JP4883381B2 - 液晶性有機半導体材料およびそれを用いた有機半導体構造物 - Google Patents
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Description
透明電極としてITOを設けたガラス基板(10x10mm)を、ポリイミドのシートをスペーサとして用いてギャップ10μmで対向させ、熱硬化性樹脂によって両基板間隔を固定した図1に示すようなサンドイッチセルに液晶性電荷輸送材料(即ち、不純物濃度が低濃度に制御されていない液晶性有機半導体材料)(8−PNP−O12)を等方相(150℃)にて毛細管現象を利用して注入した。この注入時における該液晶性電荷輸送材料中の不純物成分(チオフェン)の濃度は、100ppmであった。
電気泳動電極間距離:10mm
電圧印加条件:DC1000Vを等方相(150℃)にて光励起しながら30分間印加。電圧印加を保持しつつ液晶層(SmA相、110℃)まで冷却。
ゲート電極としてTa50nmをマスクスパッタ法にて設けたガラス基板上に、ポリイミドによるゲート絶縁層(厚み1μm)、メタルマスクを介してソース・ドレイン電極としてAuを50nmの厚みでチャネル長50μm、チャネル幅2.5mmとなるようにパターン製膜した。この基板と、チャネル形成部に隣接する構成で1mm幅で設けたAu150nmからなる精製電極対付きの別の一枚の基板とをポリイミドのシートをスペーサとして用いて10μmで対向させた。これを熱硬化性樹脂によって両基板間隔を固定し図2に示すような構造物を得た。この構造物に液晶性有機半導体(即ち、不純物濃度が低濃度に制御されていない液晶性有機半導体材料)(8−TTP−8)を等方相(100℃)にて毛細管現象を利用して注入した。この注入時における該液晶性有機半導体中の不純物成分による暗電流の大きさから見積もった不純物濃度は10ppm以上であった。次いで、下記の電気泳動条件により電気泳動を行ない、不純物の除去を行なった。
電気泳動電極間距離:1mm
電圧印加条件:DC100Vを等方相(100℃)にて30分間印加。電圧印加を保持しつつ液晶相(SmG相、65℃)まで冷却。電気泳動後のソース・ドレイン間の暗伝導率から見積もった不純物濃度はおよそ1ppmであった。
2a、2b 電極
22a、32a ソース電極
22b、32b ゲート電極
22c、33c ドレイン電極
13 液晶材料
23、33 有機半導体層
14、24 スペーサ
15a、15b 電気泳動用電極
25、35 精製電極対
26、36 ゲート絶縁層
Claims (3)
- 一対の電極と、前記電極間の空隙に下記の液晶性有機半導体材料が充填されてなり、電気泳動用電極をさらに具備することを特徴とする、有機EL素子。
液晶性有機半導体材料:
等方相とスメクチック液晶相の双方を有し、かつ、電子伝導性を有する液晶材料からなる有機半導体材料であって、
前記液晶材料中のチオフェンを含む電気泳動性を有する成分からなる不純物濃度を、電気泳動法による前記不純物の掃引により1ppm以下に制御してなる、液晶性有機半導体材料。 - 一対の電極と、前記電極間の空隙に下記の液晶性有機半導体材料が充填されてなり、電気泳動用電極をさらに具備することを特徴とする、有機トランジスタ素子。
液晶性有機半導体材料:
等方相とスメクチック液晶相の双方を有し、かつ、電子伝導性を有する液晶材料からなる有機半導体材料であって、
前記液晶材料中のチオフェンを含む電気泳動性を有する成分からなる不純物濃度を、電気泳動法による前記不純物の掃引により1ppm以下に制御してなる、液晶性有機半導体材料。 - 一対の電極と、前記電極間の空隙に下記の液晶性有機半導体材料が充填されてなり、電気泳動用電極をさらに具備することを特徴とする、光伝導体。
液晶性有機半導体材料:
等方相とスメクチック液晶相の双方を有し、かつ、電子伝導性を有する液晶材料からなる有機半導体材料であって、
前記液晶材料中のチオフェンを含む電気泳動性を有する成分からなる不純物濃度を、電気泳動法による前記不純物の掃引により1ppm以下に制御してなる、液晶性有機半導体材料。
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