり、ｐｂは０〜４で
ある。）であるような化合物を用いることができる。

【００４１】特に好ましくは、下記一般式（Ｉ）、或い
は（ＩＩ）で表されるフッ素含有液晶化合物を用いるこ
とができる。

【００４２】

【外５】 を表わす。

【００４３】ｇａ、ｈａ、ｉａは独立に０〜３の整数
（但し、ｇａ＋ｈａ＋ｉａは少なくとも２である）を表
わす。

【００４４】夫々のＬ¹ とＬ² は独立に、単結合、−Ｃ
Ｏ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＯＳ−、−Ｓ−ＣＯ−、
−ＣＯ−Ｓｅ−、−Ｓｅ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｔｅ−、−
Ｔｅ−ＣＯ−、−ＣＨ₂ ＣＨ₂ −、−ＣＨ＝ＣＨ−、−
Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ₂ −Ｏ
−、−Ｏ−ＣＨ₂ −、−ＣＯ−又は−Ｏ−を表わす。

【００４５】夫々のＸ¹ 、Ｙ¹ 、Ｚ¹ はＡ¹ 、Ａ² 、Ａ
³ の置換基であり、独立に−Ｈ、−Ｃｌ、−Ｆ、−Ｂ
ｒ、−Ｉ、−ＯＨ、−ＯＣＨ₃ 、−ＣＨ₃ 、−ＣＮ、又
は−ＮＯ₂ を表わし、夫々のｊａ、ｍａ、ｎａは独立に
０〜４の整数を表わす。

【００４６】Ｊ¹ は、−ＣＯ−Ｏ−（ＣＨ₂ ）_ra−、−
Ｏ−（ＣＨ₂ ）_ra−、−（ＣＨ₂ ）_ra−、−Ｏ−ＳＯ₂
−、−ＳＯ₂ −、−ＳＯ₂ −（ＣＨ₂ ）_ra−、−Ｏ−
（ＣＨ ₂ ）_ra−Ｏ−（ＣＨ₂ ）_rb−、−（ＣＨ₂ ）_ra−
Ｎ（Ｃ_paＨ_2pa+1 ）−ＳＯ₂ −、又は−（ＣＨ₂ ）_ra−
Ｎ（Ｃ_paＨ_2pa+1 ）−ＣＯ−を表わす。ｒａ及びｒｂ
は、独立に１〜２０であり、ｐａは０〜４である。

【００４７】Ｒ¹ は、−Ｏ−Ｃ_qaＨ_2qa −Ｏ−Ｃ_qbＨ
_2qb+1 、−Ｃ_qaＨ_2qa −Ｏ−Ｃ_qbＨ_2qb+1 、−Ｃ_qaＨ
_2qa −Ｒ³ 、−Ｏ−Ｃ_qaＨ_2qa −Ｒ³ 、−ＣＯ−Ｏ−Ｃ
_qaＨ_2qa−Ｒ³ 、又は−Ｏ−ＣＯ−Ｃ_qaＨ_2qa −Ｒ³ を
表し、直鎖状、分岐状のいずれであっても良い（但し、
Ｒ³ は、−Ｏ−ＣＯ−Ｃ_qbＨ_2qb+1 、−ＣＯ−Ｏ−Ｃ_qb
Ｈ_2qb+1 、−Ｈ、−Ｃｌ、−Ｆ、−ＣＦ₃ 、−ＮＯ₂ 、
−ＣＮを表わし、ｑａ及びｑｂは独立に１〜２０であ
る）。

【００４８】Ｒ² はＣ_xaＦ_2xa −Ｘを表わす（Ｘは−Ｈ
又は−Ｆを表し、ｘａは１〜２０の整数である）。

【００４９】

【外６】 を表す。

【００５０】ｇｂ、ｈｂ、ｉｂはそれぞれ独立に０〜３
の整数（但し、ｇｂ＋ｈｂ＋ｉｂは少なくとも２であ
る）を表わす。

【００５１】夫々のＬ³ 、Ｌ⁴ は独立に、単結合、−Ｃ
Ｏ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−Ｓ−ＣＯ
−、−ＣＯ−Ｓｅ−、−Ｓｅ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｔｅ
−、−Ｔｅ−ＣＯ−、−（ＣＨ₂ ＣＨ₂ ）_ka−（ｋａは
１〜４）、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ＝Ｎ
−、−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ₂ −Ｏ−、−Ｏ−ＣＨ₂ −、
−ＣＯ−又は−Ｏ−を表わす。

【００５２】夫々のＸ² 、Ｙ² 、Ｚ² はＡ⁴ 、Ａ⁵ 、Ａ
⁶ の置換基であり、独立に−Ｈ、−Ｃｌ、−Ｆ、−Ｂ
ｒ、−Ｉ、−ＯＨ、−ＯＣＨ₃ 、−ＣＨ₃ 、−ＣＦ₃ 、
−Ｏ−ＣＦ₃ 、−ＣＮ、又は−ＮＯ₂ を表し、夫々のｊ
ｂ、ｍｂ、ｎｂはそれぞれ０〜４の整数を表わす。

【００５３】Ｊ² は、−ＣＯ−Ｏ−Ｃ_rcＨ_2rc −、−Ｏ
−Ｃ_rcＨ_2rc −、−Ｃ_rcＨ_2rc −、−Ｏ−（Ｃ_saＨ_2sa
−Ｏ）_ta−Ｃ_rbＨ_2rd −、−Ｏ−ＳＯ₂ −、−ＳＯ₂
−、−ＳＯ₂ −Ｃ_rcＨ_2rc −、−Ｃ_rcＨ_2rc −Ｎ（Ｃ_pb
Ｈ_2pb+1 ）−ＳＯ₂ −、−Ｃ_rcＨ_2rc −Ｎ（Ｃ_pbＨ
_2pb+1 ）−ＣＯ−であり、ｒｃ及びｒｄは独立に１〜２
０であり、ｓａはそれぞれの（Ｃ_saＨ_2sa −Ｏ）に独立
に１〜１０であり、ｔａは１〜６であり、ｐｂは０〜４
である。

【００５４】Ｒ⁴ は、−Ｏ−（Ｃ_qcＨ_2qc −Ｏ）_wa−Ｃ
_qbＨ_2qd+1 、−（Ｃ_qcＨ_2qc −Ｏ）_wa−Ｃ_qdＨ_2qd+1 、
−Ｃ_qcＨ_2qc −Ｒ⁶ 、−Ｏ−Ｃ_qcＨ_2qc −Ｒ⁶ 、−ＣＯ
−Ｏ−Ｃ_qcＨ_2qc −Ｒ⁶ 、又は−Ｏ−ＣＯ−Ｃ_qcＨ_2qc
−Ｒ⁶ を表わし、直鎖状、分岐状のいずれであっても良
い（但し、Ｒ⁶ は−Ｏ−ＣＯ−Ｃ_qdＨ_2qd+1 、−ＣＯ−
Ｏ−Ｃ_qdＨ_2qd+1 、−Ｃｌ、−Ｆ、−ＣＦ₃ 、−ＮＯ
₂ 、−ＣＮ、又は−Ｈを表わし、ｑｃ及びｑｄは独立に
１〜２０の整数、ｗａは１〜１０の整数である）。

【００５５】Ｒ⁵ は、（Ｃ_xbＦ_2xb −Ｏ）_za−Ｃ_yaＦ
_2ya+1 で表される（但し、上記式中ｘｂはそれぞれの
（Ｃ_xbＦ_2xb −Ｏ）に独立に１〜１０であり、ｙａは１
〜１０であり、ｚａは１〜１０である）。

【００５６】上記一般式（Ｉ）で表わされる化合物は、
特開平２−１４２７５３号公報、米国特許第５，０８
２，５８７号に記載の方法によって得ることができる。
かかる化合物の具体例を以下に列挙する。

【００５７】

【外７】

【００５８】

【外８】

【００５９】

【外９】

【００６０】

【外１０】

【００６１】

【外１１】

【００６２】

【外１２】

【００６３】

【外１３】

【００６４】

【外１４】

【００６５】

【外１５】

【００６６】

【外１６】

【００６７】

【外１７】

【００６８】

【外１８】

【００６９】上記一般式（ＩＩ）で表わされる化合物
は、国際公開ＷＯ９３／２２３９６、特表平７−５０６
３６８号公報に記載の方法によって得ることができる。
かかる化合物の具体例を以下に列挙する。

【００７０】

【外１９】

【００７１】

【外２０】

【００７２】

【外２１】

【００７３】

【外２２】

【００７４】

【外２３】

【００７５】

【外２４】

【００７６】上記液晶化合物に加えて、不斉炭素原子を
有する光学活性化合物（カイラルドーパント）を添加し
てカイラルスメクチック液晶組成物とすることができ
る。

【００７７】特に、カイラルスメクチック液晶組成物と
して、自発分極の大きなもの、具体的には、１０ｎＣ／
ｃｍ²以上のものを用いた時に本発明の効果は大きくな
る。

【００７８】また、本発明に用いる液晶組成物には必要
に応じて、その他の液晶性化合物、酸化防止剤、紫外線
吸収剤、色素、顔料等の添加剤が含有されていてもよ
い。

【００７９】次に、本実施の形態にかかる液晶素子の製
造方法の一例について説明する。

【００８０】まず、ガラス基板１ａの表面に金属膜を成
膜した後、図２（ａ）に示すようにパターニングして、
金属電極（補助電極）３ａを形成する（以下、図２
（ａ）に示すような構造体を“電極基板”とし、この電
極基板における金属電極が形成された側の面を“配線
面”とする）。

【００８１】金属膜の成膜方法としては、真空蒸着、電
子ビーム蒸着、イオンプレーティング、ＣＶＤ、スパッ
タリング等の公知の成膜法を用いることができ、用いる
金属材料に応じて適宜選択することができる。

【００８２】パターニング方法としては、エッチング、
フォトリソグラフ等の公知のパターニング方法を用いる
ことができ、用いる金属材料、作成プロセス等に応じて
適宜選択することができる。

【００８３】また、電極基板の配線面にはシランカップ
リング処理等を施して、後に形成される絶縁層４ａとの
密着性を高めるようにすることが好ましい。

【００８４】次に、電極基板の配線面に高分子材料１０
を定量供給装置（不図示）によって所定量供給する（図
２（ｂ））。なお、定量供給装置としては、ディスペン
サー、ロールコーター、スピンコーター等が用いられ得
る。

【００８５】そして、高分子材料１０が供給された配線
面に、平滑な板状部材（以下、“平滑板”とする）９
を、気泡を巻き込まないようにゆっくりと重ね合わせる
（図２（ｃ））。

【００８６】続いて、電極基板、高分子材料からなる絶
縁層４ａ並びに平滑板９によって構成された一体物（以
下、単に“一体物”とする）をプレス機（不図示）にセ
ットして加圧する。これにより、高分子材料１０は金属
電極（補助電極）３ａの表面から排除され、補助電極の
間隙に充填されることとなる。

【００８７】なお、平滑板９としては、表面が平滑な板
状の部材であり、且つ加圧によって変形しないものであ
ればよく、高分子材料を硬化させるためにＵＶ光等を利
用する場合にはこれらの光を透過するものであればどの
ような材質のものであってもよい。例えば、表面を研磨
したガラス板等が好ましく用いられる。また、プレス機
としては、高分子材料を均一に押し広げることができる
ものであれば如何なるものであってもよく、例えば、油
圧シリンダーやエアシリンダーを用いたプレス機や、液
体圧プレス機、ロールプレス機等が用いられる。この場
合、電熱ヒータや加熱流体等により一体物を加熱するよ
うにしてもよい。このように一体物を加熱することによ
り、高分子材料１０の粘度が低下し、加圧時に高分子材
料が円滑に押し広げられる。

【００８８】高分子材料１０を硬化させる方法は、用い
る高分子材料によって異なるが、ＵＶ硬化樹脂を用いる
場合には、高圧水銀灯、低圧水銀灯、キセノンランプ等
の光源を用いればよい。但し、その出力は、高分子樹脂
を十分に硬化させるに足りるものである必要がある。

【００８９】次に、剥離装置（不図示）を用いて、一体
物から平滑板９を剥離する（図２（ｄ））。続いて、高
分子材料からなる絶縁層４ａ及び補助電極３ａ上に透明
電極（主電極）５ａを形成する（図２（ｅ））。主電極
５ａの形成方法としては、真空蒸着、電子ビーム蒸着、
イオンプレーティング、ＣＶＤ、スパッタリング等の公
知の成膜法を用いることができ、用いる材料に応じて適
宜選択することができる。

【００９０】パターニング方法としては、エッチング、
フォトリソグラフ等の公知のパターニング方法を用いる
ことができ、用いる材料、作成プロセス等に応じて適宜
選択することができる。

【００９１】次に、図３（ａ）に示すように遮光部材６
を形成したガラス基板１ｂを用いて配線基板を作成す
る。この配線基板作成の各工程は図３に示すとおりであ
るが、遮光部材６を設けた後の工程は、上述した工程と
同様であるので説明を省略する。

【００９２】遮光部材６の形成方法としても、主電極、
補助電極同様公知の形成方法を用いることができる。こ
こで、遮光部材６は、少なくとも後に設ける主電極５ｂ
の間隙に対応する部分に設ける必要がある。

【００９３】このようにして作成した２枚の配線基板の
それぞれに、必要に応じて絶縁膜を設けた後、配向制御
層７ａ、７ｂを形成する。絶縁膜、配向制御層の形成方
法としては、スピンコート、ロールコート、印刷等の公
知の方法を用いることができる。

【００９４】続いて、上記２枚の配線基板の一方もしく
は両方に複数のスペーサービーズ８を散布することによ
って所定の間隔を介して、両配線基板をシール材で接着
し、液晶組成物を注入することにより液晶素子を作成す
る。その際、それぞれの配線基板に設けられた主電極５
ａ、５ｂはマトリクス状になるように対向配置される。

【００９５】さらに、配線基板の外側には、偏光板（不
図示）をクロスニコルに配置されるように貼り合わせ
る。表示素子として用いる場合には、遮光部材６が設け
られた配線基板が観察者側になるようにバックライト
（不図示）を配置する。

【００９６】本発明の液晶素子は種々の機能をもった液
晶装置を構成するが、図４、図５に示した走査線アドレ
ス情報をもつ画像情報なるデータフォーマット及びＳＹ
Ｎ信号による通信同期手段を取ることにより液晶表示装
置を実現する。図中の符号はそれぞれ以下のとおりであ
る。

【００９７】１０１ カイラルスメクティック液晶表示
装置 １０２ グラフィックコントローラ １０３ 表示パネル １０４ 走査線駆動装置 １０５ 情報線駆動装置 １０６ デコーダ １０７ 走査信号発生装置 １０８ シフトレジスタ １０９ ラインメモリ １１０ 情報信号発生装置 １１１ 駆動制御回路 １１２ ＧＣＰＵ １１３ ホストＣＰＵ １１４ ＶＲＡＭ

【００９８】画像情報の発生は、本体装置側のグラフィ
ックコントローラ１０２にて行われ、図４及び図５に示
した信号転送手段にしたがって表示パネル１０３へと転
送される。グラフィックコントローラ１０２は、ＣＰＵ
（中央演算処理装置、ＧＣＰＵと略す。）及びＶＲＡＭ
（画像情報格納用メモリ）１１４を核にホストＣＰＵ１
１３と液晶表示装置１０１間の画像情報の管理や通信を
つかさどっている。尚、該表示パネルの裏面には、光源
が配置されている。

【００９９】本発明の表示装置は表示媒体である液晶素
子が前述したように良好なスイッチング特性を有するた
め、優れた駆動特性、信頼性を発揮し、高精細、高速、
大面積の表示画像を得ることができる。

【０１００】本発明の液晶素子の駆動法としては、例え
ば特開昭５９−１９３４２６号公報、特開昭５９−１９
３４２７号公報、特開昭６０−１５６０４６号公報、特
開昭６０−１５６０４７号公報などに開示された駆動法
を適用することができる。

【０１０１】図８は、上記駆動法の波形図の一例であ
る。また、図７は、マトリクス電極（主電極及び補助電
極）を配置したカイラルスメクティック液晶素子の一例
の平面図である。図７の液晶素子５１には、走査電極群
５２の走査線と情報電極群５３のデータ線とが互いに交
差して配線され、その交差部の走査線とデータ線との間
にはカイラルスメクティック液晶が配置されている。

【０１０２】図８（Ａ）中のＳ_S と選択された走査線に
印加する選択走査波形を、Ｓ_N は選択されていない非選
択走査波形を、Ｉ_S は選択されたデータ線に印加する選
択情報波形（黒）を、Ｉ_N は選択されていないデータ線
に印加する非選択情報信号（白）を表している。また、
図中（Ｉ_S −Ｓ_S ）と（Ｉ_N −Ｓ_S ）は選択された走査
線上の画素に印加する電圧波形で、電圧（Ｉ_S −Ｓ_S ）
が印加された画素は黒の表示状態をとり、電圧（Ｉ_N −
Ｓ_S ）が印加された画素は白の表示状態をとる。

【０１０３】図８（Ｂ）は図８（Ａ）に示す駆動波形
で、図６に示す表示を行ったときの時系列波形である。

【０１０４】図８に示す駆動例では、選択された走査線
上の画素に印加される単一極性電圧の最小印加時間Δｔ
が書き込み位相ｔ₂ の時間に相当し、１ラインクリヤｔ
₁ 位相の時間が２Δｔに設定されている。

【０１０５】さて、図８に示した駆動波形の各パラメー
タＶ_S ，Ｖ_I ，Δｔの値は使用する液晶材料のスイッチ
ング特性によって決定される。

【０１０６】図９は後述するバイアス比を一定に保った
まま駆動電圧（Ｖ_S ＋Ｖ_I ）を変化させた時の透過率Ｔ
を変化、即ちＶ−Ｔ特性を示したものである。ここでは
Δｔ＝５０μｓｅｃ、バイアス比Ｖ_I ／（Ｖ_I ＋Ｖ_S ）
＝１／３に固定されている。図９の正側は図８で示した
（Ｉ_N −Ｓ_S ）、負側は（Ｉ_S −Ｓ_S ）で示した波形が
印加される。

【０１０７】ここで、Ｖ₁ ，Ｖ₃ をそれぞれ実駆動閾値
電圧及びクロストーク電圧と呼ぶ。また、Ｖ₂ ＜Ｖ₁ ＜
Ｖ₃ の時Ｍ２（Ｖ）＝（Ｖ₃ −Ｖ₁ ）／（Ｖ₃ ＋Ｖ₁ ）
を電圧マージンパラメータと呼び、マトリクス駆動可能
な電圧幅のパラメータとなる。Ｖ₃ はカイラルスメクテ
ィック液晶素子駆動上、一般的に存在すると言ってよ
い。具体的には、図８（Ａ）（Ｉ_N −Ｓ_S ）の波形にお
けるＶ_B によるスイッチングを起こす電圧値である。勿
論、バイアス比を大きくすることによりＶ₃ の値を大き
くすることは可能であるが、バイアス比を増すことは情
報信号の振幅を大きくすることを意味し、画質的にはち
らつきの増大、コントラストの低下を招き好ましくな
い。

【０１０８】我々の検討ではバイアス比１／３〜１／４
程度が実用的であった。ところで、バイアス比を固定す
れば、電圧マージンパラメータＭ２（Ｖ）は液晶材料の
スイッチング特性及び素子構成に強く依存し、Ｍ２
（Ｖ）の大きい素子がマトリクス駆動上非常に有利であ
ることは言うまでもない。

【０１０９】また、同様に上述した電圧を一定に保ち、
電圧印加時間Δｔを変化させていくことにより、駆動を
することも可能である。上述した電圧をそのまま電圧印
加時間とすればよく、その際電圧印加時間閾値をΔｔ₁
とし、電圧印加時間クロストーク値をΔｔ₂ とし、（Δ
ｔ₂ −Δｔ₁ ）／（Δｔ₂ ＋Δｔ₁ ）＝Ｍ２（ΔＴ）を
電圧印加時間マージンパラメータという。

【０１１０】この様なある一定温度において、情報信号
の２通りの向きによって選択画素に「黒」及び「白」の
２状態を書き込むことが可能であり、非選択画素はその
「黒」または「白」の状態を保持することが可能である
電圧マージンまたは電圧印加時間マージンは液晶材料及
び素子構成によって差が有り、特有なものである。ま
た、環境温度の変化によっても駆動マージンはズレてい
くため、実際の表示装置の場合、液晶材料、素子構成や
環境温度に対して最適な駆動条件にしておく必要があ
る。

【０１１１】続いて、本発明の第２の実施の形態につい
て説明する。本実施の形態においては、前記補助電極相
互の間隙に絶縁層を形成した配線基板（以下、第１の基
板という）を液晶素子の一方の基板、具体的には走査線
を有する基板としてのみ用いている。他方の基板（情報
線を有する基板）としては、図１０に示すような、補助
電極間を絶縁層で平坦化していない配線基板（以下、第
２の基板という）を用いている。

【０１１２】図１０中、１は透光性基材であり、透光性
基材１上には遮光部材６、カラーフィルタ（２１Ｒ、２
１Ｇ、２１Ｂ）が設けられている。なお、混色防止など
の点から、本基板、即ちカラーフィルタを有する基板
は、光出力側に設けることが好ましい。カラーフィルタ
２１Ｒ、２１Ｇ、２１Ｂ上には、カラーフィルタの保護
層を兼ねた平坦化層２２が設けられている。そして、平
坦化層２２上に補助電極３、主電極５が設けられ、これ
らを覆うように配向制御層７が設けられている。なお、
本実施の形態では補助電極３を主電極５の透光性基材１
側に設けているが、逆に主電極５上に補助電極３を設け
てもよい。ここで、第２の基板にカラーフィルタを設け
る理由としては、従来のカラーフィルタの製造方法を適
用できることなどから設計の自由度が大きくなること、
及び、単純マトリクスタイプの素子では、情報線を有す
る基板にカラーフィルタを設けた方が開口率を大きくす
ることができること、を挙げることができる。また、カ
ラー化する必要がない場合は、カラーフィルタ及び平坦
化層は設けなくてもよい。

【０１１３】図示してはいないが、図１０の主電極５は
補助電極３上で多少凸になっている。すなわち、補助電
極３が厚くなると配向制御膜７上の凹凸が大きくなり、
液晶の配向に悪影響を与える恐れが大きいので、補助電
極３は薄い方が好ましく、具体的には０．３μｍ以下の
厚さであることが好ましい。また、補助電極３は設けな
くてもよい。さらに、一方の基板の配向制御膜のみに一
軸配向処理を施す場合、該一軸配向処理は、第１の基板
の配向制御膜に施すことが好ましい。その理由として
は、一軸配向処理を施した配向制御膜が液晶の配向に大
きく寄与する為、その表面はより平坦化されていること
が好ましいことが挙げられる。一軸配向処理方向として
は、電極の長手方向に垂直でないことが配向欠陥防止の
点から好ましい。一軸配向処理方向と電極の長手方向と
のなす角が３０°以下であることがより好ましく、電極
の長手方向と一致させることがさらに好ましい。

【０１１４】図１０中、遮光部材、主電極、補助電極、
配向制御層のそれぞれは、前述した第１の実施の形態同
様の材料を用いることができる。

【０１１５】カラーフィルタ２１Ｒ、２１Ｇ、２１Ｂと
しては、顔料分散型のカラーフィルタや染色型のカラー
フィルタ等種々のカラーフィルタを用いることができ、
特には限定されない。その形成方法としては、フォトリ
ソ法、印刷法、インクジェット法、昇華転写法、等種々
の方法を材料に応じて選択することが出来る。

【０１１６】平坦化層２２としては、有機材料、無機材
料等種々の材料を必要に応じて選択して用いる事ができ
る。また、平坦化層の形成時にカラーフィルタにダメー
ジを与えないという点から、塗布型の膜が好適に用いら
れる。

【０１１７】本発明者らは、走査線を有する基板のみを
図１に示したような第１の配線基板とし、情報線を有す
る基板は図１０に示したような第２の配線基板（補助電
極が比較的薄い、或いは補助電極を持たない配線基板）
とした液晶素子においても本発明の効果が達成されるこ
とを見出した。加えて、図１０に示すような配線基板
は、絶縁層形成工程が不要である為、コストが削減でき
るという効果をも奏する。

【０１１８】ここで、補助電極を用いることによる電圧
波形遅延の抑制について詳述する。本発明者らのシミュ
レーションによれば、走査線の抵抗値が大きいと電圧波
形の遅延は大きくなるが、情報線の抵抗値が多少大きく
なっても電圧波形の遅延はさほど大きくならないという
ことが明らかとなった。具体的には、情報線の抵抗値が
走査線の抵抗値の約４０倍の時に、両者の電圧波形遅延
に与える影響がほぼ等しくなる。

【０１１９】かかるシミュレーションの結果から、本発
明者らは以下のように考察する。本発明者らは、液晶に
閾値を超える電圧を印加した際に電極に反転電流が流れ
ることに起因して、電圧波形の遅延（歪み）が生じると
考えている。かかる反転電流の大きさと液晶の自発分極
の大きさとは正の相関関係を有すると考えられる。従っ
て、液晶の自発分極が大きいほど、電圧波形の遅延（歪
み）は大きくなり、電極の低抵抗化が必要となる。とこ
ろで、かかる反転電流は液晶に閾値を超える電圧を印加
した際に発生すると考えられるが、ある画素に閾値を超
える電圧が印加されている時には、通常、その画素と同
一走査線上にある画素全てに閾値を超える電圧が印加さ
れている。一方、通常、その画素と同一情報線上にある
他の画素には閾値を超える電圧は印加されない。即ち、
選択されている走査線上では、すべての画素の液晶が反
転電流の発生に寄与するが、情報線上では一つの画素の
液晶が反転電流の発生に寄与するのみである。以上の考
察から、電圧波形の遅延（歪み）は、走査線の抵抗値の
変化に、より大きな影響を受けると推定される。

【０１２０】

【実施例】以下、実施例を示す。

【０１２１】（実施例１）３００ｍｍ×３１０ｍｍ×
１．１ｍｍの両面研磨された青板ガラスの表面にスパッ
タリングによってＣｒを厚さ８０ｎｍ成膜し、フォトリ
ソ・エッチングにより幅３０μｍ、ピッチ３２０μｍの
パターン状に形成して、図３（ａ）に示すような遮光部
材の形成されたガラス基板を得た。

【０１２２】この遮光部材が形成されたガラス基板上
に、Ａ１を厚さ２μｍ成膜しフォトリソ・エッチングに
より幅１８μｍ、ピッチ３２０μｍのパターン状に形成
して補助電極とし、図３（ｂ）に示すような電極基板を
得た。

【０１２３】次に、この電極基板の補助電極が形成され
た側に、シランカップリング剤Ａ−１７４（日本コニカ
社製）１重量部、エチルアルコール４０重量部からなる
カップリング処理剤をスピンコートし、１００℃のクリ
ーンオーブンで２０分熱処理を施した。

【０１２４】続いて、この電極基板の補助電極が形成さ
れた側（カップリング処理剤をスピンコートした側）
に、ペンタエリスリトールトリアクリレート５０重量
部、ネオペンチルグリコールジアクリレート５０重量
部、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン２重
量部からなるＵＶ硬化樹脂をディスペンサーを用いて滴
下した（図３（ｃ））。

【０１２５】さらに、ＵＶ硬化樹脂を滴下した電極基板
上に、３００ｍｍ×３１０ｍｍの両面研磨された青板ガ
ラスからなる平滑板を、気泡を巻き込まないようにゆっ
くりと接した。別に用意した１トンのロールプレス機
に、この電極基板と平滑板との一体物を設置し、送り速
度３０ｃｍ／ｍｉｎ．プレス圧７００ｋｇでプレスし
た。続いて、１００Ｗの高圧水銀ランプ４本で構成され
たＵＶ光照射装置を用いて、該一体物に２分間ＵＶ光を
照射することにより、ＵＶ硬化樹脂を硬化した（図３
（ｄ））。

【０１２６】剥離装置により、型板からＵＶ硬化樹脂が
形成された電極基板（図３（ｅ））を剥離した後、ＩＴ
Ｏ膜をスパッタリングにより１５０ｎｍ成膜し、補助電
極と導通するようにフォトリソ・エッチングによりパタ
ーニングして、ピッチ３２０μｍ、電極幅３００μｍの
透明電極（主電極）を形成して図３（ｆ）に示すような
配線基板を作成した。ここで、前記遮光部材は、透明電
極相互の間隙を覆うように配置されている。

【０１２７】また、上記の配線基板と同様の方法で、配
線基板を作成した。但し、遮光部材は形成せず、図２に
示すように青板ガラス上に直接補助電極を設けた。

【０１２８】次に、上記遮光部材を有する配線基板上
に、ラダー型のポリシロキサンの母材中にＳｎＯ_X の酸
化物超微粒子（粒径１００Å）を分散した固形分濃度１
０ｗｔ％のエタノール溶液をスピンコート法により乾燥
後の膜厚が２０００Åになるように塗布した。その後、
８０℃で５分間の前乾燥を行った後、２００℃で１時
間、加熱乾燥を施した。

【０１２９】続いて、上記遮光部材を持たない配線基板
上に、下記構造単位を有するポリイミドの前駆体０．８
重量％溶液をスピンコート法により塗布した。その後、
８０℃で５分間の前乾燥を行った後、２００℃で１時間
加熱焼成し、配向制御層を形成した。尚、この配向制御
層の厚さは６ｎｍであった。この配向制御層に一軸配向
処理として、ナイロン布によるラビング処理を施した。

【０１３０】

【外２５】

【０１３１】上記配線基板の一方に平均粒径２μｍのシ
リカビーズを散布した後、シール材によって両配線基板
を貼り合わせて単純マトリクス状のセルを作成した。こ
のセルに下記液晶組成物Ａを等方相下で注入し、１℃／
ｍｉｎ．の速度で室温まで徐冷して、図１に示すような
液晶素子とした。次に、両配線基板の外側に、偏光板を
クロスニコルに貼り合わせ、バックライトを遮光部材を
持たない配線基板の外側に配置して、遮光部材を有する
配線基板側から観察する液晶表示素子を作成した。

【０１３２】

【外２６】

【０１３３】上記液晶表示素子では、電極基板と液晶と
の界面の凹凸が低減されているため均一な配向が得ら
れ、また、電圧波形の遅延が低減されている。さらに、
液晶駆動時において均一なスイッチングを行うことがで
き、高速スイッチング時においても、誤動作のない表示
を行うことができた。加えて、透明電極の間隙に対応す
る部分が遮光部材で覆われているので、スイッチングを
行わない領域からの光漏れを完全に防止することがで
き、高品位な表示を行うことが可能となった。また、コ
ントラストは１００以上とすることができた。

【０１３４】（実施例２）下記液晶組成物Ｂを用いたこ
と以外は、実施例１同様にして液晶表示素子を作成し
た。本実施例の液晶表示素子も、実施例１同様、均一な
配向が得られ、高速スイッチング時においても誤動作の
ない高品位な表示を行うことができた。また、コントラ
ストは１００以上とすることができた。

【０１３５】

【外２７】

【０１３６】（実施例３）まず、実施例１同様の方法で
遮光部材を持たない配線基板を作成した。

【０１３７】続いて、以下のような方法で、補助電極間
を絶縁層で平坦化していない配線基板を作成した。

【０１３８】３００ｍｍ×３１０ｍｍ×１．１ｍｍの両
面研磨された青板ガラスの表面にスパッタリングによっ
てＭｏ−Ｔａ合金を２０ｎｍの厚さに成膜し、フォトリ
ソ・エッチングにより幅１８μｍのパターン状に形成し
て、遮光部材の形成されたガラス基板を得た。

【０１３９】この遮光部材が形成されたガラス基板上
に、緑色の顔料が分散された感光性樹脂溶液を、乾燥後
の厚さが１．３μｍになるようにスピナーで塗布し、８
０℃でプリベークした後、露光、現像し、幅９５μｍの
ストライプ状にパターニングし、２５０℃でポストベー
クし、グリーンのストライプ状カラーフィルタを形成し
た。同様の方法で、赤色の顔料が分散された感光性樹脂
溶液、青色の顔料が分散された感光性樹脂溶液を用い
て、順にレッド、ブルーのストライプ状カラーフィルタ
を形成した。それぞれのカラーフィルタの幅は９５μ
ｍ、間隔は８μｍとした。

【０１４０】なお、緑色の顔料が分散された感光性樹脂
溶液としては、リオノールグリーン（Ｌｉｏｎｏｌ
Ｇｒｅｅｎ）ＧＹＫ（商品名、東洋インキ社製、Ｃ．
Ｉ．Ｎｏ．７４２６５）をＰＡ−１０００（商品名、宇
部興産社製、ポリマー分＝１０％、溶剤：Ｎ−メチル−
２−ピロリドン）に分散（顔料：ポリマー＝１：２）さ
せたものを用いた。また、赤色の樹脂が分散された感光
性樹脂溶液としては、イルガジンレッド（Ｉｒｇａｇｉ
ｎ Ｒｅｄ）ＢＲＴ（商品名、チバガイギー社製、
Ｃ．Ｉ．Ｎｏ．７１１２７）をＰＡ−１０００（商品
名、宇部興産社製、ポリマー分＝１０％、溶剤：Ｎ−メ
チル−２−ピロリドン）に分散（顔料：ポリマー＝１：
２）させたものを用いた。さらに、青色の樹脂が分散さ
れた感光性樹脂溶液としては、ヘリオゲンブルー（Ｈｅ
ｌｉｏｇｅｎ Ｂｌｕｅ）Ｌ７０８０（商品名、ＢＡ
ＳＦ社製、Ｃ．Ｉ．Ｎｏ．７４１６０）をＰＡ−１００
０（商品名、宇部興産社製、ポリマー分＝１０％、溶
剤：Ｎ−メチル−２−ピロリドン）に分散（顔料：ポリ
マー＝１：２）させたものを用いた。

【０１４１】次にアクリル系樹脂であるＬＣ−２０４０
（商品名、三洋化成社製）を塗布後、焼成して、厚さ３
μｍの平坦化層を形成した。

【０１４２】続いて、平坦化層上に、Ｔａ−Ｍｏ／Ａｌ
−Ｓｉ−Ｃｕ／Ｔａ−Ｍｏの３層を３０ｎｍ／１５０ｎ
ｍ／５０ｎｍそれぞれスパッタリングによって成膜し、
パターニングして、幅８μｍの補助電極を形成した。

【０１４３】次に、ＩＴＯからなる透明電極を厚さ７０
ｎｍになるようにスパッタリングで成膜し、フォトリソ
エッチングによってパターニングして、幅４７μｍと３
０μｍのストライプ状の主電極が間隔８μｍで交互に並
ぶように形成した。

【０１４４】そして、最後にラダー型のポリシロキサン
の母材中にＳｎＯ_Xの酸化物超微粒子（粒径１００Å）
を分散した固形分密度１０ｗｔ％のエタノール溶液をス
ピンコート法により膜厚２０００Åになるように塗布
し、８０℃で５分間の前乾燥を行った後、２００℃で１
時間加熱乾燥を施して配向制御膜を形成した。この配向
制御膜にはラビング処理を施さなかった。

【０１４５】このようにして形成した２枚の配線基板を
用い、以下実施例１同様の方法で液晶表示素子を作成し
た。

【０１４６】本実施例の液晶表示素子においても電圧波
形の遅延は問題とならず、実施例１同様の効果が得られ
た。

【０１４７】

【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
ブックシェルフ構造或はそれに近い傾き角の小さな構造
の液晶層を安定してとり、かつ優れた配向状態をとり、
特に、高コントラスト、高精細、高輝度であり、良好な
動画表示を行い得る液晶素子を提供することができる。

【０１４８】さらに本発明によれば、大画面化が実現さ
れた液晶素子を用いて、優れた表示特性を有する表示装
置が提供され、その工業的価値は大きい。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の液晶素子の一例の模式的な断面図であ
る。

【図２】本発明の液晶素子に用いられる配線基板の一例
の製造工程を示す模式的な断面図である。

【図３】本発明の液晶素子に用いられる配線基板の他の
例の製造工程を示す模式的な断面図である。

【図４】本発明の液晶素子を備えた表示装置とグラフィ
ックスコントローラを示すブロック図である。

【図５】表示装置とグラフィックコントローラとの間の
画像情報信号タイミングチャートを示す図である。

【図６】図８に示す時系列駆動波形で実際の駆動を行っ
た時の表示パターンの模式図である。

【図７】マトリクス電極を配置した液晶素子の模式的な
平面図である。

【図８】本発明の液晶素子の駆動に用いられる駆動波形
の一例を示す図である。

【図９】本発明の液晶素子において、駆動電圧を変化さ
せた時の透過率の変化を表すグラフ（Ｖ−Ｔ特性図）で
ある。

【図１０】本発明の液晶素子に用いられる配線基板の他
の例である。

【符号の説明】

１ａ、１ｂ 透光性基材（ガラス基板） ２ 液晶組成物 ３ａ、３ｂ 補助電極（金属電極） ４ａ、４ｂ 高分子材料からなる絶縁層（ＵＶ硬化樹脂
層） ５ａ、５ｂ 主電極（透明電極） ６ 遮光部材 ７ａ、７ｂ 配向制御層 ８ ビーズ状スペーサー ９ 平滑板 １０ 高分子材料 ２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂ カラーフィルタ ２２ 平坦化層 １０１ カイラルスメクチック液晶表示装置 １０２ グラフィックコントローラ １０３ 表示パネル １０４ 走査線駆動装置 １０５ 情報線駆動装置 １０６ デコーダ １０７ 走査信号発生装置 １０８ シフトレジスタ １０９ ラインメモリ １１０ 情報信号発生装置 １１１ 駆動制御回路 １１２ ＧＣＰＵ １１３ ホストＣＰＵ １１４ ＶＲＡＭ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 友野 晴夫 東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノ ン株式会社内 (72)発明者 佐藤 公一 東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノ ン株式会社内 (72)発明者 坪山 明 東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノ ン株式会社内 (72)発明者 片倉 一典 東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノ ン株式会社内 (72)発明者 岡田 伸二郎 東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノ ン株式会社内 (72)発明者 横山 優子 東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノ ン株式会社内 (72)発明者 神尾 優 東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノ ン株式会社内

Claims (33)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 対向する一対の配線基板間に液晶組成物
   を挟持してなる液晶素子において、 前記一対の配線基板の少なくとも一方は、 透光性基材と、 主電極と、該主電極の透光性基材側の少なくとも一部に
   電気的に接続した補助電極と、からなる複数の電極と、 前記透光性基材の対向面上の、前記電極を構成する補助
   電極相互の間隙に形成された絶縁層と、を少なくとも備
   えており、 前記液晶組成物は、フルオロカーボン末端部分及び炭化
   水素末端部分を有し、該両末端部分が中心核によって結
   合され、スメクティック中間相又は潜在的スメクティッ
   ク中間相を持つフッ素含有液晶化合物を含有する液晶組
   成物である、ことを特徴とする液晶素子。
2. 【請求項２】 前記絶縁層は、高分子材料からなる、請
   求項１記載の液晶素子。
3. 【請求項３】 前記高分子材料は、紫外線を照射するこ
   とにより硬化する樹脂である、請求項２記載の液晶素
   子。
4. 【請求項４】 前記一対の配線基板は、それぞれ配向制
   御層を有している、請求項１〜３のいずれかに記載の液
   晶素子。
5. 【請求項５】 一方の配線基板の配向制御層には一軸配
   向処理が施され、他方の配線基板の配向制御層には一軸
   配向処理が施されていない、請求項４記載の液晶素子。
6. 【請求項６】 前記一軸配向処理が施された配向制御層
   がポリイミド膜からなる、請求項５記載の液晶素子。
7. 【請求項７】 前記補助電極の表面と前記透光性基材と
   の間の距離が、前記絶縁層の表面と前記透光性基材との
   間の距離以上である、請求項１〜６のいずれかに記載の
   液晶素子。
8. 【請求項８】 前記主電極が透明電極である請求項１〜
   ７のいずれかに記載の液晶素子。
9. 【請求項９】 前記一対の配線基板の少なくとも一方の
   前記主電極の間隙部に対応する透光性基板上に遮光部材
   が設けられている、請求項８記載の液晶素子。
10. 【請求項１０】 前記遮光部材が導電性であり、且つ前
    記補助電極と電気的に接続している、請求項９記載の液
    晶素子。
11. 【請求項１１】 前記フッ素含有液晶化合物におけるフ
    ルオロカーボン末端部分が、−Ｄ¹ −Ｃ_xaＦ_2xa −Ｘで
    表わされる基である請求項１記載の液晶素子。（但し、
    上記式中ｘａは１〜２０であり、Ｘは−Ｈ又は−Ｆを表
    わし、Ｄ¹ は、−ＣＯ−Ｏ−（ＣＨ₂ ）_ra−、−Ｏ−
    （ＣＨ₂ ）_ra−、−（ＣＨ₂ ）_ra−、−Ｏ−ＳＯ₂ −、
    −ＳＯ₂ −、−ＳＯ₂ −（ＣＨ₂ ）_ra−、−Ｏ−（ＣＨ
    ₂ ）_ra−Ｏ−（ＣＨ₂ ）_rb−、−（ＣＨ₂ ）_ra−Ｎ（Ｃ
    _paＨ_2pa+1 ）−ＳＯ₂ −、又は−（ＣＨ₂ ）_ra−Ｎ（Ｃ
    _paＨ_2pa+1 ）−ＣＯ−を表わす。ｒａ及びｒｂは、独立
    に１〜２０であり、ｐａは０〜４である。）
12. 【請求項１２】 前記フッ素含有液晶化合物におけるフ
    ルオロカーボン末端部分が、−Ｄ² −（Ｃ_xbＦ_2xb −
    Ｏ）_za−Ｃ_yaＦ_2ya+1 で表わされる基である請求項１記
    載の液晶素子。（但し、上記式中ｘｂはそれぞれの（Ｃ
    _xbＦ_2xb −Ｏ）に独立に１〜１０であり、ｙａは、１〜
    １０であり、ｚａは１〜１０であり、Ｄ² は、−ＣＯ−
    Ｏ−Ｃ_rcＨ_2rc −、−Ｏ−Ｃ_rcＨ_2rc −、−Ｃ_rcＨ_2rc
    −、−Ｏ−（Ｃ_saＨ_2sa −Ｏ）_ta−Ｃ_rdＨ_2rd −、−Ｏ
    −ＳＯ₂ −、−ＳＯ₂ −、−ＳＯ₂ −Ｃ_rcＨ_2rc −、−
    Ｃ_rcＨ_2rc −Ｎ（Ｃ_pbＨ_2pb+1 ）−ＳＯ₂ −、−Ｃ_rcＨ
    _2rc −Ｎ（Ｃ_pbＨ_2pb+1）−ＣＯ−、単結合から選ば
    れ、ｒｃ及びｒｄはそれぞれ独立に１〜２０であり、ｓ
    ａはそれぞれの（Ｃ_saＨ_2sa −Ｏ）に独立に１〜１０で
    あり、ｔａは１〜６であり、ｐｂは０〜４である。）
13. 【請求項１３】 前記フッ素含有液晶化合物が、下記一
    般式（Ｉ）で表わされる請求項１記載の液晶素子。 【外１】 を表わす。ｇａ、ｈａ、ｉａは独立に０〜３の整数（但
    し、ｇａ＋ｈａ＋ｉａは少なくとも２である）を表わ
    す。夫々のＬ¹ とＬ² は独立に、単結合、−ＣＯ−Ｏ
    −、−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＯＳ−、−Ｓ−ＣＯ−、−ＣＯ
    −Ｓｅ−、−Ｓｅ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｔｅ−、−Ｔｅ−
    ＣＯ−、−ＣＨ₂ ＣＨ₂ −、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ
    −、−ＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ₂ −Ｏ−、−
    Ｏ−ＣＨ₂ −、−ＣＯ−又は−Ｏ−を表わす。夫々のＸ
    ¹ 、Ｙ¹ 、Ｚ¹ はＡ¹ 、Ａ² 、Ａ³ の置換基であり、独
    立に−Ｈ、−Ｃｌ、−Ｆ、−Ｂｒ、−Ｉ、−ＯＨ、−Ｏ
    ＣＨ₃ 、−ＣＨ₃ 、−ＣＮ、又は−ＮＯ₂ を表わし、夫
    々のｊａ、ｍａ、ｎａは独立に０〜４の整数を表わす。
    Ｊ¹ は、−ＣＯ−Ｏ−（ＣＨ₂ ）_ra−、−Ｏ−（ＣＨ
    ₂ ）_ra−、−（ＣＨ₂ ）_ra−、−Ｏ−ＳＯ₂ −、−ＳＯ
    ₂ −、−ＳＯ₂ −（ＣＨ₂ ）_ra−、−Ｏ−（ＣＨ₂ ）_ra
    −Ｏ−（ＣＨ₂ ）_rb−、−（ＣＨ₂ ）_ra−Ｎ（Ｃ_paＨ
    _2pa+1 ）−ＳＯ₂ −、又は−（ＣＨ₂ ）_ra−Ｎ（Ｃ_paＨ
    _2pa+1 ）−ＣＯ−を表わす。ｒａ及びｒｂは、独立に１
    〜２０であり、ｐａは０〜４である。Ｒ¹ は、−Ｏ−Ｃ
    _qaＨ_2qa −Ｏ−Ｃ_qbＨ_2qb+1 、−Ｃ_qaＨ_2qa −Ｏ−Ｃ_qb
    Ｈ_2qb+1 、−Ｃ_qaＨ_2qa −Ｒ³ 、−Ｏ−Ｃ_qaＨ_2qa −Ｒ
    ³ 、−ＣＯ−Ｏ−Ｃ_qaＨ_2qa-R³ 、又は−Ｏ−ＣＯ−Ｃ
    _qaＨ_2qa −Ｒ³ を表わし、直鎖状、分岐状のいずれであ
    っても良い（但し、Ｒ³ は、−Ｏ−ＣＯ−Ｃ_qbＨ
    _2qb+1 、−ＣＯ−Ｏ−Ｃ_qbＨ_2qb+1 、−Ｈ、−Ｃｌ、−
    Ｆ、−ＣＦ₃ 、−ＮＯ₂ 、−ＣＮを表わし、ｑａ及びｑ
    ｂは独立に１〜２０である）。Ｒ² はＣ_xaＦ_2xa −Ｘを
    表わす（Ｘは−Ｈ又は−Ｆを表わし、ｘａは１〜２０の
    整数である）。〕
14. 【請求項１４】 前記フッ素含有液晶化合物が、下記一
    般式（ＩＩ）で表わされる請求項１記載の液晶素子。 【外２】 を表わす。ｇｂ、ｈｂ、ｉｂはそれぞれ独立に０〜３の
    整数（但し、ｇｂ＋ｈｂ＋ｉｂは少なくとも２である）
    を表わす。夫々のＬ³ 、Ｌ⁴ は独立に、単結合、−ＣＯ
    −Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−Ｓ−ＣＯ−、
    −ＣＯ−Ｓｅ−、−Ｓｅ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｔｅ−、−
    Ｔｅ−ＣＯ−、−（ＣＨ₂ ＣＨ₂ ）_ka−（ｋａは１〜
    ４）、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ＝Ｎ−、−
    Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ₂ −Ｏ−、−Ｏ−ＣＨ₂ −、−ＣＯ
    −又は−Ｏ−を表わす。夫々のＸ² 、Ｙ² 、Ｚ² はＡ
    ⁴ 、Ａ⁵ 、Ａ⁶ の置換基であり、独立に−Ｈ、−Ｃｌ、
    −Ｆ、−Ｂｒ、−Ｉ、−ＯＨ、−ＯＣＨ₃ 、−ＣＨ₃ 、
    −ＣＦ₃ 、−ＯＣＦ₃ 、−ＣＮ、又は−ＮＯ₂ を表わ
    し、夫々のｊｂ、ｍｂ、ｎｂは独立に０〜４の整数を表
    わす。Ｊ² は、−ＣＯ−Ｏ−Ｃ_rcＨ_2rc −、−Ｏ−Ｃ_rc
    Ｈ_2rc −、−Ｃ_rcＨ_2rc −、−Ｏ−（Ｃ_saＨ_2sa −Ｏ）
    _ta−Ｃ_rdＨ_2rd −、−Ｏ−ＳＯ₂ −、−ＳＯ₂ −、−Ｓ
    Ｏ₂ −Ｃ_rcＨ_2rc −、−Ｃ_rcＨ_2rc −Ｎ（Ｃ_pbＨ
    _2pb+1 ）−ＳＯ₂ −、−Ｃ_rcＨ_2rc −Ｎ（Ｃ_pbＨ
    _2pb+1 ）−ＣＯ−であり、ｒｃ及びｒｄは独立に１〜２
    ０であり、ｓａはそれぞれの（Ｃ_saＨ_2sa −Ｏ）に独立
    に１〜１０であり、ｔａは１〜６であり、ｐｂは０〜４
    である。Ｒ⁴ は、−Ｏ−（Ｃ_qcＨ_2qc −Ｏ）_wa−Ｃ_qdＨ
    _2qd+1 、−（Ｃ_qcＨ_2qc −Ｏ）_wa−Ｃ_qdＨ_2qd+1 、−Ｃ
    _qcＨ_2qc −Ｒ⁶ 、−Ｏ−Ｃ_qcＨ_2qc −Ｒ⁶ 、−ＣＯ−Ｏ
    −Ｃ_qcＨ_2qc −Ｒ⁶ 、又は−Ｏ−ＣＯ−Ｃ_qcＨ_2qc −Ｒ
    ⁶ を表わし、直鎖状、分岐状のいずれであっても良い
    （但し、Ｒ⁶ は−Ｏ−ＣＯ−Ｃ_qdＨ_2qd+1、−ＣＯ−Ｏ
    −Ｃ_qdＨ_2qd+1 、−Ｃｌ、−Ｆ、−ＣＦ₃ 、−ＮＯ₂ 、
    −ＣＮ、又は−Ｈを表わし、ｑｃ及びｑｄは独立に１〜
    ２０の整数、ｗａは１〜１０の整数である）。Ｒ⁵ は、
    （Ｃ_xbＦ_2xb −Ｏ）_za−Ｃ_yaＦ_2ya+1 で表わされる（但
    し、上記式中ｘｂはそれぞれの（Ｃ_xbＦ_2xb −Ｏ）に独
    立に１〜１０であり、ｙａは１〜１０であり、ｚａは１
    〜１０である）。〕
15. 【請求項１５】 請求項１〜１４のいずれかに記載の液
    晶素子、及び液晶素子の駆動手段を有することを特徴と
    する液晶装置。
16. 【請求項１６】 対向する第１の基板と第２の基板との
    間に液晶組成物を挟持した液晶素子において、 前記第１の基板は、 透光性基材と、 主電極と該主電極の透光性基材側の少なくとも一部に電
    気的に接続した補助電極と、からなる複数の電極と、 前記複数の補助電極相互の間隙の前記透光性基材上に形
    成された絶縁層と、を少なくとも備えた基板であり、 前記第２の基板は、 透光性基材と、 主電極と該主電極の少なくとも一部に電気的に接続した
    補助電極とからなる複数の電極と、を備えており、該複
    数の補助電極相互の間隙において、該主電極が該透光性
    基材と接している基板である、 ことを特徴とする液晶素子。
17. 【請求項１７】 前記第１の基板及び前記第２の基板は
    それぞれ配向制御層を有しており、該第１の基板の配向
    制御層にのみ一軸配向処理が施されている請求項１６記
    載の液晶素子。
18. 【請求項１８】 前記液晶組成物が、フルオロカーボン
    末端部分及び炭化水素末端部分を有し、該両末端部分が
    中心核によって結合され、スメクティック中間相又は潜
    在的スメクティック中間相を持つフッ素含有液晶化合物
    であることを特徴とする請求項１６記載の液晶素子。
19. 【請求項１９】 前記絶縁層は高分子材料からなる請求
    項１６記載の液晶素子。
20. 【請求項２０】 前記一軸配向処理が施された配向制御
    層がポリイミド膜からなる請求項１７記載の液晶素子。
21. 【請求項２１】 前記主電極が透明電極からなる請求項
    １６記載の液晶素子。
22. 【請求項２２】 前記第１の基板又は前記第２の基板の
    前記透光性基材上に遮光部材が設けられている請求項１
    ６記載の液晶素子。
23. 【請求項２３】 請求項１６乃至２２のいずれかに記載
    の液晶素子と液晶素子を駆動する手段とを有する液晶装
    置。
24. 【請求項２４】 前記第１の基板の電極に走査信号が印
    加され、前記第２の基板の電極に情報信号が印加される
    ことを特徴とする請求項２３記載の液晶装置。
25. 【請求項２５】 対向する第１の基板と第２の基板との
    間に液晶組成物を挟持した液晶素子において、 前記第１の基板は、 透光性基材と、 主電極と該主電極の透光性基材側の少なくとも一部に電
    気的に接続した補助電極と、からなる複数の電極と、 前記複数の補助電極相互の間隙の前記透光性基材上に形
    成された絶縁層と、を少なくとも備えた基板であり、 前記第２の基板は、 透光性基材と、 該透光性基材上に設けられたカラーフィルタと、 該カラーフィルタ上に設けられた平坦化層と主電極と該
    主電極の少なくとも一部に電気的に接続した補助電極と
    からなる該平坦化層上に設けられた複数の電極と、を備
    えており、該複数の補助電極相互の間隙において、該主
    電極が該平坦化層と接している基板である、 ことを特徴とする液晶素子。
26. 【請求項２６】 前記第１の基板及び前記第２の基板は
    それぞれ配向制御層を有しており、該第１の基板の配向
    制御層にのみ一軸配向処理が施されている請求項２５記
    載の液晶素子。
27. 【請求項２７】 前記液晶組成物が、フルオロカーボン
    末端部分及び炭化水素末端部分を有し、該両末端部分が
    中心核によって結合され、スメクティック中間相又は潜
    在的スメクティック中間相を持つフッ素含有液晶化合物
    であることを特徴とする請求項２５記載の液晶素子。
28. 【請求項２８】 前記絶縁層は高分子材料からなる請求
    項２５記載の液晶素子。
29. 【請求項２９】 前記一軸配向処理が施された配向制御
    層がポリイミド膜からなる請求項２６記載の液晶素子。
30. 【請求項３０】 前記主電極が透明電極からなる請求項
    ２５記載の液晶素子。
31. 【請求項３１】 前記第１の基板又は前記第２の基板の
    前記透光性基材上に遮光部材が設けられている請求項２
    ５記載の液晶素子。
32. 【請求項３２】 請求項２５乃至３１のいずれかに記載
    の液晶素子と、該液晶素子の前記第１の基板の外側に設
    けられたバックライトと、液晶素子を駆動する手段とを
    有する液晶装置。
33. 【請求項３３】 前記第１の基板の電極に走査信号が印
    加され、前記第２の基板の電極に情報信号が印加される
    ことを特徴とする請求項３２記載の液晶装置。