JPH1082984A - 液晶素子、及び該液晶素子の製造方法 - Google Patents

液晶素子、及び該液晶素子の製造方法

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JPH1082984A
JPH1082984A JP17884997A JP17884997A JPH1082984A JP H1082984 A JPH1082984 A JP H1082984A JP 17884997 A JP17884997 A JP 17884997A JP 17884997 A JP17884997 A JP 17884997A JP H1082984 A JPH1082984 A JP H1082984A
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liquid crystal
independently
substrate
electrode
resin
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JP17884997A
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Masaru Kamio
優 神尾
Hiroyuki Tokunaga
博之 徳永
Hisanori Tsuda
尚徳 津田
Haruo Tomono
晴夫 友野
Yuji Matsuo
雄二 松尾
Akira Tsuboyama
明 坪山
Hideaki Takao
英昭 高尾
Eiju Tsuzuki
英寿 都築
Koichi Sato
公一 佐藤
Yutaka Inaba
豊 稲葉
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Canon Inc
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Abstract

(57)【要約】 【課題】電圧波形の遅延及び表示品質の劣化等を防止す
ると共に、製造コストの低減を図る。 【解決手段】補助電極３２ｂは、主電極３６ａよりも透
光性基材３１ｂの側に配置されているため、補助電極３
２ｂを厚くしても配向膜１１ｂの平坦性は保たれる。し
たがって、補助電極３２ｂを厚くすることによって電圧
波形の遅延が防止され、配向膜１１ｂの平坦性を保つこ
とによって表示品質の劣化等を防止できる。さらに、高
分子材料３５ｂが硬化した状態では、補助電極３２ｂは
露出された状態（高分子材料３５ｂによって被覆されて
いない状態）となり、後に形成される主電極３６ｂとの
導通を良好に図ることができる。そして、硬化後に高分
子材料３５ｂを除去する等の必要がないため、製造工程
が簡素化され、製造コストが低減される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、各種光学変調素
子、自発光型素子等に用いられる液晶素子、及び該液晶
素子の製造方法に関し、詳しくは、コンピュータの端末
ディスプレイ、各種フラットパネルディスプレイ、ワー
ドプロセッサ、タイプライタ、テレビ受像機、ビデオカ
メラのビューファインダ、プロジェクタの光バルブ、液
晶プリンタの光バルブ等に用いられる液晶素子、及び該
液晶素子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、液晶を用いて情報を表示する
液晶素子（以下、液晶パネルとする）は種々の分野にお
いて使用されている。
【０００３】図１(a) は、そのような透過型の液晶パネ
ルの一例（カイラルスメクチック液晶パネル）を示す断
面図である。この液晶パネルＰ1 は、相対向するように
配置された一対の配線基板１ａ，１ｂを備えており、こ
れらの配線基板１ａ，１ｂはシーリング部材２によって
貼り合わされて、その内部間隙にはカイラルスメクチッ
ク液晶３が保持されている。
【０００４】ところで、図示下側の配線基板１ｂはガラ
ス基板５ｂを有しており、このガラス基板５ｂの表面に
は、Ｒ，Ｇ，Ｂ３色のカラーフィルタ６，…が５０００
〜２００００Å程度の厚さに形成されている。さらに、
これらのカラーフィルタ６，…は、平坦化用の保護膜７
（厚さ５０００〜２００００Å）によって被覆されてお
り、この保護膜７の表面には、５００〜１５００Åの厚
さの透明電極９ｂ，…がＩＴＯによって形成されてい
る。なお、これらの透明電極９ｂ，…は５００〜５００
０Å程度の厚さであり、パターニング処理によってスト
ライプ状に形成されている（図１(b) 参照）。またさら
に、この透明電極９ｂ，…の表面には、ショート防止の
ための絶縁膜１０ｂが酸化シリコンや酸化チタン等によ
って５００〜３０００Å程度の厚さに形成されており、
さらにその表面にはポリイミド樹脂等によって配向膜１
１ｂが形成されている。
【０００５】一方、図示上側の配線基板１ａはガラス基
板５ａを有しており、このガラス基板５ａの表面には透
明電極９ａ，…が形成されている。また、この透明電極
９ａ，…は、絶縁膜１０ａや配向膜１１ａによって被覆
されている。
【０００６】なお、カイラルスメクチック液晶３として
は、ＳｍＣ＊相、ＳｍＨ＊相等のカイラルスメクチック
相を示すものが用いられ、好ましくは該カイラルスメク
チック相において強誘電性を示す強誘電性液晶が用いら
れる。強誘電性液晶は、バルク状態では液晶分子長軸が
ねじれた配向を示すが、液晶パネルＰ1 のセル厚を薄く
する（１〜３μｍ程度）ことにより、このような液晶分
子長軸のねじれを解消している（Ｐ２１３−Ｐ２３４，
Ｎ．Ａ．ＣＬＡＲＫ ｅｔａｌ，ＭＣＬＣ １９８３，
Ｖｏｌ．９４）。また、カイラルスメクチック液晶とし
ては、３つの安定状態を有する反強誘電性液晶（チャン
ダニ、竹添 ジャパニーズ ジャーナルオブ アプライ
ド フィジックス 第２７巻 １９８８年Ｌ７２９頁）
を用いることもできる。
【０００７】ところで、上述した液晶パネルＰ1 は透明
電極９ａ，…，９ｂ，…に信号を印加して駆動するが、
透明電極自体の光透過率が低いとコントラストが低下し
たり透明電極自体が認識されて表示品位が悪くなる等の
問題があり、これらの問題を回避するために透明電極９
ａ，…，９ｂ，…は薄く形成されていた。
【０００８】ここで、上述した透明電極９ａ，…，９
ｂ，…の抵抗値は、シート抵抗で２０〜４００Ω、体積
抵抗では２００×１０-8〜４０００×１０-8Ωｍと金属
材料（例えば、アルミニウムでは３．０×１０-8Ωｍ）
に比べて高いものである。したがって、透明電極におけ
る電圧波形の遅延という問題があった。
【０００９】液晶パネルは、２枚の配線基板間に液晶を
挟持すると共に該液晶に電界を印加して使用するもので
あるが、電気回路的には容量性の負荷となることから電
圧波形の伝搬遅延が生じ易かった。特に、強誘電性液晶
３を利用した液晶パネルＰ1の場合、セル厚は１〜２μ
ｍ（ＴＮ型液晶素子などの３分の１から５分の１）と薄
くなり、ＴＮ型液晶素子に比べて電圧波形の伝搬遅延が
顕著であった。
【００１０】近年は液晶パネルの大画面化並びに高精細
化が望まれているが、そのためにはこのような電圧波形
の遅延を回避する必要があった。
【００１１】そこで、透明電極９ａ，…，９ｂ，…の表
面（絶縁膜１０ａ，…，１０ｂ，…や配向膜１１ａ，
…，１１ｂ，…によって被覆される側の面）に金属電極
を併設して電圧波形の遅延を解消する液晶パネルが、特
公平６−１９４９７号公報等にて提案されている。
【００１２】しかし、この液晶パネルも、金属電極を厚
くすれば、 ＊ 配向膜１１ａ，１１ｂには金属電極に起因する凹凸
が生じ、この凹部と凸部とで光学的な差異が生じて、表
示品質が悪化してしまうという問題や、 ＊ ラビング処理を均一に行なえず、配向欠陥が生じて
表示品質が悪化してしまうという問題等があり、電圧波
形の遅延の解消も十分ではなかった。
【００１３】ところで、電圧波形の遅延を防止するに
は、金属電極を厚くする必要があるが、この点を図２を
参照して説明する。
【００１４】図２は、２１インチ対角パネルにおける
“金属電極の厚み−波形遅延量−駆動周波数”の関係を
示したものであり、図中の両側実装とは、電極の両端に
電源を接続して両側から同一信号を印加するものを意味
し、片側実装とは、電極の一端に電源を接続して片側か
ら信号を印加するものを意味する。また、金属電極に関
しては、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ合金、Ｃｕ並びにＭｏを用い
た場合の駆動周波数を示しており、液晶材料に関して
は、自発分極（Ｐｓ）が７ｎＣ／cm2 のものと、自発分
極（Ｐｓ）が１００ｎＣ／cm2 のものとについて駆動周
波数を示している。ここで、駆動周波数とは、走査線数
（電極数）２０４８本の１フレーム走査周波数を意味す
る。また、配向膜には日立化成社製のＬＱ−１８０２を
用い、ラビング処理方向は、液晶パネルを組み立てた状
態で同一方向となるようにした。さらに、セル厚は、自
発分極が７ｎＣ／cm2 の液晶材料を用いたものについて
は約１μｍとし、自発分極が１００ｎＣ／cm2 の液晶材
料を用いたものについては約２μｍとした。またさら
に、遅延量（９０％間での立ち上がり時間）について
は、自発分極が７ｎＣ／cm2 の液晶材料を用い、金属電
極をＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ合金で２３０ｎｍの厚さにした場
合を“１”とした。
【００１５】またこのとき、液晶パネルを７．５Ｈｚで
駆動するために必要な抵抗値を実測し、その実測結果に
基づいて、図中の各金属電極の抵抗値（自発分極や遅延
量や駆動周波数を変化させた場合における抵抗値）を計
算によって求めた（但し、遅延量と駆動周波数との積は
ほぼ一定とした）。そして、このようにして算出した抵
抗値と各種金属の体積抵抗値とから、必要な各金属電極
の厚みを計算した。
【００１６】液晶パネルを高速で駆動するには駆動周波
数は１５Ｈｚ以上であることが好ましく、そのためには
遅延量を小さく抑える必要がある。具体的には、この図
より、自発分極が７ｎＣ／cm2 の液晶材料を用いた場合
には、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ合金の金属電極を３４８ｎｍの
膜厚とする必要があることが理解できる。
【００１７】また、自発分極が１００ｎＣ／cm2 の液晶
材料を用いた場合には、駆動周波数を１５Ｈｚ以上にす
るためには、両側実装でＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ合金の場合に
は６２９ｎｍの膜厚が必要であり、片側実装でＡｌ−Ｓ
ｉ−Ｃｕ合金の場合には２２７６ｎｍの膜厚が必要であ
ることが理解できる。さらに、Ｃｕを用いた場合でも、
両側実装で３８７ｎｍ、片側実装の場合には１３１０ｎ
ｍの膜厚が必要になることが理解できる。
【００１８】なお、駆動周波数を高めるには片側実装よ
りも両側実装の方が有効であるが、電源ＩＣのコストア
ップの点からは片側実装の方が好ましい。
【００１９】つまり、この図によると、電圧波形の遅延
を防止するには金属電極を厚くしなければならないこと
が理解できる。
【００２０】そこで、上述のような表示品質の悪化を防
止すると共に、電圧波形の遅延をも解消した液晶パネル
が、特開平２−６３０１９号公報等にて開示されてい
る。
【００２１】図３は、その液晶パネルの構造を示す断面
図であるが、この液晶パネルＰ2 は、同図(a) に示すよ
うに、相対向するように配置された一対の配線基板２０
ａ，２０ｂを備えており、これらの配線基板２０ａ，２
０ｂはシーリング部材（不図示）によって貼り合わされ
て、その内部間隙には液晶３が保持されている。
【００２２】このうち、図示下側の配線基板２０ｂは、
同図(b) に詳示するようにガラス基板５ｂを有してお
り、このガラス基板５ｂの表面には、Ｒ，Ｇ，Ｂ３色の
カラーフィルタ６，…が形成されている。また、これら
のカラーフィルタ６，…の間隙には金属電極２１ｂ，…
が形成されており、カラーフィルタ６，…及び金属電極
２１ｂ，…によって平坦な面が形成されている。そし
て、この平坦な面は絶縁膜２２によって被覆されてお
り、絶縁膜２２の表面には透明電極９ｂ，…が形成され
ている。さらに、これらの透明電極９ｂ，…の表面には
配向膜１１ｂが形成されている。なお、上述した絶縁膜
２２は、製造過程において熱等からカラーフィルタ６，
…を保護する保護層としての役割も兼ねている。
【００２３】なお、図示上側の配線基板２０ａは、ガラ
ス基板５ａと、金属電極２１ａ，…と、透明電極９ａ，
…と、配向膜１１ａとによって構成されている。
【００２４】ところで、上述した絶縁膜２２には貫通孔
（スルーホール）２３が形成されており、透明電極９ｂ
と金属電極２１ｂとの電気的な接触が確保されている。
なお、このスルーホール２３は、フォトリソエッチング
法を使用して露光・現像・エッチングを行なうことによ
り形成されている。また、絶縁膜２２としては、感光性
を有しない膜を使用する場合と、感光性を有する膜を使
用する場合とがあるが、前者の場合には絶縁膜２２の表
面にフォトレジストを塗布して露光を行ない、後者の場
合には絶縁膜２２に直接露光を行なっていた。
【００２５】このような液晶パネルによれば、金属電極
２１ｂを厚く形成してもセル厚はほぼ均一に保たれるた
め、表示品質の悪化を防止でき、かつ電圧波形の遅延は
解消される。
【００２６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、高精細かつ
大型の液晶パネルを製造するに際してフォトリソエッチ
ング法を使用すると、 ＊ フォトマスクや専用の装置（例えば、フォトマスク
の位置決め装置、露光装置、現像装置、エッチング装置
等）が大型化し、かつ高価となって製造コストが上昇
し、 ＊ 露光時の位置調整が困難で製造歩留りの低下を引き
起こすおそれがある、等の問題がある。
【００２７】そして、上述した液晶パネルＰ2 において
は、通常の製造工程に加えてスルーホール２３のための
フォトリソエッチング法を実施する必要があることか
ら、その分製造工程が煩雑となり、製造コストが上昇
し、製造歩留りの低下を引き起こすおそれがあるという
問題があった。特に、上述した従来例においてはスルー
ホール２３を金属電極２１ｂに対応した位置に形成する
必要があるため、位置調整が困難で、製造歩留りの低下
は顕著であった。
【００２８】一方、上述した製造歩留りの低下を回避す
るには、スルーホール２３の径を微小として、位置調整
に多少の余裕を持たせることも考えられるが、その場合
には、金属電極２１ｂと透明電極９ｂとの導通が取れに
くく、表示品質の悪化等の問題があった。
【００２９】そこで、本発明は、電圧波形の遅延を解消
する液晶素子を提供することを目的とするものである。
【００３０】また、本発明は、配向欠陥のない表示品質
に優れた液晶素子を提供することを目的とするものであ
る。
【００３１】さらに、本発明は、製造コストが低減され
ると共に製造歩留りの低下も回避できる液晶素子を提供
することを目的とするものである。
【００３２】またさらに、本発明は、カラーフィルタの
変色等を防止する、液晶素子の製造方法を提供すること
を目的とするものである。
【００３３】また、本発明は、表示画面のコントラスト
が向上された液晶素子を提供することを目的とするもの
である。
【００３４】さらに、本発明は、従来よりも簡単な液晶
素子の製造方法を提供することを目的とするものであ
る。
【００３５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上述事情に鑑
みなされたものであって、対向する第１の基板と第２の
基板との間に液晶組成物を挟持した液晶素子において、
前記第１の基板は、透光性基材と、主電極と該主電極の
透光性基材側の少なくとも一部に電気的に接続した補助
電極とからなる複数の電極と、前記複数の補助電極相互
の間隙の前記透光性基材上に形成された複数のカラーフ
ィルタと、前記複数の補助電極の間隙の前記複数のカラ
ーフィルタ上に形成された絶縁層と、を少なくとも備え
た基板であり、かつ、前記液晶組成物は、フルオロカー
ボン末端部分及び炭化水素末端部分を有し、該両末端部
分が中心核によって結合され、スメクティック中間相又
は潜在的スメクティック中間相を持つフッ素含有液晶化
合物を含有する、ことを特徴とする。
【００３６】また、本発明は、対向する第１の基板と第
２の基板との間に液晶組成物を挟持してなる液晶素子に
おいて、前記第１の基板は、透光性基材と、該透光性基
材の表面に形成された複数のカラーフィルタと、該カラ
ーフィルタの表面に形成された保護層と、該保護層の表
面に形成された複数の補助電極と、該複数の補助電極相
互の間隙に該保護層に接するように形成された絶縁層
と、該補助電極と該絶縁層との上に、少なくとも一部が
各補助電極に電気的に接続するように形成された主電極
と、を備えた基板であり、かつ、前記液晶組成物は、フ
ルオロカーボン末端部分及び炭化水素末端部分を有し、
該両末端部分が中心核によって結合され、スメクティッ
ク中間相又は潜在的スメクティック中間相を持つフッ素
含有液晶化合物を含有する、ことを特徴とする。
【００３７】さらに、本発明は、対向する第１の基板と
第２の基板との間に液晶組成物を挟してなる液晶素子の
製造方法において、透光性基材の表面に複数の補助電極
を形成する工程と、インク受容性を有する樹脂層を前記
透光性基材における前記補助電極の形成された面に配置
する工程、インクジェット方式にて前記樹脂層を着色す
る工程、及び前記補助電極の表面に付着した前記樹脂層
を除去する工程によって、前記複数の補助電極相互の間
隙にカラーフィルタを形成する工程と、前記複数の補助
電極相互の間隙に配置された前記カラーフィルタに接す
るように絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層と前記補
助電極との上に各補助電極に少なくとも一部が電気的に
接続するように主電極を形成する工程と、によって第１
の基板を製造することを特徴とする。
【００３８】
【発明の実施の形態】以下、図面に沿って、本発明の実
施の形態について説明する。 （第１の実施の形態）まず、本発明の第１の実施の形態
について、図４乃至図６に沿って説明する。
【００３９】本実施の形態に係る液晶パネルＰ3 は、図
４に示すように、略平行に配置された一対の配線基板３
０ａ，３０ｂを備えている。
【００４０】このうち、図示下側の配線基板３０ｂ（以
下、“下基板３０ｂ”とする）は透光性基材３１ｂを有
しており、この透光性基材３１ｂの表面には補助電極３
２ｂ，…が所定間隙を開けた状態に形成されている。そ
して、これらの補助電極３２ｂ，…の間隙には、透光性
基材３１ｂに接するようにカラーフィルタ３３，…が配
置されており、これらの補助電極３２ｂ，…並びにカラ
ーフィルタ３３，…によって形成される凹部には絶縁層
（高分子材料）３５ｂ，…が埋設されている。そして、
これらの補助電極３２ｂ，…と高分子材料３５ｂ，…と
によってほぼ平坦な面（補助電極と高分子材料との段差
が２００ｎｍ以下であり、高分子材料の±３０ｎｍ以下
である面）が形成されており、該面には多数の主電極３
６ｂ，…が形成されている。なお、これらの主電極３６
ｂ，…は、各補助電極３２ｂ，…と良好な接触状態を保
つように、補助電極３２ｂ，…に沿って形成されてい
る。さらに、これらの主電極３６ｂ，…は、絶縁膜１０
ｂや配向膜１１ｂによって被覆されている。
【００４１】ところで、上述した高分子材料（絶縁層）
３５ｂ，…は、補助電極３２ｂ，…よりも少なくとも突
出していないように形成されている必要がある。すなわ
ち、補助電極３２ｂ，…は、高分子材料３５ｂ，…と共
に平坦な面を形成するか、或は高分子材料３５ｂ，…よ
りも多少突出するように形成されている必要がある。こ
れにより、硬化後の高分子材料３５ｂ，…に従来例にて
説明したようなスルーホールを形成する必要がなく、主
電極３６ｂ，…と補助電極３２ｂ，…との導通を良好に
確保できる。
【００４２】なお、図示上側の配線基板３０ａ（以下、
“上基板３０ａ”とする）は、下基板３０ｂと同様に透
光性基材３１ａを有しており、この基材３１ａの表面に
は補助電極３２ａ，…が所定間隙を開けた状態に形成さ
れている。また、これらの補助電極３２ａ，…の間隙に
は高分子材料３５ａ，…が形成されており、これらの補
助電極３２ａ，…と高分子材料３５ａ，…とによってほ
ぼ平坦な面が形成されている。そして、この平坦な面に
は透明電極３６ａ，…や絶縁膜１０ａや配向膜１１ａが
形成されている。
【００４３】ところで、上述した透光性基材３１ａ，３
１ｂは、光を透過する性質を有すると共に表面が平滑な
板状部材であればどのような物であっても良く、例えば
ガラス板やプラスチック板を用いれば良い。但し、透光
性に優れている点、並びに表面を平滑にする加工性の点
からはガラスの方が好ましい。例えば、液晶基板用とし
てごく一般的に用いられるもの（具体的には、厚さが
０．７〜１．１mm程度の青板ガラス等であって、両面が
研磨されて平行度の高いもの）を用いれば良い。
【００４４】また、補助電極３２ａ，…，３２ｂ，…に
は、低抵抗で、透光性基材３１ａ，３１ｂに対する密着
性に優れ、０．３μｍ以上の厚みに成膜することが容易
であればどのような材質であっても良く、導電性微粒子
を分散させた樹脂や、金属電極を用いても良い。例えば
金属電極の場合には、アルミニウム、クロム、モリブデ
ン、タンタル、ニッケル、銅、銀等を用いれば良い。こ
こで、その金属電極の厚みは、用いる材料や抵抗値等に
よって多少の差異はあるものの、大体０．３〜３μｍ程
度が好ましい。なお、この補助電極３２ａ，…，３２
ｂ，…は、異種材料を積層して構成しても良く、単層構
造としても良い。
【００４５】さらに、高分子材料３５ａ，…，３５ｂ，
…としては、ＵＶ光（紫外線）を照射することにより硬
化する紫外線硬化型の樹脂（以下、“ＵＶ硬化樹脂”と
する）の他、熱硬化型樹脂、常温硬化型樹脂、２液反応
型樹脂等を用いることができ、さらに樹脂以外の高分子
材料を用いることができる。
【００４６】ここで、ＵＶ硬化樹脂としては、ＵＶ硬化
型の樹脂モノマー、オリゴマー及び光開始剤の混合組成
物であり、アクリル系、エポキシ系、エン・チオール系
等いかなる重合方式のものでも良いが、製造工程（例え
ば、主電極を形成する工程や配向膜を焼成する工程）に
耐え得るよう、耐熱性、耐薬品性、耐洗浄性を具備して
いる必要がある。例えば、主成分である反応性オリゴマ
ーに耐熱性のある分子構造を導入したものや、多官能モ
ノマーにより架橋密度を高めたものが好ましい。
【００４７】主電極３６ａ，３６ｂとしては透明電極が
好適であり、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）か
らなる電極等が好適に用いられる。
【００４８】次に、本発明で用いる液晶組成物について
説明する。
【００４９】本発明において、用いる液晶組成物として
は、好ましくはフルオロカーボン末端部分及び炭化水素
末端部分を有し、該両末端部分が中心核によって結合さ
れ、スメクティック中間相又は潜在的スメクティック中
間相を持つフッ素含有液晶化合物を含有するものが望ま
しい。
【００５０】前記フッ素含有液晶化合物としては、フル
オロカーボン末端部分が、−Ｄ１−ＣｘａＦ２ｘａ−Ｘ
で表わされる基、（但し、上記式中ｘａは１〜２０であ
り、Ｘは−Ｈ又は−Ｆを表わし、Ｄ１は、−ＣＯ−Ｏ−
（ＣＨ２）ｒａ−、−Ｏ−（ＣＨ２）ｒａ−、−（ＣＨ
２）ｒａ−、−Ｏ−ＳＯ２−、−ＳＯ２−、−ＳＯ２−
（ＣＨ２）ｒａ−、−Ｏ−（ＣＨ２）ｒａ−Ｏ−（ＣＨ
２）ｒｂ−、−（ＣＨ２）ｒａ−Ｎ（ＣｐａＨ
２ｐａ＋１）−ＳＯ２−、又は−（ＣＨ２）ｒａ−Ｎ
（ＣｐａＨ２ｐａ＋１）−ＣＯ−を表わす。ｒａ及びｒ
ｂは、独立に１〜２０であり、ｐａは０〜４であ
る。）、或いは、−Ｄ２−（ＣｘｂＦ２ｘｂ−Ｏ）ｚａ
−ＣｙａＦ２ｙａ＋１で表わされる基、（但し、上記式
中ｘｂはそれぞれの（ＣｘｂＦ２ｘｂ−Ｏ）に独立に１
〜１０であり、ｙａは、１〜１０であり、ｚａは１〜１
０であり、Ｄ２は、−ＣＯ−Ｏ−ＣｒｃＨ２ｒｃ、−Ｏ
−ＣｒｃＨ２ｒｃ−、−ＣｒｃＨ２ｒｃ−、−Ｏ−（Ｃ
ｓａＨ２ｓａ−Ｏ）ｔａ−ＣｒｄＨ２ｒｄ−、−Ｏ−Ｓ
Ｏ２−、−ＳＯ２−、−ＳＯ２−ＣｒｃＨ２ｒｃ−、−
ＣｒｃＨ２ｒｃ−Ｎ（ＣｐｂＨ２ｐｂ＋１）−ＳＯ
２−、−ＣｒｃＨ２ｒｃ−Ｎ（ＣｐｂＨ２ｐｂ＋１）−
ＣＯ−、単結合から選ばれ、ｒｃ及びｒｄはそれぞれ独
立に１〜２０であり、ｓａはそれぞれの（ＣｓａＨ
２ｓａ−Ｏ）に独立に１〜１０であり、ｔａは１〜６で
あり、ｐｂは０〜４である。）であるような化合物を用
いることができる。
【００５１】特に好ましくは、下記一般式（Ｉ）、或い
は（ＩＩ）で表わされるフッ素含有液晶化合物を用いる
ことができる。
【００５２】
【化５】 を表わす。
【００５３】ｇａ、ｈａ、ｉａは独立に０〜３の整数
（但し、ｇａ＋ｈａ＋ｉａは少なくとも２である）を表
わす。
【００５４】夫々のＬ１とＬ２は独立に、単結合、−Ｃ
Ｏ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＯＳ−、−Ｓ−ＣＯ−、
−ＣＯ−Ｓｅ−、−Ｓｅ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｔｅ−、−
Ｔｅ−ＣＯ−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−
Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ２−Ｏ
−、−Ｏ−ＣＨ２−、−ＣＯ−又は−Ｏ−を表わす。
【００５５】夫々のＸ１、Ｙ１、Ｚ１はＡ１、Ａ２、Ａ
３の置換基であり、独立に−Ｈ、−Ｃｌ、−Ｆ、−Ｂ
ｒ、−Ｉ、−ＯＨ、−ＯＣＨ３、−ＣＨ３、−ＣＮ、又
は−ＮＯ２を表わし、夫々のｊａ、ｍａ、ｎａは独立に
０〜４の整数を表わす。
【００５６】Ｊ１は、−ＣＯ−Ｏ−（ＣＨ２）ｒａ−、
−Ｏ−（ＣＨ２）ｒａ−、−（ＣＨ２）ｒａ−、−Ｏ−
ＳＯ２−、−ＳＯ２−、−ＳＯ２−（ＣＨ２）ｒａ−、
−Ｏ−（ＣＨ２）ｒａ−Ｏ−（ＣＨ２）ｒｂ−、−（Ｃ
Ｈ２）ｒａ−Ｎ（ＣｐａＨ２ｐａ＋１）−ＳＯ２−、又
は−（ＣＨ２）ｒａ−Ｎ（ＣｐａＨ２ｐａ＋１）−ＣＯ
−を表わす。ｒａ及びｒｂは、独立に１〜２０であり、
ｐａは０〜４である。
【００５７】Ｒ１は、−Ｏ−ＣｑａＨ２ｑａ−Ｏ−Ｃ
ｑｂＨ２ｑｂ＋１、−ＣｑａＨ２ｑａ−Ｏ−ＣｑｂＨ
２ｑｂ＋１、−ＣｑａＨ２ｑａ−Ｒ３、−Ｏ−ＣｑａＨ
２ｑａ−Ｒ３、−ＣＯ−Ｏ−ＣｑａＨ２ｑａ−Ｒ３、又
は−Ｏ−ＣＯ−ＣｑａＨ２ｑａ−Ｒ３を表わし、直鎖
状、分岐状のいずれであっても良い（但し、Ｒ３は、−
Ｏ−ＣＯ−ＣｑｂＨ２ｑｂ＋１、−ＣＯ−Ｏ−ＣｑｂＨ
２ｑｂ＋１、−Ｈ、−Ｃｌ、−Ｆ、−ＣＦ３、−Ｎ
Ｏ２、−ＣＮを表わし、ｑａ及びｑｂは独立に１〜２０
である）。
【００５８】Ｒ２はＣｘａＦ２ｘａ−Ｘを表わす（Ｘは
−Ｈ又は−Ｆを表わし、ｘａは１〜２０の整数であ
る）。
【００５９】
【化６】 を表わす。
【００６０】ｇｂ、ｈｂ、ｉｂはそれぞれ独立に０〜３
の整数（但し、ｇｂ＋ｈｂ＋ｉｂは少なくとも２であ
る）を表わす。
【００６１】夫々のＬ３、Ｌ４は独立に、単結合、−Ｃ
Ｏ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−Ｓ−ＣＯ
−、−ＣＯ−Ｓｅ−、−Ｓｅ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｔｅ
−、−Ｔｅ−ＣＯ−、−（ＣＨ２ＣＨ２）ｋａ−（ｋａ
は１〜４）、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ＝Ｎ
−、−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ２−Ｏ−、−Ｏ−ＣＨ２−、
−ＣＯ−又は−Ｏ−を表わす。
【００６２】夫々のＸ２、Ｙ２、Ｚ２はＡ４、Ａ５、Ａ
６の置換基であり、独立に−Ｈ、−Ｃｌ、−Ｆ、−Ｂ
ｒ、−Ｉ、−ＯＨ、−ＯＣＨ３、−ＣＨ３、−ＣＦ３、
−Ｏ−ＣＦ３、−ＣＮ、又は−ＮＯ２を表わし、夫々の
ｊｂ、ｍｂ、ｎｂはそれぞれ０〜４の整数を表わす。
【００６３】Ｊ２は、−ＣＯ−Ｏ−ＣｒｃＨ２ｒｃ−、
−Ｏ−ＣｒｃＨ２ｒｃ−、−ＣｒｃＨ２ｒｃ−、−Ｏ−
（ＣｓａＨ２ｓａ−Ｏ）ｔａ−ＣｒｄＨ２ｒｄ−、−Ｏ
−ＳＯ２−、−ＳＯ２−、−ＳＯ２−ＣｒｃＨ
２ｒｃ−、−ＣｒｃＨ２ｒｃ−Ｎ（Ｃ
ｐｂＨ２ｐｂ＋１）−ＳＯ２−、−ＣｒｃＨ２ｒｃ−Ｎ
（ＣｐｂＨ２ｐｂ＋１）−ＣＯ−であり、ｒｃ及びｒｄ
は独立に１〜２０であり、ｓａはそれぞれの（ＣｓａＨ
２ｓａ−Ｏ）に独立に１〜１０であり、ｔａは１〜６で
あり、ｐｂは０〜４である。
【００６４】Ｒ４は、−Ｏ−（ＣｑｃＨ２ｑｃ−Ｏ）
ｗａ−ＣｑｄＨ２ｑｄ＋１、−（ＣｑｃＨ２ｑｃ−Ｏ）
ｗａ−ＣｑｄＨ２ｑｄ＋１、−ＣｑｃＨ２ｑｃ−Ｒ６、
−Ｏ−ＣｑｃＨ２ｑｃ−Ｒ６、−ＣＯ−Ｏ−ＣｑｃＨ
２ｑｃ−Ｒ６、又は−Ｏ−ＣＯ−ＣｑｃＨ２ｑｃ−Ｒ６
を表わし、直鎖状、分岐状のいずれであっても良い（但
し、Ｒ６は−Ｏ−ＣＯ−ＣｑｄＨ２ｑｄ＋１、−ＣＯ−
Ｏ−ＣｑｄＨ２ｑｄ＋１、−Ｃｌ、−Ｆ、−ＣＦ３、−
ＮＯ２、−ＣＮ、又は−Ｈを表わし、ｑｃ及びｑｄは独
立に１〜２０の整数、ｗａは１〜１０の整数である）。
【００６５】Ｒ５は、（ＣｘｂＦ２ｘｂ−Ｏ）ｚａ−Ｃ
ｙａＦ２ｙａ＋１で表わされる（但し、上記式中ｘｂは
それぞれの（ＣｘｂＦ２ｘｂ−Ｏ）に独立に１〜１０で
あり、ｙａは１〜１０であり、ｚａは１〜１０であ
る）。
【００６６】上記一般式（Ｉ）で表わされる化合物は、
特開平２−１４２７５３号公報、米国特許第５，０８
２，５８７号に記載の方法によって得ることができる。
かかる化合物の具体例を以下に列挙する。
【００６７】
【化７】
【００６８】
【化８】
【００６９】
【化９】
【００７０】
【化１０】
【００７１】
【化１１】
【００７２】
【化１２】
【００７３】
【化１３】
【００７４】
【化１４】
【００７５】
【化１５】
【００７６】
【化１６】
【００７７】
【化１７】
【００７８】
【化１８】 上記一般式（ＩＩ）で表わされる化合物は、国際公開Ｗ
Ｏ９３／２２３９６、特表平７−５０６３６８号公報に
記載の方法によって得ることができる。かかる化合物の
具体例を以下に列挙する。
【００７９】
【化１９】
【００８０】
【化２０】
【００８１】
【化２１】
【００８２】
【化２２】
【００８３】
【化２３】 配向膜１１ａ，１１ｂとしては、ポリイミド、ポリピロ
ール、ポリビニルアルコール、ポリアミドイミド、ポリ
エステルイミド、ポリパラキシレン、ポリエステル、ポ
リカーボネート、ポリビニルアセタール、ポリ塩化ビニ
ル、ポリアミド、ポリスチレン、ポリアニリン、セルロ
ース樹脂、アクリル樹脂、メラミン樹脂等からなる有機
膜、あるいはＳｉＯの斜方蒸着膜やポリシロキサン等の
無機膜を適宜選択して用いることができる。
【００８４】少なくとも、一方の配線基板に設けられた
配向膜には、ラビング処理等の一軸配向処理を施すこと
が好ましい。一方の配向膜は一軸配向処理の施されたナ
イロン、ポリイミド等からなる配向膜とし、他方の配向
膜は一軸配向処理を施さないシランカップリング剤、ポ
リイミド、ポリシロキサン等の配向膜として、非対称な
素子構成としても良い。このような非対称な素子構成の
液晶パネルは、ブックシェルフあるいはそれに近い構造
を現出する液晶材料、例えば、コレステリック相を持た
ない単一成分又は複数成分からなる液晶を含むカイラル
スメクチック液晶組成物を均一に配向させるのに好適で
ある。このような液晶組成物としては、前記フルオロカ
ーボン末端部分及び炭化水素末端部分を有し、該両末端
部分が中心核によって結合され、スメクティック中間相
又は潜在的スメクティック中間相を持つフッ素含有液晶
化合物を含有する液晶組成物が好適である。
【００８５】一軸配向処理の施された配向膜の材料とし
ては、容易に形成されやすく配向制御能力が高いという
点から、ポリアミック酸溶液を塗布、焼成して形成され
るポリイミドの一軸配向処理膜、特にラビング処理膜が
好ましく用いられる。ここで、一軸配向処理を施さない
配向膜としては、耐圧と表面エネルギを制御するもの、
具体的には表面エネルギの異なる少なくとも２種類のバ
インダを有するものが好適に用いられる。これら少なく
とも２種類のバインダの一つとしては上下ショートを防
止するための材料、例えばＺｎＯ、ＴａＯX 、ＳｉＯ2
等の材料を挙げることができ、またもう一つとしては、
表面エネルギを制御するための、例えばポリシロキサ
ン、シランカップリング剤、界面活性剤、フッ素系カッ
プリング剤等を挙げることができる。
【００８６】次に、液晶パネルの製造方法について、図
５及び図６に沿って説明する。
【００８７】まず、透光性基材３１ｂの表面にメタル層
を成膜し、このメタル層にフォトレジストを塗布する。
次に、フォトマスクを用いた露光及び現像を行い、フォ
トレジストのパターニングを行う。さらに、エッチング
処理によってメタル層を所定形状にパターニングして多
数の補助電極３２ｂ，…を形成する。最後に、フォトレ
ジストを溶剤等で溶解除去する（図５(a) 参照。以下、
図５(a) に示すような構造体を“電極基板５０”とし、
この電極基板５０における補助電極３２ｂ，…の形成さ
れた側の面を“配線面５１”とする）。
【００８８】なお、メタル層の成膜方法としては、真空
蒸着法やスパッタ法等、既存の方法を用いれば良い。
【００８９】次に、電極基板５０の配線面５１に、イン
ク受容性を有する樹脂（インク受容層）５２を塗布する
（図５(b) 参照）。この塗布は、スピンコート法、ロー
ルコート法、バーコート法、スプレーコート法、ディッ
プコート法、印刷法等によって行なう。その後、必要に
応じて、加熱や送風等によって樹脂５２を乾燥させる。
【００９０】また、この樹脂５２には、インク受容性を
有し、かつ加熱等の方法によって硬化し得るものであれ
ばどのような材質のものでも良い。例えば、ヒドロキシ
エチルアクリレート、エチレングリコールジアクリレー
トなどの重合体からアクリル樹脂、メラミン系樹脂、エ
ポキシ系樹脂、シリコン系樹脂、ヒドロキシプロピルセ
ルロース、ヒドロキシエチルセルロース、メチルセルロ
ース、カルボキシメチルセルロースなどのセルロース誘
導体或はその変成物、それらの共重合体等を用いれば良
く、これらを、単独で、或は混合物（組成物）として使
用すれば良い。ここで、これらの樹脂等は溶媒によって
溶解させた状態で使用するが、この溶媒には、水、アル
コール等の表面エネルギが比較的高い浸水性のものを単
独で、或はそれらを混合して用いれば良い。なお、樹脂
の含有率を５０％以下とし、粘度を比較的低くしてスピ
ンコートをし易くすると良い。
【００９１】次に、このように樹脂５２を塗布した電極
基板５０を、不図示のインクジェット描画装置（キヤノ
ン社製）にセットし（図５(c) 参照）、電極基板５０と
ヘッド５３の位置調整を行なった後、インクを樹脂５２
に打ち込んで樹脂５２を着色する。
【００９２】その後、この電極基板５０の乾燥、並びに
ポストベークを行ない、カラーフィルタ３３，…を形成
する（図５(d) 参照）。
【００９３】なお、インクジェット描画装置には、エネ
ルギー発生素子として電気・熱変換体を用いたバブルジ
ェットタイプ、或は圧電素子を用いたピエゾジェットタ
イプ等のものを使用すれば良く、着色面積やパターンは
任意に設定すれば良い。
【００９４】次に、研磨装置（不図示）によってこの電
極基板５０の研磨を行ない、補助電極３２ｂ，…の表面
の樹脂５２を除去して、該表面を露出させる（図５(e)
参照）。なお、研磨方法としては、平面磁気研磨方法、
ＥＥＭ（Ｅｌａｓｔｉｃ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｍａｃｈ
ｉｎｉｎｇ）研磨、ローカルピッチ研磨、ラップ、ポリ
ッシング研磨（特開平２−２８７４０号公報参照）、テ
ープ研磨等の種々の方法を用いることができる。
【００９５】ここで、このカラーフィルタ３３，…を形
成した面（カラーフィルタ３３上）には、ポストベーク
後にシランカップリング処理等の密着処理を行ない、後
に形成される高分子材料３５ｂ，…等との密着性を高め
るようにしてもよい。
【００９６】次に、電極基板５０の配線面５１に高分子
材料３５ｂをディスペンサー（不図示）によって所定量
滴下する（図５(f) 参照）。
【００９７】そして、高分子材料３５ｂを滴下した面
に、平滑な板状部材５５（以下、“平滑板５５”とす
る）を、気泡が巻き込まれないようにゆっくりと重ね合
わせる（図６(a) 及び(b) 参照）。
【００９８】次に、電極基板５０、高分子材料３５ｂ並
びに平滑板５５によって構成された一体物５６（以下、
単に“一体物５６”とする）を、プレス機（不図示）に
セットして加圧する。これにより、高分子材料３５ｂは
補助電極３２ｂ，…の表面から排除され、補助電極３２
ｂ，…の間隙に充填されることとなる。
【００９９】なお、平滑板５５としては、表面が平滑な
板状の部材であり、かつ、高分子材料３５ｂを硬化させ
るためにＵＶ光等を利用する場合にはこれらの光を透過
するものであればどのような材質であっても良いが、ガ
ラス板やプラスチック板が好ましい。
【０１００】このプレス機としては、高分子材料３５ｂ
を基板全体に押し広げることができるものであれば如何
なるものでも良く、例えば、油圧シリンダーやエアーシ
リンダーを用いたプレス機や、液体圧プレス機の他、ロ
ールプレス機等を用いても良い。
【０１０１】この場合、電熱ヒータや加熱流体等により
一体物５６を加熱するようにしても良い。このように一
体物５６を加熱することにより、高分子材料３５ｂの粘
度を低下させて、高分子材料３５ｂを円滑に押し広げる
ようにしてもよい。
【０１０２】次に、上述した高分子材料３５ｂを硬化さ
せる（図６(c) 参照）。
【０１０３】硬化させる方法は、用いる高分子材料３５
ｂによって異なるが、ＵＶ硬化樹脂を用いる場合には、
高圧水銀灯、低圧水銀灯、キセノンランプ等の光源を用
いて、ＵＶ光を照射すれば良い。但し、その出力は、Ｕ
Ｖ硬化樹脂を十分に硬化させるに足りるものである必要
がある。
【０１０４】また、可視光や赤外線光等で硬化する高分
子材料３５ｂを用いた場合には、それらの光を照射する
光源を用いれば良い。
【０１０５】次に、不図示の装置を用いて、一体物５６
から平滑板５５を剥離する（図６(d) 及び(e) 参照）。
【０１０６】さらに、補助電極３２ｂ，…及び高分子材
料３５ｂにて形成される面に主電極３６ｂ，…を形成し
（図６(f) 参照）、絶縁膜１０ｂや配向膜１１ｂを形成
して下基板３０ｂを作成する。
【０１０７】一方、上基板３０ａにはカラーフィルタを
形成しないが、それ以外の構成部材（補助電極３２ａ，
…や高分子材料３５ａ等）は、上述と同様の方法で形成
する。
【０１０８】そして、これら一対の上下基板３０ａ，３
０ｂを貼り合わせ、基板間隙に液晶３を注入して、液晶
パネルＰ3 を作成する。
【０１０９】次に、本実施の形態の効果について説明す
る。
【０１１０】本実施の形態によれば、高分子材料３５
ａ，３５ｂが硬化された状態では、補助電極３２ａ，
…，３２ｂ，…の表面は、高分子材料３５ａ，３５ｂに
よって被覆されてはおらずに露出されている。したがっ
て、従来のようなスルーホール形成のための工程及び装
置を不要とし、その分、製造工程が簡単となり、製造コ
ストが低減される。また、製造歩留りの低下も回避でき
る。
【０１１１】また、本実施の形態によれば、従来のよう
にスルーホールが形成された部分だけが露出されるので
は無く、補助電極３２ａ，…，３２ｂ，…の表面全体が
露出されていることから、補助電極３２ａ，…，３２
ｂ，…と主電極３６ａ，…，３６ｂ，…との接触面積が
大きくなってそれらの導通が取れ易くなり、電圧波形の
遅延等の問題をより一層解消できる。
【０１１２】さらに、カラーフィルタ３３は高分子材料
３５ａ，…，３５ｂ，…によって被覆されているため、
製造工程にて加えられる熱等からカラーフィルタ３３が
保護される。したがって、カラーフィルタ３３の変色等
が防止される。
【０１１３】またさらに、本実施の形態によれば、高分
子材料３５ａ，…，３５ｂ，…は補助電極３２ａ，…，
３２ｂ，…と共にほぼ平坦な面を形成することから、配
向膜表面はほぼ平滑となる。その結果、ラビング処理を
均一にでき、配向欠陥の無い液晶素子を製造することが
できる。そして、補助電極３２ａ，…，３２ｂ，…を厚
く形成することが可能となり、電圧波形の遅延を解消で
きる。
【０１１４】また、高分子材料３５ａ，…，３５ｂ，…
は、上述のようにカラーフィルタ３３を保護する機能
と、補助電極３２ａ，…，３２ｂ，…と共に平坦な面を
形成する機能とを発揮するため、配線基板自体の構成が
簡単となり、その結果、製造が簡単となって製造コスト
を低減することができる。
【０１１５】さらに、補助電極３２ａ，…，３２ｂ，…
がカラーフィルタ３３の色分離層としての役割を果たす
ため、液晶パネルの画像が鮮明となる。
【０１１６】一方、液晶材料としてブックシェルフ或は
それに近い構造を現出するものを用いる場合には、自発
分極の大きなカイラル剤を添加することが、動作スピー
ドを速くする点で好ましい。したがって、このようなカ
イラル剤の添加により液晶材料全体の自発分極が大きく
なってしまい、図２に示すように電圧波形の遅延が顕著
となる。
【０１１７】しかし、本実施の形態によれば、このよう
な電圧波形の遅延を解消できるため、ブックシェルフ構
造を現出する液晶材料本来の利点を活かすことができ
る。すなわち、表示画像が高輝度かつ高コントラストと
なってバックライトの消費電力を低減でき、高速応答性
に優れていることから動画表示も可能となる。また、液
晶分子の配向状態も良好で、表示品質を向上できる。 （第２の実施の形態）ついで、本発明の第２の実施の形
態について、図７乃至図９に沿って説明する。
【０１１８】図７は、本実施の形態に係る液晶パネルの
構造を示す断面図であるが、この液晶パネルＰ4 は一対
の配線基板６０ａ，６０ｂを備えている。そして、下側
（観察者側）の配線基板６０ｂ（以下、“下基板６０
ｂ”とし、他方の配線基板６０ａを“上基板６０ａ”と
する）においては、補助電極３２ｂ，…と透光性基材３
１ｂとの間に、補助電極３２ｂ，…よりも幅広の遮光層
６１，…が配置されている。遮光層６１，…は、少なく
とも主電極３６ｂ，…の隙間に対応する部分に配置され
ている。
【０１１９】なお、上述した以外の構成は、上述の第１
実施の形態と同様である。
【０１２０】また、遮光層６１，…としては、光を遮断
する性質を有する材料であればどのような材料を用いて
も良く、非導電性の材料や導電性の材料を用いることが
できる。このうち、非導電性の材料としては、有機顔料
や無機顔料や染料等を分散させて非透光性をもたせた着
色樹脂があり、導電性の材料としては、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａ
ｌ、Ｎｉ、Ｃｕ等の金属や、それらの合金、或はそれら
の酸化物などがある。また遮光層６１は、異なる材料か
らなる層の積層構造としても良い。
【０１２１】図８は下基板６０ｂの製造方法を示す図で
あるが、本実施の形態においては、まず、フォトリソエ
ッチング法等を用いて透光性基材３１ｂの表面に遮光層
６１，…を形成する（同図(a) 参照）。その後、上述の
実施の形態と同様に、補助電極３２ｂ，…を形成し（同
図(b) 参照）、カラーフィルタ３３，…を形成し（同図
(c) 参照）、さらに高分子材料３５ｂ，…や主電極３６
ｂ，…を形成する（同図(d) 及び(e) 参照）。
【０１２２】次に、本実施の形態の効果について説明す
る。
【０１２３】一般に、隣り合う主電極３６ｂと主電極３
６ｂとの間には、それらがショートしないように隙間
（図７中の符号Ｓを参照）が設けられているため、該隙
間に対応する部分の液晶３は、スイッチングされずに、
初期配向状態のまま維持される。この初期配向状態で
は、液晶分子は２つの異なる分子軸に配向されているた
めに、明のドメインと暗のドメインとが混在し、光漏れ
が生ずることがある。
【０１２４】しかし、上述のように遮光層６１，…を設
けた場合には、このような光漏れを防止でき、表示画面
のコントラストは向上して表示品位の優れたものとな
る。
【０１２５】なお、遮光層６１，…として導電性の材料
を用いた場合には、補助電極３２ｂ，…と遮光層６１，
…との間にＳｉＯ2 等の絶縁膜を介装させるようにして
もよい。図９(a) 〜(f) は、そのような絶縁膜６３を形
成する工程を他の製造工程との関連で説明するための図
であるが、図示の製造工程においては、遮光層６１，…
を形成した時点で絶縁膜６３を基材全面に均一に形成す
る（同図(a) 及び(b)参照）。その後、補助電極３２
ｂ，…の形成等を実施し、配線基板を作成する（同図
(c) 〜(f) 参照）。 （第３の実施の形態）ついで、本発明の第３の実施の形
態について、図１０及び図１１に沿って説明する。
【０１２６】本実施の形態に係る液晶パネルは、図４に
示した液晶パネルＰ3 と同様の構成であるが、その製造
方法に特徴がある。
【０１２７】すなわち、本実施の形態においては、透光
性基材３１ｂの表面にメタル層（導電膜）７０を塗布
し、このメタル層７０をフォトレジスト・エッチング法
によってパターニングすることにより補助電極３２ｂ，
…を形成するが、図１０(a) 乃至(d) に示すように、そ
の形成に際してはポジ型のフォトレジスト７１とフォト
マスク７２とを使用する。そして、エッチング終了後
は、補助電極３２ｂ，…の上に残存したレジスト７１を
除去しないで、上述した第１の実施の形態と同様の方法
で樹脂５２を塗布する（同図(e) 参照）。
【０１２８】その後、有機溶剤等からなるレジスト剥離
液を用いてレジスト膜７１を除去するが、これに伴っ
て、レジスト膜７１に積層された樹脂５２も除去される
こととなる（同図(f) 参照）。
【０１２９】さらに、上述した第１の実施の形態と同様
の方法で樹脂５２に着色インクを打ち込み、その後、乾
燥並びにポストベークを施してカラーフィルタ３３を形
成する（同図(g) 及び(h) 参照）。
【０１３０】さらに、図１１(a) 〜(g) に示すように、
高分子材料３５ｂの滴下及び硬化、平滑板５５の剥離、
並びに主電極３６ｂ，…の形成等を実施し、図示のよう
な配線基板を作成する。
【０１３１】次に、本実施の形態の効果について説明す
る。
【０１３２】本実施の形態によれば、補助電極表面の樹
脂５２の除去が、研磨装置等を用いることなく簡単にで
き、その分製造コストを低減することができる。
【０１３３】また、本実施の形態によれば、上述した第
１の実施の形態と同様の効果が得られる。
【０１３４】なお、本実施の形態においても、図７乃至
図９に示すように遮光層６１，…を形成するようにして
もよい。 （第４の実施の形態）ついで、本発明の第４の実施の形
態について、図１２に沿って説明する。
【０１３５】本実施の形態に係る配線基板９０ｂは、図
４に示した下基板３０ｂとほぼ同様の構成であるが（図
１２(k) 参照）、図４に示した下基板３０ｂにおいては
樹脂組成物からなるインク受容層５２を着色することに
よりカラーフィルタ３３を形成していたのに対し、本実
施の形態においては、そのようなインク受容層は用いず
にインクを透光性基材３１ｂに直接配置してカラーフィ
ルタ９１を形成する点で異なる。その他の部材として
は、前述した第１の実施の形態と同様のものを用いれば
良い。
【０１３６】そして、このような配線基板９０ｂは、絶
縁膜１０ｂや配向膜１１ｂ（図１２(k) においては不図
示）を形成した上で、図４に示す下基板３０ｂの代わり
に用いられ、液晶パネルを構成する。
【０１３７】次に、本実施の形態に係る液晶パネルの製
造方法について説明する。
【０１３８】まず、透光性基材３１ｂの表面にメタル層
を成膜し、このメタル層にフォトレジストを塗布する。
次に、フォトマスクを用いた露光及び現像を行ない、フ
ォトレジストのパターニングを行なう。さらに、エッチ
ング処理を施し、メタル層のパターニングを行なって補
助電極３２ｂ，…を形成する。最後に、フォトレジスト
を溶剤等で溶解除去して、電極基板５０を得る（図１２
(a) 参照）。なお、メタル層の成膜方法としては、真空
蒸着法やスパッタ法等の既存の成膜方法を用いれば良
い。
【０１３９】次に、インクジェット描画装置（不図示）
を使用し、インクジェットヘッド５３と電極基板５０と
の位置合わせを行なった後に、補助電極３２ｂ，…の間
隙にＲ，Ｇ，Ｂ３色の着色インク９２を打ち込む（同図
(b) 参照）。その後、熱を加えたり、風を送ったりし
て、インクを乾燥させてカラーフィルタ９１を形成する
（同図(c) 参照）。
【０１４０】なお、インクジェット描画装置には、上述
した第１の実施の形態と同様のものを使用すれば良く、
着色面積やパターンは任意に設定すれば良い。
【０１４１】また、この着色に用いるインク９２として
は、液状インクやソリッドインクなどを用いることがで
き、その組成物としては、色素、バインダー樹脂、溶媒
からなるものを用いる。色素としては、染料系や顔料系
を用いることが可能である。また、バインダ樹脂として
は、色素の分散性や溶解性が良好で、かつ基板への密着
性、インク打ち適性が良好なものが良い。また、溶媒
は、上述の色素、バインダ樹脂を溶解し、かつ基板への
濡れ性が良いものが好ましい。
【０１４２】以下、図１２(d) 〜(k) に示す工程で、第
１の実施の形態と同様にして配線基板９０ｂを作成す
る。なお、図中、９５はディスペンサー、９６は一体
物、９７はプレス機である。
【０１４３】そして、このようにして作成した配線基板
９０ｂを用いて液晶パネルを作成する。
【０１４４】なお、本実施の形態においても、図７乃至
図９に示すように遮光層６１，…を形成するようにして
もよい。
【０１４５】本実施の形態によれば、前述した第１の実
施の形態と同様の効果が得られる。 （第５の実施の形態）ついで、本発明の第５の実施の形
態について、図１３及び図１４に沿って説明する。
【０１４６】本実施の形態に係る液晶パネルは、図４に
示した液晶パネルＰ3 と同様の構成であり、各構成部材
も、上述した第１の実施の形態と同様のものを用いる。
【０１４７】次に、本実施の形態における液晶パネルの
製造方法について説明する。
【０１４８】まず、第１の実施の形態と同様の方法で、
図１３(a) に示すような電極基板５０を得る。
【０１４９】次に、第１の実施の形態に示したような方
法で電極基板５０の配線面５１に、インク受容性を有す
る樹脂５２を塗布する。
【０１５０】次に、インク受容層除去手段によって、補
助電極表面の樹脂５２を除去する（図１３(c) 乃至(f)
参照）。
【０１５１】なお、同図(c) 及び(d) は、固形分濃度の
高い樹脂５２を薄く塗布した場合を示し、同図(e) 及び
(f) は、固形分濃度の低い樹脂５２を厚く（補助電極３
２ｂと等しい厚さ）に塗布した場合を示している。しか
し、いずれの場合も、樹脂５２は加熱や送風によって乾
燥されて、同図(g) に示す厚さとなる。
【０１５２】なお、本実施の形態においては、インク受
容層除去手段を、図１３(c) に示すブレード１００と、
このブレード１００を移動させる移動手段（不図示）と
によって構成している。
【０１５３】また、このブレード１００としては、樹脂
５２を除去できるものであれば如何なるものを用いても
良く、例えば、グラビア印刷法で通常使用されているド
クターブレード（厚みが数１００μｍ程度の金属板によ
って刃状に形成されたもので、グラビア印刷法において
はインクの掻き取りのために用いられる）や、ポリウレ
タン、ポリテトラフルオロエチレン等のプラスチック板
からなるブレード等を用いれば良い。さらに、樹脂５２
の除去は、ブレード１００が少し撓む程度に、その先端
部を補助電極３２ｂ，…の表面に押し付けながら行なえ
ば良い。またさらに、このブレード１００の先端部を直
線状に精度良く加工すると共に、樹脂除去時にはこのブ
レード１００を電極基板５０に沿って精度良く移動させ
る必要がある。これにより、ブレード１００は全ての補
助電極３２ｂ，…に均一に当接されて、樹脂の除去が十
分に行なわれることとなる。
【０１５４】また、ブレード１００の移動方向は、電極
基板５０に沿うものである限り特に限定されるものでは
無く、補助電極３２ｂ，…の長手方向でも、該長手方向
に直交する方向でも、或はそれら以外の方向であっても
良い。
【０１５５】次に、上述した第１の実施の形態と同様
に、樹脂５２を、不図示のインクジェット描画装置（キ
ヤノン社製）によって着色する。その後、この電極基板
５０の乾燥、並びにポストベークを行ない、カラーフィ
ルタ３３を形成する（図１３(h) 参照）。
【０１５６】なお、インクジェット描画装置には、上述
した第１の実施の形態と同様のものを使用すれば良く、
着色面積やパターンは任意に設定すれば良い。
【０１５７】以下、図１４に示す工程で第１の実施の形
態と同様にして配線基板を作成する。そして、この作成
した配線基板を用いて、液晶パネルを作成する。
【０１５８】本実施の形態によれば、上述した第１の実
施の形態と同様の効果が得られる。 （第６の実施の形態）ついで、本発明の第６の実施の形
態について、図２２に沿って説明する。
【０１５９】本実施の形態においては、図２２(a) 、
(b) 、(c) 、及び(d) に示す順で液晶パネル（配線基
板）を製造する。
【０１６０】まず、透光性基材３１ｂの表面にメタル層
を成膜し、このメタル層の表面に、撥水性のあるフォト
レジスト１０１を塗布する。次に、フォトマスクを用い
た露光及び現像を行ない、フォトレジストのパターニン
グを行なう。さらに、エッチング処理を施してメタル層
のパターニングを行ない、補助電極３２ｂ，…を形成す
る（図２２(a) 参照）。なお、これらの補助電極３２
ｂ，…の表面には、上述したフォトレジスト１０１を残
存させておき、次の工程を実施する。
【０１６１】ここで用いる撥水性のレジスト１０１とし
ては、後工程にて使用される樹脂５２よりも小さい表面
エネルギを持つものであれば如何なるものでも良く、表
面エネルギ値としては、臨界表面張力（γC ）が４５ｄ
ｙｎ／cm2 以下のものが好ましい。例えば、フッ素原子
を含有した分子構造を有するレジスト、フッ素原子を含
有した化合物が混合されたレジスト、有機シラン基を含
有した分子構造を有するもの、有機シラン系化合物が混
合されたもの、或は、親水性の置換基（例えば、水酸基
・アミノ基・カルボキシ基・カルボニル基等）を含まな
い（或は、それらの含有量の少ない）分子構造を有する
もの、を用いれば良い。
【０１６２】次に、電極基板５０の配線面５１に、第１
の実施の形態と同様の方法でインク受容性を有する樹脂
５２を塗布する（図２２(b) 参照）。
【０１６３】次に、上述した第１の実施の形態と同様
に、樹脂５２を、不図示のインクジェット描画装置（キ
ヤノン社製）によって着色する（図２２(c) 参照）。そ
の後、この電極基板５０の乾燥、並びにポストベークを
行ない、カラーフィルタ３３を形成する（同図(c) 参
照）。
【０１６４】さらに、有機溶剤等からなるレジスト剥離
液（レジスト除去液）により撥水性レジスト１０１を除
去し（同図(d) 参照）、その後は、上述した第１の実施
の形態と同様の工程を実施して配線基板を作成する。
【０１６５】次に、本実施の形態の効果について説明す
る。
【０１６６】本実施の形態によれば、撥水性レジスト１
０１を補助電極３２ｂ，…の表面に残存させた状態で樹
脂５２を塗布し、かつこの樹脂５２は溶媒に親水性のも
のを使用しているため、樹脂５２は、補助電極３２ｂ，
…の間隙にのみ塗布されることとなる。したがって、上
述した実施の形態におけるように、補助電極３２ｂ，…
の表面に付着した樹脂５２を除去する必要がなく、その
分製造工程が簡素化され、製造コストが低減される。
【０１６７】なお、本実施の形態においては、樹脂５２
を着色した後に撥水性レジスト１０１の除去を行なった
が、図２２(a) 、(b) 、(e) 、及び(d) に示す順で液晶
パネルを製造するようにしてもよい。すなわち、撥水性
レジスト１０１の除去を先に行ない（図２２(e) 参
照）、その後、樹脂５２を着色するようにしてもよい
（同図(d) 参照）。この方法によれば、着色インクが撥
水性レジスト１０１に触れることを回避でき、カラーフ
ィルタ３３の変色や劣化や溶解等を防止でき、色再現性
の良いカラーフィルタを形成することができる。また、
第１の実施の形態と同様の効果も得られる。 （第７の実施の形態）ついで、本発明の第７の実施の形
態について、図１５及び図１６に沿って説明する。
【０１６８】本実施の形態においては、図４に示す構造
の液晶パネルを、図１５及び図１６に示す製造方法にて
製造する。
【０１６９】まず、第１の実施の形態と同様の方法で図
１５(a) に示すような電極基板５０を得る。
【０１７０】次に、第１の実施の形態に示したような方
法でこの電極基板５０の配線面５１に、インク受容性を
有する感光性樹脂１１０を塗布する（同図(b) 参照）。
その際、塗布厚さを０．３〜２μｍ程度とする。
【０１７１】また、この樹脂１１０には、インク受容性
を有し、かつ感光性を有する樹脂であればどのような材
質のものでも良い。例えば、感光性アクリル樹脂、感光
性ポリアミド樹脂、感光性ポリイミド樹脂の他、感光剤
が添加されたゼラチン、カゼイン、グリュー等の天然
物、及びポリビニルアルコール等が挙げられる。特に、
諸物性の優れた特性を有する感光性ポリアミド樹脂、感
光性ポリイミド樹脂が好ましい。
【０１７２】次に、感光性樹脂１１０を硬化させるため
の特定波長の光Ｌを、配線面５１とは反対側から照射す
る（同図(c) 参照）。これにより、補助電極間に塗布さ
れた感光性樹脂１１０は硬化されるものの、補助電極表
面に塗布された感光性樹脂１１０は硬化されない状態と
なり、その後の現像・リンス・ポストベークを経て同図
(d) に示すような基板が得られる。
【０１７３】次に、このように感光性樹脂１１０を塗布
した電極基板５０を、不図示のインクジェット描画装置
（キヤノン社製）にセットし、電極基板５０とヘッド５
３の位置調整を行なった後、感光性樹脂１１０にインク
を打ち込み（同図(e) 参照）、感光性樹脂１１０を着色
する。その後、この電極基板の乾燥、並びにポストベー
クを行ない、カラーフィルタ３３を形成する（同図(f)
参照）。
【０１７４】なお、インクジェット描画装置には、上述
した第１の実施の形態と同様のものを使用すれば良く、
着色面積やパターンは任意に設定すれば良い。
【０１７５】以下、図１５(g) 及び図１６に示す工程
で、第１の実施の形態と同様にして配線基板を作成す
る。そして、この作成した配線基板を用いて、液晶パネ
ルを作成する。
【０１７６】次に、本実施の形態によれば、上述した第
１の実施の形態と同様の効果が得られる。
【０１７７】また、本実施の形態によれば、光Ｌを照射
しても、補助電極間隙の樹脂１１０のみが硬化されるだ
けで補助電極表面の樹脂１１０は硬化されない。したが
って、該表面の樹脂１１０の除去が容易となり、液晶パ
ネルの製造が容易となる。
【０１７８】なお、本実施の形態においても、図７乃至
図９に示すように遮光層６１，…を形成するようにして
もよい。 （第８の実施の形態）ついで、本発明の第８の実施の形
態について、図１７乃至図２０に沿って説明する。な
お、図４及び図７に示すものと同一部分は同一符号を付
して詳細な説明を省略する。
【０１７９】図１７は、本実施の形態に係る液晶パネル
の構造を示す断面図であるが、この液晶パネルＰ5 は、
略平行に配置された一対の配線基板３０ａ，１２０ｂを
備えており、これらの配線基板３０ａ，１２０ｂは不図
示のシーリング部材によって貼り合わされている。ま
た、これらの基板３０ａ，１２０ｂの間隙には多数のス
ペーサ１２１，…が介装されて、基板間隙が規定されて
いる。なお、スペーサ１２１，…としては、シリカビー
ズ、アルミナビーズ、ガラスファイバー、プラスチック
ビーズなどを用いることができる。さらに、基板間隙に
は、双安定性配向状態の強誘電性液晶３が挟持されてい
る。なお、上述した基板間隙は、バルク状態下でらせん
配列構造の配向状態を生じる強誘電性液晶のらせん配列
構造を抑制又は消失させるのに充分に小さい距離、例え
ば０．１〜３μｍ程度に設定されている。
【０１８０】このうち、図示下側の配線基板１２０ｂ
（以下、“下基板１２０ｂ”とする）は透光性基材３１
ｂを有しており、この透光性基材３１ｂの表面には遮光
層６１，…が所定間隙を開けた状態に形成されている。
そして、このように遮光層６１，…の形成された透光性
基材３１ｂの表面には、カラーフィルタ１２５，…や保
護層１２６が形成されている。
【０１８１】また、保護層１２６の表面には補助電極３
２ｂ，…が所定間隙を開けた状態に形成されており、こ
れらの補助電極３２ｂ，…の間隙には高分子材料３５
ｂ，…が埋設されている。そして、これらの補助電極３
２ｂ，…と高分子材料３５ｂ，…とによって平坦な面が
形成されており、該面には多数の主電極３６ｂ，…が形
成されている。なお、これらの主電極３６ｂ，…は、各
補助電極３２ｂ，…と良好な接触状態を保つように、補
助電極３２ｂ，…に沿って形成されている。さらに、こ
れらの主電極３６ｂ，…は配向膜１１ｂによって被覆さ
れている。そして、上述した主電極３６ｂ，…及び補助
電極３２ｂ，…には情報信号が印加されるようになって
いる。
【０１８２】ここで、主電極３６ｂ，…と配向膜１１ｂ
との間には絶縁膜を設けるようにしてもよい。
【０１８３】なお、図示上側の配線基板３０ａ（以下、
“上基板３０ａ”とする）は、下基板１２０ｂと同様に
透光性基材３１ａを有しており、この基材３１ａの表面
には補助電極３２ａ，…が所定間隙を開けた状態に形成
されている。また、これらの補助電極３２ａ，…の間隙
には高分子材料３５ａ，…が形成されており、これらの
補助電極３２ａ，…と高分子材料３５ａ，…とによって
平坦な面が形成されている。そして、この平坦な面には
主電極３６ａ，…や配向膜１１ａが形成されている。ま
た、これらの主電極３６ａ，…や補助電極３２ａ，…に
は走査信号が印加されるようになっている。
【０１８４】さらに、上下基板３０ａ，１２０ｂの両側
には、液晶分子の配向変調を光学的に検知するために、
偏光子１２７ａ，１２７ｂがクロスニコルで配置されて
いる。また、下基板１２０ｂの側（図示下側）が観察者
側であり、上基板３０ａの側には光源（不図示）が配置
されている。
【０１８５】次に、液晶パネルの製造方法について、図
１８乃至図２０に沿って説明する。
【０１８６】最初に、下基板１２０ｂの製造方法につい
て、図１８及び図１９に沿って説明する。
【０１８７】まず、透光性基材３１ｂの表面に遮光層６
１，…を形成し（図１８(a) 参照）、その上に樹脂１３
０を塗布する（図１８(b) 参照）。
【０１８８】なお、この樹脂１３０には、光や熱に反応
して硬化し、インク吸収性が低下するタイプのものを使
用し、必要に応じてプリベークを施す。また、この樹脂
１３０の塗布は、スピンコート法、ロールコート法、バ
ーコート法、スプレーコート法、ディップコート法、印
刷法等によって行なう。
【０１８９】次に、フォトマスクを用いたパターン露光
を行ない、遮光層６１，…によって遮光される部分（図
１８(c) の符号１３１参照）のみを硬化させて、そのイ
ンク吸収性を消失させる。このように樹脂１３０を塗布
した基板１３２を、不図示のインクジェット描画装置
（キヤノン社製）にセットし（図１８(d) 参照）、基板
１３２とヘッド５３の位置調整を行なった後、インクを
樹脂１３０に打ち込んで樹脂１３０を着色する。その
後、必要に応じてインクの乾燥を行ない、さらに、光照
射や加熱を行なって樹脂１３０を硬化させてカラーフィ
ルタ１２５，…を形成する（図１８(e) 参照）。
【０１９０】なお、上述した樹脂１３０には、前述した
第１の実施の形態の樹脂５２と同様の材質のものを用い
ることができる。
【０１９１】また、この樹脂１３０における架橋反応を
進行させるために、光開始剤（架橋剤）を用いても良
い。この光開始剤としては、重クロム酸塩、ビスアジド
化合物、ラジカル系開始剤、カチオン系開始剤、アニオ
ン系開始剤等が使用可能である。また、これらの光開始
剤を混合して用いても良く、あるいは他の増感剤と組み
合わせて用いても良い。さらに、この樹脂１３０におけ
る架橋反応をより進行させるために、光照射の後に熱処
理を施すようにしてもよい。なお、これらの組成物を含
む樹脂１３０は、耐熱性や耐水性に非常に優れており、
後工程における高温あるいは洗浄工程に充分に耐え得る
ものである。
【０１９２】このようにしてカラーフィルタ１２５，…
を形成し、さらにその表面に保護層１２６を形成する
（図１８(f) 参照）。
【０１９３】この保護層１２６は、光硬化タイプ、熱硬
化タイプあるいは光熱併用タイプの樹脂組成物を用いて
形成し、或は無機材料を蒸着法又はスパッタ法によって
塗布することにより形成すれば良い。なお、この保護層
１２６は、透光性を有し、かつ製造工程（例えば、電極
を形成する工程や配向膜を焼成する工程）に耐え得るよ
う、耐熱性、耐薬品性、耐洗浄性を具備している必要が
ある。
【０１９４】次に、この保護層１２６の表面にメタル層
を成膜すると共にフォトリソエッチング処理によってメ
タル層のパターニングを行なうことにより、多数の補助
電極３２ｂ，…を形成する（図１８(g) 参照）。なお、
このように補助電極３２ｂ，…を形成した面にはシラン
カップリング処理等の密着処理を行ない、後に形成され
る高分子材料３５ｂ，…等との密着性を高めるようにし
てもよい。
【０１９５】以下、図１９に示す工程で、第１の実施の
形態と同様にして配線基板を作成する。なお、図中１３
３は一対物を示している。
【０１９６】次に、上基板３０ａの製造方法について、
図２０に沿って説明する。
【０１９７】上基板３０ａの製造に際しては、まず、透
光性基材３１ａの表面にメタル層を成膜し、このメタル
層をフォトリソエッチング処理によって所定形状にパタ
ーニングして多数の補助電極３２ａ，…を形成する（図
２０(a) 参照。同図に示す構造体を“電極基板１５０”
とし、補助電極３２ａ，…の形成された面を“配線面１
５１”とする）。なお、この配線面１５１にはシランカ
ップリング処理等の密着処理を行ない、後に形成される
高分子材料３５ａ，…との密着性を高めるようにしても
よい。
【０１９８】次に、電極基板１５０の配線面１５１に高
分子材料３５ａをディスペンサー（不図示）によって所
定量滴下する（図２０(b) 参照）。
【０１９９】そして、高分子材料３５ａを滴下した面
に、平滑板５５を、気泡が巻き込まれないようにゆっく
りと重ね合わせる（図２０(c) 及び(d) 参照）。
【０２００】次に、電極基板１５０、高分子材料３５ａ
並びに平滑板５５によって構成された一体物１５２を、
プレス機（不図示）にセットして加圧する。これによ
り、高分子材料３５ａは補助電極３２ａ，…の表面から
排除され、補助電極３２ａ，…の間隙に充填されること
となる。
【０２０１】なお、平滑板５５やプレス機は、下基板１
２０ｂの製造に用いたと同様のものを用いれば良い。
【０２０２】次に、上述した高分子材料３５ａを硬化さ
せる（図２０(e) 参照）。
【０２０３】次に、不図示の装置を用いて、一体物１５
２から平滑板５５を剥離する（図２０(f) 及び(g) 参
照）。
【０２０４】さらに、補助電極３２ａ，…及び高分子材
料３５ａにて形成される面に主電極３６ａ，…を形成し
（図２０(h) 参照）、配向膜１１ａを形成して上基板３
０ａを作成する。
【０２０５】そして、上述の方法で製造した上下基板３
０ａ，１２０ｂを貼り合わせ、基板間隙に液晶３を注入
して、液晶パネルＰ5 を作成する。
【０２０６】本実施の形態によれば、上述した第１の実
施の形態と同様の効果が得られる。 （第９の実施の形態）ついで、本発明の第９の実施の形
態について、図２１に沿って説明する。
【０２０７】本実施の形態においては、Ｒ，Ｇ，Ｂ３色
のカラーフィルタを順に形成し、その後、保護層１２６
等を形成する。
【０２０８】図２１は、本実施の形態に係る液晶パネル
の製造方法を示す図であるが、液晶パネルの製造に際し
ては、まず、透光性基材３１ｂの表面に遮光層６１，…
を形成する。
【０２０９】そして、その表面に、グリーン色の感光性
着色樹脂液１６０Ｇを所定の膜厚に塗布し、所定の温度
でプリベークを行なう（同図(a) 参照）。さらに、所定
のパターン形状を有するフォトマスク１６１を使用し、
パターン露光を行なう。その後、現像処理、リンス処理
並びにポストべーク処理を実施し、グリーン色のカラー
フィルタ１２５（Ｇ）を得る。
【０２１０】そして、このような作業を他の色について
も実施し、レッド色やブルー色のカラーフィルタ１２５
（Ｒ），１２５（Ｂ）を得る。
【０２１１】その後、上述した第８の実施の形態と同様
の工程を実施する。すなわち、このカラーフィルタ１２
５の表面に保護層１２６を形成し（同図(e) 参照）、補
助電極３２ｂ，…を形成し（同図(f) 参照）、高分子材
料３５ｂ，…を埋設し（同図(g) 参照）、主電極３６
ｂ，…を形成する（同図(h) 参照）。これにより、下基
板１２０ｂが得られる。
【０２１２】また、上述した第８の実施の形態と同様の
方法で上基板３０ａを作成し、これらの基板３０ａ，１
２０ｂを貼り合わせて液晶パネルを作成する。
【０２１３】なお、この樹脂液１６０Ｇ，…は樹脂中に
着色材料を分散させたものであるが、その樹脂として
は、ゼラチン、カゼイン、グリュー、ポリビニルアルコ
ール、ポリイミド、ポリイミドアミド、ポリエステルイ
ミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリパラキシリレ
ン、ポリカーボネート、ポリビニルアセタール、ポリ酢
酸ビニル、ポリスチレン、セルロース樹脂、メラミン樹
脂、ユリア樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウ
レタン樹脂、ポリシリコン樹脂に感光性を付与した樹
脂、並びに一般のフォトレジスト樹脂等から任意に選択
すれば良い。
【０２１４】また、これらの樹脂を着色する材料として
は、有機顔料、無機顔料、染料等のうち所望の分光特性
が得られるものであれば如何なるものを用いても良い。
この場合、各材料を単体で用いても良く、いくつかの材
料を混合して用いても良い。但し、カラーフィルタの色
特性及び諸特性を勘案すると有機顔料が着色材料として
最も好ましい。
【０２１５】有機顔料としては、溶性アゾ系、不溶性ア
ゾ系、縮合アゾ系等のアゾ系顔料をはじめ、フタロシア
ニン系顔料、そしてインジゴ系、アントラキノン系、ペ
リレン系、ペリノン系、ジオキサジン系、キナクリドン
系、イソインドリノン系、フタロン系、メチン、アゾメ
チン系、その他金属錯体を含む縮合多環系顔料、あるい
はこれらのうちのいくつかの混合物が用いられる。
【０２１６】なお、感光性着色樹脂液１６０Ｇ，…は、
所望の分光特性を有する着色材料を上記樹脂溶液に混合
させて作成する。また、この着色材料の割り合いを１０
〜１５０％程度とし、さらに、混合に際しては、超音波
発生器あるいは３本ロール等の装置を用いて充分に行な
い、フィルタを用いて着色材料の粒径の均一化を図るよ
うにすると好ましい。
【０２１７】次に、本実施の形態の効果について説明す
る。
【０２１８】本実施の形態によれば、上述した第１の実
施の形態と同様の効果が得られる。
【０２１９】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面に沿って
説明する。 （第１実施例）本実施例においては、図４に示す液晶パ
ネルＰ3 を作成した。
【０２２０】本実施例においては、透光性基材３１ａ，
３１ｂとして、３００×３１０×１．１mmの寸法で両面
が研磨された青板ガラスを用いた。
【０２２１】また、補助電極３２ａ，…，３２ｂ，…に
は、ストライプ形状のアルミニウムを使用し、厚さを２
μｍとし、電極幅を２０μｍとし、ピッチを３２０μｍ
とした。
【０２２２】さらに、樹脂５２としては、ヒドロキシプ
ロピルセルロース（日本曹達社製、ＨＰＬ−Ｈ）５ｇ、
及びメチロール化メラミン誘導体（住友化成社製スミテ
ックＭ−３）５ｇからなり、水性インク吸収性を有する
樹脂組成物を用いた。
【０２２３】また、主電極３６ａ，…，３６ｂ，…に
は、ＩＴＯからなる透明電極を用いた。この透明電極
は、補助電極３２ａ，…，３２ｂ，…に併せて、ピッチ
を３２０μｍとし、電極幅を３００μｍとした。
【０２２４】ところで、下基板３０ｂは、図５及び図６
に示す方法で以下のように作成した。
【０２２５】補助電極３２ｂ，…の形成には、スパッタ
法とフォトリソエッチング法とを使用した。
【０２２６】次に、上述した樹脂５２を膜厚１μｍとな
るように電極基板５０の表面にスピンコートし、９０℃
の温度で１０分間のプリベークを行なった。
【０２２７】次に、インクジェット描画装置を用いて、
この樹脂５２を着色し、９０℃の温度で１０分間の乾燥
を行ない、さらに２００℃の温度にて１時間のポストベ
ーク処理を行ない、カラーフィルタ３３，…を作成し
た。
【０２２８】さらに、この電極基板をポリッシング装置
にセットし、発泡ウレタンの定盤と粒径０．３μｍのア
ルミナ研磨液を用いて、５０ｇ／cm2 の加重で３分間回
転及び揺動させて行なった。このポリッシング後に補助
電極３２ｂ，…の表面を観察したが、樹脂５２は残存し
ていなかった。
【０２２９】その後、カラーフィルタ３３，…の形成さ
れた電極基板５０の配線面５１に、カップリング処理剤
をスピンコートし、クリーンオーブンで１００℃２０分
間の熱処理して密着処理を施した。なお、カップリング
処理剤としては、日本ユニカー社のシランカップリング
剤ＡＰＺ−７３０（１重量部）、エチルアルコール（４
０重量部）からなるものを用いた。
【０２３０】また、高分子材料３５ｂには、ペンタエリ
スリトールトリアクリレート５０重量部、ネオペンチル
グリコールジアクリレート５０重量部、１−ヒドロキシ
シクロヘキシルフェニルケトン２重量部からなるＵＶ硬
化型樹脂組成物を用いた。
【０２３１】さらに、平滑板５５には、３００×３１０
×１．１mmの寸法で両面が研磨された青板ガラスを用い
た。
【０２３２】なお、上述した高分子材料３５ｂは、ディ
スペンサーを用いて滴下した。
【０２３３】また、プレス機には、１トンのロールプレ
ス機を用い、送り速度を３０cm／min 、プレス厚を７０
０kgとした。
【０２３４】さらに、１００Ｗの高圧水銀ランプ４本で
構成されたＵＶランプによって、２分間のＵＶ光照射を
行なった。
【０２３５】その後、平滑板５５の剥離を行ない、さら
に、スパッタ成膜法及びフォトリソ・エッチング法を用
いて主電極３６ｂを形成した。
【０２３６】ここで、下基板３０ｂにおける、主電極３
６ｂ，…を形成した側の面には、シリカバインダーの中
に固形成分比で１０ｗｔ％のポリシロキサンを加えた混
合液の５ｗｔ％溶液を、回転数１５００ｒｐｍ、１５ｓ
ｅｃの条件で塗布した。その後、８０℃５分間の前乾燥
を行なった後、２００℃１時間の加熱乾燥を施した。
【０２３７】一方、上基板３０ａは、図２０に示す方法
で作成した。
【０２３８】すなわち、透光性基材３１ａの表面には、
スパッタ法とフォトリソエッチング法とによって補助電
極３２ａ，…を形成した。
【０２３９】その後、補助電極３２ａ，…が形成された
面にカップリング処理剤をスピンコートし、クリーンオ
ーブンで１００℃２０分間の熱処理して密着処理を施し
た。なお、カップリング処理剤としては、日本ユニカー
社のシランカップリング剤Ａ−１７４（１重量部）、エ
チルアルコール（４０重量部）からなるものを用いた。
【０２４０】次に、ディスペンサを用いて、補助電極３
２ａ，…が形成された面に高分子材料３５ａを滴下し
た。なお、高分子材料３５ａには、ペンタエリスリトー
ルトリアクリレート５０重量部、ネオペンチルグリコー
ルジアクリレート５０重量部、１−ヒドロキシシクロヘ
キシルフェニルケトン２重量部からなるＵＶ硬化型樹脂
組成物を用いた。
【０２４１】そして、高分子材料３５ａを滴下した面に
平滑板５５を、気泡が巻き込まれないようにゆっくりと
重ね合わせ、放置した。さらに、透光性基材３１ａ、高
分子材料３５ａ及び平滑板５５等によって構成された一
体物１３３を、プレス機にセットし、加圧した。
【０２４２】なお、平滑板５５には、３００×３１０×
１．１mmの寸法で両面が研磨された青板ガラスを用い
た。また、プレス機には、１トンのロールプレス機を用
い、送り速度を３０cm／min 、プレス厚を７００kgとし
た。
【０２４３】さらに、１００Ｗの高圧水銀ランプ４本で
構成されたＵＶランプによって、２分間のＵＶ光照射を
行ない、高分子材料３５ａを硬化した。
【０２４４】その後、平滑板５５の剥離を行ない、さら
に、スパッタ成膜法及びフォトリソ・エッチング法を用
いて主電極３６ａ，…を形成した。
【０２４５】また、上基板３０ａにおける、主電極３６
ａ，…を形成した側の面には、下記繰り返し単位を有す
る化合物の前駆体の０．５ｗｔ％溶液を、１ｓｔ回転５
００ｒｐｍ１０ｓｅｃ、２ｎｄ回転１５００ｒｐｍ３０
ｓｅｃの条件で塗布した。
【０２４６】
【化２４】 その後、８０℃５分間の前乾燥を行なった後、２５０℃
１時間の加熱乾燥を施した。尚、膜厚を５０Åとした。
そして、一軸配向処理としてナイロン布によるラビング
処理を施した。
【０２４７】そして、これら上下基板３０ａ，３０ｂ
を、粒径２μｍのシリカビーズを散布した上で貼り合わ
せた。さらに、下記構造式の強誘電性液晶３を基板間隙
に等方相下で真空注入し、液晶パネルを１℃／min の冷
却速度で徐冷することにより液晶３を配向させた。
【０２４８】
【化２５】 本実施例によれば第１の実施の形態の効果を達成するこ
とができた。
【０２４９】例えば、下基板３０ｂのコストは従来の１
／２以下に低減できた。
【０２５０】また、下基板３０ｂのパターン長（主電極
３６ｂ及び補助電極３２ｂにおける３００mmの長さ）の
抵抗値を測定したところ、全ての電極配線において３０
０Ω以下の低い抵抗値を示した。さらに、透明電極を厚
く形成する必要がなく、透明電極の透過率が下がって該
電極が認識されることもない。さらに、上述のように配
向膜表面がほぼ平滑になることから、光学的な差異やク
ロストークの心配もない。 （第２実施例）本実施例においては、樹脂５２の研磨を
テープ研磨装置によって行なった。
【０２５１】このテープ研磨装置においては、Ａｌ2 Ｏ
3 系＃６０００の研磨テープを用い、基板の送り速度を
７５mm／min とし、テープの送り速度を３００mm／min
とした。また、テープの押し付け圧を５kgf/cm2 とし、
研磨回数を５回とした。そして、研磨後に補助電極３２
ｂ，…の表面を観察したが、樹脂５２は残存していなか
った。
【０２５２】なお、上述以外は、第１実施例と同様とし
た。
【０２５３】本実施例によれば、上述した第１実施例同
様の効果が得られた。 （第３実施例）本実施例においては、樹脂５２の研磨
に、平坦な基準面を有する＃３０００の発泡ＰＶＡ定盤
を用いた。具体的には、樹脂５２を塗布した後に、電極
基板５０の配線面５１を定盤に５０ｇ／cm2 の圧力で押
し付け、３０秒間回転及び揺動させた。そして、研磨後
に補助電極３２ｂ，…の表面を観察したが、樹脂５２は
残存していなかった。
【０２５４】なお、上述以外は第１実施例と同様とし
た。
【０２５５】本実施例によれば、上述した第１実施例同
様の効果が得られた。 （第４実施例）本実施例においては、図７に示す液晶パ
ネルＰ4 を作成した。
【０２５６】このうち、下基板６０ｂは、図８及び図９
に示す方法で以下のように作成した。
【０２５７】すなわち、樹脂ＢＭ用に開発された感光性
を有する樹脂材料（新日鉄化学社製）を、透光性基材３
１ｂの表面にスピンコートし、８０℃１０分間のプリベ
ークを行なった。次に、樹脂材料を塗布した透光性基材
３１ｂに露光を施し、さらに、専用現像液を用いた１０
秒間のシャワー現像と、２００℃３０分間のポストベー
ク処理を行なった。これにより、１μｍの膜厚の遮光層
６１を形成した。その他の工程は第１実施例と同様にし
て行った。
【０２５８】一方、上基板６０ａは、第１実施例の上基
板３０ａと同様の方法で作成した。
【０２５９】そして、第１実施例と同様に、これら上下
基板６０ａ，６０ｂを貼り合わせ、液晶３を注入した。
【０２６０】本実施例によれば、上述した第１実施例同
様の効果が得られた。
【０２６１】また、遮光層６１，…により、主電極間隙
からの光漏れがなくなり、コントラストを向上させるこ
とができた。 （第５実施例）本実施例においては、遮光層６１，…に
はＣｒを用いた。具体的には、スパッタ法によって透光
性基材３１ｂの表面にＣｒを８００Åの厚さに成膜し、
フォトリソ・エッチング法によってパターニングを行な
い、遮光層６１，…を形成した。さらに、スパッタ法に
よって該基材の表面にＳｉＯ2 を１０００Åの厚さに成
膜し、その後は、補助電極３２ｂ，…等を形成して配線
基板を作成した。なお、その他の工程は第４実施例と同
様にした。
【０２６２】本実施例によれば、上記第４実施例と同様
の効果が得られた。 （第６実施例）ついで、本発明の第６実施例について、
図１０及び図１１に沿って説明する。
【０２６３】本実施例においては、図４に示す液晶パネ
ルＰ3 を作成した。
【０２６４】なお、透光性基材３１ａ，３１ｂとして、
３００×３４０×１．１mmの寸法で両面が研磨された青
板ガラスを用いた。
【０２６５】また、補助電極３２ａ，…，３２ｂ，…に
は、ストライプ状のアルミニウムを使用し、厚さを２μ
ｍとし、電極幅を２０μｍとし、ピッチを３００μｍと
した。
【０２６６】さらに、主電極３６ａ，…，３６ｂ，…に
は、ＩＴＯからなる透明電極を用いた。この透明電極
は、補助電極３２ａ，…，３２ｂ，…に併せて、ピッチ
を３００μｍとし、電極幅を２４０μｍとした。また、
その厚みを０．１５μｍとした。
【０２６７】次に、下基板３０ｂの製造方法について、
図１０及び図１１に沿って説明する。
【０２６８】補助電極３２ｂ，…の形成に際して、アル
ミニウムメタル層はスパッタ法によって形成した。ま
た、このメタル層の表面には、スピンコート法によって
ポジ型レジスト（ＨＰＲ−１１８２、富士ハント・エレ
クトロニクス・テクノロジー社製）を１．８μｍの厚さ
に塗布し、その後、１００℃で３０分間のプリベークを
施した。さらに、フォトマスクを使用して、超高圧水銀
灯を備えた露光機により、５０ｍＪ／cm2 のエネルギー
量で露光し、現像液（富士ハント・エレクトロニクス・
テクノロジー社製のＭＩＦ現像液）中、６０秒のディッ
ピングによりレジスト膜を上記パターン形状に形成し
た。さらに、混酸（硝酸／りん酸／酢酸）液中での、３
５℃、３分のディッピング及び純水洗浄、乾燥により、
アルミニウム膜をエッチングし、電極基板５０を得た。
【０２６９】また、樹脂５２には、ヒドロキシプロピル
セルロース（日本曹達社製、ＨＰＬ−Ｈ）５ｇ、及びメ
チロール化メラミン誘導体（住友化成社製スミテックＭ
−３）５ｇからなり、水性インク吸収性を有するものを
使用した。そして、この樹脂５２を１μｍの膜厚にスピ
ンコートし、５０℃の温度で１０分間のプリベークを行
なった。次に、エチルセロソルブアセテート中、３分の
ディッピングにより、レジスト膜７１及び樹脂５２をリ
フトオフした。
【０２７０】次に、インクジェット描画装置（キヤノン
社製）を用いて、染料系水性インク（キヤノン社製）を
印字することにより樹脂５２を着色し、９０℃の温度で
１０分間の乾燥を行なった。その後、２００℃の温度に
て１時間のポストベーク処理を行ない、カラーフィルタ
３３，…を作成した。
【０２７１】その後、カラーフィルタ３３，…の形成さ
れた電極基板５０の配線面に、カップリング処理剤を
０．１μｍの厚さにスピンコートし、クリーンオーブン
で１５０℃２０分間の熱処理して密着処理を施した。な
お、カップリング処理剤としては、日本ユニカー社のシ
ランカップリング剤ＡＰＺ−７３０（１重量部）、イソ
プロピルアルコール（４０重量部）からなるものを用い
た。
【０２７２】一方、高分子材料３５ｂには、ペンタエリ
スリトールトリアクリレート５０重量部、ネオペンチル
グリコールジアクリレート５０重量部、１−ヒドロキシ
シクロヘキシルフェニルケトン２重量部からなるＵＶ硬
化型樹脂組成物を用いた。
【０２７３】また、平滑板５５には、３００×３４０×
１．１mmの寸法で両面が研磨された青板ガラスを用い
た。
【０２７４】なお、上述した高分子材料３５ｂは、ディ
スペンサーによって滴下した。
【０２７５】次に、４００mm角の上下プレス板を有する
３０トンプレス機を用い、膜厚３mmのシリコンゴムシー
トを介して一体物５６を加圧した。なお、加圧時の温度
を６０℃とし、加圧力を約５kg／cm2 とした。
【０２７６】さらに、加圧を解除してプレス機から取り
出した一体物５６に、１００Ｗの高圧水銀ランプ４本で
構成されたＵＶランプによって、２分間のＵＶ光照射を
行なった。なお、ＵＶランプと一体物５６との距離を１
０cmとした。
【０２７７】次に、剥離装置を用いて平滑板５５を剥離
し、剥離した面の平坦性を触針式段差測定機で測定し
た。剥離面の凹凸は２００Å以下であった。
【０２７８】さらに、スパッタ成膜法及びフォトリソ・
エッチング法を用いて主電極３６ｂ，…を形成した。
【０２７９】ここで、下基板３０ｂにおける、主電極３
６ｂ，…を形成した側の面には、第１実施例と同様、シ
リカバインダーの中に固形成分比で１０ｗｔ％のポリシ
ロキサンを加えた混合液の５ｗｔ％溶液を、回転数１５
００ｒｐｍ、１５ｓｅｃの条件で塗布した。その後、８
０℃５分間の前乾燥を行なった後、２００℃１時間の加
熱乾燥を施した。
【０２８０】一方の上基板３０ａは、第１実施例と同様
の方法で作成した。
【０２８１】そして、同じく第１実施例と同様の方法
で、これらの上下基板３０ａ，３０ｂを貼り合わせ、基
板間隙には液晶３を注入した。
【０２８２】本実施例によれば、補助電極表面の樹脂５
２の除去が、研磨装置等を用いることなく簡単にでき、
その分製造コストを低減することができた。
【０２８３】また、本実施例によれば、上述した第１実
施例と同様の効果が得られた。 （第７実施例）本実施例においては、図７に示す液晶パ
ネルＰ4 を作成した。
【０２８４】下基板６０ｂを作成するに当たっては、透
光性基材３１ｂの表面に遮光層６１，…を形成した。こ
の遮光層６１，…には、第４実施例と同様、新日鉄化学
社製の感光性を有する樹脂材料を使用した。また、この
遮光層６１，…の形成に際しては、まず、上述した樹脂
材料を１μｍの膜厚にスピンコートし、８０℃１０分間
のプリベークを行なった。次に、露光装置を用いて露光
し、専用の現像液にて１０秒間のシャワー現像を行な
い、２００℃、３０分間のポストベーク処理を行なっ
た。
【０２８５】そして、上記第６実施例と同様の方法で、
補助電極３２ｂ，…、カラーフィルタ３３，…、並びに
高分子材料３５ｂ，…等を形成した。
【０２８６】次に、剥離装置を用いて平滑板５５を剥離
し、剥離した面の平坦性を触針式段差測定機で測定し
た。剥離面の凹凸は１００Å以下であった。
【０２８７】さらに、スパッタ成膜法及びフォトリソ・
エッチング法を用いて主電極３６ｂ，…を形成した。
【０２８８】また、上基板６０ａは、第１実施例の上基
板３０ａと同様の方法で作成した。
【０２８９】さらに、第１実施例と同様の方法で、上下
基板６０ａ，６０ｂの貼り合わせ、並びに液晶３の注入
を行い、液晶パネルＰ4 を作成した。
【０２９０】本実施例によれば、主電極間隙からの光漏
れを防止してコントラストを向上でき、表示品質を向上
できた。また、それぞれの電極（主電極＋補助電極）の
３００mm長の抵抗値を測定したところ、全ての電極が３
００Ω以下の低抵抗であることが分かった。さらに、上
述した第６実施例と同様の効果が得られた。 （第８実施例）本実施例においては、図７に示す液晶パ
ネルＰ4 を作成した。
【０２９１】下基板６０ｂを作成するに当たっては、透
光性基材３１ｂの表面に遮光層６１，…を形成した。こ
の遮光層６１，…は、第５実施例と同様、クロム膜をス
パッタ法によって８００Åの厚さに成膜し、フォトリソ
・エッチング法によってパターニングすることにより形
成した。また、この遮光層６１，…の表面には、ＳｉＯ
2 膜をスパッタ法によって１０００Åの厚さに成膜し、
これを絶縁膜６３（図９参照）とした。
【０２９２】そして、上記第６実施例と同様の方法で、
補助電極３２ｂ，…、並びに高分子材料３５ｂ，…等を
形成した。
【０２９３】また、上基板６０ａは、第１実施例の上基
板３０ａと同様の方法で作成した。
【０２９４】さらに、第１実施例と同様の方法で、上下
基板６０ａ，６０ｂの貼り合わせ、並びに液晶３の注入
を行い、液晶パネルＰ4 を作成した。
【０２９５】本実施例によれば、主電極間隙からの光漏
れを防止してコントラストを向上でき、表示品質を向上
できた。また、それぞれの電極（主電極＋補助電極）の
３００mm長の抵抗値を測定したところ、全ての電極が３
００Ω以下の低抵抗であることが分かった。さらに、上
述した第６実施例と同様の効果が得られた。 （第９実施例）本実施例においては、図４に示す液晶パ
ネルＰ4 を作成した。
【０２９６】但し、図４に示す下基板３０ｂの代わり
に、図１２に示す方法で作成した配線基板９０ｂを用い
た。
【０２９７】ここで、配線基板９０ｂの製造方法につい
て、図１２に沿って説明する。
【０２９８】まず第６実施例と同様にして、図１２(a)
に示す電極基板を作成した。
【０２９９】次に、インク受容層を形成していない状態
でインクジェット描画装置（不図示）を使用し、インク
ジェットヘッド５３と電極基板５０との位置合わせを行
なった後に、補助電極３２ｂ，…の間隙（すなわち、透
光性基材３１ｂの表面）にＲ，Ｇ，Ｂ３色の着色インク
（キヤノン社製）を打ち込む。その後、９０℃の温度で
１０分間乾燥させ、さらに２００℃の温度でポストベー
ク処理を行ない、カラーフィルタ９３を形成した。
【０３００】以下、第６実施例と同様にして図１２
（ｋ）に示す配線基板を得た。
【０３０１】また、第１実施例と同様の方法で、上基板
３０ａを作成し、上下基板６０ａ，６０ｂの貼り合わ
せ、並びに液晶３の注入を行い、液晶パネルＰ3 を作成
した。
【０３０２】本発明者がそれぞれの電極（主電極＋補助
電極）の３００mm長の抵抗値を測定したところ、全ての
電極が３００Ω以下の低抵抗であることが分かった。さ
らに、上述した第１実施例と同様の効果が得られた。
【０３０３】なお、本第９実施例にて用いた着色インク
の組成は以下の通りである。但し、スチレン−マレイン
酸樹脂の平均分子量は重量平均によるもので、各顔料の
混合比は重量基準による。また、「サンドミルでの分
散」には水を使用し、「顔料微粒子層の厚み」とはカラ
ーフィルタの厚みを意味する。
【０３０４】
【表１】 （第１０実施例）ついで、本発明の第１０実施例につい
て説明する。
【０３０５】本実施例においては、透光性基材３１ｂの
表面に遮光層６１を形成した。
【０３０６】この遮光層６１，…には、第４実施例と同
様、新日鉄化学社製の感光性を有する樹脂材料を使用し
た。また、この遮光層６１，…の形成に際しては、ま
ず、上述した樹脂材料を１μｍの膜厚にスピンコート
し、８０℃１０分間のプリベークを行なった。次に、露
光装置を用いて露光し、専用の現像液にて１０秒間のシ
ャワー現像を行ない、２００℃、３０分間のポストベー
ク処理行なった。
【０３０７】そして、上記第９実施例と同様の方法で液
晶パネルを作成した。
【０３０８】本実施例によれば、主電極間隙からの光漏
れを防止してコントラストを向上でき、表示品質を向上
できた。また、それぞれの電極（主電極＋補助電極）の
３００mm長の抵抗値を測定したところ、全ての電極が３
００Ω以下の低抵抗であることが分かった。さらに、上
述した第１実施例と同様の効果が得られた。 （第１１実施例）ついで、本発明の第１１実施例につい
て、図１３及び図１４に沿って説明する。
【０３０９】本実施例においては、図４に示す液晶パネ
ルＰ3 を作成した。
【０３１０】以下、下基板３０ｂの製造方法について、
図１３に沿って説明する。
【０３１１】まず、透光性基材３１ｂの表面にアルミニ
ウムメタル層はスパッタ法によって形成した。そして、
このメタル層にレジストを塗布し、マスク露光等を施し
てレジストのパターニングを行ない、さらにリン酸・硝
酸系エッチング液によってメタル層のエッチングを行な
った。これによって、厚さが３μｍの補助電極３２ｂ，
…を形成した（図１３(a) 参照）。
【０３１２】次に、補助電極３２ｂ，…を形成した表面
に樹脂５２をスピンコートした（同図(b) 参照）。この
樹脂５２には、ヒドロキシプロピルセルロース（日本曹
達社製、ＨＰＬ−Ｈ）５重量部、及びメチロール化メラ
ミン誘導体（住友化成社製スミテックＭ−３）５重量
部、イソプロピルアルコール５０重量部からなり、水性
インク吸収性を有するものを使用した。
【０３１３】そして、補助電極３２ｂ，…を覆っている
樹脂５２を、４００×４０×０．１mmのステンレス製の
ドクターブレードによって除去した（同図(c) 及び(d)
参照）。このようにして余分の樹脂５２を除去した後、
７０℃２０分間の熱乾燥を施すことにより、残った樹脂
５２を硬化させた。
【０３１４】次に、インクジェット描画装置（キヤノン
社製）を用いて、染料系水性インク（キヤノン社製）を
印字することにより樹脂５２を着色し、９０℃の温度で
１０分間の乾燥を行なった。その後、２００℃の温度に
てポストベーク処理を行ない、カラーフィルタ３３，…
を作成した（同図(d) 乃至(h) 参照）。
【０３１５】さらに、２液混合型エポキシ樹脂（商品名
“セメダイン Ｎｏ．１５６５”、セメダイン社製）か
らなる高分子材料３５ｂをディスペンサを用いて滴下し
た（図１４(a) 参照）。
【０３１６】そして、高分子材料３５ｂを滴下した面
に、平滑板５５を、気泡が巻き込まれないようにゆっく
りと重ね合わせて一体物５６を作成した（同図(b) 及び
(c) 参照）。なお、平滑板５５には、３００×３４０×
１．１mmの寸法で両面が研磨された青板ガラスを用い
た。また、この平滑板５５の表面には、離型剤（信越化
学社製、ＫＢＭ−７８０３）を溶剤で希釈した溶液を薄
くスピンコートしておいた。
【０３１７】さらに、４００mm角の上下プレス板を有す
る３０トンプレス機を用い、シリコンゴムシートを介し
て一体物５６を加圧した（同図(d) 及び(e) 参照）。な
お、この加圧に際しては、加圧力を約５kg／cm2 とし、
加圧時間を１５分間とし、さらに加圧温度を１４０℃と
して高分子材料３５ｂを硬化させた。
【０３１８】その後、第６実施例と同様の方法で、平滑
板５５の剥離や、主電極３６ｂ，…等の形成を行ない、
下基板３０ｂを作成した。
【０３１９】また、上基板３０ａは、第１実施例と同様
の方法で作成した。
【０３２０】さらに、第１実施例と同様の方法で、上下
３０ａ，３０ｂの貼り合わせ、及び液晶３の注入を行
い、液晶パネルＰ3 を作成した。
【０３２１】本実施例によれば、それぞれの電極（主電
極＋補助電極）の３００mm長の抵抗値は１ｋΩ以下とな
り、電圧波形の遅延が解消された。また、上述した第５
の実施の形態と同様の効果が得られた。 （第１２実施例）ついで、本発明の第１２実施例につい
て、図２２に沿って説明する。
【０３２２】本実施例においては、図４に示す液晶パネ
ルＰ3 を作成した。
【０３２３】以下、下基板３０ｂの製造方法について、
図２２に沿って説明する。
【０３２４】本実施例においては、補助電極３２ｂ，…
の形成に際して、アルミニウムメタル層はスパッタ法に
よって形成した。また、このメタル層の表面には、ポジ
型レジスト（ＡＺ６１１２、ヘキストジャパン社製）１
００重量部、フッ素系添加物（ＫＢＭ７８０３、信越化
学社製）２重量部からなる混合型の撥水性レジスト（γ
C 測定値；２８ｄｙｎ／cm2 ）をスピンコート法によっ
て１．５μｍの厚さに塗布し、その後、１００℃３０分
間のプリベークを施した。
【０３２５】さらに、フォトマスクを使用して、超高圧
水銀灯を備えた露光機により、５０ｍＪ／cm2 のエネル
ギー量で露光し、現像液（富士ハント・エレクトロニク
ス・テクノロジー社製のＭＩＦ現像液）中、６０秒のデ
ィッピングによりレジスト膜を上記パターン形状に形成
した。さらに、混酸（硝酸／りん酸／酢酸）液中、３５
℃、３分のディッピング及び純水洗浄、乾燥により、ア
ルミニウム膜をエッチングし、電極基板を得た。
【０３２６】次に、上記第１１実施例と同様の樹脂５２
をスピンコートし、７０℃２０分間の熱乾燥を行なっ
た。
【０３２７】さらに、インクジェット描画装置を用いて
樹脂５２の着色を行なった後、エチルセロソルブアセテ
ート中、３分のディッピングにより、レジスト膜１０１
を除去し、さらに９０℃１０分間の乾燥後、２００℃の
温度での加熱処理を行ない、カラーフィルタ３３を形成
した。
【０３２８】その後、電極基板におけるカラーフィルタ
３３を形成した面に、カップリング処理剤を０．１μｍ
以下の厚さにスピンコートし、クリーンオーブンで１５
０℃２０分間の熱処理して密着処理を施した。なお、カ
ップリング処理剤としては、日本ユニカー社のシランカ
ップリング剤ＡＰＺ−７３０、イソプロピルアルコール
（４０重量部）からなるものを用いた。
【０３２９】一方、高分子材料３５ｂには、ペンタエリ
スリトールトリアクリレート５０重量部、ネオペンチル
グリコールジアクリレート５０重量部、１−ヒドロキシ
シクロヘキシルフェニルケトン２重量部からなるＵＶ硬
化型樹脂組成物を用いた。
【０３３０】なお、上述した高分子材料３５ｂは、ディ
スペンサー９５を用いて滴下した。
【０３３１】その他の工程は、上述した第１１実施例と
ほぼ同様であるが、プレス機に介装させるシリコンゴム
シートの厚さを３mmとし、加圧力を約５kg／cm2 とし、
加圧時間を５分間とし、さらに加圧温度を６０℃とし
た。
【０３３２】また、加圧を解除してプレス機から取り出
した一体物５６に、１００Ｗの高圧水銀ランプ４本で構
成されたＵＶランプによって、２分間のＵＶ光照射を行
なった。なお、ＵＶランプと一体物５６との距離を１０
cmとした。
【０３３３】さらに、平滑板５５の剥離や、主電極の形
成等を行なって、配線基板を作成した。
【０３３４】本実施例によれば、それぞれの電極（主電
極＋補助電極）の３００mm長の抵抗値は１ｋΩ以下とな
り、電圧波形の遅延が解消された。また、上述した第６
の実施の形態と同様の効果が得られた。 （第１３実施例）ついで、本発明の第１３実施例につい
て、図２２に沿って説明する。
【０３３５】本実施例においては、図４に示す液晶パネ
ルＰ3 を作成した。
【０３３６】以下、下基板３０ｂの製造方法について、
図２２に沿って説明する。
【０３３７】本実施例においては、撥水性レジスト１０
１の塗布、並びに補助電極３２ｂ，…の形成までは、上
述の第１２実施例と同様の工程を実施した。
【０３３８】次に、同実施例にて用いた樹脂５２をスピ
ンコートし、乾燥し、その後、エチルセロソルブアセテ
ート中、３分のディッピングにより、レジスト膜１０１
を除去した。
【０３３９】そして、このようにレジスト膜１０１を除
去した後に、樹脂５２の着色を行なった。なお、樹脂を
着色した後は、９０℃１０分間の乾燥後、２００℃の温
度での加熱処理を行ない、カラーフィルタ３３を形成し
た。
【０３４０】また、それ以外の構成は、上記第１２実施
例と同様である。
【０３４１】本実施例によれば、撥水性レジスト１０１
を除去した後に着色を行なうため、カラーフィルタ３３
の変色等を防止でき、色再現性に優れたカラーフィルタ
を得ることができる。
【０３４２】本実施例によれば、それぞれの電極（主電
極＋補助電極）の３００mm長の抵抗値は１ｋΩ以下とな
り、電圧波形の遅延が解消された。また、上述した第６
の実施の形態と同様の効果が得られた。 （第１４実施例）ついで、本発明の第１４実施例につい
て、図１５及び図１６に沿って説明する。
【０３４３】本実施例においては、透光性基材３１ａ，
３１ｂとして、３００×３１０×１．１mmの寸法で両面
が研磨された青板ガラスを用いた。
【０３４４】また、補助電極３２ａ，…，３２ｂ，…の
ピッチを３２０μｍとした。
【０３４５】また、主電極３６ａ，…，３６ｂ，…のピ
ッチを３２０μｍとし、電極幅を３００μｍとした。
【０３４６】また、下基板３０ｂの製造に際しては、感
光性樹脂１１０として、アクリル系感光性樹脂剤（Ｖ−
２５９ＰＡ、新日鉄化学社製）を用い、塗布方法にはス
ピンコート法を用い、塗布厚さを１μｍとした。なお、
この樹脂１１０を塗布した後は、８０℃の温度で１０分
間のプリベークを施し、配線面５１とは反対の側から高
圧水銀灯にて露光した。露光終了後、現像液（Ｎａ2 Ｃ
Ｏ3 水溶液）を用いて現像し、樹脂１１０の未露光部を
溶解・除去し、純水によりリンス処理を行なった。これ
により、樹脂１１０は補助電極３２ｂ，…の間隙にのみ
残存することとなる。
【０３４７】次に、残存した樹脂１１０に、インクジェ
ット描画装置を用いて、染料をベースとしたＲ，Ｇ，Ｂ
３色の着色インクを塗布した。そして、９０℃の温度で
１０分間の乾燥を行ない、さらに２００℃の温度にて１
時間のポストベーク処理を行ない、カラーフィルタ３３
を作成した。
【０３４８】その後、カラーフィルタ３３の形成された
電極基板５０の配線面に、カップリング処理剤をスピン
コートし、クリーンオーブンで１５０℃２０分間の熱処
理して密着処理を施した。なお、カップリング処理剤と
しては、日本ユニカー社のシランカップリング剤ＡＰＺ
−７３０（１重量部）、エチルアルコール（４０重量
部）からなるものを用いた。
【０３４９】また、平滑板５５には、３００×３１０×
１．１mmの寸法で両面が研磨された青板ガラスを用い
た。
【０３５０】加圧の際には、一体物５６を１トンのロー
ルプレス機にセットした。なお、送り速度を３０cm／mi
n とし、プレス圧を７００kgとした。これにより、高分
子材料３５ｂは補助電極３２ｂ，…の表面から排除さ
れ、補助電極３２ｂ，…の間隙に充填されることとな
る。
【０３５１】さらに、１００Ｗの高圧水銀ランプ４本で
構成されたＵＶランプによって、２分間のＵＶ光照射を
行なった。
【０３５２】その他の点は第６実施例と同様である。
【０３５３】本実施例によれば、第６実施例と同様の効
果が得られた。
【０３５４】また、樹脂１１０の補助電極３２ｂ，…か
らの除去が簡単となり、製造コストが低減される。 （第１５実施例）ついで、本発明の第１５実施例につい
て、図１５及び図１６に沿って説明する。
【０３５５】下基板３０ｂの製造に際しては、感光性樹
脂１１０として、芳香族ポリアミド系の感光性樹脂剤
（ＰＡ−１０００Ｃ、宇部興産社製）を用い、塗布方法
にはスピンコート法を用い、塗布厚さを１μｍとした。
なお、この樹脂１１０を塗布した後は、８０℃の温度で
１０分間のプリベークを施し、配線面５１とは反対の側
から高圧水銀灯にて露光した。露光終了後、現像液（γ
−ブチロラクトンを主成分とする現像液）を用いて超音
波現像し、樹脂１１０の未露光部を溶解・除去し、さら
に専用のリンス液（エチルセルソルブを主成分とするリ
ンス液）によりリンス処理を行なった。その他の工程は
第１４実施例と同様とした。なお、上述の処理を行なっ
た後に補助電極３２ｂ，…の表面を顕微鏡にて確認した
ところ、樹脂１１０は該表面には残存していないことが
確認された。
【０３５６】本実施例によれば第１４実施例と同様の効
果が得られた。 （第１６実施例）ついで、本発明の第１６実施例につい
て説明する。
【０３５７】本実施例は、遮光層６１，…（図７参照）
を形成する以外は、上述の第１４実施例と同様である。
【０３５８】本実施例においては、遮光層６１，…の形
成には、樹脂ＢＭ用に開発された感光性を有する樹脂材
料（新日鉄化学社製）を用いた。そして、この樹脂材料
を１μｍの膜厚にスピンコートし、８０℃１０分間のプ
リベークを行なった。次に、樹脂材料を塗布した透光性
基材３１ｂに露光を施し、さらに、専用現像液を用いた
１０秒間のシャワー現像と、２００℃３０分間のポスト
ベーク処理を行なった。このようにして、遮光層６１，
…を形成した。
【０３５９】本実施例によれば第１４実施例と同様の効
果が得られた。
【０３６０】また、遮光層６１，…により、主電極間隙
からの光漏れがなくなり、コントラストを向上させるこ
とができた。 （第１７実施例）本実施例は、遮光層６１，…や絶縁膜
６３（図９参照）を形成する以外は、上述の第１４実施
例と同様である。
【０３６１】本実施例においては、遮光層６１，…には
Ｃｒを用いた。具体的には、スパッタ法によって透光性
基材３１ｂの表面にＣｒを８００Åの厚さに成膜し、フ
ォトリソ・エッチング法によってパターニングを行な
い、遮光層６１，…を形成した。さらに、スパッタ法に
よって該基材の表面にＳｉＯ2 を１０００Åの厚さに成
膜し、絶縁膜６３とした。
【０３６２】本実施例によれば第１４実施例と同様の効
果が得られた。 （第１８実施例）ついで、本発明の第１８実施例につい
て説明する。
【０３６３】本実施例においては、図１７に示した液晶
パネルＰ5 を作成した。
【０３６４】ここで、液晶パネルＰ5 を構成する上基板
３０ａは、第１実施例と同様の方法で作成した。
【０３６５】また、下基板１２０ｂは、図１７乃至図１
９に示すように以下の方法で作成した。
【０３６６】まず、この透光性基材３１ｂの表面にスパ
ッタ法によってクロム膜を８００Åの厚さに成膜し、フ
ォトリソ・エッチング法によってパターニングを行な
い、遮光層６１，…を形成した。
【０３６７】次に、透光性基材３１ｂの表面に樹脂１３
０を２μｍの厚さにスピンコートし、９０℃の温度で１
０分間のプリベークを行なった。
【０３６８】本実施例においては、樹脂１３０として
は、ヒドロキシプロピルセルロース（日本曹達社製、Ｈ
ＰＬ−Ｈ）５ｇ、及びメチロール化メラミン誘導体（住
友化成社製スミテックＭ−３）５ｇからなるものを用い
た。
【０３６９】次に、フォトマスクを用いたパターン露光
を行ない、遮光層６１，…によって遮光される部分のみ
を硬化させて、そのインク吸収性を消失させた。なお、
露光量は１Ｊ／cm2 とした。
【０３７０】さらに、インクジェット描画装置を用いて
樹脂１３０の着色を行ない、９０℃１０分間の乾燥、及
び２００℃１時間のポストベーク処理によって樹脂１３
０を硬化させた。これにより、カラーフィルタ１２５，
…が形成された。
【０３７１】次に、カラーフィルタ１２５の表面に保護
層１２６を形成した。この保護層１２６は、熱硬化型樹
脂（ハイコートＬＣ−２００１、三洋化成社製）を１μ
ｍの厚さにスピンコートし、２００℃の温度で１時間の
熱処理を行なうことにより形成した。
【０３７２】次に、保護層１２６の表面に補助電極３２
ｂ，…を形成した。この補助電極３２ｂ，…には、スト
ライプ形状のアルミニウムを使用し、厚さを２μｍと
し、電極幅を２０μｍとし、ピッチを３２０μｍとし
た。なお、この補助電極３２ｂ，…の形成には、スパッ
タ法とフォトリソエッチング法とを使用した。
【０３７３】その後、補助電極３２ｂ，…が形成された
面にカップリング処理剤をスピンコートし、クリーンオ
ーブンで１５０℃２０分間の熱処理して密着処理を施し
た。なお、カップリング処理剤としては、日本ユニカー
社のシランカップリング剤ＡＰＺ−７３０（１重量
部）、エチルアルコール（４０重量部）からなるものを
用いた。
【０３７４】次に、ディスペンサを用いて、補助電極３
２ｂ，…が形成された面に高分子材料３５ｂを滴下し
た。なお、高分子材料３５ｂには、ペンタエリスリトー
ルトリアクリレート５０重量部、ネオペンチルグリコー
ルジアクリレート５０重量部、１−ヒドロキシシクロヘ
キシルフェニルケトン２重量部からなるＵＶ硬化型樹脂
組成物を用いた。
【０３７５】そして、高分子材料３５ｂを滴下した面に
平滑板５５を、気泡が巻き込まれないようにゆっくりと
重ね合わせ、放置した。さらに、透光性基材３１ｂ、高
分子材料３５ｂ及び平滑板５５等によって構成された一
体物１３３を、プレス機にセットし、加圧した。
【０３７６】なお、平滑板５５には、３００×３１０mm
の寸法で両面が研磨された青板ガラスを用いた。また、
プレス機には、１トンのロールプレス機を用い、送り速
度を３０cm／min 、プレス圧を７００kgとした。
【０３７７】さらに、１００Ｗの高圧水銀ランプ４本で
構成されたＵＶランプによって、２分間のＵＶ光照射を
行ない、高分子材料３５ｂを硬化した。
【０３７８】その後、平滑板５５の剥離を行ない、さら
に、スパッタ成膜法及びフォトリソ・エッチング法を用
いて主電極３６ｂ，…を形成した。
【０３７９】なお、主電極３６ｂ，…には、ＩＴＯから
なる透明電極を用いた。この透明電極は、補助電極３２
ｂ，…に併せて、ピッチを３２０μｍとし、電極幅を３
００μｍとした。
【０３８０】次に、上基板３０ａ並びに下基板１２０ｂ
には、１００Åの厚さのポリイミド（商品名；ＬＱ１８
０２（日立化成社製））からなる配向膜１１ａ，１１ｂ
を印刷法によって形成し、それぞれにラビング処理を施
した。
【０３８１】そして、いずれか一方の配向膜１１ａ，１
１ｂの表面には、１．５μｍ径のシリカビーズからなる
スペーサ１２１，…を散布し、これらの基板３０ａ，１
２０ｂを、ラビングが同一方向となるように貼り合わせ
た。その後、基板３０ａ，１２０ｂの間隙には強誘電性
液晶３（商品名；ＣＳ１０１４（チッソ社製））を注入
した。
【０３８２】さらに、偏光子１２７ａ，１２７ｂを、互
いにクロスニコルとなるように、上下基板３０ａ，１２
０ｂの外面に貼付し、バックライトを上基板３０ａ側に
置いて下基板１２０ｂ側から表示画像を観察した。
【０３８３】本実施例によれば、第１実施例と同様の効
果が得られた。
【０３８４】また、実際に製造した液晶パネルを駆動し
たところ、液晶の反転が均一となり、表示品質が向上さ
れていることが確認できた。 （第１９実施例）ついで、本発明の第１９実施例につい
て説明する。
【０３８５】本実施例においては、図１７に示した液晶
パネルＰ5 を作成した。
【０３８６】ここで、液晶パネルＰ5 を構成する上基板
３０ａは、第１実施例と同様の方法で作成した。
【０３８７】また、下基板１２０ｂは、図２１に示すよ
うに以下の方法で作成した。
【０３８８】下基板１２０ｂの製造に際しては、上述し
た第１８実施例と同様の方法で、透光性基材３１ｂの表
面に遮光層６１，…を形成した。
【０３８９】次に、Ｒ，Ｇ，Ｂ３色のカラーフィルタを
順に形成した。
【０３９０】まず、スピナー塗布法によって、遮光層６
１，…を形成した側の面に、グリーン色の感光性着色樹
脂液１６０Ｇを１．５μｍの厚さに塗布した。次に、こ
の感光性着色樹脂液１６０Ｇを塗布した透光性基材３１
ｂに、７０℃３０分間のプリベーク処理を施し、パター
ンマスクと高圧水銀灯によって部分露光を施した。
【０３９１】その後、専用の現像液（Ｎ−メチル−２−
ピロリドンを主成分とする現像液）と超音波とを用いて
現像処理を施し、感光性着色樹脂液１６０Ｇの未露光部
のみを溶解した。さらに、専用リンス液（１、１、１−
トリクロロエタンを主成分とするリンス液）を用いてリ
ンス処理を行ない、その後、１５０℃３０分間のポスト
ベーク処理を施してグリーン色のカラーフィルタ１２５
（Ｇ）を得た。
【０３９２】そして、このような処理を他の色について
も実施し、レッド色やブルー色のカラーフィルタ１２５
（Ｒ），１２５（Ｂ）を得た。
【０３９３】なお、グリーン色の感光性着色樹脂液１６
０Ｇには、［リオノールグリーン（Ｌｉｏｎｏｌ Ｇｒ
ｅｅｎ）ＧＹＫ（商品名、東洋インキ社製、Ｃ．Ｉ．Ｎ
ｏ．７４２６５）］を、ＰＡ−１０００（商品名、宇部
興産社製、ポリマー分＝１０％、溶剤：Ｎ−メチル−２
−ピロリドン、顔料：ポリマー＝１：２）に分散させて
作成したものを用いた。また、レッド色の感光性着色樹
脂液１６０Ｒには、［イルガジン レッド（Ｉｒｇａｇ
ｉｎ Ｒｅｄ）ＢＲＴ（商品名、チバガイギー社製、
Ｃ．Ｉ．Ｎｏ．７１１２７）］を、ＰＡ−１０００（商
品名、宇部興産社製、ポリマー分＝１０％、溶剤：Ｎ−
メチル−２−ピロリドン、顔料：ポリマー＝１：２）に
分散させて作成したものを用いた。さらに、ブルー色の
感光性着色樹脂液１６０Ｂには、［ヘリオゲン ブルー
（Ｈｅｌｉｏｇｅｎ Ｂｌｕｅ）Ｌ７０８０（商品名、
ＢＡＳＦ社製、Ｃ．Ｉ．Ｎｏ．７４１６０）］を、ＰＡ
−１０００（商品名、宇部興産社製、ポリマー分＝１０
％、溶剤：Ｎ−メチル−２−ピロリドン、顔料：ポリマ
ー＝１：２）に分散させて作成したものを用いた。
【０３９４】その後、上述した第１８実施例と同様の工
程を実施し、保護層１２６や補助電極３２ｂ，…等を形
成した。
【０３９５】次に、上基板３０ａ並びに下基板１２０ｂ
には、１００Åの厚さのポリイミド（商品名；ＬＱ１８
０２（日立化成社製））からなる配向膜１１ａ，１１ｂ
を印刷法によって形成し、それぞれにラビング処理を施
した。
【０３９６】そして、いずれか一方の配向膜１１ａ，１
１ｂの表面には、１．５μｍ径のシリカビーズからなる
スペーサ１２１，…を散布し、これらの基板３０ａ，１
２０ｂを、ラビングが同一方向となるように貼り合わせ
た。その後、基板３０ａ，１２０ｂの間隙には強誘電性
液晶３（商品名；ＣＳ１０１４（チッソ社製））を注入
した。
【０３９７】そして、偏光子１２７ａ，１２７ｂを、互
いにクロスニコルとなるように、上下基板３０ａ，１２
０ｂの外面に貼付し、バックライトを上基板３０ａ側に
置いて下基板１２０ｂ側から表示画像を観察した。
【０３９８】本実施例によれば、上記第１８実施例と同
様の効果が得られた。
【０３９９】また、実際に製造した液晶パネルを駆動し
たところ、液晶の反転が均一となり、表示品質が向上さ
れていることが確認できた。
【０４００】さらに、主電極間隙からの光漏れが遮光層
６１，…によって防止されると共に、外光の反射（観察
者側から照射された光の反射）が遮光層６１，…やカラ
ーフィルタ１２５，…によって防止され、その結果、コ
ントラストを１００以上に向上させることができた。 （第２０実施例）本実施例においては、図１７に示した
液晶パネルＰ5 を作成した。
【０４０１】但し、下基板１２０ｂについては、主電極
３６ｂ，…までを第１８実施例と同様の方法で作成する
と共に、主電極３６ｂ，…を形成した側の面には、シリ
カバインダー（高温焼成でＳｉＯ2 になるゾルゲル系の
塗布型膜）の中に固形成分比で１０ｗｔ％のポリシロキ
サンを加えた混合液の５ｗｔ％溶液を、回転数１５００
ｒｐｍ、１５ｓｅｃの条件で塗布した。その後、８０℃
５分間の前乾燥を行なった後、２００℃１時間の加熱乾
燥を施し、その膜厚が１５００Åとなるようにした。
【０４０２】また、上基板３０ａについては、主電極３
６ａ，…までを第１実施例と同様の方法で作成すると共
に、主電極３６ａ，…を形成した側の面には、下記繰り
返し単位を有する化合物の前駆体の０．５ｗｔ％溶液
を、１ｓｔ回転５００ｒｐｍ１０ｓｅｃ、２ｎｄ回転１
５００ｒｐｍ３０ｓｅｃの条件で塗布した。
【０４０３】
【化２６】 その後、８０℃５分間の前乾燥を行なった後、２５０℃
１時間の加熱乾燥を施した。尚、膜厚を５０Åとした。
そして、一軸配向処理としてナイロン布によるラビング
処理を施した。
【０４０４】そして、これら上下基板３０ａ，１２０ｂ
を、粒径２μｍのシリカビーズを散布した上で貼り合わ
せた。さらに、下記構造式の強誘電性液晶３を基板間隙
に等方相下で真空注入し、液晶パネルを１℃／min の冷
却速度で徐冷することにより液晶３を配向させた。
【０４０５】
【化２７】 そして、偏光子１２７ａ，１２７ｂを、互いにクロスニ
コルとなるように、上下基板３０ａ，１２０ｂの外面に
貼付し、バックライトを上基板３０ａ側に置いて下基板
１２０ｂ側から表示画像を観察した。
【０４０６】本実施例によれば上記第１８実施例と同様
の効果が得られた。
【０４０７】また、実際に製造した液晶パネルを駆動し
たところ、液晶の反転が均一となり、表示品質が向上さ
れていることが確認できた。
【０４０８】さらに、主電極間隙からの光漏れが遮光層
６１，…によって防止されると共に、外光の反射（観察
者側から照射された光の反射）が遮光層６１，…やカラ
ーフィルタ１２５，…によって防止され、その結果、コ
ントラストを１００以上に向上させることができた。
【０４０９】またさらに、本実施例にて製造した液晶パ
ネルは、液晶がブックシェルフ構造、或はそれに近い層
の傾きの小さな構造の液晶層を安定して取り、且つ優れ
た配向状態を取り、上下ショートのない、ムラの無い配
向を取り得るので、高コントラストであり高速応答性に
優れ、高精細、高輝度であった。
【０４１０】なお、本発明者は、上述した実施例の効果
を確認すべく実験を行なった。以下、その実験の内容に
ついて説明する。
【０４１１】上記第１８実施例と同様の方法で液晶パネ
ルを製造し、バックライトを、上記第１８実施例とは反
対の基板、すなわち、下基板１２０ｂ側に置き、上基板
３０ａ側から表示画像を観察した。
【０４１２】そして、液晶パネルのコントラストを測定
したところ、観察者側の基板（上基板３０ａ）の電極の
厚みが厚いために、上基板３０ａ表面からの反射光だけ
でなく、上基板３０ａ側面からの反射光の影響が加わ
り、より多くの反射光の影響によりコントラストが５０
にまで低下した。
【０４１３】なお、コントラスト向上のために上基板３
０ａに遮光層を設けたところ、補助電極からの反射光を
防ぐことができ、コントラストは、上記第１８実施例と
同等の９０にまで改善された。しかしながら、遮光層を
設けることで開口率が減少し、透過率が減少した。ま
た、遮光層形成というプロセスが新たに加わるために、
該基板の製造コストが第１実施例の倍になった。さら
に、この基板を用いた液晶パネルは、第１８実施例に比
べ、５０％のコスト上昇を引き起こした。 （第２１実施例）本実施例においては、図１７に示した
液晶パネルＰ5 を作成した。
【０４１４】但し、下基板１２０ｂについては、主電極
３６ｂ，…までを第１９実施例と同様の方法で作成する
と共に、主電極３６ｂ，…を形成した側の面には、シリ
カバインダー（高温焼成でＳｉＯ2 になるゾルゲル系の
塗布型膜）の中に固形成分比で１０ｗｔ％のポリシロキ
サンを加えた混合液の５ｗｔ％溶液を、回転数１５００
ｒｐｍ、１５ｓｅｃの条件で塗布した。その後、８０℃
５分間の前乾燥を行なった後、２００℃１時間の加熱乾
燥を施し、その膜厚が１５００Åとなるようにした。
【０４１５】また、上基板３０ａについては、主電極３
６ａ，…までを第１実施例と同様の方法で作成すると共
に、主電極３６ａ，…を形成した側の面には、下記繰り
返し単位を有する化合物の前駆体の０．５ｗｔ％溶液
を、１ｓｔ回転５００ｒｐｍ１０ｓｅｃ、２ｎｄ回転１
５００ｒｐｍ３０ｓｅｃの条件で塗布した。
【０４１６】
【化２８】 その後、８０℃５分間の前乾燥を行なった後、２５０℃
１時間の加熱乾燥を施した。尚、膜厚を５０Åとした。
そして、一軸配向処理としてナイロン布によるラビング
処理を施した。
【０４１７】そして、これら上下基板３０ａ，１２０ｂ
を、粒径２μｍのシリカビーズを散布した上で貼り合わ
せた。さらに、上記実施例にて用いた強誘電性液晶３を
基板間隙に等方相下で真空注入し、液晶パネルを１℃／
min の冷却速度で徐冷することにより液晶３を配向させ
た。
【０４１８】そして、偏光子１２７ａ，１２７ｂを、互
いにクロスニコルとなるように、上下基板３０ａ，１２
０ｂの外面に貼付し、バックライトを上基板３０ａ側に
置いて下基板１２０ｂ側から表示画像を観察した。
【０４１９】本実施例によれば上記第１９実施例と同様
の効果が得られた。
【０４２０】また、実際に製造した液晶パネルを駆動し
たところ、液晶の反転が均一となり、表示品質が向上さ
れていることが確認できた。
【０４２１】さらに、主電極間隙からの光漏れが遮光層
６１，…によって防止されると共に、外光の反射（観察
者側から照射された光の反射）が遮光層６１，…やカラ
ーフィルタ１２５，…によって防止され、その結果、コ
ントラストを１００以上に向上させることができた。
【０４２２】またさらに、本実施例にて製造した液晶パ
ネルは、液晶がブックシェルフ構造、或はそれに近い層
の傾きの小さな構造の液晶層を安定して取り、且つ優れ
た配向状態を取り、上下ショートのない、ムラの無い配
向を取り得るので、高コントラストであり高速応答性に
優れ、高精細、高輝度であった。
【０４２３】なお、本発明者は、上述した実施例の効果
を確認すべく実験を行なった。以下、その実験の内容に
ついて説明する。
【０４２４】上記第１８実施例と同様の方法で液晶パネ
ルを製造し、バックライトを、上記第１８実施例とは反
対の基板、すなわち、下基板１２０ｂ側に置き、上基板
３０ａ側から表示画像を観察した。
【０４２５】そして、液晶パネルのコントラストを測定
したところ、観察者側の基板（上基板３０ａ）の電極の
厚みが厚いために、上基板３０ａ表面からの反射光だけ
でなく、上基板３０ａ側面からの反射光の影響が加わ
り、より多くの反射光の影響によりコントラストが５０
にまで低下した。
【０４２６】なお、コントラスト向上のために上基板３
０ａに遮光層を設けたところ、補助電極からの反射光を
防ぐことができ、コントラストは、上記第１８実施例と
同等の９０にまで改善された。しかしながら、遮光層を
設けることで開口率が減少し、透過率が減少した。ま
た、遮光層形成というプロセスが新たに加わるために、
該基板の製造コストが第１実施例の倍になった。さら
に、この基板を用いた液晶パネルは、第１８実施例に比
べ、５０％のコスト上昇を引き起こした。
【０４２７】なお、上記第１８〜２１実施例において、
下基板として、第１〜１７実施例で作成した基板を用い
ても良好な結果が得られた。
【０４２８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
主電極及び補助電極に信号を印加して駆動することによ
り電圧波形の遅延を解消できる。
【０４２９】また、本発明によれば、補助電極及び絶縁
層によって形成される面に主電極を形成することによ
り、該主電極の表面に配向膜を形成しても、該配向膜は
ほぼ平坦となる。したがって、ラビング処理を均一にで
き、製造された液晶素子は配向欠陥のないものとなる。
さらに、補助電極を厚く形成することが可能となり、よ
り一層電圧波形の遅延を解消できる。
【０４３０】またさらに、補助電極は絶縁層によって被
覆されてはいないため、該絶縁層に、補助電極と主電極
との導通のためのスルーホールを形成する必要がない。
したがって、スルーホール形成のための工程及び装置を
不要とし、その分、製造工程が簡単となり、製造コスト
が低減される。また、製造歩留りの低下も回避できる。
【０４３１】また、本発明によれば、補助電極の表面全
体が露出されていることから、補助電極と主電極との接
触面積が大きくなってそれらの導通が取れ易くなり、電
圧波形の遅延等の問題をより一層解消できる。
【０４３２】さらに、カラーフィルタは絶縁層によって
被覆されているため、製造工程にて加えられる熱等から
カラーフィルタが保護される。したがって、カラーフィ
ルタの変色等が防止される。
【０４３３】また、絶縁層は、上述のようにカラーフィ
ルタを保護する機能と、補助電極と共に平坦な面を形成
する機能とを発揮するため、第１の基板自体の構成が簡
単となり、その結果、製造が簡単となって製造コストを
低減することができる。
【０４３４】さらに、補助電極がカラーフィルタの色分
離層としての役割を果たすため、液晶素子の画像が鮮明
となる。
【０４３５】またさらに、主電極相互の間隙に遮光層を
設けた場合には、主電極間からの光漏れが防止され、表
示画面のコントラストは向上して表示品位の優れたもの
となる。
【０４３６】一方、カラーフィルタを形成する工程にお
いて、レジスト除去液によるフォトレジストの除去に伴
って補助電極の表面が露出されるようにした場合には、
該補助電極表面に付着した樹脂層を除去するための特別
の装置を不要とし、その分製造コストを低減できる。な
お、このような効果は、前記フォトレジストに撥水性レ
ジストを用いても得ることができる。
【０４３７】また、カラーフィルタを形成する工程にお
いて、感光性樹脂層を用いると共に、補助電極の間隙に
配置された樹脂層のみを硬化させるようにした場合に
は、補助電極表面に付着した樹脂層の除去が容易とな
り、液晶素子の製造が容易となる。この場合、透光性基
材における、補助電極の形成されていない側の面から光
を照射することにより、補助電極の間隙に配置された樹
脂層のみの硬化を簡単に達成できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の液晶パネルの構造を示す図。
【図２】金属電極の厚み−波形遅延量−駆動周波数の関
係を示す図。
【図３】従来の液晶パネルの構造を示す図。
【図４】本発明に係る液晶パネルの構造を示す断面図。
【図５】本発明の第１の実施の形態に係る液晶パネルの
製造方法を示す図。
【図６】本発明の第１の実施の形態に係る液晶パネルの
製造方法を示す図。
【図７】本発明に係る液晶パネルの構造を示す断面図。
【図８】本発明の第２の実施の形態に係る液晶パネルの
製造方法を示す図。
【図９】本発明の第２の実施の形態に係る液晶パネルの
製造方法を示す図。
【図１０】本発明の第３の実施の形態に係る液晶パネル
の製造方法を示す図。
【図１１】本発明の第３の実施の形態に係る液晶パネル
の製造方法を示す図。
【図１２】本発明の第４の実施の形態に係る液晶パネル
の製造方法を示す図。
【図１３】本発明の第５の実施の形態に係る液晶パネル
の製造方法を示す図。
【図１４】本発明の第５の実施の形態に係る液晶パネル
の製造方法を示す図。
【図１５】本発明の第７の実施の形態に係る液晶パネル
の製造方法を示す図。
【図１６】本発明の第７の実施の形態に係る液晶パネル
の製造方法を示す図。
【図１７】本発明の第８の実施の形態に係る液晶パネル
の構造を示す図。
【図１８】第８の実施の形態に係る下基板の製造方法を
示す図。
【図１９】第８の実施の形態に係る下基板の製造方法を
示す図。
【図２０】第８の実施の形態に係る上基板の製造方法を
示す図。
【図２１】第９の実施の形態に係る下基板の製造方法を
示す図。
【図２２】本発明の第６の実施の形態に係る液晶パネル
の製造方法を示す図。
【符号の説明】
３ 液晶組成物 １１ａ，１１ｂ 配向膜 ３０ａ 配線基板（第２の基板） ３０ｂ 配線基板（第１の基板） ３１ａ，３１ｂ ガラス基板（透光性基材） ３２ａ，３２ｂ 金属電極（補助電極） ３３ カラーフィルタ ３５ａ，３５ｂ 高分子材料（絶縁層） ３６ａ，３６ｂ 透明電極（主電極） ５２ 樹脂層 ５５ 平滑板 ６０ａ 配線基板（第２の基板） ６０ｂ 配線基板（第１の基板） ６１ 遮光層 ７０ メタル層（導電膜） ７１ フォトレジスト ７５ 着色インク ９２ 着色インク ９３ カラーフィルタ １００ ドクターブレード（ブレード） １０１ 撥水性レジスト １１０ 感光性樹脂 １２０ｂ 配線基板（第１の基板） １２２ａ，１２２ｂ ガラス基板（透光性基材） １２３ 遮光層 １２５ カラーフィルタ １２６ 保護層 １３０ 樹脂層 Ｐ3 液晶パネル（液晶素子） Ｐ4 液晶パネル（液晶素子） Ｐ5 液晶パネル（液晶素子）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０２Ｆ 1/1343 Ｇ０２Ｆ 1/1343 (72)発明者 友野 晴夫 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 松尾 雄二 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 坪山 明 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 高尾 英昭 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 都築 英寿 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 佐藤 公一 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 稲葉 豊 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内

Claims (38)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 対向する第１の基板と第２の基板との間
    に液晶組成物を挟持した液晶素子において、 前記第１の基板は、 透光性基材と、 主電極と該主電極の透光性基材側の少なくとも一部に電
    気的に接続した補助電極とからなる複数の電極と、 前記複数の補助電極相互の間隙の前記透光性基材上に形
    成された複数のカラーフィルタと、 前記複数の補助電極の間隙の前記複数のカラーフィルタ
    上に形成された絶縁層と、を少なくとも備えた基板であ
    り、かつ、 前記液晶組成物は、フルオロカーボン末端部分及び炭化
    水素末端部分を有し、該両末端部分が中心核によって結
    合され、スメクティック中間相又は潜在的スメクティッ
    ク中間相を持つフッ素含有液晶化合物を含有する、 ことを特徴とする液晶素子。
  2. 【請求項２】 前記フッ素含有液晶化合物におけるフル
    オロカーボン末端部分が、−Ｄ１−ＣｘａＦ２ｘａ−Ｘ
    で表わされる基である請求項１記載の液晶素子。（但
    し、上記式中ｘａは１〜２０であり、Ｘは−Ｈ又は−Ｆ
    を表わし、Ｄ１は、−ＣＯ−Ｏ−（ＣＨ２）ｒａ−、−
    Ｏ−（ＣＨ２）ｒａ−、−（ＣＨ２）ｒａ−、−Ｏ−Ｓ
    Ｏ２−、−ＳＯ２−、−ＳＯ２−（ＣＨ２）ｒａ−、−
    Ｏ−（ＣＨ２）ｒａ−Ｏ−（ＣＨ２）ｒｂ−、−（ＣＨ
    ２）ｒａ−Ｎ（ＣｐａＨ２ｐａ＋１）−ＳＯ２−、又は
    −（ＣＨ２）ｒａ−Ｎ（ＣｐａＨ２ｐａ＋１）−ＣＯ−
    を表わす。ｒａ及びｒｂは、独立に１〜２０であり、ｐ
    ａは０〜４である。）
  3. 【請求項３】 前記フッ素含有液晶化合物におけるフル
    オロカーボン末端部分が、−Ｄ２−（ＣｘｂＦ２ｘｂ−
    Ｏ）ｚａ−ＣｙａＦ２ｙａ＋１で表わされる基である請
    求項１記載の液晶素子。（但し、上記式中ｘｂはそれぞ
    れの（ＣｘｂＦ２ｘｂ−Ｏ）に独立に１〜１０であり、
    ｙａは、１〜１０であり、ｚａは１〜１０であり、Ｄ２
    は、−ＣＯ−Ｏ−ＣｒｃＨ２ｒｃ−、−Ｏ−ＣｒｃＨ
    ２ｒｃ−、−ＣｒｃＨ２ｒｃ−、−Ｏ−（ＣｓａＨ
    ２ｓａ−Ｏ）ｔａ−ＣｒｄＨ２ｒｄ−、−Ｏ−ＳＯ
    ２−、−ＳＯ２−、−ＳＯ２−ＣｒｃＨ２ｒｃ−、−Ｃ
    ｒｃＨ２ｒｃ−Ｎ（ＣｐｂＨ２ｐｂ＋１）−ＳＯ２−、
    −ＣｒｃＨ２ｒｃ−Ｎ（ＣｐｂＨ２ｐｂ＋１）−ＣＯ
    −、単結合から選ばれ、ｒｃ及びｒｄはそれぞれ独立に
    １〜２０であり、ｓａはそれぞれの（ＣｓａＨ２ｓａ−
    Ｏ）に独立に１〜１０であり、ｔａは１〜６であり、ｐ
    ｂは０〜４である。）
  4. 【請求項４】 前記フッ素含有液晶化合物が、下記一般
    式（Ｉ）で表わされる請求項１記載の液晶素子。 【化１】 を表わす。ｇａ、ｈａ、ｉａは独立に０〜３の整数（但
    し、ｇａ＋ｈａ＋ｉａは少なくとも２である）を表わ
    す。夫々のＬ１とＬ２は独立に、単結合、−ＣＯ−Ｏ
    −、−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＯＳ−、−Ｓ−ＣＯ−、−ＣＯ
    −Ｓｅ−、−Ｓｅ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｔｅ−、−Ｔｅ−
    ＣＯ−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ
    −、−ＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ２−Ｏ−、−
    Ｏ−ＣＨ２−、−ＣＯ−又は−Ｏ−を表わす。夫々のＸ
    １、Ｙ１、Ｚ１はＡ１、Ａ２、Ａ３の置換基であり、独
    立に−Ｈ、−Ｃｌ、−Ｆ、−Ｂｒ、−Ｉ、−ＯＨ、−Ｏ
    ＣＨ３、−ＣＨ３、−ＣＮ、又は−ＮＯ２を表わし、夫
    々のｊａ、ｍａ、ｎａは独立に０〜４の整数を表わす。
    Ｊ１は、−ＣＯ−Ｏ−（ＣＨ２）ｒａ−、−Ｏ−（ＣＨ
    ２）ｒａ−、−（ＣＨ２）ｒａ−、−Ｏ−ＳＯ２−、−
    ＳＯ２−、−ＳＯ２−（ＣＨ２）ｒａ−、−Ｏ−（ＣＨ
    ２）ｒａ−Ｏ−（ＣＨ２）ｒｂ−、−（ＣＨ２）ｒａ−
    Ｎ（ＣｐａＨ２ｐａ＋１）−ＳＯ２−、又は−（Ｃ
    Ｈ２）ｒａ−Ｎ（ＣｐａＨ２ｐａ＋１）−ＣＯ−を表わ
    す。ｒａ及びｒｂは、独立に１〜２０であり、ｐａは０
    〜４である。Ｒ１は、−Ｏ−ＣｑａＨ２ｑａ−Ｏ−Ｃ
    ｑｂＨ２ｑｂ＋１、−ＣｑａＨ２ｑａ−Ｏ−ＣｑｂＨ
    ２ｑｂ＋１、−ＣｑａＨ２ｑａ−Ｒ３、−Ｏ−ＣｑａＨ
    ２ｑａ−Ｒ３、−ＣＯ−Ｏ−ＣｑａＨ２ｑａ−Ｒ３、又
    は−Ｏ−ＣＯ−ＣｑａＨ２ｑａ−Ｒ３を表わし、直鎖
    状、分岐状のいずれであっても良い（但し、Ｒ３は、−
    Ｏ−ＣＯ−ＣｑｂＨ２ｑｂ＋１、−ＣＯ−Ｏ−ＣｑｂＨ
    ２ｑｂ＋１、−Ｈ、−Ｃｌ、−Ｆ、−ＣＦ３、−Ｎ
    Ｏ２、−ＣＮを表わし、ｑａ及びｑｂは独立に１〜２０
    である）。Ｒ２はＣｘａＦ２ｘａ−Ｘを表わす（Ｘは−
    Ｈ又は−Ｆを表わし、ｘａは１〜２０の整数であ
    る）。〕
  5. 【請求項５】 前記フッ素含有液晶化合物が、下記一般
    式（ＩＩ）で表わされる請求項１記載の液晶素子。 【化２】 を表わす。ｇｂ、ｈｂ、ｉｂはそれぞれ独立に０〜３の
    整数（但し、ｇｂ＋ｈｂ＋ｉｂは少なくとも２である）
    を表わす。夫々のＬ３、Ｌ４は独立に、単結合、−ＣＯ
    −Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−Ｓ−ＣＯ−、
    −ＣＯ−Ｓｅ−、−Ｓｅ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｔｅ−、−
    Ｔｅ−ＣＯ−、−（ＣＨ２ＣＨ２）ｋａ−（ｋａは１〜
    ４）、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ＝Ｎ−、−
    Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ２−Ｏ−、−Ｏ−ＣＨ２−、−ＣＯ
    −又は−Ｏ−を表わす。夫々のＸ２、Ｙ２、Ｚ２は
    Ａ４、Ａ５、Ａ６の置換基であり、独立に−Ｈ、−Ｃ
    ｌ、−Ｆ、−Ｂｒ、−Ｉ、−ＯＨ、−ＯＣＨ３、−ＣＨ
    ３、−ＣＦ３、−ＯＣＦ３、−ＣＮ、又は−ＮＯ２を表
    わし、夫々のｊｂ、ｍｂ、ｎｂは独立に０〜４の整数を
    表わす。Ｊ２は、−ＣＯ−Ｏ−ＣｒｃＨ２ｒｃ−、−Ｏ
    −ＣｒｃＨ２ｒｃ−、−ＣｒｃＨ２ｒｃ−、−Ｏ−（Ｃ
    ｓａＨ２ｓａ−Ｏ）ｔａ−ＣｒｄＨ２ｒｄ−、−Ｏ−Ｓ
    Ｏ２−、−ＳＯ２−、−ＳＯ２−ＣｒｃＨ２ｒｃ−、−
    ＣｒｃＨ２ｒｃ−Ｎ（ＣｐｂＨ２ｐｂ＋１）−ＳＯ
    ２−、−ＣｒｃＨ２ｒｃ−Ｎ（ＣｐｂＨ２ｐｂ＋１）−
    ＣＯ−であり、ｒｃ及びｒｄは独立に１〜２０であり、
    ｓａはそれぞれの（Ｃ ｓａＨ２ｓａ−Ｏ）に独立に１〜
    １０であり、ｔａは１〜６であり、ｐｂは０〜４であ
    る。Ｒ４は、−Ｏ−（ＣｑｃＨ２ｑｃ−Ｏ）ｗａ−Ｃ
    ｑｄＨ２ｑｄ＋１、−（ＣｑｃＨ２ｑｃ−Ｏ）ｗａ−Ｃ
    ｑｄＨ２ｑｄ＋１、−ＣｑｃＨ２ｑｃ−Ｒ６、−Ｏ−Ｃ
    ｑｃＨ２ｑｃ−Ｒ６、−ＣＯ−Ｏ−ＣｑｃＨ２ｑｃ−Ｒ
    ６、又は−Ｏ−ＣＯ−ＣｑｃＨ２ｑｃ−Ｒ６を表わし、
    直鎖状、分岐状のいずれであっても良い（但し、Ｒ６は
    −Ｏ−ＣＯ−ＣｑｄＨ２ｑｄ＋１、−ＣＯ−Ｏ−Ｃｑｄ
    Ｈ２ｑｄ＋１、−Ｃｌ、−Ｆ、−ＣＦ３、−ＮＯ２、−
    ＣＮ、又は−Ｈを表わし、ｑｃ及びｑｄは独立に１〜２
    ０の整数、ｗａは１〜１０の整数である）。Ｒ５は、
    （ＣｘｂＦ２ｘｂ−Ｏ）ｚａ−ＣｙａＦ２ｙａ＋１で表
    わされる（但し、上記式中ｘｂはそれぞれの（ＣｘｂＦ
    ２ｘｂ−Ｏ）に独立に１〜１０であり、ｙａは１〜１０
    であり、ｚａは１〜１０である）。〕
  6. 【請求項６】 前記絶縁層は高分子材料からなる、請求
    項１記載の液晶素子。
  7. 【請求項７】 前記高分子材料は紫外線硬化型の樹脂で
    ある、請求項６記載の液晶素子。
  8. 【請求項８】 前記主電極は透明電極である、請求項１
    記載の液晶素子。
  9. 【請求項９】 前記主電極は、インジウム錫酸化物から
    なる請求項１記載の液晶素子。
  10. 【請求項１０】 前記透光性基材の主電極相互の間隙に
    対応する位置に遮光層を有する請求項８又は９記載の液
    晶素子。
  11. 【請求項１１】 前記補助電極は金属乃至合金からなる
    請求項１記載の液晶素子。
  12. 【請求項１２】 前記補助電極が、銅、銀、アルミニウ
    ム、クロム、モリブデン、タンタル、ニッケルのいずれ
    かを含有する請求項１記載の液晶素子。
  13. 【請求項１３】 対向する第１の基板と第２の基板との
    間に液晶組成物を挟持してなる液晶素子において、 前記第１の基板は、 透光性基材と、 該透光性基材の表面に形成された複数のカラーフィルタ
    と、 該カラーフィルタの表面に形成された保護層と、 該保護層の表面に形成された複数の補助電極と、 該複数の補助電極相互の間隙に該保護層に接するように
    形成された絶縁層と、 該補助電極と該絶縁層との上に、少なくとも一部が各補
    助電極に電気的に接続するように形成された主電極と、
    を備えた基板であり、かつ、 前記液晶組成物は、フルオロカーボン末端部分及び炭化
    水素末端部分を有し、該両末端部分が中心核によって結
    合され、スメクティック中間相又は潜在的スメクティッ
    ク中間相を持つフッ素含有液晶化合物を含有する、 ことを特徴とする液晶素子。
  14. 【請求項１４】 前記フッ素含有液晶化合物におけるフ
    ルオロカーボン末端部分が、−Ｄ１−ＣｘａＦ２ｘａ−
    Ｘで表わされる基である請求項１３記載の液晶素子。
    （但し、上記式中ｘａは１〜２０であり、Ｘは−Ｈ又は
    −Ｆを表わし、Ｄ１は、−ＣＯ−Ｏ−（ＣＨ２）
    ｒａ−、−Ｏ−（ＣＨ２）ｒａ−、−（ＣＨ２）
    ｒａ−、−Ｏ−ＳＯ２−、−ＳＯ２−、−ＳＯ２−（Ｃ
    Ｈ２）ｒａ−、−Ｏ−（ＣＨ２）ｒａ−Ｏ−（ＣＨ２）
    ｒｂ−、−（ＣＨ２）ｒａ−Ｎ（ＣｐａＨ２ｐａ＋１）
    −ＳＯ２−、又は−（ＣＨ２）ｒａ−Ｎ（ＣｐａＨ
    ２ｐａ＋１）−ＣＯ−を表わす。ｒａ及びｒｂは、独立
    に１〜２０であり、ｐａは０〜４である。）
  15. 【請求項１５】 前記フッ素含有液晶化合物におけるフ
    ルオロカーボン末端部分が、−Ｄ２−（ＣｘｂＦ２ｘｂ
    −Ｏ）ｚａ−ＣｙａＦ２ｙａ＋１で表わされる基である
    請求項１３記載の液晶素子。（但し、上記式中ｘｂはそ
    れぞれの（ＣｘｂＦ２ｘｂ−Ｏ）に独立に１〜１０であ
    り、ｙａは、１〜１０であり、ｚａは１〜１０であり、
    Ｄ２は、−ＣＯ−Ｏ−ＣｒｃＨ２ｒｃ−、−Ｏ−Ｃｒｃ
    Ｈ２ｒｃ−、−ＣｒｃＨ２ｒｃ−、−Ｏ−（ＣｓａＨ
    ２ｓａ−Ｏ）ｔａ−ＣｒｄＨ２ｒｄ−、−Ｏ−ＳＯ
    ２−、−ＳＯ２−、−ＳＯ２−ＣｒｃＨ２ｒｃ−、−Ｃ
    ｒｃＨ２ｒｃ−Ｎ（ＣｐｂＨ２ｐｂ＋１）−ＳＯ２−、
    −ＣｒｃＨ２ｒｃ−Ｎ（ＣｐｂＨ２ｐｂ＋１）−ＣＯ
    −、単結合から選ばれ、ｒｃ及びｒｄはそれぞれ独立に
    １〜２０であり、ｓａはそれぞれの（Ｃ ｓａＨ２ｓａ−
    Ｏ）に独立に１〜１０であり、ｔａは１〜６であり、ｐ
    ｂは０〜４である。）
  16. 【請求項１６】 前記フッ素含有液晶化合物が、下記一
    般式（Ｉ）で表わされる請求項１３記載の液晶素子。 【化３】 を表わす。ｇａ、ｈａ、ｉａは独立に０〜３の整数（但
    し、ｇａ＋ｈａ＋ｉａは少なくとも２である）を表わ
    す。夫々のＬ１とＬ２は独立に、単結合、−ＣＯ−Ｏ
    −、−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＯＳ−、−Ｓ−ＣＯ−、−ＣＯ
    −Ｓｅ−、−Ｓｅ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｔｅ−、−Ｔｅ−
    ＣＯ−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ
    −、−ＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ２−Ｏ−、−
    Ｏ−ＣＨ２−、−ＣＯ−又は−Ｏ−を表わす。夫々のＸ
    １、Ｙ１、Ｚ１はＡ１、Ａ２、Ａ３の置換基であり、独
    立に−Ｈ、−Ｃｌ、−Ｆ、−Ｂｒ、−Ｉ、−ＯＨ、−Ｏ
    ＣＨ３、−ＣＨ３、−ＣＮ、又は−ＮＯ２を表わし、夫
    々のｊａ、ｍａ、ｎａは独立に０〜４の整数を表わす。
    Ｊ１は、−ＣＯ−Ｏ−（ＣＨ２）ｒａ−、−Ｏ−（ＣＨ
    ２）ｒａ−、−（ＣＨ２）ｒａ−、−Ｏ−ＳＯ２−、−
    ＳＯ２−、−ＳＯ２−（ＣＨ２）ｒａ−、−Ｏ−（ＣＨ
    ２）ｒａ−Ｏ−（ＣＨ２）ｒｂ−、−（ＣＨ２）ｒａ−
    Ｎ（ＣｐａＨ２ｐａ＋１）−ＳＯ２−、又は−（Ｃ
    Ｈ２）ｒａ−Ｎ（ＣｐａＨ２ｐａ＋１）−ＣＯ−を表わ
    す。ｒａ及びｒｂは、独立に１〜２０であり、ｐａは０
    〜４である。Ｒ１は、−Ｏ−ＣｑａＨ２ｑａ−Ｏ−Ｃ
    ｑｂＨ２ｑｂ＋１、−ＣｑａＨ２ｑａ−Ｏ−ＣｑｂＨ
    ２ｑｂ＋１、−ＣｑａＨ２ｑａ−Ｒ３、−Ｏ−ＣｑａＨ
    ２ｑａ−Ｒ３、−ＣＯ−Ｏ−ＣｑａＨ２ｑａ−Ｒ３、又
    は−Ｏ−ＣＯ−ＣｑａＨ２ｑａ−Ｒ３を表わし、直鎖
    状、分岐状のいずれであっても良い（但し、Ｒ３は、−
    Ｏ−ＣＯ−ＣｑｂＨ２ｑｂ＋１、−ＣＯ−Ｏ−ＣｑｂＨ
    ２ｑｂ＋１、−Ｈ、−Ｃｌ、−Ｆ、−ＣＦ３、−Ｎ
    Ｏ２、−ＣＮを表わし、ｑａ及びｑｂは独立に１〜２０
    である）。Ｒ２はＣｘａＦ２ｘａ−Ｘを表わす（Ｘは−
    Ｈ又は−Ｆを表わし、ｘａは１〜２０の整数であ
    る）。〕
  17. 【請求項１７】 前記フッ素含有液晶化合物が、下記一
    般式（ＩＩ）で表わされる請求項１３記載の液晶素子。 【化４】 を表わす。ｇｂ、ｈｂ、ｉｂはそれぞれ独立に０〜３の
    整数（但し、ｇｂ＋ｈｂ＋ｉｂは少なくとも２である）
    を表わす。夫々のＬ３、Ｌ４は独立に、単結合、−ＣＯ
    −Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−Ｓ−ＣＯ−、
    −ＣＯ−Ｓｅ−、−Ｓｅ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｔｅ−、−
    Ｔｅ−ＣＯ−、−（ＣＨ２ＣＨ２）ｋａ−（ｋａは１〜
    ４）、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ＝Ｎ−、−
    Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ２−Ｏ−、−Ｏ−ＣＨ２−、−ＣＯ
    −又は−Ｏ−を表わす。夫々のＸ２、Ｙ２、Ｚ２は
    Ａ４、Ａ５、Ａ６の置換基であり、独立に−Ｈ、−Ｃ
    ｌ、−Ｆ、−Ｂｒ、−Ｉ、−ＯＨ、−ＯＣＨ３、−ＣＨ
    ３、−ＣＦ３、−ＯＣＦ３、−ＣＮ、又は−ＮＯ２を表
    わし、夫々のｊｂ、ｍｂ、ｎｂは独立に０〜４の整数を
    表わす。Ｊ２は、−ＣＯ−Ｏ−ＣｒｃＨ２ｒｃ−、−Ｏ
    −ＣｒｃＨ２ｒｃ−、−ＣｒｃＨ２ｒｃ−、−Ｏ−（Ｃ
    ｓａＨ２ｓａ−Ｏ）ｔａ−ＣｒｄＨ２ｒｄ−、−Ｏ−Ｓ
    Ｏ２−、−ＳＯ２−、−ＳＯ２−ＣｒｃＨ２ｒｃ−、−
    ＣｒｃＨ２ｒｃ−Ｎ（ＣｐｂＨ２ｐｂ＋１）−ＳＯ
    ２−、−ＣｒｃＨ２ｒｃ−Ｎ（ＣｐｂＨ２ｐｂ＋１）−
    ＣＯ−であり、ｒｃ及びｒｄは独立に１〜２０であり、
    ｓａはそれぞれの（ＣｓａＨ２ｓａ−Ｏ）に独立に１〜
    １０であり、ｔａは１〜６であり、ｐｂは０〜４であ
    る。Ｒ４は、−Ｏ−（ＣｑｃＨ２ｑｃ−Ｏ）ｗａ−Ｃ
    ｑｄＨ２ｑｄ＋１、−（ＣｑｃＨ２ｑｃ−Ｏ）ｗａ−Ｃ
    ｑｄＨ２ｑｄ＋１、−ＣｑｃＨ２ｑｃ−Ｒ６、−Ｏ−Ｃ
    ｑｃＨ２ｑｃ−Ｒ６、−ＣＯ−Ｏ−ＣｑｃＨ２ｑｃ−Ｒ
    ６、又は−Ｏ−ＣＯ−ＣｑｃＨ２ｑｃ−Ｒ６を表わし、
    直鎖状、分岐状のいずれであっても良い（但し、Ｒ６は
    −Ｏ−ＣＯ−ＣｑｄＨ２ｑｄ＋１、−ＣＯ−Ｏ−Ｃｑｄ
    Ｈ２ｑｄ＋１、−Ｃｌ、−Ｆ、−ＣＦ３、−ＮＯ２、−
    ＣＮ、又は−Ｈを表わし、ｑｃ及びｑｄは独立に１〜２
    ０の整数、ｗａは１〜１０の整数である）。Ｒ５は、
    （ＣｘｂＦ２ｘｂ−Ｏ）ｚａ−ＣｙａＦ２ｙａ＋１で表
    わされる（但し、上記式中ｘｂはそれぞれの（ＣｘｂＦ
    ２ｘｂ−Ｏ）に独立に１〜１０であり、ｙａは１〜１０
    であり、ｚａは１〜１０である）。〕
  18. 【請求項１８】 前記絶縁層は高分子材料からなる、請
    求項１３記載の液晶素子。
  19. 【請求項１９】 前記高分子材料は紫外線硬化型の樹脂
    である、請求項１８記載の液晶素子。
  20. 【請求項２０】 前記主電極は透明電極である、請求項
    １３記載の液晶素子。
  21. 【請求項２１】 前記主電極は、インジウム錫酸化物か
    らなる請求項１３記載の液晶素子。
  22. 【請求項２２】 前記透光性基材の主電極相互の間隙に
    対応する位置に遮光層を有する請求項２０又は２１記載
    の液晶素子。
  23. 【請求項２３】 前記補助電極は金属乃至合金からなる
    請求項１３記載の液晶素子。
  24. 【請求項２４】 前記補助電極が、銅、銀、アルミニウ
    ム、クロム、モリブデン、タンタル、ニッケルのいずれ
    かを含有する請求項１３記載の液晶素子。
  25. 【請求項２５】 対向する第１の基板と第２の基板との
    間に液晶組成物を挟持してなる液晶素子の製造方法にお
    いて、 透光性基材の表面に複数の補助電極を形成する工程と、 インク受容性を有する樹脂層を前記透光性基材における
    前記補助電極の形成された面に配置する工程、インクジ
    ェット方式にて前記樹脂層を着色する工程、及び前記補
    助電極の表面に付着した前記樹脂層を除去する工程によ
    って、前記複数の補助電極相互の間隙にカラーフィルタ
    を形成する工程と、 前記複数の補助電極相互の間隙に配置された前記カラー
    フィルタに接するように絶縁層を形成する工程と、 前記絶縁層と前記補助電極との上に各補助電極に少なく
    とも一部が電気的に接続するように主電極を形成する工
    程と、 によって第１の基板を製造することを特徴とする液晶素
    子の製造方法。
  26. 【請求項２６】 前記樹脂層の除去を研磨装置によって
    行う、 ことを特徴とする請求項２５記載の液晶素子の製造方
    法。
  27. 【請求項２７】 前記樹脂層の除去を、前記補助電極の
    表面にブレードを擦り付けることにより行なう、 ことを特徴とする請求項２５記載の液晶素子の製造方
    法。
  28. 【請求項２８】 前記ブレードは、その先端部が刃状に
    加工された金属製又はプラスチック製のドクターブレー
    ドである、 ことを特徴とする請求項２７記載の液晶素子の製造方
    法。
  29. 【請求項２９】 前記ドクターブレードの先端部を、該
    ブレードが撓む状態に前記補助電極の表面に当接させる
    と共に、前記ドクターブレードを前記透光性基材に沿っ
    て移動させる、 ことを特徴とする請求項２８記載の液晶素子の製造方
    法。
  30. 【請求項３０】 前記補助電極を形成する工程は、前記
    透光性基材の表面に導電膜を形成する工程と、該導電膜
    の表面にフォトレジストを塗布する工程と、マスク露光
    及び現像によって前記フォトレジストをパターニングす
    る工程と、エッチングによって前記導電膜をパターニン
    グして前記補助電極を形成する工程と、からなり、 前記カラーフィルタを形成する工程は、前記補助電極の
    表面に前記フォトレジストを残存させた状態で、インク
    受容性を有する樹脂層を前記透光性基材における前記補
    助電極の形成された面に形成する工程と、前記補助電極
    の表面に残存させたフォトレジストをレジスト除去液に
    よって除去する工程と、前記補助電極間に形成された樹
    脂層をインクジェット方式にて着色する工程と、からな
    り、かつ、 前記レジスト除去液によるフォトレジストの除去に伴っ
    て、該フォトレジスト上の樹脂層が除去される、 ことを特徴とする請求項２５記載の液晶素子の製造方
    法。
  31. 【請求項３１】 前記レジスト除去液による前記フォト
    レジスト並びに前記樹脂層の除去を、前記樹脂層を着色
    する工程の前に行なう、 ことを特徴とする請求項３０記載の液晶素子の製造方
    法。
  32. 【請求項３２】 前記レジスト除去液による前記フォト
    レジスト並びに前記樹脂層の除去を、前記樹脂層を着色
    する工程の後に行なう、 ことを特徴とする請求項３０記載の液晶素子の製造方
    法。
  33. 【請求項３３】 前記レジストは撥水性レジストであ
    る、 ことを特徴とする請求項３０記載の液晶素子の製造方
    法。
  34. 【請求項３４】 前記撥水性レジストの表面エネルギ
    （臨界表面張力：γC）が４５ｄｙｎ／cm2 以下であ
    る、 ことを特徴とする請求項３３記載の液晶素子の製造方
    法。
  35. 【請求項３５】 前記撥水性レジストは、 フッ素原子を含有した化合物を含有するもの、 有機シラン基を含有した化合物を有するもの、 水酸基、アミノ基、カルボキシ基、カルボニル基のいず
    れの基も含まないもの、のいずれかである、 請求項３３記載の液晶素子の製造方法。
  36. 【請求項３６】 前記カラーフィルタを形成する工程
    は、 感光性樹脂を前記透光性基材における前記補助電極の形
    成された面に塗布する工程と、 前記補助電極相互の間隙にのみ光を照射して、該補助電
    極の表面に配置された感光性樹脂を硬化させずに該補助
    電極相互の間隙に配置された感光性樹脂のみを硬化させ
    る工程と、 からなる請求項２５記載の液晶素子の製造方法。
  37. 【請求項３７】 前記透光性基材における前記補助電極
    の形成されていない側の面から光を照射して、前記補助
    電極相互の間隙に配置された感光性樹脂のみを硬化させ
    る、 ことを特徴とする請求項３６記載の液晶素子の製造方
    法。
  38. 【請求項３８】 前記主電極の間隙部に対応する位置に
    遮光層を形成した、 請求項２５記載の液晶素子の製造方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN107852819A (zh) * 2016-01-04 2018-03-27 株式会社Lg化学 电路板的制造方法
CN113905518A (zh) * 2021-09-10 2022-01-07 北京华镁钛科技有限公司 一种液晶天线面板及其制造工艺

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