JPH08201830A

JPH08201830A - 液晶表示装置

Info

Publication number: JPH08201830A
Application number: JP1165195A
Authority: JP
Inventors: Kyoko Nakai; 京子中井; Yasushi Kaneko; 金子　　靖
Original assignee: Citizen Watch Co Ltd
Current assignee: Citizen Watch Co Ltd
Priority date: 1995-01-27
Filing date: 1995-01-27
Publication date: 1996-08-09

Abstract

(57)【要約】【構成】スイッチング素子と表示電極と駆動電極を設
ける第１の基板１０と、対向電極を設ける第２の基板１
１と、第１の基板と第２の基板との駆動電極と表示電極
と対向電極との非形成面側に偏光軸がほぼ直交するよう
に設ける偏光板と、第１の基板１０と第２の基板１１と
の間に封入する液晶とを備え、非表示領域にイオントラ
ップ電極領域１８を設ける。【効果】液晶表示パネルの駆動のとき、非表示領域に
設けるイオントラップ電極領域に直流電圧を印加する
と、液晶表示パネル製造時に存在する不純物イオンのみ
でなく、駆動中に新らたに発生する不純物イオンもイオ
ントラップ電極領域に吸着できるため、表示領域内では
長時間駆動を行っても不純物イオンの偏りによる焼き付
き現象が発生せず、高品質な表示を行うことができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はアクティブマトリクス方
式やパッシブマトリクス方式の液晶表示パネルの構成に
関し、そして表示方式としてツイステッドネマチック
（ＴＮ）モードや、スーパーツイステッドネマチックモ
ードや、強誘電性液晶モードや、反強誘電性液晶モード
や、高分子分散液晶モードや、ゲストホストモードや、
相転移モードを用いる液晶表示パネルの構成に関する。

【０００２】

【従来の技術】以下の記載は、アクティブマトリクス方
式のＴＮモードの液晶表示パネルを例にして説明する。

【０００３】現在、高品位な画質が得られるアクティブ
マトリクス方式液晶表示パネルは、３端子のスイッチン
グ素子を用いる薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）方式と、２
端子のスイッチング素子を用いる薄膜ダイオード（ＴＦ
Ｄ）方式とがある。そして、ＴＦＤ方式とＴＦＴ方式の
どちらもスイッチング素子を形成するための製造工程は
非常に複雑である。

【０００４】またさらに、ＴＦＴ方式やＴＦＤ方式から
なるスイッチング素子を形成した第１の基板と第２の基
板の重ね合わせ工程も、細心の注意が必要である。

【０００５】そしてさらに、配向膜や液晶材料やその他
の液晶表示パネル構成材料についても、厳しい特性を満
足することが要求される。

【０００６】従来の技術として薄膜ダイオード（ＴＦ
Ｄ）方式のアクティブマトリクス液晶表示パネルを例と
して、その構成を図面を用いて説明する。

【０００７】図１１は従来技術におけるアクティブマト
リクス液晶表示パネルの構成を示す平面図であり、図１
２は図１１のＤ−Ｄ線における断面を示す断面図であ
る。以下、図１１と図１２とを交互に参照して説明す
る。

【０００８】図１２に示すようにスイッチング素子１３
は、第１の基板１０の上に形成する第１の電極７１であ
るタンタル（Ｔａ）膜と、第１の電極７１の表面に設け
る絶縁膜７２である酸化タンタル（Ｔａ₂ Ｏ₅ ）膜と、
そしてこの絶縁膜７２上に形成する第２の電極７３であ
る酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）膜からなる透明導電膜
とよりなる。

【０００９】図示しないがタンタル膜とその表面の酸化
タンタル膜とからなる駆動電極は第１の電極７１に連続
し、第２の電極７３は酸化インジウムスズ膜からなる表
示電極７４に連続している。

【００１０】また、第２の基板１１上には、表示電極７
４と対向するように対向電極２０を設け、さらに配線部
からの光漏れを防止するためにブラックマトリクス７５
を設ける。

【００１１】そしてＴＦＤ方式のアクティブマトリクス
液晶表示パネルは、図１２に示すように、表示電極７４
とスイッチング素子１３とを形成する第１の基板１０
と、表示電極７４に向かい合う対向電極２０を形成する
第２の基板１１とにそれぞれ形成する配向膜２４、２４
を、それぞれ配向処理を行う。

【００１２】その後、第１の基板１０と第２の基板１１
とを一定の隙間寸法を保つようにシール部１５により貼
り合わせ、その隙間に液晶封入口２３から液晶を封入
し、液晶表示パネルとするものである。

【００１３】さらに第１の基板１０と第２の基板１１と
の表示電極７４や対向電極２０の非形成面側に、その偏
光軸がほぼ直交するように偏光板２５を設ける。図１１
の実線１６の内側が、表示を行う表示領域１７である。

【００１４】液晶表示パネルの駆動に際しては、駆動電
極に走査信号を順次印加し、さらに対向電極２０にデー
タ信号を印加する。あるいは、これとは逆に、駆動電極
にデータ信号を印加し、対向電極２０に走査信号を印加
することも可能である。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】従来のアクティブマト
リクス方式の液晶表示パネルでは、液晶表示パネル内に
存在する不純物イオンの直流電圧による移動や吸着によ
る焼き付き現象と呼ばれる表示不良が起こりやすく、液
晶表示装置の表示品質を著しく低下させている。

【００１６】この焼き付き現象を、図１３のグラフを用
いて説明する。ここで液晶表示パネルは、ノーマリホワ
イトモードであり、図１３のグラフは任意の画素に加え
る電圧を５分間隔で切り換えたときの透過率の変化を示
すものである。

【００１７】最初に透過率５０％の表示の電圧を５分間
（非選択期間Ｔ１）印加し、つぎに透過率１０％の表示
の電圧を５分間（選択期間Ｔ２）印加し、つぎにふたた
び最初の非選択期間Ｔ１に印加した電圧と同じ電圧を５
分間（非選択期間Ｔ３）印加する。

【００１８】非選択期間Ｔ１と非選択期間Ｔ３とを比較
すると、印加電圧が等しいにもかかわらず透過率に差
（ΔＴ）が生じている。この例では透過率の差ΔＴは５
％であった。

【００１９】このため、実際の表示においても静止画を
数分間以上表示した場合、その画像がつぎに表示される
別の画像の上に残って残像として認識される。この残像
現象が焼き付き現象であり、その原因は駆動時に液晶層
に直流電圧成分が加わることによって、配向膜や液晶が
分極したり劣化したりして生じる不純物イオンに起因す
ると考えられる。

【００２０】この焼き付き現象を低減するために、不純
物イオンの非常に少ない液晶材料やイオンを吸着しにく
い配向膜材料を選定することが試みられている。

【００２１】さらにまた、スイッチング素子構造や駆動
方法においても、液晶表示パネルに直流成分を印加しな
いよう、さまざまな工夫がなされている。

【００２２】しかしながら、液晶表示パネル駆動中に、
直流電圧による配向膜の分極や液晶の劣化により発生し
た不純物イオンによる焼き付き現象は、完全に防ぐこと
はできない。

【００２３】本発明の目的は、この課題点を解決して、
ＴＦＤ方式やＴＦＴ方式のアクティブマトリクスやパッ
シブマトリクスの焼き付き現象がなく、しかも液晶表示
パネルの基板工程や重ね合わせ工程の負荷を増やすこと
がない、高品質な液晶表示パネルの構成を提供すること
である。

【００２４】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明の液晶表示パネルは、下記記載の構成を採用す
る。

【００２５】本発明の液晶表示装置は、行電極を形成す
る第１の基板と、列電極を形成する第２の基板と、第１
の基板と第２の基板の行電極と列電極の非形成面側に偏
光軸がほぼ直交するように形成する偏光板と、第１の基
板と第２の基板との間に封入する液晶とを備え、非表示
領域にイオントラップ電極領域を設けることを特徴とす
る。

【００２６】本発明の液晶表示装置は、スイッチング素
子と表示電極と駆動電極とを形成する第１の基板と、対
向電極を形成する第２の基板と、第１の基板と第２の基
板との駆動電極と表示電極と対向電極との非形成面側に
偏光軸がほぼ直交するように形成する偏光板と、第１の
基板と第２の基板との間に封入する液晶とを備え、非表
示領域にイオントラップ電極領域を設けることを特徴と
する。

【００２７】本発明の液晶表示装置は、行電極を形成す
る第１の基板と、列電極を形成する第２の基板と、第１
の基板と第２の基板の行電極と列電極の非形成面側に偏
光軸がほぼ直交するように形成する偏光板と、第１の基
板と第２の基板との間に封入する液晶とを備え、非表示
領域にイオン吸着力の大きい材料からなるイオントラッ
プ電極領域を設けることを特徴とする。

【００２８】本発明の液晶表示装置は、行電極を形成す
る第１の基板と、列電極を形成する第２の基板と、第１
の基板と第２の基板の行電極と列電極の非形成面側に偏
光軸がほぼ直交するように形成する偏光板と、第１の基
板と第２の基板との間に封入する液晶とを備え、液晶封
入口の反対側の非表示領域にイオントラップ電極領域を
設けることを特徴とする。

【００２９】本発明の液晶表示装置は、スイッチング素
子と表示電極と駆動電極とを形成する第１の基板と、対
向電極を形成する第２の基板と、第１の基板と第２の基
板との駆動電極と表示電極と対向電極との非形成面側に
偏光軸がほぼ直交するように形成する偏光板と、第１の
基板と第２の基板との間に封入する液晶とを備え、液晶
封入口の反対側の非表示領域にイオントラップ電極領域
を設けることを特徴とする。

【００３０】本発明の液晶表示装置は、行電極を形成す
る第１の基板と、列電極を形成する第２の基板と、第１
の基板と第２の基板の行電極と列電極の非形成面側に偏
光軸がほぼ直交するように形成する偏光板と、第１の基
板と第２の基板との間に封入する液晶とを備え、液晶封
入口の反対側の非表示領域にイオン吸着力の大きい材料
で被覆したイオントラップ電極領域を設けることを特徴
とする。

【００３１】本発明の液晶表示装置は、行電極を形成す
る第１の基板と、列電極を形成する第２の基板と、第１
の基板と第２の基板の行電極と列電極の非形成面側に偏
光軸がほぼ直交するように形成する偏光板と、第１の基
板と第２の基板との間に封入する液晶とを備え、非表示
領域に金属材料からなるイオントラップ電極領域を設け
ることを特徴とする。

【００３２】本発明の液晶表示装置は、スイッチング素
子と表示電極と駆動電極とを形成する第１の基板と、対
向電極を形成する第２の基板と、この第１の基板と第２
の基板との駆動電極と表示電極と対向電極の非形成面側
に偏光軸がほぼ直交するように形成する偏光板と、第１
の基板と第２の基板との間に封入する液晶とを備え、非
表示領域に金属材料からなるイオントラップ電極領域を
設けることを特徴とする。

【００３３】本発明の液晶表示装置は、行電極を形成す
る第１の基板と、列電極を形成する第２の基板と、第１
の基板と第２の基板の行電極と列電極の非形成面側に偏
光軸がほぼ直交するように形成する偏光板と、第１の基
板と第２の基板との間に封入する液晶とを備え、非表示
領域にイオン吸着力の大きい有機樹脂膜を被覆したイオ
ントラップ電極領域を設けることを特徴とする。

【００３４】本発明の液晶表示装置は、行電極を形成す
る第１の基板と、列電極を形成する第２の基板と、第１
の基板と第２の基板の行電極と列電極の非形成面側に偏
光軸がほぼ直交するように形成する偏光板と、第１の基
板と第２の基板との間に封入する液晶とを備え、表示領
域にイオン吸着力の小さい配向剤を設け、非表示領域に
イオン吸着力の大きい材料からなるイオントラップ電極
領域を設けることを特徴とする。

【００３５】本発明の液晶表示装置は、行電極を形成す
る第１の基板と、列電極を形成する第２の基板と、第１
の基板と第２の基板の行電極と列電極の非形成面側に偏
光軸がほぼ直交するように形成する偏光板と、第１の基
板と第２の基板との間に封入する液晶とを備え、非表示
領域に垂直配向剤を被覆したイオントラップ電極領域を
設けることを特徴とする。

【００３６】

【作用】本発明の液晶表示装置においては、第１の基板
と、第２の基板と、第１の基板と第２の基板との電極の
非形成面側に偏光軸がほぼ直交するように設ける偏光板
と、第１の基板と第２の基板との間に封入する液晶とを
備え、非表示領域にイオントラップ電極領域を設ける。

【００３７】このことにより、液晶表示パネルの駆動の
際、非表示領域に設けるイオントラップ電極領域に直流
電圧を印加すると、液晶表示パネル内に存在する不純物
イオンはイオントラップ電極領域に吸着することができ
る。

【００３８】さらにイオントラップ電極領域には、液晶
表示パネル製造時に存在する不純物イオンを吸着するだ
けでなく、駆動中などに新らたに発生する不純物イオン
も逐次吸着することができる。

【００３９】そのため表示領域内では、長時間駆動を行
っても不純物イオンの偏りによる前述の焼き付き現象は
発生せず、本発明の液晶表示装置は高品質な表示を行う
ことができる。

【００４０】

【実施例】以下に本発明の実施例における液晶表示パネ
ルの構成を図面に基づいて説明する。

【００４１】まずはじめに本発明の第１の実施例の液晶
表示装置を説明する。図１は本発明の第１の実施例にお
けるＴＦＤ方式のアクティブマトリクスの液晶表示パネ
ルを示す平面図であり、図２は図１のＡ−Ａ線における
断面を示す断面図である。以下、本発明の第１の実施例
を、図１と図２とを交互に参照して説明する。

【００４２】図２に示すように、アクティブマトリクス
液晶表示パネルは、行電極と表示電極１２とスイッチン
グ素子１３とを設ける第１の基板１０と、表示電極１２
に向き合い列電極となる対向電極１４を設ける第２の基
板１１とを有する。

【００４３】表示電極１２とスイッチング素子１３とを
形成する第１の基板１０と、対向電極１４を形成する第
２の基板１１とに、液晶を配向させるための配向処理を
施した配向膜２４、２４をそれぞれ設ける。

【００４４】さらに、シール部１５によりその間隔を一
定の寸法に保つように、第１の基板１０と第２の基板１
１とを貼り合わせ、その隙間に液晶を液晶封入口２３か
ら封入するものである。

【００４５】さらに、第１の基板１０と第２の基板１１
の表示電極１２や対向電極１４の非形成面側に、その偏
光軸がほぼ直交するように、それぞれ偏光板２５、２５
を設ける。

【００４６】図１に示す実線１６の内側の領域が実際の
表示を行う表示領域１７であり、斜線部分がイオントラ
ップ電極領域１８である。すなわち、表示領域１７の外
側領域の非表示領域に、イオントラップ電極領域１８を
設ける。

【００４７】このイオントラップ電極領域１８には、第
１の基板１０に設ける第１のイオントラップ電極１９
と、第２の基板１１に設ける第２のイオントラップ電極
２０とを有する。

【００４８】そして図２に示すように、第１のイオント
ラップ電極１９は第１の基板１０上に設ける表示電極１
２と同じ材料を用いて構成し、イオントラップ電極領域
１８に設ける。

【００４９】さらに、第２のイオントラップ電極２０は
第１のイオントラップ電極１０と向き合う位置の第２の
基板１１上に、対向電極１４と同じ材料を用いて構成
し、イオントラップ電極領域１８に設ける。

【００５０】またさらに、図１に示すように第１の基板
１０と第２の基板１１の端子部に、表示用の端子とは別
に、第１のイオントラップ電極端子２１と第２のイオン
トラップ電極端子２２を設ける。

【００５１】この第１のイオントラップ電極端子２１
は、第１のイオントラップ電極１９に接続し、第２のイ
オントラップ電極端子２２は、第２のイオントラップ電
極２０に接続する。

【００５２】完成した液晶表示パネルの第１のイオント
ラップ電極端子２１と第２のイオントラップ電極端子２
２間に電圧を印加する。すると、液晶表示パネルの表示
領域１７内に存在する不純物イオンは移動し、イオント
ラップ電極領域１８上の配向膜２４に吸着させることが
できる。

【００５３】そのことにより、液晶表示パネルの表示中
の直流電圧による表示領域１７内での、不純物イオンの
移動および吸着によりおこる、焼き付き現象の発生を防
止することができる。

【００５４】さらに、駆動中にも第１のイオントラップ
電極端子２１と第２のイオントラップ電極端子２２との
間に電圧を印加することにより、駆動中に新たに発生す
る不純物イオンを、その発生の都度吸着することができ
る。

【００５５】そのため、本発明の液晶表示装置において
は長時間駆動しても、焼き付き現象のない高品質な表示
をおこなうことができる。

【００５６】さらに、イオントラップ電極領域１８を図
１に示すように、液晶封入口２３の反対側に形成する
と、液晶注入時に液晶封入口２３から拡散し偏った不純
物イオンを効率よく、イオントラップ電極領域１８でト
ラップすることができる。

【００５７】またさらに、液晶封入口２３の位置を図３
に示すように、液晶表示パネルの角部に設けるには、斜
線に示すように対角線上にＬ字型のイオントラップ電極
領域３０を形成すると効果的である。

【００５８】イオントラップ電極領域１８、３０として
図１と図３に示すような構造をとった場合には、イオン
トラップ電極領域をすべての表示領域１７の外側の非表
示領域に形成することができる。したっがて、実際のア
クティブマトリクス液晶表示パネルの表示をさまたげる
ことはない。

【００５９】本発明の第１の実施例では、対角５インチ
のＴＦＤ方式アクティブマトリクス液晶表示パネルの表
示領域の外側に、幅寸法が３２５０μｍのイオントラッ
プ電極領域１８を形成した。

【００６０】液晶封入後に、イオントラップ電極領域１
８に５Ｖの直流電圧を印加しながらアクティブマトリク
ス液晶表示パネルを２４時間駆動した。比較のために、
まったく同じアクティブマトリクス液晶表示パネルを、
イオントラップ電極１８に電圧印加しないで２４時間駆
動した。

【００６１】図４のグラフを用いて、上記のイオントラ
ップ電極１８に電圧印加したアクティブマトリクス液晶
表示パネルの焼き付き現象を説明する。

【００６２】図４のグラフは、従来例の焼き付き現象を
示す図１３のグラフと同様に、画素に印加する電圧を５
分間隔で切り換えたときの透過率の変化を示している。
液晶表示パネルはノーマリホワイトモードである。

【００６３】最初に透過率５０％の表示の電圧を５分間
（非選択期間Ｔ１）印加し、つぎに透過率１０％の表示
の電圧を５分間（選択期間Ｔ２）印加し、つぎにふたた
び最初の非選択期間Ｔ１に印加した電圧と同じ電圧を５
分間（非選択期間Ｔ３）印加する。

【００６４】本発明のイオントラップ電極に電圧印加し
ながら駆動を行ったアクティブマトリクス液晶表示パネ
ルでは、非選択期間Ｔ１と非選択期間Ｔ３とにおける透
過率の差（ΔＴ）は約１％であり、さらにこの透過率の
差（ΔＴ）は時間とともに急激に低下している。

【００６５】すなわち本発明の第１の実施例の液晶表示
装置は、一定時間固定画像を表示しても、焼き付き現象
による残像はほとんどなく、良好な表示品質を得ること
ができる。

【００６６】つぎにイオントラップ電極１８に電圧印加
しなかったアクティブマトリクス液晶表示パネルの焼き
付き現象を、図５のグラフを用いて説明する。

【００６７】図５のグラフは、図４のグラフと同様に画
素に印加する電圧を５分間隔で切り換えた場合の透過率
の変化を示している。液晶表示パネルはノーマリホワイ
トモードである。

【００６８】図５のグラフより明らかなように、イオン
トラップ電極に電圧印加しなかった場合の非選択期間Ｔ
１と非選択期間Ｔ３とにおける透過率の差（ΔＴ）は約
８％と大きくなっている。

【００６９】すなわち、一定時間固定画像を表示した場
合、画像を切り換えても焼き付き現象による残像が認識
され、良好な表示品質を得ることはできない。

【００７０】以上説明したように、イオントラップ電極
に電圧を印加しながら駆動を行うことにより、液晶表示
パネル内に存在する不純物イオンを吸着することがで
き、さらに駆動中に発生する不純物イオンを表示領域１
７の外側に設けるイオントラップ電極に吸着することが
できる。このため、焼き付き現象のない、高品質な表示
を行うことが可能な液晶表示装置を提供することができ
る。

【００７１】つぎに本発明の第２の実施例における液晶
表示装置を説明する。図６は本発明の第２の実施例にお
けるＴＦＤ方式のアクティブマトリクスの液晶表示パネ
ルを示す平面図であり、図７は図６のＢ−Ｂ線における
断面を示す断面図である。以下、本発明の第２の実施例
を、図６と図７とを交互に参照して説明する。

【００７２】図６に示す実線１６の内側の領域が実際の
表示を行う表示領域１７であり、斜線部分がイオントラ
ップ電極領域１８である。すなわち、表示領域１７の外
側領域の非表示領域に、イオントラップ電極領域１８を
設ける。

【００７３】このイオントラップ電極領域１８には、第
１の基板１０に設ける第１のイオントラップ電極１９
と、第２の基板１１に設ける第２のイオントラップ電極
２０とを有する。

【００７４】そして図７に示すように、第１のイオント
ラップ電極１９は、第１の基板１０の表示電極１２と同
じ材料を用いて、イオントラップ電極領域１８に設け
る。

【００７５】さらに第２のイオントラップ電極２０は、
第１のイオントラップ電極１９と向き合う位置の第２の
基板１１の対向電極１４と同じ材料を用いてイオントラ
ップ電極領域１８に設ける。

【００７６】さらに、図６に示すように第１の基板１０
と第２の基板１１の端子部に、表示用の端子とは別に、
第１のイオントラップ電極端子２１と第２のイオントラ
ップ電極端子２２を設ける。

【００７７】この第１のイオントラップ電極端子２１
は、第１のイオントラップ電極１９に接続し、第２のイ
オントラップ電極端子２２は、第２のイオントラップ電
極２０に接続する。

【００７８】本発明の第２の実施例の液晶表示装置にお
いては、第１の基板１０と第２の基板１１とに設けるイ
オントラップ電極領域１８には、表示領域に形成する配
向膜７０とは異なるイオン吸着性の高い配向膜７１を設
ける。

【００７９】このイオン吸着性の高い配向膜７１をイオ
ントラップ電極領域１８に設けることにより、不純物イ
オンは表示領域１７でトラップされにくくなり、第１の
イオントラップ電極１９と第２のイオントラップ電極２
０とに直流電圧を印加したときに、イオントラップ電極
領域１８のイオン吸着力が増大する。

【００８０】このため、より焼き付き現象の少ない高品
質な表示をおこなうことが可能な液晶表示装置を提供す
ることができる。

【００８１】本発明の第２の実施例では、配向膜２４と
して日立化成製ＬＱ−Ｔ１２０を膜厚が０．５μｍにな
るように表示領域７１に設け、配向膜７１として日産化
学製ＳＥ３１４０を膜厚が０．５μｍになるようにイオ
ントラップ電極領域１８に設ける。そして配向膜２４と
配向膜７１とは、温度２００℃で１時間焼成を行って形
成する。

【００８２】図８のグラフは本発明の第２の実施例の液
晶表示パネルを、イオントラップ電極１８に電圧を印加
しながら２４時間駆動後、画素に印加する電圧を５分間
隔で切り換えた場合の透過率の変化を示している。液晶
表示パネルはノーマリホワイトモードである。

【００８３】最初に透過率５０％の表示の電圧を５分間
（非選択期間Ｔ１）印加し、つぎに透過率１０％の表示
の電圧を５分間（選択期間Ｔ２）印加し、つぎにふたた
び最初の非選択期間Ｔ１に印加した電圧と同じ電圧を５
分間（非選択期間Ｔ３）印加する。

【００８４】図８のグラフより明らかなように、非選択
期間Ｔ１と非選択期間Ｔ３とにおける透過率の差（Δ
Ｔ）は０．５％以下であり、さらにこの透過率の差（Δ
Ｔ）は時間とともに急激に低下している。

【００８５】すなわち、本発明の第２の実施例の液晶表
示装置は一定時間固定画像を表示しても、焼き付き現象
による残像はほとんどなく、良好な表示品質を有する液
晶表示装置を得ることができる。

【００８６】なお、本発明の第２の実施例ではイオント
ラップ電極領域１８を金属材料で形成し、有機材料から
なる配向膜７１をイオン吸着層として用いたが、イオン
吸着層としては配向膜でない有機材料や無機材料を用い
てもよい。

【００８７】つぎに本発明の第３の実施例における液晶
表示装置を説明する。図９は本発明の第３の実施例にお
けるＴＦＤ方式のアクティブマトリクス液晶表示パネル
を示す平面図であり、図１０は図９のＣ−Ｃ線における
断面を示す断面図である。以下、本発明の第３の実施例
を、図９と図１０とを交互に参照して説明する。

【００８８】図１２に示す実線１６の内側の領域が実際
の表示を行う表示領域１７であり、斜線部分がイオント
ラップ電極領域１８である。すなわち、表示領域１７の
外側領域の非表示領域に、イオントラップ電極領域１８
を設ける。

【００８９】このイオントラップ電極領域１８には、第
１の基板１０に設ける第１のイオントラップ電極１９
と、第２の基板１１に設ける第２のイオントラップ電極
２０とを有する。

【００９０】そして図１０に示すように第１のイオント
ラップ電極１９は、第１の基板１０の表示電極１２と同
じ材料を用いて、イオントラップ電極領域１８に設け
る。

【００９１】さらに第２のイオントラップ電極２０は、
第１のイオントラップ電極１９と向き合う位置の第２の
基板１１の対向電極１４と同じ材料を用いて、イオント
ラップ電極領域１８に設ける。

【００９２】さらに、図９に示すように第１の基板１０
と第２の基板１１の端子部に、表示用の端子とは別に、
第１のイオントラップ電極端子２１と第２のイオントラ
ップ電極端子２２を設ける。

【００９３】この第１のイオントラップ電極端子２１
は、第１のイオントラップ電極１９に接続し、第２のイ
オントラップ電極端子２２は、第２のイオントラップ電
極２０に接続する。

【００９４】なおこのとき、第１の基板１０と第２の基
板１１とに設けるイオントラップ電極領域１８には、表
示領域１７に形成する配向膜８０とは異なる垂直配向剤
８１を設ける。

【００９５】このことにより、表示領域１７でトラップ
されなかった不純物イオンは、イオントラップ電極領域
１８の垂直配向膜８１の垂直配向した液晶分子に沿って
移動し、効率よくイオントラップ電極に吸着される。

【００９６】このため、本発明の第３の実施例において
は、第１と第２の実施例で説明した効果と同様に、焼き
付き現象の少ない高品質な表示をおこなうことが可能な
液晶表示装置を提供することができる。

【００９７】なお、以上の第１と第２と第３の実施例の
説明においては、ＴＦＤ方式アクティブマトリクス液晶
表示パネルを例にして説明したが、本発明は薄膜トラン
ジスタ（ＴＦＴ）方式アクティブマトリクス液晶表示パ
ネルや、スーパーツイステッドネマチックなどのパッシ
ブマトリクス液晶表示パネルにも適用することが可能で
ある。

【００９８】パッシブマトリクス液晶表示装置において
は、第１の基板１０に行電極を形成し、第２の基板１１
に列電極を形成する。そしてこの行電極と列電極とが交
差する領域が表示領域となる。

【００９９】さらに、ネマティック液晶を用いた液晶表
示パネルのみでなく、強誘電性液晶モードや、反強誘電
性液晶モードや、高分子分散液晶モードや、ゲストホス
ト液晶モードや、相転移モードの液晶表示パネルにも適
用することが可能である。

【０１００】

【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明の
液晶表示装置は、スイッチング素子と表示電極と駆動電
極とを設ける第１の基板と、対向電極を設ける第２の電
極と、第１の基板と第２の基板との間に封入する液晶と
を備え、非表示領域にイオントラップ電極領域を設けて
いる。

【０１０１】液晶表示パネルの駆動の際、非表示領域に
設けたイオントラップ電極領域に直流電圧を印加する
と、パネル内に存在する不純物イオンはイオントラップ
電極領域に吸着される。

【０１０２】また、液晶表示パネル製造時に存在する不
純物イオンのみでなく、駆動中に新らたに発生する不純
物イオンも逐次吸着することができる。

【０１０３】そのため表示領域内では、長時間駆動を行
っても不純物イオンの偏りによる前述の焼き付き現象が
発生せず、高品質な表示を行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例における液晶表示装置を
示す平面図である。

【図２】本発明の第１の実施例における液晶表示装置の
イオントラップ電極領域を説明するために用いる断面図
である。

【図３】本発明の第１の実施例における液晶表示装置を
示す平面図である。

【図４】本発明の第１の実施例における液晶表示装置の
イオントラップ電極に電圧印加したときの焼き付き現象
の測定結果を表すグラフである。

【図５】本発明の第１の実施例における液晶表示装置の
イオントラップ電極に電圧印加しないときの焼き付き現
象の測定結果を表すグラフである。

【図６】本発明の第２の実施例における液晶表示装置を
示す平面図である。

【図７】本発明の第２の実施例における液晶表示装置の
イオントラップ電極領域を説明するために用いる断面図
である。

【図８】本発明の第２の実施例における液晶表示装置の
イオントラップ電極に電圧印加したときの焼き付き現象
の測定結果を表すグラフである。

【図９】本発明の第３の実施例における液晶表示装置を
示す平面図である。

【図１０】本発明の第３の実施例における液晶表示装置
のイオントラップ電極領域を説明するために用いる断面
図である。

【図１１】従来の技術を説明するために用いる液晶表示
装置を示す平面図である。

【図１２】従来の技術を説明するために用いる液晶表示
装置を示す断面図である。

【図１３】従来の技術を説明するために用いる液晶表示
装置の焼き付き現象の測定結果を表すグラフである。

【符号の説明】

１０第１の基板１１第２の基板１５シール部１７表示領域１８イオントラップ電極領域１９第１のイオントラップ電極２０第２のイオントラップ電極２３液晶封入口

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】行電極を形成する第１の基板と、列電極
を形成する第２の基板と、第１の基板と第２の基板の行
電極と列電極の非形成面側に偏光軸がほぼ直交するよう
に形成する偏光板と、第１の基板と第２の基板との間に
封入する液晶とを備え、非表示領域にイオントラップ電
極領域を設けることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】スイッチング素子と表示電極と駆動電極
とを形成する第１の基板と、対向電極を形成する第２の
基板と、第１の基板と第２の基板との駆動電極と表示電
極と対向電極との非形成面側に偏光軸がほぼ直交するよ
うに形成する偏光板と、第１の基板と第２の基板との間
に封入する液晶とを備え、非表示領域にイオントラップ
電極領域を設けることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】行電極を形成する第１の基板と、列電極
を形成する第２の基板と、第１の基板と第２の基板の行
電極と列電極の非形成面側に偏光軸がほぼ直交するよう
に形成する偏光板と、第１の基板と第２の基板との間に
封入する液晶とを備え、非表示領域にイオン吸着力の大
きい材料からなるイオントラップ電極領域を設けること
を特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】行電極を形成する第１の基板と、列電極
を形成する第２の基板と、第１の基板と第２の基板の行
電極と列電極の非形成面側に偏光軸がほぼ直交するよう
に形成する偏光板と、第１の基板と第２の基板との間に
封入する液晶とを備え、液晶封入口の反対側の非表示領
域にイオントラップ電極領域を設けることを特徴とする
液晶表示装置。
【請求項５】スイッチング素子と表示電極と駆動電極
とを形成する第１の基板と、対向電極を形成する第２の
基板と、第１の基板と第２の基板との駆動電極と表示電
極と対向電極との非形成面側に偏光軸がほぼ直交するよ
うに形成する偏光板と、第１の基板と第２の基板との間
に封入する液晶とを備え、液晶封入口の反対側の非表示
領域にイオントラップ電極領域を設けることを特徴とす
る液晶表示装置。
【請求項６】行電極を形成する第１の基板と、列電極
を形成する第２の基板と、第１の基板と第２の基板の行
電極と列電極の非形成面側に偏光軸がほぼ直交するよう
に形成する偏光板と、第１の基板と第２の基板との間に
封入する液晶とを備え、液晶封入口の反対側の非表示領
域にイオン吸着力の大きい材料で被覆したイオントラッ
プ電極領域を設けることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項７】行電極を形成する第１の基板と、列電極
を形成する第２の基板と、第１の基板と第２の基板の行
電極と列電極の非形成面側に偏光軸がほぼ直交するよう
に形成する偏光板と、第１の基板と第２の基板との間に
封入する液晶とを備え、非表示領域に金属材料からなる
イオントラップ電極領域を設けることを特徴とする液晶
表示装置。
【請求項８】スイッチング素子と表示電極と駆動電極
とを形成する第１の基板と、対向電極を形成する第２の
基板と、第１の基板と第２の基板との駆動電極と表示電
極と対向電極との非形成面側に偏光軸がほぼ直交するよ
うに形成する偏光板と、第１の基板と第２の基板との間
に封入する液晶とを備え、非表示領域に金属材料からな
るイオントラップ電極領域を設けることを特徴とする液
晶表示装置。
【請求項９】行電極を形成する第１の基板と、列電極
を形成する第２の基板と、第１の基板と第２の基板の行
電極と列電極の非形成面側に偏光軸がほぼ直交するよう
に形成する偏光板と、第１の基板と第２の基板との間に
封入する液晶とを備え、非表示領域にイオン吸着力の大
きい有機樹脂膜を被覆したイオントラップ電極領域を設
けることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１０】行電極を形成する第１の基板と、列電
極を形成する第２の基板と、第１の基板と第２の基板の
行電極と列電極の非形成面側に偏光軸がほぼ直交するよ
うに形成する偏光板と、第１の基板と第２の基板との間
に封入する液晶とを備え、表示領域にイオン吸着力の小
さい配向剤を設け、非表示領域にイオン吸着力の大きい
材料からなるイオントラップ電極領域を設けることを特
徴とする液晶表示装置。
【請求項１１】行電極を形成する第１の基板と、列電
極を形成する第２の基板と、第１の基板と第２の基板の
行電極と列電極の非形成面側に偏光軸がほぼ直交するよ
うに形成する偏光板と、第１の基板と第２の基板との間
に封入する液晶とを備え、非表示領域に垂直配向剤を被
覆したイオントラップ電極領域を設けることを特徴とす
る液晶表示装置。
【請求項１２】行電極を形成する第１の基板と、列電
極を形成する第２の基板と、第１の基板と第２の基板の
行電極と列電極の非形成面側に偏光軸がほぼ直交するよ
うに形成する偏光板と、第１の基板と第２の基板との間
に封入する液晶とを備え、非表示領域に第１のイオント
ラップ電極と第２のイオントラップ電極とからなるイオ
ントラップ電極領域を設けることを特徴とする液晶表示
装置。
【請求項１３】スイッチング素子と表示電極と駆動電
極とを形成する第１の基板と、対向電極を形成する第２
の基板と、第１の基板と第２の基板との駆動電極と表示
電極と対向電極との非形成面側に偏光軸がほぼ直交する
ように形成する偏光板と、第１の基板と第２の基板との
間に封入する液晶とを備え、非表示領域に第１のイオン
トラップ電極と第２のイオントラップ電極とからなるイ
オントラップ電極領域を設けることを特徴とする液晶表
示装置。
【請求項１４】行電極を形成する第１の基板と、列電
極を形成する第２の基板と、第１の基板と第２の基板の
行電極と列電極の非形成面側に偏光軸がほぼ直交するよ
うに形成する偏光板と、第１の基板と第２の基板との間
に封入する液晶とを備え、非表示領域に第１のイオント
ラップ電極と第２のイオントラップ電極とからなりイオ
ン吸着力の大きい材料からなるイオントラップ電極領域
を設けることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１５】行電極を形成する第１の基板と、列電
極を形成する第２の基板と、第１の基板と第２の基板の
行電極と列電極の非形成面側に偏光軸がほぼ直交するよ
うに形成する偏光板と、第１の基板と第２の基板との間
に封入する液晶とを備え、液晶封入口の反対側の非表示
領域に第１のイオントラップ電極と第２のイオントラッ
プ電極とからなるイオントラップ電極領域を設けること
を特徴とする液晶表示装置。
【請求項１６】スイッチング素子と表示電極と駆動電
極とを形成する第１の基板と、対向電極を形成する第２
の基板と、第１の基板と第２の基板との駆動電極と表示
電極と対向電極との非形成面側に偏光軸がほぼ直交する
ように形成する偏光板と、第１の基板と第２の基板との
間に封入する液晶とを備え、液晶封入口の反対側の非表
示領域に第１のイオントラップ電極と第２のイオントラ
ップ電極とからなるイオントラップ電極領域を設けるこ
とを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１７】行電極を形成する第１の基板と、列電
極を形成する第２の基板と、第１の基板と第２の基板の
行電極と列電極の非形成面側に偏光軸がほぼ直交するよ
うに形成する偏光板と、第１の基板と第２の基板との間
に封入する液晶とを備え、液晶封入口の反対側の非表示
領域に第１のイオントラップ電極と第２のイオントラッ
プ電極とからなりイオン吸着力の大きい材料で被覆した
イオントラップ電極領域を設けることを特徴とする液晶
表示装置。
【請求項１８】行電極を形成する第１の基板と、列電
極を形成する第２の基板と、第１の基板と第２の基板の
行電極と列電極の非形成面側に偏光軸がほぼ直交するよ
うに形成する偏光板と、第１の基板と第２の基板との間
に封入する液晶とを備え、非表示領域に第１のイオント
ラップ電極と第２のイオントラップ電極とからなり金属
材料からなるイオントラップ電極領域を設けることを特
徴とする液晶表示装置。
【請求項１９】スイッチング素子と表示電極と駆動電
極とを形成する第１の基板と、対向電極を形成する第２
の基板と、第１の基板と第２の基板との駆動電極と表示
電極と対向電極との非形成面側に偏光軸がほぼ直交する
ように形成する偏光板と、第１の基板と第２の基板との
間に封入する液晶とを備え、非表示領域に第１のイオン
トラップ電極と第２のイオントラップ電極とからなり金
属材料からなるイオントラップ電極領域を設けることを
特徴とする液晶表示装置。
【請求項２０】行電極を形成する第１の基板と、列電
極を形成する第２の基板と、第１の基板と第２の基板の
行電極と列電極の非形成面側に偏光軸がほぼ直交するよ
うに形成する偏光板と、第１の基板と第２の基板との間
に封入する液晶とを備え、非表示領域に第１のイオント
ラップ電極と第２のイオントラップ電極とからなりイオ
ン吸着力の大きい有機樹脂膜を被覆したイオントラップ
電極領域を設けることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２１】行電極を形成する第１の基板と、列電
極を形成する第２の基板と、第１の基板と第２の基板の
行電極と列電極の非形成面側に偏光軸がほぼ直交するよ
うに形成する偏光板と、第１の基板と第２の基板との間
に封入する液晶とを備え、表示領域にイオン吸着力の小
さい配向剤を設け、非表示領域に第１のイオントラップ
電極と第２のイオントラップ電極とからなりイオン吸着
力の大きい材料からなるイオントラップ電極領域を設け
ることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２２】行電極を形成する第１の基板と、列電
極を形成する第２の基板と、第１の基板と第２の基板の
行電極と列電極の非形成面側に偏光軸がほぼ直交するよ
うに形成する偏光板と、第１の基板と第２の基板との間
に封入する液晶とを備え、非表示領域に第１のイオント
ラップ電極と第２のイオントラップ電極とからなり垂直
配向剤を被覆したイオントラップ電極領域を設けること
を特徴とする液晶表示装置。