JP2009218244A - 有機薄膜トランジスタおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の有機薄膜トランジスタは、ゲート電極12を覆う絶縁膜13上に形成されたソース電極15およびドレイン電極16とチャネル用の有機半導体層17との間に介在する自己組織化単分子膜18とを有し、自己組織化単分子膜18は、ソース電極15およびドレイン電極16と有機半導体層17との接触抵抗を低減させる機能を有する第1有機単分子と、この第1有機単分子の面密度を調節する機能を有する第2有機単分子とを含んで構成される。
【選択図】図4
Description
前記有機単分子膜は、前記金属電極と前記有機半導体層との接触抵抗を低減させる機能を有する第1有機単分子と、前記第1有機単分子の面密度を調節する機能を有する第2有機単分子とを含んで構成されるものである。
ここで、電極内側に界面から距離Rのところに鏡像電荷−qが存在していると考えると、この分子1個により生じる電気双極子モーメントは2Rqであり、双極子間相互作用は1/r3に比例する。分子間の相互作用は、最近接分子間のみ考慮して最近接分子は6個であると仮定すると、(1)式の第3項のようになる。電荷qは、この全エネルギーEが最小化するように決定し、下の式(2)のようになる。
界面に生じる電位差Vはq/r2に比例し、r=(12CR2)1/3のときに最大となる。rが0の極限では電荷qが0となり、電位差も0となる。この最大の電位差をもたらす分子間距離rが、作製可能な範囲で最も面密度の高い自己組織化単分子膜の分子間距離よりも大きい場合、面密度の最適値は、最大値以下のところにあるということになる。このような考察と、実際に前記図2に示される接触抵抗の分子面密度依存性とから、単分子膜の面密度を最適値になるように制御することは、接触抵抗の低い高性能なTFTを作製するために重要である。
12 ゲート電極
13 絶縁膜
15 ソース電極
16 ドレイン電極
17 有機半導体層
18 自己組織化単分子膜
51 金属の伝導電子の占有準位
52 金属の伝導電子の非占有準位
53 フェルミ準位
61 価電子帯
62 伝導帯
101 ペンタフルオロベンゼンチオール分子
102 ベンゼンチオール分子
103 金属電極
Claims (9)
- 基板上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極を覆う絶縁膜上に形成されたソース、ドレインを構成する一対の金属電極と、前記一対の金属電極上に形成されたチャネル用の有機半導体層と、前記一対の金属電極の少なくとも一方と前記有機半導体層との間に介在する有機単分子膜とを有する有機薄膜トランジスタであって、
前記有機単分子膜は、前記金属電極と前記有機半導体層との接触抵抗を低減させる機能を有する第1有機単分子と、前記第1有機単分子の面密度を調節する機能を有する第2有機単分子とを含んで構成されることを特徴とする有機薄膜トランジスタ。 - 前記第1有機単分子は、ペンタフルオロベンゼンチオールであり、前記第2有機単分子は、ベンゼンチオールであることを特徴とする請求項1記載の有機薄膜トランジスタ。
- 前記第1有機単分子は、一般式(SH−(CF2)nF)(ただし、nは1以上の整数)で表されるペルフルオロアルキルチオールであり、前記第2有機単分子は、一般式(SH−(CH2)mH)(ただし、mは1以上の整数であって、n=m)で表されるアルキルチオールであることを特徴とする請求項1記載の有機薄膜トランジスタ。
- 前記第1有機単分子は、一般式(SH−CH2−(CF2)nF)(ただし、nは1以上の整数)で表されるアルキルチオール誘導体であり、前記第2有機単分子は、一般式(SH−(CH2)m+1H)(ただし、mは1以上の整数であって、n=m)で表されるアルキルチオールであることを特徴とする請求項1記載の有機薄膜トランジスタ。
- 基板上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極を覆う絶縁膜上に形成されたソース、ドレインを構成する一対の金属電極と、前記一対の金属電極上に形成されたチャネル用の有機半導体層と、前記一対の金属電極の少なくとも一方と前記有機半導体層との間に介在する有機単分子膜とを有する有機薄膜トランジスタの製造方法であって、
前記一対の金属電極の少なくとも一方の表面に有機単分子を含む溶液を塗布した後、前記溶液中の溶媒を除去することによって、前記一対の金属電極の少なくとも一方の表面に前記有機単分子膜を形成する工程を有し、
前記有機単分子は、前記金属電極と前記有機半導体層との接触抵抗を低減させる機能を有する第1有機単分子と、前記第1有機単分子の面密度を調節する機能を有する第2有機単分子とを含むことを特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法。 - 前記第1有機単分子は、ペンタフルオロベンゼンチオールであり、前記第2有機単分子は、ベンゼンチオールであることを特徴とする請求項5記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記第1有機単分子は、一般式(SH−(CF2)nF)(ただし、nは1以上の整数)で表されるペルフルオロアルキルチオールであり、前記第2有機単分子は、一般式(SH−(CH2)mH)(ただし、mは1以上の整数であって、n=m)で表されるアルキルチオールであることを特徴とする請求項5記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記第1有機単分子は、一般式(SH−CH2−(CF2)nF)(ただし、nは1以上の整数)で表されるアルキルチオール誘導体であり、前記第2有機単分子は、一般式(SH−(CH2)m+1H)(ただし、mは1以上の整数であって、n=m)で表されるアルキルチオールであることを特徴とする請求項5記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記溶液中には、前記金属電極の表面に吸着される量よりも高濃度の前記有機単分子が含まれることを特徴とする請求項5記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
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