JP2721357B2 - 液晶装置 - Google Patents
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の分野〕 本発明は強誘電性液晶を用いた液晶装置、特に色むら
発生を抑制した強誘電性液晶装置に関するものである。
発生を抑制した強誘電性液晶装置に関するものである。
クラークとラガーウオルは、Applied Physics Letter
s 第36巻，第11号（1980年６月１日発行）、P.899−90
1、又は米国特許第4,367,924号、米国特許第4,563,059
号で、表面安定化強誘電性液晶（Surface−stabilized
ferroelectric liquid crystal）による双安定性強誘電
性液晶を明らかにした。この双安定性強誘電性液晶は、
バルク状態のカイラルスメクチツク相における液晶分子
のらせん配列構造の形成を抑制するのに十分に小さい間
隔に設定した一対の基板間に配置させ、且つ複数の液晶
分子で組織された垂直分子層を一方向に配列させること
によって実現された。
s 第36巻，第11号（1980年６月１日発行）、P.899−90
1、又は米国特許第4,367,924号、米国特許第4,563,059
号で、表面安定化強誘電性液晶（Surface−stabilized
ferroelectric liquid crystal）による双安定性強誘電
性液晶を明らかにした。この双安定性強誘電性液晶は、
バルク状態のカイラルスメクチツク相における液晶分子
のらせん配列構造の形成を抑制するのに十分に小さい間
隔に設定した一対の基板間に配置させ、且つ複数の液晶
分子で組織された垂直分子層を一方向に配列させること
によって実現された。
しかしながら、実際の強誘電性液晶セルの透過率は、
充分に大きなものではなく、そのため表示を行う時には
高輝度の背面光源を用いる必要があった。
充分に大きなものではなく、そのため表示を行う時には
高輝度の背面光源を用いる必要があった。
一般に高輝度の光源としてシヤープな比エネルギー
（％）のピークを生じる光源、特に発光波長が異なる少
なくとも２種の蛍光体を用いた蛍光体光源が知られてい
る（第９図；東芝社製「FL40SS−EX 37−Ｓ」）が、か
かる光源を前述した強誘電性液晶パネルの背面光源とし
て利用すると、液晶層の膜厚むらに由来する色むらが発
生したり、観察方向の変化に応じてパネル全面での色合
に変化を生じるなどの問題点を惹き起していた。
（％）のピークを生じる光源、特に発光波長が異なる少
なくとも２種の蛍光体を用いた蛍光体光源が知られてい
る（第９図；東芝社製「FL40SS−EX 37−Ｓ」）が、か
かる光源を前述した強誘電性液晶パネルの背面光源とし
て利用すると、液晶層の膜厚むらに由来する色むらが発
生したり、観察方向の変化に応じてパネル全面での色合
に変化を生じるなどの問題点を惹き起していた。
本発明の目的は、前述の問題点、特に明るい表示状態
を維持した上で、色むら発生及び色合の変化を防止した
強誘電性液晶装置を提供することにある。
を維持した上で、色むら発生及び色合の変化を防止した
強誘電性液晶装置を提供することにある。
すなわち、本発明は、透明電極、該透明電極上に設け
られた誘電体膜、該誘電体膜上に設けられた配向膜、を
有する一対の基板と、該一対の基板間に前記配向膜に接
するように配置され、層厚が５μｍ以下に設定され非ら
せんの分子配列構造を有しているカイラルスメクチック
液晶層と、を有する液晶セル、並びに少なくとも３つの
比エネルギーのピークを生じる光源を有する液晶装置で
あって、前記誘電体膜が前記透明電極の屈折率よりも大
きい屈折率を有する誘電体膜であることを特徴とする液
晶装置である。
られた誘電体膜、該誘電体膜上に設けられた配向膜、を
有する一対の基板と、該一対の基板間に前記配向膜に接
するように配置され、層厚が５μｍ以下に設定され非ら
せんの分子配列構造を有しているカイラルスメクチック
液晶層と、を有する液晶セル、並びに少なくとも３つの
比エネルギーのピークを生じる光源を有する液晶装置で
あって、前記誘電体膜が前記透明電極の屈折率よりも大
きい屈折率を有する誘電体膜であることを特徴とする液
晶装置である。
かかる構成とすることにより、シャープな比エネルギ
ー（％）のピークを生じる光源、特に少なくとも３つの
比エネルギーピークを有する光源を用いているにもかか
わらず、色づきを抑制することができる。
ー（％）のピークを生じる光源、特に少なくとも３つの
比エネルギーピークを有する光源を用いているにもかか
わらず、色づきを抑制することができる。
第１図は本発明装置の断面図である。強誘電性液晶セ
ル10は、２枚のガラス基板12aと12bの上に、それぞれ透
明電極13aと13b、誘電体膜14aと14b並びに配向膜15aと1
5bが設けられ、かかる２枚のガラス基板12aと12bとの間
との間に強誘電性液晶が配置されている。この強誘電性
液晶セル10の両側にはそれぞれクロスニコルの関係にあ
る偏光板が配置されている。
ル10は、２枚のガラス基板12aと12bの上に、それぞれ透
明電極13aと13b、誘電体膜14aと14b並びに配向膜15aと1
5bが設けられ、かかる２枚のガラス基板12aと12bとの間
との間に強誘電性液晶が配置されている。この強誘電性
液晶セル10の両側にはそれぞれクロスニコルの関係にあ
る偏光板が配置されている。
第２図〜第７図は観察方向の変化に応じた透過率変化
を表している。第２図〜第７図の条件を下表に示す。
を表している。第２図〜第７図の条件を下表に示す。
第８図（Ａ）は、強誘電性液晶パネル81を水平に置い
た時の平面図で、図中Ａ〜Ｆはそれぞれの注目画面領域
であって、通常の観察位置にある観察目82の水平成分に
おける方向83Aをパネル81の画面中央に沿った方向とし
た時、方向83に対する注目画面領域Ａ〜Ｆの方向をθsa
mp（Ａ）〜（Ｆ）とする。
た時の平面図で、図中Ａ〜Ｆはそれぞれの注目画面領域
であって、通常の観察位置にある観察目82の水平成分に
おける方向83Aをパネル81の画面中央に沿った方向とし
た時、方向83に対する注目画面領域Ａ〜Ｆの方向をθsa
mp（Ａ）〜（Ｆ）とする。
第８図（Ｂ）は、第８図（Ａ）の側面図で、強誘電性
液晶パネル81の法線に対する観察目82の角度をθinとす
る。
液晶パネル81の法線に対する観察目82の角度をθinとす
る。
第２図〜第７図によれば、強誘電性液晶パネルは、角
度θsamp及びθinを変化させると色むらと色合に変化を
生じることが判る。
度θsamp及びθinを変化させると色むらと色合に変化を
生じることが判る。
そこで、本発明は、透明電極（好ましくはITO電極）1
3a及び／又は13bの膜厚を840Å以下、特に720Å以下
（実用上50Å以上）、1320〜1680Å、1960〜2470Å又は
3180〜3850Åに設定することによって、多重干渉に由来
する前述した色むら発生と色合の変化を抑制することが
できる。
3a及び／又は13bの膜厚を840Å以下、特に720Å以下
（実用上50Å以上）、1320〜1680Å、1960〜2470Å又は
3180〜3850Åに設定することによって、多重干渉に由来
する前述した色むら発生と色合の変化を抑制することが
できる。
本発明の好ましい具体例では、強誘電性液晶16の分子
長軸の屈折率をｎとし、分子短軸の屈折率をｎ⊥と
し、且つ、ガラス基板12aと12bの屈折率をｎとした時、
ｎ⊥−0.1≦ｎ≦ｎ＋0.1の関係を満たすのがよい。こ
の際、誘電体膜14a,14bと配向膜15a,15bの屈折率は、ガ
ラス基板12a,12bと同程度の値に設定するのがよい。
長軸の屈折率をｎとし、分子短軸の屈折率をｎ⊥と
し、且つ、ガラス基板12aと12bの屈折率をｎとした時、
ｎ⊥−0.1≦ｎ≦ｎ＋0.1の関係を満たすのがよい。こ
の際、誘電体膜14a,14bと配向膜15a,15bの屈折率は、ガ
ラス基板12a,12bと同程度の値に設定するのがよい。
第10図（本発明）は第１図に示す交差角90゜のクロス
ニコル偏光板11aと11bを配置した1.27μｍ厚の強誘電性
液晶セル10（透明電極13aと13bとしてITOの膜厚ｄ＝100
Åとした）の明状態及び暗状態における透過率を表わし
ている。この際、背面光源として第９図の比エネルギー
特性をもつ３波長型光源を用いた。図中の透過率曲線10
1は明状態下のもの、透過率曲線102は暗状態下のものを
表わしている。又、強誘電性液晶16の分子長軸屈折率1.
70、分子短軸屈折率1.55、誘電体膜14a,14b（SiO2屈折
率1.47;膜厚450Å）、配向膜15a,15b（ポリイミド屈折
率1.67;膜厚600Å）であった。
ニコル偏光板11aと11bを配置した1.27μｍ厚の強誘電性
液晶セル10（透明電極13aと13bとしてITOの膜厚ｄ＝100
Åとした）の明状態及び暗状態における透過率を表わし
ている。この際、背面光源として第９図の比エネルギー
特性をもつ３波長型光源を用いた。図中の透過率曲線10
1は明状態下のもの、透過率曲線102は暗状態下のものを
表わしている。又、強誘電性液晶16の分子長軸屈折率1.
70、分子短軸屈折率1.55、誘電体膜14a,14b（SiO2屈折
率1.47;膜厚450Å）、配向膜15a,15b（ポリイミド屈折
率1.67;膜厚600Å）であった。
第11図（比較例）は、前述の強誘電性液晶セル10で用
いた透明電極13a,13bとして膜厚1150ÅのITOとした他
は、前述の強誘電性液晶セルと同様の方法で作成した時
の透過率特性を示す。図中の透過率曲線111は明状態下
のもの、透過率曲線112は暗状態下のものである。
いた透明電極13a,13bとして膜厚1150ÅのITOとした他
は、前述の強誘電性液晶セルと同様の方法で作成した時
の透過率特性を示す。図中の透過率曲線111は明状態下
のもの、透過率曲線112は暗状態下のものである。
第10図によれば、本発明装置で色むらが発生していな
いことが判る。又、第11図によれば比較装置では色むら
が目立ち、表示品位の低いものであることが判る。
いことが判る。又、第11図によれば比較装置では色むら
が目立ち、表示品位の低いものであることが判る。
第12図は、第10図（本発明）及び第11図（比較例）の
液晶セルで生じた色合の変動をCIE1976（Ｌ＊μ
＊ｖ＊）色空間によって表わしたものである。図中の12
1は本発明の色空間で、122は比較例の色空間である。第
12図によれば、ｖ＊−μ＊座標の原点Ｃに近い本発明の
色空間121は、原点Ｃより遠い比較例の色空間122と比較
して色合の変動分が小さいことを表わして４いる。
液晶セルで生じた色合の変動をCIE1976（Ｌ＊μ
＊ｖ＊）色空間によって表わしたものである。図中の12
1は本発明の色空間で、122は比較例の色空間である。第
12図によれば、ｖ＊−μ＊座標の原点Ｃに近い本発明の
色空間121は、原点Ｃより遠い比較例の色空間122と比較
して色合の変動分が小さいことを表わして４いる。
第13図は、第10図の強誘電性液晶セルの液晶層の膜厚
を1.3μｍ〜1.7μｍの間で変化させた時のμ＊−ｖ＊座
標を表わし、第14図は、第11図の強誘電性液晶セルの液
晶層の膜厚を1.3μｍ〜1.7μｍの間で変化させた時のμ
＊−ｖ＊座標を表わしている。
を1.3μｍ〜1.7μｍの間で変化させた時のμ＊−ｖ＊座
標を表わし、第14図は、第11図の強誘電性液晶セルの液
晶層の膜厚を1.3μｍ〜1.7μｍの間で変化させた時のμ
＊−ｖ＊座標を表わしている。
第15図は、第10図の強誘電性液晶セルを第８図に示す
θsamp＝０゜とした時のθinの変動に応じたμ＊−ｖ＊
座標を表わしている。図中の添数字（度）はθinの角度
である。第16図は、第11図の強誘電性液晶セルを第８図
に示すθsamp＝０゜とした時のθinの変動に応じたμ＊
−ｖ＊座標を表わしている。図中の添数字（度）はθin
の角度である。
θsamp＝０゜とした時のθinの変動に応じたμ＊−ｖ＊
座標を表わしている。図中の添数字（度）はθinの角度
である。第16図は、第11図の強誘電性液晶セルを第８図
に示すθsamp＝０゜とした時のθinの変動に応じたμ＊
−ｖ＊座標を表わしている。図中の添数字（度）はθin
の角度である。
第13図〜第16図から実施例（第10図のセル）ではセル
厚及び視角（入射角度）の変動にともなう色変化が鈍感
なのに対して、比較例（第11図のセル）では、セル厚及
び視角（入射角度）の変動にともなう色変化が敏感であ
ることがわかる。
厚及び視角（入射角度）の変動にともなう色変化が鈍感
なのに対して、比較例（第11図のセル）では、セル厚及
び視角（入射角度）の変動にともなう色変化が敏感であ
ることがわかる。
すなわち、比較例のセルでは、製造プロセスで制御し
ている±0.1μｍ以下のセル厚のばらつき（例えば±100
Åのばらつき）、あるいは、±2.5゜程度の視角差によ
って、色むらが大きく変動してしまうのに対し、実施例
のセルでは、±0.1μｍ以下のセル厚のばらつきや、±
2.5゜程度の視角差では色むらとして認識されることな
く、色むらが発生しにくいセルとなっていることがわか
る。
ている±0.1μｍ以下のセル厚のばらつき（例えば±100
Åのばらつき）、あるいは、±2.5゜程度の視角差によ
って、色むらが大きく変動してしまうのに対し、実施例
のセルでは、±0.1μｍ以下のセル厚のばらつきや、±
2.5゜程度の視角差では色むらとして認識されることな
く、色むらが発生しにくいセルとなっていることがわか
る。
本発明の第２の具体例では、第１図の強誘電性液晶セ
ル10で用いた誘電体膜14aと14bとしてTa2O5又はTiO2を
用いることによっても、前述の目的を達成することがで
きる。
ル10で用いた誘電体膜14aと14bとしてTa2O5又はTiO2を
用いることによっても、前述の目的を達成することがで
きる。
第17図はTa2O5誘電体膜を用いたセル10のμ＊−ｖ＊
座標を表わしている。図中の171が本実施例での座標で
ある。本実施例171では、比較例122と比較して座標原点
に近い位置を示し、色むら発生が抑制されていた。又、
Ta2O5膜に代えてTiO2膜を用いても同様の効果を得るこ
とができる。尚、本実施例で用いた誘電体膜の膜厚、屈
折率は以下のとおりであった。
座標を表わしている。図中の171が本実施例での座標で
ある。本実施例171では、比較例122と比較して座標原点
に近い位置を示し、色むら発生が抑制されていた。又、
Ta2O5膜に代えてTiO2膜を用いても同様の効果を得るこ
とができる。尚、本実施例で用いた誘電体膜の膜厚、屈
折率は以下のとおりであった。
本発明の別の好ましい具体例では、屈折率が厚み方向
に対して段階的または連続的に変化することができる。
第18図は、この実施例の特徴を概念的に示した図であ
る。屈折率を段階的または連続的に変化させる方法とし
ては、例えば外拡散法や金属拡散法が知られている（コ
ロナ社「光波電子光学」P298〜299参照）。第18図で、T
i拡散ガラス181a,181bは厚み方向に屈折率が変化する層
であり、基板ガラス12a及び12bの表面からTiを熱拡散さ
せて作製した。この屈折率が変化する層のために、比較
例（第11図のセル）において、特に問題と考えられるIT
O−ガラス基板間の界面反射がおさえられ、セル全体と
して界面反射に由来する干渉ピークが抑制される結果、
色むらが防止される。
に対して段階的または連続的に変化することができる。
第18図は、この実施例の特徴を概念的に示した図であ
る。屈折率を段階的または連続的に変化させる方法とし
ては、例えば外拡散法や金属拡散法が知られている（コ
ロナ社「光波電子光学」P298〜299参照）。第18図で、T
i拡散ガラス181a,181bは厚み方向に屈折率が変化する層
であり、基板ガラス12a及び12bの表面からTiを熱拡散さ
せて作製した。この屈折率が変化する層のために、比較
例（第11図のセル）において、特に問題と考えられるIT
O−ガラス基板間の界面反射がおさえられ、セル全体と
して界面反射に由来する干渉ピークが抑制される結果、
色むらが防止される。
第19図は第１図の強誘電性液晶セル10で用いた透明電
極13a,13b（ITO）の膜厚セル毎に変化させた時の｜Δθ
μｖ｜の変化を表わしている。
極13a,13b（ITO）の膜厚セル毎に変化させた時の｜Δθ
μｖ｜の変化を表わしている。
本発明者らの実験によれば、｜Δθμｖ｜が９度以
下、好ましくは３度以下の時に色むらの発生が抑制さ
れ、この時のITOの膜厚を840Å以下、好ましくは720Å
以下（実用上50Å以上）、1320〜1680Å、1960〜2470Å
又は3180〜3850Åに設定することができる。
下、好ましくは３度以下の時に色むらの発生が抑制さ
れ、この時のITOの膜厚を840Å以下、好ましくは720Å
以下（実用上50Å以上）、1320〜1680Å、1960〜2470Å
又は3180〜3850Åに設定することができる。
第20図は強誘電性液晶セルの例を模式的に描いたもの
である。201aと201bはIn2O3、SnO2やITO（インジウム−
テイン−オキサイド）等の透明電極がコートされた基板
（ガラス板）であり、その間に液晶分子層202がガラス
面に垂直になるように配向したSmC＊（カイラルスメク
チツクＣ）相の液晶が封入されている。太線で示した線
203が液晶分子を表わしており、この液晶分子203は、そ
の分子に直交した方向に双極子モーメント（Ｐ⊥）204
を有している。基板201aと201b上の電極間に一定の閾値
以上の電圧を印加すると、液晶分子203のらせん構造が
ほどけ、双極子モーメント（Ｐ⊥）204はすべて電界方
向に向くよう、液晶分子203の配列方向を変えることが
できる。液晶分子203は細長い形状を有しており、その
長軸方向と短軸方向で屈折率異方性を示し、従って例え
ばガラス面の上下に互いにクロスニコルの位置関係に配
置した偏光子を置けば、電圧印加極性によって光学特性
が変わる液晶光学変調素子となることは容易に理解され
る。さらに液晶セルの厚さを十分に薄くした場合（例え
ば１μ）には、第21図に示すように電界を印加していな
い状態でも液晶分子のらせん構造はほどけ、その双極子
モーメントPa又はPbは上向き（214a）又は下向き（214
b）のどちらかの状態をとる。このようなセルに、第21
図に示す如く一定の閾値以上の極性の異なる電界Ea又は
Ebを所定時間付与すると、双極子モーメントは電界Ea又
はEbの電界ベクトルに対して上向き214a又は下向き214b
と向きを変え、それに応じて液晶分子は第１の安定状態
213aかあるいは第２の安定状態213bの何れか一方に配列
する。
である。201aと201bはIn2O3、SnO2やITO（インジウム−
テイン−オキサイド）等の透明電極がコートされた基板
（ガラス板）であり、その間に液晶分子層202がガラス
面に垂直になるように配向したSmC＊（カイラルスメク
チツクＣ）相の液晶が封入されている。太線で示した線
203が液晶分子を表わしており、この液晶分子203は、そ
の分子に直交した方向に双極子モーメント（Ｐ⊥）204
を有している。基板201aと201b上の電極間に一定の閾値
以上の電圧を印加すると、液晶分子203のらせん構造が
ほどけ、双極子モーメント（Ｐ⊥）204はすべて電界方
向に向くよう、液晶分子203の配列方向を変えることが
できる。液晶分子203は細長い形状を有しており、その
長軸方向と短軸方向で屈折率異方性を示し、従って例え
ばガラス面の上下に互いにクロスニコルの位置関係に配
置した偏光子を置けば、電圧印加極性によって光学特性
が変わる液晶光学変調素子となることは容易に理解され
る。さらに液晶セルの厚さを十分に薄くした場合（例え
ば１μ）には、第21図に示すように電界を印加していな
い状態でも液晶分子のらせん構造はほどけ、その双極子
モーメントPa又はPbは上向き（214a）又は下向き（214
b）のどちらかの状態をとる。このようなセルに、第21
図に示す如く一定の閾値以上の極性の異なる電界Ea又は
Ebを所定時間付与すると、双極子モーメントは電界Ea又
はEbの電界ベクトルに対して上向き214a又は下向き214b
と向きを変え、それに応じて液晶分子は第１の安定状態
213aかあるいは第２の安定状態213bの何れか一方に配列
する。
このような強誘電性液晶を光学変調素子として用いる
ことの利点は２つある。第１に応答速度が極めて速いこ
と、第２に液晶分子の配向が双安定状態を有することで
ある。第２の点を例えば第21図によって説明すると、電
界Eaを印加すると液晶分子は第１の安定状態213aに配向
するが、この状態は電界を切っても安定である。又、逆
向きの電界Ebを印加すると液晶分子は第２の安定状態21
3bに配向して、その分子の向きを変えるが、やはり電界
を切ってもこの状態に留っている。又、与える電界Eaが
一定の閾値を超えない限り、それぞれの配向状態にやは
り維持されている。このような応答速度の速さと双安定
性が有効に実現されるには、セルとして出来るだけ薄い
方が好ましく、一般的には0.5μ〜20μ、特に１μ〜５
μが適している。
ことの利点は２つある。第１に応答速度が極めて速いこ
と、第２に液晶分子の配向が双安定状態を有することで
ある。第２の点を例えば第21図によって説明すると、電
界Eaを印加すると液晶分子は第１の安定状態213aに配向
するが、この状態は電界を切っても安定である。又、逆
向きの電界Ebを印加すると液晶分子は第２の安定状態21
3bに配向して、その分子の向きを変えるが、やはり電界
を切ってもこの状態に留っている。又、与える電界Eaが
一定の閾値を超えない限り、それぞれの配向状態にやは
り維持されている。このような応答速度の速さと双安定
性が有効に実現されるには、セルとして出来るだけ薄い
方が好ましく、一般的には0.5μ〜20μ、特に１μ〜５
μが適している。
本発明の駆動法で用いることができる双安定性を有す
る液晶としては、強誘電性を有するカイラルスメクチッ
ク液晶が最も好ましく、そのうちカイラルスメクチツク
Ｃ相（SmC＊）又はＨ相（SmH＊）の液晶が適している。
この強誘電性液晶については、例えば米国特許第461320
9号公報、米国特許第4614609号公報、米国特許第462216
5号公報などに記載されたものを用いることができる。
る液晶としては、強誘電性を有するカイラルスメクチッ
ク液晶が最も好ましく、そのうちカイラルスメクチツク
Ｃ相（SmC＊）又はＨ相（SmH＊）の液晶が適している。
この強誘電性液晶については、例えば米国特許第461320
9号公報、米国特許第4614609号公報、米国特許第462216
5号公報などに記載されたものを用いることができる。
又、本発明では前述した駆動例の他に、例えば米国特
許第4705345号公報、米国特許第4707078号公報などに記
載されたものも用いることができる。
許第4705345号公報、米国特許第4707078号公報などに記
載されたものも用いることができる。
本発明によれば、高輝度の三波長光源を背面光源に適
用しても、従来発生していた色むらの発生と色合の変化
を抑制することができた。
用しても、従来発生していた色むらの発生と色合の変化
を抑制することができた。
第１図は本発明装置の断面図である。第２図〜第７図は
従来装置の透過率変化を示す特性図である。第８図
（Ａ）は本発明装置を水平配置した時の態様を示す平面
図で、第８図（Ｂ）はその側面図である。第９図は本発
明装置で用いた背面光源の特性図である。第10図は本発
明装置の透過率変化を示す特性図である。第11図は比較
装置の透過率変化を示す特性図である。第12図は本発明
装置と比較装置のCIE1976（Ｌ＊μ＊ｖ＊）色空間にお
けるμ＊−ｖ＊座標を示す説明図である。第13図は本発
明装置における液晶層の膜厚変動に依存するμ＊−ｖ＊
座標の説明図である。第14図は比較装置における液晶層
の膜厚変動に依存するμ＊−ｖ＊座標の説明図である。
第15図は本発明装置における角度θin変動に依存するμ
＊−ｖ＊座標の説明図である。第16図は比較装置におけ
る角度θin変動に依存するμ＊−ｖ＊座標の説明図であ
る。第17図は本発明装置と比較装置のμ＊−ｖ＊座標を
示す説明図である。第18図は本発明の別の装置の断面図
である。第19図は角度｜Δθμｖ｜（deg.）とITO膜厚
との関係を示す説明図である。第20図及び第21図は本発
明装置で用いた強誘電性液晶セルの斜視図である。
従来装置の透過率変化を示す特性図である。第８図
（Ａ）は本発明装置を水平配置した時の態様を示す平面
図で、第８図（Ｂ）はその側面図である。第９図は本発
明装置で用いた背面光源の特性図である。第10図は本発
明装置の透過率変化を示す特性図である。第11図は比較
装置の透過率変化を示す特性図である。第12図は本発明
装置と比較装置のCIE1976（Ｌ＊μ＊ｖ＊）色空間にお
けるμ＊−ｖ＊座標を示す説明図である。第13図は本発
明装置における液晶層の膜厚変動に依存するμ＊−ｖ＊
座標の説明図である。第14図は比較装置における液晶層
の膜厚変動に依存するμ＊−ｖ＊座標の説明図である。
第15図は本発明装置における角度θin変動に依存するμ
＊−ｖ＊座標の説明図である。第16図は比較装置におけ
る角度θin変動に依存するμ＊−ｖ＊座標の説明図であ
る。第17図は本発明装置と比較装置のμ＊−ｖ＊座標を
示す説明図である。第18図は本発明の別の装置の断面図
である。第19図は角度｜Δθμｖ｜（deg.）とITO膜厚
との関係を示す説明図である。第20図及び第21図は本発
明装置で用いた強誘電性液晶セルの斜視図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−27721（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−107216（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−72928（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−143789（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−6225（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−50735（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−202435（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−58421（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】透明電極、該透明電極上に設けられた誘電
体膜、該誘電体膜上に設けられた配向膜、を有する一対
の基板と、該一対の基板間に前記配向膜に接するように
配置され、層厚が５μｍ以下に設定され非らせんの分子
配列構造を有しているカイラルスメクチック液晶層と、
を有する液晶セル、並びに少なくとも３つの比エネルギ
ーのピークを生じる光源を有する液晶装置であって、前
記誘電体膜が前記透明電極の屈折率よりも大きい屈折率
を有する誘電体膜であることを特徴とする液晶装置。 - 【請求項２】前記誘電体膜がTa2O5を有する膜である請
求項１記載の液晶装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63165660A JP2721357B2 (ja) | 1988-07-01 | 1988-07-01 | 液晶装置 |
| EP89111992A EP0349006B1 (en) | 1988-07-01 | 1989-06-30 | Liquid crystal apparatus |
| DE68927079T DE68927079T2 (de) | 1988-07-01 | 1989-06-30 | Flüssigkristall-Vorrichtung |
| US07/985,232 US5414542A (en) | 1988-07-01 | 1992-12-02 | Liquid crystal apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63165660A JP2721357B2 (ja) | 1988-07-01 | 1988-07-01 | 液晶装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0213926A JPH0213926A (ja) | 1990-01-18 |
| JP2721357B2 true JP2721357B2 (ja) | 1998-03-04 |
Family
ID=15816591
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP63165660A Expired - Lifetime JP2721357B2 (ja) | 1988-07-01 | 1988-07-01 | 液晶装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5414542A (ja) |
| EP (1) | EP0349006B1 (ja) |
| JP (1) | JP2721357B2 (ja) |
| DE (1) | DE68927079T2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| KR100405893B1 (ko) | 1995-10-23 | 2004-10-06 | 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 | 액정표시장치 |
| DE19751036C1 (de) * | 1997-11-18 | 2000-01-05 | Autronic Melchers Gmbh | Verfahren zum Bestimmen von für das optische Verhalten von Flüssigkristall-Zellen charakteristischen Beiwerten |
| KR102092531B1 (ko) * | 2011-08-03 | 2020-03-24 | 린텍 가부시키가이샤 | 가스 배리어성 점착 시트, 그 제조 방법, 그리고 전자 부재 및 광학 부재 |
| TWI475574B (zh) * | 2012-02-29 | 2015-03-01 | Far Eastern New Century Coprration | 塗佈型透明導電膜結構及其應用 |
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| JPS5958421A (ja) * | 1982-09-29 | 1984-04-04 | Toshiba Corp | 液晶表示装置 |
| US4763995A (en) * | 1983-04-28 | 1988-08-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Spacers with alignment effect and substrates having a weak alignment effect |
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| US4870484A (en) * | 1983-05-13 | 1989-09-26 | Seiko Epson Corporation | Color display device using light shutter and color filters |
| US4737018A (en) * | 1985-01-30 | 1988-04-12 | Seiko Epson Corporation | Display device having anti-reflective electrodes and/or insulating film |
| JPS6227721A (ja) * | 1985-07-30 | 1987-02-05 | Hitachi Ltd | メモリ−性付与液晶光変調素子 |
| GB8600022D0 (en) * | 1986-01-02 | 1986-02-12 | Rca Corp | Arrangement to minimize reflected ambient light |
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| JPS636526A (ja) * | 1986-06-26 | 1988-01-12 | Mitsubishi Electric Corp | 液晶表示器 |
| JPS6348522A (ja) * | 1986-08-19 | 1988-03-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マトリクス型液晶表示装置 |
| US4917471A (en) * | 1986-08-30 | 1990-04-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal device |
| US4813771A (en) * | 1987-10-15 | 1989-03-21 | Displaytech Incorporated | Electro-optic switching devices using ferroelectric liquid crystals |
| JPH0243516A (ja) * | 1988-08-03 | 1990-02-14 | Pioneer Electron Corp | 液晶表示装置 |
| JPH0636349B2 (ja) * | 1989-02-22 | 1994-05-11 | 日亜化学工業株式会社 | 紫外線反射層を有する蛍光ランプ |
-
1988
- 1988-07-01 JP JP63165660A patent/JP2721357B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-06-30 EP EP89111992A patent/EP0349006B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-06-30 DE DE68927079T patent/DE68927079T2/de not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-12-02 US US07/985,232 patent/US5414542A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0349006A3 (en) | 1990-10-17 |
| EP0349006B1 (en) | 1996-09-04 |
| DE68927079D1 (de) | 1996-10-10 |
| US5414542A (en) | 1995-05-09 |
| EP0349006A2 (en) | 1990-01-03 |
| JPH0213926A (ja) | 1990-01-18 |
| DE68927079T2 (de) | 1997-02-06 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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