JPH01179915A - 液晶素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の分野〕 本発明はカイラルスメクチック液晶を用いた液晶素子、
特にマルチブレクシフグ駆動時のちらつきの発生を改善
したカイラルスメクチック液晶素子に関するものである
。

〔従来技術〕

液晶分子の屈折率異方性を利用して偏光素子との組み合
わせにより透過光線を制御する型の表示素子がクラーク
（Ｃ１ａｒｋ）及びラガーウオル（Ｌａｇｅｒｗａｌｌ
）により提案されている（米国特許第４３６７９２４号
明細書、米国特許第４６３９０８９号公報等）。この液
晶は、一般に特定の温度域において、カイラルスメクチ
ックＣ相（Ｓｍ＊Ｃ）又はＨ相（Ｓｍ＊Ｈ）を有し、こ
の状態において、加えられる電界に応答して第１の光学
的安定状態と第２の光学的安定状態のいずれかを取り、
且つ電界の印加のないときはその状態を維持する性質、
すなわち双安定性を有し、また電界の変化に対する応答
も速やかであり、高速ならびに記憶型の表示素子として
の広い利用が期待されている。

前述したカイラルスメクチック液晶素子には、走査電極
と信号電極とで構成したマトリクス電極が組込まれ、走
査電極には順次走査信号が印加され、該走査信号と同期
して信号電極には情報信号が印加される。このマルチブ
レクシング駆動をカイラルスメクチック液晶素子に適用
する際、走査電極に走査信号を繰返し、周期的に印加す
るリフレッシュ駆動とした時、表示画面でちらつき（画
面全体の輝度が周期的に変化するために生じるちらつき
）を発生する問題点があった。

〔発明の概要〕

本発明の目的は、前述の問題点を解決した液晶素子を提
供することにある。

本発明は第１に、 ａ、電極を設けた一対の基板、 ｂ、一方方向に沿つて延長された長さを持つ一方の電極
と他方方向に沿って延長された長さを持つ他方の電極と
の交差部で定めた画素部、Ｃ１前記一方及び他方の電極
のうち、少な（とも一方の電極の長さ方向に設けた線状
突起体、及び ｄ、前記一対の基板の間に配置されたカイラルスメクチ
ック液晶であって、該カイラルスメクチック液晶の膜厚
がバルク状態下で固有するらせん構造の形成を抑制する
のに十分に薄く設定されているとともに、前記画素部に
おいて対をなすヘアピン欠陥部とライトニング欠陥部を
発生する傾向をもつか、又は該ヘアピン欠陥部とライト
ニング欠陥部を発生し、該ヘアピン欠陥部がライトニン
グ欠陥部より前記線状突起体に近（位置する配向状態の
ドメインを形成したカイラルスメクチック液晶を有する
液晶素子に第１の特徴をもち、第２に、ａ、一対の基板
、 ｂ、前記一対の基板のうちの少なくとも一方の基板の面
内に、一方方向に延長した段差部を形成する突起体、及
び ｃ、前記一対の基板の間に配置され、且つ複数の分子で
組織した層を隣接して複数形成したカイラルスメクチッ
ク液晶であって、該カイラルスメクチック液晶の膜厚が
バルク状態下で固有するらせん構造の形成を抑制するの
に十分に薄く設定されているとともに、前記一対の基板
の面内における前記層の方向と、前記−力方向に延長し
た段差部の稜線とが交差する配向状態のドメインを形成
したカイラルスメクチック液晶 を有する液晶素子に第２の特徴をもっている。

〔発明の態様の詳細な説明〕

本発明者らは前述の問題点に対して実験検討を行ったと
ころ、以下の点が判明した。

第１図は本発明の液晶素子で用いる基板の態様を表わす
斜視図である。図中１１はガラスやプラスチックなどの
基板、１２はＩＴＯなどで形成した透明電極、１３はア
ルミニウム、クロム、モリブデンなどの金属又はその合
金で形成した低抵抗接続線、１４は一方方向に延長した
段差部を表わし、１５はその稜線を表わしている。透明
電極１２は３００人〜５０００人、好ましくは５００人
〜２０００人の膜厚で設けられており、又低抵抗接続線
１３は３００人〜５０００人、好ましくは５００人〜３
０００人の膜厚で設けられている。

又、本発明では基板１１の上に上下電極間のショートを
防止するための絶縁膜（図示せず）を設け、さらにこの
絶縁膜の上に配向膜を設けることができる。この際、絶
縁膜としては５ｉ０２膜、　ＴｉＯ２膜などを用いるこ
とができ、又配向膜としてはポリビニルアルコール膜、
ポリイミド膜、ポリアミド膜、ポリエステル膜、ポリア
ミドイミド膜やポリエステルイミド膜などを用いること
ができる。

第４図（Ａ）は第１図に示す基板１１ａとｌｌｂを２枚
用意した態様を表わしている。この液晶素子では第４図
（Ａ）に示す２枚の基板１１ａとｌｌｂが点ＡａとＡｂ
、並びに点ＢａとＢｂで対向配置されている。図中の矢
印Ｒａ４とＲｂ４はそれぞれの基板に施したラビング処
理軸などの一軸配向処理軸である。

２枚の基板１１ａとｌｌｂを上述の如（対向配置するこ
とによって、低抵抗接続線１３ａ及び透明電極１２ａが
それぞれ低抵抗接続線１３ｂ及び透明電極１２ｂと交差
し、第４図（Ａ）に示す画素Ｐ４を形成することになる
。

第４図（Ｂ）に示す画素Ｐでは、−軸配向処理軸Ｒａ４
が、画素Ｐ４内に存在する線状突起体に相当する低抵抗
接続線１３ａに対して垂直方向に設定されているととも
に、その向きが低抵抗接続線１３ａに向いている。

かかる第４図（Ａ）及び（Ｂ）に示す画素Ｐ４を形成し
た液晶素子では、対をなすヘアピン欠陥部１４とライト
ニング欠陥部１５が複数形成され、それぞれ対をなすヘ
アピン欠陥部１４とライトニング欠陥部１５が、規則的
に一軸配向処理軸Ｒａ４に対して平行に発生し、しかも
ヘアピン欠陥部１４とライトニング欠陥部１５のうちラ
イトニング欠陥部１５がヘアピン欠陥部１４より線状突
起体に相当する低抵抗接続線１３ａに近く発生している
。

前述のヘアピン欠陥部１４とライトニング欠陥部１５と
は対をなして発生し、セル内に散布したビーズスペーサ
又はファイバースペーサが原因となって発生する。従っ
て、この対をなすヘアピン欠陥部１４とライトニング欠
陥部１５の発生個数は、ビーズスペーサやファイバース
ペーサの散布個数と相関がある。また、ビーズスペーサ
やファイバースペーサが存在していない場合であっても
、セルを指でかる（押圧することによっても発生する。

第７図（Ａ）〜（Ｃ）はヘアピン欠陥とライトニング欠
陥の態様を模式的にスケッチした図である。

第７図（Ａ）はビーズスペーサが原因となって発生した
ヘアピン欠陥７１とライトニング欠陥７２を表わしてい
る。第７図（Ｂ）は第７図（Ａ）に示す欠陥状態をもつ
セルに指でかる（押圧することによって、さらに欠陥を
生長させた欠陥状態を示し、第７図（Ｃ）はその欠陥状
態をさらに生長させた態様を明らかにしている。

第７図（Ａ）〜（Ｃ）で明らかにした様に、■ヘアピン
欠陥７１とライトニング欠陥７２とは対をなして発生し
、周囲のドメイン（カイラルスメクチックＣ２ドメイン
７４）と光学状態（例えば透過率）が一般に相違し、顕
微鏡で判別することができ、■ヘアピン欠陥７１の線幅
Ｗ、はライトニング欠陥７２の線幅Ｗ２に比較して太き
（、一般にヘアピン欠陥７１の線幅Ｗ、は２〜１０μｍ
程度で、ライトニング欠陥７２の線幅Ｗ２は２μｍ以下
で、■ヘアピン欠陥７１及びライトニング欠陥７２で囲
まれたドメイン７３と周囲のドメイン７４とは異なった
配向状態のカイラルスメクチックＣ相を形成し、それぞ
れのドメインをカイラルスメクチックＣ１ドメイン７３
及びカイラルスメクチックＣ２ドメインとして定義する
ことができ、これらの２つの異なるドメインは一般に異
なった光学状態（透過率）を示し、顕微鏡で判別するこ
とができる。

又、上述のヘアピン欠陥とライトニング欠陥は、昭和６
２年ｌθ月液晶討論会予稿集Ｐ、１１４〜１１５「顕微
分光法による５ＳＦＬＣ状態の構造に関子る考察」で明
らかにされている。

本発明者らはかかる第４図（Ａ）及び（Ｂ）に示す画素
Ｐ４を形成した液晶素子に対して、第５図に示すマルチ
プレクシング方式による書込みをフレーム周波数１０Ｈ
ｚで行ったところ、周期的に画面の輝度が変化するちら
つきが見られた。本発明者らは上述の液晶素子をマルチ
プレクシフグ駆動下で顕微鏡観察を行ったところ、閾値
電圧１±ｖｔｈ　ｔを越えた電圧１±Ｖａｌの印加直後
に、低抵抗接続線１３ａのない側Ａの領域に反転部１６
がフレーム周期毎に形成されており、かかる反転部１６
の発生が上述のちらつきに原因していることが判明した
。尚、第５図は画素Ｐ４に印加される電圧の波形を時系
列で示したものである。

次に、本発明者らは第４図（Ａ）及び（Ｂ）に示す一軸
配向処理軸Ｒａ４．　Ｒｂ４の向きを第２図（Ａ）及び
（Ｂ）に示す如く、低抵抗接続線１３ａのない側Ａの向
きに設定した（−軸配向処理軸Ｒａ４．　Ｒｂ４に対し
て逆向き）ほかは、第４図（Ａ）及び（Ｂ）に示す画素
Ｐ４と同様の方法で画素Ｐ２を形成した。

本発明者らの観察によれば、上述した画素Ｐ２ではヘア
ピン欠陥部１４とライトニング欠陥部１５が、画素Ｐ４
で発生した場合と比較して逆向きに発生していたことが
判明した。しかも、画素Ｐ２を形成した液晶素子に対し
て前述と同様に第５図に示すマルチブレクシング駆動方
式による書込みを行ったところ、画面の輝度が周期的に
変化する様なちらつきの発生は見られなかった。本発明
者らはマルチブレクシフグ駆動下の画素Ｐ２を顕微鏡観
察したところ、画素Ｐ４の時に発生していた反転部１６
は全く見られないことが判明した。

又、第３図（Ａ）及びＣＢ）に示す画素Ｐ３では、−軸
配向処理軸Ｒａ３．Ｒｂ３がそれぞれ低抵抗接続線１３
ａ、　　１３ｂに対して交差する方向に設定されている
。かかる画素Ｐ３で発生したヘアピン欠陥部１４とライ
トニング欠陥部１５は、ヘアピン欠陥部１４がライトニ
ング欠陥部１５より低抵抗接続線１３ａ。

１３ｂに近い位置で発生し、それぞれの欠陥部は一軸配
向処理軸Ｒａ３．Ｒｂ３の向きと平行であった。

この画素Ｐ３を形成した液晶素子に、前述と同様のマル
チプレクシング駆動方式による書込みを適用したところ
、ちらつきの発生はなく、シかも反転部の発生も見られ
なかった。

尚、第２図、第３図及び第４図は、倍率２００倍の顕微
鏡写真をスケッチしたものである。

本発明で用いるカイラルスメクチック液晶としては、各
種のものを用いることができる。例えば、米国特許第４
５６１７２６号公報、米国特許第４６１４６０９号公報
、米国特許第４５８９９９６号公報、米国特許第４５９
６６６７号公報、米国特許第４６１３２０９号公報、米
国特許第４６１５５８６号公報などに記載されたカイラ
ルスメクチック液晶を用いることができる。

第６図（Ａ）と（Ｂ）は本発明の液晶素子の一実施例を
示している。第６図（Ａ）は本発明の液晶素子の平面図
で、第６図（Ｂ）はそのＡ　−Ａ’　断面図である。

第６図で示すセル構造体６００は、ガラス板又はプラス
チック板などからなる一対の基板６０１と６０１′　　
をスペーサ６０４で所定の間隔に保持され、この一対の
基板をシーリングするために接着剤６０６で接着したセ
ル構造を有しており、さらに基板６０１の上には複数の
透明電極６０２からなる電極群（例えば、マトリクス電
極構造のうちの走査電圧印加用電極群）が例えば帯状パ
ターンなどの所定パターンで形成されている。基板６０
１′　の上には前述の透明電極６０２と交差させた複数
の透明電極６０２′　からなる電極群（例えば、マトリ
クス電極構造のうちの信号電圧印加用電極群）が形成さ
れている。透明電極６０２．６０２’　　には、それぞ
れ低抵抗接続線６１０．６１０’　　が設けられている
。

この様な透明電極６０２′　を設けた基板６０１′　に
は、例えば、−酸化硅素、二酸化硅素、酸化アルミニウ
ム、ジルコニア、フッ化マグネシウム、酸化セリウム、
フッ化セリウム、シリコン窒化物。

シリコン炭化物、ホウ素窒化物などの無機絶縁物質やポ
リビニルアルコール、ポリイミド、ポリアミドイミド、
ポリエステルイミド、ポリパラキシレリン、ポリエステ
ル、ポリカーボネート、ポリビニルアセタール、ポリ塩
化ビニル、ポリアミド。

ポリスチレン、セルロース樹脂、メラミン樹脂。

ユリア樹脂やアクリル樹脂などの有機絶縁物質を用いて
被膜形成した配向膜６０５を設けることができる。

この配向膜６０５は、前述の如き無機絶縁物質又は有機
絶縁物質を被膜形成した後に、その表面をビロード、布
や紙で一方向に摺擦（ラビング）することによって得ら
れる。

本発明の別の好ましい具体例では、ＳｉＯ’ＰＳｉ０２
などの無機絶縁物質を基板６０１′　　の上に斜め蒸着
法によって被膜形成することによって、配向膜６０５を
得ることができる。

また、別の具体例ではガラス又はプラスチックからなる
基板６０１′　の表面あるいは基板６０１’　の上に前
述した無機絶縁物質や有機絶縁物質を被膜形成した後に
、該被膜の表面を斜方エツチング法によりエツチングす
ることにより、その表面に配向制御効果を付与すること
ができる。

前述の配向膜６０５は、同時に絶縁膜としても機能させ
ることが好ましく、このためにこの配向膜６０５の膜厚
は一般に１００人〜１μ、好ましくは５００人〜５００
０人の範囲に設定することができる。この絶縁膜は、液
晶層６０３に微量に含有される不純物等のために生ずる
電流の発生を防止できる利点をも有しており、従って動
作を繰り返し行っても液晶化合物を劣化させることがな
い。

また、本発明の液晶素子では前述の配向膜６０５と同様
のものをもう一方の基板６０１に設けることができる。

このセル構造体６００は、複数の分子で組織した層を隣
接して複数形成したカイラルスメクチック液晶６０３を
有しており、該カイラルスメクチック液晶６０３の膜厚
がバルク状態下で固有するらせん構造の形成を抑制する
のに十分に薄く設定されている。この点については、米
国特許第４３６７９２４号公報に詳述されている。

この様なセル構造体６００は、基板６０１と６０１′の
両側にはクロスニコル状態又はパラレルニコル状態とし
た偏光子６０７と６０８がそれぞれ配置されて、電極６
０２と６０２′　の間に電圧を印加した時に光学変調を
生じることになる。

〔発明の効果〕

本発明によれば、画面の輝度が周期的に変化することに
よって生じるちらつきの発生がなく、表示品位の高い画
面を形成することができる。

以下、本発明を実施例に従って説明する。

〔実施例１〕 ２枚の１　、１　ｍ　ｍ厚のガラス板を用意し、それぞ
れのガラス板上にＩＴＯのストライプ状電極を形成した
。この基板にモリブデンで形成したメタル配線を第１図
の低抵抗接続線１３のようにＩＴＯ電極と画素間にまた
がって、１０００人の厚みで形成した。

さらに上下電極のショート防止層として５ｉ０２をスパ
ッタ法により５００人形成した。

その上にアミノシラン０．１％ＩＰＡ　（イソプロピル
アルコール）溶液を回転数２００Ｏｒｐｍのスピンナー
で１５秒間塗布し、１５０℃で焼成後、ポリイミド形成
液５Ｐ５１０　（東し社製）２％溶液（ＮＭＰ　：　ｎ
ブチルセロソルブ＝２　：　１）を回転数３００Ｏｒｐ
ｍのスピンナーで３０秒間塗布した。成膜後、約１時間
３００℃の加熱焼成処理を施してポリイミド配向膜を形
成した。この塗膜の膜厚は２００人のポリイミド膜であ
った。

次に、一方のガラス板（第１の基板）に、第２図に示す
Ｒｂ２の方向に、焼成後のポリイミドの被膜に対してラ
ビング処理を施した。他方のガラス板（第２の基板）に
は、第２図に示すＲａ２の方向に、焼成後のポリイミド
膜に対してラビング処理を施した。

しかる後、平均粒径約１．５μｍのアルミナビーズを一
方のガラス板上に散布した後、それぞれのラビング処理
軸およびその方向が第２図（Ａ）及び（Ｂ）のような平
行ラビングになるように一方と他方ガラス板をはり合わ
せてセルを作成した。

このセルのセル厚をベレック位相板（位相差による測定
）によって測定したところ、約１．５μｍであった。こ
のセル内にチッソ側社製のｒＣＳ−１０１４Ｊ（商品名
）を等方相下で真空注入σてから、等方相から０．５℃
／ｈで６０℃まで徐冷することにより配向させることが
できた。以後の実験は２５℃で行った。

尚、前述したｒＣＳ−１０１４Ｊの相変化は、下記のと
おりであった。

直交ニコル下でこのセルを観察すると、−様で欠陥のな
い非らせん構造のカイラルスメクチックＣ相を形成した
モノドメインが得られていた。

又、この液晶素子を６０℃に保温し、ＳｍＡの配向状態
にし、直交クロスニコルにした偏光顕微鏡観察下、Ｓｍ
Ａの状態で液晶分子が層に直角方向に並ぶことを利用し
て層の方向を測定した。その結果、ラビング方向に直角
であることが確認された。

この液晶素子を第５図に示す駆動方式を用いてマルチブ
レクシング駆動をした。

１フレームで明状態と暗状態が書き込める方式であり、
書き込みパルス幅ΔＴに対してｌライン走査期間３ΔＴ
を必要とする３ΔＴ駆動方式である。

（Ａ）がｎ番目の走査線Ｓｎに印加される走査信号、（
Ｂ）がある情報線ｌに印加される情報信号で、白→白→
白→白→黒→白→白→白の情報信号。

（Ｃ）が走査線Ｓｎと情報線Ｉとの交差部に印加される
合成波形である。

又、この時の画素内の配向状態を倍率２００倍の顕微鏡
で観察をすると、第２図に示すように、アルミナビーズ
が原因となって発生するヘアピン欠陥とライトニング欠
陥をもつドメインが形成されており、ヘアピン欠陥の部
分がモリブデン配線の側を向いていることが確認された
。

〔実施例２〕 第３図（Ａ）及び（Ｂ）に示す様に、−軸配向処理軸Ｒ
ａ３．Ｒｂ３に相当するラビング処理軸と低抵抗接続線
１３ａ、１３ｂに相当するモリブデン配線との交差角θ
ａを４５°に設定したほかは、実施例１と同様の方法で
セルを作成し、テストを行ったところ、第３図（Ｂ）に
示すヘアピン欠陥とライトニング欠陥の発生が見られた
（倍率２００倍の顕微鏡）。

このセルに対して実施例１と同様のマルチプレクシング
駆動による書込みを行ったところ、ちらつきの発生はな
かった。

又、本発明では上述の交差角θ６をｌｏ０〜８００の範
囲、好ましくは３０゜〜６００　の範囲に設定すること
が可能である。

［比較例１〕 ラビング処理方向を第４図のように向けたほかは、実施
例１と全く同様の方法で、液晶セルを作成し、実施例１
と同様のテストを行った。

駆動時に低抵抗接続線１３ａのない側Ａから画素書き込
み方向とは逆方向の逆反転ドメイン（反転部１６）が発
生した。

白い画素間からは、画素の黒書き込み時に白い逆反転ド
メインが発生し、黒い画素間からは画素の白書き込み時
に黒い逆反転ドメインが発生した。

又、画素内の配向状態の観察をすると、Ｆｉｇ４に示す
ようにアルミナビーズが原因となって発生するヘアピン
欠陥とライトニング欠陥をもつドメインのライトニング
欠陥の部分が低抵抗接続線１３ａの方向に向いているこ
とが確認された。

実施例３−８ 配向膜及び液晶材料として下表のものを用いたほかは、
実施例１と同様のセルを作成し、テストを行ったところ
、実施例１と同様の結果であった。

１土１　　　　配」Ｌ腺　　　　　　液ＩＬ料３．　　
　日量化学社製　　　　　チッソ社製ｒｓＥ１００Ｊ　
　　　　　　　ｒｃｓ１０１４Ｊ４、　　　日量化学社
製　　　　　チッソ社製ｒｓＥｌｏＯＪ　　　　　　　
　ｒｃｓｌｏｌ　１Ｊ５、　　　日量化学社製　　　　
　チッソ社製ｒｓＥ４１１０Ｊ　　　　　　　ｒｃｓ１
０１４Ｊ６、　　　日量化学社製　　　　チッソ社製ｒ
ｓＥ４１１０Ｊ　　　　　　　ｒｃｓ１０１１Ｊ７、　
　　東し社製　　　　　　　チッソ社製ｒＬＰ６４Ｊ　
　　　　　　　ｒｃｓ１０１４Ｊ表中、ｒｓＥｌｏｏＪ
、ｒｓＥ４１１０Ｊ及びｒＬＰ６４Ｊはそれぞれポリイ
ミド膜形成用樹脂液である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明で用いた基板の斜視図である。第２図（
Ａ）は本発明で用いた一対の基板の平面図で、第２図（
Ｂ）はその画素の平面図である。第３図（Ａ）は本発明
で用いた別の一対の基板の平面図で、第３図（Ｂ）はそ
の画素の平面図である。第４図（Ａ）は本発明外の一対
の基板の平面図で、第４図（Ｂ）はその画素の平面図で
ある。第５図（Ａ）〜（Ｃ）は本実施例で用いた駆動電
圧の波形図である。第６図（Ａ）は本発明で用いたセル
の平面図で、第６図（Ｂ）はそのＡ−Ａ’　断面図であ
る。第７図（Ａ）〜（Ｃ）はヘアピン欠陥とライトニン
グ欠陥を模式的にスケッチした説明図である。 第　６　図 （／’１） ＣＢ） 第　７　図 （ハ） （Ｂ） （Ｃ）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）ａ、電極を設けた一対の基板、 ｂ、一方方向に沿って延長された長さを持つ一方の電極
   と他方方向に沿って延長された長さを持つ他方の電極と
   の交差部で定めた画素部、 ｃ、前記一方及び他方の電極のうち、少なくとも一方の
   電極の長さ方向に設けた線状突起体、及び ｄ、前記一対の基板の間に配置されたカイラルスメクチ
   ツク液晶であって、該カイラルスメクチツク液晶の膜厚
   がバルク状態下で固有するらせん構造の形成を抑制する
   のに十分に薄く設定されているとともに、前記画素部に
   おいて、対をなすヘアピン欠陥部とライトニング欠陥部
   を発生する傾向をもつか、又は該ヘアピン欠陥部とライ
   トニング欠陥部を発生し、該ヘアピン欠陥部がライトニ
   ング欠陥部より前記線状突起体に近く位置する配向状態
   のドメインを形成したカイラルスメクチツク液晶 を有することを特徴とする液晶素子。 （２）前記線状突起体が前記一方及び他方の電極のそれ
   ぞれに設けられている特許請求の範囲第１項記載の液晶
   素子。 （３）前記線状突起体が低抵抗体で形成されている特許
   請求の範囲第１項又は第２項記載の液晶素子。 （４）前記低抵抗体が金属又はその合金である特許請求
   の範囲第３項記載の液晶素子。 （５）前記一方及び他方の電極が複数配置されている特
   許請求の範囲第１項又は第２項記載の液晶素子。 （６）前記複数配置された一方の電極が走査電極として
   機能し、他方の電極が信号電極として機能する特許請求
   の範囲第５項記載の液晶素子。 （７）ａ、一対の基板、 ｂ、前記一対の基板のうちの少なくとも一方の基板の面
   内に、一方方向に延長した段差部を形成する突起体、及
   び ｃ、前記一対の基板の間に配置され、且つ複数の分子で
   組織した層を隣接して複数形成したカイラルスメクチツ
   ク液晶であって、該カイラルスメクチツク液晶の膜厚が
   バルク状態下で固有するらせん構造の形成を抑制するの
   に十分に薄く設定されているとともに、前記一対の基板
   の面内における前記層の方向と、前記一方方向に延長し
   た段差部の稜線とが交差する配向状態のドメインを形成
   したカイラルスメクチツク液晶 を有することを特徴とする液晶素子。 （８）前記交差する角度が１０゜〜８０゜である特許請
   求の範囲第７項記載の液晶素子。（９）前記交差する角
   度が３０゜〜６０゜である特許請求の範囲第７項記載の
   液晶素子。（１０）前記突起体が一対の基板の面内に形
   成されている特許請求の範囲第７項記載の液晶素子。 （１１）前記突起体がストライプ状透明電極である特許
   請求の範囲第７項又は第１０項記載の液晶素子。