JPH04162020A

JPH04162020A - 液晶表示素子

Info

Publication number: JPH04162020A
Application number: JP28724690A
Authority: JP
Inventors: Tadashi Mihara; 三原　正; Yasuhito Kodera; 泰人小寺
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1990-10-26
Filing date: 1990-10-26
Publication date: 1992-06-05

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［発明の分野］本発明は、スメクチック液晶を用いた液晶表示素子に関
し、特にマルチブレクシレグ駆動時のコントラスト比を
改善したスメクチック液晶表示素子に関するものである
。

［従来の技術］液晶分子の屈折率異方性を利用して偏光素子との組み合
わせにより透過光線を制御する型の表示素子かクラーク
（Ｃ１ａｒｋ）およびラガーウオル（Ｌａｇｅｒｗａｌ
ｌ）により提案されている（米国特許第４３６７９２４
号明細書、米国特許第４６３９０８９号公報等）。この
液晶は一般に特定の温度域において、カイラルスメクチ
ックＣ相（ＳｍＣ”　）またはＨ相（ＳｍＨ’　）を有
し、この状態において、加えられる電界に応答して第１
の光学的安定状態と第２の光学的安定状態のいずれかを
取り、且つ電界の印加のないときはその状態を維持する
性質、すなわち双安定性を有し、また電界の変化に対す
る応答も速やがてあり、高速ならびに記憶型の表示素子
としての広い利用か期待されている。

前述したスメクチック液晶素子は、走査電極と信号電極
とて構成したマトリクス電極か組み込まれ、走査電極に
は順次走査信号か印加され、該走査信号と同期して信号
電極には情報信号か印加されてマルチブレクシング駆動
される。

しかしながら、このようなスメクチック液晶素子は、コ
ントラスト比か低かったり、全体にざらつきやむらか見
えるという不都合があフた。これは、このマルチブレク
シング駆動をスメクチック液晶素子に適用する際、画素
間では電界が印加されないため、第１の光学的安定状態
と第２の光学的安定状態がまたらに配列するからである
。

［発明か解決しようとする課題］本発明の目的は、前述したような従来の液晶表示素子に
おける問題点を解決した新規な液晶素子を提供すること
にある。

本発明の別の目的は、高速応答性を有する液晶表示素子
を提供することにある。

［課題を解決するための手段および作用］本発明のかか
る目的は、強誘電性を有するスメクチック液晶と該スメ
クチック液晶を挟持し且つ互いに対向する電極とを有す
る液晶表示素子において、各電極の両側端部に凸部を設
け、これにより画素間の配向状態を１軸配向性のない状
態、もしくは垂直配向とすることにより達成される。す
なわち、コントラスト比およびざらつきやむらを改善さ
れた液晶表示素子が提供される。

本発明の表示素子で用いられる強誘電性を有するスメク
チック７夜晶としては、カイラルスメクチックＣ相（Ｓ
ｍＣ”　）、Ｈ相（ＳｍＨ”　）、Ｆ相（ＳｍＦ”　）
、１相（Ｓｍｌ”　）、Ｊ相（ＳｍＪ”）、Ｇ相（Ｓｍ
Ｇ”　）　、またはに相（ＳｍＫ″）の液晶が通してい
る。この強誘電性液晶については、”ＬＥ　ＪＯＵＲＮ
ＡＬ　ＤＥ　ＰＨＹＳＩＱＵＥ　ＬＥＴＴＥＲ５’“３
　６　　（Ｌ　−６９）　　１　９７　５．　　ｒＦｅ
ｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃｌｉｑｕｉｄ　　Ｃｒｙｓｔａ
ｌｓ　　Ｊ　　；　　°”Ａｐｐｌｉｅｄ　　Ｐｈｙｓ
ｉｃｓＬｅｔｔｅｒｓ　　”　　３　６　　（１１）　
　１　９８０　　ｒｓｕｂｎ＋ｉｃｒ。

５ｅｃｏｎｄ　　Ｂｊｓｔａｂｌｅ　　Ｅｌｅｃｔｒｏ
ｏｐｔｉｃ　　Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ　１ｎＬｉｑｕｉｄ
　Ｃｒｙｓｔａｌｓ　Ｊ　　；　　”固体物理”１６（
１４１）１９８１ｒ液晶」等に記載されており、本発明
ではこれらに開示された強誘電性液晶を用いることがて
きる。

第１図は、強誘電性液晶セルの例を模式的に描いたもの
である。２１と２１′は、Ｉｎ、、０３、ＳｎＯ２ある
いはＩＴＯ（Ｉ　ｎｄ　ｉ　ｕｍ−Ｔｉ　ｎ０ｘｊｄｅ
）等の薄膜からなる透明電極で被覆された基板（ガラス
板）であり、その間に液晶分子層２２がガラス面に垂直
になるように配向したＳｍＣ”　、ＳｍＨ”　、ＳｍＦ
’　、ＳｍＩ’　、ＳｍＧ”等のカイラルスメクチック
相の液晶が封入されている。太線で示した線２３が液晶
分子を表わしており、この液晶分子２３はその分子に直
交した方向に双極子モーメント（Ｐ±）２４を有してい
る。基板２１と２１′上の電極間に一定の閾値以上の電
圧を印加すると、液晶分子２３のらせん構造か（Ｊとけ
、双極子モーメント（Ｐ±）２４かすべて電界方向に向
くよう、液晶分子２３は配向方向を変えることができる
。液晶分子２３は細長い形状を有しており、その長軸方
向と短軸方向で屈折率異方性を示し、したがって、例え
はカラス面の上下に互いにクロスニコルの偏光子を置け
は、電圧印加極性によって光学特性か変わる液晶光学変
調素子となることは、容易に理解される。

本発明で好ましく用いられる液晶セルは、その厚さを充
分に薄く（例えは１０μｍ以下）することかできる。こ
のように液晶層か薄くなることにしたがい、第２図に示
すように電界を印加していない状態ても液晶分子のらせ
ん構造かほどけ、非らせん構造となり、その双極子モー
メントＰまたはＰ′は上向き（矢印３４）または下向き
（矢印３４′）のどちらかの状態をとる。このようなセ
ルに、第２図に示す如く一定の閾値以上の極性の異なる
電界ＥまたはＥ′を不図示の電圧印加手段により付与す
ると、双極子モーメントは、電界ＥまたはＥ′の電界ベ
クトルに対応して上向き３４または下向ぎ３４′　と向
きを変え、それに応して液晶分子は、第１の安定状態３
３かあるいは第２の安定状態３３′の何れか一方に配向
する。

このような強誘電性液晶セルを用いることの利点は、先
にも述へたか２つある。

その第１は、応答速度か極めて速いことである。第２は
液晶分子の配向か双安定性を有することである。第２の
点を、例えば第２図によってさらに説明すると、電界Ｅ
を印加すると液晶分子は第１の安定状態３３に配向する
か、この状態は電界を切っても安定である。また、逆向
きの電界Ｅ′　を印加すると、液晶分子は第２の安定状
態３３′に配向してその分子の向きを変えるが、やはり
電界を切ってもこの状態に留っている。また、与える電
界Ｅカ）一定の闇値を越えない限り、それぞれの配向状
態にやはり維持されている。このような応答速度の速さ
と、双安定性か有効に実現されるにはセルとしては出来
るたけ薄い方か好ましい。

一般的には０５μｍ〜２０μｍ、特に１μｍ〜５μｍか
適している。この種の強お電性液晶を用いたマトリクス
電極構造を有する液晶電気光学装置は、例えはクラーク
とラガハルにより米国特許第４３６７９２４号公報で提
案されている。

本発明者らは、強銹電性を有するスメクチック液晶の分
子の配列状態および偏光子検光子の組合わせによる液晶
素子の最適化をさらに検討した結果、画素間に位置する
液晶分子の配列状態か、コントラスト比に大きく影響し
ていることを知るに至った。さらに、画素間に位置する
液晶分子の配向状態か第１の光学的安定状態と第２の光
学的安定状態がまたらに配列していると全体にざらつき
やむらになって見えること、および電極間に電界を印加
したときに漏れ電界のため画素間の液晶分子が部分的に
応答して第１の光学的安定状態または第２の光学的安定
状態となり、コントラスト比力変化することを知るに至
った。

そして、スメクチック液晶を挟持して互いに対向する電
極双方の両側端部に凸部を設け、さらに凸部に平行てな
いラビング処理で配向制御することにより、画素間にお
ける配向状態を１軸配向性のない状態、もしくは垂直配
向とすることができ、コントラスト比、ざらつきおよび
やむらに関する改善か可能であることを知見するに至っ
た。

第３図は、本発明の液晶表示素子て用いる基板の態様を
表わす斜視図である。図中、１１はガラスやプラスチッ
ク等の基板、１２はＩＴ○等て形成した透明電極、１３
はアルミニウム、クロム、モリブデン等の金属またはそ
の合金で形成した低抵抗接続線、１４は一方方向に延長
した段差部を表わし、１５はその稜線を表わしている。

透明電極１２は３００人〜５０００人、好ましくは５０
０人〜２０００人の膜厚て設けられており、また低抵抗
接続線１３は１０００人〜５０００人、好ましくは１０
００人〜３０００人の膜厚で設けられている。

また、本発明では基板１１の上に上下電極間のショート
を防止するための絶縁膜（図示せず）を設け、さらにこ
の絶縁膜の上に配向膜を設けることかできる。この際、
絶縁膜としては５ｉ０２膜、ＴｉＯ２膜等を用いること
かでき、また配向膜としてはボリヒニルアルコール膜、
ポリイミド月莫、ポリアミド膜、ポリエステル膜、ポリ
アミドイミド膜やポリエステルイミド膜等を用いること
かできる。

第４図（Ａ）は、第３図に示す基板を２枚用意した態様
を表わしている。この液晶表示素子では、第４図（Ａ）
に示す２枚の基板１１ａと１１ｂか点ＡａとＡｂ、並び
に点ＢａとＢｂで対向配置されている。図中の矢印Ｒａ
４とＲｂ４はそれぞれの基板に施したラビング処理軸等
の一軸配向処理軸である。２枚の基板１１ａと１１ｂを
上述の如く対向配置することによって、低抵抗接続線１
３ａおよび透明電極１２ａがそれぞれ低抵抗接続線１３
ｂおよび透明電＆１２ｂと交差し、第４図（Ｂ）に示す
画素Ｐ４を形成することになる。

第４図（Ｂ）に示す画素Ｐ４では、−軸配向処理軸Ｒａ
４か、画素Ｐ４内に存在する線状突起体に相当する低抵
抗接続線１３ａに対して垂直方向から５℃以上の角度に
設定されている。

本発明者らか、かかる第４図（Ａ）および（Ｂ）に示す
画素Ｐ４を形成した液晶素子に対して、第５図に示すマ
ルチブレクシング方式による書込みをフレーム周波数１
０Ｈｚで行ったところ、画素が暗状態（黒表示状態）の
時に、まばらに白っぽい部分がありざらつきが見られた
。次に、明状態（白表示状態）としてコントラスト比を
測定したところ、コントラスト比か画面内でばらついて
おり全体に低くなっていた。

また、上述の液晶素子をマルチブレクシフグ駆動下で顕
微鏡観察を行ったところ、閾値電圧１±Ｖｔｈｌを越え
た電圧１±■、１を印加し画素Ｐ４を暗状態（黒表示状
態）としたとき、画素間】６では暗状態と明状態とがま
ばらに存在しており、画面内の各部分でその割合がばら
ついており、これが上述のざらつき、コントラスト比の
むらおよび低コントラスト比の原因となっていることが
判明した。

なお、第５図は画素Ｐ４に印加される電圧の波形を時系
列で示したものである。

第４図は、倍率２００倍の顕微鏡写真をスケッチしたも
のである。本発明で用いるスメクチック液晶としては、
各種のものを用いることかできる。例えば米国特許第４
５６１７２６号公報、米国特許第４６１４［ｉ０！１号
公報、米国特許第４５８９９！１５号公報、米国特許第
４５９Ｈ６７号公報、米国特許第４６１３２０９号公報
、米国特許第４６１５５８６号公報等に記載されたカイ
ラルスメクチック液晶を用いることができる。

［実施例］以下、実施例により本発明の詳細な説明する。

第６図（Ａ）と（Ｂ）は本発明の液晶表示素子の一実施
例を示している。第６図（Ａ）は本発明の液晶素子の平
面図で、第６図（Ｂ）はそのＡ−Ａ’断面図である。

第６図で示すセル構造体６００は、ガラス板またはプラ
スチック板等からなる一対の基板６０１と６０１′をス
ペーサ６０４で所定の間隔に保持し、この一対の基板を
シーリングするために接着剤６０６で接着したセル構造
を有しており、さらに基板６０１の上には複数の透明電
極６０２からなる電極群（例えば、マトリクス電極構造
のうちの走査電圧印加用電極群）か例えば帯状パターン
等の所定のパターンで形成されている。基板６０１′の
上には前述の透明電極６０２と交差させた複数の透明電
極６０２′からなる電極群（例えばマトリクス電極構造
のうちの信号電圧印加用電極群）が形成されている。透
明電極６０２．６０２′には、そわぞれ低抵抗接続線６
】０．６１０′が設けられている。

このような透明電極６０２′を設けた基板６０１′には
、例えば−酸化硅素、二酸化硅素、酸化アルミニウム、
ジルコニア、フッ化マグネシウム、酸化セリウム、フッ
化セリウム、シリコン窒化物、シリコン炭化物、ホウ素
窒化物等の無機絶縁物質やポリビニルアルコール、ポリ
イミド、ポリアミドイミド、ポリエステルイミド、ポリ
パラキシレリン、ポリエステル、ポリカーボネート、ポ
リビニルアセタール、ポリ塩化ビニル、ポリアミド、ポ
リスチレン、セルロース樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹
脂、アクリル樹脂等の有機絶縁物質を用いて被膜形成し
た配向膜６０５を設けることかてきる。

この配向膜６０５は、前述の如き無機絶縁物質または有
機絶縁物質を被膜形成した後に、その表面を上リードや
、布や紙で一方向に摺擦（ラビング）することによって
得られる。

また、別の具体例ではガラスまたはプラスチックからな
る基板６０１′の表面あるいは基板６０１′の上に前述
した無機絶縁物質や有機絶縁物質を被膜形成した後に、
該被膜の表面を斜方エツチング７去によりエツチングす
ることにより、その表面に配向制御効果を付与すること
ができる。

前述の配向膜６０５は、同時に絶縁膜としても機能させ
ることが好ましく、このためにこの配向膜６０５の膜厚
は一般に１００人〜１μｍ１好ましくは５００人〜５０
００人の範囲に設定することがてきる。この絶縁膜は、
液晶層６０３に微量に含有される不純物等のために生ず
る電流の発生を防止できる利点をも有しており、したか
って、動作を繰り返し行っても液晶化合物を劣化させる
ことかない。

また、本発明の液晶素子では前述の配向膜６０５と同様
のものをもう一方の基板６０１に設けることかできる。

このセル構造体６００は、複数の分子で組織した層を隣
接して複数形成したカイラルスメクチック液晶６０３を
有しており、該カイラルスメクチック液晶６０３の膜厚
かバルク状態下で固有するらせん構造の形成を抑制する
のに十分に薄く設定されている。この点については、米
国特：ｉ！ｌｒ第４３６７９２４号公報に詳述されてい
る。

このようなセル構造体６００は、基板６０１と６０１′
の両側にクロスニコル状態またはパラレルニコル状態と
した偏光子６０７と６０８をそれぞれ配置されて、電８
ｉ６０２と６０２′の間に電圧を印加した時に光学変調
を生しることになる。

実施例１２枚の１．１ｍｍ厚のガラス板を用意し、それぞれのガ
ラス板上にＩＴＯのストライブ状電極を形成した。この
基板にモリブデンで形成したメタル配線を第３図の低抵
抗接続線１３のようにＩＴＯ電極と画素間にまたがって
、１０００人の厚みで形成した。さらに上下電極のショ
ート防止層として５ｉ０２をスパッタ法により５００人
形成した。

その上にアミノシラン０．１％ＩＰＡ（イソプロピルア
ルコール）溶液を回転数２０００　ｒｐｍのスピンナー
で１５秒間塗布し、１５０℃で焼成後、ポリイミド形成
液ＬＱ１８０２（日立化成社製）１０％溶液を回転数３
０００ｒｐｍのスピンナーで３０秒間塗布した。成膜後
、約１時間３００℃の加熱焼成処理を施してポリイミド
配向膜を形成した。この塗膜の膜厚は２００人のポリイ
ミド膜であった。

次に、一方のガラス（第１の基板）に、第４図（Ａ）に
示すＲｂ４の方向に、焼成後のポリイミドの被膜に対し
てラビング処理を施した。他方のカラス板（第２の基板
）には、第４図（Ａ）に示すＲａ４の方向に、焼成後の
ポリイミド膜に対してラビング処理を施した。

しかる後、平均粒径約１５μｍのアルミナヒーズを一方
のガラス板上に散布した後、それぞれのラビング処理軸
およびその方向が第４図（Ａ）および（Ｂ）のような平
行ラビングになるように一方と他方のガラス板をはり合
わせてセルを作成した。

このセルのセル厚をベレック位相板（位相差による測定
）によって測定したところ、約１．５μｍであった。こ
のセル内にチッソ■社製のｒＣ３−１０１４Ｊ　　（商
品名）を等労相下で真空注入してから、等労相から０．
５℃／ｈで６０℃まで徐冷することにより配向させるこ
とができた。以後の実験は２５℃で行った。

なお、前述したｒＣ３−１０１４Ｊの相変化は、下記の
とおりでありた。

一２１℃　　５４．４℃　　６９．１　ｔ　　８０．５
℃Ｃｒｙ、　−５ｍＣ”　　　→ＳｍＡ　　　−Ｃｈ　
　　→Ｉｓ。

但し、ＳｍＡはスメクチックＡ相、Ｃｈはコレステリッ
ク相、Ｉｓｏは等労相を示す。

直交ニコル下でこのセルを観察すると、−様で欠陥のな
い非らせん構造のカイラルスメクチックＣ相を形成した
モノドメインが得られていた。

また、この液晶素子を６０℃に保温し、ＳｍＡの配向状
態にし、直交クロスニコルにした偏光顕微鏡観察下、Ｓ
ｍＡの状態で液晶分子が層に直角方向に並ぶことを利用
して層の方向を測定した。

その結果、ラビング方向に直角であることが確認された
。

この液晶素子を第５図に示す駆動方式を用いてマルチブ
レクシング駆動した。

１フレームで明状態と暗状態が書込める方式であり、書
込みパルス幅ΔＴに対して１ライン走査期間３ΔＴを必
要とする３ΔＴ駆動方式である。

第５図（Ａ）はｎ番目の走査線Ｓｎに印加される走査信
号、第５図（Ｂ）はある情報線ｒに印加される情報信号
で、白−白一白一白一黒一白一白一白の情報信号である
。第５図（Ｃ）は走査線Ｓｎと情報線Ｉとの交差部に印
加される合成波形である。

上述の第４図（Ａ）および（Ｂ）に示す画素Ｐ４を形成
した液晶素子に対して、第５図に示すマルチブレクシン
グ方式による書込みをフレーム周波数１０　Ｈｚで行っ
たところ、画素か暗状態（黒表示状態）の時に、まばら
に白っぽい部分がありざらつきが見られた。次に、明状
態（白表示状態）としてコントラスト比を測定したとこ
ろ、コントラスト比が画面内でばらついており全体に低
い値となっていた。

また、上述の液晶素子をマルチプレクシレグ駆動下で顕
微鏡観察を行りたところ、閾値電圧１±Ｖ　ｔｈ　ｌを
越えた電圧１±Ｖ、［を印加し画素Ｐ４を暗状態（黒表
示状態）としたとき、画素間１６では暗状態と明状態と
がまばらに存在しており、画面内の各部分てその割合が
ばらついており、これか上述のざらつき、コントラスト
比のむらおよび低コントラスト比の原因となっているこ
とか判明した。

そこで、第３図においては、透明電極１２の片側にのみ
低抵抗接続線１３か設けられているのに対し、第７図に
示すように透明電極１２の両Ｉｌｌに低抵抗接続線１３
．１３を設けた。

基板１１として第７図のものを用いる他は、前述と同様
にして液晶表示素子を作成した。第８図（Ａ）は第７図
に示す基板を２枚用意した状態を示し、第８図（Ｂ）は
画素Ｐ４の状態を示す、それぞれ第４図（Ａ）および（
Ｂ）に対応する図である。

第８図（Ａ）の基板を用いて同図（Ｂ）に示す画素Ｐ４
を形成した液晶素子に対して、第５図に示すマルチプレ
クシング方式による書込みをフレーム周波数１０Ｈｚで
行ったところ、画素が暗状態（黒表示状態）のとき、へ
た異状、−となり、ざらつきは見られなかった。次に、
明状態（白表示状態）としてコントラスト比を測定した
ところ、コントラスト比のばらつきは夕なく、全体に値
か高くなった。

また、上述の液晶素子をマルチブレクシレグ駆動下で顕
微鏡観察を行ったところ、閾値電圧１±■１，１を越え
た電圧１±Ｖ２　Ｉを印加し画素Ｐ４を暗状態（黒表示
状、＠）としたとき、画素間１６はすべて暗状態となっ
ていた。

また、液晶素子の上下に配置した偏光板をクロスニコル
の関係を保りたまま回転しても画素間は暗状態のままで
あり、画素間が垂直配向となっていることが分った。

以上より、第７および８図に示すように、電極の両端部
に凸部を設けることによって、マルチブレクシレグ駆動
下でのざらつき、コントラスト比むら、およびコントラ
スト比を著しく改善することができた。

また、透明電極の両端部に凸部を設けた場合と、片側に
のみ設けた場合とで、画面内の各点でのコントラスト比
を比較すると、第１表のようになった。同表において、
測定点の番号は第９図に示す番号に対応している。

すなわち、本発明により、ざらつき、コントラスト比む
ら、およびコントラスト比を著しく改善することができ
た。

実施例２基板ｚｂにおけるラビング方向を電極１２ｂの両端に設
けた凸部１３ｂ、１３ｂに対して０＠、５’、１０°、
２５′および３５°とした他は実施例１と全く同様にし
てラビング方向か異なる５種類の液晶表示素子を作成し
、実施例１と同様のテストを行なった。なお、各液晶表
示素子とも基板１１ａにおけるラヒング方向は、液晶表
示素子の状態で基板１１ｂと平行にした。

また、画素間の配向状態を偏光顕微鏡て観察すると％　
１．０図（Ａ）〜（Ｅ）に示す通りてあった。０°の場
合、画素間１６は、第１の安定状態と第２の安定状態と
垂直配向の部分かあった。

また、５°および１０°の場合、画素間１６は、垂直配
向部分と一軸性のない部分（偏光板をクロスニコル状態
で回転した場合に均一に明・暗となる位置かない部分）
か存在した。

また、２５゛および３５°では画素間１６はすへて垂直
配向てあった。

以上のように、ラヒング方向が電極の両端の凸部に対し
て５°以上の時にざらつき、コントラスト比むら、およ
びコン］・ラストが改善できた。

［効果］以上説明したように、本発明によれは、互いに対向する
電極の双方の電極の両側の端部に凸部を設けたことによ
りざらつき、コントラストむら、コントラスト等の表示
品質か改善され、高速応答性を有する液晶表示素子が提
供される。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図および第３図は、本発明で用いた基板の
斜視図、第４図（Ａ）は、本発明で用いた一対の基板の平面図、第４図（Ｂ）は、第４図（Ａ）の画素の平面図、第５図（Ａ）〜（Ｃ）は、本実施例で用いた駆動電圧の
波形図、第６図（Ａ、）は、本発明で用いたセルの平面図、第６図（Ｂ）は、第６図（Ａ）の、ｌ−Ａ’断面図、第７図は、本発明の一実施例に係る液晶表示素子の基板
の斜視図、第８図（Ａ）は、第７図の基板の断面図、第８図（Ｂ）
は、第８図（Ａ）の基板を用いた液晶表示素子の画素の
平面図、第９図は、液晶表示素子の画面内のコントラスト比測定
点を示す平面図、そして第１０図（Ａ）〜（Ｅ）は、本発明の他の実施例に係る
液晶表示素子の画素の平面図である。１１、ｌｌａ、ｌｌｂ：基板１２、　１２ａ、　　１２ｂ　　透明電極＋３；　　ｉ
３ａ、１３ｂ　　低抵抗接続線（凸部）１６　画素間２１．２１’　　・透明電極２３　スメチックン夜晶Ｒａ４．Ｒｂ４ニラピング処理の方向特許出願人　　　ギヤノン株式会社代理人　弁理士　　　伊　東　哲　也代理人　弁理士　　　伊　東　辰　雄第２図第３図Ｂｏ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　Ａａ　
　　　Ａｂ第４図（Ａ）（Ｂ）第６図 −１５−”７″藺゛゛）置“〜４ｉｔ＋″古””’　　
　１３．１ｉｉｌｉ、、ＩＬ□。４．、、♀＼　由叫凸
’Ａ　ｆ　ｆ’　：？　’（情２第７図第９図Ｂａ　　　　　　　　　　　　　　　　　Ａａ　　　Ａ
ｂ第８図（／＼）尤、？（−）へＥ侍　ｆ）沖、　ｆｊ伯表５−１Ｂ町のジ素第１０図（Ａ）黒貴示時の！う、左Ｉ３表示時の昌素番４　　　　　　　　！− 、区　　　　　ン

Claims

【特許請求の範囲】

（１）強誘電性を有するスメクチック液晶と、該スメク
チック液晶を挟持し且つ互いに対向する電極とを有する
液晶素子において、双方の電極の端部に凸部を設けたことを特徴とする液晶
表示素子。
（２）前記凸部が電極面を基準として１０００Å以上の
高さを有することを特徴とする請求項１記載の液晶表示
素子。
（３）前記凸部に対して平行でない方向へのラビング処
理により配向制御することを特徴とする請求項１記載の
液晶表示素子。
（４）前記ラビング処理が前記凸部に対して５゜以上の
角度で行なわれていることを特徴とする請求項３記載の
液晶表示素子。