JPH0954325A - 液晶表示素子及びその製造方法 - Google Patents
液晶表示素子及びその製造方法Info
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- JPH0954325A JPH0954325A JP20881095A JP20881095A JPH0954325A JP H0954325 A JPH0954325 A JP H0954325A JP 20881095 A JP20881095 A JP 20881095A JP 20881095 A JP20881095 A JP 20881095A JP H0954325 A JPH0954325 A JP H0954325A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】長時間駆動しても、スペーサ６の移動や凝集に
よる配向膜削れやギャップムラや光漏れ、及び不純物イ
オンの不均一化による表示ムラ等が発生しない、高表示
品位で高信頼性の液晶表示素子を提供する。 【解決手段】液晶にしきい電圧以上の交流電圧を印加し
て、スペーサ６を画素と画素の間のブラックマトリクス
３ａを形成した領域に移動させた後、基板１ａまたは１
ｂ上に接着固定して、画素内にはスペーサが存在しない
ようにする。また、一方の基板上の複数本からなる電極
に、高電位パルスを順次走査させながら印加することに
より、液晶表示素子内の不純物イオンを表示領域の外側
に設けたイオントラップ電極に寄せ集め、表示領域内に
は不純物イオンをほとんど含まないようにする。不純物
イオンが寄せ集めせられた領域は遮光して光学特性に悪
影響を及ぼさないようにするか、またはその領域を切断
分離した後、再封口する。
よる配向膜削れやギャップムラや光漏れ、及び不純物イ
オンの不均一化による表示ムラ等が発生しない、高表示
品位で高信頼性の液晶表示素子を提供する。 【解決手段】液晶にしきい電圧以上の交流電圧を印加し
て、スペーサ６を画素と画素の間のブラックマトリクス
３ａを形成した領域に移動させた後、基板１ａまたは１
ｂ上に接着固定して、画素内にはスペーサが存在しない
ようにする。また、一方の基板上の複数本からなる電極
に、高電位パルスを順次走査させながら印加することに
より、液晶表示素子内の不純物イオンを表示領域の外側
に設けたイオントラップ電極に寄せ集め、表示領域内に
は不純物イオンをほとんど含まないようにする。不純物
イオンが寄せ集めせられた領域は遮光して光学特性に悪
影響を及ぼさないようにするか、またはその領域を切断
分離した後、再封口する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示素子、特
に長時間駆動しても、高コントラストでかつ表示ムラ等
の表示不良が発生しない、高表示品位高信頼性液晶表示
素子及びその製造方法に関する。
に長時間駆動しても、高コントラストでかつ表示ムラ等
の表示不良が発生しない、高表示品位高信頼性液晶表示
素子及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、液晶表示素子は目ざましい進歩を
遂げ、ＣＲＴ（陰極線管）と同等の高表示品位となり、
薄型軽量、低消費電力などの特徴を有することからＣＲ
Ｔに代わる表示素子として、ノート型パソコン、小型Ｔ
Ｖなどに積極的に応用されている。
遂げ、ＣＲＴ（陰極線管）と同等の高表示品位となり、
薄型軽量、低消費電力などの特徴を有することからＣＲ
Ｔに代わる表示素子として、ノート型パソコン、小型Ｔ
Ｖなどに積極的に応用されている。
【０００３】これらの液晶表示素子では、黒表示時の電
界が印加されない画素（電極）と画素（電極）の間の光
漏れによるコントラスト比の低下を防ぐために、この画
素と画素の間の領域には、ブラックマトリクスを形成し
て遮光されていることが通常である。
界が印加されない画素（電極）と画素（電極）の間の光
漏れによるコントラスト比の低下を防ぐために、この画
素と画素の間の領域には、ブラックマトリクスを形成し
て遮光されていることが通常である。
【０００４】また、これらの液晶表示素子では、基板間
隔すなわち液晶層の厚みを面内均一に保持するために、
グラスファイバ、ビーズ等のスペーサを基板間に均一に
分散、保持することが通常である。
隔すなわち液晶層の厚みを面内均一に保持するために、
グラスファイバ、ビーズ等のスペーサを基板間に均一に
分散、保持することが通常である。
【０００５】このような液晶表示素子の新しい表示方式
として、ＯＣＢ（Optically-Compensated-Birefrigenc
e)モードが、高速応答及び広視野角の面から注目されて
いる（例えば、信学技報．ＥＩＤ９３−５６）。これ
は、液晶分子の配向が常に中心対称であるπセルと２軸
性の複屈折フィルムとを組み合わせたものである。πセ
ルでは、液晶分子の配向が変化する際、液晶分子の流れ
の方向が１方向のみで、逆向きのトルクが発生しないた
めに、応答速度が速くなると考えられている。そして、
液晶分子の傾きが変わっても液晶分子の配向が常に中心
対称であるπセルと、２軸性の複屈折フィルムの組み合
わせにより、視野角による偏光状態の変化を３次元的に
補償して、広視野角化している。
として、ＯＣＢ（Optically-Compensated-Birefrigenc
e)モードが、高速応答及び広視野角の面から注目されて
いる（例えば、信学技報．ＥＩＤ９３−５６）。これ
は、液晶分子の配向が常に中心対称であるπセルと２軸
性の複屈折フィルムとを組み合わせたものである。πセ
ルでは、液晶分子の配向が変化する際、液晶分子の流れ
の方向が１方向のみで、逆向きのトルクが発生しないた
めに、応答速度が速くなると考えられている。そして、
液晶分子の傾きが変わっても液晶分子の配向が常に中心
対称であるπセルと、２軸性の複屈折フィルムの組み合
わせにより、視野角による偏光状態の変化を３次元的に
補償して、広視野角化している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな液晶表示素子に電圧を印加すると、液晶分子の配向
変化によりスペーサが移動して、配向膜を傷つけるとい
う問題があった。特に、πセルでは電圧を印加すると、
液晶分子の配向方向により規定される１方向にスペーサ
が激しく移動する。このメカニズムについて図面を参照
にしながら説明する。図２０に示すようなπセルにおい
て、電圧を印加（または印加電圧が増加）すると、液晶
分子１６は点線で示した液晶分子１７のように配向が変
化して、その際、スペーサは矢印１９方向に力を受け
る。逆に、電圧を無印加に（または印加電圧が減少）す
ると、液晶分子１７から液晶分子１６のように配向が変
化して、スペーサは矢印２０方向に力を受ける。印加電
圧として矩形波を印加している場合には、液晶分子の配
向は変化しないように考えられるが、実際には、液晶セ
ル内の不純物イオンが移動して印加電圧の緩和が起こる
ために、液晶分子の配向は変化している。そして、この
図より明らかなように、スペーサは、主に配向膜に近接
する液晶分子の配向が変化する際に力を受ける。配向膜
に近接する液晶分子は配向膜との相互作用が強いため
に、印加電圧の増加（立ち上がり）時の配向変化速度は
非常に遅いが、印加電圧の減少（立ち下がり）時の配向
変化は比較的速いと考えられる。このため、πセルに矩
形波の交流電圧が印加されている場合、スペーサは、矢
印１９方向よりも矢印２０方向に、大きな力を受けてい
ると考えられる。以上のような理由により、グラスファ
イバ、ビーズ等のスペーサを単に散布しただけでは、π
セルに交流電圧を印加すると、スペーサはラビング方向
と同一方向の矢印２１方向に激しく移動する。このよう
に、πセルでは、スペーサが１方向にのみ移動するため
に、図２１に示すようにスペーサの分布が不均一化し
て、セルギャップが不均一になるという問題があった。
うな液晶表示素子に電圧を印加すると、液晶分子の配向
変化によりスペーサが移動して、配向膜を傷つけるとい
う問題があった。特に、πセルでは電圧を印加すると、
液晶分子の配向方向により規定される１方向にスペーサ
が激しく移動する。このメカニズムについて図面を参照
にしながら説明する。図２０に示すようなπセルにおい
て、電圧を印加（または印加電圧が増加）すると、液晶
分子１６は点線で示した液晶分子１７のように配向が変
化して、その際、スペーサは矢印１９方向に力を受け
る。逆に、電圧を無印加に（または印加電圧が減少）す
ると、液晶分子１７から液晶分子１６のように配向が変
化して、スペーサは矢印２０方向に力を受ける。印加電
圧として矩形波を印加している場合には、液晶分子の配
向は変化しないように考えられるが、実際には、液晶セ
ル内の不純物イオンが移動して印加電圧の緩和が起こる
ために、液晶分子の配向は変化している。そして、この
図より明らかなように、スペーサは、主に配向膜に近接
する液晶分子の配向が変化する際に力を受ける。配向膜
に近接する液晶分子は配向膜との相互作用が強いため
に、印加電圧の増加（立ち上がり）時の配向変化速度は
非常に遅いが、印加電圧の減少（立ち下がり）時の配向
変化は比較的速いと考えられる。このため、πセルに矩
形波の交流電圧が印加されている場合、スペーサは、矢
印１９方向よりも矢印２０方向に、大きな力を受けてい
ると考えられる。以上のような理由により、グラスファ
イバ、ビーズ等のスペーサを単に散布しただけでは、π
セルに交流電圧を印加すると、スペーサはラビング方向
と同一方向の矢印２１方向に激しく移動する。このよう
に、πセルでは、スペーサが１方向にのみ移動するため
に、図２１に示すようにスペーサの分布が不均一化し
て、セルギャップが不均一になるという問題があった。
【０００７】更に、スペーサの近傍では、界面効果等に
より液晶の配向不良が発生しやすく、画素内に存在する
スペーサが移動して凝集すると、黒表示時のスペーサ周
辺の光漏れによりコントラスト比が低下する等の問題も
あった。
より液晶の配向不良が発生しやすく、画素内に存在する
スペーサが移動して凝集すると、黒表示時のスペーサ周
辺の光漏れによりコントラスト比が低下する等の問題も
あった。
【０００８】また、一般に、液晶表示素子においては、
素子の組立工程において不純物イオンを取り込んだり、
素子を構成する材料自体が不純物イオンを含有している
場合があるため、これらの不純物イオンが液晶表示素子
内に混入することがあるが、不純物イオンが一旦素子内
に混入した場合、これを素子外に取り除くことは困難な
ことであった。不純物イオンが液晶表示素子内に取り込
まれると、液晶の絶縁抵抗が低下するため、電圧保持率
が低下するなど表示特性が劣化する。更に、この不純物
イオンが、前述したスペーサと同様のメカニズムによ
り、電圧印加時に移動して不純物イオンの分布が不均一
になると、表示ムラ等の表示不良が発生する。特に、π
セルでは、スペーサの場合と同様に考えると、不純物イ
オンも１方向に移動しやすいため、不純物イオンの分布
が不均一になって表示ムラ等の表示不良が発生しやすい
という問題があった。
素子の組立工程において不純物イオンを取り込んだり、
素子を構成する材料自体が不純物イオンを含有している
場合があるため、これらの不純物イオンが液晶表示素子
内に混入することがあるが、不純物イオンが一旦素子内
に混入した場合、これを素子外に取り除くことは困難な
ことであった。不純物イオンが液晶表示素子内に取り込
まれると、液晶の絶縁抵抗が低下するため、電圧保持率
が低下するなど表示特性が劣化する。更に、この不純物
イオンが、前述したスペーサと同様のメカニズムによ
り、電圧印加時に移動して不純物イオンの分布が不均一
になると、表示ムラ等の表示不良が発生する。特に、π
セルでは、スペーサの場合と同様に考えると、不純物イ
オンも１方向に移動しやすいため、不純物イオンの分布
が不均一になって表示ムラ等の表示不良が発生しやすい
という問題があった。
【０００９】本発明は、前記従来の問題を解決するた
め、長時間駆動しても、スペーサの移動や凝集による配
向膜削れやギャップムラや光漏れ、及び不純物イオンの
不均一化による表示ムラ等が発生しない、高表示品位で
高信頼性の液晶表示素子を提供することを目的とする。
め、長時間駆動しても、スペーサの移動や凝集による配
向膜削れやギャップムラや光漏れ、及び不純物イオンの
不均一化による表示ムラ等が発生しない、高表示品位で
高信頼性の液晶表示素子を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明の第１番目の液晶表示素子は、２枚の電極付
き基板間に、誘電率異方性が正のネマティック液晶が狭
持されている液晶表示素子であって、２枚の基板間隙を
規定し、液晶層の厚みを均一に保持するスペーサが、ブ
ラックマトリクスで遮光された領域にのみ存在している
とともに、少なくとも一方の基板上に固定されているこ
とを特徴とする。
め、本発明の第１番目の液晶表示素子は、２枚の電極付
き基板間に、誘電率異方性が正のネマティック液晶が狭
持されている液晶表示素子であって、２枚の基板間隙を
規定し、液晶層の厚みを均一に保持するスペーサが、ブ
ラックマトリクスで遮光された領域にのみ存在している
とともに、少なくとも一方の基板上に固定されているこ
とを特徴とする。
【００１１】次に本発明の第２番目の液晶表示素子は、
２枚の電極付き基板間に、誘電率異方性が正のネマティ
ック液晶を狭持した液晶表示素子であって、少なくとも
一方の基板上の複数本からなる表示電極の少なくとも一
方の外側に、イオントラップ電極が少なくとも一本並設
され、かつ前記表示電極及びイオントラップ電極に正ま
たは負の高電位パルスを、順次走査しながら印加する手
段を有し、かつ不純物イオンが前記イオントラップ電極
上に存在することを特徴とする。
２枚の電極付き基板間に、誘電率異方性が正のネマティ
ック液晶を狭持した液晶表示素子であって、少なくとも
一方の基板上の複数本からなる表示電極の少なくとも一
方の外側に、イオントラップ電極が少なくとも一本並設
され、かつ前記表示電極及びイオントラップ電極に正ま
たは負の高電位パルスを、順次走査しながら印加する手
段を有し、かつ不純物イオンが前記イオントラップ電極
上に存在することを特徴とする。
【００１２】前記第１〜２番目の液晶表示素子において
は、前記イオントラップ電極の表面にはイオン吸着膜が
形成されていることが好ましい。また前記第１〜２番目
の液晶表示素子においては、前記イオントラップ電極に
は正または負の高電位バイアス電圧が常に印加されてい
ることが好ましい。
は、前記イオントラップ電極の表面にはイオン吸着膜が
形成されていることが好ましい。また前記第１〜２番目
の液晶表示素子においては、前記イオントラップ電極に
は正または負の高電位バイアス電圧が常に印加されてい
ることが好ましい。
【００１３】また前記第１〜２番目の液晶表示素子にお
いては、前記液晶表示素子において、２枚の基板間隙を
規定し、液晶層の厚みを均一に保持するスペーサが、ブ
ラックマトリスクで遮光された領域にのみ存在し、かつ
少なくとも一方の基板上に固定されていることが好まし
い。
いては、前記液晶表示素子において、２枚の基板間隙を
規定し、液晶層の厚みを均一に保持するスペーサが、ブ
ラックマトリスクで遮光された領域にのみ存在し、かつ
少なくとも一方の基板上に固定されていることが好まし
い。
【００１４】次に本発明の第１番目の液晶表示素子の製
造方法は、スペーサとして、加熱により基板上に接着固
定される接着性スペーサを用い、液晶を注入封口後、し
きい電圧以上の交流電圧を液晶に印加して、前記スペー
サをブラックマトリクスが形成された領域に移動させた
後、加熱して少なくとも一方の基板上にスペーサを接
着、固定させたことを特徴とする。
造方法は、スペーサとして、加熱により基板上に接着固
定される接着性スペーサを用い、液晶を注入封口後、し
きい電圧以上の交流電圧を液晶に印加して、前記スペー
サをブラックマトリクスが形成された領域に移動させた
後、加熱して少なくとも一方の基板上にスペーサを接
着、固定させたことを特徴とする。
【００１５】次に本発明の第２番目の液晶表示素子の製
造方法は、液晶を注入封口後、複数本からなる表示電極
及びイオントラップ電極に、正または負の高電位パルス
を、順次走査させながら印加することにより、液晶の中
に存在する不純物イオンをイオントラップ電極上に寄せ
集めたことを特徴とする。
造方法は、液晶を注入封口後、複数本からなる表示電極
及びイオントラップ電極に、正または負の高電位パルス
を、順次走査させながら印加することにより、液晶の中
に存在する不純物イオンをイオントラップ電極上に寄せ
集めたことを特徴とする。
【００１６】次に本発明の第３番目の液晶表示素子の製
造方法は、２枚の電極付き基板間に、誘電率異方性が正
のネマティック液晶を挟持した液晶表示素子の製造工程
において、あらかじめ表示領域の外側にはイオントラッ
プ室を設け、かつイオントラップ室の表面にはイオント
ラップ電極が形成されており、複数本からなる表示電極
及びイオントラップ電極に、正または負の高電位パルス
を、順次走査させながら印加して、不純物イオンを前記
イオントラップ室に寄せ集めた後、イオントラップ室を
切断分離して、再封口したことを特徴とする。
造方法は、２枚の電極付き基板間に、誘電率異方性が正
のネマティック液晶を挟持した液晶表示素子の製造工程
において、あらかじめ表示領域の外側にはイオントラッ
プ室を設け、かつイオントラップ室の表面にはイオント
ラップ電極が形成されており、複数本からなる表示電極
及びイオントラップ電極に、正または負の高電位パルス
を、順次走査させながら印加して、不純物イオンを前記
イオントラップ室に寄せ集めた後、イオントラップ室を
切断分離して、再封口したことを特徴とする。
【００１７】前記方法においては、液晶を注入封口する
前に前記イオントラップ室の表面にイオン吸着膜を形成
することが好ましい。また前記第２〜３番目の製造方法
においては、正または負の高電位パルスを走査する方向
ベクトルと、少なくともどちらか一方の基板界面の液晶
分子の長軸と平行でかつそのチルト方向に向いているベ
クトルを基板上に投影したベクトルのなす角度が、０°
以上９０°未満であることが好ましい。
前に前記イオントラップ室の表面にイオン吸着膜を形成
することが好ましい。また前記第２〜３番目の製造方法
においては、正または負の高電位パルスを走査する方向
ベクトルと、少なくともどちらか一方の基板界面の液晶
分子の長軸と平行でかつそのチルト方向に向いているベ
クトルを基板上に投影したベクトルのなす角度が、０°
以上９０°未満であることが好ましい。
【００１８】前記した本発明によれば、スペーサが移動
して配向膜を傷つけたり、スペーサが１方向に移動して
スペーサの分布が不均一化してセルギャップが不均一に
なったり、画素内に存在するスペーサ周辺の光漏れによ
るコントラスト比の低下を防ぐことができる。これは、
液晶にしきい電圧以上の交流電圧を短時間印加して、ス
ペーサを近接する画素と画素の間のブラックマトリクス
が形成された領域に移動させた後、加熱して基板上に接
着固定させるためである。
して配向膜を傷つけたり、スペーサが１方向に移動して
スペーサの分布が不均一化してセルギャップが不均一に
なったり、画素内に存在するスペーサ周辺の光漏れによ
るコントラスト比の低下を防ぐことができる。これは、
液晶にしきい電圧以上の交流電圧を短時間印加して、ス
ペーサを近接する画素と画素の間のブラックマトリクス
が形成された領域に移動させた後、加熱して基板上に接
着固定させるためである。
【００１９】また、不純物イオンがスペーサと同様に移
動して、不純物イオンの分布が不均一になって表示ムラ
等が発生することを防ぐための手段として、あらかじ
め、少なくとも一方の基板上の複数本からなる表示電極
の少なくとも一方の外側に、イオントラップ電極を設
け、表示電極及びイオントラック電極に、正または負の
高電位パルスを、順次走査させながら印加することによ
り、不純物イオンをイオントラップ電極に寄せ集め、表
示領域内には不純物イオンをほとんど含まないようにす
る。不純物イオンが寄せ集められるイオントラップ電極
には、遮光層を重畳して光学特性に悪影響を及ぼさない
ようにする。または不純物イオンを寄せ集めた後、この
部分を切断分離する。この際、寄せ集められた不純物イ
オンの拡散を防止するために、不純物イオンをイオント
ラップ電極に化学的または電気的に吸着させておくこと
が望ましい。
動して、不純物イオンの分布が不均一になって表示ムラ
等が発生することを防ぐための手段として、あらかじ
め、少なくとも一方の基板上の複数本からなる表示電極
の少なくとも一方の外側に、イオントラップ電極を設
け、表示電極及びイオントラック電極に、正または負の
高電位パルスを、順次走査させながら印加することによ
り、不純物イオンをイオントラップ電極に寄せ集め、表
示領域内には不純物イオンをほとんど含まないようにす
る。不純物イオンが寄せ集められるイオントラップ電極
には、遮光層を重畳して光学特性に悪影響を及ぼさない
ようにする。または不純物イオンを寄せ集めた後、この
部分を切断分離する。この際、寄せ集められた不純物イ
オンの拡散を防止するために、不純物イオンをイオント
ラップ電極に化学的または電気的に吸着させておくこと
が望ましい。
【００２０】
【発明の実施の形態】液晶に交流電圧を印加すると、前
述したメカニズムによりスペーサが移動する。スペーサ
の移動は、電圧印加時の液晶分子の配向変化によって誘
起されるため、電極と電極の間の領域までスペーサが移
動すると、ほとんどのスペーサは一旦静止する。更に長
時間電圧を印加し続けると、電極を乗り越えて更に移動
してしまうので、電圧印加時間は短時間にとどめること
が望ましい。本発明では、このようにして、スペーサを
電極と電極の間のブラックマトリクスが形成された領域
に移動させた後、加熱して基板上に固定することによ
り、スペーサが移動して配向膜を傷つけたり、スペーサ
の分布が不均一になってギャップムラ等が発生すること
が防止することができ、更にスペーサ周辺の光漏れもブ
ラックマトリクスで隠され、画素内にはスペーサが存在
しないようにすることができる。
述したメカニズムによりスペーサが移動する。スペーサ
の移動は、電圧印加時の液晶分子の配向変化によって誘
起されるため、電極と電極の間の領域までスペーサが移
動すると、ほとんどのスペーサは一旦静止する。更に長
時間電圧を印加し続けると、電極を乗り越えて更に移動
してしまうので、電圧印加時間は短時間にとどめること
が望ましい。本発明では、このようにして、スペーサを
電極と電極の間のブラックマトリクスが形成された領域
に移動させた後、加熱して基板上に固定することによ
り、スペーサが移動して配向膜を傷つけたり、スペーサ
の分布が不均一になってギャップムラ等が発生すること
が防止することができ、更にスペーサ周辺の光漏れもブ
ラックマトリクスで隠され、画素内にはスペーサが存在
しないようにすることができる。
【００２１】また、本発明では、あらかじめ、複数本か
らなる電極に正または負の高電位のパルスを、順次走査
させながら印加することにより、不純物イオンを表示電
極の外側に設けたイオントラップ電極に寄せ集め、表示
領域内には不純物イオンをほとんど含まないようにする
ことができる。複数本からなる電極に高電位パルスを順
次走査させながら印加することにより、不純物イオンが
イオントラップ電極に寄せ集められるメカニズムを図面
を参照しながら説明する。液晶表示素子内に含まれる不
純物イオンが負の場合には、図１７に示した液晶表示素
子の透明電極２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅ、イオントラップ
電極８に、それぞれ、図１８に示すような電圧を印加す
る。対向する基板の透明電極２ａの電位は常に０Ｖとす
る。図１８において、期間Ｔ１では、電極２ｃが高電位
となり、電極２ｂ上の負の不純物イオンが電極２ｃ上に
移動する。次の期間Ｔ２では、電極２ｄが高電位とな
り、電極２ｃ上の負の不純物イオンが電極２ｄ上に移動
する。更に次の期間Ｔ３では、電極２ｅが高電位とな
り、電極２ｄ上の負の不純物イオンが電極２ｅ上に移動
する。このようなメカニズムにより、負の不純物イオン
が徐々に矢印１２方向に移動していき、最終的に走査最
終段のイオントラップ電極８上に負の不純物イオンが寄
せ集められる。液晶表示素子内に含まれる不純物イオン
が正の場合には、図１９に示すような電圧を印加する
と、同様のメカニズムにより、正の不純物イオンが徐々
に矢印１２方向に移動していき、最終的に走査最終段の
イオントラップ電極８上に寄せ集められる。この際、高
電位パルスの走査により不純物イオンが移動する方向
と、前述した液晶分子の運動により不純物イオンが移動
する方向とのなす角が０°以上９０°未満の場合には、
相乗効果により、不純物イオンをより早くイオントラッ
プ電極上に寄せ集めることができる。このようにして不
純物イオンが寄せ集められるイオントラップ電極には遮
光層を重畳させ、光学特性に悪影響を及ぼさないように
する。または不純物イオンを寄せ集めた後、この部分を
切断除去して、再封口する。これにより表示領域内には
不純物イオンをほとんど含まず、表示ムラ等の発生を防
止することができる。
らなる電極に正または負の高電位のパルスを、順次走査
させながら印加することにより、不純物イオンを表示電
極の外側に設けたイオントラップ電極に寄せ集め、表示
領域内には不純物イオンをほとんど含まないようにする
ことができる。複数本からなる電極に高電位パルスを順
次走査させながら印加することにより、不純物イオンが
イオントラップ電極に寄せ集められるメカニズムを図面
を参照しながら説明する。液晶表示素子内に含まれる不
純物イオンが負の場合には、図１７に示した液晶表示素
子の透明電極２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅ、イオントラップ
電極８に、それぞれ、図１８に示すような電圧を印加す
る。対向する基板の透明電極２ａの電位は常に０Ｖとす
る。図１８において、期間Ｔ１では、電極２ｃが高電位
となり、電極２ｂ上の負の不純物イオンが電極２ｃ上に
移動する。次の期間Ｔ２では、電極２ｄが高電位とな
り、電極２ｃ上の負の不純物イオンが電極２ｄ上に移動
する。更に次の期間Ｔ３では、電極２ｅが高電位とな
り、電極２ｄ上の負の不純物イオンが電極２ｅ上に移動
する。このようなメカニズムにより、負の不純物イオン
が徐々に矢印１２方向に移動していき、最終的に走査最
終段のイオントラップ電極８上に負の不純物イオンが寄
せ集められる。液晶表示素子内に含まれる不純物イオン
が正の場合には、図１９に示すような電圧を印加する
と、同様のメカニズムにより、正の不純物イオンが徐々
に矢印１２方向に移動していき、最終的に走査最終段の
イオントラップ電極８上に寄せ集められる。この際、高
電位パルスの走査により不純物イオンが移動する方向
と、前述した液晶分子の運動により不純物イオンが移動
する方向とのなす角が０°以上９０°未満の場合には、
相乗効果により、不純物イオンをより早くイオントラッ
プ電極上に寄せ集めることができる。このようにして不
純物イオンが寄せ集められるイオントラップ電極には遮
光層を重畳させ、光学特性に悪影響を及ぼさないように
する。または不純物イオンを寄せ集めた後、この部分を
切断除去して、再封口する。これにより表示領域内には
不純物イオンをほとんど含まず、表示ムラ等の発生を防
止することができる。
【００２２】
（実施例１）以下本発明の第１の実施例について、図面
を参照にしながら説明する。なお、これによって本発明
が限定されるものではない。
を参照にしながら説明する。なお、これによって本発明
が限定されるものではない。
【００２３】図２は本発明の第２の実施例による液晶表
示素子を示す。図１はその断面図である。透明電極２
ａ，２ｂを設けた基板１ａ，１ｂ上に水平配向するよう
な配向膜４ａ，４ｂ（日本合成ゴム株式会社製ポリイミ
ド配向膜ＡＬ−１０５１）を塗布し、２２０℃、３０分
間クリーンオーブンで硬化させた。
示素子を示す。図１はその断面図である。透明電極２
ａ，２ｂを設けた基板１ａ，１ｂ上に水平配向するよう
な配向膜４ａ，４ｂ（日本合成ゴム株式会社製ポリイミ
ド配向膜ＡＬ−１０５１）を塗布し、２２０℃、３０分
間クリーンオーブンで硬化させた。
【００２４】次に、この基板をナイロン布などを用いて
ラビング処理を行なった。次に、片方の基板に紫外線硬
化型接着剤をスクリーン印刷することでシール部を形成
した後、平均粒子直径が５μmの接着性スペーサ（商品
名「トレパール」，東レ株式会社製）を均一に散布し
た。
ラビング処理を行なった。次に、片方の基板に紫外線硬
化型接着剤をスクリーン印刷することでシール部を形成
した後、平均粒子直径が５μmの接着性スペーサ（商品
名「トレパール」，東レ株式会社製）を均一に散布し
た。
【００２５】次に、上下基板のラビング方向が同一方向
になるように基板を貼り合わせた後、約１kg/cm2の圧力
で均一に加圧したままシール部に紫外線を照射、硬化さ
せて空セルを作製した。
になるように基板を貼り合わせた後、約１kg/cm2の圧力
で均一に加圧したままシール部に紫外線を照射、硬化さ
せて空セルを作製した。
【００２６】次に、メルク社製ネマティック液晶ＺＬＩ
−４７９２を、真空注入法により、上記空セルに注入し
た。注入完了後、エポキシ系封口剤で注入口を封口し
た。次に、この液晶セルに５Ｖ，３０Ｈｚの矩形波を１
分間印加し、スペーサを近接する画素と画素の間のブラ
ックマトリクスを形成した領域に移動させた後、セルを
１５０℃で１時間加熱してスペーサを基板上に固定させ
た。
−４７９２を、真空注入法により、上記空セルに注入し
た。注入完了後、エポキシ系封口剤で注入口を封口し
た。次に、この液晶セルに５Ｖ，３０Ｈｚの矩形波を１
分間印加し、スペーサを近接する画素と画素の間のブラ
ックマトリクスを形成した領域に移動させた後、セルを
１５０℃で１時間加熱してスペーサを基板上に固定させ
た。
【００２７】このようにして作製した液晶表示素子で
は、スペーサが基板上に固定されているため、長時間駆
動してもスペーサが移動せず、配向膜を傷つけたり、ギ
ャップムラ等が発生することもなかった。更に、このよ
うにして作製した液晶表示素子では、スペーサが画素と
画素の間のブラックマトリクス領域に固定され、画素内
に存在しないため、非常に高いコントラスト比が得られ
た。
は、スペーサが基板上に固定されているため、長時間駆
動してもスペーサが移動せず、配向膜を傷つけたり、ギ
ャップムラ等が発生することもなかった。更に、このよ
うにして作製した液晶表示素子では、スペーサが画素と
画素の間のブラックマトリクス領域に固定され、画素内
に存在しないため、非常に高いコントラスト比が得られ
た。
【００２８】（実施例２）以下本発明の第２の実施例に
ついて、図面を参照にしながら説明する。なお、これに
よって本発明が限定されるものではない。
ついて、図面を参照にしながら説明する。なお、これに
よって本発明が限定されるものではない。
【００２９】図３は本発明の第２の実施例による液晶表
示素子を示す。図４はその断面図である。透明電極２
ａ，２ｂを設けた基板１ａ，１ｂ上に水平配向するよう
な配向膜４ａ，４ｂ（日本合成ゴム株式会社製ポリイミ
ド配向膜ＡＬ−１０５１）を塗布し、２２０℃、３０分
間クリーンオーブンで硬化させた。
示素子を示す。図４はその断面図である。透明電極２
ａ，２ｂを設けた基板１ａ，１ｂ上に水平配向するよう
な配向膜４ａ，４ｂ（日本合成ゴム株式会社製ポリイミ
ド配向膜ＡＬ−１０５１）を塗布し、２２０℃、３０分
間クリーンオーブンで硬化させた。
【００３０】次に、この基板をナイロン布などを用いて
ラビング処理を行なった。次に、片方の基板に紫外線硬
化型接着剤をスクリーン印刷することでシール部を形成
した後、平均粒子直径が５μmの接着性スペーサ（トレ
パール，東レ株式会社製）を均一に散布した。
ラビング処理を行なった。次に、片方の基板に紫外線硬
化型接着剤をスクリーン印刷することでシール部を形成
した後、平均粒子直径が５μmの接着性スペーサ（トレ
パール，東レ株式会社製）を均一に散布した。
【００３１】次に、上下基板のラビング方向が、図３に
示すような関係になるように基板を貼り合わせた後、約
１kg/cm2の圧力で均一に加圧したままシール部に紫外線
を照射、硬化させて空セルを作製した。
示すような関係になるように基板を貼り合わせた後、約
１kg/cm2の圧力で均一に加圧したままシール部に紫外線
を照射、硬化させて空セルを作製した。
【００３２】次に、左ねじれが誘起されるようにカイラ
ル材を微量添加したメルク社製ネマティック液晶ＺＬＩ
−４７９２を、真空注入法により、上記空セルに注入し
た。注入完了後、エポキシ系封口剤で注入口を封口し
た。
ル材を微量添加したメルク社製ネマティック液晶ＺＬＩ
−４７９２を、真空注入法により、上記空セルに注入し
た。注入完了後、エポキシ系封口剤で注入口を封口し
た。
【００３３】次に、この液晶セルに５Ｖ，３０Ｈｚの矩
形波を１分間印加し、スペーサを近接する画素と画素の
間のブラックマトリクスを形成した領域に移動させた
後、セルを１５０℃で１時間加熱してスペーサを基板上
に固定させた。
形波を１分間印加し、スペーサを近接する画素と画素の
間のブラックマトリクスを形成した領域に移動させた
後、セルを１５０℃で１時間加熱してスペーサを基板上
に固定させた。
【００３４】このようにして作製した液晶表示素子で
は、第１の実施例と同様に、スペーサが基板上に固定さ
れているため、長時間駆動してもスペーサが移動せず、
配向膜を傷つけたり、ギャップムラ等が発生することも
なかった。更に、このようにして作製した液晶表示素子
では、スペーサが画素と画素の間のブラックマトリクス
領域に固定され、画素内に存在しないため、非常に高い
コントラスト比が得られた。
は、第１の実施例と同様に、スペーサが基板上に固定さ
れているため、長時間駆動してもスペーサが移動せず、
配向膜を傷つけたり、ギャップムラ等が発生することも
なかった。更に、このようにして作製した液晶表示素子
では、スペーサが画素と画素の間のブラックマトリクス
領域に固定され、画素内に存在しないため、非常に高い
コントラスト比が得られた。
【００３５】（実施例３）以下本発明の第３の実施例に
ついて、図面を参照にしながら説明する。なお、これに
よって本発明が限定されるものではない。
ついて、図面を参照にしながら説明する。なお、これに
よって本発明が限定されるものではない。
【００３６】図５は本発明の第３の実施例による液晶表
示素子である。透明電極を設けた基板１ａ，１ｂ上に水
平配向するような配向膜（日本合成ゴム株式会社製ポリ
イミド配向膜ＡＬ−１０５１）を塗布し、２２０℃、３
０分間クリーンオーブンで硬化させた。
示素子である。透明電極を設けた基板１ａ，１ｂ上に水
平配向するような配向膜（日本合成ゴム株式会社製ポリ
イミド配向膜ＡＬ−１０５１）を塗布し、２２０℃、３
０分間クリーンオーブンで硬化させた。
【００３７】次に、この基板をナイロン布などを用いて
ラビング処理を行なった。次に、片方の基板にエポキシ
系接着剤をスクリーン印刷することでシール部を形成し
た後、５μmのスペーサを均一に散布した。
ラビング処理を行なった。次に、片方の基板にエポキシ
系接着剤をスクリーン印刷することでシール部を形成し
た後、５μmのスペーサを均一に散布した。
【００３８】次に、上下基板のラビング方向及び、不純
物イオンが寄せ集める方向が、図５に示すように、全て
同一方向になるように、基板を貼り合わせた後、約１kg
/cm2の圧力で均一に加圧したまま１５０℃で１時間加熱
硬化させて、空セルを作製した。
物イオンが寄せ集める方向が、図５に示すように、全て
同一方向になるように、基板を貼り合わせた後、約１kg
/cm2の圧力で均一に加圧したまま１５０℃で１時間加熱
硬化させて、空セルを作製した。
【００３９】次に、メルク社製ネマティック液晶ＺＬＩ
−４７９２を、真空注入法により、上記空セルに注入し
た。注入完了後、エポキシ系封口剤で注入口を封口し
た。次に、透明電極２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅ，イオント
ラップ電極８に、図１８や図１９に示すような電圧を、
６０℃で１０時間印加して、不純物イオンをイオントラ
ップ電極８に寄せ集めた。この場合、高電位パルスの走
査により不純物イオンが移動する方向と、液晶分子の運
動により不純物イオンが移動する方向が同一方向である
ため、非常に短時間で不純物イオンをイオントラップ電
極８に寄せ集めることができる。
−４７９２を、真空注入法により、上記空セルに注入し
た。注入完了後、エポキシ系封口剤で注入口を封口し
た。次に、透明電極２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅ，イオント
ラップ電極８に、図１８や図１９に示すような電圧を、
６０℃で１０時間印加して、不純物イオンをイオントラ
ップ電極８に寄せ集めた。この場合、高電位パルスの走
査により不純物イオンが移動する方向と、液晶分子の運
動により不純物イオンが移動する方向が同一方向である
ため、非常に短時間で不純物イオンをイオントラップ電
極８に寄せ集めることができる。
【００４０】このようにして作製した液晶表示素子で
は、表示領域内には不純物イオンをほとんど含まないた
め、長時間駆動しても表示ムラ等の表示不良が発生しな
かった。
は、表示領域内には不純物イオンをほとんど含まないた
め、長時間駆動しても表示ムラ等の表示不良が発生しな
かった。
【００４１】（実施例４）以下本発明の第４の実施例に
ついて、図面を参照にしながら説明する。なお、これに
よって本発明が限定されるものではない。
ついて、図面を参照にしながら説明する。なお、これに
よって本発明が限定されるものではない。
【００４２】図６は本発明の第４の実施例による液晶表
示素子である。透明電極を設けた基板１ａ，１ｂ上に水
平配向するような配向膜（日本合成ゴム株式会社製ポリ
イミド配向膜ＡＬ−１０５１）を塗布し、２２０℃、３
０分間クリーンオーブンで硬化させた。
示素子である。透明電極を設けた基板１ａ，１ｂ上に水
平配向するような配向膜（日本合成ゴム株式会社製ポリ
イミド配向膜ＡＬ−１０５１）を塗布し、２２０℃、３
０分間クリーンオーブンで硬化させた。
【００４３】次に、この基板をナイロン布などを用いて
ラビング処理を行なった。次に、片方の基板にエポキシ
系接着剤をスクリーン印刷することでシール部を形成し
た後、５μmのスペーサを均一に散布した。
ラビング処理を行なった。次に、片方の基板にエポキシ
系接着剤をスクリーン印刷することでシール部を形成し
た後、５μmのスペーサを均一に散布した。
【００４４】次に、上下基板のラビング方向及び、その
後の高電位パルスの走査により不純物イオンが移動する
方向が、図６に示すような関係になるように、基板を貼
り合わせた後、約１kg/cm2の圧力で均一に加圧したまま
１５０℃で１時間加熱硬化させて空セルを作製した。
後の高電位パルスの走査により不純物イオンが移動する
方向が、図６に示すような関係になるように、基板を貼
り合わせた後、約１kg/cm2の圧力で均一に加圧したまま
１５０℃で１時間加熱硬化させて空セルを作製した。
【００４５】次に、左ねじれが誘起されるようにカイラ
ル材を微量添加したメルク社製ネマティック液晶ＺＬＩ
−４７９２を、真空注入法により、上記空セルに注入し
た。注入完了後、エポキシ系封口剤で注入口を封口し
た。
ル材を微量添加したメルク社製ネマティック液晶ＺＬＩ
−４７９２を、真空注入法により、上記空セルに注入し
た。注入完了後、エポキシ系封口剤で注入口を封口し
た。
【００４６】次に、この液晶セルの透明電極２ｂ，２
ｃ，２ｄ，２ｅ，イオントラップ電極８に、図１８や図
１９に示すような電圧を、６０℃で１００時間印加し
て、不純物イオンをイオントラップ電極８に寄せ集め
た。
ｃ，２ｄ，２ｅ，イオントラップ電極８に、図１８や図
１９に示すような電圧を、６０℃で１００時間印加し
て、不純物イオンをイオントラップ電極８に寄せ集め
た。
【００４７】このようにして作製した液晶表示素子で
は、表示領域内には不純物イオンをほとんど含まないた
め、長時間駆動しても表示ムラ等の表示不良が発生しな
かった。
は、表示領域内には不純物イオンをほとんど含まないた
め、長時間駆動しても表示ムラ等の表示不良が発生しな
かった。
【００４８】（実施例５）以下本発明の第５の実施例に
ついて、図面を参照にしながら説明する。なお、これに
よって本発明が限定されるものではない。
ついて、図面を参照にしながら説明する。なお、これに
よって本発明が限定されるものではない。
【００４９】図７は本発明の第５の実施例による液晶表
示素子である。透明電極を設けた基板１ａ，１ｂ上に水
平配向するような配向膜（日本合成ゴム株式会社製ポリ
イミド配向膜ＡＬ−１０５１）を塗布し、２２０℃、３
０分間クリーンオーブンで硬化させた。
示素子である。透明電極を設けた基板１ａ，１ｂ上に水
平配向するような配向膜（日本合成ゴム株式会社製ポリ
イミド配向膜ＡＬ−１０５１）を塗布し、２２０℃、３
０分間クリーンオーブンで硬化させた。
【００５０】次に、イオントラップ電極８上にイオン吸
着膜１３を印刷方式により形成した。この膜は陽イオン
交換機能と、陰イオン交換機能とを併せ持つ膜厚５００
オングストローム（５０ｎｍ）の複合膜によって構成さ
れている。
着膜１３を印刷方式により形成した。この膜は陽イオン
交換機能と、陰イオン交換機能とを併せ持つ膜厚５００
オングストローム（５０ｎｍ）の複合膜によって構成さ
れている。
【００５１】次に、この基板をナイロン布などを用いて
ラビング処理を行なった。次に、片方の基板にエポキシ
系接着剤をスクリーン印刷することでシール部を形成し
た後、５μmのスペーサを均一に散布した。
ラビング処理を行なった。次に、片方の基板にエポキシ
系接着剤をスクリーン印刷することでシール部を形成し
た後、５μmのスペーサを均一に散布した。
【００５２】次に、上下基板のラビング方向及び、不純
物イオンを寄せ集める方向が、図７に示すように、全て
同一方向になるように、基板を貼り合わせた後、約１kg
/cm2の圧力で均一に加圧したまま１５０℃で１時間加熱
硬化させて空セルを作製した。
物イオンを寄せ集める方向が、図７に示すように、全て
同一方向になるように、基板を貼り合わせた後、約１kg
/cm2の圧力で均一に加圧したまま１５０℃で１時間加熱
硬化させて空セルを作製した。
【００５３】次に、メルク社製ネマティック液晶ＺＬＩ
−４７９２を、真空注入法により、上記空セルに注入し
た。注入完了後、エポキシ系封口剤で注入口を封口し
た。次に、この液晶セルの透明電極２ｂ，２ｃ，２ｄ，
２ｅ，イオントラップ電極８に、図１８や図１９に示す
ような電圧を、６０℃で１０時間印加して、不純物イオ
ンをイオントラップ電極８に寄せ集めた。この場合、高
電位パルスの走査により不純物イオンが移動する方向
と、液晶分子の運動により不純物イオンが移動する方向
が同一方向であるため、非常に短時間で不純物イオンを
イオントラップ電極８に寄せ集めることができる。
−４７９２を、真空注入法により、上記空セルに注入し
た。注入完了後、エポキシ系封口剤で注入口を封口し
た。次に、この液晶セルの透明電極２ｂ，２ｃ，２ｄ，
２ｅ，イオントラップ電極８に、図１８や図１９に示す
ような電圧を、６０℃で１０時間印加して、不純物イオ
ンをイオントラップ電極８に寄せ集めた。この場合、高
電位パルスの走査により不純物イオンが移動する方向
と、液晶分子の運動により不純物イオンが移動する方向
が同一方向であるため、非常に短時間で不純物イオンを
イオントラップ電極８に寄せ集めることができる。
【００５４】このようにして作製した液晶表示素子で
は、表示領域内には不純物イオンをほとんど含まず、更
にイオン吸着膜により、寄せ集められた不純物イオンが
吸着されているので、長時間駆動しても表示ムラ等の表
示不良が発生しなかった。
は、表示領域内には不純物イオンをほとんど含まず、更
にイオン吸着膜により、寄せ集められた不純物イオンが
吸着されているので、長時間駆動しても表示ムラ等の表
示不良が発生しなかった。
【００５５】（実施例６）以下本発明の第６の実施例に
ついて、図面を参照にしながら説明する。なお、これに
よって本発明が限定されるものではない。
ついて、図面を参照にしながら説明する。なお、これに
よって本発明が限定されるものではない。
【００５６】図８は本発明の第６の実施例による液晶表
示素子である。透明電極を設けた基板１ａ，１ｂ上に水
平配向するような配向膜（日本合成ゴム株式会社製ポリ
イミド配向膜ＡＬ−１０５１）を塗布し、２２０℃、３
０分間クリーンオーブンで硬化させた。
示素子である。透明電極を設けた基板１ａ，１ｂ上に水
平配向するような配向膜（日本合成ゴム株式会社製ポリ
イミド配向膜ＡＬ−１０５１）を塗布し、２２０℃、３
０分間クリーンオーブンで硬化させた。
【００５７】次に、イオントラップ電極８上にイオン吸
着膜１３を印刷方式により形成した。この膜は陽イオン
交換機能と、陰イオン交換機能とを併せ持つ膜厚５００
オングストローム（５０ｎｍ）の複合膜によって構成さ
れている。
着膜１３を印刷方式により形成した。この膜は陽イオン
交換機能と、陰イオン交換機能とを併せ持つ膜厚５００
オングストローム（５０ｎｍ）の複合膜によって構成さ
れている。
【００５８】次に、この基板をナイロン布などを用いて
ラビング処理を行なった。次に、片方の基板にエポキシ
系接着剤をスクリーン印刷することでシール部を形成し
た後、５μmのスペーサを均一に散布した。
ラビング処理を行なった。次に、片方の基板にエポキシ
系接着剤をスクリーン印刷することでシール部を形成し
た後、５μmのスペーサを均一に散布した。
【００５９】次に、上下基板のラビング方向及び、その
後の高電位パルスの走査により不純物イオンが移動する
方向が、図８に示すような関係になるように、基板を貼
り合わせた後、約１kg/cm2の圧力で均一に加圧したまま
１５０℃で１時間加熱硬化させて空セルを作製した。
後の高電位パルスの走査により不純物イオンが移動する
方向が、図８に示すような関係になるように、基板を貼
り合わせた後、約１kg/cm2の圧力で均一に加圧したまま
１５０℃で１時間加熱硬化させて空セルを作製した。
【００６０】次に、左ねじれが誘起されるようにカイラ
ル材を微量添加したメルク社製ネマティック液晶ＺＬＩ
−４７９２を、真空注入法により、上記空セルに注入し
た。注入完了後、エポキシ系封口剤で注入口を封口し
た。
ル材を微量添加したメルク社製ネマティック液晶ＺＬＩ
−４７９２を、真空注入法により、上記空セルに注入し
た。注入完了後、エポキシ系封口剤で注入口を封口し
た。
【００６１】次に、この液晶セルの透明電極２ｂ，２
ｃ，２ｄ，２ｅ，イオントラップ電極８に、図１８や図
１９に示すような電圧を、６０℃で１００時間印加し
て、不純物イオンをイオントラップ電極８に寄せ集め
た。
ｃ，２ｄ，２ｅ，イオントラップ電極８に、図１８や図
１９に示すような電圧を、６０℃で１００時間印加し
て、不純物イオンをイオントラップ電極８に寄せ集め
た。
【００６２】このようにして作製した液晶表示素子で
は、表示領域内には不純物イオンをほとんど含まず、更
にイオン吸着膜により、寄せ集められた不純物イオンが
吸着されているので、長時間駆動しても表示ムラ等の表
示不良が発生しなかった。
は、表示領域内には不純物イオンをほとんど含まず、更
にイオン吸着膜により、寄せ集められた不純物イオンが
吸着されているので、長時間駆動しても表示ムラ等の表
示不良が発生しなかった。
【００６３】（実施例７）以下本発明の第７の実施例に
ついて、図面を参照にしながら説明する。なお、これに
よって本発明が限定されるものではない。
ついて、図面を参照にしながら説明する。なお、これに
よって本発明が限定されるものではない。
【００６４】図５は本発明の第７の実施例による液晶表
示素子である。第３の実施例と同様にして、液晶セルを
作製した。次に、この液晶セルの透明電極２ｂ，２ｃ，
２ｄ，２ｅ，イオントラップ電極８に図１８や図１９に
示すような電圧を６０℃で１０時間印加して、不純物イ
オンをイオントラップ電極８に寄せ集めた。この場合、
高電位パルスの走査により不純物イオンが移動する方向
と、液晶分子の運動により不純物イオンが移動する方向
が同一方向であるため、非常に短時間で不純物イオンを
イオントラップ電極８に寄せ集めることができる。
示素子である。第３の実施例と同様にして、液晶セルを
作製した。次に、この液晶セルの透明電極２ｂ，２ｃ，
２ｄ，２ｅ，イオントラップ電極８に図１８や図１９に
示すような電圧を６０℃で１０時間印加して、不純物イ
オンをイオントラップ電極８に寄せ集めた。この場合、
高電位パルスの走査により不純物イオンが移動する方向
と、液晶分子の運動により不純物イオンが移動する方向
が同一方向であるため、非常に短時間で不純物イオンを
イオントラップ電極８に寄せ集めることができる。
【００６５】その後、この液晶表示素子を駆動する際、
イオントラップ電極８には、不純物イオンが正の場合に
は、−２０Ｖのバイアス電圧、負の場合には＋２０Ｖの
バイアス電圧が常に印加されるようにした。
イオントラップ電極８には、不純物イオンが正の場合に
は、−２０Ｖのバイアス電圧、負の場合には＋２０Ｖの
バイアス電圧が常に印加されるようにした。
【００６６】このようにして作製した液晶表示素子で
は、表示領域内には不純物イオンをほとんど含まず、更
に、寄せ集められた不純物イオンが、イオントラップ電
極に電気的に吸着されているので、長時間駆動しても表
示ムラ等の表示不良が発生しなかった。
は、表示領域内には不純物イオンをほとんど含まず、更
に、寄せ集められた不純物イオンが、イオントラップ電
極に電気的に吸着されているので、長時間駆動しても表
示ムラ等の表示不良が発生しなかった。
【００６７】（実施例８）以下本発明の第８の実施例に
ついて、図面を参照にしながら説明する。なお、これに
よって本発明が限定されるものではない。
ついて、図面を参照にしながら説明する。なお、これに
よって本発明が限定されるものではない。
【００６８】図６は本発明の第８の実施例による液晶表
示素子である。第４の実施例と同様にして、液晶セルを
作製した。次に、この液晶セルの透明電極２ｂ，２ｃ，
２ｄ，２ｅ，イオントラップ電極８に図１８や図１９に
示すような電圧を６０℃で１００時間印加して、不純物
イオンをイオントラップ電極８に寄せ集めた。
示素子である。第４の実施例と同様にして、液晶セルを
作製した。次に、この液晶セルの透明電極２ｂ，２ｃ，
２ｄ，２ｅ，イオントラップ電極８に図１８や図１９に
示すような電圧を６０℃で１００時間印加して、不純物
イオンをイオントラップ電極８に寄せ集めた。
【００６９】その後、この液晶表示素子を駆動する際、
イオントラップ電極８には、不純物イオンが正の場合に
は、−２０Ｖのバイアス電圧、負の場合には＋２０Ｖの
バイアス電圧が常に印加されるようにした。
イオントラップ電極８には、不純物イオンが正の場合に
は、−２０Ｖのバイアス電圧、負の場合には＋２０Ｖの
バイアス電圧が常に印加されるようにした。
【００７０】このようにして作製した液晶表示素子で
は、表示領域内には不純物イオンをほとんど含まず、更
に、寄せ集められた不純物イオンが、イオントラップ電
極に電気的に吸着されているので、長時間駆動しても表
示ムラ等の表示不良が発生しなかった。
は、表示領域内には不純物イオンをほとんど含まず、更
に、寄せ集められた不純物イオンが、イオントラップ電
極に電気的に吸着されているので、長時間駆動しても表
示ムラ等の表示不良が発生しなかった。
【００７１】（実施例９）以下本発明の第９の実施例に
ついて、図面を参照にしながら説明する。なお、これに
よって本発明が限定されるものではない。
ついて、図面を参照にしながら説明する。なお、これに
よって本発明が限定されるものではない。
【００７２】図９は本発明の第９の実施例による液晶表
示素子である。第３の実施例と同様にして、液晶セルを
作製した。次に、この液晶セルの透明電極２ｂ，２ｃ，
２ｄ，２ｅ，イオントラップ電極８に図１８や図１９に
示すような電圧を６０℃で１０時間印加して、不純物イ
オンを不純物イオントラップ室１５に寄せ集めた。この
場合、高電位パルスの走査により不純物イオンが移動す
る方向と、液晶分子の運動により不純物イオンが移動す
る方向が同一方向であるため、非常に短時間で不純物イ
オンを不純物イオントラップ室１５に寄せ集めることが
できる。
示素子である。第３の実施例と同様にして、液晶セルを
作製した。次に、この液晶セルの透明電極２ｂ，２ｃ，
２ｄ，２ｅ，イオントラップ電極８に図１８や図１９に
示すような電圧を６０℃で１０時間印加して、不純物イ
オンを不純物イオントラップ室１５に寄せ集めた。この
場合、高電位パルスの走査により不純物イオンが移動す
る方向と、液晶分子の運動により不純物イオンが移動す
る方向が同一方向であるため、非常に短時間で不純物イ
オンを不純物イオントラップ室１５に寄せ集めることが
できる。
【００７３】その後、切断線１４で不純物イオントラッ
プ室１５を切断分離して、エポキシ系封口剤で再封口し
た。このようにして作製した液晶表示素子では、不純物
イオンをほとんど含まないために、長時間駆動しても表
示ムラ等の表示不良が発生しなかった。
プ室１５を切断分離して、エポキシ系封口剤で再封口し
た。このようにして作製した液晶表示素子では、不純物
イオンをほとんど含まないために、長時間駆動しても表
示ムラ等の表示不良が発生しなかった。
【００７４】（実施例１０）以下本発明の第１０の実施
例について、図面を参照にしながら説明する。なお、こ
れによって本発明が限定されるものではない。
例について、図面を参照にしながら説明する。なお、こ
れによって本発明が限定されるものではない。
【００７５】図１０は本発明の第１０の実施例による液
晶表示素子である。第４の実施例と同様にして、液晶セ
ルを作製した。次に、この液晶セルの透明電極２ｂ，２
ｃ，２ｄ，２ｅ，イオントラップ電極８に図１８や図１
９に示すような電圧を６０℃で１００時間印加して、不
純物イオンを不純物イオントラップ室１５に寄せ集め
た。
晶表示素子である。第４の実施例と同様にして、液晶セ
ルを作製した。次に、この液晶セルの透明電極２ｂ，２
ｃ，２ｄ，２ｅ，イオントラップ電極８に図１８や図１
９に示すような電圧を６０℃で１００時間印加して、不
純物イオンを不純物イオントラップ室１５に寄せ集め
た。
【００７６】その後、切断線１４で不純物イオントラッ
プ室１５を切断分離して、エポキシ系封口剤で再封口し
た。このようにして作製した液晶表示素子では、不純物
イオンをほとんど含まないために、長時間駆動しても表
示ムラ等の表示不良が発生しなかった。
プ室１５を切断分離して、エポキシ系封口剤で再封口し
た。このようにして作製した液晶表示素子では、不純物
イオンをほとんど含まないために、長時間駆動しても表
示ムラ等の表示不良が発生しなかった。
【００７７】（実施例１１）以下本発明の第１１の実施
例について、図面を参照にしながら説明する。なお、こ
れによって本発明が限定されるものではない。
例について、図面を参照にしながら説明する。なお、こ
れによって本発明が限定されるものではない。
【００７８】図１１は本発明の第１１の実施例による液
晶表示素子である。透明電極を設けた基板１ａ，１ｂ上
に水平配向するような配向膜（日本合成ゴム株式会社製
ポリイミド配向膜ＡＬ−１０５１）を塗布し、２２０
℃、３０分間クリーンオーブンで硬化させた。
晶表示素子である。透明電極を設けた基板１ａ，１ｂ上
に水平配向するような配向膜（日本合成ゴム株式会社製
ポリイミド配向膜ＡＬ−１０５１）を塗布し、２２０
℃、３０分間クリーンオーブンで硬化させた。
【００７９】次に、この基板をナイロン布などを用いて
ラビング処理を行なった。次に、片方の基板に紫外線硬
化型接着剤をスクリーン印刷することでシール部を形成
した後、平均粒子直径が５μmの接着性スペーサ（トレ
パール，東レ株式会社製）を均一に散布した。
ラビング処理を行なった。次に、片方の基板に紫外線硬
化型接着剤をスクリーン印刷することでシール部を形成
した後、平均粒子直径が５μmの接着性スペーサ（トレ
パール，東レ株式会社製）を均一に散布した。
【００８０】次に、上下基板のラビング方向及び、不純
物イオンを寄せ集める方向が、図１１に示すように、全
て同一方向になるように、基板を貼り合わせた後、約１
kg/cm2の圧力で均一に加圧したままシール部に紫外線を
照射、硬化させて空セルを作製した。
物イオンを寄せ集める方向が、図１１に示すように、全
て同一方向になるように、基板を貼り合わせた後、約１
kg/cm2の圧力で均一に加圧したままシール部に紫外線を
照射、硬化させて空セルを作製した。
【００８１】次に、メルク社製ネマティック液晶ＺＬＩ
−４７９２を、真空注入法により、上記空セルに注入し
た。注入完了後、エポキシ系封口剤で注入口を封口し
た。次に、この液晶セルに５Ｖ，３０Ｈｚの矩形波を１
分間印加して、スペーサを近接する画素と画素の間のブ
ラックマトリクス領域に移動させた後、セルを１５０℃
で１時間加熱してスペーサを基板上に固定した。
−４７９２を、真空注入法により、上記空セルに注入し
た。注入完了後、エポキシ系封口剤で注入口を封口し
た。次に、この液晶セルに５Ｖ，３０Ｈｚの矩形波を１
分間印加して、スペーサを近接する画素と画素の間のブ
ラックマトリクス領域に移動させた後、セルを１５０℃
で１時間加熱してスペーサを基板上に固定した。
【００８２】次に、この液晶セルの透明電極２ｂ，２
ｃ，２ｄ，２ｅ，イオントラップ電極８に、図１８や図
１９に示すような電圧を、６０℃で１０時間印加して、
不純物イオンをイオントラップ電極８に寄せ集めた。こ
の場合、高電位パルスの走査により不純物イオンが移動
する方向と、液晶分子の運動により不純物イオンが移動
する方向が同一方向であるため、非常に短時間で不純物
イオンをイオントラップ電極８に寄せ集めることができ
る。
ｃ，２ｄ，２ｅ，イオントラップ電極８に、図１８や図
１９に示すような電圧を、６０℃で１０時間印加して、
不純物イオンをイオントラップ電極８に寄せ集めた。こ
の場合、高電位パルスの走査により不純物イオンが移動
する方向と、液晶分子の運動により不純物イオンが移動
する方向が同一方向であるため、非常に短時間で不純物
イオンをイオントラップ電極８に寄せ集めることができ
る。
【００８３】このようにして作製した液晶表示素子で
は、スペーサが基板上に固定されているため、長時間駆
動してもスペーサが移動せず、配向膜を傷つけたり、ギ
ャップムラ等が発生することもなかった。
は、スペーサが基板上に固定されているため、長時間駆
動してもスペーサが移動せず、配向膜を傷つけたり、ギ
ャップムラ等が発生することもなかった。
【００８４】更に、このようにして作製した液晶表示素
子では、スペーサが画素と画素の間のブラックマトリク
ス領域に固定され、画素内に存在しないため、非常に高
いコントラスト比が得られた。
子では、スペーサが画素と画素の間のブラックマトリク
ス領域に固定され、画素内に存在しないため、非常に高
いコントラスト比が得られた。
【００８５】更に、このようにして作製した液晶表示素
子では、表示領域内には不純物イオンをほとんど含まな
いため、長時間駆動しても表示ムラ等の表示不良が発生
しなかった。
子では、表示領域内には不純物イオンをほとんど含まな
いため、長時間駆動しても表示ムラ等の表示不良が発生
しなかった。
【００８６】（実施例１２）以下本発明の第１２の実施
例について、図面を参照にしながら説明する。なお、こ
れによって本発明が限定されるものではない。
例について、図面を参照にしながら説明する。なお、こ
れによって本発明が限定されるものではない。
【００８７】図１２は本発明の第１２の実施例による液
晶表示素子である。透明電極を設けた基板１ａ，１ｂ上
に水平配向するような配向膜（日本合成ゴム株式会社製
ポリイミド配向膜ＡＬ−１０５１）を塗布し、２２０
℃、３０分間クリーンオーブンで硬化させた。
晶表示素子である。透明電極を設けた基板１ａ，１ｂ上
に水平配向するような配向膜（日本合成ゴム株式会社製
ポリイミド配向膜ＡＬ−１０５１）を塗布し、２２０
℃、３０分間クリーンオーブンで硬化させた。
【００８８】次に、この基板をナイロン布などを用いて
ラビング処理を行なった。次に、片方の基板に紫外線硬
化型接着剤をスクリーン印刷することでシール部を形成
した後、平均粒子直径が５μmの接着性スペーサ（トレ
パール，東レ株式会社製）を均一に散布した。
ラビング処理を行なった。次に、片方の基板に紫外線硬
化型接着剤をスクリーン印刷することでシール部を形成
した後、平均粒子直径が５μmの接着性スペーサ（トレ
パール，東レ株式会社製）を均一に散布した。
【００８９】次に、上下基板のラビング方向及び、その
後の高電位パルスの走査により不純物イオンが移動する
方向が、図１２に示すような関係になるように、基板を
貼り合わせた後、約１kg/cm2の圧力で均一に加圧したま
まシール部に紫外線を照射、硬化させて空セルを作製し
た。
後の高電位パルスの走査により不純物イオンが移動する
方向が、図１２に示すような関係になるように、基板を
貼り合わせた後、約１kg/cm2の圧力で均一に加圧したま
まシール部に紫外線を照射、硬化させて空セルを作製し
た。
【００９０】次に、左ねじれが誘起されるようにカイラ
ル材を微量添加したメルク社製ネマティック液晶ＺＬＩ
−４７９２を、真空注入法により、上記空セルに注入し
た。注入完了後、エポキシ系封口剤で注入口を封口し
た。
ル材を微量添加したメルク社製ネマティック液晶ＺＬＩ
−４７９２を、真空注入法により、上記空セルに注入し
た。注入完了後、エポキシ系封口剤で注入口を封口し
た。
【００９１】次に、この液晶セルに５Ｖ，３０Ｈｚの矩
形波を１分間印加して、スペーサを近接する画素と画素
の間のブラックマトリクス領域に移動させた後、セルを
１５０℃で１時間加熱してスペーサを基板上に固定し
た。
形波を１分間印加して、スペーサを近接する画素と画素
の間のブラックマトリクス領域に移動させた後、セルを
１５０℃で１時間加熱してスペーサを基板上に固定し
た。
【００９２】次に、この液晶セルの透明電極２ｂ，２
ｃ，２ｄ，２ｅ，イオントラップ電極８に、図１６や図
１７に示すような電圧を、６０℃で１００時間印加し
て、不純物イオンをイオントラップ電極８に寄せ集め
た。
ｃ，２ｄ，２ｅ，イオントラップ電極８に、図１６や図
１７に示すような電圧を、６０℃で１００時間印加し
て、不純物イオンをイオントラップ電極８に寄せ集め
た。
【００９３】このようにして作製した液晶表示素子で
は、スペーサが基板上に固定されているため、長時間駆
動してもスペーサが移動せず、配向膜を傷つけたり、ギ
ャップムラ等が発生することもなかった。
は、スペーサが基板上に固定されているため、長時間駆
動してもスペーサが移動せず、配向膜を傷つけたり、ギ
ャップムラ等が発生することもなかった。
【００９４】更に、このようにして作製した液晶表示素
子では、スペーサが画素と画素の間のブラックマトリク
ス領域に固定され、画素内に存在しないため、非常に高
いコントラスト比が得られた。
子では、スペーサが画素と画素の間のブラックマトリク
ス領域に固定され、画素内に存在しないため、非常に高
いコントラスト比が得られた。
【００９５】更に、このようにして作製した液晶表示素
子では、表示領域内には不純物イオンをほとんど含まな
いため、長時間駆動しても表示ムラ等の表示不良が発生
しなかった。
子では、表示領域内には不純物イオンをほとんど含まな
いため、長時間駆動しても表示ムラ等の表示不良が発生
しなかった。
【００９６】（実施例１３）以下本発明の第１３の実施
例について、図面を参照にしながら説明する。なお、こ
れによって本発明が限定されるものではない。
例について、図面を参照にしながら説明する。なお、こ
れによって本発明が限定されるものではない。
【００９７】図１３は本発明の第１３の実施例による液
晶表示素子である。透明電極を設けた基板１ａ，１ｂ上
に水平配向するような配向膜（日本合成ゴム株式会社製
ポリイミド配向膜ＡＬ−１０５１）を塗布し、２２０
℃、３０分間クリーンオーブンで硬化させた。
晶表示素子である。透明電極を設けた基板１ａ，１ｂ上
に水平配向するような配向膜（日本合成ゴム株式会社製
ポリイミド配向膜ＡＬ−１０５１）を塗布し、２２０
℃、３０分間クリーンオーブンで硬化させた。
【００９８】次に、イオントラップ電極８上にイオン吸
着膜１３を印刷方式により形成した。この膜は陽イオン
交換機能と、陰イオン交換機能とを併せ持つ膜厚５００
オングストローム（５０ｎｍ）の複合膜によって構成さ
れている。
着膜１３を印刷方式により形成した。この膜は陽イオン
交換機能と、陰イオン交換機能とを併せ持つ膜厚５００
オングストローム（５０ｎｍ）の複合膜によって構成さ
れている。
【００９９】次に、この基板をナイロン布などを用いて
ラビング処理を行なった。次に、片方の基板に紫外線硬
化型接着剤をスクリーン印刷することでシール部を形成
した後、平均粒子直径が５μmの接着性スペーサ（トレ
パール，東レ株式会社製）を均一に散布した。
ラビング処理を行なった。次に、片方の基板に紫外線硬
化型接着剤をスクリーン印刷することでシール部を形成
した後、平均粒子直径が５μmの接着性スペーサ（トレ
パール，東レ株式会社製）を均一に散布した。
【０１００】次に、上下基板のラビング方向及び、不純
物イオンを寄せ集める方向が、図１３に示すように、全
て同一方向になるように、基板を貼り合わせた後、約１
kg/cm2の圧力で均一に加圧したままシール部に紫外線を
照射、硬化させて空セルを作製した。
物イオンを寄せ集める方向が、図１３に示すように、全
て同一方向になるように、基板を貼り合わせた後、約１
kg/cm2の圧力で均一に加圧したままシール部に紫外線を
照射、硬化させて空セルを作製した。
【０１０１】次にメルク社製ネマティック液晶ＺＬＩ−
４７９２を、真空注入法により、上記空セルに注入し
た。注入完了後、エポキシ系封口剤で注入口を封口し
た。次に、この液晶セルに５Ｖ，３０Ｈｚの矩形波を１
分間印加して、スペーサを近接する画素と画素の間のブ
ラックマトリクス領域に移動させた後、セルを１５０℃
で１時間加熱してスペーサを基板上に固定した。次に、
この液晶セルの透明電極２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅ，イオ
ントラップ電極８に、図１８や図１９に示すような電圧
を、６０℃で１０時間印加して、不純物イオンをイオン
トラップ電極８に寄せ集めた。この場合、高電位パルス
の走査により不純物イオンが移動する方向と、液晶分子
の運動により不純物イオンが移動する方向が同一方向で
あるため、非常に短時間で不純物イオンをイオントラッ
プ電極８に寄せ集めることができる。
４７９２を、真空注入法により、上記空セルに注入し
た。注入完了後、エポキシ系封口剤で注入口を封口し
た。次に、この液晶セルに５Ｖ，３０Ｈｚの矩形波を１
分間印加して、スペーサを近接する画素と画素の間のブ
ラックマトリクス領域に移動させた後、セルを１５０℃
で１時間加熱してスペーサを基板上に固定した。次に、
この液晶セルの透明電極２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅ，イオ
ントラップ電極８に、図１８や図１９に示すような電圧
を、６０℃で１０時間印加して、不純物イオンをイオン
トラップ電極８に寄せ集めた。この場合、高電位パルス
の走査により不純物イオンが移動する方向と、液晶分子
の運動により不純物イオンが移動する方向が同一方向で
あるため、非常に短時間で不純物イオンをイオントラッ
プ電極８に寄せ集めることができる。
【０１０２】このようにして作製した液晶表示素子で
は、スペーサが基板上に固定されているため、長時間駆
動してもスペーサが移動せず、配向膜を傷つけたり、ギ
ャップムラ等が発生することもなかった。
は、スペーサが基板上に固定されているため、長時間駆
動してもスペーサが移動せず、配向膜を傷つけたり、ギ
ャップムラ等が発生することもなかった。
【０１０３】更に、このようにして作製した液晶表示素
子では、スペーサが画素と画素の間のブラックマトリク
ス領域に固定され、画素内に存在しないため、非常に高
いコントラスト比が得られた。
子では、スペーサが画素と画素の間のブラックマトリク
ス領域に固定され、画素内に存在しないため、非常に高
いコントラスト比が得られた。
【０１０４】更に、このようにして作製した液晶表示素
子では、表示領域内には不純物イオンをほとんど含ま
ず、イオントラップ電極に寄せ集められた不純物イオン
がイオン吸着膜により吸着されているので、長時間駆動
しても表示ムラ等の表示不良が発生しなかった。
子では、表示領域内には不純物イオンをほとんど含ま
ず、イオントラップ電極に寄せ集められた不純物イオン
がイオン吸着膜により吸着されているので、長時間駆動
しても表示ムラ等の表示不良が発生しなかった。
【０１０５】（実施例１４）以下本発明の第１４の実施
例について、図面を参照にしながら説明する。なお、こ
れによって本発明が限定されるものではない。
例について、図面を参照にしながら説明する。なお、こ
れによって本発明が限定されるものではない。
【０１０６】図１４は本発明の第１４の実施例による液
晶表示素子である。透明電極を設けた基板１ａ，１ｂ上
に水平配向するような配向膜（日本合成ゴム株式会社製
ポリイミド配向膜ＡＬ−１０５１）を塗布し、２２０
℃、３０分間クリーンオーブンで硬化させた。
晶表示素子である。透明電極を設けた基板１ａ，１ｂ上
に水平配向するような配向膜（日本合成ゴム株式会社製
ポリイミド配向膜ＡＬ−１０５１）を塗布し、２２０
℃、３０分間クリーンオーブンで硬化させた。
【０１０７】次に、イオントラップ電極８上にイオン吸
着膜１３を印刷方式により形成した。この膜は陽イオン
交換機能と、陰イオン交換機能とを併せ持つ膜厚５００
オングストローム（５０ｎｍ）の複合膜によって構成さ
れている。
着膜１３を印刷方式により形成した。この膜は陽イオン
交換機能と、陰イオン交換機能とを併せ持つ膜厚５００
オングストローム（５０ｎｍ）の複合膜によって構成さ
れている。
【０１０８】次に、この基板をナイロン布などを用いて
ラビング処理を行なった。次に、片方の基板に紫外線硬
化型接着剤をスクリーン印刷することでシール部を形成
した後、平均粒子直径が５μmの接着性スペーサ（トレ
パール，東レ株式会社製）を均一に散布した。
ラビング処理を行なった。次に、片方の基板に紫外線硬
化型接着剤をスクリーン印刷することでシール部を形成
した後、平均粒子直径が５μmの接着性スペーサ（トレ
パール，東レ株式会社製）を均一に散布した。
【０１０９】次に、上下基板のラビング方向及び、不純
物イオンを寄せ集める移動する方向が、図１４に示すよ
うな関係になるように、基板を貼り合わせた後、約１kg
/cm2の圧力で均一に加圧したままシール部に紫外線を照
射、硬化させて空セルを作製した。
物イオンを寄せ集める移動する方向が、図１４に示すよ
うな関係になるように、基板を貼り合わせた後、約１kg
/cm2の圧力で均一に加圧したままシール部に紫外線を照
射、硬化させて空セルを作製した。
【０１１０】次に、左ねじれが誘起されるようにカイラ
ル材を微量添加したメルク社製ネマティック液晶ＺＬＩ
−４７９２を、真空注入法により、上記空セルに注入し
た。注入完了後、エポキシ系封口剤で注入口を封口し
た。
ル材を微量添加したメルク社製ネマティック液晶ＺＬＩ
−４７９２を、真空注入法により、上記空セルに注入し
た。注入完了後、エポキシ系封口剤で注入口を封口し
た。
【０１１１】次に、この液晶セルに５Ｖ，３０Ｈｚの矩
形波を１分間印加して、スペーサを近接する画素と画素
の間のブラックマトリクス領域に移動させた後、セルを
１５０℃で１時間加熱してスペーサを基板上に固定し
た。
形波を１分間印加して、スペーサを近接する画素と画素
の間のブラックマトリクス領域に移動させた後、セルを
１５０℃で１時間加熱してスペーサを基板上に固定し
た。
【０１１２】次に、この液晶セルの透明電極２ｂ，２
ｃ，２ｄ，２ｅ，イオントラップ電極８に、図１８や図
１９に示すような電圧を、６０℃で１００時間印加し
て、不純物イオンをイオントラップ電極８に寄せ集め
た。
ｃ，２ｄ，２ｅ，イオントラップ電極８に、図１８や図
１９に示すような電圧を、６０℃で１００時間印加し
て、不純物イオンをイオントラップ電極８に寄せ集め
た。
【０１１３】このようにして作製した液晶表示素子で
は、スペーサが基板上に固定されているため、長時間駆
動してもスペーサが移動せず、配向膜を傷つけたり、ギ
ャップムラ等が発生することもなかった。
は、スペーサが基板上に固定されているため、長時間駆
動してもスペーサが移動せず、配向膜を傷つけたり、ギ
ャップムラ等が発生することもなかった。
【０１１４】更に、このようにして作製した液晶表示素
子では、スペーサが画素と画素の間のブラックマトリク
ス領域に固定され、画素内に存在しないため、非常に高
いコントラスト比が得られた。
子では、スペーサが画素と画素の間のブラックマトリク
ス領域に固定され、画素内に存在しないため、非常に高
いコントラスト比が得られた。
【０１１５】更に、このようにして作製した液晶表示素
子では、表示領域内には不純物イオンをほとんど含ま
ず、イオントラップ電極に寄せ集められた不純物イオン
がイオン吸着膜により吸着されているので、長時間駆動
しても表示ムラ等の表示不良が発生しなかった。
子では、表示領域内には不純物イオンをほとんど含ま
ず、イオントラップ電極に寄せ集められた不純物イオン
がイオン吸着膜により吸着されているので、長時間駆動
しても表示ムラ等の表示不良が発生しなかった。
【０１１６】（実施例１５）以下本発明の第１５の実施
例について、図面を参照にしながら説明する。なお、こ
れによって本発明が限定されるものではない。
例について、図面を参照にしながら説明する。なお、こ
れによって本発明が限定されるものではない。
【０１１７】図１１は本発明の第１５の実施例による液
晶表示素子である。第１１の実施例と同様にして、スペ
ーサが画素と画素の間のブラックマトリクス領域に固定
された液晶セルを作製した。
晶表示素子である。第１１の実施例と同様にして、スペ
ーサが画素と画素の間のブラックマトリクス領域に固定
された液晶セルを作製した。
【０１１８】次に、この液晶セルの透明電極２ｂ，２
ｃ，２ｄ，２ｅ，イオントラップ電極８に図１８や図１
９に示すような電圧を６０℃で１０時間印加して、不純
物イオンをイオントラップ電極８に寄せ集めた。この場
合、高電位パルスの走査により不純物イオンが移動する
方向と、液晶分子の運動により不純物イオンが移動する
方向が同一方向であるため、非常に短時間で不純物イオ
ンをイオントラップ電極８に寄せ集めることができる。
ｃ，２ｄ，２ｅ，イオントラップ電極８に図１８や図１
９に示すような電圧を６０℃で１０時間印加して、不純
物イオンをイオントラップ電極８に寄せ集めた。この場
合、高電位パルスの走査により不純物イオンが移動する
方向と、液晶分子の運動により不純物イオンが移動する
方向が同一方向であるため、非常に短時間で不純物イオ
ンをイオントラップ電極８に寄せ集めることができる。
【０１１９】その後、この液晶表示素子を駆動する際、
イオントラップ電極８には、不純物イオンが正の場合に
は−２０Ｖのバイアス電圧、負の場合には＋２０Ｖのバ
イアス電圧が常に印加されるようにした。
イオントラップ電極８には、不純物イオンが正の場合に
は−２０Ｖのバイアス電圧、負の場合には＋２０Ｖのバ
イアス電圧が常に印加されるようにした。
【０１２０】このようにして作製した液晶表示素子で
は、スペーサが基板上に固定されているため、長時間駆
動してもスペーサが移動せず、配向膜を傷つけたり、ギ
ャップムラ等が発生することもなかった。
は、スペーサが基板上に固定されているため、長時間駆
動してもスペーサが移動せず、配向膜を傷つけたり、ギ
ャップムラ等が発生することもなかった。
【０１２１】更に、このようにして作製した液晶表示素
子では、スペーサが画素と画素の間のブラックマトリク
ス領域に固定され、画素内に存在しないため、非常に高
いコントラスト比が得られた。
子では、スペーサが画素と画素の間のブラックマトリク
ス領域に固定され、画素内に存在しないため、非常に高
いコントラスト比が得られた。
【０１２２】更に、このようにして作製した液晶表示素
子では、表示領域内には不純物イオンをほとんど含ま
ず、寄せ集められた不純物イオンが、イオントラップ電
極に電気的に吸着されているので、長時間駆動しても表
示ムラ等の表示不良が発生しなかった。
子では、表示領域内には不純物イオンをほとんど含ま
ず、寄せ集められた不純物イオンが、イオントラップ電
極に電気的に吸着されているので、長時間駆動しても表
示ムラ等の表示不良が発生しなかった。
【０１２３】（実施例１６）以下本発明の第１６の実施
例について、図面を参照にしながら説明する。なお、こ
れによって本発明が限定されるものではない。
例について、図面を参照にしながら説明する。なお、こ
れによって本発明が限定されるものではない。
【０１２４】図１２は本発明の第１６の実施例による液
晶表示素子である。第１２の実施例と同様にして、スペ
ーサが画素と画素の間のブラックマトリクス領域に固定
されている液晶セルを作製した。
晶表示素子である。第１２の実施例と同様にして、スペ
ーサが画素と画素の間のブラックマトリクス領域に固定
されている液晶セルを作製した。
【０１２５】次に、この液晶セルの透明電極２ｂ，２
ｃ，２ｄ，２ｅ，イオントラップ電極８に図１８や図１
９に示すような電圧を６０℃で１００時間印加して、不
純物イオンをイオントラップ電極８に寄せ集めた。
ｃ，２ｄ，２ｅ，イオントラップ電極８に図１８や図１
９に示すような電圧を６０℃で１００時間印加して、不
純物イオンをイオントラップ電極８に寄せ集めた。
【０１２６】その後、この液晶表示素子を駆動する際、
イオントラップ電極８には、不純物イオンが正の場合に
は−２０Ｖのバイアス電圧、負の場合には＋２０Ｖのバ
イアス電圧が常に印加されるようにした。
イオントラップ電極８には、不純物イオンが正の場合に
は−２０Ｖのバイアス電圧、負の場合には＋２０Ｖのバ
イアス電圧が常に印加されるようにした。
【０１２７】このようにして作製した液晶表示素子で
は、スペーサが基板上に固定されているため、長時間駆
動してもスペーサが移動せず、配向膜を傷つけたり、ギ
ャップムラ等が発生することもなかった。
は、スペーサが基板上に固定されているため、長時間駆
動してもスペーサが移動せず、配向膜を傷つけたり、ギ
ャップムラ等が発生することもなかった。
【０１２８】更に、このようにして作製した液晶表示素
子では、スペーサが画素と画素の間のブラックマトリク
ス領域に固定され、画素内に存在しないため、非常に高
いコントラスト比が得られた。
子では、スペーサが画素と画素の間のブラックマトリク
ス領域に固定され、画素内に存在しないため、非常に高
いコントラスト比が得られた。
【０１２９】更に、このようにして作製した液晶表示素
子では、表示領域内には不純物イオンをほとんど含ま
ず、寄せ集められた不純物イオンが、イオントラップ電
極に電気的に吸着されているので、長時間駆動しても表
示ムラ等の表示不良が発生しなかった。
子では、表示領域内には不純物イオンをほとんど含ま
ず、寄せ集められた不純物イオンが、イオントラップ電
極に電気的に吸着されているので、長時間駆動しても表
示ムラ等の表示不良が発生しなかった。
【０１３０】（実施例１７）以下本発明の第１７の実施
例について、図面を参照にしながら説明する。なお、こ
れによって本発明が限定されるものではない。
例について、図面を参照にしながら説明する。なお、こ
れによって本発明が限定されるものではない。
【０１３１】図１５は本発明の第１７の実施例による液
晶表示素子である。第１１の実施例と同様にして、スペ
ーサが画素と画素の間のブラックマトリクス領域に固定
されている液晶セルを作製した。
晶表示素子である。第１１の実施例と同様にして、スペ
ーサが画素と画素の間のブラックマトリクス領域に固定
されている液晶セルを作製した。
【０１３２】次に、この液晶セルの透明電極２ｂ，２
ｃ，２ｄ，２ｅ，イオントラップ電極８に図１８や図１
９に示すような電圧を６０℃で１０時間印加して、不純
物イオンを不純物イオントラップ室１５に寄せ集めた。
この場合、高電位パルスの走査により不純物イオンが移
動する方向と、液晶分子の運動により不純物イオンが移
動する方向が同一方向であるため、非常に短時間で不純
物イオンをイオントラップ電極８に寄せ集めることがで
きる。
ｃ，２ｄ，２ｅ，イオントラップ電極８に図１８や図１
９に示すような電圧を６０℃で１０時間印加して、不純
物イオンを不純物イオントラップ室１５に寄せ集めた。
この場合、高電位パルスの走査により不純物イオンが移
動する方向と、液晶分子の運動により不純物イオンが移
動する方向が同一方向であるため、非常に短時間で不純
物イオンをイオントラップ電極８に寄せ集めることがで
きる。
【０１３３】その後、切断線１４で不純物イオントラッ
プ室１５を切断分離して、エポキシ系封口剤で再封口し
た。このようにして作製した液晶表示素子では、スペー
サが基板上に固定されているため、長時間駆動してもス
ペーサが移動せず、配向膜を傷つけたり、ギャップムラ
等が発生することもなかった。
プ室１５を切断分離して、エポキシ系封口剤で再封口し
た。このようにして作製した液晶表示素子では、スペー
サが基板上に固定されているため、長時間駆動してもス
ペーサが移動せず、配向膜を傷つけたり、ギャップムラ
等が発生することもなかった。
【０１３４】更に、このようにして作製した液晶表示素
子では、スペーサが画素と画素の間のブラックマトリク
ス領域に固定され、画素内に存在しないため、非常に高
いコントラスト比が得られた。
子では、スペーサが画素と画素の間のブラックマトリク
ス領域に固定され、画素内に存在しないため、非常に高
いコントラスト比が得られた。
【０１３５】更に、このようにして作製した液晶表示素
子では、表示領域内には不純物イオンをほとんど含まな
いので、長時間駆動しても表示ムラ等の表示不良が発生
しなかった。
子では、表示領域内には不純物イオンをほとんど含まな
いので、長時間駆動しても表示ムラ等の表示不良が発生
しなかった。
【０１３６】（実施例１８）以下本発明の第１８の実施
例について、図面を参照にしながら説明する。なお、こ
れによって本発明が限定されるものではない。
例について、図面を参照にしながら説明する。なお、こ
れによって本発明が限定されるものではない。
【０１３７】図１６は本発明の第１８の実施例による液
晶表示素子である。第１２の実施例と同様にして、スペ
ーサが画素と画素の間のブラックマトリクス領域に固定
されている液晶セルを作製した。
晶表示素子である。第１２の実施例と同様にして、スペ
ーサが画素と画素の間のブラックマトリクス領域に固定
されている液晶セルを作製した。
【０１３８】次に、この液晶セルの透明電極２ｂ，２
ｃ，２ｄ，２ｅ，イオントラップ電極８に図１８や図１
９に示すような電圧を６０℃で１００時間印加して、不
純物イオンを不純物イオントラップ室１５に寄せ集め
た。
ｃ，２ｄ，２ｅ，イオントラップ電極８に図１８や図１
９に示すような電圧を６０℃で１００時間印加して、不
純物イオンを不純物イオントラップ室１５に寄せ集め
た。
【０１３９】その後、切断線１４で不純物イオントラッ
プ室１５を切断分離して、エポキシ系封口剤で再封口し
た。このようにして作製した液晶表示素子では、スペー
サが基板上に固定されているため、長時間駆動してもス
ペーサが移動せず、配向膜を傷つけたり、ギャップムラ
等が発生することもなかった。
プ室１５を切断分離して、エポキシ系封口剤で再封口し
た。このようにして作製した液晶表示素子では、スペー
サが基板上に固定されているため、長時間駆動してもス
ペーサが移動せず、配向膜を傷つけたり、ギャップムラ
等が発生することもなかった。
【０１４０】更に、このようにして作製した液晶表示素
子では、スペーサが画素と画素の間のブラックマトリク
ス領域に固定され、画素内に存在しないため、非常に高
いコントラスト比が得られた。
子では、スペーサが画素と画素の間のブラックマトリク
ス領域に固定され、画素内に存在しないため、非常に高
いコントラスト比が得られた。
【０１４１】更に、このようにして作製した液晶表示素
子では、不純物イオンをほとんど含まないため、長時間
駆動しても表示ムラ等の表示不良が発生しなかった。第
３から第１８の実施例において、単純マトリクス型の液
晶表示素子を用いて、図１８や図１９に示すような電圧
を印加することにより、不純物イオンをイオントラップ
電極に寄せ集めたが、各画素にＴＦＴを有するアクティ
ブマトリクス型液晶表示素子においても、アレイ構造構
造及び駆動方法を工夫することにより、図１８や図１９
とほぼ同等の不純物イオン寄せ集め効果がある電圧を、
印加することは可能である。
子では、不純物イオンをほとんど含まないため、長時間
駆動しても表示ムラ等の表示不良が発生しなかった。第
３から第１８の実施例において、単純マトリクス型の液
晶表示素子を用いて、図１８や図１９に示すような電圧
を印加することにより、不純物イオンをイオントラップ
電極に寄せ集めたが、各画素にＴＦＴを有するアクティ
ブマトリクス型液晶表示素子においても、アレイ構造構
造及び駆動方法を工夫することにより、図１８や図１９
とほぼ同等の不純物イオン寄せ集め効果がある電圧を、
印加することは可能である。
【０１４２】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明の液晶表示素
子では、電圧を印加して、近接する画素と画素の間のブ
ラックマトリクス領域にスペーサを移動させた後、基板
上に固定されているために、スペーサが移動して配向膜
を傷つけたり、ギャップムラが発生することがなく、更
に、画素内にはスペーサが存在しないので、スペーサ周
辺の光漏れによるコントラスト比の低下を防止すること
ができる。
子では、電圧を印加して、近接する画素と画素の間のブ
ラックマトリクス領域にスペーサを移動させた後、基板
上に固定されているために、スペーサが移動して配向膜
を傷つけたり、ギャップムラが発生することがなく、更
に、画素内にはスペーサが存在しないので、スペーサ周
辺の光漏れによるコントラスト比の低下を防止すること
ができる。
【０１４３】また、本発明の液晶表示素子では、正また
は負の高電位パルスの走査により、不純物イオンが表示
領域の外側に設けたイオントラップ電極に寄せ集められ
ているため、表示領域内には不純物イオンをほとんど含
まず、長時間駆動しても表示ムラ等の表示不良を発生す
ることがない。
は負の高電位パルスの走査により、不純物イオンが表示
領域の外側に設けたイオントラップ電極に寄せ集められ
ているため、表示領域内には不純物イオンをほとんど含
まず、長時間駆動しても表示ムラ等の表示不良を発生す
ることがない。
【０１４４】また本発明の液晶表示素子の製造方法によ
れば、前記の優れた液晶表示素子を効率良く合理的に製
造することができる。
れば、前記の優れた液晶表示素子を効率良く合理的に製
造することができる。
【図１】 本発明の第１の実施例における液晶表示素子
の部分断面図
の部分断面図
【図２】 本発明の第１の実施例における液晶表示素子
の部分平面図
の部分平面図
【図３】 本発明の第２の実施例における液晶表示素子
の部分平面図
の部分平面図
【図４】 本発明の第２の実施例における液晶表示素子
の部分断面図
の部分断面図
【図５】 本発明の第３、第７の実施例における液晶表
示素子の部分平面図
示素子の部分平面図
【図６】 本発明の第４、第８の実施例における液晶表
示素子の部分平面図
示素子の部分平面図
【図７】 本発明の第５の実施例における液晶表示素子
の部分平面図
の部分平面図
【図８】 本発明の第６の実施例における液晶表示素子
の部分平面図
の部分平面図
【図９】 本発明の第９の実施例における液晶表示素子
の部分平面図
の部分平面図
【図１０】 本発明の第１０の実施例における液晶表示
素子の部分断面図
素子の部分断面図
【図１１】 本発明の第１１、第１５の実施例における
液晶表示素子の部分平面図
液晶表示素子の部分平面図
【図１２】 本発明の第１２、第１６の実施例における
液晶表示素子の部分平面図
液晶表示素子の部分平面図
【図１３】 本発明の第１３の実施例における液晶表示
素子の断面図
素子の断面図
【図１４】 本発明の第１４の実施例における液晶表示
素子の部分平面図
素子の部分平面図
【図１５】 本発明の第１７の実施例における液晶表示
素子の部分平面図
素子の部分平面図
【図１６】 本発明の第１８の実施例における液晶表示
素子の部分平面図
素子の部分平面図
【図１７】 不純物イオンを寄せ集めるメカニズムを説
明するための液晶表示素子の説明図
明するための液晶表示素子の説明図
【図１８】負の不純物イオンをイオントラップ電極に寄
せ集めるために印加する電圧波形
せ集めるために印加する電圧波形
【図１９】正の不純物イオンをイオントラップ電極に寄
せ集めるために印加する電圧波形
せ集めるために印加する電圧波形
【図２０】電圧印加によるスペーサの移動を示すための
模式図
模式図
【図２１】スペーサの分布が不均一化した従来の液晶表
示素子の部分断面図
示素子の部分断面図
１ａ 上基板 １ｂ 下基板 ２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅ，２ｆ 透明電極 ３ａ，３ｂ ブラックマトリクス ４ａ，４ｂ 配向膜 ５ 液晶 ６ スペーサ ７ 接着剤 ８ イオントラップ電極 ９ 遮光層 １０ 上基板のラビング方向 １１ 下基板のラビング方向 １２ 不純物イオンの移動方向 １３ イオン吸着膜 １４ 切断線 １５ 不純物イオントラップ室 １６ 電圧無印加時の液晶分子 １７ 電圧印加時の液晶分子 １８ スペーサ １９ 液晶分子の立ち上がり時にスペーサに加えられる
力の方向 ２０ 液晶分子の立ち下がり時にスペーサに加えられる
力の方向 ２１ 交流電圧印加時にスペーサが移動する方向
力の方向 ２０ 液晶分子の立ち下がり時にスペーサに加えられる
力の方向 ２１ 交流電圧印加時にスペーサが移動する方向
Claims (12)
- 【請求項１】 ２枚の電極付き基板間に、誘電率異方性
が正のネマティック液晶が狭持されている液晶表示素子
であって、２枚の基板間隙を規定し、液晶層の厚みを均
一に保持するスペーサが、ブラックマトリクスで遮光さ
れた領域にのみ存在しているとともに、少なくとも一方
の基板上に固定されていることを特徴とする液晶表示素
子。 - 【請求項２】 ２枚の電極付き基板間に、誘電率異方性
が正のネマティック液晶を狭持した液晶表示素子であっ
て、少なくとも一方の基板上の複数本からなる表示電極
の少なくとも一方の外側に、イオントラップ電極が少な
くとも一本並設され、かつ前記表示電極及びイオントラ
ップ電極に正または負の高電位パルスを、順次走査しな
がら印加する手段を有し、かつ不純物イオンが前記イオ
ントラップ電極上に存在することを特徴とする液晶表示
素子。 - 【請求項３】 前記イオントラップ電極の表面にはイオ
ン吸着膜が形成されている請求項２に記載の液晶表示素
子。 - 【請求項４】 前記イオントラップ電極には正または負
の高電位バイアス電圧が常に印加されている請求項２ま
たは３に記載の液晶表示素子。 - 【請求項５】 前記液晶表示素子において、２枚の基板
間隙を規定し、液晶層の厚みを均一に保持するスペーサ
が、ブラックマトリスクで遮光された領域にのみ存在
し、かつ少なくとも一方の基板上に固定されている請求
項２、３、４のいずれかに記載の液晶表示素子。 - 【請求項６】 前記液晶表示素子において、電圧無印加
時の液晶分子の配向が、一方の基板界面の液晶分子の長
軸と平行でかつそのチルト方向に向いているベクトルを
基板上に投影したベクトルと、もう一方の基板界面の液
晶分子の長軸と平行でかつそのチルト方向に向いている
ベクトルを基板上に投影したベクトルのなす角度が、ほ
ぼ０°のπセル配向である請求項１、２、３、４、５の
いずれかに記載の液晶表示素子。 - 【請求項７】 前記液晶表示素子において、電圧無印加
時の液晶分子の配向が、上下基板間でねじれた配向であ
る請求項１、２、３、４、５のいずれかに記載の液晶表
示素子。 - 【請求項８】 液晶表示素子の製造工程において、スペ
ーサとして、加熱により基板上に接着固定される接着性
スペーサを用い、液晶を注入封口後、しきい電圧以上の
交流電圧を液晶に印加して、前記スペーサをブラックマ
トリクスが形成された領域に移動させた後、加熱して少
なくとも一方の基板上にスペーサを接着、固定させたこ
とを特徴とする液晶表示素子の製造方法。 - 【請求項９】 液晶表示素子の製造工程において、液晶
を注入封口後、複数本からなる表示電極及びイオントラ
ップ電極に、正または負の高電位パルスを、順次走査さ
せながら印加することにより、液晶の中に存在する不純
物イオンをイオントラップ電極上に寄せ集めたことを特
徴とする液晶表示素子の製造方法。 - 【請求項１０】 ２枚の電極付き基板間に、誘電率異方
性が正のネマティック液晶を挟持した液晶表示素子の製
造工程において、あらかじめ表示領域の外側にはイオン
トラップ室を設け、かつイオントラップ室の表面にはイ
オントラップ電極が形成されており、複数本からなる表
示電極及びイオントラップ電極に、正または負の高電位
パルスを、順次走査させながら印加して、不純物イオン
を前記イオントラップ室に寄せ集めた後、イオントラッ
プ室を切断分離して、再封口したことを特徴とする液晶
表示素子の製造方法。 - 【請求項１１】 前記液晶表示素子の製造方法におい
て、液晶を注入封口する前に前記イオントラップ室の表
面にイオン吸着膜を形成する請求項１０に記載の液晶表
示素子の製造方法。 - 【請求項１２】 前記液晶表示素子の製造方法におい
て、正または負の高電位パルスを走査する方向ベクトル
と、少なくともどちらか一方の基板界面の液晶分子の長
軸と平行でかつそのチルト方向に向いているベクトルを
基板上に投影したベクトルのなす角度が、０°以上９０
°未満である請求項８〜１１のいずれかに記載の液晶表
示素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20881095A JPH0954325A (ja) | 1995-08-16 | 1995-08-16 | 液晶表示素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20881095A JPH0954325A (ja) | 1995-08-16 | 1995-08-16 | 液晶表示素子及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0954325A true JPH0954325A (ja) | 1997-02-25 |
Family
ID=16562505
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20881095A Pending JPH0954325A (ja) | 1995-08-16 | 1995-08-16 | 液晶表示素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0954325A (ja) |
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001147437A (ja) * | 1999-11-19 | 2001-05-29 | Nec Corp | 液晶表示パネル及びその製造方法 |
| JP2001183683A (ja) * | 1999-10-05 | 2001-07-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示パネルならびにその製造方法および駆動方法 |
| JP2005285445A (ja) * | 2004-03-29 | 2005-10-13 | Dainippon Printing Co Ltd | 液晶性有機半導体材料およびそれを用いた有機半導体構造物 |
| JP2006011423A (ja) * | 2004-05-28 | 2006-01-12 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 液晶表示パネルおよびその製造方法 |
| JP2007256796A (ja) * | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 液晶表示装置 |
| JP2008281645A (ja) * | 2007-05-08 | 2008-11-20 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 液晶表示装置 |
| US7468771B2 (en) * | 2004-05-28 | 2008-12-23 | Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. | Liquid crystal display panel and method for manufacturing the same |
| US7480023B2 (en) * | 2004-05-28 | 2009-01-20 | Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. | Liquid crystal display panel in which the rubbing directions of the pair of alignment films are oriented toward a side of a main diffusion source of impurity ions |
| US7483104B2 (en) * | 2004-05-28 | 2009-01-27 | Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. | Liquid crystal display panel and method for driving the same |
| US7800723B2 (en) | 2007-01-20 | 2010-09-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal display panel having ion trap structure and liquid crystal display including the same |
| US7894007B2 (en) | 2007-05-08 | 2011-02-22 | Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
| US8081153B2 (en) | 2006-08-30 | 2011-12-20 | Sony Corporation | Liquid crystal display device and video display device |
| JP2012252345A (ja) * | 2012-07-19 | 2012-12-20 | Canon Inc | 液晶表示装置 |
| JP2013025066A (ja) * | 2011-07-21 | 2013-02-04 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及び電子機器 |
| JP2015001634A (ja) * | 2013-06-17 | 2015-01-05 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶装置の駆動方法、液晶装置、電子機器 |
| US9142171B2 (en) | 2010-05-25 | 2015-09-22 | Samsung Dsiplay Co., Ltd. | Display device and method of driving thereof |
| US9142173B2 (en) | 2007-06-12 | 2015-09-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display apparatus |
-
1995
- 1995-08-16 JP JP20881095A patent/JPH0954325A/ja active Pending
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001183683A (ja) * | 1999-10-05 | 2001-07-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示パネルならびにその製造方法および駆動方法 |
| JP2001147437A (ja) * | 1999-11-19 | 2001-05-29 | Nec Corp | 液晶表示パネル及びその製造方法 |
| JP2005285445A (ja) * | 2004-03-29 | 2005-10-13 | Dainippon Printing Co Ltd | 液晶性有機半導体材料およびそれを用いた有機半導体構造物 |
| US7480023B2 (en) * | 2004-05-28 | 2009-01-20 | Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. | Liquid crystal display panel in which the rubbing directions of the pair of alignment films are oriented toward a side of a main diffusion source of impurity ions |
| JP2006011423A (ja) * | 2004-05-28 | 2006-01-12 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 液晶表示パネルおよびその製造方法 |
| US7483104B2 (en) * | 2004-05-28 | 2009-01-27 | Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. | Liquid crystal display panel and method for driving the same |
| US7468771B2 (en) * | 2004-05-28 | 2008-12-23 | Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. | Liquid crystal display panel and method for manufacturing the same |
| JP2007256796A (ja) * | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 液晶表示装置 |
| US8081153B2 (en) | 2006-08-30 | 2011-12-20 | Sony Corporation | Liquid crystal display device and video display device |
| US7800723B2 (en) | 2007-01-20 | 2010-09-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal display panel having ion trap structure and liquid crystal display including the same |
| JP2008281645A (ja) * | 2007-05-08 | 2008-11-20 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 液晶表示装置 |
| US7894007B2 (en) | 2007-05-08 | 2011-02-22 | Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
| US9142173B2 (en) | 2007-06-12 | 2015-09-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display apparatus |
| US9142171B2 (en) | 2010-05-25 | 2015-09-22 | Samsung Dsiplay Co., Ltd. | Display device and method of driving thereof |
| JP2013025066A (ja) * | 2011-07-21 | 2013-02-04 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及び電子機器 |
| JP2012252345A (ja) * | 2012-07-19 | 2012-12-20 | Canon Inc | 液晶表示装置 |
| JP2015001634A (ja) * | 2013-06-17 | 2015-01-05 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶装置の駆動方法、液晶装置、電子機器 |
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