JPH08201830A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JPH08201830A JPH08201830A JP1165195A JP1165195A JPH08201830A JP H08201830 A JPH08201830 A JP H08201830A JP 1165195 A JP1165195 A JP 1165195A JP 1165195 A JP1165195 A JP 1165195A JP H08201830 A JPH08201830 A JP H08201830A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 スイッチング素子と表示電極と駆動電極を設
ける第1の基板10と、対向電極を設ける第2の基板1
1と、第1の基板と第2の基板との駆動電極と表示電極
と対向電極との非形成面側に偏光軸がほぼ直交するよう
に設ける偏光板と、第1の基板10と第2の基板11と
の間に封入する液晶とを備え、非表示領域にイオントラ
ップ電極領域18を設ける。 【効果】 液晶表示パネルの駆動のとき、非表示領域に
設けるイオントラップ電極領域に直流電圧を印加する
と、液晶表示パネル製造時に存在する不純物イオンのみ
でなく、駆動中に新らたに発生する不純物イオンもイオ
ントラップ電極領域に吸着できるため、表示領域内では
長時間駆動を行っても不純物イオンの偏りによる焼き付
き現象が発生せず、高品質な表示を行うことができる。
ける第1の基板10と、対向電極を設ける第2の基板1
1と、第1の基板と第2の基板との駆動電極と表示電極
と対向電極との非形成面側に偏光軸がほぼ直交するよう
に設ける偏光板と、第1の基板10と第2の基板11と
の間に封入する液晶とを備え、非表示領域にイオントラ
ップ電極領域18を設ける。 【効果】 液晶表示パネルの駆動のとき、非表示領域に
設けるイオントラップ電極領域に直流電圧を印加する
と、液晶表示パネル製造時に存在する不純物イオンのみ
でなく、駆動中に新らたに発生する不純物イオンもイオ
ントラップ電極領域に吸着できるため、表示領域内では
長時間駆動を行っても不純物イオンの偏りによる焼き付
き現象が発生せず、高品質な表示を行うことができる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はアクティブマトリクス方
式やパッシブマトリクス方式の液晶表示パネルの構成に
関し、そして表示方式としてツイステッドネマチック
(TN)モードや、スーパーツイステッドネマチックモ
ードや、強誘電性液晶モードや、反強誘電性液晶モード
や、高分子分散液晶モードや、ゲストホストモードや、
相転移モードを用いる液晶表示パネルの構成に関する。
式やパッシブマトリクス方式の液晶表示パネルの構成に
関し、そして表示方式としてツイステッドネマチック
(TN)モードや、スーパーツイステッドネマチックモ
ードや、強誘電性液晶モードや、反強誘電性液晶モード
や、高分子分散液晶モードや、ゲストホストモードや、
相転移モードを用いる液晶表示パネルの構成に関する。
【0002】
【従来の技術】以下の記載は、アクティブマトリクス方
式のTNモードの液晶表示パネルを例にして説明する。
式のTNモードの液晶表示パネルを例にして説明する。
【0003】現在、高品位な画質が得られるアクティブ
マトリクス方式液晶表示パネルは、3端子のスイッチン
グ素子を用いる薄膜トランジスタ(TFT)方式と、2
端子のスイッチング素子を用いる薄膜ダイオード(TF
D)方式とがある。そして、TFD方式とTFT方式の
どちらもスイッチング素子を形成するための製造工程は
非常に複雑である。
マトリクス方式液晶表示パネルは、3端子のスイッチン
グ素子を用いる薄膜トランジスタ(TFT)方式と、2
端子のスイッチング素子を用いる薄膜ダイオード(TF
D)方式とがある。そして、TFD方式とTFT方式の
どちらもスイッチング素子を形成するための製造工程は
非常に複雑である。
【0004】またさらに、TFT方式やTFD方式から
なるスイッチング素子を形成した第1の基板と第2の基
板の重ね合わせ工程も、細心の注意が必要である。
なるスイッチング素子を形成した第1の基板と第2の基
板の重ね合わせ工程も、細心の注意が必要である。
【0005】そしてさらに、配向膜や液晶材料やその他
の液晶表示パネル構成材料についても、厳しい特性を満
足することが要求される。
の液晶表示パネル構成材料についても、厳しい特性を満
足することが要求される。
【0006】従来の技術として薄膜ダイオード(TF
D)方式のアクティブマトリクス液晶表示パネルを例と
して、その構成を図面を用いて説明する。
D)方式のアクティブマトリクス液晶表示パネルを例と
して、その構成を図面を用いて説明する。
【0007】図11は従来技術におけるアクティブマト
リクス液晶表示パネルの構成を示す平面図であり、図1
2は図11のD−D線における断面を示す断面図であ
る。以下、図11と図12とを交互に参照して説明す
る。
リクス液晶表示パネルの構成を示す平面図であり、図1
2は図11のD−D線における断面を示す断面図であ
る。以下、図11と図12とを交互に参照して説明す
る。
【0008】図12に示すようにスイッチング素子13
は、第1の基板10の上に形成する第1の電極71であ
るタンタル(Ta)膜と、第1の電極71の表面に設け
る絶縁膜72である酸化タンタル(Ta2 O5 )膜と、
そしてこの絶縁膜72上に形成する第2の電極73であ
る酸化インジウムスズ(ITO)膜からなる透明導電膜
とよりなる。
は、第1の基板10の上に形成する第1の電極71であ
るタンタル(Ta)膜と、第1の電極71の表面に設け
る絶縁膜72である酸化タンタル(Ta2 O5 )膜と、
そしてこの絶縁膜72上に形成する第2の電極73であ
る酸化インジウムスズ(ITO)膜からなる透明導電膜
とよりなる。
【0009】図示しないがタンタル膜とその表面の酸化
タンタル膜とからなる駆動電極は第1の電極71に連続
し、第2の電極73は酸化インジウムスズ膜からなる表
示電極74に連続している。
タンタル膜とからなる駆動電極は第1の電極71に連続
し、第2の電極73は酸化インジウムスズ膜からなる表
示電極74に連続している。
【0010】また、第2の基板11上には、表示電極7
4と対向するように対向電極20を設け、さらに配線部
からの光漏れを防止するためにブラックマトリクス75
を設ける。
4と対向するように対向電極20を設け、さらに配線部
からの光漏れを防止するためにブラックマトリクス75
を設ける。
【0011】そしてTFD方式のアクティブマトリクス
液晶表示パネルは、図12に示すように、表示電極74
とスイッチング素子13とを形成する第1の基板10
と、表示電極74に向かい合う対向電極20を形成する
第2の基板11とにそれぞれ形成する配向膜24、24
を、それぞれ配向処理を行う。
液晶表示パネルは、図12に示すように、表示電極74
とスイッチング素子13とを形成する第1の基板10
と、表示電極74に向かい合う対向電極20を形成する
第2の基板11とにそれぞれ形成する配向膜24、24
を、それぞれ配向処理を行う。
【0012】その後、第1の基板10と第2の基板11
とを一定の隙間寸法を保つようにシール部15により貼
り合わせ、その隙間に液晶封入口23から液晶を封入
し、液晶表示パネルとするものである。
とを一定の隙間寸法を保つようにシール部15により貼
り合わせ、その隙間に液晶封入口23から液晶を封入
し、液晶表示パネルとするものである。
【0013】さらに第1の基板10と第2の基板11と
の表示電極74や対向電極20の非形成面側に、その偏
光軸がほぼ直交するように偏光板25を設ける。図11
の実線16の内側が、表示を行う表示領域17である。
の表示電極74や対向電極20の非形成面側に、その偏
光軸がほぼ直交するように偏光板25を設ける。図11
の実線16の内側が、表示を行う表示領域17である。
【0014】液晶表示パネルの駆動に際しては、駆動電
極に走査信号を順次印加し、さらに対向電極20にデー
タ信号を印加する。あるいは、これとは逆に、駆動電極
にデータ信号を印加し、対向電極20に走査信号を印加
することも可能である。
極に走査信号を順次印加し、さらに対向電極20にデー
タ信号を印加する。あるいは、これとは逆に、駆動電極
にデータ信号を印加し、対向電極20に走査信号を印加
することも可能である。
【0015】
【発明が解決しようとする課題】従来のアクティブマト
リクス方式の液晶表示パネルでは、液晶表示パネル内に
存在する不純物イオンの直流電圧による移動や吸着によ
る焼き付き現象と呼ばれる表示不良が起こりやすく、液
晶表示装置の表示品質を著しく低下させている。
リクス方式の液晶表示パネルでは、液晶表示パネル内に
存在する不純物イオンの直流電圧による移動や吸着によ
る焼き付き現象と呼ばれる表示不良が起こりやすく、液
晶表示装置の表示品質を著しく低下させている。
【0016】この焼き付き現象を、図13のグラフを用
いて説明する。ここで液晶表示パネルは、ノーマリホワ
イトモードであり、図13のグラフは任意の画素に加え
る電圧を5分間隔で切り換えたときの透過率の変化を示
すものである。
いて説明する。ここで液晶表示パネルは、ノーマリホワ
イトモードであり、図13のグラフは任意の画素に加え
る電圧を5分間隔で切り換えたときの透過率の変化を示
すものである。
【0017】最初に透過率50%の表示の電圧を5分間
(非選択期間T1)印加し、つぎに透過率10%の表示
の電圧を5分間(選択期間T2)印加し、つぎにふたた
び最初の非選択期間T1に印加した電圧と同じ電圧を5
分間(非選択期間T3)印加する。
(非選択期間T1)印加し、つぎに透過率10%の表示
の電圧を5分間(選択期間T2)印加し、つぎにふたた
び最初の非選択期間T1に印加した電圧と同じ電圧を5
分間(非選択期間T3)印加する。
【0018】非選択期間T1と非選択期間T3とを比較
すると、印加電圧が等しいにもかかわらず透過率に差
(ΔT)が生じている。この例では透過率の差ΔTは5
%であった。
すると、印加電圧が等しいにもかかわらず透過率に差
(ΔT)が生じている。この例では透過率の差ΔTは5
%であった。
【0019】このため、実際の表示においても静止画を
数分間以上表示した場合、その画像がつぎに表示される
別の画像の上に残って残像として認識される。この残像
現象が焼き付き現象であり、その原因は駆動時に液晶層
に直流電圧成分が加わることによって、配向膜や液晶が
分極したり劣化したりして生じる不純物イオンに起因す
ると考えられる。
数分間以上表示した場合、その画像がつぎに表示される
別の画像の上に残って残像として認識される。この残像
現象が焼き付き現象であり、その原因は駆動時に液晶層
に直流電圧成分が加わることによって、配向膜や液晶が
分極したり劣化したりして生じる不純物イオンに起因す
ると考えられる。
【0020】この焼き付き現象を低減するために、不純
物イオンの非常に少ない液晶材料やイオンを吸着しにく
い配向膜材料を選定することが試みられている。
物イオンの非常に少ない液晶材料やイオンを吸着しにく
い配向膜材料を選定することが試みられている。
【0021】さらにまた、スイッチング素子構造や駆動
方法においても、液晶表示パネルに直流成分を印加しな
いよう、さまざまな工夫がなされている。
方法においても、液晶表示パネルに直流成分を印加しな
いよう、さまざまな工夫がなされている。
【0022】しかしながら、液晶表示パネル駆動中に、
直流電圧による配向膜の分極や液晶の劣化により発生し
た不純物イオンによる焼き付き現象は、完全に防ぐこと
はできない。
直流電圧による配向膜の分極や液晶の劣化により発生し
た不純物イオンによる焼き付き現象は、完全に防ぐこと
はできない。
【0023】本発明の目的は、この課題点を解決して、
TFD方式やTFT方式のアクティブマトリクスやパッ
シブマトリクスの焼き付き現象がなく、しかも液晶表示
パネルの基板工程や重ね合わせ工程の負荷を増やすこと
がない、高品質な液晶表示パネルの構成を提供すること
である。
TFD方式やTFT方式のアクティブマトリクスやパッ
シブマトリクスの焼き付き現象がなく、しかも液晶表示
パネルの基板工程や重ね合わせ工程の負荷を増やすこと
がない、高品質な液晶表示パネルの構成を提供すること
である。
【0024】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明の液晶表示パネルは、下記記載の構成を採用す
る。
本発明の液晶表示パネルは、下記記載の構成を採用す
る。
【0025】本発明の液晶表示装置は、行電極を形成す
る第1の基板と、列電極を形成する第2の基板と、第1
の基板と第2の基板の行電極と列電極の非形成面側に偏
光軸がほぼ直交するように形成する偏光板と、第1の基
板と第2の基板との間に封入する液晶とを備え、非表示
領域にイオントラップ電極領域を設けることを特徴とす
る。
る第1の基板と、列電極を形成する第2の基板と、第1
の基板と第2の基板の行電極と列電極の非形成面側に偏
光軸がほぼ直交するように形成する偏光板と、第1の基
板と第2の基板との間に封入する液晶とを備え、非表示
領域にイオントラップ電極領域を設けることを特徴とす
る。
【0026】本発明の液晶表示装置は、スイッチング素
子と表示電極と駆動電極とを形成する第1の基板と、対
向電極を形成する第2の基板と、第1の基板と第2の基
板との駆動電極と表示電極と対向電極との非形成面側に
偏光軸がほぼ直交するように形成する偏光板と、第1の
基板と第2の基板との間に封入する液晶とを備え、非表
示領域にイオントラップ電極領域を設けることを特徴と
する。
子と表示電極と駆動電極とを形成する第1の基板と、対
向電極を形成する第2の基板と、第1の基板と第2の基
板との駆動電極と表示電極と対向電極との非形成面側に
偏光軸がほぼ直交するように形成する偏光板と、第1の
基板と第2の基板との間に封入する液晶とを備え、非表
示領域にイオントラップ電極領域を設けることを特徴と
する。
【0027】本発明の液晶表示装置は、行電極を形成す
る第1の基板と、列電極を形成する第2の基板と、第1
の基板と第2の基板の行電極と列電極の非形成面側に偏
光軸がほぼ直交するように形成する偏光板と、第1の基
板と第2の基板との間に封入する液晶とを備え、非表示
領域にイオン吸着力の大きい材料からなるイオントラッ
プ電極領域を設けることを特徴とする。
る第1の基板と、列電極を形成する第2の基板と、第1
の基板と第2の基板の行電極と列電極の非形成面側に偏
光軸がほぼ直交するように形成する偏光板と、第1の基
板と第2の基板との間に封入する液晶とを備え、非表示
領域にイオン吸着力の大きい材料からなるイオントラッ
プ電極領域を設けることを特徴とする。
【0028】本発明の液晶表示装置は、行電極を形成す
る第1の基板と、列電極を形成する第2の基板と、第1
の基板と第2の基板の行電極と列電極の非形成面側に偏
光軸がほぼ直交するように形成する偏光板と、第1の基
板と第2の基板との間に封入する液晶とを備え、液晶封
入口の反対側の非表示領域にイオントラップ電極領域を
設けることを特徴とする。
る第1の基板と、列電極を形成する第2の基板と、第1
の基板と第2の基板の行電極と列電極の非形成面側に偏
光軸がほぼ直交するように形成する偏光板と、第1の基
板と第2の基板との間に封入する液晶とを備え、液晶封
入口の反対側の非表示領域にイオントラップ電極領域を
設けることを特徴とする。
【0029】本発明の液晶表示装置は、スイッチング素
子と表示電極と駆動電極とを形成する第1の基板と、対
向電極を形成する第2の基板と、第1の基板と第2の基
板との駆動電極と表示電極と対向電極との非形成面側に
偏光軸がほぼ直交するように形成する偏光板と、第1の
基板と第2の基板との間に封入する液晶とを備え、液晶
封入口の反対側の非表示領域にイオントラップ電極領域
を設けることを特徴とする。
子と表示電極と駆動電極とを形成する第1の基板と、対
向電極を形成する第2の基板と、第1の基板と第2の基
板との駆動電極と表示電極と対向電極との非形成面側に
偏光軸がほぼ直交するように形成する偏光板と、第1の
基板と第2の基板との間に封入する液晶とを備え、液晶
封入口の反対側の非表示領域にイオントラップ電極領域
を設けることを特徴とする。
【0030】本発明の液晶表示装置は、行電極を形成す
る第1の基板と、列電極を形成する第2の基板と、第1
の基板と第2の基板の行電極と列電極の非形成面側に偏
光軸がほぼ直交するように形成する偏光板と、第1の基
板と第2の基板との間に封入する液晶とを備え、液晶封
入口の反対側の非表示領域にイオン吸着力の大きい材料
で被覆したイオントラップ電極領域を設けることを特徴
とする。
る第1の基板と、列電極を形成する第2の基板と、第1
の基板と第2の基板の行電極と列電極の非形成面側に偏
光軸がほぼ直交するように形成する偏光板と、第1の基
板と第2の基板との間に封入する液晶とを備え、液晶封
入口の反対側の非表示領域にイオン吸着力の大きい材料
で被覆したイオントラップ電極領域を設けることを特徴
とする。
【0031】本発明の液晶表示装置は、行電極を形成す
る第1の基板と、列電極を形成する第2の基板と、第1
の基板と第2の基板の行電極と列電極の非形成面側に偏
光軸がほぼ直交するように形成する偏光板と、第1の基
板と第2の基板との間に封入する液晶とを備え、非表示
領域に金属材料からなるイオントラップ電極領域を設け
ることを特徴とする。
る第1の基板と、列電極を形成する第2の基板と、第1
の基板と第2の基板の行電極と列電極の非形成面側に偏
光軸がほぼ直交するように形成する偏光板と、第1の基
板と第2の基板との間に封入する液晶とを備え、非表示
領域に金属材料からなるイオントラップ電極領域を設け
ることを特徴とする。
【0032】本発明の液晶表示装置は、スイッチング素
子と表示電極と駆動電極とを形成する第1の基板と、対
向電極を形成する第2の基板と、この第1の基板と第2
の基板との駆動電極と表示電極と対向電極の非形成面側
に偏光軸がほぼ直交するように形成する偏光板と、第1
の基板と第2の基板との間に封入する液晶とを備え、非
表示領域に金属材料からなるイオントラップ電極領域を
設けることを特徴とする。
子と表示電極と駆動電極とを形成する第1の基板と、対
向電極を形成する第2の基板と、この第1の基板と第2
の基板との駆動電極と表示電極と対向電極の非形成面側
に偏光軸がほぼ直交するように形成する偏光板と、第1
の基板と第2の基板との間に封入する液晶とを備え、非
表示領域に金属材料からなるイオントラップ電極領域を
設けることを特徴とする。
【0033】本発明の液晶表示装置は、行電極を形成す
る第1の基板と、列電極を形成する第2の基板と、第1
の基板と第2の基板の行電極と列電極の非形成面側に偏
光軸がほぼ直交するように形成する偏光板と、第1の基
板と第2の基板との間に封入する液晶とを備え、非表示
領域にイオン吸着力の大きい有機樹脂膜を被覆したイオ
ントラップ電極領域を設けることを特徴とする。
る第1の基板と、列電極を形成する第2の基板と、第1
の基板と第2の基板の行電極と列電極の非形成面側に偏
光軸がほぼ直交するように形成する偏光板と、第1の基
板と第2の基板との間に封入する液晶とを備え、非表示
領域にイオン吸着力の大きい有機樹脂膜を被覆したイオ
ントラップ電極領域を設けることを特徴とする。
【0034】本発明の液晶表示装置は、行電極を形成す
る第1の基板と、列電極を形成する第2の基板と、第1
の基板と第2の基板の行電極と列電極の非形成面側に偏
光軸がほぼ直交するように形成する偏光板と、第1の基
板と第2の基板との間に封入する液晶とを備え、表示領
域にイオン吸着力の小さい配向剤を設け、非表示領域に
イオン吸着力の大きい材料からなるイオントラップ電極
領域を設けることを特徴とする。
る第1の基板と、列電極を形成する第2の基板と、第1
の基板と第2の基板の行電極と列電極の非形成面側に偏
光軸がほぼ直交するように形成する偏光板と、第1の基
板と第2の基板との間に封入する液晶とを備え、表示領
域にイオン吸着力の小さい配向剤を設け、非表示領域に
イオン吸着力の大きい材料からなるイオントラップ電極
領域を設けることを特徴とする。
【0035】本発明の液晶表示装置は、行電極を形成す
る第1の基板と、列電極を形成する第2の基板と、第1
の基板と第2の基板の行電極と列電極の非形成面側に偏
光軸がほぼ直交するように形成する偏光板と、第1の基
板と第2の基板との間に封入する液晶とを備え、非表示
領域に垂直配向剤を被覆したイオントラップ電極領域を
設けることを特徴とする。
る第1の基板と、列電極を形成する第2の基板と、第1
の基板と第2の基板の行電極と列電極の非形成面側に偏
光軸がほぼ直交するように形成する偏光板と、第1の基
板と第2の基板との間に封入する液晶とを備え、非表示
領域に垂直配向剤を被覆したイオントラップ電極領域を
設けることを特徴とする。
【0036】
【作用】本発明の液晶表示装置においては、第1の基板
と、第2の基板と、第1の基板と第2の基板との電極の
非形成面側に偏光軸がほぼ直交するように設ける偏光板
と、第1の基板と第2の基板との間に封入する液晶とを
備え、非表示領域にイオントラップ電極領域を設ける。
と、第2の基板と、第1の基板と第2の基板との電極の
非形成面側に偏光軸がほぼ直交するように設ける偏光板
と、第1の基板と第2の基板との間に封入する液晶とを
備え、非表示領域にイオントラップ電極領域を設ける。
【0037】このことにより、液晶表示パネルの駆動の
際、非表示領域に設けるイオントラップ電極領域に直流
電圧を印加すると、液晶表示パネル内に存在する不純物
イオンはイオントラップ電極領域に吸着することができ
る。
際、非表示領域に設けるイオントラップ電極領域に直流
電圧を印加すると、液晶表示パネル内に存在する不純物
イオンはイオントラップ電極領域に吸着することができ
る。
【0038】さらにイオントラップ電極領域には、液晶
表示パネル製造時に存在する不純物イオンを吸着するだ
けでなく、駆動中などに新らたに発生する不純物イオン
も逐次吸着することができる。
表示パネル製造時に存在する不純物イオンを吸着するだ
けでなく、駆動中などに新らたに発生する不純物イオン
も逐次吸着することができる。
【0039】そのため表示領域内では、長時間駆動を行
っても不純物イオンの偏りによる前述の焼き付き現象は
発生せず、本発明の液晶表示装置は高品質な表示を行う
ことができる。
っても不純物イオンの偏りによる前述の焼き付き現象は
発生せず、本発明の液晶表示装置は高品質な表示を行う
ことができる。
【0040】
【実施例】以下に本発明の実施例における液晶表示パネ
ルの構成を図面に基づいて説明する。
ルの構成を図面に基づいて説明する。
【0041】まずはじめに本発明の第1の実施例の液晶
表示装置を説明する。図1は本発明の第1の実施例にお
けるTFD方式のアクティブマトリクスの液晶表示パネ
ルを示す平面図であり、図2は図1のA−A線における
断面を示す断面図である。以下、本発明の第1の実施例
を、図1と図2とを交互に参照して説明する。
表示装置を説明する。図1は本発明の第1の実施例にお
けるTFD方式のアクティブマトリクスの液晶表示パネ
ルを示す平面図であり、図2は図1のA−A線における
断面を示す断面図である。以下、本発明の第1の実施例
を、図1と図2とを交互に参照して説明する。
【0042】図2に示すように、アクティブマトリクス
液晶表示パネルは、行電極と表示電極12とスイッチン
グ素子13とを設ける第1の基板10と、表示電極12
に向き合い列電極となる対向電極14を設ける第2の基
板11とを有する。
液晶表示パネルは、行電極と表示電極12とスイッチン
グ素子13とを設ける第1の基板10と、表示電極12
に向き合い列電極となる対向電極14を設ける第2の基
板11とを有する。
【0043】表示電極12とスイッチング素子13とを
形成する第1の基板10と、対向電極14を形成する第
2の基板11とに、液晶を配向させるための配向処理を
施した配向膜24、24をそれぞれ設ける。
形成する第1の基板10と、対向電極14を形成する第
2の基板11とに、液晶を配向させるための配向処理を
施した配向膜24、24をそれぞれ設ける。
【0044】さらに、シール部15によりその間隔を一
定の寸法に保つように、第1の基板10と第2の基板1
1とを貼り合わせ、その隙間に液晶を液晶封入口23か
ら封入するものである。
定の寸法に保つように、第1の基板10と第2の基板1
1とを貼り合わせ、その隙間に液晶を液晶封入口23か
ら封入するものである。
【0045】さらに、第1の基板10と第2の基板11
の表示電極12や対向電極14の非形成面側に、その偏
光軸がほぼ直交するように、それぞれ偏光板25、25
を設ける。
の表示電極12や対向電極14の非形成面側に、その偏
光軸がほぼ直交するように、それぞれ偏光板25、25
を設ける。
【0046】図1に示す実線16の内側の領域が実際の
表示を行う表示領域17であり、斜線部分がイオントラ
ップ電極領域18である。すなわち、表示領域17の外
側領域の非表示領域に、イオントラップ電極領域18を
設ける。
表示を行う表示領域17であり、斜線部分がイオントラ
ップ電極領域18である。すなわち、表示領域17の外
側領域の非表示領域に、イオントラップ電極領域18を
設ける。
【0047】このイオントラップ電極領域18には、第
1の基板10に設ける第1のイオントラップ電極19
と、第2の基板11に設ける第2のイオントラップ電極
20とを有する。
1の基板10に設ける第1のイオントラップ電極19
と、第2の基板11に設ける第2のイオントラップ電極
20とを有する。
【0048】そして図2に示すように、第1のイオント
ラップ電極19は第1の基板10上に設ける表示電極1
2と同じ材料を用いて構成し、イオントラップ電極領域
18に設ける。
ラップ電極19は第1の基板10上に設ける表示電極1
2と同じ材料を用いて構成し、イオントラップ電極領域
18に設ける。
【0049】さらに、第2のイオントラップ電極20は
第1のイオントラップ電極10と向き合う位置の第2の
基板11上に、対向電極14と同じ材料を用いて構成
し、イオントラップ電極領域18に設ける。
第1のイオントラップ電極10と向き合う位置の第2の
基板11上に、対向電極14と同じ材料を用いて構成
し、イオントラップ電極領域18に設ける。
【0050】またさらに、図1に示すように第1の基板
10と第2の基板11の端子部に、表示用の端子とは別
に、第1のイオントラップ電極端子21と第2のイオン
トラップ電極端子22を設ける。
10と第2の基板11の端子部に、表示用の端子とは別
に、第1のイオントラップ電極端子21と第2のイオン
トラップ電極端子22を設ける。
【0051】この第1のイオントラップ電極端子21
は、第1のイオントラップ電極19に接続し、第2のイ
オントラップ電極端子22は、第2のイオントラップ電
極20に接続する。
は、第1のイオントラップ電極19に接続し、第2のイ
オントラップ電極端子22は、第2のイオントラップ電
極20に接続する。
【0052】完成した液晶表示パネルの第1のイオント
ラップ電極端子21と第2のイオントラップ電極端子2
2間に電圧を印加する。すると、液晶表示パネルの表示
領域17内に存在する不純物イオンは移動し、イオント
ラップ電極領域18上の配向膜24に吸着させることが
できる。
ラップ電極端子21と第2のイオントラップ電極端子2
2間に電圧を印加する。すると、液晶表示パネルの表示
領域17内に存在する不純物イオンは移動し、イオント
ラップ電極領域18上の配向膜24に吸着させることが
できる。
【0053】そのことにより、液晶表示パネルの表示中
の直流電圧による表示領域17内での、不純物イオンの
移動および吸着によりおこる、焼き付き現象の発生を防
止することができる。
の直流電圧による表示領域17内での、不純物イオンの
移動および吸着によりおこる、焼き付き現象の発生を防
止することができる。
【0054】さらに、駆動中にも第1のイオントラップ
電極端子21と第2のイオントラップ電極端子22との
間に電圧を印加することにより、駆動中に新たに発生す
る不純物イオンを、その発生の都度吸着することができ
る。
電極端子21と第2のイオントラップ電極端子22との
間に電圧を印加することにより、駆動中に新たに発生す
る不純物イオンを、その発生の都度吸着することができ
る。
【0055】そのため、本発明の液晶表示装置において
は長時間駆動しても、焼き付き現象のない高品質な表示
をおこなうことができる。
は長時間駆動しても、焼き付き現象のない高品質な表示
をおこなうことができる。
【0056】さらに、イオントラップ電極領域18を図
1に示すように、液晶封入口23の反対側に形成する
と、液晶注入時に液晶封入口23から拡散し偏った不純
物イオンを効率よく、イオントラップ電極領域18でト
ラップすることができる。
1に示すように、液晶封入口23の反対側に形成する
と、液晶注入時に液晶封入口23から拡散し偏った不純
物イオンを効率よく、イオントラップ電極領域18でト
ラップすることができる。
【0057】またさらに、液晶封入口23の位置を図3
に示すように、液晶表示パネルの角部に設けるには、斜
線に示すように対角線上にL字型のイオントラップ電極
領域30を形成すると効果的である。
に示すように、液晶表示パネルの角部に設けるには、斜
線に示すように対角線上にL字型のイオントラップ電極
領域30を形成すると効果的である。
【0058】イオントラップ電極領域18、30として
図1と図3に示すような構造をとった場合には、イオン
トラップ電極領域をすべての表示領域17の外側の非表
示領域に形成することができる。したっがて、実際のア
クティブマトリクス液晶表示パネルの表示をさまたげる
ことはない。
図1と図3に示すような構造をとった場合には、イオン
トラップ電極領域をすべての表示領域17の外側の非表
示領域に形成することができる。したっがて、実際のア
クティブマトリクス液晶表示パネルの表示をさまたげる
ことはない。
【0059】本発明の第1の実施例では、対角5インチ
のTFD方式アクティブマトリクス液晶表示パネルの表
示領域の外側に、幅寸法が3250μmのイオントラッ
プ電極領域18を形成した。
のTFD方式アクティブマトリクス液晶表示パネルの表
示領域の外側に、幅寸法が3250μmのイオントラッ
プ電極領域18を形成した。
【0060】液晶封入後に、イオントラップ電極領域1
8に5Vの直流電圧を印加しながらアクティブマトリク
ス液晶表示パネルを24時間駆動した。比較のために、
まったく同じアクティブマトリクス液晶表示パネルを、
イオントラップ電極18に電圧印加しないで24時間駆
動した。
8に5Vの直流電圧を印加しながらアクティブマトリク
ス液晶表示パネルを24時間駆動した。比較のために、
まったく同じアクティブマトリクス液晶表示パネルを、
イオントラップ電極18に電圧印加しないで24時間駆
動した。
【0061】図4のグラフを用いて、上記のイオントラ
ップ電極18に電圧印加したアクティブマトリクス液晶
表示パネルの焼き付き現象を説明する。
ップ電極18に電圧印加したアクティブマトリクス液晶
表示パネルの焼き付き現象を説明する。
【0062】図4のグラフは、従来例の焼き付き現象を
示す図13のグラフと同様に、画素に印加する電圧を5
分間隔で切り換えたときの透過率の変化を示している。
液晶表示パネルはノーマリホワイトモードである。
示す図13のグラフと同様に、画素に印加する電圧を5
分間隔で切り換えたときの透過率の変化を示している。
液晶表示パネルはノーマリホワイトモードである。
【0063】最初に透過率50%の表示の電圧を5分間
(非選択期間T1)印加し、つぎに透過率10%の表示
の電圧を5分間(選択期間T2)印加し、つぎにふたた
び最初の非選択期間T1に印加した電圧と同じ電圧を5
分間(非選択期間T3)印加する。
(非選択期間T1)印加し、つぎに透過率10%の表示
の電圧を5分間(選択期間T2)印加し、つぎにふたた
び最初の非選択期間T1に印加した電圧と同じ電圧を5
分間(非選択期間T3)印加する。
【0064】本発明のイオントラップ電極に電圧印加し
ながら駆動を行ったアクティブマトリクス液晶表示パネ
ルでは、非選択期間T1と非選択期間T3とにおける透
過率の差(ΔT)は約1%であり、さらにこの透過率の
差(ΔT)は時間とともに急激に低下している。
ながら駆動を行ったアクティブマトリクス液晶表示パネ
ルでは、非選択期間T1と非選択期間T3とにおける透
過率の差(ΔT)は約1%であり、さらにこの透過率の
差(ΔT)は時間とともに急激に低下している。
【0065】すなわち本発明の第1の実施例の液晶表示
装置は、一定時間固定画像を表示しても、焼き付き現象
による残像はほとんどなく、良好な表示品質を得ること
ができる。
装置は、一定時間固定画像を表示しても、焼き付き現象
による残像はほとんどなく、良好な表示品質を得ること
ができる。
【0066】つぎにイオントラップ電極18に電圧印加
しなかったアクティブマトリクス液晶表示パネルの焼き
付き現象を、図5のグラフを用いて説明する。
しなかったアクティブマトリクス液晶表示パネルの焼き
付き現象を、図5のグラフを用いて説明する。
【0067】図5のグラフは、図4のグラフと同様に画
素に印加する電圧を5分間隔で切り換えた場合の透過率
の変化を示している。液晶表示パネルはノーマリホワイ
トモードである。
素に印加する電圧を5分間隔で切り換えた場合の透過率
の変化を示している。液晶表示パネルはノーマリホワイ
トモードである。
【0068】図5のグラフより明らかなように、イオン
トラップ電極に電圧印加しなかった場合の非選択期間T
1と非選択期間T3とにおける透過率の差(ΔT)は約
8%と大きくなっている。
トラップ電極に電圧印加しなかった場合の非選択期間T
1と非選択期間T3とにおける透過率の差(ΔT)は約
8%と大きくなっている。
【0069】すなわち、一定時間固定画像を表示した場
合、画像を切り換えても焼き付き現象による残像が認識
され、良好な表示品質を得ることはできない。
合、画像を切り換えても焼き付き現象による残像が認識
され、良好な表示品質を得ることはできない。
【0070】以上説明したように、イオントラップ電極
に電圧を印加しながら駆動を行うことにより、液晶表示
パネル内に存在する不純物イオンを吸着することがで
き、さらに駆動中に発生する不純物イオンを表示領域1
7の外側に設けるイオントラップ電極に吸着することが
できる。このため、焼き付き現象のない、高品質な表示
を行うことが可能な液晶表示装置を提供することができ
る。
に電圧を印加しながら駆動を行うことにより、液晶表示
パネル内に存在する不純物イオンを吸着することがで
き、さらに駆動中に発生する不純物イオンを表示領域1
7の外側に設けるイオントラップ電極に吸着することが
できる。このため、焼き付き現象のない、高品質な表示
を行うことが可能な液晶表示装置を提供することができ
る。
【0071】つぎに本発明の第2の実施例における液晶
表示装置を説明する。図6は本発明の第2の実施例にお
けるTFD方式のアクティブマトリクスの液晶表示パネ
ルを示す平面図であり、図7は図6のB−B線における
断面を示す断面図である。以下、本発明の第2の実施例
を、図6と図7とを交互に参照して説明する。
表示装置を説明する。図6は本発明の第2の実施例にお
けるTFD方式のアクティブマトリクスの液晶表示パネ
ルを示す平面図であり、図7は図6のB−B線における
断面を示す断面図である。以下、本発明の第2の実施例
を、図6と図7とを交互に参照して説明する。
【0072】図6に示す実線16の内側の領域が実際の
表示を行う表示領域17であり、斜線部分がイオントラ
ップ電極領域18である。すなわち、表示領域17の外
側領域の非表示領域に、イオントラップ電極領域18を
設ける。
表示を行う表示領域17であり、斜線部分がイオントラ
ップ電極領域18である。すなわち、表示領域17の外
側領域の非表示領域に、イオントラップ電極領域18を
設ける。
【0073】このイオントラップ電極領域18には、第
1の基板10に設ける第1のイオントラップ電極19
と、第2の基板11に設ける第2のイオントラップ電極
20とを有する。
1の基板10に設ける第1のイオントラップ電極19
と、第2の基板11に設ける第2のイオントラップ電極
20とを有する。
【0074】そして図7に示すように、第1のイオント
ラップ電極19は、第1の基板10の表示電極12と同
じ材料を用いて、イオントラップ電極領域18に設け
る。
ラップ電極19は、第1の基板10の表示電極12と同
じ材料を用いて、イオントラップ電極領域18に設け
る。
【0075】さらに第2のイオントラップ電極20は、
第1のイオントラップ電極19と向き合う位置の第2の
基板11の対向電極14と同じ材料を用いてイオントラ
ップ電極領域18に設ける。
第1のイオントラップ電極19と向き合う位置の第2の
基板11の対向電極14と同じ材料を用いてイオントラ
ップ電極領域18に設ける。
【0076】さらに、図6に示すように第1の基板10
と第2の基板11の端子部に、表示用の端子とは別に、
第1のイオントラップ電極端子21と第2のイオントラ
ップ電極端子22を設ける。
と第2の基板11の端子部に、表示用の端子とは別に、
第1のイオントラップ電極端子21と第2のイオントラ
ップ電極端子22を設ける。
【0077】この第1のイオントラップ電極端子21
は、第1のイオントラップ電極19に接続し、第2のイ
オントラップ電極端子22は、第2のイオントラップ電
極20に接続する。
は、第1のイオントラップ電極19に接続し、第2のイ
オントラップ電極端子22は、第2のイオントラップ電
極20に接続する。
【0078】本発明の第2の実施例の液晶表示装置にお
いては、第1の基板10と第2の基板11とに設けるイ
オントラップ電極領域18には、表示領域に形成する配
向膜70とは異なるイオン吸着性の高い配向膜71を設
ける。
いては、第1の基板10と第2の基板11とに設けるイ
オントラップ電極領域18には、表示領域に形成する配
向膜70とは異なるイオン吸着性の高い配向膜71を設
ける。
【0079】このイオン吸着性の高い配向膜71をイオ
ントラップ電極領域18に設けることにより、不純物イ
オンは表示領域17でトラップされにくくなり、第1の
イオントラップ電極19と第2のイオントラップ電極2
0とに直流電圧を印加したときに、イオントラップ電極
領域18のイオン吸着力が増大する。
ントラップ電極領域18に設けることにより、不純物イ
オンは表示領域17でトラップされにくくなり、第1の
イオントラップ電極19と第2のイオントラップ電極2
0とに直流電圧を印加したときに、イオントラップ電極
領域18のイオン吸着力が増大する。
【0080】このため、より焼き付き現象の少ない高品
質な表示をおこなうことが可能な液晶表示装置を提供す
ることができる。
質な表示をおこなうことが可能な液晶表示装置を提供す
ることができる。
【0081】本発明の第2の実施例では、配向膜24と
して日立化成製LQ−T120を膜厚が0.5μmにな
るように表示領域71に設け、配向膜71として日産化
学製SE3140を膜厚が0.5μmになるようにイオ
ントラップ電極領域18に設ける。そして配向膜24と
配向膜71とは、温度200℃で1時間焼成を行って形
成する。
して日立化成製LQ−T120を膜厚が0.5μmにな
るように表示領域71に設け、配向膜71として日産化
学製SE3140を膜厚が0.5μmになるようにイオ
ントラップ電極領域18に設ける。そして配向膜24と
配向膜71とは、温度200℃で1時間焼成を行って形
成する。
【0082】図8のグラフは本発明の第2の実施例の液
晶表示パネルを、イオントラップ電極18に電圧を印加
しながら24時間駆動後、画素に印加する電圧を5分間
隔で切り換えた場合の透過率の変化を示している。液晶
表示パネルはノーマリホワイトモードである。
晶表示パネルを、イオントラップ電極18に電圧を印加
しながら24時間駆動後、画素に印加する電圧を5分間
隔で切り換えた場合の透過率の変化を示している。液晶
表示パネルはノーマリホワイトモードである。
【0083】最初に透過率50%の表示の電圧を5分間
(非選択期間T1)印加し、つぎに透過率10%の表示
の電圧を5分間(選択期間T2)印加し、つぎにふたた
び最初の非選択期間T1に印加した電圧と同じ電圧を5
分間(非選択期間T3)印加する。
(非選択期間T1)印加し、つぎに透過率10%の表示
の電圧を5分間(選択期間T2)印加し、つぎにふたた
び最初の非選択期間T1に印加した電圧と同じ電圧を5
分間(非選択期間T3)印加する。
【0084】図8のグラフより明らかなように、非選択
期間T1と非選択期間T3とにおける透過率の差(Δ
T)は0.5%以下であり、さらにこの透過率の差(Δ
T)は時間とともに急激に低下している。
期間T1と非選択期間T3とにおける透過率の差(Δ
T)は0.5%以下であり、さらにこの透過率の差(Δ
T)は時間とともに急激に低下している。
【0085】すなわち、本発明の第2の実施例の液晶表
示装置は一定時間固定画像を表示しても、焼き付き現象
による残像はほとんどなく、良好な表示品質を有する液
晶表示装置を得ることができる。
示装置は一定時間固定画像を表示しても、焼き付き現象
による残像はほとんどなく、良好な表示品質を有する液
晶表示装置を得ることができる。
【0086】なお、本発明の第2の実施例ではイオント
ラップ電極領域18を金属材料で形成し、有機材料から
なる配向膜71をイオン吸着層として用いたが、イオン
吸着層としては配向膜でない有機材料や無機材料を用い
てもよい。
ラップ電極領域18を金属材料で形成し、有機材料から
なる配向膜71をイオン吸着層として用いたが、イオン
吸着層としては配向膜でない有機材料や無機材料を用い
てもよい。
【0087】つぎに本発明の第3の実施例における液晶
表示装置を説明する。図9は本発明の第3の実施例にお
けるTFD方式のアクティブマトリクス液晶表示パネル
を示す平面図であり、図10は図9のC−C線における
断面を示す断面図である。以下、本発明の第3の実施例
を、図9と図10とを交互に参照して説明する。
表示装置を説明する。図9は本発明の第3の実施例にお
けるTFD方式のアクティブマトリクス液晶表示パネル
を示す平面図であり、図10は図9のC−C線における
断面を示す断面図である。以下、本発明の第3の実施例
を、図9と図10とを交互に参照して説明する。
【0088】図12に示す実線16の内側の領域が実際
の表示を行う表示領域17であり、斜線部分がイオント
ラップ電極領域18である。すなわち、表示領域17の
外側領域の非表示領域に、イオントラップ電極領域18
を設ける。
の表示を行う表示領域17であり、斜線部分がイオント
ラップ電極領域18である。すなわち、表示領域17の
外側領域の非表示領域に、イオントラップ電極領域18
を設ける。
【0089】このイオントラップ電極領域18には、第
1の基板10に設ける第1のイオントラップ電極19
と、第2の基板11に設ける第2のイオントラップ電極
20とを有する。
1の基板10に設ける第1のイオントラップ電極19
と、第2の基板11に設ける第2のイオントラップ電極
20とを有する。
【0090】そして図10に示すように第1のイオント
ラップ電極19は、第1の基板10の表示電極12と同
じ材料を用いて、イオントラップ電極領域18に設け
る。
ラップ電極19は、第1の基板10の表示電極12と同
じ材料を用いて、イオントラップ電極領域18に設け
る。
【0091】さらに第2のイオントラップ電極20は、
第1のイオントラップ電極19と向き合う位置の第2の
基板11の対向電極14と同じ材料を用いて、イオント
ラップ電極領域18に設ける。
第1のイオントラップ電極19と向き合う位置の第2の
基板11の対向電極14と同じ材料を用いて、イオント
ラップ電極領域18に設ける。
【0092】さらに、図9に示すように第1の基板10
と第2の基板11の端子部に、表示用の端子とは別に、
第1のイオントラップ電極端子21と第2のイオントラ
ップ電極端子22を設ける。
と第2の基板11の端子部に、表示用の端子とは別に、
第1のイオントラップ電極端子21と第2のイオントラ
ップ電極端子22を設ける。
【0093】この第1のイオントラップ電極端子21
は、第1のイオントラップ電極19に接続し、第2のイ
オントラップ電極端子22は、第2のイオントラップ電
極20に接続する。
は、第1のイオントラップ電極19に接続し、第2のイ
オントラップ電極端子22は、第2のイオントラップ電
極20に接続する。
【0094】なおこのとき、第1の基板10と第2の基
板11とに設けるイオントラップ電極領域18には、表
示領域17に形成する配向膜80とは異なる垂直配向剤
81を設ける。
板11とに設けるイオントラップ電極領域18には、表
示領域17に形成する配向膜80とは異なる垂直配向剤
81を設ける。
【0095】このことにより、表示領域17でトラップ
されなかった不純物イオンは、イオントラップ電極領域
18の垂直配向膜81の垂直配向した液晶分子に沿って
移動し、効率よくイオントラップ電極に吸着される。
されなかった不純物イオンは、イオントラップ電極領域
18の垂直配向膜81の垂直配向した液晶分子に沿って
移動し、効率よくイオントラップ電極に吸着される。
【0096】このため、本発明の第3の実施例において
は、第1と第2の実施例で説明した効果と同様に、焼き
付き現象の少ない高品質な表示をおこなうことが可能な
液晶表示装置を提供することができる。
は、第1と第2の実施例で説明した効果と同様に、焼き
付き現象の少ない高品質な表示をおこなうことが可能な
液晶表示装置を提供することができる。
【0097】なお、以上の第1と第2と第3の実施例の
説明においては、TFD方式アクティブマトリクス液晶
表示パネルを例にして説明したが、本発明は薄膜トラン
ジスタ(TFT)方式アクティブマトリクス液晶表示パ
ネルや、スーパーツイステッドネマチックなどのパッシ
ブマトリクス液晶表示パネルにも適用することが可能で
ある。
説明においては、TFD方式アクティブマトリクス液晶
表示パネルを例にして説明したが、本発明は薄膜トラン
ジスタ(TFT)方式アクティブマトリクス液晶表示パ
ネルや、スーパーツイステッドネマチックなどのパッシ
ブマトリクス液晶表示パネルにも適用することが可能で
ある。
【0098】パッシブマトリクス液晶表示装置において
は、第1の基板10に行電極を形成し、第2の基板11
に列電極を形成する。そしてこの行電極と列電極とが交
差する領域が表示領域となる。
は、第1の基板10に行電極を形成し、第2の基板11
に列電極を形成する。そしてこの行電極と列電極とが交
差する領域が表示領域となる。
【0099】さらに、ネマティック液晶を用いた液晶表
示パネルのみでなく、強誘電性液晶モードや、反強誘電
性液晶モードや、高分子分散液晶モードや、ゲストホス
ト液晶モードや、相転移モードの液晶表示パネルにも適
用することが可能である。
示パネルのみでなく、強誘電性液晶モードや、反強誘電
性液晶モードや、高分子分散液晶モードや、ゲストホス
ト液晶モードや、相転移モードの液晶表示パネルにも適
用することが可能である。
【0100】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明の
液晶表示装置は、スイッチング素子と表示電極と駆動電
極とを設ける第1の基板と、対向電極を設ける第2の電
極と、第1の基板と第2の基板との間に封入する液晶と
を備え、非表示領域にイオントラップ電極領域を設けて
いる。
液晶表示装置は、スイッチング素子と表示電極と駆動電
極とを設ける第1の基板と、対向電極を設ける第2の電
極と、第1の基板と第2の基板との間に封入する液晶と
を備え、非表示領域にイオントラップ電極領域を設けて
いる。
【0101】液晶表示パネルの駆動の際、非表示領域に
設けたイオントラップ電極領域に直流電圧を印加する
と、パネル内に存在する不純物イオンはイオントラップ
電極領域に吸着される。
設けたイオントラップ電極領域に直流電圧を印加する
と、パネル内に存在する不純物イオンはイオントラップ
電極領域に吸着される。
【0102】また、液晶表示パネル製造時に存在する不
純物イオンのみでなく、駆動中に新らたに発生する不純
物イオンも逐次吸着することができる。
純物イオンのみでなく、駆動中に新らたに発生する不純
物イオンも逐次吸着することができる。
【0103】そのため表示領域内では、長時間駆動を行
っても不純物イオンの偏りによる前述の焼き付き現象が
発生せず、高品質な表示を行うことができる。
っても不純物イオンの偏りによる前述の焼き付き現象が
発生せず、高品質な表示を行うことができる。
【図1】本発明の第1の実施例における液晶表示装置を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図2】本発明の第1の実施例における液晶表示装置の
イオントラップ電極領域を説明するために用いる断面図
である。
イオントラップ電極領域を説明するために用いる断面図
である。
【図3】本発明の第1の実施例における液晶表示装置を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図4】本発明の第1の実施例における液晶表示装置の
イオントラップ電極に電圧印加したときの焼き付き現象
の測定結果を表すグラフである。
イオントラップ電極に電圧印加したときの焼き付き現象
の測定結果を表すグラフである。
【図5】本発明の第1の実施例における液晶表示装置の
イオントラップ電極に電圧印加しないときの焼き付き現
象の測定結果を表すグラフである。
イオントラップ電極に電圧印加しないときの焼き付き現
象の測定結果を表すグラフである。
【図6】本発明の第2の実施例における液晶表示装置を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図7】本発明の第2の実施例における液晶表示装置の
イオントラップ電極領域を説明するために用いる断面図
である。
イオントラップ電極領域を説明するために用いる断面図
である。
【図8】本発明の第2の実施例における液晶表示装置の
イオントラップ電極に電圧印加したときの焼き付き現象
の測定結果を表すグラフである。
イオントラップ電極に電圧印加したときの焼き付き現象
の測定結果を表すグラフである。
【図9】本発明の第3の実施例における液晶表示装置を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図10】本発明の第3の実施例における液晶表示装置
のイオントラップ電極領域を説明するために用いる断面
図である。
のイオントラップ電極領域を説明するために用いる断面
図である。
【図11】従来の技術を説明するために用いる液晶表示
装置を示す平面図である。
装置を示す平面図である。
【図12】従来の技術を説明するために用いる液晶表示
装置を示す断面図である。
装置を示す断面図である。
【図13】従来の技術を説明するために用いる液晶表示
装置の焼き付き現象の測定結果を表すグラフである。
装置の焼き付き現象の測定結果を表すグラフである。
10 第1の基板 11 第2の基板 15 シール部 17 表示領域 18 イオントラップ電極領域 19 第1のイオントラップ電極 20 第2のイオントラップ電極 23 液晶封入口
Claims (22)
- 【請求項1】 行電極を形成する第1の基板と、列電極
を形成する第2の基板と、第1の基板と第2の基板の行
電極と列電極の非形成面側に偏光軸がほぼ直交するよう
に形成する偏光板と、第1の基板と第2の基板との間に
封入する液晶とを備え、非表示領域にイオントラップ電
極領域を設けることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項2】 スイッチング素子と表示電極と駆動電極
とを形成する第1の基板と、対向電極を形成する第2の
基板と、第1の基板と第2の基板との駆動電極と表示電
極と対向電極との非形成面側に偏光軸がほぼ直交するよ
うに形成する偏光板と、第1の基板と第2の基板との間
に封入する液晶とを備え、非表示領域にイオントラップ
電極領域を設けることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項3】 行電極を形成する第1の基板と、列電極
を形成する第2の基板と、第1の基板と第2の基板の行
電極と列電極の非形成面側に偏光軸がほぼ直交するよう
に形成する偏光板と、第1の基板と第2の基板との間に
封入する液晶とを備え、非表示領域にイオン吸着力の大
きい材料からなるイオントラップ電極領域を設けること
を特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項4】 行電極を形成する第1の基板と、列電極
を形成する第2の基板と、第1の基板と第2の基板の行
電極と列電極の非形成面側に偏光軸がほぼ直交するよう
に形成する偏光板と、第1の基板と第2の基板との間に
封入する液晶とを備え、液晶封入口の反対側の非表示領
域にイオントラップ電極領域を設けることを特徴とする
液晶表示装置。 - 【請求項5】 スイッチング素子と表示電極と駆動電極
とを形成する第1の基板と、対向電極を形成する第2の
基板と、第1の基板と第2の基板との駆動電極と表示電
極と対向電極との非形成面側に偏光軸がほぼ直交するよ
うに形成する偏光板と、第1の基板と第2の基板との間
に封入する液晶とを備え、液晶封入口の反対側の非表示
領域にイオントラップ電極領域を設けることを特徴とす
る液晶表示装置。 - 【請求項6】 行電極を形成する第1の基板と、列電極
を形成する第2の基板と、第1の基板と第2の基板の行
電極と列電極の非形成面側に偏光軸がほぼ直交するよう
に形成する偏光板と、第1の基板と第2の基板との間に
封入する液晶とを備え、液晶封入口の反対側の非表示領
域にイオン吸着力の大きい材料で被覆したイオントラッ
プ電極領域を設けることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項7】 行電極を形成する第1の基板と、列電極
を形成する第2の基板と、第1の基板と第2の基板の行
電極と列電極の非形成面側に偏光軸がほぼ直交するよう
に形成する偏光板と、第1の基板と第2の基板との間に
封入する液晶とを備え、非表示領域に金属材料からなる
イオントラップ電極領域を設けることを特徴とする液晶
表示装置。 - 【請求項8】 スイッチング素子と表示電極と駆動電極
とを形成する第1の基板と、対向電極を形成する第2の
基板と、第1の基板と第2の基板との駆動電極と表示電
極と対向電極との非形成面側に偏光軸がほぼ直交するよ
うに形成する偏光板と、第1の基板と第2の基板との間
に封入する液晶とを備え、非表示領域に金属材料からな
るイオントラップ電極領域を設けることを特徴とする液
晶表示装置。 - 【請求項9】 行電極を形成する第1の基板と、列電極
を形成する第2の基板と、第1の基板と第2の基板の行
電極と列電極の非形成面側に偏光軸がほぼ直交するよう
に形成する偏光板と、第1の基板と第2の基板との間に
封入する液晶とを備え、非表示領域にイオン吸着力の大
きい有機樹脂膜を被覆したイオントラップ電極領域を設
けることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項10】 行電極を形成する第1の基板と、列電
極を形成する第2の基板と、第1の基板と第2の基板の
行電極と列電極の非形成面側に偏光軸がほぼ直交するよ
うに形成する偏光板と、第1の基板と第2の基板との間
に封入する液晶とを備え、表示領域にイオン吸着力の小
さい配向剤を設け、非表示領域にイオン吸着力の大きい
材料からなるイオントラップ電極領域を設けることを特
徴とする液晶表示装置。 - 【請求項11】 行電極を形成する第1の基板と、列電
極を形成する第2の基板と、第1の基板と第2の基板の
行電極と列電極の非形成面側に偏光軸がほぼ直交するよ
うに形成する偏光板と、第1の基板と第2の基板との間
に封入する液晶とを備え、非表示領域に垂直配向剤を被
覆したイオントラップ電極領域を設けることを特徴とす
る液晶表示装置。 - 【請求項12】 行電極を形成する第1の基板と、列電
極を形成する第2の基板と、第1の基板と第2の基板の
行電極と列電極の非形成面側に偏光軸がほぼ直交するよ
うに形成する偏光板と、第1の基板と第2の基板との間
に封入する液晶とを備え、非表示領域に第1のイオント
ラップ電極と第2のイオントラップ電極とからなるイオ
ントラップ電極領域を設けることを特徴とする液晶表示
装置。 - 【請求項13】 スイッチング素子と表示電極と駆動電
極とを形成する第1の基板と、対向電極を形成する第2
の基板と、第1の基板と第2の基板との駆動電極と表示
電極と対向電極との非形成面側に偏光軸がほぼ直交する
ように形成する偏光板と、第1の基板と第2の基板との
間に封入する液晶とを備え、非表示領域に第1のイオン
トラップ電極と第2のイオントラップ電極とからなるイ
オントラップ電極領域を設けることを特徴とする液晶表
示装置。 - 【請求項14】 行電極を形成する第1の基板と、列電
極を形成する第2の基板と、第1の基板と第2の基板の
行電極と列電極の非形成面側に偏光軸がほぼ直交するよ
うに形成する偏光板と、第1の基板と第2の基板との間
に封入する液晶とを備え、非表示領域に第1のイオント
ラップ電極と第2のイオントラップ電極とからなりイオ
ン吸着力の大きい材料からなるイオントラップ電極領域
を設けることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項15】 行電極を形成する第1の基板と、列電
極を形成する第2の基板と、第1の基板と第2の基板の
行電極と列電極の非形成面側に偏光軸がほぼ直交するよ
うに形成する偏光板と、第1の基板と第2の基板との間
に封入する液晶とを備え、液晶封入口の反対側の非表示
領域に第1のイオントラップ電極と第2のイオントラッ
プ電極とからなるイオントラップ電極領域を設けること
を特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項16】 スイッチング素子と表示電極と駆動電
極とを形成する第1の基板と、対向電極を形成する第2
の基板と、第1の基板と第2の基板との駆動電極と表示
電極と対向電極との非形成面側に偏光軸がほぼ直交する
ように形成する偏光板と、第1の基板と第2の基板との
間に封入する液晶とを備え、液晶封入口の反対側の非表
示領域に第1のイオントラップ電極と第2のイオントラ
ップ電極とからなるイオントラップ電極領域を設けるこ
とを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項17】 行電極を形成する第1の基板と、列電
極を形成する第2の基板と、第1の基板と第2の基板の
行電極と列電極の非形成面側に偏光軸がほぼ直交するよ
うに形成する偏光板と、第1の基板と第2の基板との間
に封入する液晶とを備え、液晶封入口の反対側の非表示
領域に第1のイオントラップ電極と第2のイオントラッ
プ電極とからなりイオン吸着力の大きい材料で被覆した
イオントラップ電極領域を設けることを特徴とする液晶
表示装置。 - 【請求項18】 行電極を形成する第1の基板と、列電
極を形成する第2の基板と、第1の基板と第2の基板の
行電極と列電極の非形成面側に偏光軸がほぼ直交するよ
うに形成する偏光板と、第1の基板と第2の基板との間
に封入する液晶とを備え、非表示領域に第1のイオント
ラップ電極と第2のイオントラップ電極とからなり金属
材料からなるイオントラップ電極領域を設けることを特
徴とする液晶表示装置。 - 【請求項19】 スイッチング素子と表示電極と駆動電
極とを形成する第1の基板と、対向電極を形成する第2
の基板と、第1の基板と第2の基板との駆動電極と表示
電極と対向電極との非形成面側に偏光軸がほぼ直交する
ように形成する偏光板と、第1の基板と第2の基板との
間に封入する液晶とを備え、非表示領域に第1のイオン
トラップ電極と第2のイオントラップ電極とからなり金
属材料からなるイオントラップ電極領域を設けることを
特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項20】 行電極を形成する第1の基板と、列電
極を形成する第2の基板と、第1の基板と第2の基板の
行電極と列電極の非形成面側に偏光軸がほぼ直交するよ
うに形成する偏光板と、第1の基板と第2の基板との間
に封入する液晶とを備え、非表示領域に第1のイオント
ラップ電極と第2のイオントラップ電極とからなりイオ
ン吸着力の大きい有機樹脂膜を被覆したイオントラップ
電極領域を設けることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項21】 行電極を形成する第1の基板と、列電
極を形成する第2の基板と、第1の基板と第2の基板の
行電極と列電極の非形成面側に偏光軸がほぼ直交するよ
うに形成する偏光板と、第1の基板と第2の基板との間
に封入する液晶とを備え、表示領域にイオン吸着力の小
さい配向剤を設け、非表示領域に第1のイオントラップ
電極と第2のイオントラップ電極とからなりイオン吸着
力の大きい材料からなるイオントラップ電極領域を設け
ることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項22】 行電極を形成する第1の基板と、列電
極を形成する第2の基板と、第1の基板と第2の基板の
行電極と列電極の非形成面側に偏光軸がほぼ直交するよ
うに形成する偏光板と、第1の基板と第2の基板との間
に封入する液晶とを備え、非表示領域に第1のイオント
ラップ電極と第2のイオントラップ電極とからなり垂直
配向剤を被覆したイオントラップ電極領域を設けること
を特徴とする液晶表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1165195A JPH08201830A (ja) | 1995-01-27 | 1995-01-27 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1165195A JPH08201830A (ja) | 1995-01-27 | 1995-01-27 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08201830A true JPH08201830A (ja) | 1996-08-09 |
Family
ID=11783873
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1165195A Pending JPH08201830A (ja) | 1995-01-27 | 1995-01-27 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH08201830A (ja) |
Cited By (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH095780A (ja) * | 1995-06-14 | 1997-01-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | アクティブマトリクス方式液晶表示装置 |
JP2001183683A (ja) * | 1999-10-05 | 2001-07-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示パネルならびにその製造方法および駆動方法 |
US6803976B1 (en) | 1999-05-25 | 2004-10-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | LCD having electrode(s) outside display area which adsorb ionic impurities |
JP2005285445A (ja) * | 2004-03-29 | 2005-10-13 | Dainippon Printing Co Ltd | 液晶性有機半導体材料およびそれを用いた有機半導体構造物 |
EP1695138A2 (en) * | 2003-12-15 | 2006-08-30 | Agilent Technologies, Inc. | Liquid crystal cell that resists degradation from exposure to radiation |
JP2007156416A (ja) * | 2005-12-06 | 2007-06-21 | Samsung Electronics Co Ltd | 表示装置 |
JP2007256796A (ja) * | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 液晶表示装置 |
CN100406981C (zh) * | 2005-06-10 | 2008-07-30 | 乐金显示有限公司 | 液晶显示装置及其制造方法 |
EP2003637A2 (en) | 2007-06-12 | 2008-12-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display apparatus |
US7483110B2 (en) | 2004-03-25 | 2009-01-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device |
JP2010026032A (ja) * | 2008-07-16 | 2010-02-04 | Mitsubishi Electric Corp | 液晶表示装置 |
CN101655624A (zh) * | 2008-08-20 | 2010-02-24 | 三星电子株式会社 | 液晶显示器及其制造方法 |
JP2010152261A (ja) * | 2008-12-26 | 2010-07-08 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置の駆動方法、電気光学装置および電子機器 |
US20100225632A1 (en) * | 2009-03-06 | 2010-09-09 | Beijing Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Liquid crystal display |
US8068079B2 (en) | 2007-10-18 | 2011-11-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display apparatus |
US8081153B2 (en) | 2006-08-30 | 2011-12-20 | Sony Corporation | Liquid crystal display device and video display device |
US8144277B2 (en) | 2008-05-02 | 2012-03-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device |
JP2013041130A (ja) * | 2011-08-17 | 2013-02-28 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及び電子機器 |
US8786810B2 (en) | 2010-10-12 | 2014-07-22 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal device and electronic apparatus |
US8873126B2 (en) | 2011-07-21 | 2014-10-28 | Seiko Epson Corporation | Electrooptic device and electronic apparatus |
US10002557B2 (en) | 2016-05-19 | 2018-06-19 | Japan Display Inc. | Display device |
JP2018124480A (ja) * | 2017-02-02 | 2018-08-09 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
JP2018138942A (ja) * | 2017-02-24 | 2018-09-06 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、および電気光学装置の駆動方法 |
JP2019139098A (ja) * | 2018-02-13 | 2019-08-22 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
-
1995
- 1995-01-27 JP JP1165195A patent/JPH08201830A/ja active Pending
Cited By (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH095780A (ja) * | 1995-06-14 | 1997-01-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | アクティブマトリクス方式液晶表示装置 |
US6803976B1 (en) | 1999-05-25 | 2004-10-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | LCD having electrode(s) outside display area which adsorb ionic impurities |
JP2001183683A (ja) * | 1999-10-05 | 2001-07-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示パネルならびにその製造方法および駆動方法 |
EP1695138A4 (en) * | 2003-12-15 | 2007-09-05 | Agilent Technologies Inc | LIQUID CRYSTAL CELL RESISTING FROM IRRITATION BY RADIATION EXPOSURE |
EP1695138A2 (en) * | 2003-12-15 | 2006-08-30 | Agilent Technologies, Inc. | Liquid crystal cell that resists degradation from exposure to radiation |
US7483110B2 (en) | 2004-03-25 | 2009-01-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device |
JP2005285445A (ja) * | 2004-03-29 | 2005-10-13 | Dainippon Printing Co Ltd | 液晶性有機半導体材料およびそれを用いた有機半導体構造物 |
CN100406981C (zh) * | 2005-06-10 | 2008-07-30 | 乐金显示有限公司 | 液晶显示装置及其制造方法 |
JP2007156416A (ja) * | 2005-12-06 | 2007-06-21 | Samsung Electronics Co Ltd | 表示装置 |
US7791680B2 (en) * | 2005-12-06 | 2010-09-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Display apparatus having an impurity adsorption electrode disposed in a display area |
JP2007256796A (ja) * | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 液晶表示装置 |
KR101511377B1 (ko) * | 2006-08-30 | 2015-04-10 | 소니 주식회사 | 액정 표시 장치 및 영상 표시 장치 |
US8081153B2 (en) | 2006-08-30 | 2011-12-20 | Sony Corporation | Liquid crystal display device and video display device |
EP2003637A2 (en) | 2007-06-12 | 2008-12-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display apparatus |
US8330694B2 (en) | 2007-06-12 | 2012-12-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display apparatus |
US8068079B2 (en) | 2007-10-18 | 2011-11-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display apparatus |
US8144277B2 (en) | 2008-05-02 | 2012-03-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device |
US9142172B2 (en) | 2008-05-02 | 2015-09-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device |
JP2010026032A (ja) * | 2008-07-16 | 2010-02-04 | Mitsubishi Electric Corp | 液晶表示装置 |
CN101655624A (zh) * | 2008-08-20 | 2010-02-24 | 三星电子株式会社 | 液晶显示器及其制造方法 |
US8525963B2 (en) * | 2008-08-20 | 2013-09-03 | Samsung Display Co., Ltd. | Liquid crystal display and method of manufacturing the same |
KR101475299B1 (ko) * | 2008-08-20 | 2014-12-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
JP2010152261A (ja) * | 2008-12-26 | 2010-07-08 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置の駆動方法、電気光学装置および電子機器 |
US9360711B2 (en) * | 2009-03-06 | 2016-06-07 | Beijing Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Liquid crystal display |
US20100225632A1 (en) * | 2009-03-06 | 2010-09-09 | Beijing Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Liquid crystal display |
US8786810B2 (en) | 2010-10-12 | 2014-07-22 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal device and electronic apparatus |
US8873126B2 (en) | 2011-07-21 | 2014-10-28 | Seiko Epson Corporation | Electrooptic device and electronic apparatus |
JP2013041130A (ja) * | 2011-08-17 | 2013-02-28 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及び電子機器 |
US10002557B2 (en) | 2016-05-19 | 2018-06-19 | Japan Display Inc. | Display device |
JP2018124480A (ja) * | 2017-02-02 | 2018-08-09 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
JP2018138942A (ja) * | 2017-02-24 | 2018-09-06 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、および電気光学装置の駆動方法 |
JP2019139098A (ja) * | 2018-02-13 | 2019-08-22 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
WO2019159523A1 (ja) * | 2018-02-13 | 2019-08-22 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置及び液晶表示装置 |
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