JP2002201473A - スメクチック高分子液晶及びその製造方法、これを用いた液晶素子 - Google Patents
スメクチック高分子液晶及びその製造方法、これを用いた液晶素子Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高次のスメクチック相を安定した状態で得、
キャリア輸送特性に優れたキャリア輸送層を形成して、
優れた発光素子を提供する。 【解決手段】 基板上に一軸配向膜を形成し、その上に
高次のスメクチック相を呈する重合性棒状液晶を塗布し
て薄膜化し、配向させた上で六方晶秩序を有する液晶相
温度で重合させる。
キャリア輸送特性に優れたキャリア輸送層を形成して、
優れた発光素子を提供する。 【解決手段】 基板上に一軸配向膜を形成し、その上に
高次のスメクチック相を呈する重合性棒状液晶を塗布し
て薄膜化し、配向させた上で六方晶秩序を有する液晶相
温度で重合させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機エレクトロル
ミネッセンス素子やＬＥＤ等の発光素子や、有機半導体
素子といった機能素子に適用可能な液晶素子及び該液晶
素子に用いられる高分子液晶とその製造方法に関する。
ミネッセンス素子やＬＥＤ等の発光素子や、有機半導体
素子といった機能素子に適用可能な液晶素子及び該液晶
素子に用いられる高分子液晶とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、発光素子や半導体素子といった機
能素子に有機化合物を用いる検討が広く行われてきてい
る。最も代表的な例としては、電子写真プロセスにおけ
る光導電体が挙げられ、その生産性、機能性などにおけ
る優位性から広く複写機、電子写真プリンタに使用され
ている。また、近年では、エレクトロルミネッセンス素
子（以下、「ＥＬ素子」と記す）といわれる発光素子に
おいて、有機材料を用いる研究開発が活発に行われてお
り、例えば、Ｃ．Ｗ．Ｔａｎｇらによるキャリア輸送層
と発光層を機能分離した有機ＥＬ素子〔アプライドフィ
ジックスレター、５１、（１９８７）ｐ．９１３〕や、
パイオニア株式会社による諸検討（例えば、日経ＢＰ社
発行、フラットパネル・ディスプレイ、１９９９、２１
２頁）が挙げられる。
能素子に有機化合物を用いる検討が広く行われてきてい
る。最も代表的な例としては、電子写真プロセスにおけ
る光導電体が挙げられ、その生産性、機能性などにおけ
る優位性から広く複写機、電子写真プリンタに使用され
ている。また、近年では、エレクトロルミネッセンス素
子（以下、「ＥＬ素子」と記す）といわれる発光素子に
おいて、有機材料を用いる研究開発が活発に行われてお
り、例えば、Ｃ．Ｗ．Ｔａｎｇらによるキャリア輸送層
と発光層を機能分離した有機ＥＬ素子〔アプライドフィ
ジックスレター、５１、（１９８７）ｐ．９１３〕や、
パイオニア株式会社による諸検討（例えば、日経ＢＰ社
発行、フラットパネル・ディスプレイ、１９９９、２１
２頁）が挙げられる。
【０００３】このような状況下、液晶材料を上記機能素
子に応用しようという動きがある。即ち、液晶の高度な
秩序構造を用いて、高性能の素子を作製しようというも
のである。例えば、半那による液晶性有機半導体材料の
研究〔応用物理、６８、〔１〕（１９９９）ｐ．２６〕
において、スメクチック液晶の高キャリア輸送特性が確
認されている。このようなスメクチック液晶を用いたキ
ャリア輸送層については、特に電子や正孔といったキャ
リアに対しては、スメクチックＡ（ＳｍＡ）相、スメク
チックＣ（ＳｍＣ）相といった相内では液体の秩序しか
持たないいわゆる低次のスメクチック相ではその性能は
液体の領域を超えないのに対して、高度の秩序構造を持
つ高次のスメクチック相、代表的には六方晶秩序を有す
るスメクチック相では特異的に高いキャリア輸送能力を
有している。
子に応用しようという動きがある。即ち、液晶の高度な
秩序構造を用いて、高性能の素子を作製しようというも
のである。例えば、半那による液晶性有機半導体材料の
研究〔応用物理、６８、〔１〕（１９９９）ｐ．２６〕
において、スメクチック液晶の高キャリア輸送特性が確
認されている。このようなスメクチック液晶を用いたキ
ャリア輸送層については、特に電子や正孔といったキャ
リアに対しては、スメクチックＡ（ＳｍＡ）相、スメク
チックＣ（ＳｍＣ）相といった相内では液体の秩序しか
持たないいわゆる低次のスメクチック相ではその性能は
液体の領域を超えないのに対して、高度の秩序構造を持
つ高次のスメクチック相、代表的には六方晶秩序を有す
るスメクチック相では特異的に高いキャリア輸送能力を
有している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た高度な秩序構造を有する高次スメクチック相を広い温
度範囲で安定的に得ることは非常に困難であり、さらに
は、該スメクチック相を用いて信頼性の高い液晶素子を
構成することは容易ではない。
た高度な秩序構造を有する高次スメクチック相を広い温
度範囲で安定的に得ることは非常に困難であり、さらに
は、該スメクチック相を用いて信頼性の高い液晶素子を
構成することは容易ではない。
【０００５】本発明の課題は、上記した高度な秩序構造
を有する液晶相を実用に耐える状態で実現し、これを用
いて、信頼性の高い液晶素子を構成し、発光素子や半導
体素子といった機能素子における性能の向上を図ること
にある。
を有する液晶相を実用に耐える状態で実現し、これを用
いて、信頼性の高い液晶素子を構成し、発光素子や半導
体素子といった機能素子における性能の向上を図ること
にある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の第一は、六方晶
秩序を有する液晶相状態を呈することを特徴とするスメ
クチック高分子液晶である。
秩序を有する液晶相状態を呈することを特徴とするスメ
クチック高分子液晶である。
【０００７】上記本発明のスメクチック高分子液晶は、
下記の構成を好ましい態様として含むものである。上記
スメクチック液晶相が、スメクチックＢ相、スメクチッ
クＬ相、スメクチックＥ相、スメクチックＩ相、スメク
チックＦ相、スメクチックＪ相、スメクチックＧ相、ス
メクチックＫ相、スメクチックＨ相のいずれかの液晶相
を呈していること。上記スメクチック液晶相がガラス状
態であること。
下記の構成を好ましい態様として含むものである。上記
スメクチック液晶相が、スメクチックＢ相、スメクチッ
クＬ相、スメクチックＥ相、スメクチックＩ相、スメク
チックＦ相、スメクチックＪ相、スメクチックＧ相、ス
メクチックＫ相、スメクチックＨ相のいずれかの液晶相
を呈していること。上記スメクチック液晶相がガラス状
態であること。
【０００８】また、本発明の第二は、上記本発明のスメ
クチック高分子液晶の製造方法であって、重合性棒状液
晶を六方晶秩序を有する液晶相状態で重合させることを
特徴とする。
クチック高分子液晶の製造方法であって、重合性棒状液
晶を六方晶秩序を有する液晶相状態で重合させることを
特徴とする。
【０００９】上記本発明の第二の製造方法においては、
一軸配向膜上に重合性棒状液晶からなる薄膜を形成し、
重合させること、さらには、重合性棒状液晶が六方晶秩
序を有する液晶相を示す温度で、該液晶を光重合させる
こと、を好ましい態様として含むものである。
一軸配向膜上に重合性棒状液晶からなる薄膜を形成し、
重合させること、さらには、重合性棒状液晶が六方晶秩
序を有する液晶相を示す温度で、該液晶を光重合させる
こと、を好ましい態様として含むものである。
【００１０】さらに、本発明の第三は、２枚の対向する
電極間に、少なくとも上記本発明のスメクチック高分子
液晶からなる液晶層を挟持したことを特徴とする液晶素
子であり、該液晶素子においては、上記液晶層がキャリ
ア輸送層であること、さらには、該キャリア輸送層が輸
送するキャリアが電子または正孔であることを好ましい
態様として含むものである。
電極間に、少なくとも上記本発明のスメクチック高分子
液晶からなる液晶層を挟持したことを特徴とする液晶素
子であり、該液晶素子においては、上記液晶層がキャリ
ア輸送層であること、さらには、該キャリア輸送層が輸
送するキャリアが電子または正孔であることを好ましい
態様として含むものである。
【００１１】また、本発明の液晶素子においては、上記
液晶層が発光層であること、上記液晶素子が複数の有機
化合物層を有し、そのうちの少なくとも一層が発光層で
あること、上記液晶素子が複数の有機化合物層を有し、
そのうちの少なくとも一層が液晶層であること、を好ま
しい態様として含むものである。
液晶層が発光層であること、上記液晶素子が複数の有機
化合物層を有し、そのうちの少なくとも一層が発光層で
あること、上記液晶素子が複数の有機化合物層を有し、
そのうちの少なくとも一層が液晶層であること、を好ま
しい態様として含むものである。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明者等が鋭意検討を重ねた結
果、六方晶秩序を有する固化されたスメクチック高分子
液晶が、高次液晶相による高い機能性を有しつつ、極め
て高い環境安定性、信頼性を有する液晶素子を実現でき
ることを見いだし、本発明を完成した。
果、六方晶秩序を有する固化されたスメクチック高分子
液晶が、高次液晶相による高い機能性を有しつつ、極め
て高い環境安定性、信頼性を有する液晶素子を実現でき
ることを見いだし、本発明を完成した。
【００１３】以下、本発明を詳細に説明する。
【００１４】本発明における、固化されたスメクチック
高分子液晶とは、通常の流動性を有する液晶の粘性或い
は弾性が高まって実質的に固まり、固体化して、低温化
によっても相変化が起きない、或いは、相変化が非常に
抑制された状態をいう。
高分子液晶とは、通常の流動性を有する液晶の粘性或い
は弾性が高まって実質的に固まり、固体化して、低温化
によっても相変化が起きない、或いは、相変化が非常に
抑制された状態をいう。
【００１５】より具体的には、ある温度以下でＤＳＣ
（示差走査熱量計）による測定条件下で相転移が凍結さ
れている状態、ガラス転移温度以下で液晶相がガラス化
された状態を挙げることができる。
（示差走査熱量計）による測定条件下で相転移が凍結さ
れている状態、ガラス転移温度以下で液晶相がガラス化
された状態を挙げることができる。
【００１６】本発明にかかる、六方晶秩序を有するスメ
クチック液晶相としては、例えば、スメクチックＢ相、
スメクチックＬ相、スメクチックＥ相、スメクチックＩ
相、スメクチックＦ相、スメクチックＪ相、スメクチッ
クＧ相、スメクチックＫ相、スメクチックＨ相等の高次
スメクチック相が挙げられ、中でも、一軸配向性が得や
すい点でスメクチックＢ相、スメクチックＬ相、スメク
チックＥ相が好ましい。
クチック液晶相としては、例えば、スメクチックＢ相、
スメクチックＬ相、スメクチックＥ相、スメクチックＩ
相、スメクチックＦ相、スメクチックＪ相、スメクチッ
クＧ相、スメクチックＫ相、スメクチックＨ相等の高次
スメクチック相が挙げられ、中でも、一軸配向性が得や
すい点でスメクチックＢ相、スメクチックＬ相、スメク
チックＥ相が好ましい。
【００１７】本発明における高分子液晶とは、平均分子
量が５０００以上のものを言う。ここで、平均分子量と
は、厳密には、数平均分子量であり、その定義は、「高
分子化学〜基礎と応用」（東京化学同人）荻野一膳編、
ｐ．６４に記載されている。
量が５０００以上のものを言う。ここで、平均分子量と
は、厳密には、数平均分子量であり、その定義は、「高
分子化学〜基礎と応用」（東京化学同人）荻野一膳編、
ｐ．６４に記載されている。
【００１８】また、部分的に低分子の部分が残ったりす
る場合があるが、本発明においては６０％以上の部分が
上記定義における高分子液晶で締められているものは本
発明に含まれる。これは、６０％以上であれば、本件に
述べられている効果が発生するからである。
る場合があるが、本発明においては６０％以上の部分が
上記定義における高分子液晶で締められているものは本
発明に含まれる。これは、６０％以上であれば、本件に
述べられている効果が発生するからである。
【００１９】また、通常の地上での使用を考えたときの
形態としては、１００℃以下の温度で単一の液晶相を示
すことが好ましく、より好ましくは、１２０℃以下の温
度で、さらに好ましくは１４０℃以下の温度で単一の液
晶相を示すことが望ましい。
形態としては、１００℃以下の温度で単一の液晶相を示
すことが好ましく、より好ましくは、１２０℃以下の温
度で、さらに好ましくは１４０℃以下の温度で単一の液
晶相を示すことが望ましい。
【００２０】また、上記したガラス転移温度について
も、好ましくは室温以上、より好ましくは６０℃以上、
さらに好ましくは８０℃以上である。
も、好ましくは室温以上、より好ましくは６０℃以上、
さらに好ましくは８０℃以上である。
【００２１】本発明の固化されたスメクチック高分子液
晶を得る具体的な手段としては、重合性の棒状液晶を高
分子化することにより固化する方法が挙げられる。ここ
でいう高分子とは、繰り返し単位となる棒状液晶ユニッ
ト構造が２以上連なる構造を意味している。より具体的
には、棒状液晶ユニットを主鎖成分として有する、いわ
ゆる主鎖型高分子液晶、或いは、棒状液晶ユニットを側
鎖成分として有する、いわゆる側鎖型高分子液晶が挙げ
られる。
晶を得る具体的な手段としては、重合性の棒状液晶を高
分子化することにより固化する方法が挙げられる。ここ
でいう高分子とは、繰り返し単位となる棒状液晶ユニッ
ト構造が２以上連なる構造を意味している。より具体的
には、棒状液晶ユニットを主鎖成分として有する、いわ
ゆる主鎖型高分子液晶、或いは、棒状液晶ユニットを側
鎖成分として有する、いわゆる側鎖型高分子液晶が挙げ
られる。
【００２２】本発明の液晶素子においては、本発明の固
化されたスメクチック高分子液晶を、好ましくは配向処
理を施された形態でモノドメイン或いはそれに近い薄膜
の状態で使用する。このような配向された固化されたス
メクチック高分子液晶を上記した高分子液晶で構成する
には、高分子液晶のバルク材料に配向処理を施して配向
性高分子液晶とする、或いは、重合性液晶に配向処理を
施した上で光照射或いは加熱処理によって高分子反応を
促進し、配向した高分子液晶を得ることが好ましい。
化されたスメクチック高分子液晶を、好ましくは配向処
理を施された形態でモノドメイン或いはそれに近い薄膜
の状態で使用する。このような配向された固化されたス
メクチック高分子液晶を上記した高分子液晶で構成する
には、高分子液晶のバルク材料に配向処理を施して配向
性高分子液晶とする、或いは、重合性液晶に配向処理を
施した上で光照射或いは加熱処理によって高分子反応を
促進し、配向した高分子液晶を得ることが好ましい。
【００２３】即ち、本発明のスメクチック高分子液晶の
製造方法は、上記した本発明の固化されたスメクチック
高分子液晶を得るために適した方法であり、重合性棒状
液晶を六方晶秩序を有する液晶相状態で重合させること
に特徴を有する。より具体的には、重合性棒状液晶を配
向させ、六方晶秩序を有する液晶相を示す温度において
光重合させることにより、六方晶秩序を有する液晶相状
態の固化されたスメクチック高分子液晶を容易に製造す
ることができる。
製造方法は、上記した本発明の固化されたスメクチック
高分子液晶を得るために適した方法であり、重合性棒状
液晶を六方晶秩序を有する液晶相状態で重合させること
に特徴を有する。より具体的には、重合性棒状液晶を配
向させ、六方晶秩序を有する液晶相を示す温度において
光重合させることにより、六方晶秩序を有する液晶相状
態の固化されたスメクチック高分子液晶を容易に製造す
ることができる。
【００２４】本発明者等の実験によれば、等方相即ち液
体相状態で重合させたものと、液晶相状態で重合させた
ものとでは、電子或いは正孔移動度が１桁〜３桁程度異
なり、液晶相状態で重合させた方が移動度が高い。この
性質はガラス状態になっても保持される。これら移動度
の違いは、重合する時点での分子配向状態に由来するも
ので、重合後も液晶の秩序度が保持されていることを示
している。
体相状態で重合させたものと、液晶相状態で重合させた
ものとでは、電子或いは正孔移動度が１桁〜３桁程度異
なり、液晶相状態で重合させた方が移動度が高い。この
性質はガラス状態になっても保持される。これら移動度
の違いは、重合する時点での分子配向状態に由来するも
ので、重合後も液晶の秩序度が保持されていることを示
している。
【００２５】本発明で用いられる、重合性棒状液晶とし
ては、例えば、末端或いは中間部にアクリル基或いはメ
タクリル基を有するスメクチック液晶が挙げられる。ま
た、本発明の固化されたスメクチック高分子液晶におい
ては、転移温度（ガラス転移温度、相転移温度等）等の
諸特性を調整する目的で低分子の液晶を部分的な成分と
して含んでいてもかまわない。
ては、例えば、末端或いは中間部にアクリル基或いはメ
タクリル基を有するスメクチック液晶が挙げられる。ま
た、本発明の固化されたスメクチック高分子液晶におい
ては、転移温度（ガラス転移温度、相転移温度等）等の
諸特性を調整する目的で低分子の液晶を部分的な成分と
して含んでいてもかまわない。
【００２６】図１に、本発明の固化されたスメクチック
高分子液晶を挟持してなる本発明の液晶素子の一例の断
面模式図を示す。図中、１、２は基板、３、４は電極、
５、６は配向膜、７は固化されたスメクチック高分子液
晶層である。基板１、２の少なくとも一方はガラス等透
明基板からなり、また、電極３、４のうち透明基板上に
形成する電極はＩＴＯ等の透明導電材からなる。
高分子液晶を挟持してなる本発明の液晶素子の一例の断
面模式図を示す。図中、１、２は基板、３、４は電極、
５、６は配向膜、７は固化されたスメクチック高分子液
晶層である。基板１、２の少なくとも一方はガラス等透
明基板からなり、また、電極３、４のうち透明基板上に
形成する電極はＩＴＯ等の透明導電材からなる。
【００２７】図１に示したような構成の液晶素子を構成
する場合には、基板１、２にそれぞれ電極３、４を形成
した後、必要に応じて液晶を配向させるための配向膜
５、６を形成し、電極３、４或いは配向膜５、６が互い
に向き合うように、スペーサー（不図示）等を用いて所
定の距離をあけて対向配置させ、開口部を除いて周囲を
封止材（不図示）等により封止し、セルを形成する。次
に、該セルの該開口部より重合性棒状液晶を注入し、セ
ル内において配向させ、六方晶秩序を有する液晶相を示
す温度において透明基板側よりＵＶ光を照射することに
より上記液晶を重合し、六方晶秩序を有する固化された
スメクチック高分子液晶層７を得る。当該高分子液晶層
７には、重合されてない、或いは重合しても高分子量体
になってないものも含まれる可能性があるが、これらも
重合されて高分子量体になったものと同様に、積層プロ
セスにも耐え、該高次の液晶相の高いキャリア輸送特性
等、優れた特性に寄与していることも考えうる。いずれ
にしても本発明に係る高分子液晶とは先に定義した平均
分子量が５０００以上の高分子のことであり、当該液晶
が積層プロセスにも耐え、該高次の液晶相の高いキャリ
ア輸送特性等、優れた特性を発現するものである。
する場合には、基板１、２にそれぞれ電極３、４を形成
した後、必要に応じて液晶を配向させるための配向膜
５、６を形成し、電極３、４或いは配向膜５、６が互い
に向き合うように、スペーサー（不図示）等を用いて所
定の距離をあけて対向配置させ、開口部を除いて周囲を
封止材（不図示）等により封止し、セルを形成する。次
に、該セルの該開口部より重合性棒状液晶を注入し、セ
ル内において配向させ、六方晶秩序を有する液晶相を示
す温度において透明基板側よりＵＶ光を照射することに
より上記液晶を重合し、六方晶秩序を有する固化された
スメクチック高分子液晶層７を得る。当該高分子液晶層
７には、重合されてない、或いは重合しても高分子量体
になってないものも含まれる可能性があるが、これらも
重合されて高分子量体になったものと同様に、積層プロ
セスにも耐え、該高次の液晶相の高いキャリア輸送特性
等、優れた特性に寄与していることも考えうる。いずれ
にしても本発明に係る高分子液晶とは先に定義した平均
分子量が５０００以上の高分子のことであり、当該液晶
が積層プロセスにも耐え、該高次の液晶相の高いキャリ
ア輸送特性等、優れた特性を発現するものである。
【００２８】また、図２に示すように、一方の基板のみ
を用意し、配向膜５上に重合性棒状液晶をコーティング
或いはディッピング等により膜形成した後、アニーリン
グ等により配向させ、六方晶秩序を有する液晶相を示す
温度において上記と同様にＵＶ照射することによって上
記液晶を重合し、六方晶秩序を有する固化されたスメク
チック高分子液晶層７を得ることもできる。
を用意し、配向膜５上に重合性棒状液晶をコーティング
或いはディッピング等により膜形成した後、アニーリン
グ等により配向させ、六方晶秩序を有する液晶相を示す
温度において上記と同様にＵＶ照射することによって上
記液晶を重合し、六方晶秩序を有する固化されたスメク
チック高分子液晶層７を得ることもできる。
【００２９】また、上記した配向膜（配向性制御層）と
しては、従来のスメクチック液晶の配向に用いられてい
たものが好ましく用いられ、例えばポリイミド膜等をラ
ビング処理してなる配向膜が挙げられる。
しては、従来のスメクチック液晶の配向に用いられてい
たものが好ましく用いられ、例えばポリイミド膜等をラ
ビング処理してなる配向膜が挙げられる。
【００３０】尚、図１、図２に示された構成には、それ
ぞれ、後述する本発明の液晶素子を所望の機能素子とし
て構成する上で必要な機能層を形成する必要があり、図
１の構成であれば、固化されたスメクチック高分子液晶
層７の形成前に、また、図２の構成であれば固化された
スメクチック高分子液晶層７の形成前或いは後に適宜、
必要な機能層を形成すればよい。また、重合性棒状液晶
には、光重合開始剤、安定剤等の添加剤を適宜添加する
ことができる。
ぞれ、後述する本発明の液晶素子を所望の機能素子とし
て構成する上で必要な機能層を形成する必要があり、図
１の構成であれば、固化されたスメクチック高分子液晶
層７の形成前に、また、図２の構成であれば固化された
スメクチック高分子液晶層７の形成前或いは後に適宜、
必要な機能層を形成すればよい。また、重合性棒状液晶
には、光重合開始剤、安定剤等の添加剤を適宜添加する
ことができる。
【００３１】上記のようにして製造される、本発明の固
化されたスメクチック高分子液晶を用いてなる液晶層を
備えた、本発明の液晶素子は、基本的には、少なくとも
該液晶層を２枚の対向する電極間に挟持してなり、必要
に応じて、図１に示すように基板１、２を配置し、さら
に、目的とする機能素子を構成するために必要な機能層
を形成する。
化されたスメクチック高分子液晶を用いてなる液晶層を
備えた、本発明の液晶素子は、基本的には、少なくとも
該液晶層を２枚の対向する電極間に挟持してなり、必要
に応じて、図１に示すように基板１、２を配置し、さら
に、目的とする機能素子を構成するために必要な機能層
を形成する。
【００３２】本発明の液晶素子を用いて、種々の機能素
子が構成されるが、好ましくは、本発明の固化されたス
メクチック高分子液晶からなる液晶層をキャリア輸送層
に用いた素子が挙げられる。具体的に、電子或いは正孔
を輸送する層として用いた例としては、電子写真プロセ
スにおける光導電体、有機ＥＬ素子、ＬＥＤ等が挙げら
れる。また、イオンを輸送する層として用いた例として
は一次電池、二次電池が挙げられる。
子が構成されるが、好ましくは、本発明の固化されたス
メクチック高分子液晶からなる液晶層をキャリア輸送層
に用いた素子が挙げられる。具体的に、電子或いは正孔
を輸送する層として用いた例としては、電子写真プロセ
スにおける光導電体、有機ＥＬ素子、ＬＥＤ等が挙げら
れる。また、イオンを輸送する層として用いた例として
は一次電池、二次電池が挙げられる。
【００３３】上記電子写真プロセスに用いた場合、光に
よりキャリアを発生させる層を別途設けることが望まし
く、キャリア発生層と本発明の固化されたスメクチック
高分子液晶からなるキャリア輸送層を積層して素子とす
る場合が多い。
よりキャリアを発生させる層を別途設けることが望まし
く、キャリア発生層と本発明の固化されたスメクチック
高分子液晶からなるキャリア輸送層を積層して素子とす
る場合が多い。
【００３４】また、有機ＥＬ素子、ＬＥＤにおいても、
本発明の固化されたスメクチック高分子液晶を用いて電
子或いは正孔の輸送層を形成することができ、この場
合、本発明の固化されたスメクチック高分子液晶からな
る液晶層に発光性の材料を添加して発光層とすることも
できるが、別途、発光層或いは固化されたスメクチック
高分子液晶が輸送しないキャリア（電子または正孔）を
輸送する層を設けることが好ましく、これらの層を必要
に応じて積層し、所望の有機ＥＬ素子、ＬＥＤを作製す
る。
本発明の固化されたスメクチック高分子液晶を用いて電
子或いは正孔の輸送層を形成することができ、この場
合、本発明の固化されたスメクチック高分子液晶からな
る液晶層に発光性の材料を添加して発光層とすることも
できるが、別途、発光層或いは固化されたスメクチック
高分子液晶が輸送しないキャリア（電子または正孔）を
輸送する層を設けることが好ましく、これらの層を必要
に応じて積層し、所望の有機ＥＬ素子、ＬＥＤを作製す
る。
【００３５】上記したように、本発明の液晶素子は、本
発明の固化されたスメクチック高分子液晶からなる液晶
層に必要に応じて発光層や他のキャリア輸送層を積層し
て構成されるが、本発明の固化されたスメクチック高分
子液晶は、前記したように、強固な固体であるため、従
来知られている柔軟な液晶層を用いる場合に比べて、積
層プロセスで回避しがたい薄膜への応力に対して、より
安定で、ほとんど変形を受けない。その結果、信頼性の
高い素子が実現する。
発明の固化されたスメクチック高分子液晶からなる液晶
層に必要に応じて発光層や他のキャリア輸送層を積層し
て構成されるが、本発明の固化されたスメクチック高分
子液晶は、前記したように、強固な固体であるため、従
来知られている柔軟な液晶層を用いる場合に比べて、積
層プロセスで回避しがたい薄膜への応力に対して、より
安定で、ほとんど変形を受けない。その結果、信頼性の
高い素子が実現する。
【００３６】さらには、従来知られている高次のスメク
チック液晶を用いた素子がいずれも結晶化への相転移を
回避することができていないのに対して、本発明では液
晶層が固化されたスメクチック高分子液晶で形成されて
いるため、低温化に対して安定しており、高温化につい
ても通常使用条件での発熱を考えたときの上限温度、典
型的には６０℃や８０℃といった温度に対しても、十分
その液晶相を維持するものであり、安定なものとするこ
とができる。即ち、本発明の固化されたスメクチック高
分子液晶は、六方晶秩序という高度な液晶秩序構造を有
しつつ、固体であるという特徴を持ち、性能と信頼性の
両立した液晶素子を実現することができるのである。
チック液晶を用いた素子がいずれも結晶化への相転移を
回避することができていないのに対して、本発明では液
晶層が固化されたスメクチック高分子液晶で形成されて
いるため、低温化に対して安定しており、高温化につい
ても通常使用条件での発熱を考えたときの上限温度、典
型的には６０℃や８０℃といった温度に対しても、十分
その液晶相を維持するものであり、安定なものとするこ
とができる。即ち、本発明の固化されたスメクチック高
分子液晶は、六方晶秩序という高度な液晶秩序構造を有
しつつ、固体であるという特徴を持ち、性能と信頼性の
両立した液晶素子を実現することができるのである。
【００３７】本発明の液晶素子を応用した有機ＥＬ素
子、ＬＥＤ等発光素子においては、単純マトリクス駆
動、アクティブマトリクス駆動のいずれの駆動方式にも
対応した素子を構成することができる。以下に、その一
例として、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を用いたアクテ
ィブマトリクス駆動方式の有機ＥＬ素子の構成例を示
す。このように、ＴＦＴ等のアクティブ素子を用いて構
成することで、より高精細、高性能の発光素子とするこ
とができる。
子、ＬＥＤ等発光素子においては、単純マトリクス駆
動、アクティブマトリクス駆動のいずれの駆動方式にも
対応した素子を構成することができる。以下に、その一
例として、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を用いたアクテ
ィブマトリクス駆動方式の有機ＥＬ素子の構成例を示
す。このように、ＴＦＴ等のアクティブ素子を用いて構
成することで、より高精細、高性能の発光素子とするこ
とができる。
【００３８】アクティブマトリクス駆動方式の有機ＥＬ
素子においては、一方が少なくとも透明の一対の基板間
に、正孔輸送層、発光層、電子輸送層等必要な有機化合
物層を挟持してなる。尚、該有機化合物層には本発明の
固化されたスメクチック高分子液晶からなる液晶層も含
まれる。一方の基板の内側には共通電極が、他方の基板
の内側にはアクティブマトリクス回路が構成される。図
３は、上記アクティブマトリクス回路が構成された基板
の該回路を周辺駆動回路に接続した状態を示す平面模式
図である。図中、３０は基板、３１は行ドライバ、３２
は列ドライバ、３３は画素電極、３４はＴＦＴ、３５は
ゲートライン、３６はソースラインである。
素子においては、一方が少なくとも透明の一対の基板間
に、正孔輸送層、発光層、電子輸送層等必要な有機化合
物層を挟持してなる。尚、該有機化合物層には本発明の
固化されたスメクチック高分子液晶からなる液晶層も含
まれる。一方の基板の内側には共通電極が、他方の基板
の内側にはアクティブマトリクス回路が構成される。図
３は、上記アクティブマトリクス回路が構成された基板
の該回路を周辺駆動回路に接続した状態を示す平面模式
図である。図中、３０は基板、３１は行ドライバ、３２
は列ドライバ、３３は画素電極、３４はＴＦＴ、３５は
ゲートライン、３６はソースラインである。
【００３９】図３において、基板３０には画素電極３３
と画素電極３３に接続されたＴＦＴ３４とがマトリクス
状に形成されている。ＴＦＴ３４はアモルファスシリコ
ンベース、多結晶（ポリ）シリコンベース、或いはマイ
クロクリスタルベース、単結晶シリコンベース等の半導
体が用いられる。ＴＦＴ３４は、例えば、基板３０上に
形成されたゲート電極と該ゲート電極を覆うゲート絶縁
膜と該ゲート絶縁膜上に形成された半導体層と、該半導
体層上に形成されたソース電極及びドレイン電極とから
構成される。さらに、画素電極３３の行間にゲートライ
ン（走査ライン）３５が配線され、画素電極３３の列間
にソースライン（情報信号ライン）３６が配線されてい
る。
と画素電極３３に接続されたＴＦＴ３４とがマトリクス
状に形成されている。ＴＦＴ３４はアモルファスシリコ
ンベース、多結晶（ポリ）シリコンベース、或いはマイ
クロクリスタルベース、単結晶シリコンベース等の半導
体が用いられる。ＴＦＴ３４は、例えば、基板３０上に
形成されたゲート電極と該ゲート電極を覆うゲート絶縁
膜と該ゲート絶縁膜上に形成された半導体層と、該半導
体層上に形成されたソース電極及びドレイン電極とから
構成される。さらに、画素電極３３の行間にゲートライ
ン（走査ライン）３５が配線され、画素電極３３の列間
にソースライン（情報信号ライン）３６が配線されてい
る。
【００４０】各ＴＦＴ３４のゲート電極は対応するゲー
トライン３５に接続され、ソース電極は対応するソース
ライン３６に接続されている。ゲートライン３５は端部
３５ａを介して行ドライバ３１に接続され、ソースライ
ン３６は端部３６ａを介して列ドライバ３２に接続され
る。行ドライバ３１はゲート信号を印加してゲートライ
ン３５を走査する。列ドライバ３２は各ソースライン３
６に表示データに対応する信号を印加する。
トライン３５に接続され、ソース電極は対応するソース
ライン３６に接続されている。ゲートライン３５は端部
３５ａを介して行ドライバ３１に接続され、ソースライ
ン３６は端部３６ａを介して列ドライバ３２に接続され
る。行ドライバ３１はゲート信号を印加してゲートライ
ン３５を走査する。列ドライバ３２は各ソースライン３
６に表示データに対応する信号を印加する。
【００４１】ゲートライン３５は端部３５ａを除いてＴ
ＦＴ３４のゲート絶縁膜で覆われており、ソースライン
３６は上記ゲート絶縁膜の上に形成されている。画素電
極３３は上記ゲート絶縁膜の上に形成されており、その
一端部においてＴＦＴ３４のドレイン電極に接続されて
いる。
ＦＴ３４のゲート絶縁膜で覆われており、ソースライン
３６は上記ゲート絶縁膜の上に形成されている。画素電
極３３は上記ゲート絶縁膜の上に形成されており、その
一端部においてＴＦＴ３４のドレイン電極に接続されて
いる。
【００４２】また、基板３０に対向する基板（不図示）
には、画素電極３３と対向する共通電極（不図示）が形
成されている。共通電極は表示領域全体にわたる面積の
１枚の電極から構成され、基準電圧が印加されている。
各画素においては、画素電極３３に印加された情報信号
電圧に応じて、発光輝度が変化し、階調表示を行うこと
ができる。また、画素毎に補助容量となるコンデンサが
配置されることもある。
には、画素電極３３と対向する共通電極（不図示）が形
成されている。共通電極は表示領域全体にわたる面積の
１枚の電極から構成され、基準電圧が印加されている。
各画素においては、画素電極３３に印加された情報信号
電圧に応じて、発光輝度が変化し、階調表示を行うこと
ができる。また、画素毎に補助容量となるコンデンサが
配置されることもある。
【００４３】
下記の重合性スメクチック液晶Ａを用いた。 ＣＨ2＝Ｃ（ＣＨ3）ＣＯＯ（ＣＨ2）5ＰｈＣＯＯＰｈＰ
ｈＣＦ3 Ｐｈ：フェニレン基
ｈＣＦ3 Ｐｈ：フェニレン基
【００４４】
【化１】 Ｃｒｙ．：結晶相、Ｎ：ネマチック相、Ｉｓｏ．：等方
相
相
【００４５】〔セルの作製〕２枚のＩＴＯ膜付ガラス基
板にそれぞれ、下記の繰り返し単位を有するポリイミド
前駆体のポリアミック酸の２．１重量％溶液を、１回目
は５００ｒｐｍで５秒間、２回目は１５００ｒｐｍで３
０秒間の条件で回転塗布した。
板にそれぞれ、下記の繰り返し単位を有するポリイミド
前駆体のポリアミック酸の２．１重量％溶液を、１回目
は５００ｒｐｍで５秒間、２回目は１５００ｒｐｍで３
０秒間の条件で回転塗布した。
【００４６】
【化２】
【００４７】その後、８０℃で５分間の前乾燥を行った
後、２２０℃で１時間加熱焼成を施した。得られたポリ
イミド膜に対して、一軸配向処理としてナイロン布によ
るラビング処理を施した。
後、２２０℃で１時間加熱焼成を施した。得られたポリ
イミド膜に対して、一軸配向処理としてナイロン布によ
るラビング処理を施した。
【００４８】一方の基板の表面に平均粒径６μｍの樹脂
ビーズを０．０１重量％で分散させたイソプロパノール
（ＩＰＡ）溶液を１５００ｒｐｍ、１０秒間の条件でス
ピン塗布し、分散密度１００／ｍｍ2程度でビーズスペ
ーサを散布した。この基板に熱硬化型の液状接着剤を印
刷法により塗工し、他方の基板をラビング軸を合わせて
対向して貼り合わせ、１５０℃のオーブンで９０分間加
熱硬化し、セルを得た。電極面積は０．９ｃｍ2であっ
た。
ビーズを０．０１重量％で分散させたイソプロパノール
（ＩＰＡ）溶液を１５００ｒｐｍ、１０秒間の条件でス
ピン塗布し、分散密度１００／ｍｍ2程度でビーズスペ
ーサを散布した。この基板に熱硬化型の液状接着剤を印
刷法により塗工し、他方の基板をラビング軸を合わせて
対向して貼り合わせ、１５０℃のオーブンで９０分間加
熱硬化し、セルを得た。電極面積は０．９ｃｍ2であっ
た。
【００４９】〔固化されたスメクチック高分子液晶層の
作製〕前記重合性スメクチック液晶Ａに光重合開始剤
（チバガイギー社製「イルガキュア１８４」）を２重量
％添加した混合物Ｂを、前記セルにネマチック相で注入
した。メトラー社製ホットステージ中偏光顕微鏡で観察
したところ、Ｎ相、ＳｍＡ相、ＳｍＢ相、ＳｍＥ相のい
ずれの温度においても良好な一軸配向状態が観察され
た。
作製〕前記重合性スメクチック液晶Ａに光重合開始剤
（チバガイギー社製「イルガキュア１８４」）を２重量
％添加した混合物Ｂを、前記セルにネマチック相で注入
した。メトラー社製ホットステージ中偏光顕微鏡で観察
したところ、Ｎ相、ＳｍＡ相、ＳｍＢ相、ＳｍＥ相のい
ずれの温度においても良好な一軸配向状態が観察され
た。
【００５０】また、混合物Ｂをプレパラートに挟み込ん
で無配向状態のものを別途作製し、上記セルに注入した
ものと、プレパラートに挟み込んだものとを、ＵＶ光源
である１２ｍＷ／ｃｍ2の出力の高圧水銀ランプ下に１
３０℃（ＳｍＢ相）で１０分間露光し、液晶を重合し
た。
で無配向状態のものを別途作製し、上記セルに注入した
ものと、プレパラートに挟み込んだものとを、ＵＶ光源
である１２ｍＷ／ｃｍ2の出力の高圧水銀ランプ下に１
３０℃（ＳｍＢ相）で１０分間露光し、液晶を重合し
た。
【００５１】上記液晶の重合後のセルをメトラー社製ホ
ットステージ中偏光顕微鏡で観察したところ、重合前の
ＳｍＢ相とほとんど変わらない、良好な一軸配向状態
が、重合前の結晶相の温度である室温、室温から１６０
℃までのいずれの温度においても観察された。また、バ
ルク状態で重合したもののＤＳＣを測定したところ、１
６７℃に大きな相転移のピークがあり、また、１０５℃
にガラス転移温度が観測された。また、このバルク状態
での重合物についてＸ線回折測定を１００℃と３０℃で
行ったところ、両温度のピークは全く同じものが観測さ
れた。観測されたピークの格子間隔は、２９．４Å、１
５．５Å、１０．４Å、７．８Å、５．２Å、４．５
Å、３．５Åであった。４．５Åと３．５Åの格子間隔
は六方晶秩序に起因するピークである。よって、本例に
おいては、六方晶秩序を持つ高次スメクチック（ＳｍＢ
相）状態の固化されたスメクチック高分子液晶が得られ
たことが確認された。この測定は、１ｃｍ2程度の広い
領域について行われ、この範囲内で六方晶秩序が安定し
て作られていることが確認された。
ットステージ中偏光顕微鏡で観察したところ、重合前の
ＳｍＢ相とほとんど変わらない、良好な一軸配向状態
が、重合前の結晶相の温度である室温、室温から１６０
℃までのいずれの温度においても観察された。また、バ
ルク状態で重合したもののＤＳＣを測定したところ、１
６７℃に大きな相転移のピークがあり、また、１０５℃
にガラス転移温度が観測された。また、このバルク状態
での重合物についてＸ線回折測定を１００℃と３０℃で
行ったところ、両温度のピークは全く同じものが観測さ
れた。観測されたピークの格子間隔は、２９．４Å、１
５．５Å、１０．４Å、７．８Å、５．２Å、４．５
Å、３．５Åであった。４．５Åと３．５Åの格子間隔
は六方晶秩序に起因するピークである。よって、本例に
おいては、六方晶秩序を持つ高次スメクチック（ＳｍＢ
相）状態の固化されたスメクチック高分子液晶が得られ
たことが確認された。この測定は、１ｃｍ2程度の広い
領域について行われ、この範囲内で六方晶秩序が安定し
て作られていることが確認された。
【００５２】また、プレパラートに挟み込んで液晶を重
合させて作製したものも室温から１６０℃まで配向状態
に変化なく観察され、固化されたスメクチック高分子液
晶が得られたことが確認された。
合させて作製したものも室温から１６０℃まで配向状態
に変化なく観察され、固化されたスメクチック高分子液
晶が得られたことが確認された。
【００５３】（実施例２）実施例１で用いた混合物Ｂに
０．５重量％のキナクリドンをドープして混合物Ｃを調
整し、実施例１と同様にセルに注入した。本実施例で用
いたセルは実施例１と同様に作製したが、ポリイミド配
向膜を用いず、平均粒径１μｍのスペーサービーズを用
いたところが異なる。重合後のセルをメトラー社製ホッ
トステージ中偏光顕微鏡で観察したところ、実施例１と
同様に良好な一軸配向状態が室温から１６０℃まで観察
され、六方晶秩序を持つ高次スメクチック（ＳｍＢ相）
状態の固化されたスメクチック高分子液晶が得られたこ
とが確認された。このセルの電極間に電圧を印加したと
ころ、ＥＬ発光が確認された。
０．５重量％のキナクリドンをドープして混合物Ｃを調
整し、実施例１と同様にセルに注入した。本実施例で用
いたセルは実施例１と同様に作製したが、ポリイミド配
向膜を用いず、平均粒径１μｍのスペーサービーズを用
いたところが異なる。重合後のセルをメトラー社製ホッ
トステージ中偏光顕微鏡で観察したところ、実施例１と
同様に良好な一軸配向状態が室温から１６０℃まで観察
され、六方晶秩序を持つ高次スメクチック（ＳｍＢ相）
状態の固化されたスメクチック高分子液晶が得られたこ
とが確認された。このセルの電極間に電圧を印加したと
ころ、ＥＬ発光が確認された。
【００５４】（実施例３）液晶がＳｍＥ相を示す１１４
℃にて重合を行った以外は実施例１と同様にして、セル
を作製したところ、実施例１と同様の結果が得られ、六
方晶秩序を持つ高次スメクチック（ＳｍＥ相）状態の固
化されたスメクチック高分子液晶が得られたことが確認
された。
℃にて重合を行った以外は実施例１と同様にして、セル
を作製したところ、実施例１と同様の結果が得られ、六
方晶秩序を持つ高次スメクチック（ＳｍＥ相）状態の固
化されたスメクチック高分子液晶が得られたことが確認
された。
【００５５】（実施例４）一方の電極として、１００μ
ｍ×１００μｍのＩＴＯ膜がライン状にドットパターニ
ングされた基板を用いた以外は実施例２と同様にしてセ
ルを作製し、実施例２で用いた混合物Ｃを注入して、実
施例２と同様に重合したところ、六方晶秩序を持つ高次
スメクチック（ＳｍＢ相）状態の固化されたスメクチッ
ク高分子液晶が得られた。上記各ドットに対応する電圧
信号を入力したところ、電圧の印加されたドットにおい
て発光が確認され、パターンの表示ができた。
ｍ×１００μｍのＩＴＯ膜がライン状にドットパターニ
ングされた基板を用いた以外は実施例２と同様にしてセ
ルを作製し、実施例２で用いた混合物Ｃを注入して、実
施例２と同様に重合したところ、六方晶秩序を持つ高次
スメクチック（ＳｍＢ相）状態の固化されたスメクチッ
ク高分子液晶が得られた。上記各ドットに対応する電圧
信号を入力したところ、電圧の印加されたドットにおい
て発光が確認され、パターンの表示ができた。
【００５６】（実施例５）クロロホルムに実施例１と同
じ重合性スメクチック液晶Ａを１重量％と光重合開始剤
を０．０２重量％溶かした溶液を用意した。この溶液を
ＩＴＯ膜付き基板上に１０００ｒｐｍで２０秒間、スピ
ン塗布し、厚さ４５ｎｍの液晶膜を得た。実施例１同様
に、ＵＶ光源でＵＶ照射し、液晶を重合させた。その上
に、以下に示す正孔輸送材料であるα−ＮＰＤと発光材
料であるＡｌｑを１０-4Ｐａの真空度でそれぞれ５ｎｍ
の厚さで真空蒸着した。その後、アルミニウムを厚さ１
００ｎｍに蒸着した。陽極のＩＴＯ電極と陰極のアルミ
ニウム電極との間に２０Ｖの電圧を印加することで、Ａ
ｌｑから緑色発光が確認できた。これにより、本発明の
固化されたスメクチック高分子液晶が、正孔注入層・輸
送層として優れた性能を有することが確認された。ま
た、長時間の通電にも安定した発光が確認された。
じ重合性スメクチック液晶Ａを１重量％と光重合開始剤
を０．０２重量％溶かした溶液を用意した。この溶液を
ＩＴＯ膜付き基板上に１０００ｒｐｍで２０秒間、スピ
ン塗布し、厚さ４５ｎｍの液晶膜を得た。実施例１同様
に、ＵＶ光源でＵＶ照射し、液晶を重合させた。その上
に、以下に示す正孔輸送材料であるα−ＮＰＤと発光材
料であるＡｌｑを１０-4Ｐａの真空度でそれぞれ５ｎｍ
の厚さで真空蒸着した。その後、アルミニウムを厚さ１
００ｎｍに蒸着した。陽極のＩＴＯ電極と陰極のアルミ
ニウム電極との間に２０Ｖの電圧を印加することで、Ａ
ｌｑから緑色発光が確認できた。これにより、本発明の
固化されたスメクチック高分子液晶が、正孔注入層・輸
送層として優れた性能を有することが確認された。ま
た、長時間の通電にも安定した発光が確認された。
【００５７】
【化３】
【００５８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
使用温度範囲において安定した高次の液晶相状態を容易
に得ることができ、しかも、該液晶相が固化された高分
子液晶で提供されるため、積層プロセスにも耐え、該高
次の液晶相の高いキャリア輸送特性等、優れた特性を利
用して、発光素子や半導体素子等機能素子を構成し、該
素子における性能及び信頼性の向上を図ることができ
る。
使用温度範囲において安定した高次の液晶相状態を容易
に得ることができ、しかも、該液晶相が固化された高分
子液晶で提供されるため、積層プロセスにも耐え、該高
次の液晶相の高いキャリア輸送特性等、優れた特性を利
用して、発光素子や半導体素子等機能素子を構成し、該
素子における性能及び信頼性の向上を図ることができ
る。
【図１】本発明の液晶素子の一例の断面模式図である。
【図２】本発明の固化されたスメクチック高分子液晶の
製造方法の一例の説明図である。
製造方法の一例の説明図である。
【図３】本発明の液晶素子の一例である発光素子のアク
ティブマトリクス回路の周辺駆動回路を接続した状態を
示す平面模式図である。
ティブマトリクス回路の周辺駆動回路を接続した状態を
示す平面模式図である。
１、２ 基板 ３、４ 電極 ５、６ 配向膜 ７ 液晶層 ３０ 基板 ３１ 行ドライバ ３２ 列ドライバ ３３ 画素電極 ３４ ＴＦＴ ３５ ゲートライン ３６ ソースライン
フロントページの続き (72)発明者 坪山 明 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 Ｆターム(参考） 3K007 AB11 DB03 EB00 FA00 4H027 BA03 BA13 BD24
Claims (12)
- 【請求項１】 六方晶秩序を有するスメクチック液晶相
を呈することを特徴とするスメクチック高分子液晶。 - 【請求項２】 上記スメクチック液晶相が、スメクチッ
クＢ相、スメクチックＬ相、スメクチックＥ相、スメク
チックＩ相、スメクチックＦ相、スメクチックＪ相、ス
メクチックＧ相、スメクチックＫ相、スメクチックＨ相
のいずれかの液晶相を呈している請求項１に記載のスメ
クチック高分子液晶。 - 【請求項３】 上記スメクチック液晶相がガラス状態で
ある請求項１または２に記載のスメクチック高分子液
晶。 - 【請求項４】 請求項１〜３のいずれかに記載のスメク
チック高分子液晶の製造方法であって、重合性棒状液晶
を六方晶秩序を有する液晶相状態で重合させることを特
徴とするスメクチック高分子液晶の製造方法。 - 【請求項５】 一軸配向膜上に重合性棒状液晶からなる
薄膜を形成し、重合させる請求項４に記載のスメクチッ
ク高分子液晶の製造方法。 - 【請求項６】 重合性棒状液晶が六方晶秩序を有する液
晶相を示す温度において、該液晶を光重合させる請求項
４または５に記載のスメクチック高分子液晶の製造方
法。 - 【請求項７】 ２枚の対向する電極間に、少なくとも請
求項１〜６のいずれかに記載のスメクチック高分子液晶
からなる液晶層を挟持したことを特徴とする液晶素子。 - 【請求項８】 上記液晶層がキャリア輸送層である請求
項７に記載の液晶素子。 - 【請求項９】 上記キャリア輸送層が輸送するキャリア
が電子または正孔である請求項８に記載の液晶素子。 - 【請求項１０】 上記液晶層が発光層である請求項７〜
９のいずれかに記載の液晶素子。 - 【請求項１１】 上記液晶素子が複数の有機化合物層を
有し、そのうちの少なくとも一層が発光層である請求項
７〜９のいずれかに記載の液晶素子。 - 【請求項１２】 上記液晶素子が複数の有機化合物層を
有し、そのうちの少なくとも一層が液晶層である請求項
７〜９のいずれかに記載の液晶素子。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001175078A JP2002201473A (ja) | 2000-10-25 | 2001-06-11 | スメクチック高分子液晶及びその製造方法、これを用いた液晶素子 |
| US09/983,103 US6743377B2 (en) | 2000-10-25 | 2001-10-23 | Smectic polymer liquid crystals, process for production thereof and electronic device |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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