JPH11142855A - 液晶素子、表示装置及びそれらの製造方法 - Google Patents

液晶素子、表示装置及びそれらの製造方法

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JPH11142855A
JPH11142855A JP9316663A JP31666397A JPH11142855A JP H11142855 A JPH11142855 A JP H11142855A JP 9316663 A JP9316663 A JP 9316663A JP 31666397 A JP31666397 A JP 31666397A JP H11142855 A JPH11142855 A JP H11142855A
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smectic
crystal device
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Yukio Haniyu
由紀夫 羽生
Koichi Sato
公一 佐藤
Kenji Shinjo
健司 新庄
Nobutsugu Yamada
修嗣 山田
Yoshimasa Mori
省誠 森
Shinichi Nakamura
真一 中村
Koji Noguchi
幸治 野口
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 コントラストが低下したり、ちらつきの発生
原因となる液晶の揺らぎを抑制し、スイッチングを改善
した液晶素子を提供する。 【解決手段】 透明電極を有する一対の基板間にスメク
ティック液晶を挟持してなる液晶素子であって、該スメ
クティック液晶と接する少なくとも一方の界面側に誘電
異方性（Δε）が前記スメクティック液晶より１以上正
に大きな液晶性化合物を含有する界面層を形成してなる
液晶素子。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はフラットパネルディ
スプレイ、プロジェクションディスプレイ、プリンター
等に用いられるライトバルブに使用される液晶素子、そ
れらを使用した表示装置及びそれらの製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来からもっとも広範に用いられてきて
いるディスプレイとしては、ＣＲＴが知られている。テ
レビやＶＴＲなどの動画出力、あるいはパソコン等のモ
ニターとして広く用いられている。しかしながら、最近
ではＣＲＴが発生する電磁波が人体に悪影響を与えるこ
とがわかり、ＶＤＴ作業者の健康を害することが懸念さ
れている。そして、ＣＲＴはその構造上、画面後方に広
く体積を有することが必須であることから、情報機器の
利便性を著しく阻害し、オフィス、家庭の省スペース化
を阻害するなどの問題を抱えている。
【０００３】このようなＣＲＴの欠点を解決するものと
して液晶表示素子がある。たとえばエム・シャット
（Ｍ．Ｓｃｈａｄｔ）とダブリュー・ヘルフリッヒ
（Ｗ．Ｈｅｌｆｒｉｃｈ）著「アプライド・フィジック
ス・レターズ（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅ
ｔｔｅｒｓ）」第１８巻、第４号（１９７１年２月１５
日発行）第１２７頁〜１２８頁において示されたツイス
テッドネマチック（ｔｗｉｓｔｅｄ ｎｅｍａｔｉｃ）
液晶を用いたものが知られている。代表的な液晶素子と
して知られているものに単純マトリクスタイプの液晶素
子がある。このタイプは、素子作成が容易であり、コス
ト面で優位性がある。
【０００４】しかしながら、画素密度を高くしたマトリ
クス電極構造を用いた時分割駆動の時、クロストークが
発生するという問題点があるため、画素数が制限されて
いた。また、応答速度が１０ミリ秒以上と遅いため、デ
ィスプレイとしての用途が制限されていた。近年このよ
うな単純マトリクスタイプの素子に対してＴＦＴといわ
れる液晶素子の開発が行われている。このタイプは一つ
一つの画素にトランジスタを作成するため、クロストー
クや応答速度の問題は解決される反面、大面積になれば
なるほど不良画素なく液晶素子を作成することにコスト
的に難しい面がある。
【０００５】このような従来型の液晶素子を改善するも
のとして、双安定性からなる液晶素子がクラーク（Ｃｌ
ａｒｋ）およびラガウェル（Ｌａｇｅｒｗａ１１）によ
り提案されている（特開昭５６−１０７２１６号公報、
米国特許第４３６７９２４号明細書）。この双安定性か
らなる液晶としては、一般にカイラルスメクチックＣ相
またはカイラルスメクチックＨ相からなる強誘電性液晶
が用いられている。この強誘電性液晶は、自発分極によ
り反転スイッチングを行うため、非常に早い応答速度か
らなる上にメモリー性のある双安定状態を発現させるこ
とができる。さらに視野角特性も優れていることから、
高速、高精細、大面積の表示素子あるいはライトバルブ
として適していると考えられる。また、最近ではチャン
ダニ、竹添らにより３つの安定状態を有するカイラルス
メクチック反強誘電性液晶素子も提案されている（「ジ
ャパニーズ ジャーナル オブ アプライド フィジッ
クス（Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐ
ｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ）」第２７巻、１９８８年
Ｌ７２９頁）。
【０００６】さらにブックシェルフといわれる層状構造
あるいはそれに近い構造を現出させ、高コントラストな
良好な液晶素子を実現しようという動きがある（たとえ
ば「次世代液晶ディスプレイと液晶材料」（株）シーエ
ムシー発行、福田敦夫編、１９９２年）。他にはブック
シェルフあるいはそれに近い構造を現出する液晶材料と
してパーフルオロエーテル側鎖を持つ液晶性化合物（米
国特許５２６２０８２号明細書、国際出願特許ＷＯ９３
／２２３９６、１９９３年第４回強誘電液晶国際会議Ｐ
−４６、Ｍａｒｃ Ｄ．Ｒａｄｃｌｉｆｆｅら）が開示
されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、以上に説明し
たカイラルスメクチック相からなる強誘電性液晶を用い
た液晶素子については、情報信号による液晶の揺らぎに
よるコントラストの低下の問題である。メモリー性を有
する液晶素子の駆動法として線順次駆動方式が有効であ
るが、この駆動方式においてはたとえばｌ０００本の走
査線を有する単純マトリクス素子では書き込み周波数４
０Ｈｚの場合２５ｍｓ、２０Ｈｚの場合５０ｍｓの間
（１画面書き込みに要する時間）情報信号のみが印加さ
れている。このとき液晶は情報信号により揺らがされて
いる状態であり、この揺らぎが液晶素子の黒状態の光漏
れの原因となり、コントラストが低下したり、ちらつき
の発生原因となる。
【０００８】本発明は、上記課題を解決し、コントラス
トが低下したり、ちらつきの発生原因となるマトリクス
駆動時の情報信号による液晶の揺らぎを抑制し、スイッ
チングを飛躍的に改善し、優れた表示品位、大面積、高
精細、高信頼性の優れた性能を有する液晶素子、その液
晶素子を用いた表示装置及びそれらの製造方法を提供す
ることを目的とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明は、透明電
極を有する一対の基板間に液晶組成物を挟持してなる液
晶素子であって、該液晶組成物と接する少なくとも一方
の界面側に誘電異方性（Δε）が前記液晶組成物より１
以上正に大きな液晶性化合物を含有する界面層を形成し
てなることを特徴とする液晶素子である。
【００１０】また、本発明は、上記の液晶素子と該液晶
素子を駆動する手段とを少なくとも有する液晶装置であ
る。
【００１１】さらに、本発明は、透明電極を有する一対
の基板間に液晶組成物を挟持してなる液晶素子の製造方
法であって、少なくとも一方の基板の配向膜界面に誘電
異方性（Δε）が前記液晶組成物より１以上正に大きな
液晶性化合物を含有する界面層を形成する工程、前記基
板を含む２つの基板を貼り合わせて液晶セルを形成する
工程、及びその形成された液晶セルに液晶組成物を注入
する工程を有することを特徴とする液晶素子の製造方法
である。
【００１２】本発明において、前記界面層が基板に設け
られた一軸配向処理された配向制御層のスメクティック
液晶と接する界面に設けられているのが好ましい。ま
た、前記液晶組成物がスメクチック液晶であるのが好ま
しい。また、前記液晶素子に用いられるスメクチック液
晶がカイラルスメクチック液晶で、強誘電性を有する液
晶が好ましい。
【００１３】前記カイラルスメクチック液晶はコレステ
リック相を持たないものが好ましい。また、前記カイラ
ルスメクチック液晶の層構造がクエイサイブックシェル
フであるのが好ましい。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
カイラルスメクチック相からなる強誘電性液晶を用いた
液晶素子については、以下に述べる液晶素子の構成が、
本発明の課題である、コントラストが低下したり、ちら
つきの発生原因となるマトリクス駆動時の情報信号によ
る液晶の揺らぎを抑制し、ディスプレイ素子としての性
能を向上させることが本発明者等の検討から明らかにな
った。
【００１５】すなわち、本発明の液晶素子は、透明電極
を有する一対の基板間にスメクティック液晶を挟持して
なる液晶素子であって、該スメクティック液晶と接する
少なくとも一方の界面側に誘電異方性（Δε）が前記ス
メクティック液晶より１以上正に大きな液晶性化合物を
含有する界面層を形成してなることを特徴とする。
【００１６】図１は本発明の液晶素子の一例を示す概略
断面図である。同図において、１がスメクティック液晶
組成物からなる液晶層であり、２ａ、２ｂは基板であ
り、ガラス等が用いられる。３ａ、３ｂがＩＴＯ等の透
明電極である。４ａ、４ｂは配向制御層である。配向制
御層には、以下の一般式（１）で表される繰り返し単位
を有するポリイミドが良好な配向を得られる点で好まし
く用いられる。
【００１７】
【化５】 （式中、ｎは１〜２０の整数を示す。）
【００１８】さらに好ましくは、配向制御層４ａ、４ｂ
に異なる膜を用いて、一方には前記ポリイミドの配向制
御層を、その対向側の配向制御層として表面エネルギー
が３０ｄｙｎｅ／ｃｍ2 以下である配向処理していない
膜を用いるとよい。その材料としてはシランカップリン
グ剤、フッ素系有機高分子、シリコーンポリマーバイン
ダーと導電性微粒子の混合膜等を用いることができる。
配向制御層４ａ、４ｂとＩＴＯ等の透明電極３ａ、３ｂ
との間に何らかの中間層、例えばショート防止層等の中
間層５ａ、５ｂを有していても良い。６がギャップ制御
スペーサーであり、例えばシリカビーズが用いられ得
る。７ａ、７ｂが界面層であり、該界面層は、誘電異方
性（Δε）が前記スメクティック液晶より１以上正に大
きな化合物、例えば液晶性化合物からなる界面層であ
る。なお、界面層は７ａ、７ｂのいずれか一方のみであ
ってもよい。
【００１９】図８に偏光板と液晶の分子位置について説
明する。同図８において、２１および２２はセルの上下
に配置された偏光板である。Ｕｌ、Ｕ２は双安定な液晶
の分子位置である。このようなセルと偏光板の配置では
Ｕｌは黒にＵ２は白を表示することになる。
【００２０】次に、本発明における界面層を形成する化
合物について説明する。界面層を形成する化合物として
は、誘電異方性（Δε）が前記スメクティック液晶より
１以上正に大きな化合物、例えば液晶性化合物が用いら
れるが、その具体例としては以下のものが挙げられる。
【００２１】
【化６】
【００２２】
【化７】 その他、誘電異方性（Δε）が前記スメクティック液晶
より１以上正に大きな化合物として以下の化合物を用い
ることができる。
【００２３】
【化８】
【００２４】
【化９】
【００２５】本発明において、液晶層のスメクティック
液晶と接する少なくとも一方の界面側に、誘電異方性
（Δε）が前記スメクティック液晶より１以上正に大き
な液晶性化合物の界面層を形成する方法としては、例え
ば液晶性化合物を溶剤に溶かして塗布する方法、液晶性
化合物を蒸着する方法、配向膜に液晶性化合物を混合す
る方法等が挙げられるが、薄膜層を作成することができ
る方法であればこれ以外の方法でもよい。
【００２６】界面層の厚さは、形成する際の設定とし
て、例えば１０〜２００Å程度とするのが好ましい。
【００２７】本発明に用いられる液晶材料（液晶組成
物）としては、スメクティック液晶であり、好ましくは
カイラルスメクチック相からなる強誘電性液晶等が用い
られる。本発明で好ましく用いられる強誘電性液晶につ
いてはカイラルスメクチックＣ相またはカイラルスメク
チックＨ相からなるものであればどんなものでも良い
が、好ましくはブックシェルフあるいはそれに近い層傾
き角の小さな層構造を有するカイラルスメクチック液晶
が良好な駆動特性を有するという点でよい。
【００２８】本発明の液晶組成物において、用いる液晶
組成物としては、好ましくはフルオロカーボン末端部分
及び炭化水素末端部分を有し、該両末端部分が中心核に
よって結合され、スメクティック中間相又は潜在的スメ
クティック中間相を持つフッ素含有液晶化合物を含有す
るものが望ましい。
【００２９】前記フッ素含有液晶化合物としては、フル
オロカーボン末端部分が、−Ｄ1−ＣxaＦ2xa−Ｘで表わ
される基、（但し、上記式中ｘａは１〜２０であり、Ｘ
は−Ｈ又は−Ｆを表わし、Ｄ1は、−ＣＯ−Ｏ−（Ｃ
Ｈ2）ra−、−Ｏ−（ＣＨ2）ra−、−（ＣＨ2）ra−、
−Ｏ−ＳＯ2−、−ＳＯ2−、−ＳＯ2−（ＣＨ2）ra−、
−Ｏ−（ＣＨ2）ra−Ｏ−（ＣＨ2）rb−、−（ＣＨ2）
ra−Ｎ（ＣpaＨ2pa+1）−ＳＯ2−、又は−（ＣＨ2）ra
−Ｎ（ＣpaＨ2pa+1）−ＣＯ−を表わす。ｒａおよびｒ
ｂは、独立に１〜２０であり、ｐａは０〜４であ
る。）、或いは、−Ｄ2−（ＣxbＦ2xb−Ｏ）za−ＣyaＦ
2ya+1で表わされる基、（但し、上記式中ｘｂはそれぞ
れの（ＣxbＦ2xb−Ｏ）に独立に１〜１０であり、ｙａ
は１〜１０であり、ｚａは１〜１０であり、Ｄ2は、−
ＣＯ−Ｏ−ＣrcＨ2rc−、−Ｏ−ＣrcＨ2rc−、−ＣrcＨ
2rc−、−Ｏ−（ＣsaＨ2sa−Ｏ）ta−ＣrdＨ2rd−、−
Ｏ−ＳＯ2−、−ＳＯ2−、−ＳＯ2−ＣrcＨ2rc−、−Ｃ
rcＨ2rc−Ｎ（ＣpbＨ2pb+1）−ＳＯ2−、−ＣrcＨ2rc−
Ｎ（ＣpbＨ2pb+1）−ＣＯ−、単結合から選ばれ、ｒｃ
及びｒｄは独立に１〜２０であり、ｓａはそれぞれの
（ＣsaＨ2sa−Ｏ）に独立に１〜１０であり、ｔａは１
〜６であり、ｐｂは０〜４である。）であるような化合
物を用いることができる。
【００３０】特に好ましくは、下記の一般式（Ｉ）、或
いは（ＩＩ）で表わされるフッ素含有液晶化合物を用い
ることができる。
【００３１】
【化９】 式中、Ａ1、Ａ2、Ａ3は、それぞれ独立に、
【００３２】
【化１０】 を表わす。
【００３３】ｇａ、ｈａ、ｉａは独立に０〜３の整数
（但し、ｇａ＋ｈａ＋ｉａは少なくとも２である）を表
わす。夫々のＬ1とＬ2は独立に、単結合、−ＣＯ−Ｏ
−、−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＯＳ−、−Ｓ−ＣＯ−、−ＣＯ
−Ｓｅ−、−Ｓｅ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｔｅ−、−Ｔｅ−
ＣＯ−、−ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ
−、−ＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ2−Ｏ−、−
Ｏ−ＣＨ2−、−ＣＯ−又は−Ｏ−を表わす。
【００３４】夫々のＸ1、Ｙ1、Ｚ1はＡ1、Ａ2、Ａ3の置
換基であり、独立に−Ｈ、−Ｃｌ、−Ｆ、−Ｂｒ、−
Ｉ、−ＯＨ、−ＯＣＨ3、−ＣＨ3、−ＣＮ、又は−ＮＯ
2を表わし、夫々のｊａ、ｍａ、ｎａは独立に０〜４の
整数を表わす。Ｊ1は、−ＣＯ−Ｏ−（ＣＨ2）ra−、−
Ｏ−（ＣＨ2）ra−、−（ＣＨ2）ra−、−Ｏ−ＳＯ
2−、−ＳＯ2−、−ＳＯ2−（ＣＨ2）ra−、−Ｏ−（Ｃ
Ｈ2）ra−Ｏ−（ＣＨ2）rb−、−（ＣＨ2）ra−Ｎ（Ｃ
paＨ2pa+1）−ＳＯ2−、又は−（ＣＨ2）ra−Ｎ（Ｃpa
Ｈ2pa+1）−ＣＯ−を表わす。ｒａ及びｒｂは、独立に
１〜２０であり、ｐａは０〜４である。
【００３５】Ｒ1は、−Ｏ−ＣqaＨ2qa−Ｏ−ＣqbＨ
2qb+1、−ＣqaＨ2qa−Ｏ−ＣqbＨ2qb+1、−ＣqaＨ2qa−
Ｒ3、−Ｏ−ＣqaＨ2qa−Ｒ3、−ＣＯ−Ｏ−ＣqaＨ2qa−
Ｒ3、又は−Ｏ−ＣＯ−ＣqaＨ2qa−Ｒ3を表わし、直鎖
状、分岐状のいずれであっても良い（但し、Ｒ3は、−
Ｏ−ＣＯ−ＣqbＨ2qb+1、−ＣＯ−Ｏ−ＣqbＨ2qb+1、−
Ｈ、−Ｃｌ、−Ｆ、−ＣＦ3、−ＮＯ2、−ＣＮを表わ
し、ｑａ及びｑｂは独立に１〜２０である）。Ｒ2はＣ
xaＦ2xa−Ｘを表わす（Ｘは−Ｈ又は−Ｆを表わし、ｘ
ａは１〜２０の整数である）。
【００３６】
【化１１】 式中、Ａ4、Ａ5、Ａ6は、それぞれ独立に、
【００３７】
【化１２】 を表わす。
【００３８】ｇｂ、ｈｂ、ｉｂはそれぞれ独立に０〜３
の整数（但し、ｇｂ＋ｈｂ＋ｉｂは少なくとも２であ
る）を表わす。夫々のＬ3、Ｌ4は独立に、単結合、−Ｃ
Ｏ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−Ｓ−ＣＯ
−、−ＣＯ−Ｓｅ−、−Ｓｅ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｔｅ
−、−Ｔｅ−ＣＯ−、−（ＣＨ2ＣＨ2）ka−（ｋａは１
〜４）、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ＝Ｎ−、
−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ2−Ｏ−、−Ｏ−ＣＨ2−、−ＣＯ
−又は−Ｏ−を表わす。
【００３９】夫々のＸ2、Ｙ2、Ｚ2はＡ4、Ａ5、Ａ6の置
換基であり、独立に−Ｈ、−Ｃｌ、−Ｆ、−Ｂｒ、−
Ｉ、−ＯＨ、−ＯＣＨ3、−ＣＨ3、−ＣＦ3、−ＯＣ
Ｆ3、−ＣＮ、又は−ＮＯ2を表わし、夫々のｊｂ、ｍ
ｂ、ｎｂは独立に０〜４の整数を表わす。
【００４０】Ｊ2は、−ＣＯ−Ｏ−ＣrcＨ2rc−、−Ｏ−
ＣrcＨ2rc−、−ＣrcＨ2rc−、−Ｏ−（ＣsaＨ2sa−
Ｏ）ta−ＣrdＨ2rd−、−Ｏ−ＳＯ2−、−ＳＯ2−、−
ＳＯ2−ＣrcＨ2rc−、−ＣrcＨ2rc−Ｎ（ＣpbＨ2pb+1）
−ＳＯ2−、−ＣrcＨ2rc−Ｎ（ＣpbＨ2pb+1）−ＣＯ−
であり、ｒｃ及びｒｄは独立に１〜２０であり、ｓａは
それぞれの（ＣsaＨ2sa−Ｏ）に独立に１〜１０であ
り、ｔａは１〜６であり、ｐｂは０〜４である。
【００４１】Ｒ4は、−Ｏ−（ＣqcＨ2qc−Ｏ）wa−Ｃqd
Ｈ2qd+1、−（ＣqcＨ2qc−Ｏ）wa−ＣqdＨ2qd+1、−Ｃ
qcＨ2qc−Ｒ6、−Ｏ−ＣqcＨ2qc−Ｒ6、−ＣＯ−Ｏ−Ｃ
qcＨ2qc−Ｒ6、又は−Ｏ−ＣＯ−ＣqcＨ2qc−Ｒ6を表わ
し、直鎖状、分岐状のいずれであっても良い（但し、Ｒ
6は−Ｏ−ＣＯ−ＣqdＨ2qd+1、−ＣＯ−Ｏ−ＣqdＨ
2qd+1、−Ｃｌ、−Ｆ、−ＣＦ3、−ＮＯ2、−ＣＮ、又
は−Ｈを表わし、ｑｃ及びｑｄは独立に１〜２０の整
数、ｗａは１〜１０の整数である）。Ｒ5は（ＣxbＦ2xb
−Ｏ）za−ＣyaＦ2ya+1で表わされる（但し、上記式中
ｘｂはそれぞれの（ＣxbＦ2xb−Ｏ）に独立に１〜１０
であり、ｙａは１〜１０であり、ｚａは１〜１０であ
る）。
【００４２】上記一般式（Ｉ）で表わされる化合物は、
特開平２−１４２７５３号公報、米国特許第５，０８
２，５８７号に記載の方法によって得ることができる。
かかる化合物の具体例を以下に列挙する。
【００４３】
【化１３】
【００４４】
【化１４】
【００４５】
【化１５】
【００４６】
【化１６】
【００４７】
【化１７】
【００４８】
【化１８】
【００４９】
【化１９】
【００５０】
【化２０】
【００５１】
【化２１】
【００５２】
【化２２】
【００５３】
【化２３】
【００５４】
【化２４】
【００５５】上記一般式（ＩＩ）で表わされる化合物
は、国際公開ＷＯ９３／２２３９６、特表平７−５０６
３６８号公報に記載の方法によって得ることができる。
かかる化合物の具体例を以下に列挙する。
【００５６】
【化２５】
【００５７】
【化２６】
【００５８】
【化２７】
【００５９】
【化２８】
【００６０】
【化２９】
【００６１】本発明の液晶素子の製造方法は、透明電極
を有する一対の基板間に液晶組成物を挟持してなる液晶
素子の製造方法であって、少なくとも一方の基板の配向
膜界面に誘電異方性（Δε）が前記液晶組成物より１以
上正に大きな液晶性化合物を含有する界面層を形成する
工程、前記基板を含む２つの基板を貼り合わせて液晶セ
ルを形成する工程、及びその形成された液晶セルに液晶
組成物を注入する工程を有する。
【００６２】本発明の液晶素子は種々の機能をもった液
晶装置を構成するが、そのもっとも適した例が該液晶素
子を表示パネル部に使用し、図２および図３に示した走
査線アドレス情報を持つ画像情報からなるデータフォー
マット及びＳＹＮ信号による通信同期手段をとることに
より、液晶表示装置を実現するものである。
【００６３】図中の符号はそれぞれ以下の通りである。 １０１ カイラルスメクチック液晶表示装置 １０２ グラフィックコントローラー １０３ 表示パネル １０４ 走査線駆動回路 １０５ 情報線駆動回路 １０６ デコーダ １０７ 走査線信号発生回路 １０８ シフトレジスタ １０９ ラインメモリ １１０ 情報信号発生回路 １１１ 駆動制御回路 １１２ ＧＣＰＵ １１３ ホストＣＰＵ １１４ ＶＲＡＭ
【００６４】画像情報の発生は本体装置のグラフィック
コントローラー１０２にて行われ、図２及び図３に示し
た信号伝達手段に従って表示パネル１０３へと転送され
る。グラフィックコントローラー１０２はＣＰＵ（中央
演算装置、ＧＣＰＵ １１２と略す。）及びＶＲＡＭ
（画像情報格納用メモリ）１１４を核にホストＣＰＵ１
１３と液晶表示装置１０１間の画像情報の管理や通信を
司っている。なお、該表示パネルの裏面には、光源が配
置されている。
【００６５】本発明における表示装置は表示媒体である
液晶素子が前述したように良好なスイッチング特性を有
するため、優れた駆動特性、信頼性を発揮し、高精細、
高速、大面積の表示画像を得ることができる。
【００６６】本発明の液晶素子の一例であるカイラルス
メクティック液晶素子の駆動法としては、たとえば特開
昭５９−１９３４２６号公報、特開昭５９−１９３４２
７号公報、特開昭６０−１５６０４６号公報、特開昭６
０−１５６０４７号公報などに開示された駆動法を適用
することができる。
【００６７】図６は、駆動法の波形図の１例を示す図で
ある。また、図５は、マトリクス電極を配置した強誘電
性液晶パネルの一例を示す平面図である。図５の液晶パ
ネル５１には、走査電極群５２の走査線と情報電極群５
３のデータ線とが互いに交差して配線され、その交差部
の走査線とデータ線との間には強誘電性液晶が配置され
ている。
【００６８】図６（Ａ）中のＳＳは選択された走査線に
印加する選択走査波形を、ＳＮは選択されていない非選
択走査波形を、ＩＳは選択されたデータ線に印加する選
択情報波形（黒）を、ＩＮは選択されていないデータ線
に印加する非選択情報信号（白）を表している。また、
図中（ＩＳ−ＳＳ）と（ＩＮ−ＳＳ）は選択された走査
線上の画素に印加する電圧波形で、電圧（ＩＳ−ＳＳ）
が印加された画素は黒の表示状態をとり、電圧（ＩＮ−
ＳＳ）が印加された画素は白の表示状態となる。
【００６９】図６（Ｂ）は図６（Ａ）に示す駆動波形
で、図４に示す表示を行った時の時経列波形である。図
６に示す駆動例では、選択された走査線上の画素に印加
される単一極性電圧の最小印加時間Δｔが書き込み位相
ｔ２の時間に相当し、１ラインクリアｔ１位相の時間２
Δｔに設定されている。さて、図６に示した駆動波形の
各パラメータＶＳ、ＶＲ、Δｔの値は使用する液晶材料
のスイッチング特性によって決定される。
【００７０】図７は後述するバイアス比を一定に保った
まま駆動電圧（ＶＳ＋ＶＩ）を変化させた時の透過率Ｔ
の変化、すなわちＶ−Ｔ特性を示したものである。ここ
ではΔｔ＝５０μｓｅｃ、バイアス比ＶＩ／（ＶＩ＋Ｖ
Ｓ）＝１／３に固定されている。図７の正側は図６で示
した（ＩＮ−ＳＳ）、負側は（ＩＳ−ＳＳ）で示した波
形が印加された際の（ＶＳ＋ＶＩ）と最終的な透過率の
関係を示す。
【００７１】ここで、Ｖ１、Ｖ３をそれぞれ実駆動閾値
電圧及びクロストーク電圧と呼ぶ。また、Ｖ２＜Ｖ１＜
Ｖ３の時に、（Ｖ３−Ｖ１）／（Ｖ３＋Ｖ１）を電圧可
変マージン（ΔＶ）と呼び、マトリックス駆動可能な電
圧幅の重要なパラメーターとなる。
【００７２】Ｖ３は強誘電性液晶表示素子駆動上、一般
的に存在すると言ってよい。具体的には図６（Ａ）（Ｉ
Ｎ−ＳＳ）の波形におけるＶＢによるスイッチングを起
こす電圧値である。もちろん、バイアス比を大きくする
ことにより、Ｖ３の値を大きくすることは可能である
が、バイアス比を増すことは情報信号の振幅を大きくす
ることを意味し、画質的にはちらつきの増大、コントラ
ストの低下を招き好ましくない。
【００７３】本発明者らの検討ではバイアス比１／３〜
１／４程度が適当であった。ところでバイアス比を固定
すれば、電圧マージンΔＶは液晶材料のスイッチング特
性及び素子構成に強く依存し、ΔＶの大きい素子がマト
リクス駆動上非常に有利であることは言うまでもない。
【００７４】また同様に、駆動電圧を固定し、電圧印加
時間Δｔを変化させていくときには、電圧印加時間閾値
をΔｔ１とし、電圧印加時間クロストーク値をΔｔ2と
して、（Δｔ２−Δｔ１）／（Δｔ２＋Δｔ１）を電圧
印加時間マージンとする。
【００７５】ある一定温度においては、このように情報
信号の２通りの向きによって選択画素に黒及び白の２状
態を書き込むことが可能であり、非選択画素はその黒ま
たは白の状態を保持することが可能である電圧マージン
または電圧印加時間マージンは液晶材料及び素子構成に
よって差があり、特有なものである。また、環境温度の
変化によってもそれら駆動マージンは異なるため、実際
の表示装置の場合、液晶材料、素子構成や環境温度に対
して最適な駆動条件を設定しておく必要がある。
【００７６】本発明の液晶装置の一例である表示装置で
は、表示媒体であるスイッチング素子の光学的揺らぎが
少なくなるため良好コントラスト特性が得られる。
【００７７】＜誘電異方性（Δε）の測定方法＞誘電異
方性（Δε）は下記の式により求めた。
【００７８】
【数１】Δε＝ε‖−ε⊥ Δε：誘電異方性 ε‖：液晶分子の長軸方向に平行な誘電率 ε⊥：液晶分子の長軸方向に垂直な誘電率 ε⊥は、下記のポリイミドを両界面に持つセルに測定し
たい液晶を注入し、±０．５Ｖ（１００ｋＨｚ）のサイ
ン波を印加し測定した。ε‖は、垂直配向剤のＯＤＳ−
Ｅ（チッソ社製）を両界面に持つセルに測定したい液晶
を注入し、±０．５Ｖ（１００ｋＨｚ）のサイン波を印
加し測定した。
【００７９】
【実施例】以下に実施例を挙げて本発明を具体的に説明
する。
【００８０】実施例１ ＩＴＯをガラス基板に膜厚２０ｎｍで成膜した後、ポリ
イミド前駆体のＮＭＰ／ｎＢＣ＝２／１溶液（０．５
％）をスピンコートし、焼成して膜厚５ｎｍの下記の構
造式で示されるポリイミド塗工膜を得た。これをナイロ
ン布でラビング処理を施し、一軸配向膜とした。
【００８１】
【化３０】
【００８２】次に、ＩＴＯ付きガラス基板にシランカッ
プリング剤（オクタデシルトリエトキシシラン）溶液を
塗布後に８０℃で乾燥させた。その上にシリカビーズス
ペーサー（粒径２．２μｍ）を分散したその表面に誘電
異方性（Δε）が下記のフッ素含有液晶化合物（液晶組
成物）より１以上正に大きな化合物の液晶性化合物（下
記の液晶性化合物Ａ）の溶液（ＩＰＡ：シリカビーズス
ペーサー：液晶性化合物Ａ＝１００：０．０２：０．
１）（重量比）をスピンコートし、８０℃で乾燥し、厚
さ約１００Åの界面層を形成した。上記の２枚の基板を
貼り合わせ、ギャップ１．８μｍのセルを作成した。
【００８３】
【化３１】 液晶注入後、０．１℃／ｍｉｎの降温速度で徐冷した。
【００８４】本実施例中に用いられるポリフッ素液晶と
しては、下記のフッ素含有液晶化合物（液晶組成物）を
用いた。
【００８５】
【化３２】
【００８６】本組成物（重量比：化合物Ａ／Ｂ／Ｃ／Ｄ
／Ｅ＝４６／１５／３０／５／２）の物性パラメーター
を以下に示す。
【００８７】
【数２】
【００８８】コントラストの測定はクロスニコルに配置
された偏光板間に素子をサンドイッチし、図６（Ａ）に
示す駆動波形（２０Ｖ／μｍ、１／３バイアス、１００
０デューティー）のパルスを印加した。次にパルス幅を
変化させ、白黒完全反転のしきい値のパルス幅におい
て、駆動時の最暗透過光強度が得られる角度に素子を回
転し、そのときの透過光強度を図９ようにＩｂ、その配
置において液晶分子が反転したときの透過強度Ｉｗをフ
ォトマルチプライヤーを用い検出し、その比をコントラ
ストとした（ＣＲ＝Ｉｗ／Ｉｂ）。なお、図９におい
て、ラインａは図６（Ａ）のＩS−ＳSの駆動波形を印加
した際の、ラインｂはＩN−ＳSの駆動波形を印加した際
の最終的な透過光強度である。コントラストは９０であ
った。
【００８９】実施例２ 実施例１において、液晶性化合物Ａを、誘電異方性（Δ
ε）が正に大きな液晶性化合物Ｂに変えた以外は実施例
１と同様のセルを作成し、同様の評価をした。コントラ
ストは８５であった。
【００９０】
【化３３】
【００９１】実施例３ 実施例１において、液晶性化合物Ａを、誘電異方性（Δ
ε）が正に大きな液晶性化合物Ｃに変えた以外は実施例
１と同様のセルを作成し、同様の評価をした。コントラ
ストは８０であった。
【００９２】
【化３４】
【００９３】比較例１ 誘電異方性（Δε）が正に大きな液晶性化合物Ａを塗布
しない以外は実施例１と同様のセルを作成し同様の評価
をした。コントラストは５４であった。
【００９４】比較例２ 誘電異方性（Δε）が正に大きな液晶性化合物Ｃを塗布
をしないで、液晶性化合物Ｃを液晶混合物に１ｗｔ％、
５ｗｔ％、１０ｗｔ％添加した以外は実施例３と同様の
セルを作成し同様の評価をした。コントラストはそれぞ
れ４８、５２、５３であった。
【００９５】
【発明の効果】以上説明した様に、本発明の液晶素子に
よれば、コントラストが低下したり、ちらつきの発生原
因となるマトリクス駆動時の情報信号による液晶の揺ら
ぎを抑制し、スイッチングを飛躍的に改善し、優れた表
示品位、大面積、高精細、高信頼性のスイッチング素
子、ライトバルブ素子を実現することができる。
【００９６】また、本発明は、上記の液晶素子を用いる
ことにより、優れた性能を有する表示装置を実現するこ
とができる。また、本発明の製造方法によれば、対コス
トパフォーマンスに非常に優れた手法によって、上記の
液晶素子を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態による液晶素子のセルの断
面構成を示す模式図である。
【図２】本発明のカイラルスメクチック液晶組成物を用
いた液晶素子を備えた表示装置とグラフィックコントロ
ーラを示すブロック図である。
【図３】表示装置とグラフィックコントローラとの間の
画像情報通信タイミングチャートを示す図である。
【図４】図６に示す時系列駆動波形で実際の駆動を行っ
たときの表示パターンの模式図である。
【図５】マトリクス電極を配置した強誘電性液晶パネル
の一例の平面図である。
【図６】本発明で用いた駆動法の波形図の一例である。
【図７】本発明にかかる、駆動電圧を変化させたときの
透過率の変化を示すグラフ（Ｖ−Ｔ特性図）である。
【図８】液晶素子における偏光板と液晶の分子位置につ
いて説明するための図である。
【図９】本発明の実施例においてコントラスト測定の際
にパルス巾と素子の透過光強度の関係を示す図である。
【符号の説明】
１ 液晶層 ２ａ，２ｂ 基板 ３ａ，３ｂ 透明電極 ４ａ，４ｂ 配向制御層 ５ａ，５ｂ 中間層 ６ スペーサー ７ａ，７ｂ 界面層 ５１ 液晶パネル ５２ 走査電極群 ５３ 情報電極群 １０１ カイラルスメクチック液晶表示装置 １０２ グラフィックコントローラ １０３ 表示パネル １０４ 走査線駆動回路 １０５ 情報線駆動回路 １０６ デコーダ １０７ 走査信号発生回路 １０８ シフトレジスタ １０９ ラインメモリ １１０ 情報信号発生回路 １１１ 駆動制御回路 １１２ ＧＣＰＵ １１３ ホストＣＰＵ １１４ ＶＲＡＭ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山田 修嗣 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 森 省誠 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 中村 真一 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 野口 幸治 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内

Claims (15)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 透明電極を有する一対の基板間に液晶組
    成物を挟持してなる液晶素子であって、該液晶組成物と
    接する少なくとも一方の界面側に誘電異方性（Δε）が
    前記液晶組成物より１以上正に大きな液晶性化合物を含
    有する界面層を形成してなることを特徴とする液晶素
    子。
  2. 【請求項２】 前記液晶組成物がスメクチック液晶であ
    る請求項１に記載の液晶素子。
  3. 【請求項３】 前記液晶素子に用いられるスメクチック
    液晶がカイラルスメクチック液晶である請求項２に記載
    の液晶素子。
  4. 【請求項４】 前記カイラルスメクチック液晶が強誘電
    性を有する請求項３に記載の液晶素子。
  5. 【請求項５】 前記カイラルスメクチック液晶がコレス
    テリック相を持たない請求項３または４に記載の液晶素
    子。
  6. 【請求項６】 前記カイラルスメクチック液晶の層構造
    がクエイサイブックシェルフである請求項３乃至５のい
    ずれかの項に記載の液晶素子。
  7. 【請求項７】 前記液晶組成物が、フルオロカーボン末
    端部分および炭化水素末端部分を有し、該両末端部分が
    中心核によって結合され、スメクティック中間相又は潜
    在的スメクティック中間相を持つフッ素含有液晶化合物
    を含有する請求項１記載の液晶素子。
  8. 【請求項８】 前記フッ素含有液晶化合物におけるフル
    オロカーボン末端部分が、−Ｄ1−ＣxaＦ2xa−Ｘで表わ
    される基である請求項７記載の液晶素子。（但し、上記
    式中ｘａは１〜２０であり、Ｘは−Ｈ又は−Ｆを表わ
    し、Ｄ1は、−ＣＯ−Ｏ−（ＣＨ2）ra−、−Ｏ−（ＣＨ
    2）ra−、−（ＣＨ2）ra−、−Ｏ−ＳＯ2−、−ＳＯ
    2−、−ＳＯ2−（ＣＨ2）ra−、−Ｏ−（ＣＨ2）ra−Ｏ
    −（ＣＨ2）rb−、−（ＣＨ2）ra−Ｎ（ＣpaＨ2pa+1）
    −ＳＯ2−、又は−（ＣＨ2）ra−Ｎ（ＣpaＨ2pa+1）−
    ＣＯ−を表わす。ｒａおよびｒｂは、独立に１〜２０で
    あり、ｐａは０〜４である。）
  9. 【請求項９】 前記フッ素含有液晶化合物におけるフル
    オロカーボン末端部分が、−Ｄ2−（ＣxbＦ2xb−Ｏ）za
    −ＣyaＦ2ya+1で表わされる基である請求項７記載の液
    晶素子。（但し、上記式中ｘｂはそれぞれの（ＣxbＦ
    2xb−Ｏ）に独立に１〜１０であり、ｙａは１〜１０で
    あり、ｚａは１〜１０であり、Ｄ2は、−ＣＯ−Ｏ−Ｃ
    rcＨ2rc−、−Ｏ−ＣrcＨ2rc−、−ＣrcＨ2rc−、−Ｏ
    −（ＣsaＨ2sa−Ｏ）ta−ＣrdＨ2rd−、−Ｏ−ＳＯ
    2−、−ＳＯ2−、−ＳＯ2−ＣrcＨ2rc−、−ＣrcＨ2rc
    −Ｎ（ＣpbＨ2pb+1）−ＳＯ2−、−ＣrcＨ2rc−Ｎ（Ｃ
    pbＨ2pb+1）−ＣＯ−、単結合から選ばれ、ｒｃ及びｒ
    ｄは独立に１〜２０であり、ｓａはそれぞれの（ＣsaＨ
    2sa−Ｏ）に独立に１〜１０であり、ｔａは１〜６であ
    り、ｐｂは０〜４である。）
  10. 【請求項１０】 前記フッ素含有液晶化合物が、下記の
    一般式（Ｉ）で表わされる請求項７記載の液晶素子。 【化１】 ［式中、Ａ1、Ａ2、Ａ3は、それぞれ独立に、 【化２】 を表わす。ｇａ、ｈａ、ｉａは独立に０〜３の整数（但
    し、ｇａ＋ｈａ＋ｉａは少なくとも２である）を表わ
    す。夫々のＬ1とＬ2は独立に、単結合、−ＣＯ−Ｏ−、
    −Ｏ−ＣＯ−、−ＣＯＳ−、−Ｓ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ
    ｅ−、−Ｓｅ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｔｅ−、−Ｔｅ−ＣＯ
    −、−ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−
    ＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ2−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ
    Ｈ2−、−ＣＯ−又は−Ｏ−を表わす。夫々のＸ1、
    Ｙ1、Ｚ1はＡ1、Ａ2、Ａ3の置換基であり、独立に−
    Ｈ、−Ｃｌ、−Ｆ、−Ｂｒ、−Ｉ、−ＯＨ、−ＯＣ
    Ｈ3、−ＣＨ3、−ＣＮ、又は−ＮＯ2を表わし、夫々の
    ｊａ、ｍａ、ｎａは独立に０〜４の整数を表わす。Ｊ1
    は、−ＣＯ−Ｏ−（ＣＨ2）ra−、−Ｏ−（ＣＨ2）
    ra−、−（ＣＨ2）ra−、−Ｏ−ＳＯ2−、−ＳＯ2−、
    −ＳＯ2−（ＣＨ2）ra−、−Ｏ−（ＣＨ2）ra−Ｏ−
    （ＣＨ2）rb−、−（ＣＨ2）ra−Ｎ（ＣpaＨ2pa+1）−
    ＳＯ2−、又は−（ＣＨ2）ra−Ｎ（ＣpaＨ2pa+1）−Ｃ
    Ｏ−を表わす。ｒａ及びｒｂは、独立に１〜２０であ
    り、ｐａは０〜４である。Ｒ1は、−Ｏ−ＣqaＨ2qa−Ｏ
    −ＣqbＨ2qb+1、−ＣqaＨ2qa−Ｏ−ＣqbＨ2qb+1、−Ｃ
    qaＨ2qa−Ｒ3、−Ｏ−ＣqaＨ2qa−Ｒ3、−ＣＯ−Ｏ−Ｃ
    qaＨ2qa−Ｒ3、又は−Ｏ−ＣＯ−ＣqaＨ2qa−Ｒ3を表わ
    し、直鎖状、分岐状のいずれであっても良い（但し、Ｒ
    3は、−Ｏ−ＣＯ−ＣqbＨ2qb+1、−ＣＯ−Ｏ−ＣqbＨ
    2qb+1、−Ｈ、−Ｃｌ、−Ｆ、−ＣＦ3、−ＮＯ2、−Ｃ
    Ｎを表わし、ｑａ及びｑｂは独立に１〜２０である）。
    Ｒ2はＣxaＦ2xa−Ｘを表わす（Ｘは−Ｈ又は−Ｆを表わ
    し、ｘａは１〜２０の整数である）。］
  11. 【請求項１１】 前記フッ素含有液晶化合物が、下記の
    一般式（ＩＩ）で表わされる請求項７記載の液晶素子。 【化３】 ［式中、Ａ4、Ａ5、Ａ6は、それぞれ独立に、 【化４】 を表わす。ｇｂ、ｈｂ、ｉｂはそれぞれ独立に０〜３の
    整数（但し、ｇｂ＋ｈｂ＋ｉｂは少なくとも２である）
    を表わす。夫々のＬ3、Ｌ4は独立に、単結合、−ＣＯ−
    Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−Ｓ−ＣＯ−、−
    ＣＯ−Ｓｅ−、−Ｓｅ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｔｅ−、−Ｔ
    ｅ−ＣＯ−、−（ＣＨ2ＣＨ2）ka−（ｋａは１〜４）、
    −ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝Ｃ
    Ｈ−、−ＣＨ2−Ｏ−、−Ｏ−ＣＨ2−、−ＣＯ−又は−
    Ｏ−を表わす。夫々のＸ2、Ｙ2、Ｚ2はＡ4、Ａ5、Ａ6の
    置換基であり、独立に−Ｈ、−Ｃｌ、−Ｆ、−Ｂｒ、−
    Ｉ、−ＯＨ、−ＯＣＨ3、−ＣＨ3、−ＣＦ3、−ＯＣ
    Ｆ3、−ＣＮ、又は−ＮＯ2を表わし、夫々のｊｂ、ｍ
    ｂ、ｎｂは独立に０〜４の整数を表わす。Ｊ2は、−Ｃ
    Ｏ−Ｏ−ＣrcＨ2rc−、−Ｏ−ＣrcＨ2rc−、−ＣrcＨ
    2rc−、−Ｏ−（ＣsaＨ2sa−Ｏ）ta−ＣrdＨ2rd−、−
    Ｏ−ＳＯ2−、−ＳＯ2−、−ＳＯ2−ＣrcＨ2rc−、−Ｃ
    rcＨ2rc−Ｎ（ＣpbＨ2pb+1）−ＳＯ2−、−ＣrcＨ2rc−
    Ｎ（ＣpbＨ2pb+1）−ＣＯ−であり、ｒｃ及びｒｄは独
    立に１〜２０であり、ｓａはそれぞれの（ＣsaＨ2sa−
    Ｏ）に独立に１〜１０であり、ｔａは１〜６であり、ｐ
    ｂは０〜４である。Ｒ4は、−Ｏ−（ＣqcＨ2qc−Ｏ）wa
    −ＣqdＨ2qd+1、−（ＣqcＨ2qc−Ｏ）wa−Ｃ
    qdＨ2qd+1、−ＣqcＨ2qc−Ｒ6、−Ｏ−ＣqcＨ2qc−
    Ｒ6、−ＣＯ−Ｏ−ＣqcＨ2qc−Ｒ6、又は−Ｏ−ＣＯ−
    ＣqcＨ2qc−Ｒ6を表わし、直鎖状、分岐状のいずれであ
    っても良い（但し、Ｒ6は−Ｏ−ＣＯ−ＣqdＨ2qd+1、−
    ＣＯ−Ｏ−ＣqdＨ2qd+1、−Ｃｌ、−Ｆ、−ＣＦ3、−Ｎ
    Ｏ2、−ＣＮ、又は−Ｈを表わし、ｑｃ及びｑｄは独立
    に１〜２０の整数、ｗａは１〜１０の整数である）。Ｒ
    5は、（ＣxbＦ2xb−Ｏ）za−ＣyaＦ2ya+1で表わされる
    （但し、上記式中ｘｂはそれぞれの（ＣxbＦ2xb−Ｏ）
    に独立に１〜１０であり、ｙａは１〜１０であり、ｚａ
    は１〜１０である）。］
  12. 【請求項１２】 請求項１乃至１１のいずれかの項に記
    載の液晶素子と該液晶素子を駆動する手段とを少なくと
    も有する液晶装置。
  13. 【請求項１３】 透明電極を有する一対の基板間に液晶
    組成物を挟持してなる液晶素子の製造方法であって、少
    なくとも一方の基板の配向膜界面に誘電異方性（Δε）
    が前記液晶組成物より１以上正に大きな液晶性化合物を
    含有する界面層を形成する工程、前記基板を含む２つの
    基板を貼り合わせて液晶セルを形成する工程、及びその
    形成された液晶セルに液晶組成物を注入する工程を有す
    ることを特徴とする液晶素子の製造方法。
  14. 【請求項１４】 前記液晶組成物がスメクチック液晶で
    ある請求項１３に記載の液晶素子の製造方法。
  15. 【請求項１５】 前記液晶素子に用いられるスメクチッ
    ク液晶がカイラルスメクチック液晶である請求項１４に
    記載の液晶素子の製造方法。
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