JPH1082979A - 液晶素子の駆動方法 - Google Patents

液晶素子の駆動方法

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JPH1082979A
JPH1082979A JP8257864A JP25786496A JPH1082979A JP H1082979 A JPH1082979 A JP H1082979A JP 8257864 A JP8257864 A JP 8257864A JP 25786496 A JP25786496 A JP 25786496A JP H1082979 A JPH1082979 A JP H1082979A
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Eriko Matsui
恵理子 松居
Nobue Kataoka
延江 片岡
Akio Yasuda
章夫 安田
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Sony Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 液晶材料を変えなくても、上記した如きバイ
アス電圧（バイアスパルス）による悪影響を少なくし若
しくは無くし、ヒステリシスの少ない良好な階調表示を
実現することのできる強誘電性液晶表示素子の駆動方法
を提供すること。 【解決手段】 データ電極２ａを有する基板１ａと、デ
ータ電極２ａと直交するセレクト電極２ｂを有する基板
１ｂとの間に強誘電性液晶５が配されている強誘電性液
晶表示素子を駆動するに際し、データパルスＤＰにおい
て少なくとも１ライン分、データパルスが印加されない
ような駆動波形を使用すること、セレクトパルスとデー
タパルスを１／２ライン（Ｈ／２）分ずらして同期させ
ること、或いはセレクトパルスを印加すると同時に、液
晶のスイッチング時に発生する反電界の影響を打ち消す
ように印加時間及び／又は電圧値の割合が決められたデ
ータパルスを印加すること。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一方向に配列され
たデータ電極を有する第１の基体と、前記データ電極と
交差する方向に配列されたセレクト電極を有する第２の
基体との間に液晶が配されている液晶素子（例えば液晶
表示素子又は液晶ディスプレイ）の駆動方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】液晶をディスプレイに用いた液晶ディス
プレイ（ＬＣＤ）は、低消費電力で薄型軽量であるとい
う特長を有しており、これを生かして、時計、電卓から
コンピューターディスプレイ、テレビジョン受像機（Ｔ
Ｖ）へと応用が進んでいる。
【０００３】こうしたＬＣＤにおいて液晶として、強誘
電性液晶（ＦＬＣ：ferroelectricliquid crystal）を
用いようとする研究開発は、活発に進められてきてい
る。ＦＬＣについては、１９７５年にメイヤーによっ
て、はじめて強誘電性液晶が合成され、また１９８０年
にクラーク、ラガワールによって、電界によりドメイン
反転が可能な表面安定化強誘電性液晶が発明された。Ｆ
ＬＣは、分子自身に永久双極子モーメントを分子の長軸
に対して垂直に有し、自発分極を持ち、電界によりスイ
ッチング可能な液晶のことであり、これを用いたＦＬＣ
ディスプレイは、主として次の（１）〜（３）の特徴を
有する優れたものである。
【０００４】（１）スイッチング速度がμ秒オーダであ
り、ＴＮ液晶表示に比較して１０００倍も高速に応答
し、高速応答性に優れている。 （２）分子配列に基本的にねじれ構造がなく、視野角依
存性が少ない。 （３）電源をオフしても画像が保持され、画像にメモリ
性があり、ハイビジョンにも対応できる１０００本以上
の走査線に対しても単純マトリクス駆動が可能である。
【０００５】従って、ＦＬＣディスプレイは、高精細、
低コスト化、大画面化という性能を追求できるディスプ
レイである。
【０００６】このようなＦＬＣディスプレイ（強誘電性
液晶表示素子）は、例えば図２８及び図２９に概略的に
示すような構造からなっている。まず、透明ガラス基板
（コーニング７０５９、０．７ｍｍ厚）１ａ、１ｂ上に
透明電極（１００Ω／□のＩＴＯ：Indium tin oxide）
２ａ、２ｂが設けられている。これらの透明電極はエッ
チングによりストライプ状にパターニングされ、互いに
マトリックス状に交差したデータ電極（カラム電極）２
ａと走査電極（ロウ電極）２ｂに形成されている。
【０００７】各透明電極２ａ、２ｂ上には、液晶配向膜
としてＳｉＯの斜方蒸着膜３ａ、３ｂが形成されてい
る。ＳｉＯの斜方蒸着膜の形成においては、真空蒸着装
置内に、ＳｉＯ蒸着源から鉛直上に基板を配し、鉛直の
線と基板法線のなす角度を８５度として設置する。Ｓｉ
Ｏを基板温度１７０℃で真空蒸着後、３００℃、１時間
の焼成を行う。
【０００８】このようにして作製した配向膜付きの一対
の基板１ａ、１ｂは、そのデータ電極２ａ側と走査電極
２ｂ側の配向処理方向が対向面で反平行となり、かつデ
ータ電極２ａと走査電極２ｂの電極配列が直交するよう
に組まれる。スペーサとして、目的ギャップ長に応じた
ガラスビーズ（真し球：直径０．８〜３．０μｍ（触媒
化成工業株式会社製））４が用いられている。ここで
は、配向処理方向を反平行に組んだが、平行に組んでも
構わない。
【０００９】スペーサ４は、透明基板１ａ、１ｂの大き
さにより、小さい面積の場合は周囲を接着するシール材
（ＵＶ硬化型の接着剤（フォトレック：セキスイ化学株
式会社製））６中に０．３ｗｔ％程度分散させることに
より、基板間のギャップを制御する。基板面積が大きい
場合には、上記真し球を基板上に平均密度で１００個／
ｍｍ2 散布した後、ギャップをとり、液晶の注入孔を確
保してシール剤６でセル周囲を接着する。
【００１０】一対の基板１ａ−１ｂ間には、例えば強誘
電性液晶（チッソ株式会社製のＹＳ−Ｃ１５２）５を等
方相温度で超音波ホモジナイザを用いて均一に分散させ
た液晶組成物が注入されている。この強誘電性液晶組成
物は等方相温度或いはカイラルネマチック相温度のよう
に流動性を示す状態で減圧下で注入される。液晶注入後
は、徐冷され、注入孔周囲のガラス基板上の液晶が除去
された後、エポキシ系の接着剤で封止され、ＦＬＣディ
スプレイ１１が作製される。
【００１１】このＦＬＣディスプレイ１１の駆動方式と
しては、Ｘ−Ｙ単純マトリクス方式を使用する。ＮＴＳ
Ｃ方式を選択した場合は、１Ｈ（１水平走査時間又は１
ライン選択時間）は６３．５μｓであり、電気的中和条
件を考慮して、電圧はバイポーラで印加するため、各選
択パルスは６３．５／２μｓ幅となる。図３０に示すよ
うに、ロウ側（電極２ｂ）からはしきい値であるセレク
トパルスを印加し、カラム側（電極２ａ）からはデータ
パルスを印加する。
【００１２】強誘電性液晶素子（例えば表面安定化強誘
電性液晶素子）は、外部印加電界Ｅ（Ｐｓは自発分極）
に対して分子Ｍの配向方向が図３１に示すように状態１
と状態２の二つの状態間をスイッチングする。この分子
配向の変化は、液晶素子を直交する偏光板間に設置する
ことによって透過率の変化として現れ、図３２のように
印加電界に対して透過率がしきい値電圧Ｖthで０％から
１００％に急峻に変化する。この透過率が変化する電圧
幅は一般的に１Ｖ以下である。
【００１３】このように、従来の双安定モードを用いた
強誘電性液晶表示は２状態のみ安定であることから、透
過率−印加電圧のカーブに安定な電圧幅を持たせること
が困難であり、電圧制御による階調表示は困難若しくは
不可能である。
【００１４】このため、サブピクセルを設けて画像を調
節することにより階調を行う方法（面積階調法）や、１
フィールドの中でスイッチングを繰り返すことにより階
調を行う方法（タイムインテグレーション階調法）等が
提案されている。しかし、これらの方法は、１つの画素
内で階調表現をするのではないため、階調表示の不十分
さや高コスト化になるという問題があった。
【００１５】そこで、画素毎にアナログ階調表示を行う
方法として、一つの画素内で対向電極間の距離を変化さ
せたり、対向電極間に形成した誘電性層の厚みを変化さ
せることにより局所的に電界強度勾配を付ける方法や、
対向電極の材質を変えることにより電圧勾配を付けるこ
とが提案されている。しかしながら、画素毎にアナログ
階調表示を行う方法により実用レベルのアナログ階調表
示特性を有する液晶表示素子を製造することは、工程的
にも繁雑となり、また、製造条件のコントロールも非常
に困難となり、更に製造コストが高いという問題があっ
た。
【００１６】このような従来技術の課題を解決すべく、
液晶表示素子、特に強誘電性液晶表示素子において高コ
ントラストを保持しつつ、アナログ階調表示を実現する
素子が発明された。
【００１７】即ち、一つの画素内の液晶に印加される実
効電界強度に分布を持たせて、一つの画素内で液晶の双
安定状態の間のスイッチングのためしきい値電圧幅を広
げることによりアナログ階調表示を達成できることが見
出され、本出願人によって特願平５−２６２９５１号と
して既に提示している（これを以下、先願発明と称す
る）。
【００１８】この先願発明によれば、上記の「しきい値
電圧幅を広げる」ために、強誘電性液晶中に酸化チタン
等の超微粒子を添加、分散させる方法がとられている。
この超微粒子の添加によって、一つの画素内において、
しきい値電圧（Ｖth）の異なる微細な領域（マイクロド
メイン）が発現し、印加電圧の大きさに応じてマイクロ
ドメインの数が変化し、従って１画素の総和としての透
過率が変化するため、透過率が急峻に変化するのではな
く、比較的緩やかな変化を示し、アナログ階調表示が可
能となるのである。そして、一つのドメイン内では、液
晶分子が双安定であるメモリ機能を有し、しきい値電圧
の異なるμｍオーダのドメインから一画素が形成される
ことから、連続階調表示が可能となる。
【００１９】従って、図３３に例示するように、先願発
明で得られる液晶素子では、印加電圧によって透過率が
図３２のように急峻に変化するのではなく、比較的緩や
かな変化を示すものである。これは、上記したように、
特に、一つの画素内において、しきい値電圧（Ｖth）の
異なる微細な領域（マイクロドメイン）の発現により、
印加電圧の大きさに応じてマイクロドメインの透過率が
変化するためである。そして、一つのドメイン内では、
液晶分子が双安定であるとメモリ機能を有し、しきい値
電圧の異なるμｍオーダのドメインから一画素が形成さ
れることから、連続階調表示が可能となる。
【００２０】
【発明に至る経過】上記の如き強誘電性液晶ディスプレ
イを駆動するには、図３０に示したＸ−Ｙ単純マトリク
ス方式を使用して、ラインタイムは例えばＮＴＳＣ方式
であれば６３．５μｓとし、電圧はＤＣ電圧は用いずに
バイポーラで印加するため、各選択パルスは６３．５／
２μｓ幅となる。ロウ側からはしきい値である選択パル
スを印加し、カラム側からはデータパルスを印加する
が、上記した図３３のアナログ階調表示でグレイスケー
ルを表すためには、データパルスの電圧を変化させてい
る。このため、常に１フレーム全体にデータパルスは印
加されている状態となる。
【００２１】本発明者は、このように常に全体にデータ
パルスがバイアスパルスとして印加されることから、一
つの画素には、その周囲の色の違いによる影響を受ける
ことになることを見出した。この影響は、通常、アナロ
グ階調表示においては無視できないほど大きい（図３４
参照）。
【００２２】中でも、次ラインに印加されるデータパル
スは、現表示画素の反電界が残留するために、その電圧
分が加算され、実効上、かなり大きな逆符号の電界が発
生し、低しきい値のドメインにおいては、スイッチング
を起こしてしまうことがある。つまり、データ電圧のみ
ではスイッチングすることはないが（但し、揺れ、ぶれ
は除く）、反電界分が足されるとしきい値を超えてしま
うのである。
【００２３】例えば、後述する図２におけるデータパル
スＤＰ’のように、セレクトパルスによるスイッチング
直後に、グレーレベルを表示しようとする一つのライン
２ｂ1 の現表示画素ＰＸ1-1 が、白レベルを表示しよう
とする次ライン２ｂ2 のデータパルスが加わったときに
上記の反電界の影響を受け、この次ラインのデータパル
スによって現表示画素ＰＸ1-1 のグレーレベルが黒レベ
ルに変化してしまうことがある。
【００２４】本発明者は、現表示画素の階調が次ライン
以降のライン、特に次ラインによって影響を受けるとい
う上記した現象が生じ、これがアナログ階調表示の大き
な障害となる、との認識を持つに至った。
【００２５】これまでは、単純マトリクスにおけるデー
タ電圧の影響を減少させるためには、液晶材料におい
て、バイアス安定性の高い組成物の検討が、誘電率異方
性などの改良の点から行われてきた。しかしながら、特
に上記した次ラインによる影響には、各組成物の自発分
極の起こす反電界をなくすことがポイントとなる。
【００２６】しかしながら、液晶表示素子に求められる
特性には、これら階調性に関与する以外にも数多くあり
（例えば動作温度範囲、保存温度範囲、コントラスト、
応答速度、ヒステリシス幅、階調を示すしきい値の分布
幅など）、階調表現に直結する、バイアスによる影響に
対し、材料からコントロールするには限界がある。ここ
で「ヒステリシス」とは、印加電界強度と透過率におけ
る履歴のことである。
【００２７】本発明者は、上記の問題について検討を加
えた結果、バイアスパルスの影響の一つが、強誘電性液
晶の特性である自発分極のメモリ性により発生する反電
界にあることを明らかにした。以下に、その現象を詳し
く説明する。
【００２８】液晶表示素子の１画素に限定して、次ライ
ンの隣の画素の色を変化させた時の、透過率の変化の測
定結果を図３５に示す。この結果が示すように、次ライ
ンのデータ電圧値によって透過率にかなりの違いが出て
しまっている。これは、１電圧につき１透過率を決定で
きず、階調数を減少させる。
【００２９】一般に、バイアス電圧によって悪影響が起
きるのは、メモリ時の液晶分子の誘電率異方性によって
であるとこれまで言われてきた。しかし、透過率のぶれ
は、誘電率異方性のみではなく、液晶の自発分極が影響
することが決定的であることが確認されたのである。
【００３０】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、液晶
材料を変えなくても、上記した如きバイアス電圧（バイ
アスパルス）による次ラインの悪影響を少なくし若しく
は無くし、ヒステリシスの少ない良好な階調表示を実現
することのできる液晶素子の駆動方法を提供することに
ある。
【００３１】本発明の他の目的は、上記した如きバイア
ス電圧（バイアスパルス）による他の悪影響である電圧
のぶれを少なくし若しくは無くし、ヒステリシスの少な
い良好な階調表示を実現することのできる液晶素子の駆
動方法を提供することにある。
【００３２】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明は、一方向
に配列されたデータ電極を有する第１の基体と、前記デ
ータ電極と交差する方向に配列されたセレクト電極を有
する第２の基体との間に液晶が配されている液晶素子を
駆動するに際し、前記データ電極によって印加されるデ
ータパルスにおいて少なくとも１ライン分、データパル
スが印加されないような駆動波形を使用する、液晶素子
の駆動方法（以下、これを第１の発明による駆動方法と
称する。）に係るものである。
【００３３】この第１の発明による駆動方法は、現ライ
ンに対し少なくとも１ライン（１Ｈ）分はデータパルス
が印加されないようにして次ラインまでの時間を長くし
ているので、例えば周囲が黒の時の透過率と周囲が白の
時の透過率のずれが減少していくことが判明したのであ
る。これは、次ラインまでデータパルス（従って、バイ
アスパルス）が印加されないために、その間に液晶分子
の自発分極のメモリが緩和していき、それにともなっ
て、反電界が減少したからであると考えられる。この効
果を鑑みて、第１の発明による駆動方法では、データパ
ルス及びセレクトパルスを含む駆動波形を改良すること
により、液晶材料を一切変えずに、次ラインによる影響
を十分に打ち消すことが可能となった。
【００３４】第１の発明による駆動方法においては、１
〜２ライン分、データパルスが印加されないような駆動
波形を使用することが望ましい。また、実際には、１ラ
イン分のデータパルスとしてバイポーラパルスを印加す
る。
【００３５】また、本発明は、一方向に配列されたデー
タ電極を有する第１の基体と、前記データ電極と交差す
る方向に配列されたセレクト電極を有する第２の基体と
の間に液晶が配されている液晶素子を駆動するに際し、
前記セレクト電極によって印加されるセレクトパルスと
前記データ電極によって印加されるデータパルスとを１
／２ライン（Ｈ／２）分、互いにずらして同期させる、
液晶素子の駆動方法（以下、これを第２の発明による駆
動方法と称する。）も提供するものである。
【００３６】第２の発明による駆動方法においては、実
際には、バイポーラ型のデータパルスを印加するが、セ
レクトパルスとデータパルスとを１／２ライン（Ｈ／
２）分、互いにずらして同期させることによって、バイ
アス電圧によるぶれの影響が最も大きい次ラインの最初
のＨ／２時間の間は、必ず現画素の値が印加されるの
で、反電界による影響は一値に決まる。しかも、セレク
トパルスの印加直後も現画素のデータパルスが印加され
ることになるから、画質への影響（例えば画素ぬけ）は
生じない。
【００３７】また、本発明は、一方向に配列されたデー
タ電極を有する第１の基体と、前記データ電極と交差す
る方向に配列されたセレクト電極を有する第２の基体と
の間に液晶が配されている液晶素子を駆動するに際し、
前記セレクト電極によってセレクトパルスを印加すると
同時に、前記液晶のスイッチング時に発生する反電界の
影響を打ち消すように印加時間及び／又は電圧値の割合
が決められたデータパルスを前記データ電極によって印
加する、液晶素子の駆動方法（以下、これを第３の発明
による駆動方法と称する。）も提供するものである。
【００３８】この第３の発明による駆動方法は、セレク
トパルスによるスイッチング時に発生する反電界を打ち
消すような波形のデータパルスを印加しているので、セ
レクトパルス印加直後に次ラインのデータパルスを印加
した際、反電界の加成による次ラインのデータパルス印
加時のバイアス電圧のぶれの影響を減少させ若しくは無
くすことができる。
【００３９】第３の発明による駆動方法においては、セ
レクトパルスよりもパルス幅が大きい逆極性のデータパ
ルスを印加することが望ましい。
【００４０】更に、本発明は、一方向に配列されたデー
タ電極を有する第１の基体と、前記データ電極と交差す
る方向に配列されたセレクト電極を有する第２の基体と
の間に液晶が配されている液晶素子を駆動するに際し、
（Ａ）前記セレクト電極によって印加されるセレクトパ
ルスと前記データ電極によって印加されるデータパルス
とを１／２ライン分、互いにずらして同期させること
（第２の発明による駆動方法）と、（Ｂ）前記セレクト
電極によってセレクトパルスを印加すると同時に、前記
液晶のスイッチング時に発生する反電界の影響を打ち消
すように印加時間及び／又は電圧値の割合が決められた
データパルスを前記データ電極によって印加すること
（第３の発明による駆動方法）との双方を行う、液晶素
子の駆動方法（以下、これを第４の発明による駆動方法
と称する。）も提供するものである。
【００４１】この第４の発明による駆動方法は、上記し
た第２の発明と第３の発明による駆動方法の各特長を併
せて有することになる。
【００４２】第４の発明による駆動方法において、上記
の（Ｂ）項においては、セレクトパルスよりもパルス幅
が大きい逆極性のデータパルスを印加することが望まし
い。
【００４３】上記の第１、第２、第３及び第４の発明に
よる駆動方法において、階調表示のために、強誘電性液
晶をスイッチングするためのしきい値電圧の異なる領域
が微細に分布している単純マトリクス方式の強誘電性液
晶素子を駆動することが望ましい。この場合、しきい値
電圧の異なる微細領域を形成するために、微粒子が強誘
電性液晶に添加されるのがよい。
【００４４】
【実施例】以下、本発明を実施例について更に詳細に説
明する。
【００４５】実施例１ 本実施例は、上記した第１の発明を強誘電性液晶表示素
子に適用したものであり、図１〜図１８についてその詳
細を説明する。
【００４６】スパッタ法により４０ｎｍ厚の透明ＩＴＯ
膜（面抵抗１００Ω／ｃｍ2 ）を設けたガラス基板上
に、ＳｉＯ粉末（純度９９．９９％、フルウチ化学株式
会社製）を入れたタンタルボート（日本バックスメタル
株式会社製）を加熱（抵抗加熱）することにより、液晶
配向膜として５０ｎｍ厚のＳｉＯ斜方蒸着膜を基板温度
１００℃で真空蒸着した。この際、基板法線が蒸着源の
垂直線とのなす角が８５°となるように蒸着を行った。
蒸着後、良配向性を得るために、大気中で２００℃で１
時間焼成を行った。
【００４７】このように処理した２枚のガラス基板を、
１．６μｍ径のスペーサ（真し球：触媒化成株式会社
製）と紫外線硬化型接着剤（フォトレック：積水ファイ
ンケミカル株式会社製）とを用いて、ＳｉＯ斜方蒸着膜
の蒸着方向が互いに反平行になるように組み、空の液晶
セルを組み立てた。このセルギャップに、例えば酸化チ
タン微粒子（ＩＴ−Ｓ：出光興産株式会社製）を２重量
％で均一に分散した強誘電性液晶（ＹＳ−Ｃ１５２：チ
ッソ株式会社製）を注入して、図２８及び図２９の液晶
素子と同様の液晶表示素子（ＦＬＣディスプレイ）を得
た。この素子は、既述した先願発明と同様に構成されて
いるので、上記以外の説明は省略する。
【００４８】この液晶表示素子（液晶パネル）につい
て、印加電圧と透過率との関係を調べた。即ち、直交ニ
コル下で、図１（Ａ）に示すような駆動波形を液晶表示
素子に印加し、セレクトパルス印加後、次ラインまでの
休止時間ｔはデータパルスを印加せず（即ち、単純マト
リクスのカラム側から入力するデータパルスの信号間を
少なくとも１ライン分、好ましくは１〜２ライン分に相
当する時間ｔだけ省略して印加し）、その時間ｔを種々
に変えて、光透過強度をモニタした。このデータパルス
ＤＰに対し、図１（Ｂ）には、比較のために、セレクト
パルス印加直後もデータパルスＤＰ’を印加する場合の
駆動波形を示す。
【００４９】このように、現ラインに対し少なくとも１
ライン（１Ｈ）分はデータパルスＤＰ’が印加されない
ようにして次ラインまでの時間を長くすれば、例えば周
囲が黒の時の透過率と周囲が白の時の透過率のずれが図
３、図４、図５、図６、図７及び図８に示すように減少
していくことが判明したのである。これは、次ラインま
でデータパルス（従って、バイアスパルス）が印加され
ないために、その間に液晶分子の自発分極のメモリが緩
和していき、それに伴って、反電界が減少したからであ
ると考えられる。この結果、液晶材料を一切変えずに、
次ラインによる影響を十分に打ち消すことが可能となっ
た。
【００５０】従って、上述した微粒子含有の液晶素子の
如く階調性を目的とした液晶素子を動作させ、任意の階
調を選ぶための駆動波形を使用できることにより、完全
なアナログ階調を完成させることができたのである。図
２には、データパルスＤＰを用い、現画素Ｐｘ2-1 にグ
レーレベルを表示したい場合、１ライン分を省略して次
ラインの白レベルを印加したときに、グレーレベルを確
実に表示できる状態を模式的に示す。これに反し、デー
タパルスＤＰ’の場合は、グレーレベルを表示したい現
画素Ｐｘ1-1 が次ラインの印加によってグレーレベルと
はならず、黒レベルに変化してしまう。
【００５１】当然のことながら、この駆動波形は、強誘
電性液晶を用いて白黒の２値表示を行う方法において
も、データパルス側の最大電圧値を下げられることか
ら、非常に有効である（図９参照）。
【００５２】要するに、セレクトパルスによるスイッチ
ング時に、図１（Ｂ）のように次ラインのデータパルス
ＤＰがすぐに印加されると、反電界による現画素への影
響でスイッチングカーブが白→黒、黒→白の変化時にお
いて大きく異なってしまうが、図１（Ａ）の駆動波形で
は、次ラインまで少なくとも１ライン分はデータパルス
ＤＰを印加しない（即ち、データパルスＤＰの信号間を
少なくとも１ライン省略する）ことによって反電界を減
少させることができるので、アナログ階調表示を常にほ
ぼ一定のスイッチングカーブに沿って実現でき、また、
２値表示でもスイッチングカーブが異なる原因となるデ
ータパルスの大きさ（データパルス高）を低下させてほ
ぼ一定のスイッチングカーブを得ることができるのであ
る。
【００５３】図１０〜図１４には、図１（Ａ）の駆動波
形を使用して表示素子を駆動して得られた印加電圧と透
過率の関係を種々の休止時間ｔについて示すものであ
る。これらの結果から、セレクトパルスの印加後、次ラ
インまでの時間ｔを長くすること（少なくとも１ライン
分＝約６０μｓｅｃとすること）によって、バイアス電
圧によるぶれ幅が小さくなり、特に１２０μｓｅｃ（約
２ライン分）の時、その幅はゼロとなる。
【００５４】これらの結果はまとめて、図１５の表に示
す。但し、上記時間ｔを３ライン分又はそれ以上とした
ときは、２ライン分の場合と殆ど結果が変わらないの
で、画質への影響（画素ぬけ等）も考慮すると、上記時
間ｔは２ライン分以下、１ライン分以上とすることが望
ましい。
【００５５】本実施例（更には、後述する他の実施例）
で用いる強誘電性液晶は、上記した微粒子の添加によっ
て、「しきい値電圧の異なる領域が微細に分布している
状態」となる。これは、反転ドメイン（例えば白の中に
黒のドメイン又はその反対）による透過率が２５％であ
るときに１μｍφ以上の大きさのドメイン（マイクロド
メイン）が１ｍｍ2 の視野の中に３００個以上（好まし
くは６００個以上）存在し、かつ、そのドメイン内での
しきい値電圧幅が透過率１０〜９０％の範囲で１Ｖ以
上、好ましくは２Ｖ以上であることを意味する。
【００５６】従って、図３３に例示したように、この液
晶素子では、印加電圧によって透過率が図３２のように
急峻に変化するのではなく、比較的緩やかな変化を示す
ものである。これは、上記したように、特に、一つの画
素内において、しきい値電圧（Ｖth）の異なる微細な領
域（マイクロドメイン）の発現により、印加電圧の大き
さに応じてマイクロドメインの透過率が変化するためで
ある。そして、一つのドメイン内では、液晶分子が双安
定であるとメモリ機能を有し、しきい値電圧の異なるμ
ｍオーダのドメインから一画素が形成されることから、
連続階調表示が可能となる。
【００５７】図３３では、透過率が変化するしきい値電
圧のうち、透過率１０％のときをＶth1 、透過率９０％
のときをＶth2 とした場合、しきい値電圧の変化幅（△
Ｖth＝Ｖth2 −Ｖth1)が１Ｖ以上である。
【００５８】マイクロドメインについては、図１６
（Ａ）に示すように、透過率２５％のときに、１μｍφ
以上の大きさのドメインＭＤが３００個／ｍｍ2 以上の
割合で存在するものである。こうしたマイクロドメイン
による微細な光透過部分によって、全体として中間調の
画面（透過率）を実現できるが、このようなマイクロド
メインによる構造は、いわば星空の如き様相を呈するの
で、以下に「スターライトテクスチャ」と称することと
する。
【００５９】このスターライトテクスチャによれば、印
加電圧の大小に応じてマイクロドメインによる光透過部
分ＭＤが図１６（Ａ）に一点鎖線で示す如くに拡大した
り（透過率上昇）、或いは縮小させる（透過率減少）こ
とができ、印加電圧によって任意に透過率を変化させる
ことができる。これに反し、図２８〜図３２の素子で
は、図１６（Ｂ）に示すように、しきい値電圧幅が極め
て小さいために、印加電圧による光透過部分Ｄが急激に
増加したり、或いは消失してしまうだけであり、階調表
示が困難である。
【００６０】この液晶素子の製造方法において、上記の
マイクロドメインを形成する手段として、液晶セルにお
いて液晶５中に微粒子（又は、超微粒子）を分散させる
ことができる。
【００６１】ここで、超微粒子によるしきい値電圧の変
化を図１７について原理的に説明する。超微粒子１０の
粒径をｄ2 、誘電率をε2 、超微粒子１０を除く液晶５
の厚みをｄ1 、誘電率をε1 としたとき、超微粒子にか
かる電界Ｅeff は、次式（１）で表される。 Ｅeff ＝（ε2 ／（ε1 ｄ2 ＋ε2 ｄ1 ））×Ｖgap ・・・・・（１）
【００６２】従って、誘電率の値が液晶よりも小さい超
微粒子を添加すると（ε2 ＜ε1 ）、液晶層の全厚ｄga
p(＝ｄ1 ＋ｄ2)よりも小さな微粒子（ｄ2 ）を入れるこ
とにより、 Ｅeff ＜Ｅgap となり、液晶には、微粒子を入れない場合（Ｅgap)に比
較して小さな電界Ｅeffが作用する。
【００６３】その反対に、誘電率の値が液晶より大きな
微粒子を添加することにより（ε2＞ε1 ）、 Ｅeff ＞Ｅgap となり、液晶には、微粒子を入れない場合（Ｅgap)に比
較して大きな電界Ｅeffが作用する。
【００６４】以上をまとめると、次の通りとなる。 ε1 ＞ε2 のとき →Ｅeff ＜｛Ｖgap/（ｄ1+ｄ2 ）｝
＝Ｖgap/ｄgap ＝Ｅgap ε1 ＝ε2 のとき → Ｅeff ＝Ｅgap ε1 ＜ε2 のとき → Ｅeff ＞Ｅgap
【００６５】いずれにしても、超微粒子の添加によっ
て、液晶自体に加わる実効電界Ｅeffは変化することに
なり、超微粒子が存在する領域とそうでない領域とで液
晶に加わる実効電界が異なることになる。この結果、同
じ電界Ｅgap を作用させても、それら領域間では反転ド
メインが生じる領域と生じない領域が存在し、図１６
（Ａ）で示した如きスターライトテクスチャ構造を発現
できるのである。
【００６６】このことから、スターライトテクスチャ構
造は連続階調を実現するのに好適なものとなり、超微粒
子の添加下で印加電圧（大きさ、パルス幅等）を制御す
る（即ち、２種類以上の電圧を印加すること）によって
多様な透過率（即ち、２種類以上の階調レベル）を得る
ことができる。これに反し、単に微粒子を存在させるだ
けでは、図１６（Ｂ）の如きものしか得られず、特に微
小な（２μｍ程度の）ギャップ中に０．３〜２μｍの微
粒子を存在させても目的とする表示性能が得られないこ
とが明らかであり、また、微小なギャップでなくても微
粒子部分による色ムラが生じてしまう。スターライトテ
クスチャ構造においては、このような現象を生じること
なく、目的とする性能が得られる。
【００６７】本実施例の液晶素子において、液晶に添加
する微粒子としては、図２８及び図２９に示した対向す
る透明電極層２ａ、２ｂの間に存在する液晶５に印加さ
れる実効電界強度に分布を持たせることができるような
微粒子であればよく、例えば誘電率の異なる複数の材質
の微粒子を混合して使用することができる。このように
誘電率の異なる微粒子を存在させることにより、各画素
内に誘電率の分布が形成される。
【００６８】この結果、上記したように、画素の透明電
極層２ａ、２ｂ間に均一に外部電界を印加した場合で
も、その画素内の液晶に印加される実効電界強度には分
布ができ、液晶（特に強誘電性液晶）の双安定状態間を
スイッチングするためのしきい値電圧の分布幅を広げる
ことができ、一画素内でアナログ階調表示が可能とな
る。
【００６９】また、使用する微粒子として、誘電率が同
じものを使用する場合には、大きさに分布をもたせれば
よい。このように、誘電率は異ならないが大きさが異な
る微粒子を存在させることにより液晶層の厚みに分布が
できる。その結果、一画素の透明電極層２ａ、２ｂ間に
均一に外部電界を印加した場合でも、その画素内の液晶
に印加される実効電界強度には分布ができ、一画素内で
アナログ階調表示が可能となる。微粒子の大きさの分布
について、その分布の広がりはある程度大きい方が、優
れたアナログ階調表示ができるので好ましい。
【００７０】本実施例の液晶素子では、液晶に添加する
微粒子はｐＨ＝２．０以上の表面を有することが望まし
いが、これは、ｐＨ＝２．０未満では酸性が強すぎ、プ
ロトンにより液晶が劣化し易いからである。
【００７１】また、この微粒子の量は、特に限定はな
く、所望のアナログ階調性等を考慮して適宜に決定する
ことができるが、５０重量％以下、０．１重量％以上の
割合で液晶に添加されているのが望ましい。添加量があ
まり多いと、凝集してスターライトテクスチャ構造が発
現し難く、また液晶の注入が困難となり易い。
【００７２】使用可能な微粒子はカーボンブラック及び
／又は酸化チタンからなっていてよく、またカーボンブ
ラックがファーネス法により作製されたカーボンブラッ
クであり、酸化チタンがアモルファス酸化チタンである
のがよい。ファーネス法により作製された熱分解カーボ
ンブラックは、微粒子の粒度分布が比較的広く、またア
モルファス酸化チタンは、表面性が良く、耐久性にも優
れている。
【００７３】使用可能な微粒子は、凝集していない一次
微粒子の状態で、液晶セルギャップの半分以下の大きさ
（０．４μｍ以下、特に０．１μｍ以下）が好ましく、
形状としては、コントロールの容易性から球形が好まし
い。また、その粒度分布によって階調表示特性をコント
ロールできるが、粒度分布の標準偏差が９．０ｎｍ以上
であることが透過率の変化（トランスミタンス）を緩や
かにできる点で望ましい。微粒子の比重が液晶の０．１
〜１０倍であることが、液晶中に分散させた際の沈降防
止の点で望ましく、また、微粒子が良分散性を示すよう
にシランカップリング剤等で表面処理されているのがよ
い。
【００７４】上述のように、微粒子のサイズは極めて小
さいので、この微粒子を超微粒子と称してもよい。
【００７５】本実施例において、微粒子は対向する電極
間の液晶中に存在させることが望ましいが、これに加え
て、液晶配向膜中又は液晶配向膜上に存在させてもよ
い。微粒子を対応する電極間に存在させること以外の構
成は、図２８及び図２９の液晶表示素子（特に強誘電性
液晶表示素子）と同様にすることができる。
【００７６】例えば、基板としては透明ガラス板を、電
極層としてはＩＴＯ（Indium tin oxide）等を、液晶配
向膜としてはラビング処理されたポリイミド膜やＳｉＯ
斜方蒸着膜を使用することができる。また、駆動方式も
既述したものと同様であってよい。但し、上記したマイ
クロドメインのスターライトテクスチャでのグレーレベ
ルは、データパルスの電圧を変化させて得るため、常に
１フレーム全体にデータパルスは印加されている状態と
する。
【００７７】なお、本実施例に使用可能な強誘電性液晶
は、実際には、カイラルスメクチックＣ（ＳｍＣ* ）液
晶と非カイラルスメクチックＣ（ＳｍＣ）液晶とを混合
したものであるのがよいが、これらの液晶はそれぞれ一
種のみから成るものであってもよいし、複数種を混合し
たものであってもよい。
【００７８】ここで、カイラルスメクチックＣ（ＳｍＣ
* ）液晶（強誘電性液晶）としては、公知のピリミジン
系、ビフェニル系、フェニルベンゾエート系等（但し、
これらの強誘電性液晶は温度の変化によりカイラルネマ
チック相、スメクチック相等を示すことがある。）のカ
イラルスメクチックＣ液晶（強誘電性液晶）である。
【００７９】また、使用可能な非カイラル液晶として
は、非カイラルネマチックＣ（ＳｍＣ）液晶であるメル
ク社製のＺＬＩ−２００８−０００（融点−６℃、ネマ
チック相の温度範囲−２０〜６４℃）が挙げられる。こ
の液晶以外にも、公知の非カイラルスメクチック液晶を
使用できる。例えば、ビフェニル系、ターフェニル系、
３環シクロヘキシル系、シクロヘキシルフェニル系、ビ
フェニルシクロヘキサン系、シクロヘキシルエタン系、
エステル系、ピリミジン系、ピリダジン系、エタン系、
ジオキサン系等である。
【００８０】また、液晶の層傾斜角に分布を持たせるこ
とによっても、階調を得ることができる。つまり、上記
した超微粒子の存在自体によって、その特質に関わるこ
となく、図１８にδで表される液晶の層傾斜角に分布が
できること、即ち、実効自発分極Ｐｓeff(強誘電性液晶
のしきい値を決定する特性値）に分布ができることによ
り、様々なしきい値をもつドメインが１画素内に多数存
在することになる。ドメインの大きさについては、ナノ
メーターオーダの超微粒子では粒子が小さく、その付近
で層の連続性が断ち切れ、ドメインの拡張を止める効果
（ピニング効果）があることが判明している。サブミク
ロンオーダーの大きな微粒子では、このピニング効果は
見られず、見られた場合においても、大きな欠陥とな
り、透過率に大きな悪影響を及ぼす。
【００８１】実施例２ 本実施例は、上記した第２の発明を強誘電性液晶表示素
子に適用したものであり、図１９〜図２２についてその
詳細を説明する。
【００８２】実施例１と同様の方法で作製した強誘電性
液晶表示素子（液晶パネル）において、ロウ側（セレク
トパルス）は実施例と同じ波形であるが、図１９に示す
ように、データ電圧のバイポーラであるペアのパルス
を、セレクト電圧のバイポーラであるペアのパルスと各
ラインでＨ／２（１／２ライン）ずらして同期させた駆
動波形を使用して、印加電圧と透過率の関係を測定し
た。即ち、この駆動波形はセレクト電圧にかかるデータ
電圧のバイポーラであるペアのパルスを、セレクト電圧
とは逆極性に印加したものである。
【００８３】その結果、図２０に示すように、最小しき
い値は変化せずにバイアス電圧によるぶれ幅が減少し、
特に低電圧側（例えば白→黒へのスイッチング時）にそ
の傾向は顕著であり、階調表示を十分に行えることが分
かる。これは、バイアス電圧によるぶれは、すべてが同
じ影響力を持っているわけではなく、次ラインの影響が
一番大きいことを示していることに他ならない。
【００８４】これに対し、図２１に示す如き駆動波形で
は、セレクトパルスと同極性のデータパルスが印加され
るため、バイアス電圧によるぶれの影響力の強いデータ
電圧が画素によって様々な値を取り得、最終的に大きな
ぶれ幅をとる。しかしながら、図１９のように、両パル
スを１／２Ｈずらす場合は、次ラインの最初の１／２Ｈ
時間の間は、必ず現画素の値が印加されるので、反電界
による影響は一値に決まる。しかも、セレクトパルスの
印加直後も現画素のデータパルスが印加されることにな
るから、画質への影響（例えば画素ぬけ）は生じない。
【００８５】比較のために、上記と同様の方法で作製し
た強誘電性液晶表示素子（液晶パネル）において、図２
１のように、一般に使用されているデータパルスのバイ
ポーラのペアを、セレクトパルスのバイポーラのペアと
そろえて印加する駆動波形を用いると、印加電圧と透過
率の関係は図２２のようになった。即ち、周囲が黒の時
のＶ−Ｔカーブと、周囲が白の時のＶ−Ｔカーブとで大
きくずれが生じるので、この液晶素子では白と黒の２値
しか表示をコントロールできないことになる。
【００８６】実施例３ 本実施例は、上記した第３の発明を強誘電性液晶表示素
子に適用したものであり、図２３〜図２７についてその
詳細を説明する。
【００８７】強誘電性液晶の特徴である自発分極の、ス
イッチング後の未緩和による反電界は、次に印加される
電圧と加成性が成り立つことが判明している。つまり、
次ラインのデータパルスが、正であれば低電圧側にシフ
トし、負であれば高電圧側にシフトする。また、時間の
経過と共に実効電圧は低下する。例えば、１μｓｅｃ後
の１Ｖと２μｓｅｃ後の１Ｖは、効果としては異なると
いうことである。
【００８８】これらの２点から、図２３に示すようにセ
レクトパルスとデータパルスとの形状を考えた。即ち、
実施例１と同様の方法で作製した強誘電性液晶素子（液
晶パネル）を用いてデータパルスのバイポーラの負極性
電圧の高さをｄ1 、幅をｔ1とし、正極性電圧の高さを
ｄ2 、幅をｔ2 としたとき、 ｄ1 ×ｔ1 ＝ｄ2 ×ｔ2 とし、ｔ1 ／ｔ2 の比を変えて、データ電圧の非対称性
とバイアス電圧によるぶれ幅の関係を測定した。結果を
図２５に示す。
【００８９】実施例２で示したように、次ラインには、
選択画素のデータ電圧が印加されることから、しきい値
がそろっている。このｔ1 ／ｔ2 の比率と、バイアス電
圧によるぶれ幅の関係を図２６にまとめた。
【００９０】これによれば、ｔ1 ／ｔ2 の比率とぶれ幅
の関係はほぼ１次の関係にあり、ｔ1 ／ｔ2 ＞１とする
必要があり、２．１〜２．７とするのが１６階調以上を
実現できる等の点で望ましく、特に２．４にすることに
よって、ぶれ幅はゼロにすることができた。その結果を
図２７に示す。この結果は、バイアス電圧によるぶれは
なく、周囲の色に関わらず、１つの透過率を得ることが
可能であること（アナログ階調の達成）を示している。
【００９１】上記においては、セレクトパルスをＨ／２
時間としたが、セレクトパルスの幅はＨ／２時間に限定
されるものではない。また、上記のｄ1 ／ｄ2 の値によ
っても、バイアス電圧によるぶれを抑制することはでき
る。
【００９２】本実施例のように、ｔ1 ／ｔ2 の比を選択
し、ｔ1 ／ｔ2 ＞１（最適にはｔ1／ｔ2 ＝２．４）と
することにより、セレクトパルスの印加後もデータパル
スがバイポーラの負電圧を維持しているため、セレクト
パルスによる反電界がデータパルスにより打ち消される
ことになる。即ち、スイッチング後のデータパルスが図
２４のように正極性であると、反電界によって実効電圧
が破線のレベルから低電圧側へシフトし、ぶれを生じる
ことになるが、スイッチング後のデータパルスが図２３
のように負極性を維持していると、反電界によって実効
電圧が高電圧側へシフトするため、バイアス電圧による
ぶれを大きく減少させることができる。
【００９３】以上、本発明の実施例を説明したが、上述
の実施例は本発明の技術的思想に基づいて更に変形が可
能である。
【００９４】例えば、上述したデータパルスを含む駆動
波形は、本発明の目的を達成できる範囲内で種々に変化
させてよいし、駆動方式も単純マトリクス方式、アクテ
ィブマトリクス方式等のいずれでもよい。
【００９５】また、上述の液晶の種類や組み合わせ、微
粒子の材質や物性等は種々に変更してよい。また、上述
の透明電極としては、上記のＩＴＯ以外にも、酸化ス
ズ、酸化インジウム等、公知の透明電極を使用でき、透
明基板、スペーサ、シール材等の液晶素子の構成材料も
従来公知の材料を使用できる。
【００９６】上述の素子は、ディスプレイ以外にも、光
シャッタ、光スイッチ、光ブラインド等にも使用でき、
更に、電気光学素子等の組み合わせれば、液晶プリズ
ム、液晶レンズ、光路切替えスイッチ、光変調器、位相
回折格子、Ａ／Ｄ変換器、光ロジック回路等にも使用で
きる。
【００９７】
【発明の作用効果】本発明の第１の発明は、上述した如
く、印加されるデータパルスにおいて少なくとも１ライ
ン分、データパルスが印加されないような駆動波形を使
用しているので、次ラインの印加までに液晶分子の自発
分極のメモリが緩和していき、それに伴って、反電界が
減少する。従って、液晶材料を一切変えずに、次ライン
による影響を打ち消すことが可能となる。
【００９８】また、本発明の第２の発明は、上述した如
く、セレクトパルスとデータパルスとは１／２ライン
（Ｈ／２）分、互いにずらして同期させているので、バ
イアス電圧によって最もぶれの影響の大きい次ラインの
最初のＨ／２時間は必ず現画素の値が印加され、反電界
による影響は一値に決まる。
【００９９】更に、本発明の第３の発明は、上述した如
く、セレクトパルスによるスイッチング時に発生する反
電界を打ち消すように印加時間及び／又は電圧値の割合
が決められたデータパルスを印加しているので、セレク
トパルス印加直後に次ラインのデータパルスを印加した
際、反電界の加成による次ラインのデータパルス印加時
のバイアス電圧のぶれの影響を減少させ若しくは無くす
ことができる。本発明の第４の発明は、この第３の発明
と上記第２の発明との双方の特長を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例による液晶表示素子に印加され
る駆動波形図（Ａ）と比較の駆動波形図（Ｂ）である。
【図２】同、液晶表示素子の駆動状況を模式的に示す概
略平面図である。
【図３】同、液晶表示素子において次ラインまでの時間
を変えたときの印加電圧−透過率カーブの変化を比較し
て示すグラフである。
【図４】同、液晶表示素子において次ラインまでの時間
を変えたときの印加電圧−透過率カーブの変化を比較し
て示すグラフである。
【図５】同、液晶表示素子において次ラインまでの時間
を変えたときの印加電圧−透過率カーブの変化を比較し
て示すグラフである。
【図６】同、液晶表示素子において次ラインまでの時間
を変えたときの印加電圧−透過率カーブの変化を比較し
て示すグラフである。
【図７】同、液晶表示素子において次ラインまでの時間
を変えたときの印加電圧−透過率カーブの変化を比較し
て示すグラフである。
【図８】同、液晶表示素子において次ラインまでの時間
を変えたときの印加電圧−透過率カーブの変化を比較し
て示すグラフである。
【図９】液晶表示素子の駆動時におけるセレクト電圧高
とデータ電圧高を示すグラフである。
【図１０】液晶表示素子の周囲が黒のときのＶ−Ｔカー
ブと周囲が白の時のＶ−Ｔカーブ（次ラインまで０μｓ
ｅｃの時）を示すグラフである。
【図１１】液晶表示素子の周囲が黒のときのＶ−Ｔカー
ブと周囲が白の時のＶ−Ｔカーブ（次ラインまで１５μ
ｓｅｃ離した時）を示すグラフである。
【図１２】液晶表示素子の周囲が黒のときのＶ−Ｔカー
ブと周囲が白の時のＶ−Ｔカーブ（次ラインまで３０μ
ｓｅｃ離した時）を示すグラフである。
【図１３】液晶表示素子の周囲が黒のときのＶ−Ｔカー
ブと周囲が白の時のＶ−Ｔカーブ（次ラインまで６０μ
ｓｅｃ離した時）を示すグラフである。
【図１４】液晶表示素子の周囲が黒のときのＶ−Ｔカー
ブと周囲が白の時のＶ−Ｔカーブ（次ラインまで１２０
μｓｅｃ離した時）を示すグラフである。
【図１５】次ラインまでの時間とＶ−Ｔカーブずれ幅と
の関係をまとめて示す図表である。
【図１６】液晶表示素子の駆動時のドメイン発生状況を
従来例と比較して説明するための概略図である。
【図１７】液晶表示素子のしきい値電圧の変化を説明す
るための原理図である。
【図１８】強誘電性液晶の層傾斜角と有効自発分極との
関係を示した概略図である。
【図１９】本発明の他の実施例による液晶表示素子のカ
ラム側から印加される駆動波形とロウ側から印加される
駆動波形とをＨ／２ずらして同期させた駆動波形図であ
る。
【図２０】図１９の駆動波形を用いたときの、周囲が黒
の時のＶ−Ｔカーブと周囲が白の時のＶ−Ｔカーブを示
すグラフである。
【図２１】カラム側から印加される駆動波形とロウ側か
ら印加される駆動波形とをずらさないで同期させた通常
の駆動波形図である。
【図２２】図２１の駆動波形を用いたときの、周囲が黒
の時のＶ−Ｔカーブと周囲が白の時のＶ−Ｔカーブを示
すグラフである。
【図２３】本発明の更に他の実施例による液晶表示素子
のデータパルスのバイポーラのペアの比率を説明するた
めの駆動波形図である。
【図２４】液晶表示素子のデータパルスのバイポーラの
ペアの比率を変えたときの比較の駆動波形図である。
【図２５】液晶表示素子のデータパルスの比率を変えた
ときのそれぞれのＶ−Ｔカーブを比較して示すグラフで
ある。
【図２６】液晶表示素子のデータパルスの比率とバイア
ス電圧によるぶれ幅との関係を示すグラフである。
【図２７】液晶表示素子のデータパルスの比率を最適化
した駆動波形を用いたときの、周囲が黒の時のＶ−Ｔカ
ーブと周囲が白の時のＶ−Ｔカーブを示すグラフであ
る。
【図２８】従来から使用されている液晶表示素子をセレ
クト電極側からみた概略平面図である。
【図２９】図２８のXXIX−XXIX線に沿う断面図である。
【図３０】従来から使用されている液晶表示素子のしき
い値電圧特性を示す電圧−透過率特性図である。
【図３１】強誘電性液晶のモデル図である。
【図３２】液晶表示素子における印加電圧と透過率との
関係を示す特性図である。
【図３３】先願発明による液晶表示素子の印加電圧と透
過率との関係を示す特性図である。
【図３４】液晶表示素子における印加電圧と透過率の関
係を示す特性図である。
【図３５】液晶表示素子における画素周囲の表示の違い
による印加電圧−透過率カーブの変化を比較して示すグ
ラフである。
【符号の説明】
１ａ、１ｂ…基板、２ａ…データ電極、２ｂ…走査電極
（セレクト電極）、３ａ、３ｂ…ＳｉＯ斜方蒸着層、５
…強誘電性液晶（ＦＬＣ）、１０…微粒子、１１…ＦＬ
Ｃ素子、ＤＰ、ＤＰ’…データパルス、Ｈ…ライン、ｔ
…次ラインまでの時間
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０９Ｇ 3/36 Ｇ０２Ｆ 1/137 ５１０

Claims (16)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 一方向に配列されたデータ電極を有する
    第１の基体と、前記データ電極と交差する方向に配列さ
    れたセレクト電極を有する第２の基体との間に液晶が配
    されている液晶素子を駆動するに際し、前記データ電極
    によって印加されるデータパルスにおいて少なくとも１
    ライン分、データパルスが印加されないような駆動波形
    を使用する、液晶素子の駆動方法。
  2. 【請求項２】 １〜２ライン分、データパルスが印加さ
    れないような駆動波形を使用する、請求項１に記載した
    駆動方法。
  3. 【請求項３】 バイポーラパルスを１ライン分のデータ
    パルスとして印加する、請求項１に記載した駆動方法。
  4. 【請求項４】 強誘電性液晶をスイッチングするための
    しきい値電圧の異なる領域が微細に分布している単純マ
    トリクス方式の強誘電性液晶素子を駆動する、請求項１
    に記載した駆動方法。
  5. 【請求項５】 しきい値電圧の異なる微細領域を形成す
    るために、微粒子が強誘電性液晶に添加される、請求項
    ４に記載した駆動方法。
  6. 【請求項６】 一方向に配列されたデータ電極を有する
    第１の基体と、前記データ電極と交差する方向に配列さ
    れたセレクト電極を有する第２の基体との間に液晶が配
    されている液晶素子を駆動するに際し、前記セレクト電
    極によって印加されるセレクトパルスと前記データ電極
    によって印加されるデータパルスとを１／２ライン分、
    互いにずらして同期させる、液晶素子の駆動方法。
  7. 【請求項７】 強誘電性液晶をスイッチングするための
    しきい値電圧の異なる領域が微細に分布している単純マ
    トリクス方式の強誘電性液晶素子を駆動する、請求項６
    に記載した駆動方法。
  8. 【請求項８】 しきい値電圧の異なる微細領域を形成す
    るために、微粒子が強誘電性液晶に添加される、請求項
    ７に記載した駆動方法。
  9. 【請求項９】 一方向に配列されたデータ電極を有する
    第１の基体と、前記データ電極と交差する方向に配列さ
    れたセレクト電極を有する第２の基体との間に液晶が配
    されている液晶素子を駆動するに際し、前記セレクト電
    極によってセレクトパルスを印加すると同時に、前記液
    晶のスイッチング時に発生する反電界の影響を打ち消す
    ように印加時間及び／又は電圧値の割合が決められたデ
    ータパルスを前記データ電極によって印加する、液晶素
    子の駆動方法。
  10. 【請求項１０】 セレクトパルスよりもパルス幅が大き
    い逆極性のデータパルスを印加する、請求項９に記載し
    た駆動方法。
  11. 【請求項１１】 強誘電性液晶をスイッチングするため
    のしきい値電圧の異なる領域が微細に分布している単純
    マトリクス方式の強誘電性液晶素子を駆動する、請求項
    ９に記載した駆動方法。
  12. 【請求項１２】 しきい値電圧の異なる微細領域を形成
    するために、微粒子が強誘電性液晶に添加される、請求
    項１１に記載した駆動方法。
  13. 【請求項１３】 一方向に配列されたデータ電極を有す
    る第１の基体と、前記データ電極と交差する方向に配列
    されたセレクト電極を有する第２の基体との間に液晶が
    配されている液晶素子を駆動するに際し、 （Ａ）前記セレクト電極によって印加されるセレクトパ
    ルスと前記データ電極によって印加されるデータパルス
    とを１／２ライン分、互いにずらして同期させること
    と、 （Ｂ）前記セレクト電極によってセレクトパルスを印加
    すると同時に、前記液晶のスイッチング時に発生する反
    電界の影響を打ち消すように印加時間及び／又は電圧値
    の割合が決められたデータパルスを前記データ電極によ
    って印加することとの双方を行う、液晶素子の駆動方
    法。
  14. 【請求項１４】 （Ｂ）項においては、セレクトパルス
    よりもパルス幅が大きい逆極性のデータパルスを印加す
    る、請求項１３に記載した駆動方法。
  15. 【請求項１５】 強誘電性液晶をスイッチングするため
    のしきい値電圧の異なる領域が微細に分布している単純
    マトリクス方式の強誘電性液晶素子を駆動する、請求項
    １３に記載した駆動方法。
  16. 【請求項１６】 しきい値電圧の異なる微細領域を形成
    するために、微粒子が強誘電性液晶に添加される、請求
    項１５に記載した駆動方法。
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