JPH0455823A - 液晶表示パネルと低抵抗電極基板の製造法 - Google Patents

液晶表示パネルと低抵抗電極基板の製造法

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JPH0455823A
JPH0455823A JP16723090A JP16723090A JPH0455823A JP H0455823 A JPH0455823 A JP H0455823A JP 16723090 A JP16723090 A JP 16723090A JP 16723090 A JP16723090 A JP 16723090A JP H0455823 A JPH0455823 A JP H0455823A
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JP
Japan
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low
liquid crystal
resin
substrate
resistance
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JP16723090A
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English (en)
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Yoshio Iwai
義夫 岩井
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、ガラス基板上に低抵抗のバスバー電極を有す
る液晶表示パネルと低抵抗電極基板の製造法に関するも
のである。
従来の技術 近年、液晶表示装置の大容量化、高速応答化への取り組
みが盛んに行なわれている。単純マトリックスタイプの
液晶表示素子の動作モードとして、ネマチック液晶を用
いたライステインド ネマチック(TN)型5スーパー
 ツィスティッド ネマチック(STN)型、エレクト
リカリ−コンドロールド バイディスリンジェンス(E
CB)型など、また強誘電性液晶を用いたフェロ リキ
ラド クリスタル(FLC)型がある。各動作モードと
も一般的には、酸化インジュウム・錫(ITO)からな
る透明電極が使用されるが、単純マトリックス型の液晶
表示パネルでは、ITOの配線抵抗と液晶層との容量と
によってRC回路が形成されるため、パネルの大型化、
大容量化に伴ってITOの電極抵抗が増大し、印加電圧
の減衰が発生する。このため、給電点よりも離れるに従
って減衰が大きくなり、両側給電パネルの場合中央部に
行くにしたがって、電圧減衰が激しくなり、表示ムラの
発生につながる。ネマティック液晶の場合、液晶分子は
印加電圧の実効値に応答するので、電圧減衰が発生する
と、液晶層に印加される実質的な実効値電圧は給電点か
らの距離によって異なり、液晶分子の電界に対する変位
量が異なる。特に高速化が図られているSTNモードの
場合、象、峻であるが故に電圧減衰によるわずかな印加
実効電圧の差が即座に表示ムラにつながることになる。
したがって電圧減衰を低減するために、ITO[極の配
線抵抗を下げる必要がある。
発明が解決しようとする課題 従来、ITO!極自体極低体率を下げることは難しく、
低抵抗化の方法の一つとして、ITO電極上に低抵抗の
金属の補助電極(バスバー)を設けるのが一般的に知ら
れている。以下この方法に関して、図面を用いて説明す
る。第4図は上記方法の工程図を示したものである。第
4図(a)に示すように、ストライプ状に形成されたI
TO@極21上21上蒸着法、または無電解メツキ法に
よりAu層22を形成する0次に第4図(b)に示すよ
うに、フォトレジストを塗布した後、ITO[極エツジ
部分にバスバーが形成されるようにフォトマスクをアラ
イメントした後、露光、現像を行う。
最後に不要な部分のAuをエツチングにより除去し、バ
スバー23を形成する。この方法では、ITOに加えて
Auについてもバターニングとエツチングを行う必要が
あるので、工法的に複雑であり、かつAu層を基板全面
にわたって形成する必要があるため、非常にコスト高に
なり、生産性が著しく悪いという問題点がある。また、
ITO電極面とバスバ一部分とに段kがあるため、しば
しば配向欠陥を招き、表示特性が悪化するという問題点
もある。
課題を解決するための手段 上記課題を解決するために、本発明の液晶表示パネルは
、一対の基板間に液晶を挟持してなる液晶表示パネルに
おいて、少なくとも一方の基板上に導電性の微粒子を含
有した樹脂がら形成された低抵抗の補助電極と、前記基
板上に平坦化作用を有する感光性樹脂層と、前記低抵抗
の補助電極と樹脂層上にストライプ状に形成された透明
電極を有するものである。
作用 上記構成によれば、ガラス基板上に形成された導電性微
粒子からなる樹脂が低抵抗の補助電極として作用し、か
つ基板に塗布された感光性樹脂が平坦化層になるので、
段差が緩和され、かつ透明電極と低抵抗補助電極が電気
的に接続され、段差の少ない低抵抗の透明電極を形成す
ることができス 実施例 以下に本発明の一実施例について図面を参照しながら説
明する。
第1図は本発明の液晶表示パネルの構成図の一例である
■はガラス基板、2は低抵抗補助電極、3は透明電極、
4は平坦化樹脂、5は液晶層、6はスペーサー、7はシ
ール樹脂である。低抵抗補助電極の線幅は20μmであ
り、表面抵抗値は約0.1Ω/口である。他方透明電極
3の線幅は100μmであり、表面抵抗値は約1007
口であるので、抵抗値は透明電極のみのときに比べると
、l/20に低下している。従って、電圧減衰の指標と
なる時定数τは1/20になり、電圧減衰による実効(
1i!電圧の減衰は大幅に低減されることになる。また
ガラス基板1と低抵抗補助電極の段差は、感光性樹脂に
より平坦化されているので、透明電極面には一切段差が
発生せず、配向欠陥や段差による透明電極のクラックは
発生しない。
第2図に低抵抗電極基板の製造法を具体的に示す。第2
図(a)に示すように、金微粒子とガラス粉末をエチレ
ンセルロースとポリビニルブチラールからなる有機バイ
ンダーとメチルエチルケトンエチルアルコールからなる
溶剤に混合して、金ペースト13を作る0次に、金ペー
ストをスキージ14を用いてストライプ状の溝が彫られ
た凹版11の中に流し込み、ゴムローラー12により金
ペーストを写し取る。その後、グラビヤオフセット印刷
法によりガラス基板上にストライプ状の金ペーストを転
写、焼成して、低抵抗補助電極2を形成する。この時、
補助電極2の線幅、ピンチ、膜厚は凹版上に刻まれた溝
の形状によって決定される。
次に第3図に平坦化樹脂の形成法を示す。上記ガラス基
板をシランカップリング剤雰囲気中に暴露した後、透明
なU、 V硬化樹脂14(例えば0R−4552i三菱
レーヨン■製)を塗布した後、平板15により加圧プレ
スを行う、その後、ガラス基板裏面から紫外線16を照
射して、U、  V樹脂を硬化させ、プレスを取り除き
、アセトンによる洗浄を行い、平坦化樹脂4を形成する
。この時、補助電極2は遮光層として作用するので、補
助電極2上にはU、■樹脂は一切残ることはない。
最後に、ITOをスバンタ法またはEB蒸着法により堆
積した後、フォトリソグラフィー・エツチングによりス
トライプ状のITO”Q極を形成する。
補助電極とITO電極とは完全に電気的に接続されてい
るので、IrO2極は低抵抗になり、また段差によるク
ラックも発生することはない。補助電極は印刷法により
容品に形成されるので、著しく生産性に優れている。
発明の効果 本発明の液晶パネルと低抵抗電極基板の製造法は、低抵
抗補助電極と平坦化樹脂の上にITO電極が形成される
ので、液晶分子の配向欠陥を引き起こすことなく電圧減
衰による表示ムラを低減する事ができ、かつ、工法的に
も低抵抗補助電極が印刷法により形成されるので、生産
性に優れ、非常に大きな効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の液晶表示パネルの構成図、第2図は低
抵抗補助電極を形成する工程図、第3図は平坦化樹脂を
形成する工程図、第4図は従来の工程図である。 1・・・・・・ガラス基板、2・・・・・・低抵抗補助
電極、3・・・・・・透明電極、4・・・・・・平坦化
樹脂、5・旧・・液晶層、6・・・・・・スペーサー、
7・・・・・・シール樹脂。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか18勇 図 カ°うZ1代 ItS、広王た禍Bj)t、暗 fi日バを冬りi 手−1!!IIJI賄 泣晶肴 叉)°−サ し−ル尉賜 第 図

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)一対の基板間に液晶を挟持してなる液晶表示パネ
    ルにおいて、少なくとも一方の基板上に導電性の微粒子
    を含有した樹脂から形成された低抵抗の補助電極と、前
    記基板上に平坦化作用を有する樹脂層と、前記低抵抗の
    補助電極と樹脂層上にストライプ状に形成された透明電
    極を有することを特徴とする液晶表示パネル。
  2. (2)平坦化作用を有する樹脂が、感光性樹脂であるこ
    とを特徴とする請求項(1)記載の液晶表示パネル。
  3. (3)一対の基板間に光学変調物質として液晶を挟持し
    てなる液晶表示パネルにおいて、少なくとも一方の基板
    上に導電性の微粒子を含有した樹脂を転写、焼成するこ
    とによって低抵抗の補助電極を形成する第1の工程と、
    前記低抵抗の補助電極を含む基板上に感光機能を有する
    樹脂を塗布し、前記感光性樹脂をプレスし、基板の裏面
    方向から露光することによって平坦化作用を有する樹脂
    層を形成する第2の工程と、前記低抵抗の補助電極と樹
    脂層上に透明電極を形成する第3の工程からなることを
    特徴とする低抵抗電極基板の製造法。
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