JP2019139098A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】信頼性の低下を抑制できる表示装置を提供する。【解決手段】表示部ＤＡと、前記表示部の周辺に位置する非表示部ＮＤＡと、前記非表示部に位置する第１金属配線ＳＬ１と、前記第１金属配線の上に位置する絶縁層と、前記絶縁層の上に位置し、前記第１金属配線と同電位であり、前記第１金属配線と重畳する第１透明導電膜ＷＬ１と、前記第１透明導電膜と前記表示部との間に位置し、前記第１透明導電膜とは異なる電位の第２透明導電膜ＷＬ２と、を備え、前記第１透明導電膜は、前記第２透明導電膜に対向する第１エッジＥＧ１１を有し、前記第２透明導電膜は、前記第１透明導電膜に対向する第２エッジＥＧ１２を有し、前記第１金属配線は、平面視において、前記第１エッジと前記第２エッジとの間に位置する第３エッジＥＧ１３を有する、表示装置。【選択図】図７Ａ

Description

本発明の実施形態は、表示装置に関する。

近年、表示装置の表示品位を向上するための技術が種々検討されている。一例では、表示領域の外側に二つの壁を形成し、二つの壁の上にそれぞれ形成された電極に異なる電位を印加し、二つの壁の間に不純物イオンを捕捉する技術が開示されている。その他の例では、額縁領域に形成された３つの電極にそれぞれ異なる電位を印加し、不純物イオンを額縁領域に捕捉する技術が開示されている。

特開２０１７−９０７９４号公報 特開２０１７−１１１３９６号公報

本実施形態の目的は、信頼性の低下を抑制できる表示装置を提供することにある。

本実施形態によれば、
表示部と、
前記表示部の周辺に位置する非表示部と、
前記非表示部に位置する第１金属配線と、
前記第１金属配線の上に位置する絶縁層と、
前記絶縁層の上に位置し、前記第１金属配線と同電位であり、前記第１金属配線と重畳する第１透明導電膜と、
前記第１透明導電膜と前記表示部との間に位置し、前記第１透明導電膜とは異なる電位の第２透明導電膜と、を備え、
前記第１透明導電膜は、前記第２透明導電膜に対向する第１エッジを有し、
前記第２透明導電膜は、前記第１透明導電膜に対向する第２エッジを有し、
前記第１金属配線は、平面視において、前記第１エッジと前記第２エッジとの間に位置する第３エッジを有する、表示装置が提供される。

図１は、本実施形態の表示装置ＤＳＰの外観を示す平面図である。 図２は、タッチセンサＴＳの一構成例を示す平面図である。 図３は、図２に示したセンサ電極Ｒｘ及び画素ＰＸを示す平面図である。 図４は、画素ＰＸの基本構成及び等価回路を示す図である。 図５は、画素レイアウトの一例を示す平面図である。 図６は、図５に示したＥ−Ｆ線に沿った表示パネルＰＮＬの断面図である。 図７Ａは、図１に示した非表示部ＮＤＡのうち直線部Ｅ１３に沿った領域ＡＲ１を拡大した平面図である。 図７Ｂは、図７Ａに示した突出部ＳＬＥ１及びその周辺を拡大した平面図である。 図８は、図１に示した非表示部ＮＤＡのうちラウンド部Ｒ１１に沿った領域ＡＲ２を拡大した平面図である。 図９は、図８に示したＧ−Ｈ線に沿った表示パネルＰＮＬの断面図を示す図である。 図１０は、金属配線ＳＬ１の突出率（％）と電界強度との関係を示した図である。 図１１は、図１に示した非表示部ＮＤＡのうち直線部Ｅ１１に沿った領域ＡＲ３を拡大した平面図である。 図１２は、表示装置ＤＳＰの他の構成例を示す平面図である。

以下、本実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。

本実施形態においては、表示装置ＤＳＰの一例として、液晶表示装置について説明する。なお、本実施形態にて開示する主要な構成は、有機エレクトロルミネッセンス表示素子等を有する自発光型の表示装置、電気泳動素子等を有する電子ペーパ型の表示装置、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）を応用した表示装置、或いはエレクトロクロミズムを応用した表示装置などにも適用可能である。

図１は、本実施形態の表示装置ＤＳＰの外観を示す平面図である。一例では、第１方向Ｘ、第２方向Ｙ、及び、第３方向Ｚは、互いに直交しているが、９０度以外の角度で交差していてもよい。第１方向Ｘ及び第２方向Ｙは、表示装置ＤＳＰを構成する基板の主面と平行な方向に相当し、第３方向Ｚは、表示装置ＤＳＰの厚さ方向に相当する。本明細書において、第３方向Ｚを示す矢印の先端に向かう方向を上方（あるいは、単に上）と称し、矢印の先端から逆に向かう方向を下方（あるいは、単に下）と称する。また、第３方向Ｚを示す矢印の先端側に表示装置ＤＳＰを観察する観察位置があるものとし、この観察位置から、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙで規定されるＸ−Ｙ平面に向かって見ることを平面視という。

ここでは、Ｘ−Ｙ平面における表示装置ＤＳＰの平面図を示している。表示装置ＤＳＰは、表示パネルＰＮＬと、フレキシブルプリント回路基板１と、ＩＣチップ２と、を備えている。

表示パネルＰＮＬは、液晶表示パネルであり、第１基板ＳＵＢ１と、第２基板ＳＵＢ２と、後述する液晶層ＬＣと、シールＳＥと、遮光層ＬＳと、を備えている。表示パネルＰＮＬは、画像を表示する表示部ＤＡと、表示部ＤＡを囲む額縁状の非表示部ＮＤＡとを備えている。第２基板ＳＵＢ２は、第１基板ＳＵＢ１に対向している。第１基板ＳＵＢ１は、第２基板ＳＵＢ２よりも第２方向Ｙに延出した実装部ＭＡを有している。
シールＳＥは、非表示部ＮＤＡに位置し、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とを接着するとともに、液晶層ＬＣを封止している。遮光層ＬＳは、非表示部ＮＤＡに位置している。シールＳＥは、平面視で、遮光層ＬＳと重畳する位置に設けられている。図１において、シールＳＥが配置された領域と、遮光層ＬＳが配置された領域とでは、互いに異なる斜線で示し、シールＳＥと遮光層ＬＳとが重畳する領域はクロスハッチングで示している。遮光層ＬＳは、第２基板ＳＵＢ２に設けられている。

表示部ＤＡは、遮光層ＬＳによって囲まれた内側に位置している。表示部ＤＡは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにマトリクス状に配置された複数の画素ＰＸを備えている。表示部ＤＡは、第１方向Ｘに沿って延出した一対の縁部Ｅ１及びＥ２と、第２方向Ｙに沿って延出した一対の縁部Ｅ３及びＥ４と、４つのラウンド部Ｒ１乃至Ｒ４と、を有している。表示パネルＰＮＬは、第１方向Ｘに沿って延出した一対の直線部Ｅ１１及びＥ１２と、第２方向Ｙに沿って延出した一対の直線部Ｅ１３及びＥ１４と、２つのラウンド部Ｒ１１及びＲ１２と、を有している。ラウンド部Ｒ１１及びＲ１２は、それぞれラウンド部Ｒ１及びＲ２の外側に位置している。ラウンド部Ｒ１１の曲率半径は、ラウンド部Ｒ１の曲率半径と同一であってもよいし、異なっていてもよい。

フレキシブルプリント回路基板１及びＩＣチップ２は、実装部ＭＡに実装されている。なお、ＩＣチップ２は、フレキシブルプリント回路基板１に実装されてもよい。ＩＣチップ２は、画像を表示する表示モードにおいて画像表示に必要な信号を出力するディスプレイドライバＤＤを内蔵している。図示した例では、ＩＣチップ２は、表示装置ＤＳＰへの物体の接近又は接触を検出するタッチセンシングモードを制御するタッチコントローラＴＣを内蔵している。

本実施形態の表示パネルＰＮＬは、第１基板ＳＵＢ１の背面側からの光を選択的に透過させることで画像を表示する透過表示機能を備えた透過型、第２基板ＳＵＢ２の前面側からの光を選択的に反射させることで画像を表示する反射表示機能を備えた反射型、あるいは、透過表示機能及び反射表示機能を備えた半透過型のいずれであってもよい。
また、表示パネルＰＮＬの詳細な構成について、ここでは説明を省略するが、表示パネルＰＮＬは、基板主面に沿った横電界を利用する表示モード、基板主面の法線に沿った縦電界を利用する表示モード、基板主面に対して斜め方向に傾斜した傾斜電界を利用する表示モード、さらには、上記の横電界、縦電界、及び、傾斜電界を適宜組み合わせて利用する表示モードに対応したいずれの構成を備えていてもよい。ここでの基板主面とは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙで規定されるＸ−Ｙ平面と平行な面である。

図２は、タッチセンサＴＳの一構成例を示す平面図である。ここでは、自己容量方式のタッチセンサＴＳについて説明するが、タッチセンサＴＳは相互容量方式であってもよい。タッチセンサＴＳは、複数のセンサ電極Ｒｘ（Ｒｘ１、Ｒｘ２…）と、複数のセンサ配線Ｌ（Ｌ１、Ｌ２…）と、を備えている。複数のセンサ電極Ｒｘは、表示部ＤＡに位置し、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにマトリクス状に配置されている。１つのセンサ電極Ｒｘは、タッチセンシングが可能な最小単位であるセンサブロックを構成している。複数のセンサ配線Ｌは、表示部ＤＡにおいて、それぞれ第２方向Ｙに沿って延出し、第１方向Ｘに並んでいる。センサ配線Ｌの各々は、例えば後述する信号線Ｓと重畳する位置に設けられている。また、センサ配線Ｌの各々は、非表示部ＮＤＡに引き出され、ＩＣチップ２に電気的に接続されている。

ここで、第１方向Ｘに並んだセンサ配線Ｌ１乃至Ｌ３と、第２方向Ｙに並んだセンサ電極Ｒｘ１乃至Ｒｘ３との関係に着目する。センサ配線Ｌ１は、センサ電極Ｒｘ１乃至Ｒｘ３と重畳し、センサ電極Ｒｘ１と電気的に接続されている。
センサ配線Ｌ２は、センサ電極Ｒｘ２及びＲｘ３と重畳し、センサ電極Ｒｘ２と電気的に接続されている。ダミー配線Ｄ２０は、センサ配線Ｌ２から離間している。ダミー配線Ｄ２０は、センサ電極Ｒｘ１と重畳し、センサ電極Ｒｘ１と電気的に接続されている。センサ配線Ｌ２及びダミー配線Ｄ２０は、同一の信号線上に位置している。
センサ配線Ｌ３は、センサ電極Ｒｘ３と重畳し、センサ電極Ｒｘ３と電気的に接続されている。ダミー配線Ｄ３１は、センサ電極Ｒｘ１と重畳し、センサ電極Ｒｘ１と電気的に接続されている。ダミー配線Ｄ３２は、ダミー配線Ｄ３１及びセンサ配線Ｌ３から離間している。ダミー配線Ｄ３２は、センサ電極Ｒｘ２と重畳し、センサ電極Ｒｘ２と電気的に接続されている。センサ配線Ｌ３、ダミー配線Ｄ３１及びＤ３２は、同一の信号線上に位置している。

タッチセンシングモードにおいては、タッチコントローラＴＣは、センサ配線Ｌにタッチ駆動電圧を印加する。これにより、センサ電極Ｒｘにはタッチ駆動電圧が印加され、センサ電極Ｒｘでのセンシングが行われる。センサ電極Ｒｘでのセンシング結果に対応したセンサ信号は、センサ配線Ｌを介してタッチコントローラＴＣに出力される。タッチコントローラＴＣあるいは外部のホストは、センサ信号に基づいて、表示装置ＤＳＰへの物体の接近又は接触の有無及び物体の位置座標を検出する。
なお、表示モードにおいては、センサ電極Ｒｘは、コモン電圧（Ｖｃｏｍ）が印加された共通電極ＣＥとして機能する。コモン電圧は、例えばディスプレイドライバＤＤに含まれる電圧供給部からセンサ配線Ｌを介して印加される。

非表示部ＮＤＡにおいては、配線ＷＬ１乃至ＷＬ３が配置されている。図示した例では、配線ＷＬ１乃至ＷＬ３は、直線部Ｅ１３、ラウンド部Ｒ１１、直線部Ｅ１１、ラウンド部Ｒ１２、及び、直線部Ｅ１４に沿って配置されている。配線ＷＬ１乃至ＷＬ３のうち、配線ＷＬ２が最も表示部ＤＡに近接している。配線ＷＬ１は、配線ＷＬ２と配線ＷＬ３との間に位置している。
一例では、配線ＷＬ１は透明導電材料により形成された線状の第１透明導電膜（以下、第１配線と称する場合がある）に相当し、配線ＷＬ２は透明導電材料により形成された線状の第２透明導電膜（以下、第２配線と称する場合がある）に相当し、配線ＷＬ３は透明導電材料により形成された線状の第３透明導電膜（以下、第３配線と称する場合がある）に相当する。配線ＷＬ１の電位は、配線ＷＬ２及び配線ＷＬ３の電位とは異なり、例えば固定電位である。また、配線ＷＬ２の電位は、配線ＷＬ３の電位と同電位である。例えば、配線ＷＬ２には、コモン電圧が印加される。配線ＷＬ１の電位は、配線ＷＬ２の電位に対して相対的に低電位であってもよいし、高電位であってもよい。配線ＷＬ１は、その電位が配線ＷＬ２の電位よりも低電位である場合に、正極性の不純物イオンを捕捉するイオントラップ配線として機能する。あるいは、配線ＷＬ１は、その電位が配線ＷＬ２の電位よりも高電位である場合に、負極性の不純物イオンを捕捉するイオントラップ配線として機能する。

図３は、図２に示したセンサ電極Ｒｘ及び画素ＰＸを示す平面図である。図３において、第２方向Ｙに対して反時計回りに鋭角に交差する方向を方向Ｄ１と定義し、第２方向Ｙに対して時計回りに鋭角に交差する方向を方向Ｄ２と定義する。なお、第２方向Ｙと方向Ｄ１とのなす角度θ１は、第２方向Ｙと方向Ｄ２とのなす角度θ２とほぼ同一である。

１つのセンサ電極Ｒｘは、複数の画素ＰＸに亘って配置されている。図示した例では、第２方向Ｙに沿って奇数行目に位置する画素ＰＸは、方向Ｄ１に沿って延出している。また、第２方向Ｙに沿って偶数行目に位置する画素ＰＸは、方向Ｄ２に沿って延出している。なお、ここでの画素ＰＸとは、画素信号に応じて個別に制御することができる最小単位を示し、副画素と称する場合がある。また、カラー表示を実現するための最小単位を主画素ＭＰと称する場合がある。主画素ＭＰは、互いに異なる色を表示する複数の副画素ＰＸを備えて構成されるものである。一例では、主画素ＭＰは、副画素ＰＸとして、赤色を表示する赤画素、緑色を表示する緑画素、及び、青色を表示する青画素を備えている。また、主画素ＭＰは、白色を表示する白画素を備えていてもよい。
一例では、１つのセンサ電極Ｒｘには、第１方向Ｘに沿って６０〜７０個の主画素ＭＰが配置され、第２方向に沿って６０〜７０個の主画素ＭＰが配置されている。

図４は、画素ＰＸの基本構成及び等価回路を示す図である。複数本の走査線Ｇは、走査線駆動回路ＧＤに接続されている。複数本の信号線Ｓは、信号線駆動回路ＳＤに接続されている。なお、走査線Ｇ及び信号線Ｓは、必ずしも直線的に延出していなくてもよく、それらの一部が屈曲していてもよい。例えば、信号線Ｓは、その一部が屈曲していたとしても、第２方向Ｙに延出しているものとする。

共通電極ＣＥは、センサブロックＢ毎にそれぞれ設けられている。共通電極ＣＥは、コモン電圧（Ｖｃｏｍ）の電圧供給部ＣＤに接続され、複数の画素ＰＸに亘って配置されている。また、共通電極ＣＥは、それぞれ上記の通りタッチコントローラＴＣにも接続され、センサ電極Ｒｘとしても機能する。
各画素ＰＸは、スイッチング素子ＳＷ、画素電極ＰＥ、共通電極ＣＥ、液晶層ＬＣ等を備えている。スイッチング素子ＳＷは、例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）によって構成され、走査線Ｇ及び信号線Ｓと電気的に接続されている。走査線Ｇは、第１方向Ｘに並んだ画素ＰＸの各々におけるスイッチング素子ＳＷのゲート電極ＧＥと電気的に接続されている。信号線Ｓは、第２方向Ｙに並んだ画素ＰＸの各々におけるスイッチング素子ＳＷのソース電極ＳＥと電気的に接続されている。画素電極ＰＥは、スイッチング素子ＳＷのドレイン電極ＤＥと電気的に接続されている。画素電極ＰＥの各々は、共通電極ＣＥと対向し、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に生じる電界によって液晶層ＬＣを駆動している。保持容量ＣＳは、例えば、共通電極ＣＥと同電位の電極、及び、画素電極ＰＥと同電位の電極の間に形成される。

図５は、画素レイアウトの一例を示す平面図である。走査線Ｇ１乃至Ｇ３は、それぞれ第１方向Ｘに沿って直線的に延出し、第２方向Ｙに間隔を置いて並んでいる。信号線Ｓ１乃至Ｓ７は、それぞれ概ね第２方向Ｙに沿って延出し、第１方向Ｘに間隔をおいて並んでいる。

走査線Ｇ１及びＧ２の間には、赤画素ＰＲ１、緑画素ＰＧ１、青画素ＰＢ１、赤画素ＰＲ１、緑画素ＰＧ１、及び、白画素ＰＷ１が第１方向Ｘに沿ってこの順に並んでいる。
走査線Ｇ１及びＧ２の間において、信号線Ｓ１乃至Ｓ３は等しい間隔Ｗ１で配置され、信号線Ｓ４乃至Ｓ７は等しい間隔Ｗ１で配置され、信号線Ｓ３及びＳ４の間隔Ｗ２は間隔Ｗ１より大きい。青画素ＰＢ１は、信号線Ｓ３及びＳ４の間に位置している。なお、間隔Ｗ１及びＷ２は、いずれも第１方向Ｘに沿った長さである。
赤画素ＰＲ１及び緑画素ＰＧ１には、それぞれ同一形状の画素電極ＰＥ１１が配置され、青画素ＰＢ１には、画素電極ＰＥ１１より大きな画素電極ＰＥ１２が配置され、白画素ＰＷ１には、画素電極ＰＥ１１より小さな画素電極ＰＥ１３が配置されている。第１方向Ｘに沿った長さＬｘについて、画素電極ＰＥ１１及びＰＥ１３は等しい長さＬｘ１を有し、画素電極ＰＥ１２は長さＬｘ１より長い長さＬｘ２を有している。第２方向Ｙに沿った長さＬｙについて、画素電極ＰＥ１１は長さＬｙ１を有し、画素電極ＰＥ１２は長さＬｙ１より長い長さＬｙ２を有し、画素電極ＰＥ１３は長さＬｙ１より短い長さＬｙ３を有している。画素電極ＰＥ１１及びＰＥ１３は、走査線Ｇ１及びＧ２の間に位置している。画素電極ＰＥ１２は、走査線Ｇ１及びＧ２の間に位置するとともに、走査線Ｇ２と交差している。
画素電極ＰＥ１１乃至ＰＥ１３は、それぞれ方向Ｄ１に沿って延出した帯電極Ｐａ１乃至Ｐａ３を有している。図示した例では、帯電極Ｐａ１及びＰａ３は２本であり、帯電極Ｐａ２は３本である。帯電極Ｐａ１乃至Ｐａ３は、走査線Ｇ１及びＧ２の間に位置している。方向Ｄ１に沿った長さＬｄについて、帯電極Ｐａ１は長さＬｄ１を有し、帯電極Ｐａ２は長さＬｄ１より長い長さＬｄ２を有し、帯電極Ｐａ３は長さＬｄ１より短い長さＬｄ３を有している。

走査線Ｇ２及びＧ３の間には、赤画素ＰＲ２、緑画素ＰＧ２、白画素ＰＷ２、赤画素ＰＲ２、緑画素ＰＧ２、及び、青画素ＰＢ２が第１方向Ｘに沿ってこの順に並んでいる。赤画素ＰＲ１及びＰＲ２、緑画素ＰＧ１及びＰＧ２、青画素ＰＢ１及び白画素ＰＷ２、及び、白画素ＰＷ１及び青画素ＰＢ２は、それぞれ第２方向Ｙに並んでいる。
走査線Ｇ２及びＧ３の間において、信号線Ｓ１乃至Ｓ６は等しい間隔Ｗ１で配置され、信号線Ｓ６及びＳ７の間隔Ｗ２は間隔Ｗ１より大きい。青画素ＰＢ２は、信号線Ｓ６及びＳ７の間に位置している。
詳述しないが、赤画素ＰＲ２及び緑画素ＰＧ２には、それぞれ同一形状の画素電極ＰＥ２１が配置され、青画素ＰＢ２には、画素電極ＰＥ２１より大きな画素電極ＰＥ２２が配置され、白画素ＰＷ２には、画素電極ＰＥ２１より小さな画素電極ＰＥ２３が配置されている。画素電極ＰＥ２１乃至ＰＥ２３は、それぞれ方向Ｄ２に沿って延出した帯電極Ｐｂ１乃至Ｐｂ３を有している。画素電極ＰＥ２１乃至ＰＥ２３は、それぞれ画素電極ＰＥ１１乃至ＰＥ１３と同様の形状を有している。なお、帯電極Ｐｂ３の第１方向Ｘに沿った幅は、帯電極Ｐｂ１の第１方向Ｘに沿った幅よりも大きい。また、帯電極Ｐｂ２の第１方向Ｘに沿った幅は、帯電極Ｐｂ１の第１方向Ｘに沿った幅よりも小さい。

図６は、図５に示したＥ−Ｆ線に沿った表示パネルＰＮＬの断面図である。図示した例は、横電界を利用する表示モードの一つであるＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ Ｆｉｅｌｄ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードが適用された例に相当する。

第１基板ＳＵＢ１は、絶縁基板１０、絶縁層１１乃至１６、信号線Ｓ４及びＳ５、金属配線ＭＬ４及びＭＬ５、共通電極ＣＥ、画素電極ＰＥ１１、配向膜ＡＬ１などを備えている。
絶縁基板１０は、ガラス基板や可撓性の樹脂基板などの光透過性を有する基板である。絶縁層１１は、絶縁基板１０の上に位置している。絶縁層１２は、絶縁層１１の上に位置している。絶縁層１３は、絶縁層１２の上に位置している。なお、図示しないが、スイッチング素子ＳＷが有する半導体層は、絶縁層１１と絶縁層１２との間に位置している。また、走査線Ｇは、絶縁層１２と絶縁層１３との間に位置している。
信号線Ｓ４及びＳ５は、絶縁層１３の上に位置し、絶縁層１４によって覆われている。
なお、信号線Ｓ４及びＳ５は、図示しない他の信号線Ｓと同一層に位置している。信号線Ｓ４及びＳ５は、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）などの金属材料や、これらの金属材料を組み合わせた合金などによって形成され、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。一例では、信号線Ｓ４及びＳ５は、チタン（Ｔｉ）を含む層、アルミニウム（Ａｌ）を含む層、及び、チタン（Ｔｉ）を含む層を順に積層した積層体である。

金属配線ＭＬ４及びＭＬ５は、絶縁層１４の上に位置し、絶縁層１５によって覆われている。金属配線ＭＬ４は信号線Ｓ４の直上に位置し、金属配線ＭＬ５は信号線Ｓ５の直上に位置している。金属配線ＭＬ４及びＭＬ５は、上記の金属材料や、上記の金属材料を組み合わせた合金などによって形成され、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。一例では、金属配線ＭＬ４及びＭＬ５は、チタン（Ｔｉ）を含む層、アルミニウム（Ａｌ）を含む層、及び、チタン（Ｔｉ）を含む層を順に積層した積層体、あるいは、モリブデン（Ｍｏ）を含む層、アルミニウム（Ａｌ）を含む層、及び、モリブデン（Ｍｏ）を含む層を順に積層した積層体である。

共通電極ＣＥは、絶縁層１５の上に位置し、絶縁層１６によって覆われている。共通電極ＣＥは、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）やインジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）などの透明な導電材料によって形成された透明電極である。共通電極ＣＥは、金属配線ＭＬ４などと電気的に接続されている。上記の通り、共通電極ＣＥはセンサ電極Ｒｘとしても機能し、金属配線ＭＬ４はセンサ電極Ｒｘと電気的に接続されるセンサ配線Ｌやダミー配線Ｄとしても機能する。

画素電極ＰＥ１１は、絶縁層１６の上に位置し、配向膜ＡＬ１によって覆われている。画素電極ＰＥ１１は、ＩＴＯやＩＺＯなどの透明な導電材料によって形成された透明電極である。

絶縁層１１乃至１３、及び、絶縁層１６は、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物などの無機絶縁材料によって形成された無機絶縁層であり、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。絶縁層１４及び１５は、例えば、アクリル樹脂などの有機絶縁材料によって形成された有機絶縁層である。なお、絶縁層１５は、無機絶縁層であってもよい。

第２基板ＳＵＢ２は、絶縁基板２０、遮光層ＢＭ、カラーフィルタＣＦ、オーバーコート層ＯＣ、配向膜ＡＬ２などを備えている。
絶縁基板２０は、絶縁基板１０と同様に、ガラス基板や樹脂基板などの光透過性を有する基板である。遮光層ＢＭ及びカラーフィルタＣＦは、絶縁基板２０の第１基板ＳＵＢ１と対向する側に位置している。カラーフィルタＣＦは、画素電極ＰＥ１１と対向する位置に配置され、その一部が遮光層ＢＭに重なっている。オーバーコート層ＯＣは、カラーフィルタＣＦを覆っている。オーバーコート層ＯＣは、透明な樹脂によって形成されている。配向膜ＡＬ２は、オーバーコート層ＯＣを覆っている。配向膜ＡＬ１及び配向膜ＡＬ２は、例えば、水平配向性を呈する材料によって形成されている。上述した第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２は、配向膜ＡＬ１及び配向膜ＡＬ２が対向するように配置されている。

液晶層ＬＣは、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２の間に位置し、配向膜ＡＬ１と配向膜ＡＬ２との間に保持されている。液晶層ＬＣは、液晶分子ＬＭを備えている。液晶層ＬＣは、ポジ型（誘電率異方性が正）の液晶材料、あるいは、ネガ型（誘電率異方性が負）の液晶材料によって構成されている。

偏光板ＰＬ１を含む光学素子ＯＤ１は、絶縁基板１０に接着されている。偏光板ＰＬ２を含む光学素子ＯＤ２は、絶縁基板２０に接着されている。なお、光学素子ＯＤ１及び光学素子ＯＤ２は、必要に応じて位相差板、散乱層、反射防止層などを備えていてもよい。

このような表示パネルＰＮＬにおいては、画素電極ＰＥ１１と共通電極ＣＥとの間に電界が形成されていないオフ状態において、液晶分子ＬＭは、配向膜ＡＬ１及び配向膜ＡＬ２の間で所定の方向に初期配向している。このようなオフ状態では、照明装置ＩＬから表示パネルＰＮＬに向けて照射された光は、光学素子ＯＤ１及び光学素子ＯＤ２によって吸収され、暗表示となる。一方、画素電極ＰＥ１１と共通電極ＣＥとの間に電界が形成されたオン状態においては、液晶分子ＬＭは、電界により初期配向方向とは異なる方向に配向し、その配向方向は電界によって制御される。このようなオン状態では、照明装置ＩＬからの光の一部は、光学素子ＯＤ１及び光学素子ＯＤ２を透過し、明表示となる。

図７Ａは、図１に示した非表示部ＮＤＡのうち直線部Ｅ１３に沿った領域ＡＲ１を拡大した平面図である。なお、直線部Ｅ１４に沿った非表示部ＮＤＡにおいても、図７Ａに示した領域ＡＲ１と同様の構造を有している。ここでは、表示部ＤＡの縁部Ｅ３とは、表示部ＤＡにおいて最外周に位置する共通電極ＣＥの配線ＷＬ２に近接する縁部に相当するものとする。直線部Ｅ１３は、図６に示した絶縁基板１０の縁部に相当する。

図４に示した走査線駆動回路ＧＤは、縁部Ｅ３と直線部Ｅ１３との間に位置し、第２方向Ｙに沿って並んだ複数の回路ユニットＧＵ１、ＧＵ２を備えている。各回路ユニットは、例えば、半導体層、走査線Ｇと同層の導電層、及び、信号線Ｓと同層の導電層を用いて形成された複数のトランジスタ等で構成されている。回路ユニットＧＵ１は、例えば、シフトレジスタＳＲ１、ゲートスイッチＧＳ１乃至ＧＳ４等によって構成されている。他の回路ユニットＧＵ２も、回路ユニットＧＵ１と同様に構成されている。

シフトレジスタＳＲ１は、直線部Ｅ１３とゲートスイッチＧＳ１乃至ＧＳ４との間に位置している。ゲートスイッチＧＳ１乃至ＧＳ４は、シフトレジスタＳＲ１と配線ＷＬ２との間に位置している。また、ゲートスイッチＧＳ１乃至ＧＳ４は、この順に第２方向Ｙに沿って並んでいる。配線ＷＬ３は、シフトレジスタＳＲ１に重畳している。また、配線ＷＬ３は、ゲートスイッチＧＳ１乃至ＧＳ４の一部に重畳している。このような配線ＷＬ３は、シフトレジスタＳＲ１等の走査線駆動回路ＧＤからの電界を遮蔽するシールド層として機能する。配線ＷＬ２は、ゲートスイッチＧＳ１乃至ＧＳ４の他の一部に重畳している。

シフトレジスタＳＲ１は、配線１００を介してゲートスイッチＧＳ１及びＧＳ２のそれぞれと電気的に接続され、また、配線２００を介してゲートスイッチＧＳ３及びＧＳ４のそれぞれと電気的に接続されている。配線１００は、配線ＷＬ１と配線ＷＬ３との間において、ゲートスイッチＧＳ１とゲートスイッチＧＳ２との間に位置している。配線２００は、配線ＷＬ１と配線ＷＬ３との間において、ゲートスイッチＧＳ３とゲートスイッチＧＳ４との間に位置している。

ゲートスイッチＧＳ１乃至ＧＳ４は、それぞれ走査線Ｇ１乃至Ｇ４と電気的に接続されている。走査線Ｇ１はゲートスイッチＧＳ１からゲートスイッチＧＳ２と対向しない側に引き出され、走査線Ｇ２はゲートスイッチＧＳ２からゲートスイッチＧＳ３と対向する側に引き出されている。走査線Ｇ３は、ゲートスイッチＧＳ３からゲートスイッチＧＳ２と対向する側に引き出され、走査線Ｇ２と隣接している。走査線Ｇ４はゲートスイッチＧＳ４からゲートスイッチＧＳ３と対向しない側に引き出されている。
ゲートスイッチＧＳ４、及び、回路ユニットＧＵ２に含まれるゲートスイッチＧＳ５は、第２方向Ｙに沿って並んでいる。走査線Ｇ４は、ゲートスイッチＧＳ４からゲートスイッチＧＳ５と対向する側に引き出されている。走査線Ｇ４は、ゲートスイッチＧＳ５から引き出された走査線Ｇ５と隣接している。つまり、配線ＷＬ１及びＷＬ３の間に着目すると、走査線Ｇ１及びＧ２の間にはゲートスイッチＧＳ１及びＧＳ２が位置し、走査線Ｇ２及びＧ３の間にはいずれのゲートスイッチも存在せず、走査線Ｇ３及びＧ４の間にはゲートスイッチＧＳ３及びＧＳ４が位置し、走査線Ｇ４及びＧ５の間にはいずれのゲートスイッチも存在しない。走査線Ｇ１乃至Ｇ５は、表示部ＤＡにおいて、それぞれ第１方向Ｘに沿って延出し、第２方向Ｙに等間隔で並んでいる。

縁部Ｅ３と直線部Ｅ１３との間において、配線ＷＬ１乃至ＷＬ３は、第２方向Ｙに沿って延出している。金属配線ＳＬ１は、配線ＷＬ２及びＷＬ３の間に位置し、第２方向Ｙに沿って延出している。配線ＷＬ１は、金属配線ＳＬ１の上に重畳している。金属配線ＳＬ２は、金属配線ＳＬ１と縁部Ｅ３との間に位置し、第２方向Ｙに沿って延出している。配線ＷＬ２は、金属配線ＳＬ２の上に重畳している。配線ＷＬ２は、第１層ＷＬ２１及び第２層ＷＬ２２を備えている。第１層ＷＬ２１は金属配線ＳＬ２の上に重畳し、第２層ＷＬ２２は第１層ＷＬ２１の上に重畳している。なお、後に詳述するが、金属配線ＳＬ１と配線ＷＬ１との間、及び、金属配線ＳＬ２と配線ＷＬ２との間には、それぞれ絶縁層が介在している。走査線Ｇ１乃至Ｇ５は、配線ＷＬ１及びＷＬ２と交差するとともに、金属配線ＳＬ１及びＳＬ２と交差している。

配線ＷＬ１及び金属配線ＳＬ１は、同電位であり、第１電圧Ｖ１が印加される。配線ＷＬ２及び金属配線ＳＬ２は、同電位であり、第１電圧Ｖ１とは異なる第２電圧Ｖ２が印加される。つまり、配線ＷＬ２の電位は、配線ＷＬ１の電位とは異なる。配線ＷＬ３の電位は、配線ＷＬ１の電位とは異なる。一例では、配線ＷＬ３には、第２電圧Ｖ２が印加され、配線ＷＬ３の電位は、配線ＷＬ２と同電位である。例えば、第１電圧Ｖ１は走査線Ｇに供給される制御信号のうちのローレベルと同等の−７Ｖであり、第２電圧Ｖ２は共通電極ＣＥに供給されるコモン電圧と同等の０Ｖである。

ここで、配線ＷＬ１及び金属配線ＳＬ１に着目する。金属配線ＳＬ１は、配線ＷＬ１よりも配線ＷＬ２に向かって突出した突出部ＳＬＢ１を有している。換言すると、配線ＷＬ１は配線ＷＬ２に対向するエッジＥＧ１１を有し、配線ＷＬ２は配線ＷＬ１に対向するエッジＥＧ１２を有し、金属配線ＳＬ１はエッジＥＧ１１とエッジＥＧ１２との間に位置するエッジＥＧ１３を有している。エッジＥＧ１３は、エッジＥＧ１１及びＥＧ１２のいずれとも重畳しない。金属配線ＳＬ１のうち、エッジＥＧ１１からエッジＥＧ１３までの部分が、突出部ＳＬＢ１に相当する。図示した例では、エッジＥＧ１１乃至ＥＧ１３の延出方向は、いずれも第２方向Ｙと平行であり、配線ＷＬ１及びＷＬ２の延出方向、もしくは、金属配線ＳＬ１の延出方向と平行である。また、図示した例では、第１層ＷＬ２１が第２層ＷＬ２２よりも配線ＷＬ１に近接しており、配線ＷＬ２のエッジＥＧ１２は第１層ＷＬ２１が有しているが、これに限らない。例えば、配線ＷＬ２が第１層を備えていない場合や第２層ＷＬ２２が第１層ＷＬ２１よりも配線ＷＬ１に近接している場合には、配線ＷＬ２のエッジＥＧ１２は第２層ＷＬ２２が有する。

なお、後に詳述するが、平面視において、エッジＥＧ１１からエッジＥＧ１２までの最短距離を第１距離ＤＴ１と定義し、エッジＥＧ１１からエッジＥＧ１３までの最短距離を第２距離ＤＴ２と定義する。ここでの第１距離ＤＴ１及び第２距離ＤＴ２は、各エッジの延出方向と直交する方向に沿った距離として定義する。図示した例では、第１距離ＤＴ１及び第２距離ＤＴ２は、いずれも第１方向Ｘに沿った距離である。

また、金属配線ＳＬ１は、走査線Ｇ２及びＧ３の間において、配線ＷＬ１よりも配線ＷＬ３に向かって突出した突出部ＳＬＥ１を有している。換言すると、配線ＷＬ１は配線ＷＬ３に対向するエッジＥＧ２１を有し、配線ＷＬ３は配線ＷＬ１に対向するエッジＥＧ２２を有し、金属配線ＳＬ１は、エッジＥＧ２１とエッジＥＧ２２との間に位置するエッジＥＧ２３を有している。エッジＥＧ２３は、エッジＥＧ２１及びＥＧ２２のいずれとも重畳しない。金属配線ＳＬ１のうち、エッジＥＧ２１からエッジＥＧ２３までの部分が、突出部ＳＬＥ１に相当する。同様に、金属配線ＳＬ１は、走査線Ｇ４及びＧ５の間において、配線ＷＬ１よりも配線ＷＬ３に向かって突出した突出部ＳＬＥ２を有している。

なお、金属配線ＳＬ１は、ゲートスイッチＧＳ１及びＧＳ２の間においては突出部を有しておらず、配線ＷＬ３と対向するエッジＥＧ２４を有している。配線ＷＬ１は、エッジＥＧ２４の上に重畳している。つまり、エッジＥＧ２４は、エッジＥＧ１１及びＥＧ２１の間に位置している。金属配線ＳＬ１において、エッジＥＧ２３は、エッジＥＧ２４よりも配線ＷＬ３に近接している。同様に、金属配線ＳＬ１は、ゲートスイッチＧＳ３及びＧＳ４の間においても突出部を有していない。

突出部ＳＬＥ１は、走査線Ｇ２及びＧ３のいずれとも重畳することなく、走査線Ｇ２及びＧ３の間隔ＧＰ１よりも小さい幅ＷＳ１を有している。ここでの間隔ＧＰ１及び幅ＷＳ１は、第２方向Ｙに沿った長さに相当する。同様に、突出部ＳＬＥ２は、走査線Ｇ４及びＧ５のいずれとも重畳することなく、走査線Ｇ４及びＧ５の間隔ＧＰ２よりも小さい幅ＷＳ２を有している。一例では、間隔ＧＰ１は、間隔ＧＰ２と同等であるが、間隔ＧＰ２とは異なっていてもよい。また、幅ＷＳ１は、幅ＷＳ２と同等であるが、幅ＷＳ２とは異なっていてもよい。

突出部ＳＬＢ１は、走査線Ｇ１乃至Ｇ５の各々と重畳している。また、突出部ＳＬＢ１は、走査線Ｇ１乃至Ｇ５の各々の間においても配線ＷＬ３に向かって突出している。

次に、配線ＷＬ２及び金属配線ＳＬ２に着目する。配線ＷＬ２は、上記の通り、第１層ＷＬ２１及び第２層ＷＬ２を備えているが、配線ＷＬ１に最も接近したエッジＥＧ１２を有する第１層ＷＬ２１に着目する。金属配線ＳＬ２は、第１層ＷＬ２１よりも配線ＷＬ１に向かって突出した突出部ＳＬＢ２を有している。換言すると、金属配線ＳＬ２は、エッジＥＧ１２とエッジＥＧ１３との間に位置するエッジＥＧ１４を有している。エッジＥＧ１３は、エッジＥＧ１２及びＥＧ１３のいずれとも重畳しない。金属配線ＳＬ２のうち、エッジＥＧ１２からエッジＥＧ１４までの部分が、突出部ＳＬＢ２に相当する。図示した例では、エッジＥＧ１４の延出方向は、第２方向Ｙと平行であり、金属配線ＳＬ２の延出方向と平行である。

図７Ａで示した例において、配線ＷＬ１乃至ＷＬ３はそれぞれ第１配線乃至第３配線に相当し、金属配線ＳＬ１及びＳＬ２はそれぞれ第１金属配線及び第２金属配線に相当し、突出部ＳＬＢ１は第１突出部に相当し、突出部ＳＬＥ１またはＳＬＥ２は第２突出部に相当し、突出部ＳＬＢ２は第３突出部に相当し、走査線Ｇ２及びＧ３（あるいは走査線Ｇ４及びＧ５）はそれぞれ第１走査線及び第２走査線に相当する。

図７Ｂは、図７Ａに示した突出部ＳＬＥ１及びその周辺を拡大した平面図である。図示した例では、走査線Ｇ２及びＧ３の各々は、導電層ＣＬ１及びＣＬ２を用いて形成されている。導電層ＣＬ１は、表示部ＤＡにおける走査線Ｇと同一層に位置し、図６に示した絶縁層１２及び１３の間に位置している。導電層ＣＬ２は、表示部ＤＡにおける信号線Ｓと同一層に位置し、図６に示した絶縁層１３及び１４の間に位置している。導電層ＣＬ１及びＣＬ２は、コンタクトホールＣＨを通じて互いに電気的に接続されている。コンタクトホールＣＨは、金属配線ＳＬ１とは重畳することなく、配線ＷＬ１と重畳しており、エッジＥＧ２１とエッジＥＧ２４との間に位置している。

導電層ＣＬ１は、配線ＷＬ１のエッジＥＧ１１と交差する側（配線ＷＬ２に近接する側）に位置している。導電層ＣＬ２は、配線ＷＬ１のエッジＥＧ２１と交差する側（配線ＷＬ３に近接する側）に位置している。金属配線ＳＬ１は、導電層ＣＬ１とは異なる層に位置し、導電層ＣＬ２と同一層に位置している。このため、走査線Ｇ２及びＧ３において、配線ＷＬ２と近接する側では、第１層ＣＬ１は、絶縁層を介して突出部ＳＬＢ１を含む金属配線ＳＬ１と重畳している。一方、配線ＷＬ３と近接する側では、第２層ＣＬ２は、金属配線ＳＬ１と重畳することはなく、突出部ＳＬＥ１とも重畳していない。

図８は、図１に示した非表示部ＮＤＡのうちラウンド部Ｒ１１に沿った領域ＡＲ２を拡大した平面図である。なお、ラウンド部Ｒ２に沿った非表示部ＮＤＡにおいても、図８に示した領域ＡＲ２と同様の構造を有している。ここでは、表示部ＤＡのラウンド部Ｒ１とは、表示部ＤＡにおいて最外周に位置する共通電極ＣＥの配線ＷＬ２に近接する縁部に相当するものとする。ラウンド部Ｒ１１は、図６に示した絶縁基板１０の縁部に相当する。

回路ユニットＧＵ３は、シフトレジスタＳＲ３、ゲートスイッチＧＳ６乃至ＧＳ９等を備えている。回路ユニットＧＵ４は、シフトレジスタＳＲ４、ゲートスイッチＧＳ１０等を備えている。これらの回路ユニットＧＵ３及びＧＵ４の各々の構成は、図７Ａに示した回路ユニットＧＵ１と同様である。ゲートスイッチＧＳ６乃至ＧＳ１０は、それぞれ走査線Ｇ６乃至Ｇ１０と電気的に接続されている。走査線Ｇ６乃至Ｇ９は、表示部ＤＡにおいて、それぞれ第１方向Ｘに沿って延出し、第２方向Ｙに等間隔で並んでいる。
配線ＷＬ１乃至ＷＬ３、金属配線ＳＬ１及びＳＬ２は、ラウンド部Ｒ１及びＲ１１の間において、ラウンド部Ｒ１に沿って延出している。配線ＷＬ１は、配線ＷＬ２及びＷＬ３の間に位置し、金属配線ＳＬ１の上に重畳している。配線ＷＬ２は、配線ＷＬ１とラウンド部Ｒ１との間に位置し、金属配線ＳＬ２の上に重畳している。配線ＷＬ３は、配線ＷＬ１とラウンド部Ｒ１１との間に位置している。

金属配線ＳＬ１は、配線ＷＬ１よりも配線ＷＬ２に向かって突出した突出部ＳＬＢ１を有している。また、金属配線ＳＬ１は、走査線Ｇ７及びＧ８の間において、配線ＷＬ１よりも配線ＷＬ３に向かって突出した突出部ＳＬＥ３を有している。同様に、金属配線ＳＬ１は、走査線Ｇ９及びＧ１０の間において、配線ＷＬ１よりも配線ＷＬ３に向かって突出した突出部ＳＬＥ４を有している。
突出部ＳＬＥ３は、走査線Ｇ７及びＧ８のいずれとも重畳することなく、走査線Ｇ７及びＧ８の間隔ＧＰ３よりも小さい幅ＷＳ３を有している。同様に、突出部ＳＬＥ４は、走査線Ｇ９及びＧ１０のいずれとも重畳することなく、走査線Ｇ９及びＧ１０の間隔ＧＰ４よりも小さい幅ＷＳ４を有している。間隔ＧＰ４は間隔ＧＰ３より大きく、幅ＷＳ４は幅ＷＳ３より大きい。また、間隔ＧＰ４は、図７Ａに示した間隔ＧＰ２より大きく、幅ＷＳ４は幅ＷＳ２より大きい。

図８で示した例において、配線ＷＬ１乃至ＷＬ３はそれぞれ第１配線乃至第３配線に相当し、金属配線ＳＬ１及びＳＬ２はそれぞれ第１金属配線及び第２金属配線に相当し、突出部ＳＬＢ１は第１突出部に相当し、突出部ＳＬＥ３またはＳＬＥ４は第４突出部に相当し、走査線Ｇ７及びＧ８（あるいは走査線Ｇ９及びＧ１０）はそれぞれ第３走査線及び第４走査線に相当する。

図９は、図８に示したＧ−Ｈ線に沿った表示パネルＰＮＬの断面図を示す図である。金属配線ＳＬ１と配線ＷＬ１との間に位置する絶縁層としては、絶縁層１４乃至１６が含まれる。金属配線ＳＬ１及びＳＬ２は、絶縁層１３の上に位置し、絶縁層１４によって覆われている。金属配線ＳＬ１及びＳＬ２は、図６に示した信号線Ｓ４などと同一層に位置し、信号線Ｓ４と同一材料である金属材料によって形成されている。また、上述の走査線駆動回路ＧＤを構成する電極の一部あるいは配線の一部は、絶縁層１３の上に位置している。金属配線ＳＬ１において、突出部ＳＬＥ４は走査線駆動回路ＧＤ側に位置し、突出部ＳＬＢ１は金属配線ＳＬ２側に位置している。絶縁層１５は、絶縁層１４の上に積層されている。

配線ＷＬ２の第１層ＷＬ２１は、絶縁層１５の上に位置し、絶縁層１６によって覆われている。第１層ＷＬ２１は、図６に示した共通電極ＣＥと同一層に位置し、共通電極ＣＥと同一材料である透明導電材料によって形成されている。絶縁層１６は、絶縁層１５の上に積層されている。

配線ＷＬ１、配線ＷＬ３、及び、配線ＷＬ２の第２層ＷＬ２２は、絶縁層１６の上に位置し、配向膜ＡＬ１によって覆われている。配線ＷＬ１、配線ＷＬ３、及び、第２層ＷＬ２２は、図６に示した画素電極ＰＥ１１などと同一層に位置し、画素電極ＰＥ１１と同一材料である透明導電材料によって形成されている。

液晶層ＬＣは、配線ＷＬ１乃至ＷＬ３と重畳している。図示した例では、配線ＷＬ３のうち、配線ＷＬ１に近接する側と液晶層ＬＣとが重畳し、配線ＷＬ１から離間する側とシールＳＥとが重畳している。

エッジＥＧ１１からエッジＥＧ１２までの最短距離を第１距離ＤＴ１とし、エッジＥＧ１１からエッジＥＧ１３までの最短距離を第２距離ＤＴ２とした時、突出部ＳＬＢ１の突出率（％）を、ＤＴ２／ＤＴ１と定義する。

図９に示した例において、絶縁層１４は第１有機層に相当し、絶縁層１５は第２有機層に相当し、絶縁層１６は無機層に相当する。また、エッジＥＧ１１は第１エッジに相当し、エッジＥＧ１２は第２エッジに相当し、エッジＥＧ１３は第３エッジに相当する。

本実施形態によれば、配線ＷＬ１及び金属配線ＳＬ１には、第１電圧Ｖ１が印加される。配線ＷＬ２及びＷＬ３、金属配線ＳＬ２には、第２電圧Ｖ２が印加される。この場合において、配線ＷＬ１と配線ＷＬ３との間、及び、配線ＷＬ１と配線ＷＬ２との間にはそれぞれ電界が生じる。このような電界は、液晶層ＬＣに含まれる不純物イオンを捕捉するのに有効であり、表示パネルにおいて局所的に不純物イオンが凝集することを抑制できる。

また、配線ＷＬ１とは異なる層に位置する金属配線ＳＬ１が配線ＷＬ１よりも配線ＷＬ２に向かって突出した突出部ＳＬＢ１を有することにより、配線ＷＬ２と配線ＷＬ１との間の電界に加えて、配線ＷＬ２と金属配線ＳＬ１との間の電界が生じるため、配線ＷＬ１のエッジＥＧ１１付近での電界集中が緩和される。
同様に、金属配線ＳＬ１が配線ＷＬ１よりも配線ＷＬ３に向かって突出した突出部ＳＬＥを有することにより、配線ＷＬ３と配線ＷＬ１との間の電界に加えて、配線ＷＬ３と金属配線ＳＬ１との間の電界が生じるため、配線ＷＬ１のエッジＥＧ２１付近での電界集中が緩和される。
このように、配線ＷＬ１における電界強度が緩和されるため、配線ＷＬ１の腐食（還元）を抑制することができ、しかも、配線ＷＬ１の腐食に起因した気泡の生成を抑制することができる。したがって、表示装置ＤＳＰの信頼性の低下を抑制することができる。

また、表示パネルＰＮＬにおける直線部のみならずラウンド部においても、配線ＷＬ１と配線ＷＬ２との間、及び、配線ＷＬ１と配線ＷＬ３との間に十分な距離が確保できなくとも、上記の構成を適用することにより、配線ＷＬ１の腐食を抑制することができ、狭額縁化を実現できる。

なお、走査線Ｇの各々は、配線ＷＬ１及び金属配線ＳＬ１と交差し、走査線Ｇに供給される制御信号は、１フレーム期間のうちのほとんどの期間において配線ＷＬ１の電位と同等のローレベルである。このため、配線ＷＬ１及び金属配線ＳＬ１と交差する走査線Ｇは、配線ＷＬ１における電界強度の緩和に貢献する。

図１０は、金属配線ＳＬ１の突出率（％）と電界強度との関係を示した図である。これは、平面視で、図７Ａに示したエッジＥＧ１２とエッジＥＧ１４とが重畳している場合におけるシミュレーション結果である。図の横軸は、金属配線ＳＬ１の突出率（％）であり、第２距離（ＤＴ２）／第１距離（ＤＴ１）で算出される値である。図の縦軸は、電界強度（１．０Ｅ６Ｖ／ｍ）である。エッジＥＧ１１に生じる電界強度Ａは実線でプロットし、エッジＥＧ１２に生じる電界強度Ｂは点線でプロットしている。突出率がプラスの場合とは、エッジＥＧ１３がエッジＥＧ１１よりも外側（配線ＷＬ２に近接する側）に位置する場合に相当する。突出率がゼロの場合とは、エッジＥＧ１３がエッジＥＧ１１の直下に位置する場合に相当する。なお、参考値Ｒｅｆとして、エッジＥＧ１３がエッジＥＧ１１よりも内側（配線ＷＬ２から離間する側）に位置する、あるいは、金属配線ＳＬ１が存在しない場合の電界強度も示している。

図１０において実線で示したエッジＥＧ１１の電界強度Ａに着目すると、突出率が増加するにしたがって、電界強度が低下する傾向が確認できる。これは、突出率が増加するほど、金属配線ＳＬ１が配線ＷＬ２に近接し、配線ＷＬ２と金属配線ＳＬ１との間に生ずる電界が増加するためである。このような傾向に基づくと、配線ＷＬ１の腐食を抑制する観点では、突出率は５％以上であることが望ましい。また、電界強度が参考値から半減する突出率として、１５％以上であることがより望ましい。

一方で、図１０において点線で示したエッジＥＧ１２の電界強度Ｂに着目すると、突出率が増加するにしたがって、電界強度が増加する傾向が確認できる。これは、突出率が増加するほど、配線ＷＬ２とは異なる電位の金属配線ＳＬ１が配線ＷＬ２に接近するためである。このような傾向に基づくと、配線ＷＬ２の腐食を抑制する観点では、突出率は５０％以下であることが望ましく、３０％以下であることがより望ましい。

このように、表示装置ＤＳＰの狭額縁化を実現し、且つ、電界集中による配線ＷＬ１及びＷＬ２の腐食を抑制するためには、突出率は、５％以上５０％以下であることが望ましく、１５％以上３０％以下であることがより望ましい。一例では、突出部ＳＬＢ１の幅（第２距離ＤＴ２）は、５μｍ〜１０μｍである。

次に、本実施形態の他の構成例について説明する。
図１１は、図１に示した非表示部ＮＤＡのうち直線部Ｅ１１に沿った領域ＡＲ３を拡大した平面図である。直線部Ｅ１１に沿った領域ＡＲ３においては、走査線駆動回路ＧＤの代わりに、金属配線ＳＬ３が設けられている。金属配線ＳＬ３は、配線ＷＬ３と同電位であり、例えば第２電圧Ｖ２が印加される。配線ＷＬ３は、金属配線ＳＬ３の上に重畳している。金属配線ＳＬ３は、配線ＷＬ３よりも配線ＷＬ１に向かって突出した突出部ＳＬＢ３を有している。換言すると、配線ＷＬ３は配線ＷＬ１に対向するエッジＥＧ２２を有し、金属配線ＳＬ３はエッジＥＧ２１とエッジＥＧ２２との間に位置するエッジＥＧ３１を有している。エッジＥＧ３１は、エッジＥＧ２１乃至ＥＧ２３のいずれとも重畳しない。金属配線ＳＬ３のうち、エッジＥＧ２２からエッジＥＧ３１までの部分が、突出部ＳＬＢ３に相当する。金属配線ＳＬ３は、金属配線ＳＬ１等と同一層に位置し、金属配線ＳＬ１と同一材料によって形成されている。

また、金属配線ＳＬ１のエッジＥＧ２３は、領域ＡＲ３のほぼ全域において、配線ＷＬ１のエッジＥＧ２１よりも配線ＷＬ３側に位置している。つまり、金属配線ＳＬ１は、配線ＷＬ３と対向する側に、図７Ａ及び図８に示したような部分的に突出部を有するのではなく、配線ＷＬ３と対向する側のほぼ全域に亘って突出部ＳＬＥを有している。

図１１に示した例では、金属配線ＳＬ３が第３金属配線に相当し、突出部ＳＬＢ３が第５突出部に相当する。

このような構成例においても、配線ＷＬ１と配線ＷＬ３との間に電界が生じた際に、配線ＷＬ１と金属配線ＳＬ３との間にも電界が形成され、配線ＷＬ３への電界集中が緩和される。したがって、配線ＷＬ３の腐食を抑制することができる。なお、図示した例では、配線ＷＬ３の直下に、配線ＷＬ３とは異なる電位の配線ＳＬ４が配置されている。配線ＳＬ４は、配線ＷＬ３から配線ＷＬ１に向かって突出せず、配線ＷＬ３及び金属配線ＳＬ３によって囲まれている。このため、配線ＳＬ４からの電界漏れが抑制される。

図１２は、表示装置ＤＳＰの他の構成例を示す平面図である。配線ＷＬ４は、金属配線ＳＬ１及び配線ＷＬ１と交差している。配線ＷＬ４の電位は、配線ＷＬ１とは異なる。このようなレイアウトにおいて、金属配線ＳＬ１は、配線ＷＬ２に向かって突出した突出部ＳＬＢ１のみならず、配線ＷＬ３に向かって突出した突出部ＳＬＥを有している。配線ＷＬ４は、突出部ＳＬＢ１及び突出部ＳＬＥと重畳している。
図１２に示した例では、配線ＳＬ４が第４金属配線に相当し、突出部ＳＬＥが第６突出部に相当する。

このような構成例においては、配線ＷＬ１と配線ＷＬ４との間に電界が生じた際に、金属配線ＳＬ３と配線ＷＬ４との間にも電界が形成され、配線ＷＬ１への電界集中が緩和される。したがって、配線ＷＬ１の腐食を抑制することができる。

以上説明したように、本実施形態によれば、信頼性の低下を抑制することが可能な表示装置を提供することができる。

なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
例えば、本実施形態においては、赤画素、緑画素、及び、白画素のそれぞれの画素幅が同一であるが、これらの画素幅が異なっていてもよい。また、本実施形態においては、赤画素、緑画素、及び、白画素のそれぞれの画素電極が同一形状を有しているが、これらの画素電極の形状が異なっていてもよい。

ＤＳＰ…表示装置 ＤＡ…表示部 ＮＤＡ…非表示部 ＷＬ…配線 ＳＬ…金属配線 Ｇ…走査線 Ｓ…信号線

Claims (13)

1. 表示部と、
   前記表示部の周辺に位置する非表示部と、
   前記非表示部に位置する第１金属配線と、
   前記第１金属配線の上に位置する絶縁層と、
   前記絶縁層の上に位置し、前記第１金属配線と同電位であり、前記第１金属配線と重畳する第１透明導電膜と、
   前記第１透明導電膜と前記表示部との間に位置し、前記第１透明導電膜とは異なる電位の第２透明導電膜と、を備え、
   前記第１透明導電膜は、前記第２透明導電膜に対向する第１エッジを有し、
   前記第２透明導電膜は、前記第１透明導電膜に対向する第２エッジを有し、
   前記第１金属配線は、平面視において、前記第１エッジと前記第２エッジとの間に位置する第３エッジを有する、表示装置。
2. 前記第１金属配線は、平面視において、前記第１透明導電膜よりも前記第２透明導電膜に向かって突出した第１突出部を有している、請求項１に記載の表示装置。
3. さらに、前記非表示部に位置し、前記第２透明導電膜と同電位の第３透明導電膜と、
   前記第１金属配線と交差する第１走査線及び第２走査線と、を備え、
   前記第１透明導電膜は、前記第２透明導電膜と前記第３透明導電膜との間に位置し、
   前記第１金属配線は、平面視において、前記第１走査線と前記第２走査線との間で前記第１透明導電膜よりも前記第３透明導電膜に向かって突出した第２突出部を有している、請求項２に記載の表示装置。
4. 前記第２突出部の幅は、前記第１走査線と前記第２走査線との間隔よりも小さい、請求項３に記載の表示装置。
5. 前記第１突出部は、前記第１走査線及び前記第２走査線と重畳している、請求項４に記載の表示装置。
6. さらに、前記第２透明導電膜と同電位の第２金属配線を備え、
   前記第２透明導電膜は、前記第２金属配線と重畳し、
   前記第２金属配線は、平面視において、前記第２透明導電膜よりも前記第１透明導電膜に向かって突出した第３突出部を有している、請求項２に記載の表示装置。
7. さらに、絶縁基板と、
   前記絶縁基板上に位置し、前記第１金属配線と交差する第３走査線及び第４走査線と、を備え、
   前記第１金属配線は、平面視において、前記第３走査線と前記第４走査線との間で前記第１透明導電膜よりも前記第３透明導電膜に向かって突出した第４突出部を有し、
   前記絶縁基板は、ラウンド部と、直線部と、を有し、
   前記第２突出部は、前記直線部に沿った前記非表示部に位置し、
   前記第４突出部は、前記ラウンド部に沿った前記非表示部に位置し、
   前記第４突出部の幅は、前記第２突出部の幅よりも大きい、請求項３に記載の表示装置。
8. 前記絶縁層は、第１有機層と、前記第１有機層に積層された第２有機層と、前記第２有機層に積層された無機層と、を備え、
   前記第１金属配線は、前記第１有機層によって覆われ、
   前記第１透明導電膜及び前記第３透明導電膜は、前記無機層上に位置し、
   前記第２透明導電膜は、前記第２有機層と前記無機層との間、または、前記無機層上に位置している、請求項２に記載の表示装置。
9. さらに、第１基板と、第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に保持された液晶層と、を備え、
   前記第１基板は、前記第１透明導電膜、前記第２透明導電膜、及び、前記第３透明導電膜を備え、
   前記液晶層は、前記第１透明導電膜、前記第２透明導電膜、及び、前記第３透明導電膜と重畳している、請求項８に記載の表示装置。
10. さらに、前記第１基板と前記第２基板とを接着するシールを備え、
    前記シールは、前記第３透明導電膜と重畳している、請求項９に記載の表示装置。
11. 前記第１エッジから前記第２エッジまでの距離を第１距離とし、前記第１エッジから前記第３エッジまでの距離を第２距離としたとき、
    前記第２距離は、前記第１距離の５％以上５０％以下である、請求項１に記載の表示装置。
12. さらに、前記第３透明導電膜と同電位の第３金属配線を備え、
    前記第３透明導電膜は、前記第３金属配線と重畳し、
    前記第３金属配線は、平面視において、前記第３透明導電膜よりも前記第１透明導電膜に向かって突出した第５突出部を有している、請求項３に記載の表示装置。
13. さらに、前記第１金属配線と交差し、前記第１透明導電膜とは異なる電位の第４金属配線を備え、
    前記第１金属配線は、平面視において、前記第１透明導電膜よりも前記第３透明導電膜に向かって突出した第６突出部を有し、
    前記第４金属配線は、前記第１突出部及び前記第６突出部と重畳している、請求項３に記載の表示装置。

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