JP2005285445A - 液晶性有機半導体材料およびそれを用いた有機半導体構造物 - Google Patents
液晶性有機半導体材料およびそれを用いた有機半導体構造物 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005285445A JP2005285445A JP2004095390A JP2004095390A JP2005285445A JP 2005285445 A JP2005285445 A JP 2005285445A JP 2004095390 A JP2004095390 A JP 2004095390A JP 2004095390 A JP2004095390 A JP 2004095390A JP 2005285445 A JP2005285445 A JP 2005285445A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic semiconductor
- liquid crystal
- semiconductor material
- electrophoresis
- liquid crystalline
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/731—Liquid crystalline materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K19/00—Liquid crystal materials
- C09K19/04—Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit
- C09K19/06—Non-steroidal liquid crystal compounds
- C09K19/32—Non-steroidal liquid crystal compounds containing condensed ring systems, i.e. fused, bridged or spiro ring systems
- C09K19/322—Compounds containing a naphthalene ring or a completely or partially hydrogenated naphthalene ring
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K19/00—Liquid crystal materials
- C09K19/04—Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit
- C09K19/06—Non-steroidal liquid crystal compounds
- C09K19/34—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least one heterocyclic ring
- C09K19/3491—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least one heterocyclic ring having sulfur as hetero atom
- C09K19/3497—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least one heterocyclic ring having sulfur as hetero atom the heterocyclic ring containing sulfur and nitrogen atoms
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K19/00—Liquid crystal materials
- C09K19/52—Liquid crystal materials characterised by components which are not liquid crystals, e.g. additives with special physical aspect: solvents, solid particles
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/311—Purifying organic semiconductor materials
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
【解決手段】 等方相とスメクチック液晶相の双方を有し、かつ、電子伝導性を有する液晶材料からなる有機半導体材料であって、前記液晶材料中の不純物濃度を、前記液晶材料の電子伝導性が消失ないし激減し、イオン伝導が支配的となる臨界濃度よりも低濃度に制御してなる、液晶性有機半導体材料。
【選択図】 図1
Description
透明電極としてITOを設けたガラス基板(10x10mm)を、ポリイミドのシートをスペーサとして用いてギャップ10μmで対向させ、熱硬化性樹脂によって両基板間隔を固定した図1に示すようなサンドイッチセルに液晶性電荷輸送材料(8−PNP−O12)を等方相(150℃)にて毛細管現象を利用して注入した。この注入時における該液晶性電荷輸送材料中の不純物成分(チオフェン)の濃度は、100ppmであった。
電気泳動電極間距離:10mm
電圧印加条件:DC1000Vを等方相(150℃)にて光励起しながら30分間印加。電圧印加を保持しつつ液晶層(SmA相、110℃)まで冷却。
ゲート電極としてTa50nmをマスクスパッタ法にて設けたガラス基板上に、ポリイミドによるゲート絶縁層(厚み1μm)、メタルマスクを介してソース・ドレイン電極としてAuを50nmの厚みでチャネル長50μm、チャネル幅2.5mmとなるようにパターン製膜した。この基板と、チャネル形成部に隣接する構成で1mm幅で設けたAu150nmからなる精製電極対付きの別の一枚の基板とをポリイミドのシートをスペーサとして用いて10μmで対向させた。これを熱硬化性樹脂によって両基板間隔を固定し図2に示すような構造物を得た。この構造物に液晶性有機半導体(8−TTP−8)を等方相(100℃)にて毛細管現象を利用して注入した。この注入時における該液晶性有機半導体中の不純物成分による暗電流の大きさから見積もった不純物濃度は10ppm以上であった。次いで、下記の電気泳動条件により電気泳動を行ない、不純物の除去を行なった。
電気泳動電極間距離:1mm
電圧印加条件:DC100Vを等方相(100℃)にて30分間印加。電圧印加を保持しつつ液晶相(SmG相、65℃)まで冷却。電気泳動後のソース・ドレイン間の暗伝導率から見積もった不純物濃度はおよそ1ppmであった。
2a、2b 電極
22a、32a ソース電極
22b、32b ゲート電極
22c、33c ドレイン電極
13 液晶材料
23、33 有機半導体層
14、24 スペーサ
15a、15b 電気泳動用電極
25、35 精製電極対
26、36 ゲート絶縁層
Claims (11)
- 等方相とスメクチック液晶相の双方を有し、かつ、電子伝導性を有する液晶材料からなる有機半導体材料であって、
前記液晶材料中の不純物濃度を、前記液晶材料の電子伝導性が消失ないし激減し、イオン伝導が支配的となる臨界濃度よりも低濃度に制御してなることを特徴とする、液晶性有機半導体材料。 - 前記不純物濃度が、1ppm以下である、請求項1に記載の液晶性有機半導体材料。
- 前記不純物が電気泳動性を有する成分からなる、請求項1に記載の液晶性有機半導体材料。
- 前記不純物が、チオフェンである、請求項3に記載の液晶性有機半導体材料。
- 等方相とスメクチック液晶相の双方を有し、かつ、電子伝導性を有する液晶材料からなる有機半導体材料を製造するに際し、
電気泳動法によって前記液晶材料中の不純物濃度を一定範囲以下に制御することを特徴とする、液晶性有機半導体材料の製造方法。 - 液晶性有機半導体材料中の不純物濃度を一定範囲以下に制御するに際し、前記有機半導体材料の等方相の状態において電気泳動法によって該有機半導体材料中の不純物を掃引し、次いで、液晶相またはより高次の凝集状態に相転移させることによって、前記有機半導体材料中の不純物濃度を、前記有機半導体材料の電子伝導性が消失ないし激減し、イオン伝導が支配的となる臨界濃度よりも低濃度に制御することを特徴とする、請求項5に記載の方法。
- 前記有機半導体材料に対して光励起を行いながら前記電気泳動法による不純物の掃引を行う、請求項6に記載の方法。
- 一対の電極と、前記電極間の空隙に請求項1に記載の液晶性有機半導体材料が充填されてなることを特徴とする、有機半導体構造物。
- 電気泳動用電極をさらに具備する、請求項8に記載の有機半導体構造物。
- 一対の電極と、前記電極間の空隙に請求項1に記載の液晶性有機半導体材料が充填されてなることを特徴とする、情報記録媒体。
- 電気泳動用電極をさらに具備する、請求項10に記載の情報記録媒体。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004095390A JP4883381B2 (ja) | 2004-03-29 | 2004-03-29 | 液晶性有機半導体材料およびそれを用いた有機半導体構造物 |
US11/081,783 US7399426B2 (en) | 2004-03-29 | 2005-03-16 | Liquid crystalline organic semiconductor material and organic semiconductor structure using the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004095390A JP4883381B2 (ja) | 2004-03-29 | 2004-03-29 | 液晶性有機半導体材料およびそれを用いた有機半導体構造物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005285445A true JP2005285445A (ja) | 2005-10-13 |
JP4883381B2 JP4883381B2 (ja) | 2012-02-22 |
Family
ID=35059647
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004095390A Expired - Fee Related JP4883381B2 (ja) | 2004-03-29 | 2004-03-29 | 液晶性有機半導体材料およびそれを用いた有機半導体構造物 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7399426B2 (ja) |
JP (1) | JP4883381B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006332609A (ja) * | 2005-04-28 | 2006-12-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 記憶装置および半導体装置 |
WO2011034206A1 (ja) * | 2009-09-16 | 2011-03-24 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 液体有機半導体材料 |
US8264889B2 (en) | 2005-04-28 | 2012-09-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory device and semiconductor device |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101595532B (zh) * | 2005-06-28 | 2013-07-31 | E.I.内穆尔杜邦公司 | 缓冲组合物 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05323336A (ja) * | 1992-05-26 | 1993-12-07 | Hitachi Ltd | 液晶表示素子および液晶封入方法 |
JPH08201830A (ja) * | 1995-01-27 | 1996-08-09 | Citizen Watch Co Ltd | 液晶表示装置 |
JPH0954325A (ja) * | 1995-08-16 | 1997-02-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示素子及びその製造方法 |
JP2000207770A (ja) * | 1999-01-08 | 2000-07-28 | Dainippon Printing Co Ltd | 情報記録媒体 |
JP2000351973A (ja) * | 1999-06-14 | 2000-12-19 | Dainippon Printing Co Ltd | バインダー添加型電荷輸送液晶材料 |
JP2001214159A (ja) * | 1999-09-24 | 2001-08-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光性有機化合物およびそれを用いたel表示装置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB8823721D0 (en) * | 1988-10-10 | 1988-11-16 | Boden N | Electronically conducting liquid crystals |
JP2002201473A (ja) * | 2000-10-25 | 2002-07-19 | Canon Inc | スメクチック高分子液晶及びその製造方法、これを用いた液晶素子 |
JP4343516B2 (ja) * | 2002-10-31 | 2009-10-14 | 大日本印刷株式会社 | 有機半導体材料と有機半導体素子の製造方法 |
TWI297282B (en) * | 2003-05-22 | 2008-06-01 | Ind Tech Res Inst | High performance purification process and device for high specific resistance liquid crystal |
-
2004
- 2004-03-29 JP JP2004095390A patent/JP4883381B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-03-16 US US11/081,783 patent/US7399426B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05323336A (ja) * | 1992-05-26 | 1993-12-07 | Hitachi Ltd | 液晶表示素子および液晶封入方法 |
JPH08201830A (ja) * | 1995-01-27 | 1996-08-09 | Citizen Watch Co Ltd | 液晶表示装置 |
JPH0954325A (ja) * | 1995-08-16 | 1997-02-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示素子及びその製造方法 |
JP2000207770A (ja) * | 1999-01-08 | 2000-07-28 | Dainippon Printing Co Ltd | 情報記録媒体 |
JP2000351973A (ja) * | 1999-06-14 | 2000-12-19 | Dainippon Printing Co Ltd | バインダー添加型電荷輸送液晶材料 |
JP2001214159A (ja) * | 1999-09-24 | 2001-08-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光性有機化合物およびそれを用いたel表示装置 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006332609A (ja) * | 2005-04-28 | 2006-12-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 記憶装置および半導体装置 |
US8264889B2 (en) | 2005-04-28 | 2012-09-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory device and semiconductor device |
WO2011034206A1 (ja) * | 2009-09-16 | 2011-03-24 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 液体有機半導体材料 |
JP5681109B2 (ja) * | 2009-09-16 | 2015-03-04 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 液体有機半導体材料 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4883381B2 (ja) | 2012-02-22 |
US7399426B2 (en) | 2008-07-15 |
US20050224755A1 (en) | 2005-10-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Huo et al. | Tunable polarity behavior and self‐driven photoswitching in p‐WSe2/n‐WS2 heterojunctions | |
John et al. | Flexible, ferroelectric nanoparticle doped polymer dispersed liquid crystal devices for lower switching voltage and nanoenergy generation | |
CN1025247C (zh) | 在玻璃衬底上形成的薄膜图形结构及该图结构形成方法 | |
JP4514016B2 (ja) | 複合分子材料を使用したフローティングゲートメモリデバイス | |
CN101154713B (zh) | 薄膜晶体管、电光装置及电子设备 | |
US20120085998A1 (en) | Transistors and electronic devices including the same | |
KR20100010507A (ko) | 인버터 제작 방법 및 인버터 | |
US6411348B2 (en) | Active matrix substrate and producing method of the same | |
WO2009115913A2 (pt) | Processo de utilização e criação de papel à base de fibras celulósicas naturais, fibras sintéticas ou mistas como suporte físico e meio armazenador de cargas eléctricas em transístores de efeito de campo com memória auto-sustentáveis usando óxidos semi-condutores activos | |
US7399426B2 (en) | Liquid crystalline organic semiconductor material and organic semiconductor structure using the same | |
JP2007324259A (ja) | 有機薄膜太陽電池デバイスの製造方法 | |
Maeda et al. | Effect of domain boundary on carrier transport of calamitic liquid crystalline photoconductive materials | |
JP2009218244A (ja) | 有機薄膜トランジスタおよびその製造方法 | |
JP2006303423A (ja) | 電界効果トランジスタ | |
CN105308668A (zh) | 薄膜晶体管阵列及其制造方法、图像显示装置及显示方法 | |
JP4074719B2 (ja) | 情報記録媒体 | |
Sahni et al. | Device characterization of an electron-beam-switched thin-film ZnS: Mn electroluminescent faceplate | |
McNeill et al. | Discotic liquid crystals | |
Ye et al. | Fast switching between negative and positive power of liquid crystal lens | |
JP4811638B2 (ja) | 有機半導体装置のしきい値電圧制御方法 | |
Schimpf et al. | P‐135: Dickson Charge Pumps Made of Indium‐Gallium‐Zinc‐Oxide Thin‐Film Transistors on Foil‐Substrates | |
CN113871535B (zh) | 一种有机薄膜晶体管及其制备方法 | |
JP4857516B2 (ja) | 有機半導体素子の製造方法 | |
JP2000215981A (ja) | エネルギ―変換素子 | |
KR101905445B1 (ko) | 트랜지스터 손상 치료 방법 및 이를 이용한 디스플레이 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070123 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110204 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110331 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110628 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110803 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20111111 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111124 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141216 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |