JP2018138942A - 電気光学装置、および電気光学装置の駆動方法 - Google Patents

Abstract

【課題】イオン性不純物に起因する表示品質の低下を確実に回避できる電気光学装置を提供する。【解決手段】電気光学物質３０を挟持する第１基板１０および第２基板２０と、第１基板１０において表示領域の外側に配置された第１イオントラップ電極１２０と、第２基板２０において第１イオントラップ電極１２０と向き合う位置に配置された第２イオントラップ電極２２０と、第１イオントラップ電極１２０に第１駆動信号を供給する第１供給部４２ａと、第２イオントラップ電極２２０に第２駆動信号を供給する第２供給部４２ｂと、を備え、第１供給部４２ａおよび第２供給部４２ｂは、表示領域において第１基板側に位置するイオンに対する引き寄せ量と第２基板側に位置するイオンに対する引き寄せ量とが略同じになるように、第１駆動信号および第２駆動信号を供給することを特徴とする。【選択図】図３

Description

本発明は、電気光学物質を用いた電気光学装置に関し、特に電気光学物質に含まれるイオン性不純物に起因する表示品質の低下を回避する技術に関する。

この種の電気光学装置の一例としては、電気光学物質として液晶を用いた液晶表示装置が挙げられる。液晶装置においては、製造過程で液晶層中に混入したイオン性不純物や、光照射等による部材の劣化によって生じたイオン性不純物が、表示品質の低下を引き起こすことが知られている。これらのイオン性不純物は通電により移動し、表示領域に濃度分布を形成する。イオン性不純物の濃度が高い領域では、液晶層の保持率が低下し、輝度が低下する結果、シミやムラとなって視認されるからである。

製造過程においてイオン性不純物を全く混入させないことや、部材の劣化に起因するイオン性不純物の発生を回避することは困難である。そこで、非表示領域に電極を設け、その電極にイオン性不純物を吸着させることで表示領域へのイオン性不純物の拡散を防止することが提案されており、その一例としては特許文献１および特許文献２に開示の技術が挙げられる。

特開平８−２０１８３０号公報 特許４９２３８６６号

しかし、特許文献１および特許文献２に開示の技術では、素子基板側と対向基板側とでイオン性不純物の引き寄せ量が異なり、一方の基板側ではイオン性不純物が表示領域外に移動するどころか、むしろ表示領域内へ移動することが判った。つまり、従来の技術では、電気光学装置の表示品質の低下を確実に回避できるわけではない。

本発明は、上記従来技術の問題点に鑑み成されたものであり、電気光学物質に含まれるイオン性不純物に起因する電気光学装置の表示品質の低下を確実に回避できるようにする技術を提供することを目的とする。

上記課題を解決するために本発明の一態様による電気光学装置は、電気光学物質を挟持する第１基板および第２基板と、第１基板において表示領域の外側に配置された第１イオントラップ電極と、第２基板において第１イオントラップ電極と向き合う位置に配置された第２イオントラップ電極と、第１イオントラップ電極に第１駆動信号を供給する第１供給部と、第２イオントラップ電極に第２駆動信号を供給する第２供給部と、を備え、第１供給部および第２供給部は、表示領域において第１基板側に位置するイオンに対する引き寄せ量と第２基板側に位置するイオンに対する引き寄せ量とが略同じになるように、第１駆動信号および第２駆動信号を供給することを特徴とする。

この態様の電気光学装置における上記第１基板は素子基板に対応し、上記第２基板は対向基板に対応する。この態様の電気光学装置によれば、第１基板と第２基板により挟持された電気光学物質の第１基板側と第２基板側、すなわち素子基板側と対向基板側とでイオン（イオン性不純物）の引き寄せ量が略同じになり、一方の基板側ではイオン性不純物が表示領域内へ移動するといった事態の発生が回避され、イオン性不純物に起因する表示品質の低下を確実に回避できる。なお、「イオンの引き寄せ量」とは、電気光学物質内でのイオンの位置の変動量のことを言い、電気光学物質における電荷分布を計測することで実測可能である。また、「素子基板側と対向基板側とでイオンの引き寄せ量が略同じ」とは、各々の引き寄せ量の実測値に含まれる測定誤差を無視すれば同じ、という意味である。

また、本発明の一態様による電気光学装置は、画素電極と第１イオントラップ電極とを備える第１基板（すなわち、素子基板）と、画素電極に向き合う共通電極と第１イオントラップ電極に向き合う第２イオントラップ電極とを備える第２基板（すなわち、対向基板）と、第１基板と第２基板とにより挟持される電気光学物質と、第１の電位と当該第１の電位よりも低い第２の電位とを、予め定められた第１の時間ずつ交互に画素電極に与える一方、共通電極を第１の電位と第２の電位の中間電位である第３の電位に維持する第１駆動制御部と、第１の電位と第２の電位のうちの一方の電位と第３の電位とで定まる電位範囲内の電位である第４の電位と第３の電位とを、予め定められた第２の時間ずつ交互に第１イオントラップ電極に与えるとともに、第４の電位を第１イオントラップ電極に与えている間は第３の電位を前記第２イオントラップ電極に与え、第３の電位を第１イオントラップ電極に与えている間は第４の電位を第２イオントラップ電極に与える第２駆動制御部と、を有することを特徴とする。

詳細については後述するが、この態様の電気光学装置によれば、画素電極から第１イオントラップ電極へ向かう方向の電位勾配（画素電極の電位から第１イオントラップ電極の電位を減算して得られる電位差に応じた電位勾配）の時間平均と、共通電極から第２イオントラップ電極へ向かう方向の電位勾配（共通電極の電位から第２イオントラップ電極の電位を減算して得られる電位差に応じた電位勾配）の時間平均とが同じになる。表示領域から非表示領域へのイオン性不純物の引き寄せ量は、理論上は表示領域と非表示領域との間の電位勾配に応じて算出される。前述したように、素子基板側の上記電位勾配の時間平均と対向基板側の上記電位勾配の時間平均は同じであるから、素子基板側と対向基板側とでイオン性不純物の引き寄せ量の時間平均は理論上同じになる。したがって、この態様の電気光学装置によれば、一方の基板側ではイオン性不純物が表示領域内へ移動するといった事態の発生が回避され、イオン性不純物に起因する表示品質の低下を確実に回避できる。

第１の時間の時間長と第２の時間の時間長は異なっていても良いし、同じであっても良い。前者の態様であれば、第２の時間の方を第１の時間よりも長くすることが考えられる。第１イオントラップ電極および第２イオントラップ電極の駆動（すなわち、電位の切り換え）に要する電力消費を抑えつつ、素子基板側と対向基板側とでイオン性不純物の引き寄せ量を同じにすることができるからである。また、後者の態様、すなわち、第１の時間の時間長と第２の時間の時間長が同じである場合には、画素電極への第１の電位の印加開始タイミングと、第３の電位と第４の電位のうちの高い方の電位の第１イオントラップ電極への印加開始タイミングとが異なっていても良いし、揃っていても良い。両タイミングが異なる態様の具体例としては、画素電極への第１の電位の印加開始タイミングと、第３の電位と第４の電位のうちの高い方の電位の第１イオントラップ電極への印加開始タイミングの時間差が第１駆動制御部による駆動周期（第１の時間の時間長の２倍の時間長）の１／Ｍ（Ｍは２以上の自然数）である態様、すなわち、画素電極および共通電極の駆動周期と第１および第２イオントラップ電極の駆動周期が１／Ｍ周期だけずれている（３６０°／Ｍだけ位相がずれている）態様が考えられる。

別の好ましい態様においては、第４の電位は、第１の電位と第２の電位のうちの一方の電位と第３の電位との間の電位であることを特徴とする。イオン性不純物の引き寄せ量だけに着目すれば、第４の電位と第３の電位の電位差が大きい方が好ましいが、表示領域への漏れ光を極力抑えるという観点からは第４の電位と第３の電位の電位差は、液晶応答を発生させない範囲に収まっていることが好ましい。

また、上記課題を解決するために本発明の一態様による電気光学装置の駆動方法は、電気光学物質を挟持する第１基板および第２基板と、第１基板において表示領域の外側に配置された第１イオントラップ電極と、第２基板において第１イオントラップ電極と向き合う位置に配置された第２イオントラップ電極と、を備える電気光学装置の駆動方法であって、表示領域において第１基板側に位置するイオンに対する引き寄せ量と第２基板側に位置するイオンに対する引き寄せ量とが略同じになるように、第１イオントラップ電極および第２イオントラップ電極を駆動することを特徴とする。この態様の駆動方法によっても、イオン性不純物に起因する表示品質の低下を確実に回避することができる。

また、上記課題を解決するために本発明の一態様による電気光学装置の駆動方法は、画素電極と第１イオントラップ電極とを備える第１基板と、画素電極に向き合う共通電極と第１イオントラップ電極に向き合う第２イオントラップ電極と、を備える第２基板と、により電気光学物質を挟持してなる電気光学装置の駆動方法であって、第１の電位と当該第１の電位よりも低い第２の電位とを、予め定められた第１の時間ずつ交互に画素電極に与える一方、共通電極を第１の電位と前記第２の電位の中間電位である第３の電位に維持し、第１の電位と第２の電位のうちの一方の電位と第３の電位とで定まる電位範囲内の電位である第４の電位と当該第３の電位とを、予め定められた第２の時間ずつ交互に第１イオントラップ電極に与えるとともに、第４の電位を第１イオントラップ電極に与えている間は第３の電位を第２イオントラップ電極に与え、第３の電位を第１イオントラップ電極に与えている間は第４の電位を第２イオントラップ電極に与えることを特徴とする。この態様の駆動方法によっても、イオン性不純物に起因する表示品質の低下を確実に回避することができる。

本発明の第１実施形態に係る電気光学装装置に含まれる素子基板１０および対向基板２０の構成例を示す図である。 同電気光学装置の部分断面図である。 同電気光学装置の構成例を示す図である。 同電気光学装置の駆動方法、およびこの駆動方法によるイオン性不純物（陽イオン）の収集の様子を表す模式図である。 本発明の第２実施形態に係る電気光学装置の駆動方法、およびこの駆動方法によるイオン性不純物（陰イオン）の収集の様子を表す模式図である。 本発明の第３実施形態に係る電気光学装置の駆動方法、およびこの駆動方法によるイオン性不純物（陽イオン）の収集の様子を表す模式図である。 同電気光学装置の駆動方法、およびこの駆動方法によるイオン性不純物（陰イオン）の収集の様子を表す模式図である。 本発明の第４実施形態に係る電気光学装置の駆動方法、およびこの駆動方法によるイオン性不純物（陽イオン）の収集の様子を表す模式図である。 同電気光学装置の駆動方法、およびこの駆動方法によるイオン性不純物（陰イオン）の収集の様子を表す模式図である。 本発明の第５実施形態に係る電気光学装置の駆動方法、およびこの駆動方法によるイオン性不純物（陽イオン）の収集の様子を表す模式図である。 同電気光学装置の駆動方法、およびこの駆動方法によるイオン性不純物（陰イオン）の収集の様子を表す模式図である。 同電気光学装置の駆動方法、およびこの駆動方法によるイオン性不純物（陽イオン）の収集の様子を表す模式図である。 同電気光学装置の駆動方法、およびこの駆動方法によるイオン性不純物（陰イオン）の収集の様子を表す模式図である。 同電気光学装置の駆動方法、およびこの駆動方法によるイオン性不純物（陽イオン）の収集の様子を表す模式図である。 同電気光学装置の駆動方法、およびこの駆動方法によるイオン性不純物（陰イオン）の収集の様子を表す模式図である。 本発明の第６実施形態に係る電気光学装置の駆動方法、およびこの駆動方法によるイオン性不純物（陽イオン）の収集の様子を表す模式図である。 同電気光学装置の駆動方法、およびこの駆動方法によるイオン性不純物（陰イオン）の収集の様子を表す模式図である。 同電気光学装置の駆動方法、およびこの駆動方法によるイオン性不純物（陽イオン）の収集の様子を表す模式図である。 同電気光学装置の駆動方法、およびこの駆動方法によるイオン性不純物（陽イオン）の収集の様子を表す模式図である。 本発明の第７実施形態に係る電気光学装置において第１イオントラップ電極１２０および第２イオントラップ電極２２０に与えられる電位を説明するための図である。 本発明の電気光学装置１０００を適用したパソコン２０００の構成を示す斜視図である。 同電気光学装置１０００を適用した携帯電話機３０００の構成を示す斜視図である。 同電気光学装置１０００を適用した情報携帯端末４０００の構成を示す斜視図である。

以下図面を参照しつつ本発明の実施形態を説明する。
＜第１実施形態＞
図１は、本発明の一実施形態による電気光学装置に含まれる素子基板１０（第１基板）と対向基板２０（第２基板）の構成例を示す図である。より詳細に説明すると、図１（Ａ）は素子基板１０の平面図であり、図１（Ｂ）は対向基板２０の平面図である。図１（Ａ）および図１（Ｂ）に示すように、素子基板１０と対向基板２０は同じ大きさかつ矩形状の平面形状を有する。図１（Ａ）に示すように、素子基板１０には、画素電極１１０が中央に設けられており、画素電極１１０を取り囲むように第１イオントラップ電極１２０が設けられている。同様に、対向基板２０には、共通電極２１０が中央に設けられており、共通電極２１０を取り囲むように第２イオントラップ電極２２０が設けられている。

本実施形態では、素子基板１０と対向基板２０の間に液晶３０を挟持することで液晶セルが構成される。このとき、図２に示すように、画素電極１１０と共通電極２１０が互いに向き合い、第１イオントラップ電極１２０と第２イオントラップ電極２２０が互いに向き合う。この液晶セルは、有効画素を配した表示領域と、その外側の非表示領域とに区分けされる。図２に示すように、表示領域とは、画素電極１１０および共通電極２１０に対応する領域であり、非表示領域とは、第１イオントラップ電極１２０および第２イオントラップ電極２２０に対応する領域である。

図３は、本実施形態の電気光学装置の構成例を示す模式図である。図３に示すように、本実施形態の電気光学装置は、素子基板１０、対向基板２０および液晶３０の他に、第１駆動制御部４１と第２駆動制御部４２を有する。第１駆動制御部４１は、画素電極１１０および共通電極２１０の駆動制御を行う。より詳細に説明すると、第１駆動制御部４１は、第１の電位（本実施形態では、１２．５Ｖ）と当該第１の電位よりも低い第２の電位（本実施形態では、２．５Ｖ）とを予め定められた第１の時間ずつ交互に画素電極１１０に印加するとともに、共通電極２１０を上記第１の電位と上記第２の電位の中間電位である第３の電位（すなわち、７．５Ｖ）に維持する処理を行う。これにより、表示領域には最大±５Ｖの交流電圧が印可される。以下では、画素電極１１０に第１の電位を与えている状態（すなわち、画素電極１１０の電位＞共通電極２１０の電位である状態）を「表示領域の正極印加状態」と呼び、画素電極１１０に第２の電位を与えている状態（すなわち、画素電極１１０の電位＜共通電極２１０の電位である状態）を「表示領域の負極印加状態」と呼ぶ。

本実施形態の電気光学装置では、非表示領域に対応する第１イオントラップ電極１２０および第２イオントラップ電極２２０に表示領域とは異なる交流電圧を印可することで、イオン性不純物を非表示領域に集積させることができ、第２駆動制御部４２はそのためのものである。第２駆動制御部４２は、第１イオントラップ電極１２０および第２イオントラップ電極２２０の駆動制御を行う。図３に示すように、第２駆動制御部４２は、第１イオントラップ電極１２０に第１駆動信号を供給する第１供給部４２ａと第２イオントラップ電極２２０に第２駆動信号を供給する第２供給部４２ｂとを含む。

第２駆動制御部４２を第１駆動制御部４１とは別個に設けたことで、本実施形態では、画素電極１１０とは別個独立に第１イオントラップ電極１２０に任意の電位を印可することができる。第２イオントラップ電極２２０についても同様に、共通電極２１０とは別個独立に任意の電位を印可することができる。つまり、本実施形態では、表示領域に対応する画素電極１１０および共通電極２１０、非表示領域に対応する第１イオントラップ電極１２０および第２イオントラップ電極２２０の４種類の電極に、それぞれ任意の電位を印可することができる。

より詳細に説明すると、第１供給部４２ａおよび第２供給部４２ｂは、表示領域において素子基板１０側に位置するイオンに対する引き寄せ量と対向基板２０側に位置するイオン（液晶３０中のイオン性不純物）に対する引き寄せ量とが理論上同じになるように、第１駆動信号および第２駆動信号を供給する。具体的には、第２駆動制御部４２は、前述の第１の電位と同第２の電位のうちの一方の電位と第３の電位とで定まる電位範囲内の電位である第４の電位と当該第３の電位とを、予め定められた第２の時間ずつ交互に第１イオントラップ電極１２０に与える。また、第２駆動制御部４２は、第４の電位を第１イオントラップ電極１２０に与えている間は第３の電位を第２イオントラップ電極２２０に与え、第３の電位を第１イオントラップ電極１２０に与えている間は第４の電位を第２イオントラップ電極２２０に与える。以下では、第１イオントラップ電極１２０の電位＞第２イオントラップ電極２２０の電位である状態を「非表示領域の正極印加状態」と呼び、第１イオントラップ電極１２０の電位＜第２イオントラップ電極２２０の電位である状態を「非表示領域の負極印加状態」と呼ぶ。

第４の電位は、収集対象のイオン性不純物の極性に応じて定められる。具体的には、収集対象のイオン性不純物が陽イオンである場合には、第４の電位は、第２の電位と第３の電位とで定まる電位範囲内で定められる。逆に、収集対象のイオン性不純物が陰イオンである場合には、第４の電位は、第１の電位と第３の電位とで定まる電位範囲内で定められる。本実施形態では、集積対象のイオン性不純物は陽イオンであり、上記第４の電位は上記第２の電位と同じ値（すなわち、２．５Ｖ）に設定されている。また、本実施形態では、第１の時間の時間長と第２の時間の時間長は同じ、すなわち、第１駆動制御部４１による表示領域の電極の駆動周波数と第２駆動制御部４２による非表示領域の電極の駆動周波数は同じである。また、画素電極１１０への第１の電位の印加開始タイミングと、第３の電位と第４の電位のうちの高い方（本実施形態では、第３の電位）の第１イオントラップ電極１２０への印加開始タイミングとが揃っている。つまり、第１駆動制御部４１による表示領域の駆動周期と第２駆動制御部４２による非表示領域の駆動周期は、位相が揃っている。

図４は、本実施形態の電気光学装置の駆動方法およびこの駆動方法により実現されるイオン性不純物集積の様子を説明するための模式図である。図４（Ａ）は、表示領域の正極印加状態（図４では、「＋ｆｉｅｌｄ」という文言で表示領域が正極印加状態であることを表記：図５〜図１９についても同様）を示す模式図である。これに対して、図４（Ｂ）は、表示領域の負極印加状態（図４では、「−ｆｉｅｌｄ」という文言で表示領域が負極印加状態であることを表記：図５〜図１９についても同様）を示す模式図である。

第１駆動制御部４１による駆動周期と第２駆動制御部４２による駆動周期の位相が揃っており、両者の駆動周波数も同じであるため、表示領域が正極印可状態である場合（図４（Ａ）参照）には、第１イオントラップ電極１２０には第４の電位（２．５Ｖ）と第３の電位（７．５Ｖ）のうちの高い方、すなわち後者が印加され、第２イオントラップ電極２２０には前者（２．５Ｖ）が印加される。つまり、非表示領域も正極印加状態となる。この状況下では、素子基板１０側では画素電極１１０から第１イオントラップ電極１２０に向かう方向に両電極の電位差１２．５Ｖ−７．５Ｖ＝５．０Ｖ分の電位勾配が発生し、イオン性不純物は電位が低くなる方向（矢印４１０Ｂで示すように表示領域から非表示領域へ向かう方向）へ移動する。同様に、対向基板２０側では共通電極２１０から第２イオントラップ電極２２０に向かう方向に両電極の電位差７．５Ｖ−２．５Ｖ＝５．０Ｖ分の電位勾配が発生し、イオン性不純物は矢印４１０Ａの示す方向、すなわち表示領域から非表示領域へ移動する。

表示領域が負極印可状態である場合（図４（Ｂ）参照）には、第１イオントラップ電極１２０には第４の電位（２．５Ｖ）が印加され、第２イオントラップ電極２２０には第３の電位（７．５Ｖ）が印加される。つまり、非表示領域も負極印加状態となる。この状況下では、素子基板１０側と対向基板２０側の何れにおいても、表示領域と非表示領域との間で電位勾配は発生せず（図４（Ｂ）参照）、イオン性不純物の移動は発生しない（図４（Ｂ）では点線で表現：他の図においても同様）。なお、表示領域の負極印加時には、画素によっては画素電極１１０の電圧値が２．５Ｖにならない場合もあるが、その場合でも電圧値は２．５Ｖと７．５Vの間の電圧値となるので、イオン性不純物の移動は画素電極１１０側から第１イオントラップ電極１２０側への移動しか発生しない。

表示領域の正極印可時に素子基板１０側で発生する電位勾配と対向基板２０側で発生する電位勾配は同じであるため、表示領域への正極印可→負極印加→正極印可・・・を繰り返す過程で、素子基板１０側と対向基板２０側とでイオン性不純物の引き寄せ量の時間平均は、理論上同じになる。このように本実施形態によれば、素子基板１０側と対向基板２０側とでイオン性不純物の引き寄せ量を略同じ（測定誤差を加味すれば同じ値）にすることが可能になり、イオン性不純物に起因する表示品質の低下を確実に回避することが可能になる。

＜第２実施形態＞
上記第１実施形態では、収集対象のイオン性不純物が陽イオンである場合について説明したが、本実施形態における収集対象のイオン性不純物は陰イオンであり、この点が第１実施形態と異なる。本実施形態の電気光学装置の構成は第１実施形態の電気光学装置の構成（図３参照）と同じであるため、詳細な説明は省略する（後述する第３〜第６実施形態についても同様）。前述したように、収集対象のイオン性不純物が陰イオンである場合は、第４の電位を、第１の電位と第３の電位に応じて定まる電位範囲内で定めれば良く、本実施形態では第４の電位は第１の電位と同じ値（すなわち、１２．５Ｖ）に設定されている。以下、図５を参照しつつ、本実施形態の電気光学装置の駆動方法および本実施形態におけるイオン性不純物収集の様子を説明する。なお、本実施形態では、前述の第１実施形態と同様に、第１駆動制御部４１による電極の駆動周波数と第２駆動制御部４２による電極の駆動周波数は同じであり、また、第１駆動制御部４１による駆動周期と第２駆動制御部４２による駆動周期の位相も揃っている。

図５は、本実施形態におけるイオン性不純物集積の様子を説明するための模式図である。第１駆動制御部４１による電極の駆動周期と第２駆動制御部４２による電極の駆動周期の位相が揃っており、両者の駆動周波数も同じであるため、表示領域が正極状態である場合（図５（Ａ）参照）には、非表示領域も正極印加状態とされる。つまり、第１イオントラップ電極１２０には第４の電位（１２．５Ｖ）と第３の電位（７．５Ｖ）のうちの高い方、すなわち前者が印加され、第２イオントラップ電極２２０には後者（２．５Ｖ）が印加される。この状態では、素子基板１０側と対向基板２０側の何れにおいても、表示領域と非表示領域との間の電位勾配は発生せず、イオン性不純物の移動は発生しない。

表示領域が負極印可状態に切り替えられると、これに同期して非表示領域の負極印加状態に切り替えられる（図５（Ｂ）参照）。つまり、第１イオントラップ電極１２０には第３の電位（７．５Ｖ）が印加され、第２イオントラップ電極２２０には第４の電位（１２．５Ｖ）が印加される。この状況下では、素子基板１０側では画素電極１１０から第１イオントラップ電極１２０に向かう方向に両電極の電位差２．５Ｖ−７．５Ｖ＝−５．０Ｖ分の電位勾配が発生し、イオン性不純物は電位が高くなる方向へ（矢印５１０Ｂで示すように表示領域から非表示領域へ向かう方向）へ移動する。同様に、対向基板２０側では共通電極２１０から第２イオントラップ電極２２０に向かう方向に両電極の電位差７．５Ｖ−１２．５Ｖ＝−５．０Ｖ分の電位勾配が発生し、イオン性不純物は矢印５１０Ａの示す方向、すなわち表示領域から非表示領域へ移動する。

本実施形態においても、表示領域の正極印可時に素子基板１０側に発生する電位勾配と対向基板２０側に発生する電位勾配は同じである。このため、表示領域への正極印可→負極印加→正極印可・・・を繰り返す過程で、素子基板１０側と対向基板２０側とでイオン性不純物の引き寄せ量の時間平均は、理論上同じになる。このように、収集対象のイオン性不純物が陰イオンである場合も、素子基板１０側と対向基板２０側とでイオン性不純物の引き寄せ量を略同じにすることが可能になり、イオン性不純物に起因する表示品質の低下を確実に回避することが可能になる。

＜第３実施形態＞
上記第１および第２実施形態では、第１駆動制御部４１による電極の駆動周波数と第２駆動制御部４２による電極の駆動周波数とが同じであった。しかし、第１駆動制御部４１による電極の駆動周波数と第２駆動制御部４２による電極の駆動周波数とが異なっていても良い（換言すれば、前述した第１の時間の時間長と第２の時間の時間長が異なっていても良い）。本実施形態では、第１駆動制御部４１と第２駆動制御部４２は共に正極印加状態から電極の駆動を開始するものの、第２駆動制御部４２による電極の駆動周波数が第１駆動制御部４１による電極の駆動周波数の１／２である点、すなわち、前者の駆動周期が後者の駆動周期の２倍である点が第１および第２実施形態と異なる。以下、図６および図７を参照しつつ、本実施形態におけるイオン性不純物収集の様子を説明する。

図６は、収集対象のイオン性不純物が陽イオンである場合の本実施形態の電気光学装置の駆動方法およびイオン性不純物収集の様子を示す模式図である。図６に示す例では、収集対象のイオン性不純物が陽イオンであるため、第１実施形態と同様に第４の電位は第２の電位と同じ値（２．５Ｖ）に設定されている。本実施形態では、第２駆動制御部４２による駆動周波数が第１駆動制御部４１による駆動周波数の１／２倍であるため、図６（Ａ）および図６（Ｂ）に示すように、表示領域への電位印加状態が正極印加→負極印加と遷移しても、非表示領域は正極印加状態に維持される。その後、表示領域が再度正極印加状態へ遷移するタイミングで非表示領域は負極印加状態へ遷移し（図６（Ｃ）参照）、表示領域が負極印加状態へ遷移しても非表示領域は負極印加状態に維持される（図６（Ｄ）参照）。その後さらに表示領域が正極印加状態へ遷移すると、非表示領域も正極印加状態へ遷移し、図６（Ａ）の状態に戻る。

本実施形態において素子基板１０側に発生する電位勾配は次の通りである。図６（Ａ）に示す状態では５Ｖの電位差の電位勾配が、図６（Ｂ）に示す状態では−５Ｖの電位差の電位勾配が、図６（Ｃ）に示す状態では１０Ｖの電位差の電位勾配が、それぞれ発生し、図６（Ｄ）に示す状態では、電位勾配は発生しない。第１駆動制御部４１による駆動周期と第２駆動制御部４２による駆動周期の最小公倍数を１サイクルとすると、その１サイクルにおいて素子基板１０側に発生する正味の電位勾配（換言すれば、電位勾配の時間平均）は、１０Ｖの電位差分の電位勾配となる。なお、図６では上記各電位勾配によるイオン性不純物の移動方向および引き寄せ量が矢印６１０Ｂ、６２０Ｂおよび６３０の向きおよび長さで表されている。

これに対して、対向基板２０側に発生する電位勾配は次の通りである。図６（Ａ）に示す状態では５Ｖの電位差の電位勾配が、図６（Ｂ）に示す状態では５Ｖの電位差の電位勾配が、それぞれ発生し、図６（Ｃ）および図６（Ｄ）の各々に示す状態では電位勾配は発生しない。このため、１サイクルにおいて対向基板２０側に発生する正味の電位勾配も１０Ｖの電位差分の電位勾配となる。なお、図６では上記各電位勾配によるイオン性不純物の移動方向および引き寄せ量が矢印６１０Ａおよび６２０Ａの向きおよび長さで表されている。

このように、１サイクルにおいて素子基板１０側で発生する正味の電位勾配と対向基板２０側で発生する正味の電位勾配は同じであるため、１サイクルの処理を繰り返す過程で、素子基板１０側と対向基板２０側とでイオン性不純物の引き寄せ量の時間平均は、理論上同じになる。

図７は、収集対象のイオン性不純物が陰イオンである場合の本実施形態の電気光学装置の駆動方法およびイオン性不純物収集の様子を示す模式図である。図７に示す例では、収集対象のイオン性不純物が陰イオンであるため、第２実施形態と同様に第４の電位は第１の電位と同じ値（１２．５Ｖ）に設定されている。この場合も図６に示す場合と同様に、表示領域への電位印加状態が正極印加→負極印加と遷移しても、非表示領域は正極印加状態に維持され、表示領域が再度正極印加状態へ遷移するタイミングで非表示領域は負極印加状態へ遷移し、表示領域が再度正極印加状態へ遷移するまでその状態が維持される。

図７（Ａ）〜（Ｄ）に示すように、素子基板１０側に発生する電位勾配は次の通りである。図７（Ａ）に示す状態では電位勾配は発生せず、図７（Ｂ）に示す状態では−１０Ｖの電位勾配が、図７（Ｃ）に示す状態では５Ｖの電位差の電位勾配が、図７（Ｄ）に示す状態では−５Ｖの電位差の電位勾配が、それぞれ発生する。つまり、１サイクルにおいて、素子基板１０側に発生する正味の電位勾配は、−１０Ｖの電位差分の電位勾配である。図７においても上記各電位勾配によるイオン性不純物の移動方向および引き寄せ量が矢印７１０、７２０Ｂおよび７３０Ｂの向きおよび長さで表されている。

これに対して、対向基板２０側に発生する電位勾配は次の通りである。図７（Ａ）および図７（Ｂ）の各々に示す状態では電位勾配は発生せず、図７（Ｃ）に示す状態では−５Ｖの電位差の電位勾配が、図７（Ｄ）に示す状態では−５Ｖの電位差の電位勾配が、それぞれ発生する。このため、１サイクルにおいて対向基板２０側に発生する正味の電位勾配も−１０Ｖの電位差分の電位勾配となる。図７においても上記各電位勾配によるイオン性不純物の移動方向および引き寄せ量が矢印７２０Ａおよび７３０Ａの向きおよび長さで表されている。

このように、１サイクルにおいて素子基板１０側で発生する正味の電位勾配と対向基板２０側で発生する正味の電位勾配は同じであるため、１サイクルの処理を繰り返す過程で、素子基板１０側と対向基板２０側とでイオン性不純物の引き寄せ量の時間平均は、理論上同じになる。

以上説明したように本実施形態においても、１サイクルの処理を繰り返す過程で、素子基板１０側と対向基板２０側とでイオン性不純物の引き寄せ量の時間平均は、理論上同じになり、イオン性不純物に起因する表示品質の低下を確実に回避することができる。加えて、本実施形態によれば以下の効果も奏される。すなわち、表示領域の駆動周波数は表示品位向上のためには高い周波数であることが好ましいが、非表示領域を高速駆動する必要はない。本実施形態によれば、非表示領域を駆動するための回路負荷および消費電力を第１および第２実施形態よりも低く抑えつつ、イオン性不純物を収集することができるといった効果が奏される。

＜第４実施形態＞
上記第３実施形態では、第２駆動制御部４２による電極の駆動周波数が第１駆動制御部４１による電極の駆動周波数の１／２であったが、本実施形態は、第２駆動制御部４２による電極の駆動周波数が第１駆動制御部４１による電極の駆動周波数の２倍である点が第３実施形態と異なる。以下、図８および図９を参照しつつ、本実施形態におけるイオン性不純物収集の様子を説明する。

図８は、収集対象のイオン性不純物が陽イオンである場合の本実施形態の電気光学装置の駆動方法およびイオン性不純物収集の様子を示す模式図である。図８に示す例では、収集対象のイオン性不純物が陽イオンであるため、第１実施形態と同様に第４の電位は第２の電位と同じ値（２．５Ｖ）に設定されている。本実施形態では、第２駆動制御部４２による駆動周波数が第１駆動制御部４１による駆動周波数の２倍であるため、図８（Ａ）〜図８（Ｄ）に示すように、非表示領域への電位印加状態が正極印加→負極印加と遷移しても、表示領域は正極印加状態に維持され、非表示領域が再度正極印加状態へ遷移するタイミングで表示領域は負極印加状態へ遷移し、非表示領域が再度正極印加状態へ遷移するまでその状態が維持される。

本実施形態において素子基板１０側に発生する電位勾配は次の通りである。図８（Ａ）に示す状態では５Ｖの電位差の電位勾配が、図８（Ｂ）に示す状態では１０Ｖの電位差の電位勾配が、図８（Ｃ）に示す状態では−５Ｖの電位差の電位勾配が、それぞれ発生し、図８（Ｄ）に示す状態では電位勾配は発生しない。つまり、１サイクルにおいて、素子基板１０側に発生する正味の電位勾配は、１０Ｖの電位差分の電位勾配である。図８では上記各電位勾配によるイオン性不純物の移動方向および引き寄せ量が矢印８１０Ｂ、８２０および８３０Ｂの向きおよび長さで表されている。

これに対して、対向基板２０側に発生する電位勾配は次の通りである。図８（Ａ）および図８（Ｃ）の各々に示す状態では５Ｖの電位差の電位勾配が発生し、図８（Ｂ）および図８（Ｄ）の各々に示す状態では電位勾配は発生しない。このため、１サイクルにおいて、対向基板２０側に発生する正味の電位勾配も１０Ｖの電位差分の電位勾配である。図８では上記各電位勾配によるイオン性不純物の移動方向および引き寄せ量が矢印８１０Ａおよび８３０Ａの向きおよび長さで表されている。

図９は、収集対象のイオン性不純物が陰イオンである場合の本実施形態の電気光学装置の駆動方法およびイオン性不純物収集の様子を示す模式図である。図９に示す例では、収集対象のイオン性不純物が陰イオンであるため、第２実施形態と同様に第４の電位は第１の電位と同じ値（１２．５Ｖ）に設定されている。この場合も図８に示す場合と同様に、非表示領域への電位印加状態が正極印加→負極印加と遷移しても、表示領域は正極印加状態に維持され、非表示領域が再度正極印加状態へ遷移するタイミングで表示領域は負極印加状態へ遷移し、非表示領域が再度正極印加状態へ遷移するまでその状態が維持される。

図９（Ａ）〜（Ｄ）に示すように、素子基板１０側に発生する電位勾配は次の通りである。図７（Ａ）に示す状態では電位勾配は発生せず、図９（Ｂ）に示す状態では５Ｖの電位勾配が、図９（Ｃ）に示す状態では−１０Ｖの電位差の電位勾配が、図９（Ｄ）に示す状態では−５Ｖの電位差の電位勾配が、それぞれ発生する。つまり、１サイクルにおいて、素子基板１０側に発生する正味の電位勾配は、−１０Ｖの電位差分の電位勾配である。図９では上記各電位勾配によるイオン性不純物の移動方向および引き寄せ量が矢印９１０Ｂ、９２０、および９３０Ｂの向きおよび長さで表されている。

これに対して、対向基板２０側に発生する電位勾配は次の通りである。図９（Ａ）および図９（Ｃ）の各々に示す状態では電位勾配は発生せず、図９（Ｂ）および図９（Ｄ）の各々に示す状態では−５Ｖの電位差の電位勾配がそれぞれ発生する。このため、１サイクルにおいて、対向基板２０側に発生する正味の電位勾配も−１０Ｖの電位差分の電位勾配となる。図９では上記各電位勾配によるイオン性不純物の移動方向および引き寄せ量が矢印９１０Ａおよび９３０Ａの向きおよび長さで表されている。

このように本実施形態においても、１サイクルにおいて素子基板１０側に発生する正味の電位勾配と対向基板２０側に発生する正味の電位勾配は同じであるため、１サイクルの処理を繰り返す過程で、素子基板１０側と対向基板２０側とでイオン性不純物の引き寄せ量の時間平均は、理論上同じになる。したがって、本実施形態によっても、イオン性不純物に起因する表示品質の低下を確実に回避することが可能になる。

＜第５実施形態＞
上記第１および第２実施形態では、第１駆動制御部４１による電極の駆動周期の時間長と第２駆動制御部４２による電極の駆動周期の時間長とが等しく、両者の位相が揃っていたが、両者の位相にずれがあっても良い。例えば、第１駆動制御部４１による駆動周期と第１駆動制御部４１による駆動周期が、１／Ｍ（Ｍは２以上の任意の自然数）周期だけ異なっていても（換言すれば、３６０°／Ｍだけ位相がずれていても）良い。以下、Ｍ＝２の場合について図１０および図１１を参照しつつ、本実施形態におけるイオン性不純物収集の様子を説明する。

図１０は、収集対象のイオン性不純物が陽イオンである場合の本実施形態の電気光学装置の駆動方法およびイオン性不純物収集の様子を示す模式図である。図１０に示す例では、収集対象のイオン性不純物が陽イオンであるため、第１実施形態と同様に第４の電位は第２の電位と同じ値（２．５Ｖ）に設定されている。本実施形態では、第２駆動制御部４２による駆動周期の位相と第１駆動制御部４１による駆動周期の位相が１８０°ずれているため、図１０（Ａ）および図１０（Ｂ）に示すように、表示領域が正極印加状態であれば非表示領域は負極印加状態となり、表示領域が負極印加状態であれば非表示領域は正極印加状態となる。

本実施形態において素子基板１０側に発生する電位勾配は次の通りである。図１０（Ａ）に示す状態では１０Ｖの電位差の電位勾配が発生し、図１０（Ｂ）に示す状態では−５Ｖの電位差の電位勾配が発生する。したがって、１サイクルにおいて素子基板１０側に発生する正味の電位勾配は、５Ｖの電位差分の電位勾配となる。これに対して、対向基板２０側に発生する電位勾配は次の通りである。図１０（Ａ）に示す状態では電位勾配は発生せず、図１０（Ｂ）に示す状態では５Ｖの電位差の電位勾配が発生する。したがって、１サイクルにおいて対向基板２０側に発生する正味の電位勾配も５Ｖの電位差分の電位勾配となる。なお、図１０では、上記各電位勾配によるイオン性不純物の移動方向および引き寄せ量が矢印１０１０、１０２０Ａおよび１０２０Ｂの向きおよび長さで表されている。

図１１は、収集対象のイオン性不純物が陰イオンである場合の本実施形態の電気光学装置の駆動方法およびイオン性不純物収集の様子を示す模式図である。図１１に示す例では、収集対象のイオン性不純物が陽イオンであるため、第２実施形態と同様に第４の電位は第１の電位と同じ値（１２．５Ｖ）に設定されている。図１１に示す場合も、表示領域が正極印加状態であれば非表示領域は負極印加状態となり、表示領域が負極印加状態であれば非表示領域は正極印加状態となっている。

図１１（Ａ）および図１１（Ｂ）に示すように、素子基板１０側に発生する電位勾配は次の通りである、図１１（Ａ）に示す状態では５Ｖの電位差の電位勾配が発生し、図１０（Ｂ）に示す状態では−１０Ｖの電位差の電位勾配が発生する。したがって、１サイクルにおいて、素子基板１０側に発生する正味の電位勾配は−５Ｖの電位差分の電位勾配となる。これに対して、対向基板２０側に発生する電位勾配は次の通りである。図１１（Ａ）に示す状態では−５Ｖの電位勾配が発生し、図１１（Ｂ）に示す状態では電位勾配は発生しない。したがって、１サイクルにおいて対向基板２０側に発生する正味の電位勾配も−５Ｖの電位差分の電位勾配となる。なお、図１１においても、上記各電位勾配によるイオン性不純物の移動方向および引き寄せ量が矢印１１１０Ａ、１１１０Ｂおよび１１２０の向きおよび長さで表されている。

このように図１０および図１１の何れの場合においても、１サイクルにおいて素子基板１０側に発生する正味の電位勾配と対向基板２０側に発生する正味の電位勾配は同じであるため、１サイクルの処理を繰り返す過程で、素子基板１０側と対向基板２０側とでイオン性不純物の引き寄せ量の時間平均は、理論上同じになる。

図１２は、収集対象のイオン性不純物が陽イオンであり、かつＭ＝４の場合の本実施形態の電気光学装置の駆動方法およびイオン性不純物収集の様子を示す模式図である。図１２に示す例においても、収集対象のイオン性不純物が陽イオンであるため、第１実施形態と同様に第４の電位は第２の電位と同じ値（２．５Ｖ）に設定されている。図１２（Ａ）〜図１２（Ｄ）に示すように、素子基板１０側には、図１２（Ａ）に示す状態では５Ｖの電位差の電位勾配が発生し、図１２（Ｂ）に示す状態では１０Ｖの電位差の電位勾配が発生し、図１２（Ｃ）に示す状態では電位勾配は発生せず、図１２（Ｄ）に示す状態では−５Ｖの電位差の電位勾配が発生する。したがって、１サイクルにおいて素子基板１０側に発生する正味の電位勾配は１０Ｖの電位差分の電位勾配となる。一方、対向基板２０側には、図１２（Ａ）および図１２（Ｄ）の各々に示す状態では５Ｖの電位勾配が発生し、図１２（Ｂ）および図１２（Ｄ）の各々に示す状態では電位勾配は発生しない。したがって、１サイクルにおいて対向基板２０側に発生する正味の電位勾配も１０Ｖの電位差分の電位勾配となる。

したがって、図１２に示す場合も、１サイクルの処理を繰り返す過程で、素子基板１０側と対向基板２０側とでイオン性不純物の引き寄せ量の時間平均は、理論上同じになる。図１２においても、上記各電位勾配によるイオン性不純物の移動方向および引き寄せ量が矢印１４１０Ａ、１４１０Ｂ、１４２０、１４３０Ａおよび１４３０Ｂの向きおよび長さで表されている。

図１３は、収集対象のイオン性不純物が陰イオンであり、かつＭ＝４の場合の本実施形態の電気光学装置の駆動方法およびイオン性不純物収集の様子を示す模式図である。図１３に示す例においても、収集対象のイオン性不純物が陰イオンであるため、第２実施形態と同様に第４の電位は第１の電位と同じ値（１２．５Ｖ）に設定されている。図１３（Ａ）〜図１３（Ｄ）に示すように、素子基板１０側には、図１３（Ａ）に示す状態では電位勾配は発生せず、図１３（Ｂ）に示す状態では５Ｖの電位差の電位勾配が、図１３（Ｃ）に示す状態では−５Ｖの電位差の電位勾配が、図１３（Ｄ）に示す状態では−１０Ｖの電位差の電位勾配がそれぞれ発生する。したがって、１サイクルにおいて素子基板１０側に発生する正味の電位勾配は−１０Ｖの電位差分の電位勾配となる。一方、対向基板２０側には、図１３（Ａ）および図１３（Ｄ）の各々に示す状態では電位勾配は発生せず、図１３（Ｂ）および図１３（Ｃ）の各々に示す状態ではそれぞれー５Ｖの電位差の電位勾配が発生する。したがって、１サイクルにおいて対向基板２０側に発生する正味の電位勾配も−１０Ｖの電位差分の電位勾配となる。

したがって、図１３に示す場合も、１サイクルの処理を繰り返す過程で、素子基板１０側と対向基板２０側とでイオン性不純物の引き寄せ量の時間平均は、理論上同じになる。なお、図１３においても、上記各電位勾配によるイオン性不純物の移動方向および引き寄せ量が矢印１５１０Ａ、１５１０Ｂ、１５２０Ａ、１５２０Ｂ、および１５３０の向きおよび長さで表されている。

図１４は、収集対象のイオン性不純物が陽イオンであり、かつＭ＝６の場合の本実施形態の電気光学装置の駆動方法およびイオン性不純物収集の様子を示す模式図である。図１４に示す例においても、収集対象のイオン性不純物が陽イオンであるため、第１実施形態と同様に第４の電位は第２の電位と同じ値（２．５Ｖ）に設定されている。図１４（Ａ）〜図１４（Ｆ）に示すように、素子基板１０側には、図１２（Ａ）に示す状態では５Ｖの電位差の電位勾配が、図１４（Ｂ）および図１４（Ｃ）の各々に示す状態ではそれぞれ１０Ｖの電位差の電位勾配が、図１４（Ｅ）および図１４（Ｆ）の各々に示す状態ではそれぞれ−５Ｖの電位勾配が発生し、図１４（Ｄ）に示す状態では電位勾配は発生しない。したがって、１サイクルにおいて、素子基板１０側に発生する正味の電位勾配は１５Ｖの電位差分の電位勾配となる。一方、対向基板２０側には、図１４（Ａ）、図１４（Ｅ）および図１４（Ｆ）の各々に示す状態ではそれぞれ５Ｖの電位勾配が発生し、図１４（Ｂ）〜図１４（Ｄ）の各々に示す状態では電位勾配は発生しない。したがって、１サイクルにおいて対向基板２０側に発生する正味の電位勾配も１５Ｖの電位差分の電位勾配となる。

したがって、図１４に示す場合も、１サイクルの処理を繰り返す過程で、素子基板１０側と対向基板２０側とでイオン性不純物の引き寄せ量の時間平均は、理論上同じになる。なお、図１４においても、上記各電位勾配によるイオン性不純物の移動方向および引き寄せ量が矢印１６１０Ａ、１６１０Ｂ、１６２０、１６３０、１６４０Ａ、１６４０Ｂ、１６５０Ａおよび１１６５０Ｂの向きおよび長さで表されている。

図１５は、収集対象のイオン性不純物が陰イオンであり、かつＭ＝６の場合の本実施形態の電気光学装置の駆動方法およびイオン性不純物収集の様子を示す模式図である。図１５に示す例においても、収集対象のイオン性不純物が陰イオンであるため、第２実施形態と同様に第４の電位は第１の電位と同じ値（１２．５Ｖ）に設定されている。図１５（Ａ）〜図１５（Ｆ）に示すように、素子基板１０側には、図１５（Ａ）に示す状態では電位勾配は発生せず、図１５（Ｂ）および図１５（Ｃ）の各々に示す状態ではそれぞれ５Ｖの電位差の電位勾配が、図１５（Ｄ）に示す状態では−５Ｖの電位差の電位勾配が、図１５（Ｅ）および図１５（Ｆ）の各々に示す状態ではそれぞれ−１０Ｖの電位差の電位勾配が発生する。したがって、１サイクルにおいて素子基板１０側に発生する正味の電位勾配は−１５Ｖの電位差分の電位勾配となる。一方、対向基板２０側には、図１５（Ａ）、図１５（Ｅ）および図１５（Ｆ）の各々に示す状態では電位勾配は発生せず、図１５（Ｂ）〜図１５（Ｄ）の各々に示す状態では−５Ｖの電位差の電位勾配がそれぞれ発生する。したがって、１サイクルにおいて対向基板２０側に発生する正味の電位勾配も−１５Ｖの電位差分の電位勾配となる。

したがって、図１５に示す場合も、１サイクルの処理を繰り返す過程で、素子基板１０側と対向基板２０側とでイオン性不純物の引き寄せ量の時間平均は、理論上同じになる。なお、図１５においても、上記各電位勾配によるイオン性不純物の移動方向および引き寄せ量が矢印１７１０Ａ、１７１０Ｂ、１７２０Ａ、１７２０Ｂ、１７３０Ａ、１７３０Ｂ、１７４０、および１７５０の向きおよび長さで表されている。

以上説明したように本実施形態においても、１サイクルにおいて素子基板１０側で発生する正味の電位勾配と対向基板２０側で発生する正味の電位勾配は同じであり、１サイクルの処理を繰り返す過程で、素子基板１０側と対向基板２０側とでイオン性不純物の引き寄せ量の時間平均は、理論上同じになる。したがって、本実施形態によっても、イオン性不純物に起因する表示品質の低下を確実に回避することが可能になる。また、本実施形態は、第１駆動制御部４１と第２駆動制御部４２を同期させなくてもイオン性不純物に起因する表示品質の低下を確実に回避できることを示している。したがって、第１駆動制御部４１と第２駆動制御部４２とを同期させるための同期信号は不要であり、このような同期信号の発生が不要になる分、回路負荷を低減することができる。

＜第６実施形態＞
上記第５実施形態では、第１駆動制御部４１による電極の駆動周期の時間長と第２駆動制御部４２による電極の駆動周期の時間長とが同じであるものの、両者の位相にずれがある場合について説明した。しかし、第１駆動制御部４１による電極の駆動周期と第２駆動制御部４２による電極の駆動周期の位相にずれがあり、かつ両駆動周期の時間長が異なっていても（すなわち、両者の駆動周波数が異なっていても）良い。以下、第２駆動制御部４２による駆動周波数が第１駆動制御部４１による駆動周波数の１／２であり、かつ位相が１８０°ずれている場合について図１６および図１７を参照しつつ説明する。

図１６は、収集対象のイオン性不純物が陽イオンである場合の本実施形態の電気光学装置の駆動方法およびイオン性不純物収集の様子を示す模式図である。図１６に示す例においても、収集対象のイオン性不純物が陽イオンであるため、第１実施形態と同様に第４の電位は第２の電位と同じ値（２．５Ｖ）に設定されている。第２駆動制御部４２による駆動周期の位相と第１駆動制御部４１による駆動周期の位相が１８０°ずれているため、図１６（Ａ）に示す状態では表示領域は正極印加状態に、非表示領域は負極印加状態になっている。第２駆動制御部４２による駆動周波数が第１駆動制御部４１による駆動周波数の１／２であるため、図１６（Ａ）に示す状態から表示領域が負極印加状態へ遷移しても非表示領域は負極印加状態のままである（図１６（Ｂ）参照）。その後、表示領域が再度正極印加状態へ遷移すると非表示領域は正極印加状態へ遷移し（図１６（Ｃ）参照）、表示領域が負極印加状態へ遷移しても非表示領域は正極印加状態を維持する（図１６（Ｄ））。さらにその後、表示領域が正極印加状態へ遷移すると、非表示領域は負極印加状態へ遷移して図１６（Ａ）の状態に戻る。

図１６（Ａ）〜図１６（Ｄ）に示すように、素子基板１０側には、図１６（Ａ）に示す状態では１０Ｖの電位差の電位勾配が、図１６（Ｃ）に示す状態では５Ｖの電位差の電位勾配が、図１６（Ｄ）に示す状態では−５Ｖの電位差の電位勾配がそれぞれ発生し、図１６（Ｂ）に示す状態では電位勾配は発生しない。したがって、１サイクルにおいて素子基板１０側に発生する正味の電位勾配は１０Ｖの電位差分の電位勾配となる。一方、対向基板２０側には、図１６（Ａ）および図１６（Ｂ）の各々に示す状態では電位勾配は発生せず、図１６（Ｃ）および図１６（Ｄ）の各々に示す状態では５Ｖの電位差の電位勾配がそれぞれ発生する。したがって、１サイクルにおいて対向基板２０側に発生する正味の電位勾配も１０Ｖの電位差分の電位勾配となる。したがって、図１６に示す場合も、１サイクルの処理を繰り返す過程で、素子基板１０側と対向基板２０側とでイオン性不純物の引き寄せ量の時間平均は、理論上同じになる。なお、図１６においても、上記各電位勾配によるイオン性不純物の移動方向および引き寄せ量が矢印１２１０、１２２０Ａ、１２２０Ｂ、１２３０Ａ、および１２３０Ｂの向きおよび長さで表されている。

図１７は、収集対象のイオン性不純物が陰イオンである場合の本実施形態の電気光学装置の駆動方法およびイオン性不純物収集の様子を示す模式図である。図１７に示す例においても、収集対象のイオン性不純物が陰イオンであるため、第２実施形態と同様に第４の電位は第１の電位と同じ値（１２．５Ｖ）に設定されている。表示領域および非表示領域の各々における極性の遷移態様は図１６の場合と同様である。

図１７（Ａ）〜図１７（Ｄ）に示すように、素子基板１０側には、図１７（Ａ）に示す状態では５Ｖの電位差の電位勾配が、図１６（Ｂ）に示す状態では−５Ｖの電位差の電位勾配が、図１７（Ｄ）に示す状態では−１０Ｖの電位差の電位勾配がそれぞれ発生し、図１７（Ｃ）に示す状態では電位勾配は発生しない。したがって、１サイクルにおいて素子基板１０側に発生する正味の電位勾配は−１０Ｖの電位差分の電位勾配となる。一方、対向基板２０側には、図１７（Ａ）および図１６（Ｂ）の各々に示す状態では−５Ｖの電位差の電位勾配が発生し、図１７（Ｃ）および図１７（Ｄ）の各々に示す状態では電位勾配は発生しない。したがって、１サイクルにおいて対向基板２０側に発生する正味の電位勾配も−１０Ｖの電位差分の電位勾配となる。したがって、図１７に示す場合も、１サイクルの処理を繰り返す過程で、素子基板１０側と対向基板２０側とでイオン性不純物の引き寄せ量の時間平均は、理論上同じになる。なお、図１７においても、上記各電位勾配によるイオン性不純物の移動方向および引き寄せ量が矢印１３１０Ａ、１３１０Ｂ、１３２０Ａ、１３２０Ｂおよび１３３０の向きおよび長さで表されている。

次いで、第２駆動制御部４２による駆動周波数が第１駆動制御部４１による駆動周波数の１／２であり、かつ位相が４５°ずれている場合における陽イオンのイオン性不純物の収集の様子を図１８および図１９を参照しつつ説明する。この場合、表示領域および非表示領域の極性は、図１８（Ａ）〜図１８（Ｈ）→図１９（Ａ）〜図１９（Ｈ）→図１８（Ａ）〜図１８（Ｈ）・・・と遷移する。なお、図１８および図１９に示す場合においても、収集対象のイオン性不純物は陽イオンであるため、第４の電位は第２の電位と同じ値（２．５Ｖ）に設定されている。

図８および図１９に示す場合における素子基板１０側での電位勾配の発生状況は次の通りである。すなわち、図１８（Ａ）、図１９（Ｂ）、図１９（Ｃ）および図１９（Ｄ）の各々に示す状態では５Ｖの電位差の電位勾配が発生する。また、図１８（Ｂ）、図１８（Ｃ）、図１８（Ｄ）、および図１９（Ａ）の各々に示す状態では１０Ｖの電位差の電位勾配が発生する。そして、図１９（Ｅ）〜図１９（Ｈ）の各々に示す状態では−５Ｖの電位勾配が発生し、図１８（Ｅ）〜図１８（Ｈ）の各々に示す状態では電位勾配は発生しない。その結果、１サイクルにおいて素子基板１０側に発生する正味の電位勾配は４０Ｖの電位差分の電位勾配となる。

一方、図８および図１９に示す場合における対向基板２０側での電位勾配の発生状況は次の通りである。すなわち、図１８（Ａ）および図１９（Ｂ）〜図１９（Ｇ）の各々に示す状態では５Ｖの電位差の電位勾配が発生し、図１８（Ｂ）〜図１８（Ｈ）および図１９（Ａ）の各々に示す状態では電位勾配は発生しない。その結果、１サイクルにおいて対向基板２０側に発生する正味の電位勾配も４０Ｖの電位差分の電位勾配となる。したがって、図１８および図１９に示す場合も、１サイクルの処理を繰り返す過程で、素子基板１０側と対向基板２０側とでイオン性不純物の引き寄せ量の時間平均は、理論上同じになる。なお、図１８および図１９においても、上記各電位勾配によるイオン性不純物の移動方向および引き寄せ量が矢印１８１０Ａ、１８１０Ｂ、１８２０、１８３０、１８４０、１９１０、１９２０Ａ、１９２０Ｂ、１９３０Ａ、１９３０Ｂ、１９４０Ａ、１９４０Ｂ、１９５０Ａ、１９５０Ｂ、１９６０Ａ、１９６０Ｂ、１９７０Ａ、１９７０Ｂ、１９８０Ａ、および１９８０Ｂで表されている。

以上説明したように本実施形態においても、１サイクルにおいて素子基板１０側に発生する正味の電位勾配と対向基板２０側に発生する正味の電位勾配は同じであり、１サイクルの処理を繰り返す過程で、素子基板１０側と対向基板２０側とでイオン性不純物の引き寄せ量の時間平均は、理論上同じになる。したがって、本実施形態によっても、イオン性不純物に起因する表示品質の低下を確実に回避することが可能になる。また、本実施形態も、第１駆動制御部４１と第２駆動制御部４２を同期させなくてもイオン性不純物に起因する表示品質の低下を確実に回避できることを示しているので、第１駆動制御部４１と第２駆動制御部４２とを同期させるための同期信号は不要であり、回路負荷を低減し、設計の自由度を向上させることができる。

＜第７実施形態＞
上記第１〜第６実施形態では、収集対象のイオン性不純物が陽イオンである場合には第４の電位を第２の電位と同じ値に設定したが、この場合の第４の電位の値は、図２０に示すように、第２の電位と第３の電位とで定まる電位範囲（具体的には、第２の電位以上かつ第３の電位未満の電位範囲）内の電位であれば他の値であっても良い。同様に上記第１〜第６実施形態では、収集対象のイオン性不純物が陰イオンである場合には第４の電位を第１の電位と同じ値に設定したが、この場合の第４の電位の値は、図２０に示すように、第１の電位と第３の電位とで定まる電位範囲（具体的には、第２の電位以上かつ第３の電位未満の電位範囲）内の電位であれば他の値であっても良い。なお、図２０にて他方の電位とは、非表示領域の駆動の際に第１トラップ電極１２０と第２トラップ電極２２０のうち第４の電位を与えられなかった方の電極に与えられる電位、すなわち第３の電位のことである。

図２０に示すように、イオン性不純物の収集効果の観点から見れば、収集対象のイオン性不純物が陽イオンである場合には第４の電位を第２の電位と同じ値に設定し、収集対象のイオン性不純物が陰イオンである場合には第４の電位を第１の電位と同じ値に設定すると最大の効果を得られる。しかし、非表示領域における液晶応答に起因する漏れ光を抑えることも必要になる場合には、第１イオントラップ電極１２０と第２イオントラップ電極２２０の電位の振れ幅がより小さくなるように、収集対象のイオン性不純物が陽イオンである場合の第４の電位の値を第２の電位よりも大きな値とし、収集対象のイオン性不純物が陰イオンである場合の第４の電位の値を第１の電位よりも小さな値とすることが考えられる。

例えば、第１イオントラップ電極１２０と第２イオントラップ電極２２０の電位の振れ幅が±２．０Ｖであれば非表示領域において液晶応答が発生しないのであれば、図２０に示すように、収集対象のイオン性不純物が陽イオンである場合の第４の電位の値を５．５Ｖに設定し、収集対象のイオン性不純物が陰イオンである場合の第４の電位の値を９．５Ｖに設定すれば良い。なお、第４の電位と第３の電位の電位差を小さくすると、イオン性不純物の引き寄せ量が減少するので、この場合は非表示領域の駆動周期を表示領域の駆動周期よりも早くすることでその減少分を補っても良い。また、上記第１〜第６実施形態では、第４の電位は固定されていたが、フレームごとに第４の電位を異なる値に設定しても良い。

＜変形例＞
以上本発明の第１〜第７実施形態について説明したが、これら実施形態に以下の変形を加えても勿論良い。
上記各実施形態では、素子基板１０と対向基板２０とにより挟持される電気光学物質が液晶であったが、他の電気光学物質であっても良い。

＜応用例＞
次に、上述した第１〜第７実施形態の電気光学装置及び変形例に係る電気光学装置（以下、「電気光学装置１０００」と総称する）の応用例について説明する。図２１は、電気光学装置１０００を適用したモバイル型のパソコンの構成例を示す図である。パソコン２０００は、表示ユニットとしての電気光学装置１０００と本体部２０１０を備える。本体部２０１０には、電源スイッチ２００１及びキーボード２００２が設けられている。

図２２は、電気光学装置１０００を適用した携帯電話機の構成例を示す図である。携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１及びスクロールボタン３００２、並びに表示ユニットとしての電気光学装置１０００を備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、電気光学装置１０００に表示される画面がスクロールされる。

図２３は、電気光学装置１０００を適用した情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）の構成例を示す図である。情報携帯端末４０００は、複数の操作ボタン４００１及び電源スイッチ４００２、並びに表示ユニットとしての電気光学装置１０００を備える。電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が電気光学装置１０００に表示される。

なお、電気光学装置１０００が適用される電子機器としては、図２１〜図２３に示すものの他、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダー型、モニター直視型のビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳、電卓、ワープロ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示部として、前述した電気光学装置が適用可能である。

１０…素子基板、１１０…画素電極、１２０…第１イオントラップ電極、２０…対向基板、２１０…共通電極、２２０…第２イオントラップ電極、３０…液晶、４１…第１駆動制御部、４２…第２駆動制御部、４２ａ…第１供給部、４２ｂ…第２供給部、１０００…電気光学装置、２０００…パソコン、３０００…携帯電話機、４０００…情報携帯端末。

Claims (10)

1. 電気光学物質を挟持する第１基板および第２基板と、
   前記第１基板において表示領域の外側に配置された第１イオントラップ電極と、
   前記第２基板において前記第１イオントラップ電極と向き合う位置に配置された第２イオントラップ電極と、
   前記第１イオントラップ電極に第１駆動信号を供給する第１供給部と
   前記第２イオントラップ電極に第２駆動信号を供給する第２供給部と、を備え、
   前記第１供給部および前記第２供給部は、前記表示領域において前記第１基板側に位置するイオンに対する引き寄せ量と前記第２基板側に位置するイオンに対する引き寄せ量とが略同じになるように、前記第１駆動信号および前記第２駆動信号を供給する
   ことを特徴とする電気光学装置。
2. 画素電極と第１イオントラップ電極とを備える第１基板と、
   前記画素電極に向き合う共通電極と、前記第１イオントラップ電極に向き合う第２イオントラップ電極と、を備える第２基板と、
   前記第１基板と前記第２基板とにより挟持される電気光学物質と、
   第１の電位と前記第１の電位よりも低い第２の電位とを、予め定められた第１の時間ずつ交互に前記画素電極に与える一方、前記共通電極を前記第１の電位と前記第２の電位の間の電位である第３の電位に維持する第１駆動制御部と、
   前記第１の電位と前記第２の電位のうちの一方の電位と前記第３の電位とで定まる電位範囲内の電位である第４の電位と前記第３の電位とを、予め定められた第２の時間ずつ交互に前記第１イオントラップ電極に与えるとともに、前記第４の電位を前記第１イオントラップ電極に与えている間は前記第３の電位を前記第２イオントラップ電極に与え、前記第３の電位を前記第１イオントラップ電極に与えている間は前記第４の電位を前記第２イオントラップ電極に与える第２駆動制御部と、
   を有することを特徴とする電気光学装置。
3. 前記第１の時間と前記第２の時間の時間長が異なることを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
4. 前記第１の時間の時間長と前記第２の時間の時間長が同じことを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
5. 前記画素電極への前記第１の電位の印加開始タイミングと、前記第３の電位と前記第４の電位のうちの高い方の前記第１イオントラップ電極への印加開始タイミングとが異なっていることを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置。
6. 前記画素電極への前記第１の電位の印加開始タイミングと前記第１イオントラップ電極への前記第３の電位の印加開始タイミングの時間差が前記第１駆動制御部による駆動周期の１／Ｍ（Ｍは２以上の自然数）であることを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
7. 前記画素電極への前記第１の電位の印加開始タイミングと、前記第３の電位と前記第４の電位のうちの高い方の前記第１イオントラップ電極への印加開始タイミングとが揃っていることを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置。
8. 前記第４の電位は、前記第１の電位と前記第２の電位のうちの一方の電位と前記第３の電位との間の電位であることを特徴とする請求項２〜７の何れか１項に記載の電気光学装置。
9. 電気光学物質を挟持する第１基板および第２基板と、
   前記第１基板において表示領域の外側に配置された第１イオントラップ電極と、
   前記第２基板において前記第１イオントラップ電極と向き合う位置に配置された第２イオントラップ電極と、を備える電気光学装置の駆動方法において、
   前記表示領域において前記第１基板側に位置するイオンに対する引き寄せ量と前記第２基板側に位置するイオンに対する引き寄せ量とが略同じになるように、前記第１イオントラップ電極および前記第２イオントラップ電極を駆動する
   ことを特徴とする電気光学装置の駆動方法。
10. 画素電極と第１イオントラップ電極とを備える第１基板と、
    前記画素電極に向き合う共通電極と、前記第１イオントラップ電極に向き合う第２イオントラップ電極と、を備える第２基板と、
    により電気光学物質を挟持してなる電気光学装置の駆動方法において、
    第１の電位と前記第１の電位よりも低い第２の電位とを、予め定められた第１の時間ずつ交互に前記画素電極に与える一方、前記共通電極を前記第１の電位と前記第２の電位の間の電位である第３の電位に維持し、
    前記第１の電位と前記第２の電位のうちの一方の電位と前記第３の電位とで定まる電位範囲内の電位である第４の電位と前記第３の電位とを、予め定められた第２の時間ずつ交互に前記第１イオントラップ電極に与えるとともに、前記第４の電位を前記第１イオントラップ電極に与えている間は前記第３の電位を前記第２イオントラップ電極に与え、前記第３の電位を前記第１イオントラップ電極に与えている間は前記第４の電位を前記第２イオントラップ電極に与える
    ことを特徴とする電気光学装置の駆動方法。
    

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