JP3458562B2 - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置に関す
る。
る。
【０００２】
【従来の技術】液晶に印加する電界の方向を基板表面に
ほぼ平行にする方式として櫛歯電極対を用いた方式が例
えば特公昭63−21907 号，USP4345249号，WO91／10936
号，特開平6−222397 号及び特開平6−160878 号等によ
り提案されている。この場合には電極は透明である必要
はなく、導電性が高く不透明な金属電極が用いられる。
これら公知技術における、液晶に印加する電界の方向を
基板表面にほぼ平行な方向にする表示方式（以下、横電
界方式と称する）は、広視野角という特徴を有するが、
高コントラスト比と表示むら低減を両立するために必要
な構成に関しては言及されていない。
ほぼ平行にする方式として櫛歯電極対を用いた方式が例
えば特公昭63−21907 号，USP4345249号，WO91／10936
号，特開平6−222397 号及び特開平6−160878 号等によ
り提案されている。この場合には電極は透明である必要
はなく、導電性が高く不透明な金属電極が用いられる。
これら公知技術における、液晶に印加する電界の方向を
基板表面にほぼ平行な方向にする表示方式（以下、横電
界方式と称する）は、広視野角という特徴を有するが、
高コントラスト比と表示むら低減を両立するために必要
な構成に関しては言及されていない。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】横電界方式においては
基板表面にほぼ平行に電界を印加するため従来のツイス
テッドネマチック表示方式と異なり駆動電圧がセルギャ
ップに依存し、しきい値電圧Ｅｃはほぼ
基板表面にほぼ平行に電界を印加するため従来のツイス
テッドネマチック表示方式と異なり駆動電圧がセルギャ
ップに依存し、しきい値電圧Ｅｃはほぼ
【０００４】
【数１】
【０００５】で表される。ここでｄLCはセルギャップ、
Ｋ2 は液晶のツイストの弾性定数、Δεは液晶の誘電率
異方性、ε0 は真空の誘電率である。駆動電圧がセルギ
ャップに依存するため、ツイステッドネマチック表示方
式と比較して、表示面内でのセルギャップの変化が表面
輝度の変化として現われやすく表示むらが起こりやすい
ことが発明者らの検討でわかった。なお、ここで言う表
示むらは、セルギャップの変動による輝度むらのことを
言う。その対策としてスペーサビーズの分散量を増加さ
せるとセルギャップ形成に寄与するスペーサビーズの量
が増加し表示むらは低減できるが、開口部のスペーサビ
ーズ量が増大するためスペーサビーズ付近の液晶の配向
乱れによる光漏れが増大し、コントラストが低下してし
まうという問題があることがわかった。また別の対策方
法として有機高分子からなる平坦化膜を電極群を有する
基板上一面に形成すると表面凹凸が減少し表示むらは低
減できるが、駆動電圧が上昇し液晶に充分な電圧が印加
できなくなるためコントラスト比が低下してしまうとい
う問題があることがわかった。
Ｋ2 は液晶のツイストの弾性定数、Δεは液晶の誘電率
異方性、ε0 は真空の誘電率である。駆動電圧がセルギ
ャップに依存するため、ツイステッドネマチック表示方
式と比較して、表示面内でのセルギャップの変化が表面
輝度の変化として現われやすく表示むらが起こりやすい
ことが発明者らの検討でわかった。なお、ここで言う表
示むらは、セルギャップの変動による輝度むらのことを
言う。その対策としてスペーサビーズの分散量を増加さ
せるとセルギャップ形成に寄与するスペーサビーズの量
が増加し表示むらは低減できるが、開口部のスペーサビ
ーズ量が増大するためスペーサビーズ付近の液晶の配向
乱れによる光漏れが増大し、コントラストが低下してし
まうという問題があることがわかった。また別の対策方
法として有機高分子からなる平坦化膜を電極群を有する
基板上一面に形成すると表面凹凸が減少し表示むらは低
減できるが、駆動電圧が上昇し液晶に充分な電圧が印加
できなくなるためコントラスト比が低下してしまうとい
う問題があることがわかった。
【０００６】本発明の目的は、広視野角で高いコントラ
スト比を有し、表示むらの少ない液晶表示装置及びその
製造方法を提供することにある。
スト比を有し、表示むらの少ない液晶表示装置及びその
製造方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置に
よれば、一対の基板と、一対の基板間に挟持された液晶
層とを有し、一対の基板のうち少なくとも一方の基板に
は、複数の電極と、複数の電極上に形成された保護膜
と、液晶層の厚さを均一化するため、保護膜上の凹部に
形成された絶縁膜とを有する。液晶層の厚さの変化は
０.３μｍ 以下であることが好ましい。
よれば、一対の基板と、一対の基板間に挟持された液晶
層とを有し、一対の基板のうち少なくとも一方の基板に
は、複数の電極と、複数の電極上に形成された保護膜
と、液晶層の厚さを均一化するため、保護膜上の凹部に
形成された絶縁膜とを有する。液晶層の厚さの変化は
０.３μｍ 以下であることが好ましい。
【０００８】更に、本発明の液晶表示装置によれば、一
対の基板と、一対の基板間に挟持された液晶層とを有
し、一対の基板のうち少なくとも一方の基板には、複数
の電極と、複数の電極上に形成された保護膜と、保護膜
上に形成された絶縁膜とを有し、電極上部以外の領域に
おける絶縁膜の高さを電極上部における保護膜の高さよ
り高くする。
対の基板と、一対の基板間に挟持された液晶層とを有
し、一対の基板のうち少なくとも一方の基板には、複数
の電極と、複数の電極上に形成された保護膜と、保護膜
上に形成された絶縁膜とを有し、電極上部以外の領域に
おける絶縁膜の高さを電極上部における保護膜の高さよ
り高くする。
【０００９】スペーサビーズはギャップ形成に寄与して
いるか否かによってその光漏れ領域の大きさが異なり、
ギャップ形成に寄与しているスペーサビーズ周辺の光漏
れはギャップ形成に寄与しないスペーサビーズと比較し
て著しく小さい。液晶層の厚さを均一にすることによ
り、スペーサビーズの分散量が少なくなり、ほぼ全ての
スペーサビーズがギャップ形成に寄与しているため周辺
の光漏れも小さい。そのため、スペーサビーズ周辺の光
漏れによるコントラスト低下もなく、表示むらが少なく
なる。
いるか否かによってその光漏れ領域の大きさが異なり、
ギャップ形成に寄与しているスペーサビーズ周辺の光漏
れはギャップ形成に寄与しないスペーサビーズと比較し
て著しく小さい。液晶層の厚さを均一にすることによ
り、スペーサビーズの分散量が少なくなり、ほぼ全ての
スペーサビーズがギャップ形成に寄与しているため周辺
の光漏れも小さい。そのため、スペーサビーズ周辺の光
漏れによるコントラスト低下もなく、表示むらが少なく
なる。
【００１０】本発明は横電界方式において効果的であ
る。ツイステッドネマチック表示方式と比較して横電界
方式では、駆動電圧がセルギャップに依存するので、セ
ルギャップの変化が表面輝度の変化として現われやすい
からである。
る。ツイステッドネマチック表示方式と比較して横電界
方式では、駆動電圧がセルギャップに依存するので、セ
ルギャップの変化が表面輝度の変化として現われやすい
からである。
【００１１】
【発明の実施の形態】図１に本発明の液晶表示装置の一
例を示す。基板表面にほぼ平行な電界が印加されるよう
に電極を配置しても実際に液晶層８に印加される電界７
は図１のような経路で伸び、液晶に印加される。そのた
め、電極上部に絶縁層５があると液晶８に印加される電
界を弱める働きをする。本発明ではそのような電極上部
の絶縁層がないため液晶に印加される電界が弱められる
ことがなく、そのため駆動電圧があまり上昇しない。こ
のように平坦化させた場合には、分散したほぼ全てのス
ペーサビーズ９がギャップ形成に寄与するため、平坦化
されていない場合と比較して少ないスペーサビーズの分
散量でギャップ精度を向上することができる。
例を示す。基板表面にほぼ平行な電界が印加されるよう
に電極を配置しても実際に液晶層８に印加される電界７
は図１のような経路で伸び、液晶に印加される。そのた
め、電極上部に絶縁層５があると液晶８に印加される電
界を弱める働きをする。本発明ではそのような電極上部
の絶縁層がないため液晶に印加される電界が弱められる
ことがなく、そのため駆動電圧があまり上昇しない。こ
のように平坦化させた場合には、分散したほぼ全てのス
ペーサビーズ９がギャップ形成に寄与するため、平坦化
されていない場合と比較して少ないスペーサビーズの分
散量でギャップ精度を向上することができる。
【００１２】図２に本発明の液晶表示装置の別の例を示
す。この場合には開口部上部が高いためこの上に乗った
スペーサビーズのみがギャップ形成に寄与する。従っ
て、ほぼ全てのスペーサビーズがギャップ形成に寄与す
る場合と比較してビーズ分散量を増加させる必要があ
る。しかしながら、この際ギャップ形成に寄与しないス
ペーサビーズはすべて電極上にあり電極によって遮光さ
れている。ギャップ形成に寄与するスペーサビーズは周
辺の光漏れが小さいため、あまりコントラストを低下さ
せない。そのため、スペーサビーズの分散量を増加して
もスペーサビーズ近傍の光漏れによるコントラスト低下
があまり起こらず、且つ表示むらを低減できる。
す。この場合には開口部上部が高いためこの上に乗った
スペーサビーズのみがギャップ形成に寄与する。従っ
て、ほぼ全てのスペーサビーズがギャップ形成に寄与す
る場合と比較してビーズ分散量を増加させる必要があ
る。しかしながら、この際ギャップ形成に寄与しないス
ペーサビーズはすべて電極上にあり電極によって遮光さ
れている。ギャップ形成に寄与するスペーサビーズは周
辺の光漏れが小さいため、あまりコントラストを低下さ
せない。そのため、スペーサビーズの分散量を増加して
もスペーサビーズ近傍の光漏れによるコントラスト低下
があまり起こらず、且つ表示むらを低減できる。
【００１３】図３に本発明を適用した液晶表示装置の単
位画素における電極の構造を示す。ガラス基板上に走査
信号電極１０を形成し、走査信号電極１０の表面はアル
ミナ膜で被覆した。走査信号電極１０を覆うようにゲー
ト絶縁膜となるＳｉＮ（ゲートＳｉＮ）膜２と非晶質Ｓ
ｉ（ａ−Ｓｉ）膜１１を形成し、このａ−Ｓｉ膜１１上
に画素電極３及び映像信号電極１３を形成した。これら
によって、トランジスタ素子１２が形成される。更に、
画素電極３及び映像信号電極１３と同層に共通電極１を
形成した。これらによって画素電極３、共通電極１間に
電界がかかり、且つ其の方向が基板表面にほぼ平行にな
るようにした。画素数は６４０（Ｘ３）Ｘ４８０で、画
素ピッチは横方向（即ち共通電極間）は１００μｍ，縦
方向（即ち走査信号電極間）は３００μｍである。ま
た、トランジスタ素子を有する基板に相対向する基板上
にストライプ状のＲ，Ｇ，Ｂ３色のカラーフィルタを備
えた。カラーフィルタの上には表面を平坦化する透明樹
脂を積層した。透明樹脂の材料としてはエポキシ樹脂を
用いた。更にこの透明樹脂上にポリイミド系の配向膜を
塗布した。
位画素における電極の構造を示す。ガラス基板上に走査
信号電極１０を形成し、走査信号電極１０の表面はアル
ミナ膜で被覆した。走査信号電極１０を覆うようにゲー
ト絶縁膜となるＳｉＮ（ゲートＳｉＮ）膜２と非晶質Ｓ
ｉ（ａ−Ｓｉ）膜１１を形成し、このａ−Ｓｉ膜１１上
に画素電極３及び映像信号電極１３を形成した。これら
によって、トランジスタ素子１２が形成される。更に、
画素電極３及び映像信号電極１３と同層に共通電極１を
形成した。これらによって画素電極３、共通電極１間に
電界がかかり、且つ其の方向が基板表面にほぼ平行にな
るようにした。画素数は６４０（Ｘ３）Ｘ４８０で、画
素ピッチは横方向（即ち共通電極間）は１００μｍ，縦
方向（即ち走査信号電極間）は３００μｍである。ま
た、トランジスタ素子を有する基板に相対向する基板上
にストライプ状のＲ，Ｇ，Ｂ３色のカラーフィルタを備
えた。カラーフィルタの上には表面を平坦化する透明樹
脂を積層した。透明樹脂の材料としてはエポキシ樹脂を
用いた。更にこの透明樹脂上にポリイミド系の配向膜を
塗布した。
【００１４】上下基板上のラビング方向は互いにほぼ平
行で、かつ印加電界方向とのなす角を７５度とした。液
晶層の厚さ（セルギャップ）ｄは球形のポリマビーズを
基板間に１００個／mm2 の分散密度となるように分散し
て狭持し、液晶封入状態で６.５μｍとした。上下基板
を重ね合わせセルギャップを出す際の加圧力は０.３kg
ｆ／cm2 とした。２枚の偏光板でパネルを挟み、一方の
偏光板の偏光透過軸をラビング方向にほぼ平行とし、他
方をそれに直交とした。これにより、ノーマリクローズ
特性を得た。基板間には誘電異方性Δεが正の液晶を挟
持した。保護膜４にはＳｉＮを用い、膜厚を約０.３μ
ｍ とした。絶縁層５には感光性エポキシ樹脂を用い
た。エポキシ樹脂を含む溶液を塗布し、その後背面露光
により紫外光を照射し、露光部のみエポキシ樹脂を形成
した。
行で、かつ印加電界方向とのなす角を７５度とした。液
晶層の厚さ（セルギャップ）ｄは球形のポリマビーズを
基板間に１００個／mm2 の分散密度となるように分散し
て狭持し、液晶封入状態で６.５μｍとした。上下基板
を重ね合わせセルギャップを出す際の加圧力は０.３kg
ｆ／cm2 とした。２枚の偏光板でパネルを挟み、一方の
偏光板の偏光透過軸をラビング方向にほぼ平行とし、他
方をそれに直交とした。これにより、ノーマリクローズ
特性を得た。基板間には誘電異方性Δεが正の液晶を挟
持した。保護膜４にはＳｉＮを用い、膜厚を約０.３μ
ｍ とした。絶縁層５には感光性エポキシ樹脂を用い
た。エポキシ樹脂を含む溶液を塗布し、その後背面露光
により紫外光を照射し、露光部のみエポキシ樹脂を形成
した。
【００１５】配向膜６にはポリイミド配向膜を用いた。
また、絶縁層５を配向膜として用いることもできる。セ
ルギャップ（液晶層の厚さ）の変動は０.２０μｍ であ
った。このように作製したパネルのコントラスト比を電
圧無印加の状態（暗状態）での光透過率及び１０Ｖ電圧
印加時の光透過率を共通電極１と画素電極３の間の領域
（両電極上を含む）について測定し、其の光透過率の比
からコントラスト比を求めた。このようなコントラスト
比の測定をパネル中の２０箇所について測定した結果、
このパネルのコントラスト比の平均は８０であった。
また、絶縁層５を配向膜として用いることもできる。セ
ルギャップ（液晶層の厚さ）の変動は０.２０μｍ であ
った。このように作製したパネルのコントラスト比を電
圧無印加の状態（暗状態）での光透過率及び１０Ｖ電圧
印加時の光透過率を共通電極１と画素電極３の間の領域
（両電極上を含む）について測定し、其の光透過率の比
からコントラスト比を求めた。このようなコントラスト
比の測定をパネル中の２０箇所について測定した結果、
このパネルのコントラスト比の平均は８０であった。
【００１６】次にこのパネルの表示むらの度合いを目視
で評価した。５Ｖの交流電圧を印加した状態でパネルを
観察しむらの全くない状態を５，むらがほとんどない状
態を４，むらが少しある状態を３，むらがかなりある状
態を２，むらだらけの状態を１とし５段階評価で表示む
らを評価した。その結果評価４であった。
で評価した。５Ｖの交流電圧を印加した状態でパネルを
観察しむらの全くない状態を５，むらがほとんどない状
態を４，むらが少しある状態を３，むらがかなりある状
態を２，むらだらけの状態を１とし５段階評価で表示む
らを評価した。その結果評価４であった。
【００１７】図４に本発明を適用した液晶表示装置の単
位画素における別の電極構造を示す。研磨したガラス基
板上に走査信号電極１０及び共通電極１を形成し、走査
信号電極１０の表面はアルミナ膜で被覆した。走査信号
電極１０及び共通電極１を覆うようにゲート絶縁膜とな
るゲート絶縁膜（ゲートＳｉＮ）膜２を形成した。次に
非晶質Ｓｉ（ａ−Ｓｉ）膜１１とこのａ−Ｓｉ膜上にｎ
型ａ−Ｓｉ膜を形成した。さらに画素電極３及び映像信
号電極１３を形成した。従って、画素電極３と共通電極
１は異層である。このように異層化することにより、多
様な電極構造をとることができ、画素電極３と共通電極
１が容量素子として機能できる。しかし、図３以上に保
護膜の凹凸は大きくなるので、この平坦化は重要とな
る。絶縁層５には感光性ポリイミド樹脂を用いた。形成
したポリイミド膜の膜厚は０.３μmであった。また、配
向膜にはポリイミド系配向膜を用いた。セルギャップの
変動は０.１５μｍ であった。このように作製したパネ
ルのコントラスト比を駆動電圧０Ｖの時の透過率と駆動
電圧６Ｖの時の透過率との比として測定した結果、この
パネルのコントラスト比の平均は約１００であった。表
示むらの有無を測定した結果、評価は４であった。
位画素における別の電極構造を示す。研磨したガラス基
板上に走査信号電極１０及び共通電極１を形成し、走査
信号電極１０の表面はアルミナ膜で被覆した。走査信号
電極１０及び共通電極１を覆うようにゲート絶縁膜とな
るゲート絶縁膜（ゲートＳｉＮ）膜２を形成した。次に
非晶質Ｓｉ（ａ−Ｓｉ）膜１１とこのａ−Ｓｉ膜上にｎ
型ａ−Ｓｉ膜を形成した。さらに画素電極３及び映像信
号電極１３を形成した。従って、画素電極３と共通電極
１は異層である。このように異層化することにより、多
様な電極構造をとることができ、画素電極３と共通電極
１が容量素子として機能できる。しかし、図３以上に保
護膜の凹凸は大きくなるので、この平坦化は重要とな
る。絶縁層５には感光性ポリイミド樹脂を用いた。形成
したポリイミド膜の膜厚は０.３μmであった。また、配
向膜にはポリイミド系配向膜を用いた。セルギャップの
変動は０.１５μｍ であった。このように作製したパネ
ルのコントラスト比を駆動電圧０Ｖの時の透過率と駆動
電圧６Ｖの時の透過率との比として測定した結果、この
パネルのコントラスト比の平均は約１００であった。表
示むらの有無を測定した結果、評価は４であった。
【００１８】形成したポリイミド膜の膜厚をそれぞれ
０.２μｍ及び０.１μｍとした。作製したパネルのコン
トラスト比はそれぞれ８０及び６０であった。また、表
示むらの評価はそれぞれ４および２であった。セルギャ
ップの変動はそれぞれ０.１９μｍ，０.２５μｍ であ
った。
０.２μｍ及び０.１μｍとした。作製したパネルのコン
トラスト比はそれぞれ８０及び６０であった。また、表
示むらの評価はそれぞれ４および２であった。セルギャ
ップの変動はそれぞれ０.１９μｍ，０.２５μｍ であ
った。
【００１９】絶縁層５を取り除くと、作製したパネルの
コントラスト比は４０であった。また、表示むらの評価
は２であった。セルギャップの変動は０.４２μｍ であ
った。
コントラスト比は４０であった。また、表示むらの評価
は２であった。セルギャップの変動は０.４２μｍ であ
った。
【００２０】絶縁層の膜厚を０.１μｍ とした。また、
スペーサビーズの分散量を２００個／mm2 とした。作製
したパネルのコントラスト比を測定したところ約３０で
あった。セルギャップの変動は０.３０μｍ であった。
また、表示むらの評価を行ったところ、評価は４であっ
た。このようにビーズの分散量を増やすことによって表
示むらを低減することはできたが、コントラスト比が大
幅に低下してしまった。
スペーサビーズの分散量を２００個／mm2 とした。作製
したパネルのコントラスト比を測定したところ約３０で
あった。セルギャップの変動は０.３０μｍ であった。
また、表示むらの評価を行ったところ、評価は４であっ
た。このようにビーズの分散量を増やすことによって表
示むらを低減することはできたが、コントラスト比が大
幅に低下してしまった。
【００２１】絶縁層を形成せず、ビーズ分散量を５０個
／mm2 とした。作製したパネルのコントラスト比を測定
したところ８０であった。セルギャップの変動は０.５
１μmであった。
／mm2 とした。作製したパネルのコントラスト比を測定
したところ８０であった。セルギャップの変動は０.５
１μmであった。
【００２２】また、表示むらの評価を行ったところ評価
は１であった。このようにビーズ分散量を減らすことに
よってコントラスト比を大きくすることはできたが、表
示むらが著しく顕著に見えるようになってしまった。
は１であった。このようにビーズ分散量を減らすことに
よってコントラスト比を大きくすることはできたが、表
示むらが著しく顕著に見えるようになってしまった。
【００２３】以下に、絶縁層の別の形成方法について説
明する。絶縁層を形成する前に全面にスピンコート法を
用いて可溶性テフロンの膜を形成した。その後マスクを
介して紫外線（波長：３１５ｎｍ，１Ｗ／cm2 ）を５分
照射した。その後エポキシ樹脂の溶液をスピンコート法
で塗布して選択的に開口部にのみエポキシ樹脂からなる
絶縁層を作製した。その後全面に紫外線（波長３１５ｎ
ｍ，１Ｗ／cm2 ）を５分照射したのち、配向膜をその上
に形成した。作製した基板表面の凹凸は０.３μｍであ
った。また、作製したパネルのコントラスト比を測定し
たところ８０であった。また、表示むらの評価をしたと
ころ評価は４であった。
明する。絶縁層を形成する前に全面にスピンコート法を
用いて可溶性テフロンの膜を形成した。その後マスクを
介して紫外線（波長：３１５ｎｍ，１Ｗ／cm2 ）を５分
照射した。その後エポキシ樹脂の溶液をスピンコート法
で塗布して選択的に開口部にのみエポキシ樹脂からなる
絶縁層を作製した。その後全面に紫外線（波長３１５ｎ
ｍ，１Ｗ／cm2 ）を５分照射したのち、配向膜をその上
に形成した。作製した基板表面の凹凸は０.３μｍであ
った。また、作製したパネルのコントラスト比を測定し
たところ８０であった。また、表示むらの評価をしたと
ころ評価は４であった。
【００２４】図５にカラーフィルタ層をＴＦＴ基板上に
形成した例を示す。絶縁層５の膜厚は０.４μｍ であっ
た。この上にカラーフィルタ層１４を形成した。このよ
うに作製したパネルのコントラスト比の平均は１００で
あった。表示むらを評価したところ評価は５であり、表
示むらの全くない状態であった。このようにカラーフィ
ルタ層を形成すると、対向基板との位置ずれの心配がな
く、カラーフィルタ層が電極上部にないため、液晶層に
印加される電界が弱められず駆動電圧が低下しない。セ
ルギャップの変動は０.１０μｍであった。
形成した例を示す。絶縁層５の膜厚は０.４μｍ であっ
た。この上にカラーフィルタ層１４を形成した。このよ
うに作製したパネルのコントラスト比の平均は１００で
あった。表示むらを評価したところ評価は５であり、表
示むらの全くない状態であった。このようにカラーフィ
ルタ層を形成すると、対向基板との位置ずれの心配がな
く、カラーフィルタ層が電極上部にないため、液晶層に
印加される電界が弱められず駆動電圧が低下しない。セ
ルギャップの変動は０.１０μｍであった。
【００２５】さらに、このカラー液晶表示装置を作成し
た。その膜厚，配向膜の表面凹凸，測定したコントラス
ト比，表示むらの評価結果は表１のようであった。セル
ギャップの変動は０.３μｍ 以上であるとコントラスト
比、表示むらが悪かった。
た。その膜厚，配向膜の表面凹凸，測定したコントラス
ト比，表示むらの評価結果は表１のようであった。セル
ギャップの変動は０.３μｍ 以上であるとコントラスト
比、表示むらが悪かった。
【００２６】
【表１】
【００２７】
【発明の効果】本発明によれば横電界方式の液晶表示装
置で高いコントラスト比を有し且つ表示むらの少ない液
晶表示装置を提供できる。
置で高いコントラスト比を有し且つ表示むらの少ない液
晶表示装置を提供できる。
【図１】本発明の液晶表示装置の一例の概略図。
【図２】本発明の液晶表示装置の一例の概略図。
【図３】本発明の液晶表示装置の単位画素の平面図及び
断面図。
断面図。
【図４】本発明の液晶表示装置の単位画素の平面図及び
断面図。
断面図。
【図５】本発明の液晶表示装置の単位画素の平面図及び
断面図。
断面図。
【符号の説明】
１…共通電極、２…ゲート絶縁膜、３…画素電極、４…
保護膜、５…絶縁層、６…配向膜、７…電界、８…液
晶、９…スペーサビーズ、１０…走査信号電極、１１…
非晶質Ｓｉ膜、１２…トランジスタ素子、１３…映像信
号電極、１４…カラーフィルタ層。
保護膜、５…絶縁層、６…配向膜、７…電界、８…液
晶、９…スペーサビーズ、１０…走査信号電極、１１…
非晶質Ｓｉ膜、１２…トランジスタ素子、１３…映像信
号電極、１４…カラーフィルタ層。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 横倉 久男
茨城県日立市大みか町七丁目１番１号
株式会社 日立製作所 日立研究所内
(72)発明者 近藤 克己
茨城県日立市大みか町七丁目１番１号
株式会社 日立製作所 日立研究所内
(72)発明者 松山 茂
千葉県茂原市早野3300番地 株式会社
日立製作所 電子デバイス事業部内
(72)発明者 大江 昌人
千葉県茂原市早野3300番地 株式会社
日立製作所 電子デバイス事業部内
(56)参考文献 特開 昭62−42122（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−167524（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−159786（ＪＰ，Ａ)
特開 昭61−43729（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−230425（ＪＰ，Ａ)
特開 昭60−207117（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G02F 1/1333
G02F 1/1335
G02F 1/1343
Claims (9)
- 【請求項１】一対の基板と、 前記一対の基板間に挟持された液晶層とを有し、 前記一対の基板のうち少なくとも一方の基板には、共通電極と画素電極とを有する 複数の電極と、 前記複数の電極上に形成された保護膜と、 前記複数の電極上部以外の領域において前記保護膜上に
形成された絶縁膜とを有することを特徴とする液晶表示
装置。 - 【請求項２】請求項１記載の液晶表示装置において、 前記共通電極と前記画素電極は異なる層に形成されてい
ることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項３】請求項２記載の液晶表示装置において、 前記共通電極は前記基板上に形成され、 前記画素電極は前記共通電極上に形成されたゲート絶縁
膜上に形成されていることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項４】請求項１記載の液晶表示装置において、 前記液晶層の厚さの変化が０.３μｍ 以下であることを
特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項５】一対の基板と、 前記一対の基板間に挟持された液晶層とを有し、 前記一対の基板のうち少なくとも一方の基板には、共通電極と画素電極とを有する 複数の電極と、 前記複数の電極上に形成された保護膜と、 前記保護膜上に形成され、 前 記複数の電極上部以外の領域に形成された絶縁膜とを
有し、 前記複数の電極上部以外の領域における前記絶縁膜の高
さが前記電極上部における前記保護膜の高さより高いこ
とを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項６】請求項１または５に記載の液晶表示装置に
おいて、 前記絶縁膜がカラーフィルタ層であることを特徴とする
液晶表示装置。 - 【請求項７】請求項１または５に記載の液晶表示装置に
おいて、 前記複数の電極上部以外の領域において、カラーフィル
タ層を設けたことを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項８】請求項１または５に記載の液晶表示装置に
おいて、 前記絶縁膜は有機物であり、 前記保護膜は無機物であることを特徴とする液晶表示装
置。 - 【請求項９】一対の基板と、 前記一対の基板間に挟持された液晶層とを有し、 前記一対の基板のうち少なくとも一方の基板には、共通電極と画素電極とを有する 複数の電極と、 前記複数の電極上に形成された保護膜と、 前記保護膜上に形成され、前記液晶層の厚さを均一化す
るため、前記複数の電極上部以外の領域に形成された絶
縁膜とを有する液晶表示装置の製造方法であって、 前記保護膜上に光硬化性を有する薄膜を形成する工程
と、 前記複数の電極上部以外の前記薄膜に光照射し前記絶縁
膜を形成する工程を含むことを特徴とする液晶表示装置
の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26385995A JP3458562B2 (ja) | 1995-10-12 | 1995-10-12 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| TW085111754A TW354381B (en) | 1995-10-12 | 1996-09-25 | Liquid crystal display apparatus and a method for manufacturing the same liquid crystal display comprises a pair of substrates, and a liquid crystal layer interposed between said pair of substrates |
| US08/720,417 US6222602B1 (en) | 1995-10-12 | 1996-09-30 | Liquid crystal display apparatus and a method for manufacturing the same |
| KR1019960045516A KR100479433B1 (ko) | 1995-10-12 | 1996-10-12 | 액정표시장치및그제조방법 |
| US09/388,446 US6236441B1 (en) | 1995-10-12 | 1999-09-02 | Liquid crystal display apparatus and a method for manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26385995A JP3458562B2 (ja) | 1995-10-12 | 1995-10-12 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09105925A JPH09105925A (ja) | 1997-04-22 |
| JP3458562B2 true JP3458562B2 (ja) | 2003-10-20 |
Family
ID=17395234
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26385995A Expired - Lifetime JP3458562B2 (ja) | 1995-10-12 | 1995-10-12 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
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| JP (1) | JP3458562B2 (ja) |
| KR (1) | KR100479433B1 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| US6215541B1 (en) | 1997-11-20 | 2001-04-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal displays and manufacturing methods thereof |
| JPH11202340A (ja) * | 1998-01-13 | 1999-07-30 | Mitsubishi Electric Corp | 液晶表示装置 |
| JP3216617B2 (ja) | 1998-10-07 | 2001-10-09 | 日本電気株式会社 | アクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法 |
| US6642984B1 (en) * | 1998-12-08 | 2003-11-04 | Fujitsu Display Technologies Corporation | Liquid crystal display apparatus having wide transparent electrode and stripe electrodes |
| JP2000292801A (ja) * | 1999-04-06 | 2000-10-20 | Nec Corp | 液晶表示装置 |
| JP4643786B2 (ja) * | 2000-02-28 | 2011-03-02 | インテレクチュアル ベンチャーズ ホールディング ４５ リミティド ライアビリティ カンパニー | 反射型液晶表示装置用モジュール、その製造方法及び反射型液晶表示装置 |
| TWI234027B (en) * | 2000-06-14 | 2005-06-11 | Hannstar Display Corp | Liquid crystal display device |
| JP2002196337A (ja) * | 2000-09-06 | 2002-07-12 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置の製造方法及び製造装置、並びに液晶パネルの製造方法及び製造装置 |
| US6897918B1 (en) | 2000-09-15 | 2005-05-24 | Toray Industries, Inc. | Color filter with protrusion |
| JP3893533B2 (ja) * | 2001-02-09 | 2007-03-14 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示装置 |
| JP3750055B2 (ja) | 2001-02-28 | 2006-03-01 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示装置 |
| JP4170121B2 (ja) * | 2003-03-20 | 2008-10-22 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 液晶表示装置 |
| KR100698047B1 (ko) * | 2003-04-19 | 2007-03-23 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 횡전계형 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| TWI226484B (en) * | 2003-08-06 | 2005-01-11 | Display Optronics Corp M | Pixel for a fringe field switching reflective and transflective liquid crystal display |
| KR20050115633A (ko) * | 2004-06-04 | 2005-12-08 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 횡전계형 액정 표시 장치 |
| KR101201304B1 (ko) * | 2005-05-06 | 2012-11-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 및 그의 제조방법 |
| KR101193381B1 (ko) * | 2005-12-29 | 2012-10-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치의 제조방법 |
| KR20090010528A (ko) * | 2007-07-23 | 2009-01-30 | 삼성전자주식회사 | 표시 패널용 기판 및 이를 갖는 액정 표시 패널 |
| WO2012073798A1 (en) * | 2010-11-30 | 2012-06-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
| CN103278979B (zh) * | 2012-09-27 | 2016-04-20 | 上海天马微电子有限公司 | 平面式液晶显示器的阵列基板及其制造方法 |
| JP6284208B1 (ja) * | 2016-12-19 | 2018-02-28 | 国立大学法人秋田大学 | 液晶レンズアレイ |
| KR20230119796A (ko) | 2022-02-08 | 2023-08-16 | 공병열 | 손톱 깎기 |
| KR20240045088A (ko) | 2022-09-29 | 2024-04-05 | 공병열 | 손톱 깎이 |
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|---|---|---|---|---|
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| JPS6143729A (ja) * | 1984-08-08 | 1986-03-03 | Citizen Watch Co Ltd | カラ−液晶パネルの製造方法 |
| JPS6242122A (ja) * | 1985-08-20 | 1987-02-24 | Seikosha Co Ltd | カラ−液晶表示装置およびその製造方法 |
| JPH0685032B2 (ja) * | 1985-10-17 | 1994-10-26 | キヤノン株式会社 | カイラルスメクティック液晶素子 |
| FI74871B (fi) | 1986-06-26 | 1987-12-31 | Sinisalo Sport Oy | Skyddsklaede. |
| DE68920702T2 (de) * | 1988-11-10 | 1995-06-14 | Toshiba Kawasaki Kk | Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung, Farbfilter hierfür und Verfahren zur Herstellung des Farbfilters. |
| US5132816A (en) * | 1989-02-02 | 1992-07-21 | Sharp Kabushiki Kaisha | Ferroelectric liquid crystal device and method of manufacturing the same |
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-
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- 1995-10-12 JP JP26385995A patent/JP3458562B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-09-25 TW TW085111754A patent/TW354381B/zh not_active IP Right Cessation
- 1996-09-30 US US08/720,417 patent/US6222602B1/en not_active Expired - Lifetime
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-
1999
- 1999-09-02 US US09/388,446 patent/US6236441B1/en not_active Expired - Lifetime
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